JPS5837841A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS5837841A JPS5837841A JP13566481A JP13566481A JPS5837841A JP S5837841 A JPS5837841 A JP S5837841A JP 13566481 A JP13566481 A JP 13566481A JP 13566481 A JP13566481 A JP 13566481A JP S5837841 A JPS5837841 A JP S5837841A
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- JP
- Japan
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- film
- vapor
- magnetic recording
- ferromagnetic
- recording medium
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は強磁性金属薄膜を磁性層とする磁気テープ等の
磁気記録媒体の製造方法に関する。
磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来、磁気記録媒体としては、酸化鉄などの針状磁性粉
あるいは、強磁性合金の超微粉末を樹脂バインダー中に
分散し、これを非磁性基材上塗布した磁気記録媒体が、
広く用いられて−たＯ しかしながら、近年、惰輔の高密度記銀化の要請が、談
磁気記録媒体に対して強くなされ、菖々、改真がなされ
て會たが、上記従来の塗布騰磁気記録媒体では、用いる
強磁性粉末の粒径が記録の最小単位として限界があり、
それ以上に記餘書度を高めることが原理的に不可能であ
るため、Ｃの高貴度記録の要請に答え難かった。
あるいは、強磁性合金の超微粉末を樹脂バインダー中に
分散し、これを非磁性基材上塗布した磁気記録媒体が、
広く用いられて−たＯ しかしながら、近年、惰輔の高密度記銀化の要請が、談
磁気記録媒体に対して強くなされ、菖々、改真がなされ
て會たが、上記従来の塗布騰磁気記録媒体では、用いる
強磁性粉末の粒径が記録の最小単位として限界があり、
それ以上に記餘書度を高めることが原理的に不可能であ
るため、Ｃの高貴度記録の要請に答え難かった。
ξのため、最近、記Ｉｌ密度の飛畷的増大を目的に、―
麿バインダーを使用せず強磁性金属薄膜層を磁気記録層
とする磁気記録媒体が温式メッキ、真！！１Ｌスパッタ
リング、イオンブレーティング等の薄膜形ｊＩｌ法によ
り精力的に研究開発専れ一部実用に供されている。
麿バインダーを使用せず強磁性金属薄膜層を磁気記録層
とする磁気記録媒体が温式メッキ、真！！１Ｌスパッタ
リング、イオンブレーティング等の薄膜形ｊＩｌ法によ
り精力的に研究開発専れ一部実用に供されている。
特に真空度がＩＸＩＧ−’）−に以下の高真空中で行な
われるイオンブレーティング法によって形成され為磁気
記録媒体は、磁気性能が良好で、かつフィルム基材と磁
性層との密着強度が大であるため耐摩耗性に優れている
ので、磁気テープの如番磁気記録媒体の製造方法として
好運である。
われるイオンブレーティング法によって形成され為磁気
記録媒体は、磁気性能が良好で、かつフィルム基材と磁
性層との密着強度が大であるため耐摩耗性に優れている
ので、磁気テープの如番磁気記録媒体の製造方法として
好運である。
しかしこの方法の欠点は、長尺の高分子フイルムを基材
として連続して磁性層を形成する―、蒸着物の蒸発潜熱
、蒸発源からの輻射熱によるフィルムの昇温を防止する
等の目的で設けられた冷却ドラム若しくは冷却板に対し
てフィルムが静電吸着を生じ、フィルムテンションが過
大となり１シワの発生を招き、その結果、フィルムの変
形を起こすなどの四題点を有していた。
として連続して磁性層を形成する―、蒸着物の蒸発潜熱
、蒸発源からの輻射熱によるフィルムの昇温を防止する
等の目的で設けられた冷却ドラム若しくは冷却板に対し
てフィルムが静電吸着を生じ、フィルムテンションが過
大となり１シワの発生を招き、その結果、フィルムの変
形を起こすなどの四題点を有していた。
本発明は上記静電吸着現象を緩和させることによりフィ
ルムチンジョンを減少させシワの発生がなくフィルムの
変形を起仁さずに、長尺の高分子フィルム上に連続的に
磁性層をイオンプレーチイング法により形成し得る工業
的に優れた磁気記録媒体の製造方法を提供することを目
的としてなされたものである。すなわち本発明の要旨は
、真空容器内に於て、−画に予め非強磁性金属の蒸着層
が設けられた高分子材料からなる長尺フィルムを、該−
画が冷却ドラム若しくは冷却板に沿うように移動させな
がら、該長尺フィルムの他面に強磁性材料のイオンを含
む１１発蒸気を入射させて磁性層を形成する仁とを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法に存する。
ルムチンジョンを減少させシワの発生がなくフィルムの
変形を起仁さずに、長尺の高分子フィルム上に連続的に
磁性層をイオンプレーチイング法により形成し得る工業
的に優れた磁気記録媒体の製造方法を提供することを目
的としてなされたものである。すなわち本発明の要旨は
、真空容器内に於て、−画に予め非強磁性金属の蒸着層
が設けられた高分子材料からなる長尺フィルムを、該−
画が冷却ドラム若しくは冷却板に沿うように移動させな
がら、該長尺フィルムの他面に強磁性材料のイオンを含
む１１発蒸気を入射させて磁性層を形成する仁とを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法に存する。
本発明に於いて使用される長尺フィルムを形成するため
の高分子材料としては、ぼり塩化ビニル、４リフフ化ビ
ニル、酢酸セルロース、ｌリエチレンテレフタレート、
ぼりブテレンチレフタレート、プリエチレン、ぼりプロ
ピレン、Ｉリカーポネイトプリイミド、ぼりエーテ★す
に７オン、Ｉリパラバン酸等が挙げられる。
の高分子材料としては、ぼり塩化ビニル、４リフフ化ビ
ニル、酢酸セルロース、ｌリエチレンテレフタレート、
ぼりブテレンチレフタレート、プリエチレン、ぼりプロ
ピレン、Ｉリカーポネイトプリイミド、ぼりエーテ★す
に７オン、Ｉリパラバン酸等が挙げられる。
醸フィルムの厚みは、特にｔＳａされるものではないが
、４戸〜２０声の範−が好ましい。
、４戸〜２０声の範−が好ましい。
本発明において上記フィルムの一面に予め蒸着層れる金
属としては、Ｆ・、Ｃ・、Ｎ１等強磁性金属を診いた蒸
着可能な金属であればいずれでも良い。金属蒸着層の厚
みは、蒸着層の構造が連続構造化する１度厚み以上であ
れば良く、概して１０１１オングストローム以上受あれ
ば零発−の効果が発現する。
属としては、Ｆ・、Ｃ・、Ｎ１等強磁性金属を診いた蒸
着可能な金属であればいずれでも良い。金属蒸着層の厚
みは、蒸着層の構造が連続構造化する１度厚み以上であ
れば良く、概して１０１１オングストローム以上受あれ
ば零発−の効果が発現する。
又上記金属蒸着層を形成するには、真空蒸着法、スパッ
タリング法、グロー放電イオンブレーティング法、高真
空イオンブレーティング法、クラスターイオンビー五法
等の蒸着法が採用寝れ得る。
タリング法、グロー放電イオンブレーティング法、高真
空イオンブレーティング法、クラスターイオンビー五法
等の蒸着法が採用寝れ得る。
本発明においては、前記長尺フィルムの予め非強磁性金
属の蒸着層が設けられた面とは反対側の１ｉｒａ性層が
形成されるのであるが、ξの磁性層の形成には、真空容
器内に於て強磁性材料のイオンを含セ蒸発蒸気を入射さ
せて磁性１層を形成させる方法が採用される。そして、
とくにプラズマを用いずに蒸着を行う特＠１９１１５！
！−３０１０７号によって提案された高真空イオンブレ
ーティング法、すなわち、８Ｘ１Ｇ）−に以下の真空度
の高真空に排気された真空槽内に於て、開放型のルツボ
に強磁性金属材料を供給し、これを抵抗加熱、電子ビー
ム加熱、電子プンバード加鵬、■導加熱等の手段にで加
熱し、該金属材料を蒸気化せしめ、次いで、電子ｍａｉ
壕から放出される電子を電界加速し、上記蒸気粒子と衝
突さ曽ることによりこれをイオン化し、更に該イオン化
蒸気粒子を電界効果により加遣して１・マ〜ＩＯＫ・マ
の高エネルギーを付与して前記、基軸表面よに＠＊曽し
めて薄膜を形成する方法が好適に採用される。
属の蒸着層が設けられた面とは反対側の１ｉｒａ性層が
形成されるのであるが、ξの磁性層の形成には、真空容
器内に於て強磁性材料のイオンを含セ蒸発蒸気を入射さ
せて磁性１層を形成させる方法が採用される。そして、
とくにプラズマを用いずに蒸着を行う特＠１９１１５！
！−３０１０７号によって提案された高真空イオンブレ
ーティング法、すなわち、８Ｘ１Ｇ）−に以下の真空度
の高真空に排気された真空槽内に於て、開放型のルツボ
に強磁性金属材料を供給し、これを抵抗加熱、電子ビー
ム加熱、電子プンバード加鵬、■導加熱等の手段にで加
熱し、該金属材料を蒸気化せしめ、次いで、電子ｍａｉ
壕から放出される電子を電界加速し、上記蒸気粒子と衝
突さ曽ることによりこれをイオン化し、更に該イオン化
蒸気粒子を電界効果により加遣して１・マ〜ＩＯＫ・マ
の高エネルギーを付与して前記、基軸表面よに＠＊曽し
めて薄膜を形成する方法が好適に採用される。
又本発明に用いられる強磁゛性材料としては、鉄、ニッ
ケル、コバルトの重体金属や、鉄、ニッケル、コバルト
の群か６遍ばれた１１１以上の金属を食有す墨合金若し
くは混合物が挙げられる。そして、鉄の合金としては、
鉄とコバルト、ニッケル、マンガン、クロム、銅、金、
−チタン。
ケル、コバルトの重体金属や、鉄、ニッケル、コバルト
の群か６遍ばれた１１１以上の金属を食有す墨合金若し
くは混合物が挙げられる。そして、鉄の合金としては、
鉄とコバルト、ニッケル、マンガン、クロム、銅、金、
−チタン。
な−どの合金、コバｋ）の合金としては、コバルトとリ
ン、クロム、銅、ニッケル、マンガン、金、チタン、イ
ツトリウム、サマリウム、ビスマスなどとの合金、ニッ
ケルの合金としては、ニッケル、鍋、 ｉｉ＊％マンガ
ンなどとの合金が挙げられ、Ｘ上記、鉄、コバルト、ニ
ッケルと他の元素との一合物としては、骸他の元素がリ
ン、クーム、鍋、Ｗ論、金、チタン、イブシリウふ、サ
マリウム、ビスマスなどの１種以上であ纂諷会物が挙げ
られる。
ン、クロム、銅、ニッケル、マンガン、金、チタン、イ
ツトリウム、サマリウム、ビスマスなどとの合金、ニッ
ケルの合金としては、ニッケル、鍋、 ｉｉ＊％マンガ
ンなどとの合金が挙げられ、Ｘ上記、鉄、コバルト、ニ
ッケルと他の元素との一合物としては、骸他の元素がリ
ン、クーム、鍋、Ｗ論、金、チタン、イブシリウふ、サ
マリウム、ビスマスなどの１種以上であ纂諷会物が挙げ
られる。
以下本発＠に＊＠■画を参照して更に詳細に説−する・
第ｉｍｌは本発明の磁気記録媒体の製造方法に用いられ
る装置の一例を示す模ｌｌｉ図である。
る装置の一例を示す模ｌｌｉ図である。
真空槽１円は排気口２に連結される排気系装置（油−転
４ンブ、油拡散インブ等で構成部れているが図示されて
いない）によってＩＸＩＧ−トー★までの高真空寥ζ排
気する乙とがで壷るよ形成された高分子材料か−らなる
長尺フィルム４、その供給ローに５と巻番取りロール６
（但しローに１―装置は開示されていない）、金属ガイ
ドロール７．８及びイオン加連用電極兼フィルム冷却板
９が設置されている。そして、冷＃板９には熱交換を行
うために冷却媒体を通すパイプ１８が取外付けられてい
る。
４ンブ、油拡散インブ等で構成部れているが図示されて
いない）によってＩＸＩＧ−トー★までの高真空寥ζ排
気する乙とがで壷るよ形成された高分子材料か−らなる
長尺フィルム４、その供給ローに５と巻番取りロール６
（但しローに１―装置は開示されていない）、金属ガイ
ドロール７．８及びイオン加連用電極兼フィルム冷却板
９が設置されている。そして、冷＃板９には熱交換を行
うために冷却媒体を通すパイプ１８が取外付けられてい
る。
蒸着イオンＷＡ３はＥガン蒸発源１Ｇ、イオン化装置１
１によ艶構ｍネれている。Ｅプン藻発１１１０は１１０
’儒向Ｅガンｌｆ、水冷銅ハース１Ｂ、及び磁性層を形
成すべ番蒸発１材料１４とからなっている。（但し、電
圧等は■示されていない、） 蒸気イオン化装置１１は、熱電子放出用フィラメント１
５と放出された電子を電界加速するＩｌｌ電電１１ｉｔ
ｌ＠び電界制御のためのガード１７とによ伽構威参れて
いる。
１によ艶構ｍネれている。Ｅプン藻発１１１０は１１０
’儒向Ｅガンｌｆ、水冷銅ハース１Ｂ、及び磁性層を形
成すべ番蒸発１材料１４とからなっている。（但し、電
圧等は■示されていない、） 蒸気イオン化装置１１は、熱電子放出用フィラメント１
５と放出された電子を電界加速するＩｌｌ電電１１ｉｔ
ｌ＠び電界制御のためのガード１７とによ伽構威参れて
いる。
更に１１１１１に験いては、該蒸気イオン化装置ｌｌを
自作させるための電ｆｌｉ２０．２２及び発生したイオ
ンを電界加速魯苛纂ために冷却板９に負の直流電圧を印
加８ｆるための電Ｓ雪２とその一路が示専れている。
自作させるための電ｆｌｉ２０．２２及び発生したイオ
ンを電界加速魯苛纂ために冷却板９に負の直流電圧を印
加８ｆるための電Ｓ雪２とその一路が示専れている。
なお、上記電１１２ＧはフィラメントＩＳを加熱す番た
めの大協電源であり、電＠［１１は放出された電子を電
界加速するための負の直流電源である。
めの大協電源であり、電＠［１１は放出された電子を電
界加速するための負の直流電源である。
着によ秒形成された長尺フィルム４を、第１図に示され
る真空槽１内に、上記蒸着面が裏側になって該蒸着層が
イオン加速用電極兼フィルム冷却板會と接す番様に取り
付け、排気系装置を鍮動させ真空槽１円を８Ｘ１Ｇ）−
に以下の高真空度となし、Ｅガン蒸発源１０及び蒸気イ
オン化装置１１を作動婁曽て、長尺フィルム４を供給ロ
ール５、巻取りローに６の駆動により走行婁電ながら前
記冷却板９Ｆｃ負の直流電圧を印加させて長尺フィルム
４の表面に強磁性金属の蒸発粒子を入射させて磁性層を
形成することにより行うξとが出来る。
る真空槽１内に、上記蒸着面が裏側になって該蒸着層が
イオン加速用電極兼フィルム冷却板會と接す番様に取り
付け、排気系装置を鍮動させ真空槽１円を８Ｘ１Ｇ）−
に以下の高真空度となし、Ｅガン蒸発源１０及び蒸気イ
オン化装置１１を作動婁曽て、長尺フィルム４を供給ロ
ール５、巻取りローに６の駆動により走行婁電ながら前
記冷却板９Ｆｃ負の直流電圧を印加させて長尺フィルム
４の表面に強磁性金属の蒸発粒子を入射させて磁性層を
形成することにより行うξとが出来る。
一＠＄Ｃ，真空下での蒸着とくにイオンブレーティング
蒸着法にもとず（蒸着においては、蒸着時の温度上昇を
防止するためにフィルムを冷却するための冷却手毅及び
イオン化蒸発粒子を加速するための負の電圧に印加され
た加速電極板が必要となり、このためｔ１ｍｌＫ示され
る如きイオン加速用電極兼フィルム冷却板聾な０しは冷
却ドラムが採用されるのであるが、該冷却板書ないしは
ドラ五に走行中のフィルムが吸着されて走行が１１１ｍ
となったり吸着による応力を受けて変形する等のトラブ
ルが生じる。乙の原因は走行フィルムの摩擦や、イオン
化蒸発粒子の入射によるフィルム表面での正の電荷の蓄
積壷ζもとず（ものであると推寛されるのであるが、零
発−は上記の如ｈ＊行フィルムの吸着の間層を解消する
ことを目的としてなされたものであ抄、裏Ｉｉｋ予め非
強磁性金属の蒸着層を設けた長尺フイにムを採用するこ
とｋよって、上記間層を解消することが出来たのである
。この様に本発明方法によれば、走行中の長尺フィルム
が冷却板や冷却ドラムに吸着してフィルムの変形やνツ
の発生を生ずるという現象を崖しることなく、磁気記録
媒体の製造を行うことが出来るのである。
蒸着法にもとず（蒸着においては、蒸着時の温度上昇を
防止するためにフィルムを冷却するための冷却手毅及び
イオン化蒸発粒子を加速するための負の電圧に印加され
た加速電極板が必要となり、このためｔ１ｍｌＫ示され
る如きイオン加速用電極兼フィルム冷却板聾な０しは冷
却ドラムが採用されるのであるが、該冷却板書ないしは
ドラ五に走行中のフィルムが吸着されて走行が１１１ｍ
となったり吸着による応力を受けて変形する等のトラブ
ルが生じる。乙の原因は走行フィルムの摩擦や、イオン
化蒸発粒子の入射によるフィルム表面での正の電荷の蓄
積壷ζもとず（ものであると推寛されるのであるが、零
発−は上記の如ｈ＊行フィルムの吸着の間層を解消する
ことを目的としてなされたものであ抄、裏Ｉｉｋ予め非
強磁性金属の蒸着層を設けた長尺フイにムを採用するこ
とｋよって、上記間層を解消することが出来たのである
。この様に本発明方法によれば、走行中の長尺フィルム
が冷却板や冷却ドラムに吸着してフィルムの変形やνツ
の発生を生ずるという現象を崖しることなく、磁気記録
媒体の製造を行うことが出来るのである。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例１
先ず、厚さ１４声、幅１００霧のポリエチレンテレフタ
レートフィルムの片面疋常法に従って、１ｍ、銅又はク
ロムを厚さ約１０００オングストロームで真ｇＪ！墓着
したフィルムをそれぞれ用意した。
レートフィルムの片面疋常法に従って、１ｍ、銅又はク
ロムを厚さ約１０００オングストロームで真ｇＪ！墓着
したフィルムをそれぞれ用意した。
次に、１１１１１に示される装置を用い、上記蒸着フィ
ルムを同図に示される様にセットして、金属蒸着面が冷
却板９と接して走行する様にした。ＥガンＳ発ｇ１Ｇに
強磁性金属材料としてコバルト（純度９９．９９５１！
ｉ ”）を供給したのち、真空槽内をｌＸｌ０−’）−
ルになるまで減圧し、真空度が一定になったところで電
１［２０〜２雪を入れるとともにＥガン１２を動作させ
、蒸発源材料１４を加熱蒸発させ、蒸気イオン化装置１
１でＩＩＫ発粒子粒子オン化した。イオン七番れた蒸発
粒子はｌＫＶの負の直流電圧が印加された冷却板により
形成された電界で電界加速され、フィルム４へ中性蒸発
粒子とともに入射し％蒸着が開始された。
ルムを同図に示される様にセットして、金属蒸着面が冷
却板９と接して走行する様にした。ＥガンＳ発ｇ１Ｇに
強磁性金属材料としてコバルト（純度９９．９９５１！
ｉ ”）を供給したのち、真空槽内をｌＸｌ０−’）−
ルになるまで減圧し、真空度が一定になったところで電
１［２０〜２雪を入れるとともにＥガン１２を動作させ
、蒸発源材料１４を加熱蒸発させ、蒸気イオン化装置１
１でＩＩＫ発粒子粒子オン化した。イオン七番れた蒸発
粒子はｌＫＶの負の直流電圧が印加された冷却板により
形成された電界で電界加速され、フィルム４へ中性蒸発
粒子とともに入射し％蒸着が開始された。
このときの蒸着イオンｉＩ３の動作条件は次の通りであ
る。
る。
イオン化電子電流 ： ２００禦ム
電子加速電圧 ： ４００Ｖ
イオン化率 ： 約１０％
次いで蒸着イオン源３が衾定動作したところで、フィル
ムを５０■／分のスピードで走行さ電、このと番のフィ
ルムにかかる張力を巻き取りロール６に加わるトルクと
して計測するとと１に、フィルムに生しるシワを観測し
た。第１表にその結果を示す。
ムを５０■／分のスピードで走行さ電、このと番のフィ
ルムにかかる張力を巻き取りロール６に加わるトルクと
して計測するとと１に、フィルムに生しるシワを観測し
た。第１表にその結果を示す。
又、比較のために予めなんら蒸着を行わなかったフィル
ムにりいても上記と同様化してコバルトａ性層を形威さ
曾た。
ムにりいても上記と同様化してコバルトａ性層を形威さ
曾た。
ＩＩＩ 表
又、上記本ｉａ＠の実施例により得られたフィルムにつ
一１礎気特性を評価したところ、抗磁力＠Ｏ・エルステ
ツド、角形比ａ９ｓ％残雪磁束書度１鶴・Ｏ・ガウスの
優れた性能を示し、かつフィルム長尺方崗に特性変動の
少ない均質な磁気記録媒体であった。
一１礎気特性を評価したところ、抗磁力＠Ｏ・エルステ
ツド、角形比ａ９ｓ％残雪磁束書度１鶴・Ｏ・ガウスの
優れた性能を示し、かつフィルム長尺方崗に特性変動の
少ない均質な磁気記録媒体であった。
第１−は本ｌａ＠方注に用いられる装置の一例を示す模
１ｍ図である。 ｌ−・真空槽、２・・・排気口、３・・・蒸着イオン源
、４・・・長尺フィルム、５−・供給ロール、６・・・
巻ｉ取りロール、９−・・イオン加速用電極兼フィルム
冷却板、１０・・・ＥガンＳｔ発源、１１・・・イオン
化装置。 特許出願人 積水化学工業株式会社 代表者 藤 沼 基 利
１ｍ図である。 ｌ−・真空槽、２・・・排気口、３・・・蒸着イオン源
、４・・・長尺フィルム、５−・供給ロール、６・・・
巻ｉ取りロール、９−・・イオン加速用電極兼フィルム
冷却板、１０・・・ＥガンＳｔ発源、１１・・・イオン
化装置。 特許出願人 積水化学工業株式会社 代表者 藤 沼 基 利
Claims (1)
- Ｌ 真空容器内に於て、−画に予め非強磁性金属の蒸着
層が設けられた高分子材料からなる長尺フィルムを、該
−面が冷却ドラム若しくは冷却板に沿うように移動さ葉
ながら、該長尺フィルムの他面に強磁性材料のイオンを
含む５ｉｎｓ気を入射させて磁性層を形成することを特
徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13566481A JPS5837841A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13566481A JPS5837841A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837841A true JPS5837841A (ja) | 1983-03-05 |
| JPH0221051B2 JPH0221051B2 (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=15157047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13566481A Granted JPS5837841A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837841A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54140997A (en) * | 1978-04-25 | 1979-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic memory medium |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP13566481A patent/JPS5837841A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54140997A (en) * | 1978-04-25 | 1979-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic memory medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0221051B2 (ja) | 1990-05-11 |
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