JPS60237625A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、磁気記録媒体に関する。

背景技術とその問題点 近年、磁気記録の尚密度化の目的でｓ験磁気記録媒体、
即ち非磁性基体上に真空蒸着、スパッタリング等の方法
により数百人〜略１μの厚さの強磁性金属を形成させた
磁気記録媒体についての研究が盛んである。このような
磁気記録媒体におい°ζ、高い抗磁力Ｈｅを有する磁性
層を得る方法として上述の強磁性金属例えばＣｏを生体
とする磁性金属の蒸発粒子を斜めに入射させる斜め蒸着
法が提案され゛（いる。また、はぼ垂直蒸着法によって
高い抗磁力及び高い角形比を有する磁気記録媒体も提案
されている。この磁気記録媒体は非磁性基体上にＢｉを
被着した後、この上に例えばＧｏを主体とする金属磁性
層を形成するものである。

しかし、前者の磁気記録媒体では高抗磁力及び高角形比
が得られるが、−軸異方性のため応用範囲が限られ且つ
磁性金属のバッキングが斜め入射により低下し飽和磁束
密度が小さくなり、また生産効率が悪い等の欠点があっ
た。一方後者の磁気記録媒体では磁気的に等友釣である
ために応用範囲が広く、またほぼ垂直蒸着であるために
磁性金属のバッキングが大きく飽和磁束密度が大きく、
生産効率もよい。しかし、膜形成の際、基体を加熱しな
ければ高抗磁力が得られないため、使用する非磁性基体
が耐熱性の大きい基体に制限され生産性の点で問題があ
った。

発明の目的 本発明は、上述の点に鑑み、飽和磁束密度が大きく、且
つ耐熱性の小さい非磁性基体の使用をも弓部にした磁気
記録媒体を提供するものである。

発明の概要 本発明は、非磁性基体上にＡｇ、　Ｈｇ、Ｉｎ、　ｓｂ
、　５ｎｔＺｎの少なくとも１種を含むＧａ合金と金属
磁性層とを連続して被着形成して成る磁気記録媒体であ
る□。

この発明の磁気記録媒体では、飽和磁束密度が太く、且
づ耐熱性の小さい非磁性基体の使用が可能となる。

実施例 以下、本発明の実施□例を説明する。

本発明においては、非磁性基体上にΔｇ＋　）Ｉｇ＋　
Ｉｎ。

Ｓｂ、　Ｓｎ、　Ｚｎの少なくとも１種を含むＧａ合金
と金属磁性層を順次被着して磁気記録媒体を構成する。

非磁性基体としては、例えばポリエチレンテレフタレー
ト、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド等の四
分子フィルム−、ガラス、′セラミツ゛り、サファイア
或いは表面を酸化した金属板等を用いることができる。

金属磁性層としては、Ｃｏ、　Ｆｅ、　Ｎｉ或いはこれ
らの合金（例えばＣｏ−Ｎｉ合金等）等を用いることが
できる。上記のＧａ合金は非磁性の低融点金属である。

非磁性基体上へのＧａ合金及び金属磁性層の形成には蒸
着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法等を
用いることができる。

第１図は本実施例でＧａ合金及び金属磁性層を形成する
ために使用した蒸着装置の路線的構成図である。この蒸
着装置ｆｌ）は真空槽内に非磁性基体（２）が供給リー
ル（３）及び巻取リール（４）間に走行するようになさ
れる。この非磁性基体（２）に対向してＧａ合金の蒸着
ｔＲ（５）と金属磁性層の蒸着源（６）が配される。

非磁性基体（２）は例えば赤外線ランプ（７）により加
熱され、その基体温度は熱電対（８）により検出される
。

０ωは蒸着源（５）及び（６）よりの各金属蒸気流を相
互に′遮蔽する遮蔽板である。蒸着源＋５１．（６１の
加−門は電子ビームにより行われ、各金属層の層厚は層
厚モニターヘッド（９）によりモニターされる。この装
置（１）では、非磁性基体（２）の走行途上において先
ず蒸着源（５）からＧａ合金の蒸着をなして非磁性基体
（２）上にＧａ合金膜を被着し、この上に引き続い′ζ
蒸着源（６）からの磁性金属を蒸着して金属磁性層を被
着形成するようになす。

実施例１　・ 上記蒸着装置（１）を使用し、真空トで高分子フィルム
よりなる非磁性基体を走行させ、基体温度を５０℃とし
て、ＧａＧｏ　Ｉｎ４ｏ合金（原子％）を蒸着し、引き
続いてこの上にｃｏｔｏ　−Ｎｌｘｏ合金（原子％）を
厚さ３００人蒸着して磁気記録媒体を得た。

実施例２ Ｇａ合金とし”ζＧａ６ｏ　Ｓｔ＋４０合金（原子％）
を用い、他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を得九
〇実施例３　′ Ｇａ合金としてＧａＧａ５４Ａ合金（原子％）を用い、
他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を得た。

上記各実施例の磁気記録媒体において、そのＧａ合金の
厚さと抗磁力Ｈｃの関係を第２図に示す。曲線（１）、
（旧及び（ＩＩ）は夫々実施例１．２及び３の媒体であ
る。この第２図から判る様にいずれもＧａ合金の厚さが
２５０人〜３００人で抗磁力Ｈｃが最大となっている。

即ち、Ｇａｇｏ　Ｉｎ４゜合金の場合は最大８０００ｅ
ｓ　Ｇａ５ｏ　５ｎ４ｏ合金の場合は最大７２００ｅ１
％　ＧａＧａ５４Ａ合金の場合は最大１００００ｅが得
られている。

また、各実施例において、そのＧａ合金を２５０人の厚
さに、ＣＯ？Ｏ−Ｎｉｌｏ合金磁性層を３００人の厚さ
に形成したときの基体温度と抗磁力Ｈｃの関係をボす。

曲線（Ｉ’）、（ＩＩ’）、（ＩＩＩ’）は夫々実施例
１．２及び３に対応する。Ｇａｅｏ　−Ｉｎ４ｏ合金で
は曲線（１′）で示すように７５℃付近で最大の抗磁力
８２００ｅを示ず。Ｇａ６ｏ　’５ｎ４ｏ合金では曲線
（ｎ′）でボずように基体温度が高くなるほど抗磁力Ｈ
ｃは低トする傾向にあるが、　１００℃以下では基数温
度の依存性は少なく、はぼ７０００ｅを示している６Ｇ
ａｓ４−　Ａｇｅ合金では曲線（■′）で示すように基
体温度１５０℃で最大の抗磁力１１０００ｅを示す。

このように低融点のＧａ合金とＣｏ−Ｎｉ合金磁性（−
とを積層形成することにより、為抗磁力の磁気記録媒体
が比較的低温度で容易に形成できる。“特に欣形成時の
基体温度が１００℃以下の低温でよいために、非磁性基
体として耐熱性に劣る例えばポリエチレンテレフタレー
トフィルム等をも使用できる。本発明では低融点のＧａ
合金の上に金属磁性１−を形成すると磁性金属の微粒子
間にＧａ合金が拡散し、磁性金属の微粒子間の磁気的相
互作用を弱め、この結果磁性金属微粒子が単磁区化し、
＾い抗磁力をもつようになる。

尚、Ｇａ合金としては上剥以外のＧａ合金を用いても同
様の効果が得られる。その−例を以下に示ず。

Ｇａｚａ　ｏ−ｘ　Ａｇｘ合金（２０≧Ｘ≧１）Ｇａ＋
ｏｏ−ｘ　Ｈｇｘ合金（２０≧Ｘ≧１）Ｇａ＋ｏｏ−ｘ
Ｉｎｘ合金（９９≧Ｘ≧１）Ｇａ＋ｏｏ−ｙ　Ｓｂｘ合
金（１０≧Ｘ≧１）Ｇａｚａ　Ｏ−ｘ　Ｓｎｙ合金（９
５≧Ｘ≧１）Ｇａｚａ　ｏ−ｘ　ＺｎＸ合金（５０≧Ｘ
≧１）Ｇａ＋ｏｏ−ｙ−ｙ　Ｚｎ）（Ｓｎｙ合金（３０
≧ｘ＋ｙ≧５）但しｘ＋ｙは原子％である。

発明の効果 本発明によれば、＾Ｌ　Ｈｇ＋　Ｉｎ、　Ｓｂ＋　Ｓｎ
、　Ｚｎの少なくとも１種を含むＧａ合金の下地層を介
して金属磁性層を形成することにより、金属磁性層が微
細化され高い抗磁力の磁気記録媒体が得られる。そして
、金属磁性１−が垂直蒸着で形成されるため、金属磁性
層のバッキングが密になり飽和磁束密度が大きくなる。

また斜め蒸着よりは効率のよい生産ができる。また磁気
的に面内等方性の磁性層であるためテープ、ディスク等
応用範囲が広い。

さらに、上記Ｇａ合金が低融点金属であり、膜形成時の
基体温度を低温として所望の磁気特性が得られるので、
非磁性基体として例えばポリエチレンテレフタレートフ
ィルムの如き耐熱性に劣るものを使用することができる
。このため、非磁性基体の材質の選択の自由度が増し、
極めて量産性に通ずるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に適用される蒸着装置の路線的構成図、
第２図及び第３図は夫々本発明の説明に供する特性図で
ある。 （１）は蒸着装置、（２）は非磁性基体、（５）はＧａ
合金の蒸着源、（６）は磁性金属の蒸着源である。 第１図 ） 第２図 ■ 第３図 基板シ孟度〔°Ｃ］

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性基体上に＾Ｌ　Ｈｇ＋　Ｉｎ、　ｓｂ、　Ｓｎ、
   　Ｚｎの少なくとも１種を含むＧａ合金と金属磁性層と
   が連続して被着形成されて成る磁気記録媒体。