JPS6031013B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体の製造方法

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JPS6031013B2
JPS6031013B2 JP11692876A JP11692876A JPS6031013B2 JP S6031013 B2 JPS6031013 B2 JP S6031013B2 JP 11692876 A JP11692876 A JP 11692876A JP 11692876 A JP11692876 A JP 11692876A JP S6031013 B2 JPS6031013 B2 JP S6031013B2
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JP
Japan
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ferromagnetic
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JP11692876A
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JPS5342008A (en
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紘一 篠原
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021Reactive sputtering or evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
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  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高分子成形物や非磁性金属等よりなる基村に
強磁性被膜を安定に、かつ連続的に形成する磁気記録媒
体の製造方法に関し、高周波グロー放電を利用して高分
子成形物等の低融点基材に低温で強磁性被膜を形成せん
とするものである。
一般に磁気記録媒体の製造法としては、y−Fe203
に代表される針状結晶を有機バインダーで基材上に塗布
固定するコーティング法があり、磁気ディスク、磁気テ
ープ、磁気カード等のメモリ分野で実用に供されている
。しかし、この種コーティングタイプにおいては、近年
要望の高い高密度記録には応じきれなくなっている。
又、真空蒸着技術では蒸気圧の関係から安定に蒸発させ
にくい物質やガスを多量に含み蒸着中にスプラッシュの
発生するもの(例えばボロン)があり、この材料が限定
されることによって、それが特性面での限定ともなって
いた。本発明はこのような欠点を除去し、磁気特性の安
定な強磁性被膜を連続して形成する製造方法を提供せん
とするもので、以下図面と共に詳述する。第1図は本発
明を実施する装置の一例を示し、図において、1は抵抗
加熱による蒸発源で、高分子成形物や非磁性金属よりな
る基材2と高周波電極3を介して真空槽4内に対向配設
している。
5は室内6へ目的の気体状化合物を導入するニードルバ
ルブで、その調節は自由である。
7は高周波電源で、絶縁導入端子8を介して上記高周波
電極3に接続されている。
9は上記基材2の保持体で必要に応じて電源10により
所定の電位が付与されるが限定要素ではない。
又、基材2は保持体9によって保持されているが、基材
2がフィルムとかシート状であれば連続搬送機構に置換
することは容易である。11は真空排気系である。
12は上記蒸発源1の抵抗加熱電源であるが、本発明に
おいては抵抗加熱に限定されず、他の電子ビーム加熱、
高周波議導加熱、レーザ加熱等の方式を用いてもよい。
このような装置において、まず室内6を真空排気系11
にてあらかじめ高真空にした後、Ay,PH3等の気体
状化合物をニードルバルプ5の調節により導入する。そ
こで蒸発源1より、Co,Fe,Niもしくはこれらの
合金よりなる強磁性金属を蒸発させると共に、高周波電
極3にグロー放電を発生させて、気体状化合物の分解生
成ガスと共に基村2上に強磁性層を形成する。次に、本
発明の具体的実施例について詳述する。
〔実施例 1〕 1.基 材 : ポリィミドフィルム(厚さ20一)2
.高周波条件:f=13.58MHz、陽極電圧水v3
.気体状化合物:Ay分圧1×10‐4TomPH3分
圧3×10‐3Tom4.強磁性金属:Co60%、N
i40%5.強磁性層厚:0.22ム 6.抗磁力 :1300ェルステッド 比較例 1 上記実施例1において、3、気体状化合物を〜4×10
‐3Torrとした場合、6、抗磁力は50ヱルステツ
ドであった。
〔実施例 2〕 1.基 材 :A夕(厚さ2肋) 2.高周波条件:f=13.58M日2、陽極電圧水v
3.基材電位 :lkv(蒸発源に対し負極性)4.気
体状化合物:PH38×10一4Ton5.強磁性金属
:Co6.強磁性層厚:0.3仏 7.抗磁力 :1450ェルステツド 比較例 2 上記実施例2において、4、気体状化合物を〜8×10
‐4Tomとして場合、7、抗磁力は80ェルステツド
であった。
上記実施例1,2において、比較例1,2に比して抗磁
力に差が出ている理由は、強磁性層の組成が、比較例1
:Co60%,Ni40%、実施例1:Co−Ni−P
、比較例2:Coloo%、実施例2:Co−Pであり
、実施例1,2においてはPの結晶表面への偏折により
抗磁力が高くなっていると思われる。
また実施例1,2において得られた強磁性層は、不純物
の混入が少なく、基材との付着力も高く、硬度も大であ
った。
次に本発明の他の例について第2図と共に詳述する。
図において第1図と同一箇所には同一符号を付す。
13は基材2に高周波電極3を介して対向配設され、複
数個の孔14を有するガス導入ミキサーで、内部に縄梓
機構(図示せず)を有する。
15,16.17は各々ガス導入ミキサ−13内に気体
状化合物を導入するガス導入口であり、その調節は自由
である。
本実施例においては、Fe,Ni,Coの強磁性金属も
しくはそれらの合金をあらかじめ気体状蒸気にして、ガ
ス導入口15,16,17より導入する。
そして高周波電極3でグロー放電を発生させて、基材2
にFe,Ni,Co等の強磁性層を形成する。以下に、
本実施例の具体的実施例を詳述する。
〔実施例 3〕1.導入ガス:Fe(CO)45×10
‐汀on2.高周波条件:13.58MHZ、陽極電圧
水v3.基 材 :ポリエチレンテレフタレートフィル
ム(厚さ15A)マイクロスライドグラス(厚さ 1,5岬) 4.基材電圧:一100V 5.基材移動速度:他h/min 6.得られたFe被膜の諸特性 6−1.結晶性:多結晶(やや配向性がみられる)6−
2.膜厚 :2500A 6一3.飽和磁束:16000(ガウス)6−4.抗磁
力 :松0ェルステツド 〔実施例 4〕 1.導入ガス :Fe(CO)44×1げびonNi(
CO)41×1013Ton2〜5 実施例3と同一 6.得られた合金膜の護持性 6一1.結晶性 :多結晶 6一2.膜 厚 :2700A 6一3.飽和磁束:17000(ガワス)6一4.抗磁
力 :245ェルステッド その他、Coについても同じような結果となることを確
認した。
又、この場合、前述した気体状化合物を一緒にガス導入
ミキサー13内に導入して図示しない縄洋機構で糟梓し
て、グロー放電蒸着してもよい。
なお、前記した各実施例において、気体状化合物の導入
は10%以下とすることが望ましく、抗磁力向上により
効果がある。ム久上のように本発明によれば、気体状化
合物の導入によって抗磁力の向上した磁気記録媒体を得
ることができたものであり、その産業性には大なるもの
がある。
なお、気体状化合物は前記した実施例のものに限定され
ることなく、強磁性金属以外の金属、絶縁物等の物質に
おいて、その効果が確認されている。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明製造方法を実施する菱贋の一例を示す概
略構成図、第2図は同じく本発明製造方法を実施する装
置の他の例を示す概略構成図である。 1……蒸発源、2……基材、3……高周波電極、4・・
・・・・真空槽、5・・・・・・ニードルバルブ、7…
・・・高周波電源、13・・・…ガス導入ミキサー、1
5,16,17・・・・・・ガス導入口。 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 高分子成形物、非磁性金属等の基材上への強磁性金
    属の蒸着を気体状化合物を含む高周波グロー放電中にて
    行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
JP11692876A 1976-09-28 1976-09-28 磁気記録媒体の製造方法 Expired JPS6031013B2 (ja)

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JPS5342008A JPS5342008A (en) 1978-04-17
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JPS5817101Y2 (ja) * 1978-03-31 1983-04-06 オイレス工業株式会社 自動車用ドアチエツク装置

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