JPS6031013B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6031013B2 JPS6031013B2 JP11692876A JP11692876A JPS6031013B2 JP S6031013 B2 JPS6031013 B2 JP S6031013B2 JP 11692876 A JP11692876 A JP 11692876A JP 11692876 A JP11692876 A JP 11692876A JP S6031013 B2 JPS6031013 B2 JP S6031013B2
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- JP
- Japan
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- base material
- magnetic recording
- ferromagnetic
- recording media
- coercive force
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高分子成形物や非磁性金属等よりなる基村に
強磁性被膜を安定に、かつ連続的に形成する磁気記録媒
体の製造方法に関し、高周波グロー放電を利用して高分
子成形物等の低融点基材に低温で強磁性被膜を形成せん
とするものである。
強磁性被膜を安定に、かつ連続的に形成する磁気記録媒
体の製造方法に関し、高周波グロー放電を利用して高分
子成形物等の低融点基材に低温で強磁性被膜を形成せん
とするものである。
一般に磁気記録媒体の製造法としては、ｙ−Ｆｅ２０３
に代表される針状結晶を有機バインダーで基材上に塗布
固定するコーティング法があり、磁気ディスク、磁気テ
ープ、磁気カード等のメモリ分野で実用に供されている
。しかし、この種コーティングタイプにおいては、近年
要望の高い高密度記録には応じきれなくなっている。
に代表される針状結晶を有機バインダーで基材上に塗布
固定するコーティング法があり、磁気ディスク、磁気テ
ープ、磁気カード等のメモリ分野で実用に供されている
。しかし、この種コーティングタイプにおいては、近年
要望の高い高密度記録には応じきれなくなっている。
又、真空蒸着技術では蒸気圧の関係から安定に蒸発させ
にくい物質やガスを多量に含み蒸着中にスプラッシュの
発生するもの（例えばボロン）があり、この材料が限定
されることによって、それが特性面での限定ともなって
いた。本発明はこのような欠点を除去し、磁気特性の安
定な強磁性被膜を連続して形成する製造方法を提供せん
とするもので、以下図面と共に詳述する。第１図は本発
明を実施する装置の一例を示し、図において、１は抵抗
加熱による蒸発源で、高分子成形物や非磁性金属よりな
る基材２と高周波電極３を介して真空槽４内に対向配設
している。
にくい物質やガスを多量に含み蒸着中にスプラッシュの
発生するもの（例えばボロン）があり、この材料が限定
されることによって、それが特性面での限定ともなって
いた。本発明はこのような欠点を除去し、磁気特性の安
定な強磁性被膜を連続して形成する製造方法を提供せん
とするもので、以下図面と共に詳述する。第１図は本発
明を実施する装置の一例を示し、図において、１は抵抗
加熱による蒸発源で、高分子成形物や非磁性金属よりな
る基材２と高周波電極３を介して真空槽４内に対向配設
している。
５は室内６へ目的の気体状化合物を導入するニードルバ
ルブで、その調節は自由である。
ルブで、その調節は自由である。
７は高周波電源で、絶縁導入端子８を介して上記高周波
電極３に接続されている。
電極３に接続されている。
９は上記基材２の保持体で必要に応じて電源１０により
所定の電位が付与されるが限定要素ではない。
所定の電位が付与されるが限定要素ではない。
又、基材２は保持体９によって保持されているが、基材
２がフィルムとかシート状であれば連続搬送機構に置換
することは容易である。１１は真空排気系である。
２がフィルムとかシート状であれば連続搬送機構に置換
することは容易である。１１は真空排気系である。
１２は上記蒸発源１の抵抗加熱電源であるが、本発明に
おいては抵抗加熱に限定されず、他の電子ビーム加熱、
高周波議導加熱、レーザ加熱等の方式を用いてもよい。
おいては抵抗加熱に限定されず、他の電子ビーム加熱、
高周波議導加熱、レーザ加熱等の方式を用いてもよい。
このような装置において、まず室内６を真空排気系１１
にてあらかじめ高真空にした後、Ａｙ，ＰＨ３等の気体
状化合物をニードルバルプ５の調節により導入する。そ
こで蒸発源１より、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉもしくはこれらの
合金よりなる強磁性金属を蒸発させると共に、高周波電
極３にグロー放電を発生させて、気体状化合物の分解生
成ガスと共に基村２上に強磁性層を形成する。次に、本
発明の具体的実施例について詳述する。
にてあらかじめ高真空にした後、Ａｙ，ＰＨ３等の気体
状化合物をニードルバルプ５の調節により導入する。そ
こで蒸発源１より、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉもしくはこれらの
合金よりなる強磁性金属を蒸発させると共に、高周波電
極３にグロー放電を発生させて、気体状化合物の分解生
成ガスと共に基村２上に強磁性層を形成する。次に、本
発明の具体的実施例について詳述する。
〔実施例 １〕
１．基 材 ： ポリィミドフィルム（厚さ２０一）２
．高周波条件：ｆ＝１３．５８ＭＨｚ、陽極電圧水ｖ３
．気体状化合物：Ａｙ分圧１×１０‐４ＴｏｍＰＨ３分
圧３×１０‐３Ｔｏｍ４．強磁性金属：Ｃｏ６０％、Ｎ
ｉ４０％５．強磁性層厚：０．２２ム ６．抗磁力 ：１３００ェルステッド 比較例 １ 上記実施例１において、３、気体状化合物を〜４×１０
‐３Ｔｏｒｒとした場合、６、抗磁力は５０ヱルステツ
ドであった。
．高周波条件：ｆ＝１３．５８ＭＨｚ、陽極電圧水ｖ３
．気体状化合物：Ａｙ分圧１×１０‐４ＴｏｍＰＨ３分
圧３×１０‐３Ｔｏｍ４．強磁性金属：Ｃｏ６０％、Ｎ
ｉ４０％５．強磁性層厚：０．２２ム ６．抗磁力 ：１３００ェルステッド 比較例 １ 上記実施例１において、３、気体状化合物を〜４×１０
‐３Ｔｏｒｒとした場合、６、抗磁力は５０ヱルステツ
ドであった。
〔実施例 ２〕
１．基 材 ：Ａ夕（厚さ２肋）
２．高周波条件：ｆ＝１３．５８Ｍ日２、陽極電圧水ｖ
３．基材電位 ：ｌｋｖ（蒸発源に対し負極性）４．気
体状化合物：ＰＨ３８×１０一４Ｔｏｎ５．強磁性金属
：Ｃｏ６．強磁性層厚：０．３仏 ７．抗磁力 ：１４５０ェルステツド 比較例 ２ 上記実施例２において、４、気体状化合物を〜８×１０
‐４Ｔｏｍとして場合、７、抗磁力は８０ェルステツド
であった。
３．基材電位 ：ｌｋｖ（蒸発源に対し負極性）４．気
体状化合物：ＰＨ３８×１０一４Ｔｏｎ５．強磁性金属
：Ｃｏ６．強磁性層厚：０．３仏 ７．抗磁力 ：１４５０ェルステツド 比較例 ２ 上記実施例２において、４、気体状化合物を〜８×１０
‐４Ｔｏｍとして場合、７、抗磁力は８０ェルステツド
であった。
上記実施例１，２において、比較例１，２に比して抗磁
力に差が出ている理由は、強磁性層の組成が、比較例１
：Ｃｏ６０％，Ｎｉ４０％、実施例１：Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ
、比較例２：Ｃｏｌｏｏ％、実施例２：Ｃｏ−Ｐであり
、実施例１，２においてはＰの結晶表面への偏折により
抗磁力が高くなっていると思われる。
力に差が出ている理由は、強磁性層の組成が、比較例１
：Ｃｏ６０％，Ｎｉ４０％、実施例１：Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ
、比較例２：Ｃｏｌｏｏ％、実施例２：Ｃｏ−Ｐであり
、実施例１，２においてはＰの結晶表面への偏折により
抗磁力が高くなっていると思われる。
また実施例１，２において得られた強磁性層は、不純物
の混入が少なく、基材との付着力も高く、硬度も大であ
った。
の混入が少なく、基材との付着力も高く、硬度も大であ
った。
次に本発明の他の例について第２図と共に詳述する。
図において第１図と同一箇所には同一符号を付す。
１３は基材２に高周波電極３を介して対向配設され、複
数個の孔１４を有するガス導入ミキサーで、内部に縄梓
機構（図示せず）を有する。
数個の孔１４を有するガス導入ミキサーで、内部に縄梓
機構（図示せず）を有する。
１５，１６．１７は各々ガス導入ミキサ−１３内に気体
状化合物を導入するガス導入口であり、その調節は自由
である。
状化合物を導入するガス導入口であり、その調節は自由
である。
本実施例においては、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏの強磁性金属も
しくはそれらの合金をあらかじめ気体状蒸気にして、ガ
ス導入口１５，１６，１７より導入する。
しくはそれらの合金をあらかじめ気体状蒸気にして、ガ
ス導入口１５，１６，１７より導入する。
そして高周波電極３でグロー放電を発生させて、基材２
にＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ等の強磁性層を形成する。以下に、
本実施例の具体的実施例を詳述する。
にＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ等の強磁性層を形成する。以下に、
本実施例の具体的実施例を詳述する。
〔実施例 ３〕１．導入ガス：Ｆｅ（ＣＯ）４５×１０
‐汀ｏｎ２．高周波条件：１３．５８ＭＨＺ、陽極電圧
水ｖ３．基 材 ：ポリエチレンテレフタレートフィル
ム（厚さ１５Ａ）マイクロスライドグラス（厚さ １，５岬） ４．基材電圧：一１００Ｖ ５．基材移動速度：他ｈ／ｍｉｎ ６．得られたＦｅ被膜の諸特性 ６−１．結晶性：多結晶（やや配向性がみられる）６−
２．膜厚 ：２５００Ａ ６一３．飽和磁束：１６０００（ガウス）６−４．抗磁
力 ：松０ェルステツド 〔実施例 ４〕 １．導入ガス ：Ｆｅ（ＣＯ）４４×１げびｏｎＮｉ（
ＣＯ）４１×１０１３Ｔｏｎ２〜５ 実施例３と同一 ６．得られた合金膜の護持性 ６一１．結晶性 ：多結晶 ６一２．膜 厚 ：２７００Ａ ６一３．飽和磁束：１７０００（ガワス）６一４．抗磁
力 ：２４５ェルステッド その他、Ｃｏについても同じような結果となることを確
認した。
‐汀ｏｎ２．高周波条件：１３．５８ＭＨＺ、陽極電圧
水ｖ３．基 材 ：ポリエチレンテレフタレートフィル
ム（厚さ１５Ａ）マイクロスライドグラス（厚さ １，５岬） ４．基材電圧：一１００Ｖ ５．基材移動速度：他ｈ／ｍｉｎ ６．得られたＦｅ被膜の諸特性 ６−１．結晶性：多結晶（やや配向性がみられる）６−
２．膜厚 ：２５００Ａ ６一３．飽和磁束：１６０００（ガウス）６−４．抗磁
力 ：松０ェルステツド 〔実施例 ４〕 １．導入ガス ：Ｆｅ（ＣＯ）４４×１げびｏｎＮｉ（
ＣＯ）４１×１０１３Ｔｏｎ２〜５ 実施例３と同一 ６．得られた合金膜の護持性 ６一１．結晶性 ：多結晶 ６一２．膜 厚 ：２７００Ａ ６一３．飽和磁束：１７０００（ガワス）６一４．抗磁
力 ：２４５ェルステッド その他、Ｃｏについても同じような結果となることを確
認した。
又、この場合、前述した気体状化合物を一緒にガス導入
ミキサー１３内に導入して図示しない縄洋機構で糟梓し
て、グロー放電蒸着してもよい。
ミキサー１３内に導入して図示しない縄洋機構で糟梓し
て、グロー放電蒸着してもよい。
なお、前記した各実施例において、気体状化合物の導入
は１０％以下とすることが望ましく、抗磁力向上により
効果がある。ム久上のように本発明によれば、気体状化
合物の導入によって抗磁力の向上した磁気記録媒体を得
ることができたものであり、その産業性には大なるもの
がある。
は１０％以下とすることが望ましく、抗磁力向上により
効果がある。ム久上のように本発明によれば、気体状化
合物の導入によって抗磁力の向上した磁気記録媒体を得
ることができたものであり、その産業性には大なるもの
がある。
なお、気体状化合物は前記した実施例のものに限定され
ることなく、強磁性金属以外の金属、絶縁物等の物質に
おいて、その効果が確認されている。
ることなく、強磁性金属以外の金属、絶縁物等の物質に
おいて、その効果が確認されている。
第１図は本発明製造方法を実施する菱贋の一例を示す概
略構成図、第２図は同じく本発明製造方法を実施する装
置の他の例を示す概略構成図である。 １……蒸発源、２……基材、３……高周波電極、４・・
・・・・真空槽、５・・・・・・ニードルバルブ、７…
・・・高周波電源、１３・・・…ガス導入ミキサー、１
５，１６，１７・・・・・・ガス導入口。 第１図 第２図
略構成図、第２図は同じく本発明製造方法を実施する装
置の他の例を示す概略構成図である。 １……蒸発源、２……基材、３……高周波電極、４・・
・・・・真空槽、５・・・・・・ニードルバルブ、７…
・・・高周波電源、１３・・・…ガス導入ミキサー、１
５，１６，１７・・・・・・ガス導入口。 第１図 第２図
Claims (1)
- １ 高分子成形物、非磁性金属等の基材上への強磁性金
属の蒸着を気体状化合物を含む高周波グロー放電中にて
行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11692876A JPS6031013B2 (ja) | 1976-09-28 | 1976-09-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11692876A JPS6031013B2 (ja) | 1976-09-28 | 1976-09-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5342008A JPS5342008A (en) | 1978-04-17 |
| JPS6031013B2 true JPS6031013B2 (ja) | 1985-07-19 |
Family
ID=14699146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11692876A Expired JPS6031013B2 (ja) | 1976-09-28 | 1976-09-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031013B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817101Y2 (ja) * | 1978-03-31 | 1983-04-06 | オイレス工業株式会社 | 自動車用ドアチエツク装置 |
-
1976
- 1976-09-28 JP JP11692876A patent/JPS6031013B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5342008A (en) | 1978-04-17 |
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