JP2000293847A - 磁気記録媒体の製造装置 - Google Patents
磁気記録媒体の製造装置Info
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ピンホールが少なく、耐久性、耐蝕性に優れ
た磁気テープを作成するための磁気記録媒体の製造装置
を提供すること。 【解決手段】 カーボンターゲット２１〜２３の左右に
クリーニング用電極（またはクリーニング用イオンガ
ン）２４〜２７を設置し、ＤＬＣ成膜時にクリーニング
用電極に通電する。ＤＬＣが成膜される過程で、磁性膜
付のフィルム６表面に付着した微粒子をプラズマエネル
ギーにより素早く除去し、ＤＬＣ成膜終了時には微粒子
が少ない状態で、保護膜が形成される。
た磁気テープを作成するための磁気記録媒体の製造装置
を提供すること。 【解決手段】 カーボンターゲット２１〜２３の左右に
クリーニング用電極（またはクリーニング用イオンガ
ン）２４〜２７を設置し、ＤＬＣ成膜時にクリーニング
用電極に通電する。ＤＬＣが成膜される過程で、磁性膜
付のフィルム６表面に付着した微粒子をプラズマエネル
ギーにより素早く除去し、ＤＬＣ成膜終了時には微粒子
が少ない状態で、保護膜が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体の製
造装置に関する。そして、この発明は、ピンホールが少
なく、耐久性、耐蝕性に優れた磁気記録媒体が得られる
磁気記録媒体の製造装置を提供することを目的としてい
る。
造装置に関する。そして、この発明は、ピンホールが少
なく、耐久性、耐蝕性に優れた磁気記録媒体が得られる
磁気記録媒体の製造装置を提供することを目的としてい
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気テ−プの記録密度は近年急速に高密
度化が図られている。この過程で、磁気テ−プは高抗磁
力、高磁束密度を有する酸化鉄テープ、メタルテ−プ、
及び薄膜テ−プへと高性能なものに移行している。この
磁気テ−プの応用として、ＶＴＲ分野では今後、デジタ
ル化、高精細化を達成するために、特に薄膜テ−プが注
目されている。
度化が図られている。この過程で、磁気テ−プは高抗磁
力、高磁束密度を有する酸化鉄テープ、メタルテ−プ、
及び薄膜テ−プへと高性能なものに移行している。この
磁気テ−プの応用として、ＶＴＲ分野では今後、デジタ
ル化、高精細化を達成するために、特に薄膜テ−プが注
目されている。
【０００３】この薄膜テ−プとしては磁性膜が斜方蒸着
法により形成された、いわゆる蒸着テープが実用化され
ている。これは、具体的には真空中でピアス型電子銃を
用いて、電子ビームをルツボ中のＣｏ，ＣｏＮｉなどの
磁性材料に照射して、これらの材料を溶融、蒸発させ、
酸素を導入しながら、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレ
ート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ
（ポリイミド）、ＰＡ（アラミド）などのベースフィル
ム（非磁性基板）上にＣｏＯ、ＣｏＮｉＯよりなる薄膜
の磁性膜（強磁性金属薄膜）が形成される。
法により形成された、いわゆる蒸着テープが実用化され
ている。これは、具体的には真空中でピアス型電子銃を
用いて、電子ビームをルツボ中のＣｏ，ＣｏＮｉなどの
磁性材料に照射して、これらの材料を溶融、蒸発させ、
酸素を導入しながら、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレ
ート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ
（ポリイミド）、ＰＡ（アラミド）などのベースフィル
ム（非磁性基板）上にＣｏＯ、ＣｏＮｉＯよりなる薄膜
の磁性膜（強磁性金属薄膜）が形成される。
【０００４】次に、磁気テープの耐久性、耐蝕性を向上
させるために磁性膜の上に保護膜が形成される。保護膜
としてはＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）が多く
利用されている。これは硬度が大きく、摩擦係数が低い
ため記録再生時のヘッドとの摺動時における耐摩耗性に
効果を発揮する。また、ＤＬＣ膜は１００オングストロ
ーム程度の薄い膜でも緻密で、磁性膜表面にムラなく均
一に成膜することができるため、磁気記録媒体の出力低
下の一原因となるスペーシングロスを低減できる。また
磁性膜単独では酸化しやすいため、ＤＬＣ保護膜により
酸化を防止し、耐蝕性を向上させることができる。耐摩
耗性、耐蝕性は保護膜の上に形成するフッ素系潤滑剤と
の相互作用により更に向上する。
させるために磁性膜の上に保護膜が形成される。保護膜
としてはＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）が多く
利用されている。これは硬度が大きく、摩擦係数が低い
ため記録再生時のヘッドとの摺動時における耐摩耗性に
効果を発揮する。また、ＤＬＣ膜は１００オングストロ
ーム程度の薄い膜でも緻密で、磁性膜表面にムラなく均
一に成膜することができるため、磁気記録媒体の出力低
下の一原因となるスペーシングロスを低減できる。また
磁性膜単独では酸化しやすいため、ＤＬＣ保護膜により
酸化を防止し、耐蝕性を向上させることができる。耐摩
耗性、耐蝕性は保護膜の上に形成するフッ素系潤滑剤と
の相互作用により更に向上する。
【０００５】ＤＬＣ膜は一般的にスパッタ法、ＣＶＤ法
などにより形成される。一般的な保護膜成膜装置を図２
に示す。真空槽１内に、巻出しロール２、巻取りロール
３、ガイドロール４，５及び冷却キャンロール７が配置
されており、これらのロール間に磁性膜が形成されたフ
ィルム６が巻き回され、巻出しロール２から巻取りロー
ル３に至るまで図中矢印方向に走行する。冷却キャンロ
ール７の内部には、冷却装置が配置され、上記フィルム
６の磁性膜上への保護膜形成時の温度上昇によるフィル
ム６の熱変形等を防止している。
などにより形成される。一般的な保護膜成膜装置を図２
に示す。真空槽１内に、巻出しロール２、巻取りロール
３、ガイドロール４，５及び冷却キャンロール７が配置
されており、これらのロール間に磁性膜が形成されたフ
ィルム６が巻き回され、巻出しロール２から巻取りロー
ル３に至るまで図中矢印方向に走行する。冷却キャンロ
ール７の内部には、冷却装置が配置され、上記フィルム
６の磁性膜上への保護膜形成時の温度上昇によるフィル
ム６の熱変形等を防止している。
【０００６】スパッタ法では、カーボンターゲット８は
スパッタ用電源９に接続されている。このスパッタ用電
源９はＤＣ、ＡＣ、ＲＦあるいはそれらの重畳である。
ＡＣ、ＲＦ電源を用いる場合は電源９とターゲット８と
の間に整合器１０を設置する。１１はガス導入口で、Ar
ガスを導入してプラズマを形成し、カーボンターゲット
８をスパッタすることによりＤＬＣ膜を形成する。この
際に、Ｎ2、Ｈ2などの添加ガスを導入して、膜質を改善
する方法も考案されている。
スパッタ用電源９に接続されている。このスパッタ用電
源９はＤＣ、ＡＣ、ＲＦあるいはそれらの重畳である。
ＡＣ、ＲＦ電源を用いる場合は電源９とターゲット８と
の間に整合器１０を設置する。１１はガス導入口で、Ar
ガスを導入してプラズマを形成し、カーボンターゲット
８をスパッタすることによりＤＬＣ膜を形成する。この
際に、Ｎ2、Ｈ2などの添加ガスを導入して、膜質を改善
する方法も考案されている。
【０００７】また、ＣＶＤ法では、図２のカーボンター
ゲット８がプラズマ発生用電極に相当する。プラズマ発
生用電極８はプラズマ用電源９に接続されている。この
プラズマ用電源９はDＣ、ＡＣ、ＲＦあるいはそれらの
重畳である。ＡＣ，ＲＦ電源を用いる場合は電源９と電
極８との間に整合器１０を設置する。
ゲット８がプラズマ発生用電極に相当する。プラズマ発
生用電極８はプラズマ用電源９に接続されている。この
プラズマ用電源９はDＣ、ＡＣ、ＲＦあるいはそれらの
重畳である。ＡＣ，ＲＦ電源を用いる場合は電源９と電
極８との間に整合器１０を設置する。
【０００８】ガス導入口１１より、メタン、アセチレ
ン、エチレン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどのＣ
Ｈ系のガスを導入し、電極にＤＣ、ＡＣ、ＲＦ電圧を印
加してプラズマを形成し、導入ガスをプラズマのエネル
ギーにより一度分解し、カーボンを基板上で再結合させ
ることによりＤＬＣ膜を形成する。この際に、Ｎ2、Ｈ2
などの添加ガスを導入して、膜質を改善する方法も考案
されている。
ン、エチレン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどのＣ
Ｈ系のガスを導入し、電極にＤＣ、ＡＣ、ＲＦ電圧を印
加してプラズマを形成し、導入ガスをプラズマのエネル
ギーにより一度分解し、カーボンを基板上で再結合させ
ることによりＤＬＣ膜を形成する。この際に、Ｎ2、Ｈ2
などの添加ガスを導入して、膜質を改善する方法も考案
されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スパッ
ター法では、成膜速度を上げるに従い、ＤＬＣ膜への
０．１μｍ〜１ｍｍ程度の微粒子の付着が目立ってく
る。これは、磁性膜上にＤＬＣ膜が形成される際に、磁
性面以外に付着したＤＬＣ膜やカーボン膜（スス）が剥
離し、細かい粒子となりプラズマ中に浮遊しており、こ
れが磁性面に付着しものや、スパッターの異常放電時に
カーボンターゲット面に局所的に大電流が流れ、ターゲ
ットを破損した際に生じたカーボン微粒子が磁性面に付
着したものなどがある。
ター法では、成膜速度を上げるに従い、ＤＬＣ膜への
０．１μｍ〜１ｍｍ程度の微粒子の付着が目立ってく
る。これは、磁性膜上にＤＬＣ膜が形成される際に、磁
性面以外に付着したＤＬＣ膜やカーボン膜（スス）が剥
離し、細かい粒子となりプラズマ中に浮遊しており、こ
れが磁性面に付着しものや、スパッターの異常放電時に
カーボンターゲット面に局所的に大電流が流れ、ターゲ
ットを破損した際に生じたカーボン微粒子が磁性面に付
着したものなどがある。
【００１０】ＤＬＣ成膜後にこの微粒子が剥離すると、
媒体面に微粒子と同程度の寸法でＤＬＣ膜が成膜されて
いないピンホールが形成され、記録媒体の耐久性や耐蝕
性を低下させる。また製造過程で剥離せず媒体表面に付
着している微粒子は、付着力が弱いため、記録・再生時
の磁気ヘッドとの摺動時に剥離し、剥離部より保護膜及
び磁性膜の破損が始まる。このため、ＤＬＣ膜形成時の
微粒子を除去する必要がある。
媒体面に微粒子と同程度の寸法でＤＬＣ膜が成膜されて
いないピンホールが形成され、記録媒体の耐久性や耐蝕
性を低下させる。また製造過程で剥離せず媒体表面に付
着している微粒子は、付着力が弱いため、記録・再生時
の磁気ヘッドとの摺動時に剥離し、剥離部より保護膜及
び磁性膜の破損が始まる。このため、ＤＬＣ膜形成時の
微粒子を除去する必要がある。
【００１１】ＣＶＤ法の場合もスパッター法と同様に、
成膜速度を上げるに従い、ＤＬＣ膜への微粒子の付着が
目立つてくる。これはスパッタと同様に磁性面以外に付
着したＤＬＣ膜やカーボン膜（スス）やＣＨ系高分子が
剥離し、細かい粒子となりプラズマ中に浮遊しており、
これが磁性面に付着しものや、ＣＶＤの異常放電時に局
所的に大電流が流れ、導入ガスの分解、反応が正常に進
行せず、ＤＬＣ膜ではなく、グラファイなどの中間体微
粒子やCH系高分子の微粒子が生成し、これが磁性面に付
着したものなどがある。この微粒子により、スパッター
と同様に記録媒体の耐久性、耐蝕性が低下する。
成膜速度を上げるに従い、ＤＬＣ膜への微粒子の付着が
目立つてくる。これはスパッタと同様に磁性面以外に付
着したＤＬＣ膜やカーボン膜（スス）やＣＨ系高分子が
剥離し、細かい粒子となりプラズマ中に浮遊しており、
これが磁性面に付着しものや、ＣＶＤの異常放電時に局
所的に大電流が流れ、導入ガスの分解、反応が正常に進
行せず、ＤＬＣ膜ではなく、グラファイなどの中間体微
粒子やCH系高分子の微粒子が生成し、これが磁性面に付
着したものなどがある。この微粒子により、スパッター
と同様に記録媒体の耐久性、耐蝕性が低下する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】そこで、上記課題を解決
するために本発明は、強磁性金属薄膜が積層された非磁
性基板を一定方向に走行させつつ、スパッター法により
前記強磁性金属薄膜上に保護膜を形成する磁気記録媒体
の製造装置において、保護膜形成用の複数のスパッター
ターゲットを設置し、前記各スパッターターゲットそれ
ぞれの近傍で前記非磁性基板の走行方向に沿った位置
に、前記保護膜形成時に通電するクリーニング用プラズ
マ発生電極またはクリーニング用イオンガンを設置する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造装置、を提供する
と共に、
するために本発明は、強磁性金属薄膜が積層された非磁
性基板を一定方向に走行させつつ、スパッター法により
前記強磁性金属薄膜上に保護膜を形成する磁気記録媒体
の製造装置において、保護膜形成用の複数のスパッター
ターゲットを設置し、前記各スパッターターゲットそれ
ぞれの近傍で前記非磁性基板の走行方向に沿った位置
に、前記保護膜形成時に通電するクリーニング用プラズ
マ発生電極またはクリーニング用イオンガンを設置する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造装置、を提供する
と共に、
【００１３】強磁性金属薄膜が積層された非磁性基板を
一定方向に走行させつつ、プラズマＣＶＤ法により前記
強磁性金属薄膜上に保護膜を形成する磁気記録媒体の製
造装置において、保護膜形成用の複数のプラズマ発生電
極を設置し、前記各プラズマ発生電極それぞれの近傍で
前記非磁性基板の走行方向に沿った位置に、前記保護膜
形成時に通電するクリーニング用プラズマ発生電極また
はクリーニング用イオンガンを設置することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造装置、を提供するものである。
一定方向に走行させつつ、プラズマＣＶＤ法により前記
強磁性金属薄膜上に保護膜を形成する磁気記録媒体の製
造装置において、保護膜形成用の複数のプラズマ発生電
極を設置し、前記各プラズマ発生電極それぞれの近傍で
前記非磁性基板の走行方向に沿った位置に、前記保護膜
形成時に通電するクリーニング用プラズマ発生電極また
はクリーニング用イオンガンを設置することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造装置、を提供するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】上記の問題点を解消すべく種々検
討を重ねた結果、ＤＬＣ成膜過程で、プラズマやイオン
ビームにより微粒子を除去することによって良好な結果
が得られることを見い出した。
討を重ねた結果、ＤＬＣ成膜過程で、プラズマやイオン
ビームにより微粒子を除去することによって良好な結果
が得られることを見い出した。
【００１５】図１のように、スパッター法によりＤＬＣ
を形成する際には、複数のカーボンターゲット２１，２
２，２３の左右（即ちカーボンターゲット２１〜２３の
フィルム６の走行方向に沿った近傍）にクリーニング用
電極（またはクリーニング用イオンガン）２４，２５，
２６，２７を設置し、ＤＬＣ成膜時にクリーニング用電
極に通電する。ＤＬＣが成膜される過程で、磁性膜付の
フィルム６表面に付着した微粒子をプラズマエネルギー
（またはイオンビームエネルギー）により素早く除去
し、ＤＬＣ成膜終了時には微粒子が少ない状態で、保護
膜が形成される。この際に重要な点は、ＤＬＣ膜形成後
ではなく成膜過程で、クリーニングを行うことである。
成膜過程でクリーニングを行うことにより、ＤＬＣ成膜
後のみのクリーニングで発生する、微粒子の除去による
ピンホールがなくなる。
を形成する際には、複数のカーボンターゲット２１，２
２，２３の左右（即ちカーボンターゲット２１〜２３の
フィルム６の走行方向に沿った近傍）にクリーニング用
電極（またはクリーニング用イオンガン）２４，２５，
２６，２７を設置し、ＤＬＣ成膜時にクリーニング用電
極に通電する。ＤＬＣが成膜される過程で、磁性膜付の
フィルム６表面に付着した微粒子をプラズマエネルギー
（またはイオンビームエネルギー）により素早く除去
し、ＤＬＣ成膜終了時には微粒子が少ない状態で、保護
膜が形成される。この際に重要な点は、ＤＬＣ膜形成後
ではなく成膜過程で、クリーニングを行うことである。
成膜過程でクリーニングを行うことにより、ＤＬＣ成膜
後のみのクリーニングで発生する、微粒子の除去による
ピンホールがなくなる。
【００１６】ＤＬＣ成膜時にプラズマ生成用のアルゴン
以外に酸素、水素の少なくとも一方のガスを導入するこ
とによりクリーニング効果が向上する。また、プラズマ
ＣＶＤ法によりＤＬＣ膜を形成する場合もスパッター法
と同様である。以下に示す実施例により、本発明を具体
的に説明する。
以外に酸素、水素の少なくとも一方のガスを導入するこ
とによりクリーニング効果が向上する。また、プラズマ
ＣＶＤ法によりＤＬＣ膜を形成する場合もスパッター法
と同様である。以下に示す実施例により、本発明を具体
的に説明する。
【００１７】＜実施例１＞図１に示すスパッター法によ
る装置では、真空槽４１内に、巻出しロール２、巻取り
ロール３、ガイドロール４，５及び冷却キャンロール７
が配置されており、これらのロール間に磁性膜が形成さ
れたフィルム６が巻き回され、巻出しロール２から巻取
りロール３に至るまで図中矢印方向に走行する。冷却キ
ャンロール７の内部には、冷却装置が配置され、上記フ
ィルム６の磁性膜上への保護膜形成時の温度上昇による
フィルム６の熱変形等を防止している。
る装置では、真空槽４１内に、巻出しロール２、巻取り
ロール３、ガイドロール４，５及び冷却キャンロール７
が配置されており、これらのロール間に磁性膜が形成さ
れたフィルム６が巻き回され、巻出しロール２から巻取
りロール３に至るまで図中矢印方向に走行する。冷却キ
ャンロール７の内部には、冷却装置が配置され、上記フ
ィルム６の磁性膜上への保護膜形成時の温度上昇による
フィルム６の熱変形等を防止している。
【００１８】カーボンターゲット２１，２２，２３はス
パッタ用電源９に接続されている。このスパッタ用電源
９はＤＣ、ＡＣ、ＲＦあるいはそれらの重畳である。Ａ
Ｃ、ＲＦ電源を用いる場合は電源９とターゲット２１，
２２，２３との間に整合器１０を設置する。１１はガス
導入口で、Arガスを導入してプラズマを形成し、カーボ
ンターゲット８をスパッタすることによりＤＬＣ膜を形
成する。
パッタ用電源９に接続されている。このスパッタ用電源
９はＤＣ、ＡＣ、ＲＦあるいはそれらの重畳である。Ａ
Ｃ、ＲＦ電源を用いる場合は電源９とターゲット２１，
２２，２３との間に整合器１０を設置する。１１はガス
導入口で、Arガスを導入してプラズマを形成し、カーボ
ンターゲット８をスパッタすることによりＤＬＣ膜を形
成する。
【００１９】図１のように、直径1000mmの冷却キャンロ
ール７を用いて、２００mmＸ５００mmの大きさのカーボ
ンターゲット２１〜２３を３カ所の成膜ゾーンに、その
左右にクリーニング用電極２４，２５，２６，２７を４
カ所のクリーニングゾーンに設置した。成膜ゾーンとク
リーニングゾーンは壁５１により区分しお互いのガス
圧、プラズマの影響がないようにした。
ール７を用いて、２００mmＸ５００mmの大きさのカーボ
ンターゲット２１〜２３を３カ所の成膜ゾーンに、その
左右にクリーニング用電極２４，２５，２６，２７を４
カ所のクリーニングゾーンに設置した。成膜ゾーンとク
リーニングゾーンは壁５１により区分しお互いのガス
圧、プラズマの影響がないようにした。
【００２０】クリーニング用電極２４〜２７はＤＣ電源
３１に接続し、各クリーニングゾーンにガス導入口１２
からArガスを導入し、ガス圧５mmTorr、投入パワー1kw
で、ＤＬＣ成膜時にプラズマを発生させた。
３１に接続し、各クリーニングゾーンにガス導入口１２
からArガスを導入し、ガス圧５mmTorr、投入パワー1kw
で、ＤＬＣ成膜時にプラズマを発生させた。
【００２１】ＤＬＣ膜を形成する成膜ゾーンにＡｒガス
を導入して、ガス圧力を２mmTorrとして、６．４μｍPE
Tフィルム上に、予め０．２μｍＣｏＯ薄膜を形成した
フイルムを走行させてＤＬＣ膜１００オングストローム
をＣｏＯ磁性膜の上に形成した。
を導入して、ガス圧力を２mmTorrとして、６．４μｍPE
Tフィルム上に、予め０．２μｍＣｏＯ薄膜を形成した
フイルムを走行させてＤＬＣ膜１００オングストローム
をＣｏＯ磁性膜の上に形成した。
【００２２】ＤＬＣ成膜の放電電圧は１０００Ｖで、カ
ーボンターゲット２１〜２３に対する投入パワーを変え
た際の、全パワー、成膜後に判明したピンホール数（５
０倍顕微鏡により測定した１／４インチ幅テープ１ｍ当
たりのＤＬＣ未成膜箇所の平均数）、スチル耐久時間
（出力が3dB低下するまでの時間）を表１示す。投入パ
ワーを変えた際のＤＬＣ膜厚の調整はフィルム走行速度
を変えて行った。
ーボンターゲット２１〜２３に対する投入パワーを変え
た際の、全パワー、成膜後に判明したピンホール数（５
０倍顕微鏡により測定した１／４インチ幅テープ１ｍ当
たりのＤＬＣ未成膜箇所の平均数）、スチル耐久時間
（出力が3dB低下するまでの時間）を表１示す。投入パ
ワーを変えた際のＤＬＣ膜厚の調整はフィルム走行速度
を変えて行った。
【００２３】スチル耐久時間の測定の際には、保護膜の
上にフッ素系潤滑剤を20オングストローム形成し、スリ
ッターによって１／４インチ幅にスリットしたテープに
より、市販DVCビデオカメラ（日本ビクター（株）製GRD
V１）を用いて行った。
上にフッ素系潤滑剤を20オングストローム形成し、スリ
ッターによって１／４インチ幅にスリットしたテープに
より、市販DVCビデオカメラ（日本ビクター（株）製GRD
V１）を用いて行った。
【００２４】＜実施例２＞実施例１で、クリーニングゾ
ーンにArと共に酸素を１０％添加し、ガス圧を1mmTorr
で、プラズマを発生させた以外は同様に行った。
ーンにArと共に酸素を１０％添加し、ガス圧を1mmTorr
で、プラズマを発生させた以外は同様に行った。
【００２５】＜実施例３＞実施例１で、クリーニングゾ
ーンにArと共に水素を１０％添加し、ガス圧を1mmTorr
で、プラズマを発生させた以外は同様に行った。
ーンにArと共に水素を１０％添加し、ガス圧を1mmTorr
で、プラズマを発生させた以外は同様に行った。
【００２６】＜比較例１＞図１の装置で、クリーニング
用電極は設置せず、ターゲットのみを３カ所に設置し
た。これ以外の装置構成は実施例１と同様である。放電
電圧１０００Ｖで、投入パワーを変えた際の、全パワ
ー、成膜後のピンホール数、スチル耐久時間を表１示
す。
用電極は設置せず、ターゲットのみを３カ所に設置し
た。これ以外の装置構成は実施例１と同様である。放電
電圧１０００Ｖで、投入パワーを変えた際の、全パワ
ー、成膜後のピンホール数、スチル耐久時間を表１示
す。
【００２７】 ［表１］ 全パワー ピンホール数 スチル耐久時間 ＜実施例１＞ １０ｋｗ １個／m ＞６０分 １５ ２ ＞６０ ２０ ６ ６０ ＜実施例２＞ １０ｋｗ ０個／m ＞６０分 １５ １ ＞６０ ２０ ３ ＞６０ ＜実施例３＞ １０ｋｗ ０個／m ＞６０分 １５ ０ ＞６０ ２０ １ ＞６０ ＜比較例１＞ １０ｋｗ ５個／m ６０分 １５ ９ ３０ ２０ ２０ １５
【００２８】＜実施例４＞ プラズマＣＶＤ法の実施例 図１のように、直径1000mmの冷却キャンロール７を用い
て、２００mmＸ５００mmの大きさのプラズマ発生電極２
１〜２３を３カ所の成膜ゾーンに設置し、整合器１０、
ＡＣ電源９に接続した。上記プラズマ発生電極の間にク
リーニング用電極２４〜２７を４カ所のクリーニングゾ
ーンに設置し、ＤＣ電源３１に接続した。成膜ゾーンと
クリーニングゾーンは壁５１により区分しお互いのガス
圧、プラズマの影響がないようにした。
て、２００mmＸ５００mmの大きさのプラズマ発生電極２
１〜２３を３カ所の成膜ゾーンに設置し、整合器１０、
ＡＣ電源９に接続した。上記プラズマ発生電極の間にク
リーニング用電極２４〜２７を４カ所のクリーニングゾ
ーンに設置し、ＤＣ電源３１に接続した。成膜ゾーンと
クリーニングゾーンは壁５１により区分しお互いのガス
圧、プラズマの影響がないようにした。
【００２９】クリーニング用電極２４〜２７は、Arガス
を導入し、ガス圧５mmTorr、投入パワー１kwで、ＤＬＣ
成膜時にプラズマを発生させた。ＤＬＣ膜を形成するプ
ラズマ発生電極２１〜２３にエチレンガスを導入し、ガ
ス圧力を50mmTorrとして、６．４μｍPETフィルム上
に、予め０．２μｍＣｏＯ薄膜を形成したフイルムを走
行させてＣＶＤ法によりＤＬＣ膜を１００オングストロ
ーム形成した。
を導入し、ガス圧５mmTorr、投入パワー１kwで、ＤＬＣ
成膜時にプラズマを発生させた。ＤＬＣ膜を形成するプ
ラズマ発生電極２１〜２３にエチレンガスを導入し、ガ
ス圧力を50mmTorrとして、６．４μｍPETフィルム上
に、予め０．２μｍＣｏＯ薄膜を形成したフイルムを走
行させてＣＶＤ法によりＤＬＣ膜を１００オングストロ
ーム形成した。
【００３０】ＤＬＣ成膜の放電電圧は２５０Ｖで、投入
パワーを変えた際の、全パワー、成膜後に判明したピン
ホール数、スチル耐久時間を表２示す。投入パワーを変
えた際のＤＬＣ膜厚の調整はフィルム走行速度を変えて
行った。
パワーを変えた際の、全パワー、成膜後に判明したピン
ホール数、スチル耐久時間を表２示す。投入パワーを変
えた際のＤＬＣ膜厚の調整はフィルム走行速度を変えて
行った。
【００３１】＜実施例５＞実施例４で、クリーニングゾ
ーンにArと共に酸素を１０％添加し、ガス圧を1mmTorr
で、プラズマを発生させた以外は同様に行った。
ーンにArと共に酸素を１０％添加し、ガス圧を1mmTorr
で、プラズマを発生させた以外は同様に行った。
【００３２】＜実施例６＞実施例４で、クリーニングゾ
ーンにArと共に水素を１０％添加し、ガス圧を1mmTorr
で、プラズマを発生させた以外は同様に行った。
ーンにArと共に水素を１０％添加し、ガス圧を1mmTorr
で、プラズマを発生させた以外は同様に行った。
【００３３】＜実施例７＞実施例４で、クリーニング用
電極２４〜２７の代わりにクリーニング用イオンガンを
クリーニングゾーン４カ所に設置し、Arによりイオンビ
ームを発生させた以外は同様に行った。
電極２４〜２７の代わりにクリーニング用イオンガンを
クリーニングゾーン４カ所に設置し、Arによりイオンビ
ームを発生させた以外は同様に行った。
【００３４】＜比較例２＞図１の装置で、クリーニング
用電極は設置せず、プラズマ発生電極のみを３カ所に設
置した。これ以外は実施例４と同様である。放電電圧２
５０Ｖで、投入パワーを変えた際の、全パワー、成膜後
に判明したピンホール数、スチル耐久時間を表２に示
す。
用電極は設置せず、プラズマ発生電極のみを３カ所に設
置した。これ以外は実施例４と同様である。放電電圧２
５０Ｖで、投入パワーを変えた際の、全パワー、成膜後
に判明したピンホール数、スチル耐久時間を表２に示
す。
【００３５】 ［表２］ 全パワー ピンホール数 スチル耐久時間 ＜実施例４＞ ５ｋｗ １個／m ＞６０分 ７．５ ２ ６０ １０ ４ ５０ ＜実施例５＞ ５ｋｗ ０個／m ＞６０分 ７．５ １ ＞６０ １０ ２ ６０ ＜実施例６＞ ５ｋｗ ０個／m ＞６０分 ７．５ ０ ＞６０ １０ １ ＞６０ ＜実施例７＞ ５ｋｗ ０個／m ＞６０分 ７．５ ０ ＞６０ １０ １ ＞６０ ＜比較例２＞ ５ｋｗ ３個／m ６０分 ７．５ ７ ４０ １０ １３ ２０
【００３６】表１、２の結果からスパッタ法、ＣＶＤ法
によりＤＬＣを形成する際に、ＤＬＣ成膜用の複数のカ
ーボンターゲットの左右、またはＣＶＤプラズマ電極の
左右に設置した、クリーニング用電極から生じるプラズ
マエネルギー（またはクリーニング用イオンガンから生
じるイオンビームエネルギー）により、ＤＬＣが成膜さ
れる過程で磁性膜付のフィルム６表面に付着した微粒子
を素早く除去するため、ＤＬＣ成膜終了時には媒体表面
に微粒子が少ない保護膜を形成できることが分かる。こ
のため、ピンホールが少なく、耐久性、耐蝕性に優れた
磁気テープを作成することができる。また、クリーニン
グゾーンにプラズマ生成用のアルゴン以外に酸素、水素
を導入して、カーボン微粒子を酸化または還元すること
により、カーボン微粒子のＤＬＣ面との付着強度を低減
でき、クリーニング効果をより一層向上させることがで
きる。
によりＤＬＣを形成する際に、ＤＬＣ成膜用の複数のカ
ーボンターゲットの左右、またはＣＶＤプラズマ電極の
左右に設置した、クリーニング用電極から生じるプラズ
マエネルギー（またはクリーニング用イオンガンから生
じるイオンビームエネルギー）により、ＤＬＣが成膜さ
れる過程で磁性膜付のフィルム６表面に付着した微粒子
を素早く除去するため、ＤＬＣ成膜終了時には媒体表面
に微粒子が少ない保護膜を形成できることが分かる。こ
のため、ピンホールが少なく、耐久性、耐蝕性に優れた
磁気テープを作成することができる。また、クリーニン
グゾーンにプラズマ生成用のアルゴン以外に酸素、水素
を導入して、カーボン微粒子を酸化または還元すること
により、カーボン微粒子のＤＬＣ面との付着強度を低減
でき、クリーニング効果をより一層向上させることがで
きる。
【００３７】
【発明の効果】以上の通り、本発明の磁気記録媒体の製
造装置によれば、ＤＬＣ成膜終了時には媒体表面に微粒
子がない保護膜が形成されるため、ピンホールが少な
く、耐久性、耐蝕性に優れた磁気記録媒体を作成するこ
とができ、歩留まりを向上させることができる。
造装置によれば、ＤＬＣ成膜終了時には媒体表面に微粒
子がない保護膜が形成されるため、ピンホールが少な
く、耐久性、耐蝕性に優れた磁気記録媒体を作成するこ
とができ、歩留まりを向上させることができる。
【図１】一実施例を示す図である。
【図２】従来例を示す図である。
２ 巻出しロール ３ 巻取りロール ４，５ ガイドロール ６ 磁性膜が形成されたフィルム ７ 冷却キャンロール ２１〜２３ カーボンターゲット（プラズマ発生電極） ２４〜２７ クリーニング用電極（クリーニング用イオ
ンガン）
ンガン）
Claims (2)
- 【請求項１】強磁性金属薄膜が積層された非磁性基板を
一定方向に走行させつつ、スパッター法により前記強磁
性金属薄膜上に保護膜を形成する磁気記録媒体の製造装
置において、 保護膜形成用の複数のスパッターターゲットを設置し、 前記各スパッターターゲットそれぞれの近傍で前記非磁
性基板の走行方向に沿った位置に、前記保護膜形成時に
通電するクリーニング用プラズマ発生電極またはクリー
ニング用イオンガンを設置することを特徴とする磁気記
録媒体の製造装置。 - 【請求項２】強磁性金属薄膜が積層された非磁性基板を
一定方向に走行させつつ、プラズマＣＶＤ法により前記
強磁性金属薄膜上に保護膜を形成する磁気記録媒体の製
造装置において、 保護膜形成用の複数のプラズマ発生電極を設置し、 前記各プラズマ発生電極それぞれの近傍で前記非磁性基
板の走行方向に沿った位置に、前記保護膜形成時に通電
するクリーニング用プラズマ発生電極またはクリーニン
グ用イオンガンを設置することを特徴とする磁気記録媒
体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11102210A JP2000293847A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11102210A JP2000293847A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000293847A true JP2000293847A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14321309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11102210A Pending JP2000293847A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000293847A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001155325A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク装置、磁気ディスクおよびその製造方法 |
| CN106029944A (zh) * | 2014-02-21 | 2016-10-12 | 应用材料公司 | 用于薄膜处理应用的装置和方法 |
-
1999
- 1999-04-09 JP JP11102210A patent/JP2000293847A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001155325A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク装置、磁気ディスクおよびその製造方法 |
| CN106029944A (zh) * | 2014-02-21 | 2016-10-12 | 应用材料公司 | 用于薄膜处理应用的装置和方法 |
| EP3108031A1 (en) * | 2014-02-21 | 2016-12-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for thin-film processing applications |
| JP2017507247A (ja) * | 2014-02-21 | 2017-03-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 薄膜処理用途のための装置及び方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050330 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060509 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060620 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061017 |