JP2003346321A

JP2003346321A - 磁気記録媒体とその製造方法

Info

Publication number: JP2003346321A
Application number: JP2002149632A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Nagai; 信之永井
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-05-23
Filing date: 2002-05-23
Publication date: 2003-12-05
Also published as: US20030218225A1; US6818960B2

Abstract

(57)【要約】【課題】スペーシング損失や、耐久性の問題の解決を
図る。【解決手段】非磁性支持体１上に、磁性層２が形成さ
れ、この上に、突起部３が厚さ分布によって分散形成さ
れた非磁性保護層４が形成され、その上に潤滑剤層５が
形成されて表面突起１３が形成された構成とする。すな
わち、磁性層２に対する防錆等の目的をもって磁性層２
上に形成される非磁性保護層４に突起部３を分散形成す
る。この突起部３を構成する非磁性保護層４は、突起部
３を含めて全体が同一材料によって構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体とそ
の製造方法に関し、磁気記録媒体と、更にこの磁気記録
媒体に対して磁気記録または／および再生を行う磁気ヘ
ッドの耐久性および電磁変換特性を高めることができる
ようにし、より高密度磁気記録に適する磁気記録媒体を
提供するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録媒体の高密度記録化には、高保
磁力化と表面平滑化による周波数特性改善が必要である
が、所望の信号対雑音比（以下Ｃ／Ｎと記す）を確保し
た上で、耐久性をいかに向上できるかに大きな問題があ
る。そのために、従来、種々の改善、アプローチがなさ
れている。例えば、非磁性支持体に高精度のパターンを
形成することで記録媒体表面に高精度の突起を形成する
方法（特開平１０−５５５３５号）、磁性層に含まれる
粒子の一部を露出させて微細な突起を形成させる方法
（特許第２５１２００５号）等数多くの提案がなされて
いる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
非磁性支持体表面に微細突起を形成し、この突起の形成
面上に、磁性層および非磁性保護層を形成して、その表
面すなわち記録媒体表面に、支持体表面の微細突起に基
く微細突起を形成する構成を採る場合、媒体表面の突起
中には磁性層が入り込んだ構成となることから、この突
起が摩耗してくるとこの摩耗部において磁性層が露出し
てくる。このように磁性層が露出すると、この露出部に
おいて磁性層の粒子が剥奪されやすくなり、この部分か
ら磁性層の破壊が生じる。また、微粒子によって突起を
形成する構成による場合は、凝集等が起きやすくなるこ
とから、実際に微細な突起を形成することが難しく、結
果として磁気ヘッドに対するスペーシング損失が大きく
なってしまう。本発明は、磁気記録媒体において、その
スペーシング損失を小さく、耐久性の向上を図り、更
に、この磁気記録媒体に因る磁気ヘッドの耐久性、電磁
変換特性の向上を図ることができる磁気記録媒体を提供
するものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明による磁気記録媒
体は、非磁性支持体上に、磁性層が形成され、この上
に、突起部が厚さ分布によって分散形成された非磁性保
護層が形成され、その上に潤滑剤層が形成されて表面突
起が形成された構成とする。すなわち、本発明において
は、磁性層に対する防錆等の目的をもって磁性層上に形
成される非磁性保護層に上述した突起部を形成する。こ
の突起部を構成する非磁性保護層は、磁性層上に直接的
に形成され、その突起部を含めて全体を同一材料によっ
て構成することができる。この非磁性保護層は、第１非
磁性保護層と第２非磁性保護層との積層構造とし、この
積層非磁性保護層のいずれか一方の非磁性保護層を不連
続に分散して形成し、第１および第２非磁性保護層によ
って厚さ分布を有する突起部が分散形成された構成とす
る。あるいは、磁性層上に形成した不連続金属層上に跨
がって非磁性保護層が形成して、厚さ分布によって突起
部を形成し、この突起部を含んで同一材料による非磁性
保護層を構成とすることができる。この場合の不連続金
属層は、磁性層に比し電気伝導度の高い金属によって構
成され、この金属層上に形成された非磁性層が、この金
属層が存在せず磁性層上に直接的に形成された非磁性保
護層の厚さより大に成膜することにより、非磁性保護層
に厚さ分布が形成された構成とする。すなわち、突起部
を不連続金属層上に限定的に形成する。

【０００５】また、本発明による磁気記録媒体の製造方
法は、非磁性支持体上に、磁性層を成膜する工程と、こ
の磁性層の成膜工程の後に、突起部が分散形成された非
磁性保護層を形成する工程と、潤滑剤層を成膜する工程
とを有する。

【０００６】その突起部が分散形成された非磁性保護層
の成膜工程は、第１非磁性保護層の成膜工程と、第２非
磁性保護層の成膜工程とを有し、いずれか一方、例えば
下層の非磁性保護層を全面的成膜工程とし、他方の例え
ば非磁性保護層をマスク処理によって分散形成する成膜
工程としてこれら第１および第２非磁性層が積層形成さ
れる部分と単一層部分とによって、厚さ分布を有する非
磁性保護層を形成し、その厚さが大なる部分によって突
起部を形成する。

【０００７】あるいは、突起部が分散形成された非磁性
保護層の成膜工程が、磁性層上にこの磁性層より電気伝
導度の高い不連続金属層を成膜し、この不連続金属層上
を含んで全面的に非磁性保護層を成膜し、不連続金属層
が存在する部分と、これ存在しない透孔内に露出する磁
性層部分との非磁性保護層の成膜速度の差によって、不
連続金属層上において非磁性保護層の厚さが大なる部分
を形成して厚さ分布を有する非磁性保護層を形成し、そ
の厚さの大なる部分によって突起部を形成する。

【０００８】すなわち、本発明による磁気記録媒体は、
従前におけるような磁気記録媒体を構成する非磁性支持
体や、この上に形成される磁性層に突起を形成すること
により記録媒体表面に所要の突起を形成する構成による
ものではなく、磁性層上に形成した非磁性保護膜に突起
部を形成することによって、磁気記録媒体表面に所要の
表面突起が形成された磁気記録媒体構成とする。

【０００９】また、本発明による磁気記録媒体の製造方
法にあっては、非磁性支持体上に磁性層を形成する工程
の後に、突起部が分散形成された非磁性保護膜の形成を
行うものである。

【００１０】すなわち、本発明による磁気記録媒体およ
び磁気記録媒体の製造方法においては、磁性層自体の構
成、およびその製造工程に関わりがなく突起部が非磁性
保護層に分散形成される構成、および製造方法によるも
のであり、これによって突起部による磁性層の特性への
影響、耐久性の影響を回避する。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明による磁気記録媒体の基本
構成は、図１にその概略断面図を示すように、非磁性支
持体１上に磁性層２が形成され、この上に、厚さ分布を
有し突起部３が分散形成された非磁性保護層４が形成さ
れる。すなわち、非磁性保護層４に、他部に比し大なる
厚さＴ1 を有する部分が点在して形成されこれら大なる
厚さＴ1 を有する部分によって突起部３が形成される。

【００１２】そして、この非磁性保護層４上に、全面的
に潤滑剤層５が形成される。この構成により媒体表面、
すなわち潤滑剤層５の表面に非磁性保護層４の突起部３
に依存する表面突起１３が形成された構成とされる。す
なわち、本発明構成においては、記録媒体の表面突起１
３を形成するための突起部が、磁性層２には形成されな
い構成とされる。そして、この構成による磁気記録媒体
は、通常潤滑剤層５においては、その極性基が、非磁性
保護層４の表面に結合して、非磁性保護層４の表面に沿
って殆ど単分子層状態で形成することができるものであ
り、表面突起１３の形状、高さ等は、非磁性保護層４の
表面の突起部３を踏襲した形状、高さ等をもって形成さ
れる。

【００１３】次に、本発明による磁気記録媒体の実施の
形態を説明する。しかしながら、本発明による磁気記録
媒体は、この実施の形態に限定されるものではない。〔第１の実施形態〕この実施形態において、図２に、そ
の一例の概略断面図を示すように、非磁性支持体１の一
主面上に、磁性層２を形成し、この磁性層２上に直接的
に、突起部３が所要の頻度、すなわち分散密度（個／ｍ
ｍ²）をもってコントロールされて分散された非磁性保
護層４が形成された構成とする。

【００１４】この非磁性保護層４は、第１および第２非
磁性保護層４１および４２の積層構造とされる。これら
第１および第２非磁性保護層４１および４２のいずれか
一方が全面的に形成され、他方が不連続に、例えば点在
パターンに形成される。好ましくは下層、図２の例では
第１非磁性保護層４１が全面的に形成され、上層の第２
非磁性保護層４２が不連続に形成される。

【００１５】このようにして、第１および第２非磁性保
護層４１および４２が共に存在する部分に、他部の第１
あるいは第２非磁性保護層４１あるいは４２のいずれか
単層による部分の厚さＴ2 に比して大なる厚さＴ1 を有
する部分を形成し、この大なる厚さＴ1 を有する部分に
よって突起部３が形成された構成とする。第１および第
２非磁性保護層４１および４２は同一材料によって構成
することによって、突起部３を含んで非磁性保護層４を
全体として同一材料で構成することができる。

【００１６】そして、非磁性保護層４上には、潤滑剤層
５が形成される。また、非磁性支持体１の、磁性層２を
有する側とは反対側、すなわち裏面には、バックコート
層６が施される。

【００１７】〔第２の実施形態〕この実施形態において
も、図３にその一例の概略断面図を示すように、非磁性
支持体１の一主面上に、金属薄膜による磁性層２と、こ
の磁性層２上に、突起部３が分散形成された非磁性保護
層４と、潤滑剤層５とが順次形成された構成とし、この
ようにすることによって、潤滑剤層５の表面に、非磁性
保護層４の突起部３に依存する表面突起１３が形成され
た構成とする。また、非磁性支持体１の裏面には、バッ
クコート層６が施される。しかしながら、この実施形態
においては、図３で示されるように、磁性層２上に、点
在、すなわち島状に分散された不連続金属層７が形成さ
れ、この不連続金属層７上に跨がって非磁性保護層４が
形成される構成による。そして、不連続金属層７上にお
いて、大なる厚さを有し、不連続金属層７が欠除して磁
性層２上に直接的に形成された部分においては小なる厚
さＴ2 を有する厚さ分布を有する非磁性保護層４が形成
される。そして、大なる厚さを有する部分において厚さ
Ｔ1の突起部３を構成する。

【００１８】上述した各実施形態において、非磁性支持
体１の表面は、粗さＲａ（中心平均粗さ）が１ｎｍ以下
として、磁性層２の特性に影響を与えない粗さとする。
また、非磁性保護層の厚さ分布は、その厚さの大なる部
分と小なる部分の平均差が、３ｎｍ〜２０ｎｍとされ
る。非磁性保護層４の、その厚さが小なる部分の平均の
厚さは、１ｎｍ〜５ｎｍとする。また、突起部３の平均
頻度は、１０００万個／ｍｍ²〜８０００万個／ｍｍ²
となるように、コントロールされる。

【００１９】上述した各実施形態等、本発明による磁気
記録媒体における非磁性保護層４は、硬質カーボン膜に
よって構成することができる。

【００２０】本発明による磁気記録媒体における非磁性
支持体１は、フィルム、シート、ディスク、カード、ド
ラム等の何れの形態とすることができる。また、これら
非磁性支持体１は、例えば、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類、ポ
リエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セ
ルローストリアセテート、セルロースダイアセテート等
のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポリイミ
ド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、
アルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、ガラスやセ
ラミックス等によって構成することができる。

【００２１】また、磁性層２は、強磁性金属薄膜によっ
て構成される。この強磁性金属薄膜は、例えば、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ等の金属の他に、ＣｏＮｉ合金、ＣｏＰｔ合
金、ＣｏＮｉＰｔ合金、ＦｅＣｏ合金、ＦｅＮｉ合金、
ＦｅＣｏＮｉ合金、ＦｅＣｏＢ合金、ＣｏＮｉＦｅＢ合
金、ＣｏＣｒ合金あるいはこれらにＣｒ、Ａｌ等の金属
が含有された強磁性金属材料によって構成することがで
きる。特に、ＣｏＣｒ合金を使用した場合には、垂直磁
化膜を形成し得る。この磁性層２を構成する強磁性金属
薄膜は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッ
タリング法等の真空薄膜形成技術により、非磁性支持体
１上に、連続膜として形成することができる。

【００２２】この磁性層２の成膜を行う真空蒸着法は、
例えば１×１０^-2Ｐａ、１×１０^-6Ｐａの真空下で、強
磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱
等により蒸発させ、非磁性支持体１上に蒸発金属を堆積
して目的とする磁性層２を形成する。また、一般に高い
抗磁力を有する磁性層２を形成するには、非磁性支持体
１に対して上述した強磁性金属材料を斜めに蒸着する斜
方蒸着が用いられる。更に、より高い抗磁力を得るため
に、酸素雰囲気中で蒸着を行う方法が採られる。

【００２３】真空蒸着装置、特に上述した斜方蒸着を行
う真空蒸着装置の一例を、図４の概略構成図を参照して
説明する。この真空蒸着装置は、真空室２１内に、円筒
外周面を有する冷却キャン２２が、その軸心を中心に、
図示の例では矢印ａで示す反時計回転方向に回転するよ
うになされ、その周面を巡って、非磁性支持体１の例え
ば原反となるフィルム状もしくはシート状の非磁性長尺
体２３が、その供給ロール２４から巻取りロール２５へ
と、ガイドローラ２６によって案内され、所要のテンシ
ョンが掛けられて円滑に移行するようになされる。真空
室２１内は、例えば１×１０^-3Ｐａ程度の真空にされ、
この真空室２１内の冷却キャン２２が２０℃程度に冷却
される。

【００２４】また、真空室２１内に、冷却キャン２２に
対向するように、強磁性金属薄膜を構成する蒸着源２７
が配置される。この蒸着源２７は、蒸着材が収容される
容器、例えば坩堝内に上述した強磁性金属材料、例えば
Ｃｏ等が収容される。また、電子ビーム発生源１９が設
けられ、この発生源１９から発射された電子ビーム２９
が、加速されて、蒸着源２７の蒸着材に照射され、この
蒸着材すなわち強磁性金属材料を加熱、蒸発させる。こ
の蒸発金属材を、冷却キャン２２の周面に沿って走行す
る非磁性長尺体２３上に被着させ、強磁性金属薄膜を成
膜する。

【００２５】蒸着源２７と冷却キャン２２との間には、
防着板３０が設けられる。この防着板３０には、シャッ
タ３１が位置調整可能に設けられ、これによって非磁性
長尺体２３に対して所定の角度で斜めに入射する蒸着粒
子のみを通過させる。このようにして、斜め蒸着法によ
って強磁性金属薄膜、すなわち磁性層２を成膜する。

【００２６】更に、この強磁性金属薄膜の蒸着に際し、
真空室２１に設けた酸素ガス導入口（図示せず）から、
非磁性長尺体２３の表面近傍に酸素ガスを供給し、これ
によって強磁性金属薄膜の磁気特性、耐久性および耐候
性の向上が図られるようにすることが好ましい。また、
蒸着源２７の加熱は、上述のような電子ビームによる加
熱手段に限られず、その他、あるいはこれと共に、例え
ば抵抗加熱手段、高周波加熱手段、レーザ加熱手段等に
よることができる。

【００２７】また、強磁性金属薄膜を、イオンプレーテ
ィング法によって形成する場合、このイオンプレーティ
ングも真空蒸着法の１種であり、この場合においても、
１×１０^-2Ｐａ、１×１０^-1Ｐａの不活性ガス雰囲気中
でＤＣグロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中
で磁性金属材料を蒸発させるというものである。

【００２８】また、強磁性金属薄膜を、スパッタリング
法によって成膜する場合、１×１０ ^-1Ｐａ、１×１０Ｐ
ａのアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電
を起こし、これによって生じたアルゴンガスイオンでタ
ーゲット表面の原子を叩き出すというものであり、グロ
ー放電の方法により直流２極、もしくは３極スパッタ
法、高周波スパッタ法、あるいはマグネトロン放電を利
用したマグネトロンスパッタ法等によることができる。
このスパッタリング法を適用する場合においては、例え
ばＣｒ、Ｗ、Ｖ等の下地膜を形成しておくことが望まし
い。

【００２９】尚、上述した強磁性金属薄膜による磁性層
２の成膜における、いずれの方法による場合において
も、非磁性支持体１、例えばその原反の非磁性長尺体２
３上に、予めＢｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ
ｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｌ等の下地金属層を被着形成してお
き、その非磁性支持体１の表面に対して垂直方向からの
成膜を行うときは、磁気異方性の配向がなく、面内等方
性に優れた磁性層２を形成することができる。すなわ
ち、この場合は、例えば磁気ディスク等に適用する場合
に好適である。

【００３０】また、上述した各実施形態における非磁性
保護層４は、カーボン膜、特に、比較的硬度の高いダイ
ヤモンドライクカーボンによって構成することが好まし
い。この非磁性保護層４は、プラズマＣＶＤ（プラズマ
化学的気相成長法：Chemical Vapor Deposition)法等に
より形成することができる。そして、ＣＶＤ法によって
非磁性保護層４を形成する場合には、例えば、真空容器
中に炭化水素ガス、或いは炭化水素と不活性ガスとの混
合ガスを導入し、１０Ｐａ〜１００Ｐａ程度の圧力に保
持した状態で、真空容器内に放電させて、炭化水素ガス
のプラズマを発生させることによって、例えば磁性層２
上にカーボン膜による非磁性保護層４を形成することが
できる。

【００３１】この場合の放電形式としては、外部電極方
式、内部電極方式の何れでも良く、放電周波数について
は、適宜成膜条件等を勘案して決めることができる。ま
た、強磁性金属薄膜が形成された非磁性支持体２側に配
された電極に０〜−３ｋＶの電圧を印加することによ
り、非磁性保護層４の硬度の増大および密着性を向上さ
せることができる。また、非磁性保護層４の成膜に用い
る炭化水素としては、例えば、メタン、エ１ン、プロパ
ン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、エチレン、アセチレン、プロペン、ブテン、ペンテ
ン、ベンゼンなどを用いることができる。

【００３２】また、この非磁性保護層４を形成する方法
としては、このＣＶＤ法の他に、マグネトロンスパッタ
法、イオンビームスパッタ法、イオンビームプレーティ
ング法等の従来公知の薄膜形成方法を用いることができ
る。

【００３３】次に、本発明製造方法の実施形態について
説明する。〔第１の製造方法の実施の形態〕この実施の形態は、前
述した第１の実施形態の磁気記録媒体の製造方法であ
り、その一例を、図５の製造工程図を参照して説明す
る。図５Ａに示すように、金属薄膜による磁性層２が形
成された非磁性支持体１例えば上述した非磁性支持体を
構成する原反の非磁性長尺体上に、全面的に例えばカー
ボン膜による第１非磁性保護層４１を例えばＣＶＤ法に
よって成膜する。この第１非磁性保護層４１上に全面的
にフォトレジスト層８を塗布する。

【００３４】このフォトレジスト層８に対してパターン
露光および現像を行って、図５Ｂに示すように、最終的
に上述した突起部３を形成する部分に開口を形成したフ
ォトレジストパターンを形成する。図５Ｃに示すよう
に、フォトレジスト層８上から全面的に、ＣＶＤ法等に
より第１非磁性保護層４１と同一材料の例えばカーボン
膜を成膜形成する。

【００３５】その後、図５Ｄに示すように、フォトレジ
スト層８を、その溶剤の有機溶剤で溶解して、このフォ
トレジスト層８と共にこのフォトレジスト層８上の第２
非磁性保護層４１を選択的に除去、いわゆるリフトオフ
する。このようにすると第２非磁性保護層４２が形成さ
れた部分に、第１および第２非磁性保護層４１および４
２の積層による大なる厚さＴ1 を有する部分が点在形成
され、他部が第１非磁性保護層４１の単層厚さによる小
なる厚さＴ2 として形成される。すなわち、厚さ分布に
よる突起部３が形成された非磁性保護層４が形成され
る。そして、この実施形態においては、厚さＴ1 を有す
る突起部３を含めて全体が同一材料による非磁性保護層
４が形成される。

【００３６】次に、この非磁性保護層４上に、潤滑剤層
５を塗布形成する。潤滑剤層５は、パーフルオロカルボ
ン酸、パーフルオロアルキルスルホン酸、パーフルオロ
ポリエーテル等より構成され、溶液塗布法、真空蒸着法
等によって形成する。このようにして、非磁性支持体１
上に磁性層２、非磁性保護層４、潤滑剤層５が形成され
て成る図２で示した磁気記録媒体に対応する構成による
磁気記録媒体が構成される。そして、この磁気記録媒体
においては、その媒体表面すなわち潤滑剤層５の表面
に、突起部３を踏襲した表面突起１３が、所要の高さお
よび密度をもって形成された磁気記録媒体が製造され
る。

【００３７】非磁性支持体１の裏面には、バックコート
層５を塗布形成する。このバックコート層５は、主とし
て、無機粉末成分と結合剤樹脂とを有機溶媒に混合分散
させたバックコート用塗料を非磁性支持体に塗布するこ
とにより形成される。

【００３８】〔第２の製造方法の実施の形態〕この実施
の形態は、前述した図３で説明した第２の実施形態の磁
気記録媒体の製造方法である。この場合、前述した第１
の製造方法の実施形態におけると同様に、金属磁性薄膜
による磁性層２が一主面上に形成された非磁性支持体１
例えば上述した非磁性支持体を構成する原反の非磁性長
尺体が用意され、その磁性層２上に、全面的に磁性層２
に比して電気伝導度が高い金属を例えばスパッタリング
することによって、図３で示したような不連続金属層７
を形成する。

【００３９】このスパッタリングは、１×１０^-1Ｐａ〜
１×１０Ｐａのアルゴンガスを主成分とする雰囲気中で
グロー放電を起こし、生じたアルゴンガスイオンでター
ゲット表面の原子を叩き出す、グロー放電の方法により
直流２極、もしくは３極スパッタ法や、高周波スパッタ
法、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンス
パッタ法等によることができる。

【００４０】金属層７に用いられる材料としては、Ｃｕ
を用いることができるが、特にこれに限定されるもので
はく、スパッタリング法等によって、不連続な成膜を簡
単確実に成膜することができ、かつ磁性層２に比して電
気伝導度が高い各種単一金属もしくは合金を用いること
ができる。

【００４１】このようにして形成された不連続金属膜７
上に、図３に示すように、全面的に前述した第１の製造
方法の実施形態と同様に、例えばカーボン膜による非磁
性保護層４をプラズマＣＶＤ法によって成膜すると、電
気伝導度が磁性層２に比して高い金属層７上において、
原料イオンの付着が磁性層２に比して大となることか
ら、金属層７上におけるカーボン膜の成膜が大で、此処
において肉厚となる。

【００４２】このようにして形成された非磁性保護層４
上に、前述したと同様に潤滑剤層５を形成する。また、
非磁性支持体１の裏面には、前述したと同様にバックコ
ート層６が被着される。

【００４３】上述した第１の実施形態による磁気記録媒
体、そして上述した第１の製造方法の実施形態によれ
ば、第１非磁性保護層４１と、第２非磁性保護層４２の
厚さによって突起部３の高さのコントロールを行うこと
ができ、また、一方の例えば第２磁性保護層４２をフォ
トレジストを用いたいわゆるフォトリソグラフィ技術に
よって所要の不連続状態を形成することができることか
ら、高い精度をもってコントロールされた高い突起部を
構成することができる。そして、この突起部３を含んで
非磁性保護層４の全体を同一材料によって構成すること
ができることから、安定した耐久性の高い突起部を構成
することができる。

【００４４】上述した第２の実施形態による磁気記録媒
体、そして第２の製造方法の実施形態によれば、不連続
金属層７を形成し、この金属層７上に形成された非磁性
保護層４と、磁性層２に直接的に形成される非磁性保護
層４との厚さの差によって所要の高さを有する突起部３
を形成するものであり、この場合、非磁性保護層の成
膜、例えばプラズマＣＶＤにおける成膜条件の選定によ
って、高い精度をもって突起部３の高さ等のコントロー
ルを行うことができる。そして、この場合においても、
突起部３を含んで非磁性保護層４の全体を同一材料によ
って構成することができることから、安定した耐久性の
高い突起部を構成することができる。

【００４５】次に、本発明による磁気記録媒体およびそ
の製造方法を具体的実施例を挙げて比較例と対比して説
明する。〔実施例１〕この実施例においては、図２で説明した磁
気記録媒体を図５で説明した方法によって作製した。こ
の場合、厚さ６．０μｍ、表面粗さＲａ＝０．５ｎｍの
ポリエチレンテレフタレートフィルムによる非磁性支持
体１を構成する原反の非磁性長尺体２３の一主面上に、
図４で説明した真空蒸着装置を用いて、斜め蒸着法によ
りＣｏを厚さ１５０ｎｍに被着して強磁性金属薄膜によ
る磁性層２を成膜した。次に、エチレンとアルゴンの混
合ガスの高周波プラズマにより、電極と、長尺体による
磁気記録媒体を対向電極として、１．５ｋＶの直流電圧
を印加して放電を行い、磁性層２上に、約２ｎｍの厚さ
のカーボン膜による第１の非磁性保護層４１を成膜し
た。

【００４６】さらに、この保護層４の上に、前述したフ
ォトレジスト層８の塗布、露光、現像により、直径２０
ｎｍの透孔が、５０００万個／ｍｍ²の密度をもって分
散開口したフォトレジストパターンを形成した。次に、
このフォトレジストパターン上に、ＣＶＤ等によりカー
ボン膜による第２の非磁性保護層４２を堆積成膜した。
その後、パターン化されたフォトレジスト層８を、有機
溶剤で溶解し、このフォトレジスト層８と一体化されて
いる第２磁性保護層４２を除去した。このようにして、
残された第２非磁性保護層４２による高さ８ｎｍの突起
部３を、頻度（分散密度）５０００万個／ｍｍ²に形成
した。すなわち、このようにして、突起部３が、その頻
度および大きさがコントロールされて均一に分散されて
形成された非磁性保護層４を形成する。

【００４７】次に、非磁性支持体１すなわち原反の、磁
性層２の形成面とは反対側、すなわち裏面にカーボンお
よびポリウレタン樹脂よりなる膜厚０．５μｍのバック
コート層６を形成した。さらに、潤滑剤パーフルオロポ
リエーテルをヘキサン溶媒に溶解したものを、非磁性保
護層４の表面に塗布量が５ｍｇ／ｍ²となるように塗布
して潤滑剤層５を形成した。その後、幅８ｍｍになるよ
うにカットし、サンプルテープ（これを試料１とする）
を作製した。

【００４８】〔実施例２〕実施例１と同様の構造および
製造方法によって磁気記録媒体を作製したが、この実施
例においては、その突起部３の高さが１６ｎｍとなるよ
うに製造したサンプルテープ（これを試料２とする）を
作製した。

【００４９】〔実施例３〕実施例１と同様の構造および
製造方法によって磁気記録媒体を作製したが、この実施
例においては、その突起部３の高さが４ｎｍとなるよう
に製造したサンプルテープ（これを試料３とする）を作
製した。

【００５０】〔実施例４〕実施例１と同様の構造および
製造方法によって磁気記録媒体を作製したが、この実施
例においては、その突起部３の頻度を１０００万個／ｎ
ｍ²になるように製造したサンプルテープ（これを試料
４とする）を作製した。

【００５１】〔実施例５〕実施例１と同様の構造および
製造方法によって磁気記録媒体を作製したが、この実施
例においては、その突起部３の頻度を８０００万個／ｎ
ｍ²になるように製造したサンプルテープ（これを試料
５とする）を作製した。

【００５２】〔比較例１〕厚さ６．０μｍ、表面粗さＲ
ａ＝２．０ｎｍのポリエチレンテレフタレートフィルム
による非磁性支持体１を構成する原反の非磁性長尺体の
一主面上に、図３で説明した真空蒸着装置を用いて、斜
め蒸着法によりＣｏを厚さ１５０ｎｍに被着して強磁性
金属薄膜による磁性層２を成膜した。次に、エチレンと
アルゴンの混合ガスの高周波プラズマにより、電極と、
長尺原反状の磁気記録媒自身を対向電極として、１．５
ｋＶの直流電圧を印加して放電を行い、磁性層上に、約
１０ｎｍの厚さのカーボン膜による突起部を形成する工
程をとらずに、磁性保護層を成膜した。

【００５３】次に、非磁性支持体１の原反の、磁性層の
形成面と反対側の面、すなわち裏面に、カーボンおよび
ポリウレタン樹脂よりなる膜厚０．５μｍのバックコー
ト層５を形成した。一方、カーボン膜による上述した非
磁性保護層の表面に、潤滑剤のパーフルオロポリエーテ
ルをヘキサン溶媒に溶解した塗料を、塗布量が５ｍｇ／
ｍ²となるように塗布して潤滑剤層を形成した。これ
を。幅８ｎｍになるようにカットし、サンプルテープ
（これを試料６とする）を作製した。

【００５４】〔比較例２〕非磁性支持体として表面粗度
Ｒａが２ｎｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを
用いたほかは、実施例１と同様の構成および方法によっ
てサンプルテープ（これを試料７とする）を作製した。

【００５５】〔比較例３〕非磁性保護膜４の突起部３の
高さが２４ｎｍになるように成膜したほかは、実施例１
と同様の構成および方法によってサンプルテープ（これ
を試料８とする）を作製した。

【００５６】〔比較例４〕非磁性保護膜４の突起部３の
高さが２ｎｍになるように成膜したほかは、実施例１と
同様の構成および方法によってサンプルテープ（これを
試料９とする）を作製した。

【００５７】〔比較例５〕非磁性保護膜４の突起部３の
頻度が５００万個／ｍｍ²になるように成膜したほか
は、実施例１と同様の構成および方法によってサンプル
テープ（これを試料１０とする）を作製した。

【００５８】〔比較例６〕非磁性保護膜４の突起部３の
頻度が１２０００万個／ｍｍ²になるように成膜したほ
かは、実施例１と同様の構成および方法によってサンプ
ルテープ（これを試料１１とする）を作製した。

【００５９】上述した各実施例および比較例による各磁
気記録媒体（試料１〜試料１１）の各構成と、その評価
の結果を、表１に示す。

【００６０】

【表１】この評価は、恒温槽中の環境条件を温度２５℃、湿度５
０％ＲＨに制御して、この恒温槽中で各試料１〜１１の
サンプルテープを、改造した８ミリテープドライブで１
０００回のシャトル走行によって磁気ヘッドに対して２
０００回のパス走行を行って、これら試料に摺接させた
磁気ヘッドの磨耗量と再生出力を測定した。

【００６１】尚、この場合のヘッド磨耗量は、試料１の
磨耗量を基準（０％）とし、この値からの差をパーセン
トで表して比較した。また、再生出力は、初期の再生出
力と、走行による出力の変化とを測定して示した。初期
の再生出力は、試料１を基準として、これからの差をｄ
Ｂで示して比較した。

【００６２】また、摩擦に関しては、問題なく１０００
回シャトル走行させることができた場合を○、摩擦が大
きいことにより走行不可となった場合、または１０００
回シャトル走行前に走行停止になった試料を×とした。

【００６３】比較例１（試料６）は、従来の製法による
サンプルテープであるが、実施例１〜５（試料１〜５）
と比べて表面が粗いことと、非磁性保護層が厚いために
初期の出力が小さくなっている。また、ヘッドの磨耗量
も大きい。一方、シャトル走行後の出力も下がってお
り、非磁性層が厚いにも拘わらず走行耐久性は低いもの
となっている。比較例２（試料７）は、非磁性支持体の
粗度が悪いために、形成されたカーボン突起部３以上に
表面が荒れてしまい、比較例１（試料６）と同様の結果
となっている。ただし、レベルダウンの量は、初期の出
力自体が低すぎたためか、変化が無かった。比較例３
（試料８）は、カーボン突起部の高さが高すぎるため磁
気ヘッドに対するスペーシングが大きくなってしまい、
初期の出力が低くなっている。また、ヘッドの磨耗量も
大きくなっている。比較例４（試料９）は、カーボン突
起部の高さが低すぎるため、摩擦が大きく、シャトル後
のレベルダウンが大きい。比較例５（試料１０）は、カ
ーボン突起部の頻度が小さすぎるため、摩擦が大きく、
正常に走行させることができなかった。比較例６（試料
１１）は、カーボン突起部の頻度が大きすぎるため、ヘ
ッド磨耗が大きくなった。

【００６４】次に、図３で説明した磁気記録媒体を、第
２の製造方法の実施形態によって製造する場合の具体的
実施例について、比較例と対比して説明する。〔実施例６〕まず、６．０μｍ厚、表面粗さＲａ＝０．
５ｎｍのポリエチレンテレフタレートフィルムによる非
磁性支持体１の原反の一主面に、図４で示した真空蒸着
装置を使用して斜め蒸着法により酸素を少量導入しなが
らＣｏを被着させ、厚さ５０ｎｍの強磁性金属薄膜によ
る磁性層２を成膜した。

【００６５】次に、上記強磁性金属薄膜上に、Ｃｕをタ
ーゲットとして、マグネトロンスパッタ法により、Ａｒ
ガス圧２×１０^-1Ｐａ中で０．５ｋＶの電圧印加によっ
て、極めて薄い例えば厚さ１ｎｍ程度の不連続金属薄膜
による不連続金属層７を形成した。次に、この不連続金
属層７上から、プラズマＣＶＤによって非磁性保護層４
を成膜した。

【００６６】この非磁性保護層４の成膜は、エチレンと
アルゴンの混合ガスの高周波プラズマにより、電極と、
長尺原反状の磁気記録媒体自身を対向電極として、これ
ら間に直流電圧を、例えば原反に、１．５ｋＶの直流電
圧を印加し、放電を行ってカーボン膜による非磁性保護
膜４を成膜した。

【００６７】このようにすると、電気伝導度が高く、カ
ーボンイオンの被着が良好になされる不連続金属層７上
においては、約１０ｎｍの大なる厚さＴ1 ’に、また、
不連続金属層７の透孔部、すなわち欠除部の磁性層２の
露呈部に対しては、約２ｎｍの小なる厚さＴ2 に形成さ
れ、厚さ分布が生じた非磁性保護層４が成膜される。

【００６８】すなわち、不連続金属層７において、突起
部３が形成される。この突起部３の高さは、不連続金属
層７の厚さが非磁性保護層４の大なる厚さＴ1 ’に比し
充分小であることから、Ｔ1 ’−Ｔ2 ＝８ｎｍに形成さ
れる。この突起部３の頻度は、約５０００万個／ｍｍ²
であった。

【００６９】次に、非磁性支持体１すなわち原反の裏面
にカーボンおよびポリウレタン樹脂よりなる膜厚０．５
μｍのバックコート層を形成した。さらに、潤滑剤のパ
ーフルオロポリエーテルをヘキサン溶媒に溶解したもの
を、カーボン膜による非磁性保護層４の表面に塗布量が
５ｍｇ／ｍ²となるように塗布して潤滑剤層５を形成し
た。これを幅が８ｍｍになるようにカットし、サンプル
テープ（試料１２とする）を作製した。

【００７０】〔実施例７〕実施例６と同様の構造および
製造方法によって磁気記録媒体を作製したが、この実施
例においては、その突起部３の高さが１６ｎｍとなるよ
うに非磁性保護層４の成膜を行ってサンプルテープ（試
料１３とする）を作製した。

【００７１】〔実施例８〕実施例６と同様の構造および
製造方法によって磁気記録媒体を作製したが、この実施
例においては、その突起部３の高さが４ｎｍとなるよう
に非磁性保護層４の成膜を行ってサンプルテープ（試料
１４とする）を作製した。

【００７２】〔実施例９〕実施例６と同様の構造および
製造方法によって磁気記録媒体を作製したが、この実施
例においては、突起部３の頻度が１０００万個／ｍｍ²
になるように成膜してサンプルテープ（試料１５とす
る）を作製した。

【００７３】〔実施例１０〕実施例６と同様の構造およ
び製造方法によって磁気記録媒体を作製したが、この実
施例においては、突起部３の頻度が８０００万個／ｍｍ
²になるように成膜してサンプルテープ（試料１６とす
る）を作製した。

【００７４】〔比較例７〕厚さ６．０μｍ、表面粗さＲ
ａ＝２．０ｎｍのポリエチレンテレフタレートフィルム
による非磁性支持体１の原反の一主面に、前述の図４に
示す真空蒸着装置を使用して斜め蒸着法によりＣｏを被
着させ、厚さ５０ｎｍの強磁性金属薄膜による磁性層２
を成膜した。この強磁性金属薄膜による磁性層２上に、
エチレンとアルゴンの混合ガスの高周波プラズマによ
り、電極と、長尺原反状の磁気記録媒体自身による対向
電極との間に１．５ｋＶの直流電圧を印加し、放電を行
い、磁性層２に約１０ｎｍの厚さのカーボン膜による非
磁性保護層４を形成した。

【００７５】次に、非磁性支持体１の原反の裏面に、カ
ーボンおよびポリウレタン樹脂よりなる膜厚０．５μｍ
のバックコート層６を形成した。また、非磁性保護層４
上に、潤滑剤のパーフルオロポリエーテルをヘキサン溶
媒に溶解したものを、塗布量５ｍｇ／ｍ²となるように
塗布して潤滑剤層５を形成した。これを幅が８ｍｍにな
るようにカットし、サンプルテープ（試料１７とする）
を作製した。

【００７６】〔比較例８〕実施例６と同様の構造および
製造方法によって磁気記録媒体を作製したが、この実施
例においては、非磁性支持体１として表面粗度Ｒａが２
ｎｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。
このようにしてサンプルテープ（試料１８とする）を作
製した。

【００７７】〔比較例９〕実施例６と同様の構造および
製造方法によって磁気記録媒体を作製したが、この実施
例においては、非磁性層４の突起部３の高さが２４ｎｍ
になるように成膜した。このようにしてサンプルテープ
（試料１９とする）を作製した。

【００７８】〔比較例１０〕実施例６と同様の構造およ
び製造方法によって磁気記録媒体を作製したが、この実
施例においては、非磁性層４の突起部３の高さが２ｎｍ
になるように成膜した。このようにしてサンプルテープ
（試料２０とする）を作製した。

【００７９】〔比較例１１〕実施例６と同様の構造およ
び製造方法によって磁気記録媒体を作製したが、この実
施例においては、突起部３の頻度が５００万個／ｍｍ²
になるように成膜した。このようにしてサンプルテープ
（試料２１とする）を作製した。

【００８０】〔比較例１２〕実施例６と同様の構造およ
び製造方法によって磁気記録媒体を作製したが、この実
施例においては、突起部３の頻度が１２０００万個／ｍ
ｍ²になるように成膜した。このようにしてサンプルテ
ープ（試料２２とする）を作製した。

【００８１】これら実施例６〜実施例１０および比較例
１７〜比較例２２の１１種類のサンプルテープ（試料１
２〜２２）について、試料１〜１１について行った前述
したと同様の方法によってその特性を測定評価した。こ
の測定結果を表２に示す。

【００８２】

【表２】

【００８３】比較例７の試料１７は、従来の製造方法お
よび構造によるものであるが、実施例６〜７の試料１２
〜１６に比して表面が粗いことと、非磁性保護層４が厚
いことから初期の出力が小さくなっている。また、ヘッ
ドの磨耗量も大きい。一方、シャトル走行後の出力も下
がっている。すなわち、非磁性層が厚くても走行耐久性
は低いものとなっている。比較例８の試料１８は、非磁
性支持体１の粗度が悪いために、形成された突起部以上
に媒体表面が荒れてしまい、比較例７の試料１７と同様
の結果となっている。また、この場合、レベルダウンの
量は、初期の出力が低すぎたためか変化は無かった。比
較例９の試料１９は、突起部３の高さが高すぎたためス
ペーシングが大きくなってしまい、初期の出力が低くな
っている。また、ヘッドの磨耗量も大きくなっている。
比較例１０の試料２０は、突起部３の高さが低すぎるた
め、摩擦が大きく、シャトル走行後のレベルダウンが大
きい。比較例１１の試料２１は、突起部３頻度が小さす
ぎるため、摩擦が大きく、正常に走行させることができ
なかった。比較例１２の試料２２は、突起部３の頻度が
大きすぎたため、ヘッド磨耗が大きくなった。

【００８４】上述したように、本発明による磁気記録媒
体においては、非磁性保護層４よって突起部の形成がな
されることから、非磁性支持体１の表面の粗さＲａを１
ｎｍ以下とすることができ、また、この粗さに選定する
ことによって、磁性層２の特性への影響を回避できるも
のである。

【００８５】本発明による磁気記録媒体おいては、非磁
性保護層４の厚さ分布によって突起部３を形成するもの
であるが、この突起部３の高さが、余り低いと耐久性に
劣る。これは、本来、突起部分のみで磁気記録媒体を支
えることで接触面積を小さくして摩擦を低くしているの
に対し、突起が低すぎると、摩耗による突起が小さくな
っり、磁気記録媒体の弾性変形分を吸収できなくなり、
突起以外の部分も接触することになって結果的に摩擦が
上昇し、磁気記録媒体の劣化が低くなることに因る。こ
の下限値は、表１および表２における試料９，２０にお
けるように、例えば２ｎｍとなると耐久性に劣る。実験
考察によれば、３ｎｍ以上、好ましくは４ｎｍ以上とす
ることによって耐久性を満足することができる。また、
この突起部３の高さが余り大きくなると、例えば表１お
よび表２におけるように、その高さが２４ｎｍとなる
と、前述したように、磁気ヘッドに対するスペーシング
損失が大きくなることにより再生出力の低下を来す。実
験考察によれば、突起部３の高さは、２０ｎｍ好ましく
は１６ｎｍ以下とする。

【００８６】また、非磁性保護層４の厚さは、その薄い
部分の厚さが余り薄いと、膜全体が不連続になり、欠陥
が生じるおそれがある。そして、この欠陥部に磁性層が
露出することによって、磁性層が酸化するなど特性劣化
を来すとか、非磁性保護層４が不連続であることから剥
離が生じやすくなるなど信頼性の低下を来す。このよう
な不都合を回避する上で、非磁性保護層４の厚さは、１
ｎｍ以上とする。また、この非磁性保護層４の厚さを余
り大きくすると、スペーシング損失が大きくなることか
ら、実験考察により、５ｎｍ以下とすることが望まし
い。

【００８７】また、突起部３の平均頻度については、こ
れが余り少ないと、磁気記録媒体の弾性変形によって突
起部３以外の部分が磁気ヘッド等の摺接部に接触するこ
とになって接触面積が増大する。すなわち、摩擦が大き
くなり、これにより磁気記録媒体のいわゆる張りつきが
生じ磁気記録媒体の劣化が大となる。この突起部３の平
均頻度は、表１および表２から１０００万個／ｍｍ²以
上であることが望ましい。また、この突起部３の平均頻
度は、余り多くなると、磁気記録媒体表面が荒れた状態
となり、磁気ヘッドを摩耗させる尖鋭な突起部が多くな
るため磁気ヘッドの摩耗が著しくなり、表１および表２
により８０００万個／ｍｍ²以下であることが望ましい
ものである。

【００８８】

【発明の効果】上述したように、本発明による磁気記録
媒体は、非磁性保護層に厚さ分布を形成して突起部を形
成するものであり、この突起部を含んで非磁性保護層全
体を同一材料によっ構成することから、突起部の剥がれ
が生じにくくなる。また、この磁気記録媒体表面が、磁
気ヘッドとの摺接によってその突起部が摩耗しても、従
来構造におけるような、磁性層がこの突起内に存在しな
いことから、磁性層の破壊が効果的に回避でき、走行性
および耐久性の向上が図られる。

【００８９】磁性層の磁性粒子の離脱によって磁気ヘッ
ドの特性劣化、再生出力の低下等を効果的に回避できる
また、本発明製造方法によれば、突起部の高さを、高い
精度をもってコントロールすることができることから、
スペーシング損失が小さく、電磁変換特性に優れた磁気
記録媒体を構成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による磁気記録媒体の基本構成を示す概
略断面図である。

【図２】本発明による磁気記録媒体の一実施形態の一例
の概略断面図である。

【図３】本発明による磁気記録媒体の他の一実施形態の
一例の概略断面図である。

【図４】本発明による磁気記録媒体の真空蒸着装置の一
例の概略構成図である。

【図５】Ａ〜Ｄは、本発明による磁気記録媒体の製造方
法の一例の工程図である。

【符号の説明】

１・・・非磁性支持体、２・・・磁性層、３・・・突起
部、４・・・非磁性保護層、４１・・・第１非磁性保護
層、４２・・・第２非磁性保護層、５・・・潤滑剤層、
６・・・バックコート層、７・・・不連続金属層、２１
・・・真空室、２２・・・冷却キャン、２３・・・非磁
性長尺体、２４・・・供給ロール、２５・・・巻取りロ
ール、２６・・・ガイドローラ、２７・・・蒸着源、２
８・・・電子ビーム発射源、２９・・・電子ビーム、３
０・・・防着板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 5/851 Ｇ１１Ｂ 5/851

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体上に、磁性層と、突起部が
厚さ分布によって分散形成された非磁性保護層と、潤滑
剤層とが順次形成され、該潤滑剤層の表面に上記非磁性保護層の突起部に依存す
る表面突起が形成されて成ることを特徴とする磁気記録
媒体。
【請求項２】上記非磁性保護層が、上記磁性層上に直
接的に形成され、上記突起部を含めて全体が同一材料で
構成されて成ることを特徴とする請求項１に記載の磁気
記録媒体。
【請求項３】上記非磁性保護層は、第１非磁性保護層
と、第２非磁性保護層とが積層されて成り、これら第１
または第２非磁性保護層のいずれかの一方が不連続に形
成され、他方の非磁性保護層が全面的に形成されて成
り、上記第１および第２非磁性層によって、厚さ分布による
突起部が分散形成された非磁性保護層が構成されて成る
ことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒
体。
【請求項４】上記厚さ分布を有する非磁性保護層は、
上記磁性層上に不連続に形成された上記磁性層に比し電
気伝導度の高い不連続金属層上に跨がって形成され、該
不連続金属膜上において厚く成膜されて厚さ分布による
突起部が形成されて成ることを特徴とする請求項１また
は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】上記非磁性保護層が、カーボン膜である
ことを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の磁
気記録媒体。
【請求項６】上記非磁性保護層の厚さ分布は、その厚
さの大なる部分と小なる部分の平均差が、３ｎｍ〜２０
ｎｍとされたことを特徴とする請求項１、２、３、４ま
たは５に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】上記非磁性保護層の厚さ分布は、その厚
さが小なる部分の平均の厚さが１ｎｍ〜５ｎｍとされた
ことを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６に
記載の磁気記録媒体。
【請求項８】上記非磁性支持体の表面は、粗さＲａ
（中心平均粗さ）が１ｎｍ以下とされたことを特徴とす
る請求項１、２、３、４、５、６または７に記載の磁気
記録媒体。
【請求項９】非磁性支持体上に、磁性層を成膜する工
程と、該磁性層の成膜工程後に、突起部が厚さ分布によ
って分散形成された非磁性保護層を形成する工程と、潤
滑剤層を成膜する工程とを有することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。
【請求項１０】上記突起部が分散形成された非磁性保
護層の成膜工程が、第１非磁性保護層の成膜工程と、第
２非磁性保護層の成膜工程とを有し、これら第１または
第２非磁性保護層いずれかの一方の成膜工程がマスク処
理によって非磁性保護層を分散形成する成膜工程で、他
方の成膜工程が全面的成膜工程であり、上記第１および第２非磁性層によって、厚さ分布による
突起部が分散形成された非磁性保護層を形成することを
特徴とする請求項９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】上記突起部が分散形成された非磁性保
護層の成膜工程が、上記磁性層上に上記非磁性層に比し
電気伝導度の高い不連続金属層を形成する工程と、その
後、該不連続金属層上を含んで全面的に上記非磁性保護
層を成膜する工程とより成り、上記不連続金属層を有する部分と該不連続金属層が形成
されない部分との成膜速度の差により上記不連続金属層
の形成部上においての上記非磁性保護層の厚さを大とし
て突起部を構成することを特徴とする請求項９に記載の
磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】上記非磁性保護層の成膜が、ＣＶＤ
（化学的気相成長）法によるカーボン膜の成膜によるこ
とを特徴とする請求項１１に記載の磁気記録媒体の製造
方法。