JPH0121540B2 - - Google Patents
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- JPH0121540B2 JPH0121540B2 JP19415081A JP19415081A JPH0121540B2 JP H0121540 B2 JPH0121540 B2 JP H0121540B2 JP 19415081 A JP19415081 A JP 19415081A JP 19415081 A JP19415081 A JP 19415081A JP H0121540 B2 JPH0121540 B2 JP H0121540B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は強磁性金属薄膜蒸着層を有する磁気記
録媒体を製造する方法に関する。
録媒体を製造する方法に関する。
近年、記録密度の飛躍的増大を目的として、樹
脂バインダーを使用せずに非磁性基材上に磁気記
録層として強磁性金属薄膜を設けた、磁気テープ
等の磁気記録媒体を真空蒸着法、スパツタリング
法イオンプレーテイング法、クラスターイオンビ
ーム法等の薄膜形成法を用いて製造する方法が精
力的に研究開発され、一部は実用に供されてい
る。
脂バインダーを使用せずに非磁性基材上に磁気記
録層として強磁性金属薄膜を設けた、磁気テープ
等の磁気記録媒体を真空蒸着法、スパツタリング
法イオンプレーテイング法、クラスターイオンビ
ーム法等の薄膜形成法を用いて製造する方法が精
力的に研究開発され、一部は実用に供されてい
る。
特に、真空度が１×10-4トール以下の高真空中
で行なわれる、特願昭55−30807号によつて提案
されている様なイオンプレーテイング法によつて
形成される磁気記録媒体は磁気性能に優れ、かつ
基材との密着性がきわめて高く、磁性層の耐摩耗
性に優れるなど磁気テープの如き磁気記録媒体の
製造方法として好適であるが、該方法により工業
的規模で長尺の磁気記録媒体を製造するには以下
のような問題点があつた。即ち、上記方法にもと
づいて、高エネルギーのイオンを誘導体であるポ
リエチレンテレフタレートの如き高分子フイルム
の表面に連続して入射させて磁性層を形成させる
と、形成される磁性層に上記入射イオンに起因す
る電荷の蓄積が起り、フイルム冷却ドラム、冷却
板、加速電極等の金属体に対して、これに接触走
行するフイルム基材が静電吸着され、フイルムテ
ンシヨンが過大となる結果、該フイルム基材にシ
ワや該シワの発生に基づく熱変形を発生させた
り、はなはだしい場合はフイルム走行が困難にな
るなどの問題点を有していた。
で行なわれる、特願昭55−30807号によつて提案
されている様なイオンプレーテイング法によつて
形成される磁気記録媒体は磁気性能に優れ、かつ
基材との密着性がきわめて高く、磁性層の耐摩耗
性に優れるなど磁気テープの如き磁気記録媒体の
製造方法として好適であるが、該方法により工業
的規模で長尺の磁気記録媒体を製造するには以下
のような問題点があつた。即ち、上記方法にもと
づいて、高エネルギーのイオンを誘導体であるポ
リエチレンテレフタレートの如き高分子フイルム
の表面に連続して入射させて磁性層を形成させる
と、形成される磁性層に上記入射イオンに起因す
る電荷の蓄積が起り、フイルム冷却ドラム、冷却
板、加速電極等の金属体に対して、これに接触走
行するフイルム基材が静電吸着され、フイルムテ
ンシヨンが過大となる結果、該フイルム基材にシ
ワや該シワの発生に基づく熱変形を発生させた
り、はなはだしい場合はフイルム走行が困難にな
るなどの問題点を有していた。
本発明の上記の如き欠点を解消して、連続的に
安定して優れた性能の磁気記録媒体を製造するこ
との出来る方法を提供することを目的としてなさ
れたものであり、その要旨は、高真空中において
長尺の高分子フイルムを冷却基板の表面に接触さ
せて連続的に走行させながら高分子フイルム面上
に電界加速されたイオンを含む強磁性金属蒸発粒
子を入射させて磁性層を形成させて磁気記録媒体
を製造するに際し、イオンの電界加速のための加
速電極を前記冷却基板の背面に該冷却基板と絶縁
された状態で配置することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法に存する。
安定して優れた性能の磁気記録媒体を製造するこ
との出来る方法を提供することを目的としてなさ
れたものであり、その要旨は、高真空中において
長尺の高分子フイルムを冷却基板の表面に接触さ
せて連続的に走行させながら高分子フイルム面上
に電界加速されたイオンを含む強磁性金属蒸発粒
子を入射させて磁性層を形成させて磁気記録媒体
を製造するに際し、イオンの電界加速のための加
速電極を前記冷却基板の背面に該冷却基板と絶縁
された状態で配置することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法に存する。
本発明において使用される高分子フイルムと
は、ポリ塩化ビニル、ポリフツ化ビニル、酢酸セ
ルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリブ
チレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリカーボネイト、ポリイミド、ポリエ
ーテルサルフオン、ポリパラバン酸等の高分子材
料から製せられた長尺のフイルムであり、好適に
はポリエチレンテレフタレートのフイルムが用い
られる。
は、ポリ塩化ビニル、ポリフツ化ビニル、酢酸セ
ルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリブ
チレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリカーボネイト、ポリイミド、ポリエ
ーテルサルフオン、ポリパラバン酸等の高分子材
料から製せられた長尺のフイルムであり、好適に
はポリエチレンテレフタレートのフイルムが用い
られる。
又該高分子フイルムの厚みは特に制限されるも
のではないが3μ〜20μの範囲のものが好適に使用
される。
のではないが3μ〜20μの範囲のものが好適に使用
される。
本発明においては、高分子フイルム面上に強磁
性金属からなる磁性層を形成させる方法として、
高真空中において走行中の長尺高分子フイルムに
電界加速されたイオンを含む強磁性金属蒸発粒子
を入射させて磁性層を形成される方法が採用され
るのであり、例えば特願昭55−30807号で提案さ
れた様な８×10-4トール以下の真空度の高真空に
排気された真空槽内に於て、開放型のルツボに強
磁性金属材料を供給し、これを抵抗加熱、電子ビ
ーム加熱、電子ボンバード加熱、誘導加熱等の手
段にて加熱し、該金属材料を蒸気化せしめ、次い
で、電子放射源から放出される電子を電界加速
し、上記蒸気粒子と衝突させることによりこれを
一部イオン化し、更に該イオン化蒸気粒子を電界
効果により加速して1eV〜10KeVの高エネルギー
を付与して前記基材表面上に衝突せしめて薄膜を
形成する方法が好適に採用される。
性金属からなる磁性層を形成させる方法として、
高真空中において走行中の長尺高分子フイルムに
電界加速されたイオンを含む強磁性金属蒸発粒子
を入射させて磁性層を形成される方法が採用され
るのであり、例えば特願昭55−30807号で提案さ
れた様な８×10-4トール以下の真空度の高真空に
排気された真空槽内に於て、開放型のルツボに強
磁性金属材料を供給し、これを抵抗加熱、電子ビ
ーム加熱、電子ボンバード加熱、誘導加熱等の手
段にて加熱し、該金属材料を蒸気化せしめ、次い
で、電子放射源から放出される電子を電界加速
し、上記蒸気粒子と衝突させることによりこれを
一部イオン化し、更に該イオン化蒸気粒子を電界
効果により加速して1eV〜10KeVの高エネルギー
を付与して前記基材表面上に衝突せしめて薄膜を
形成する方法が好適に採用される。
以下図面を参照しながら本発明方法について説
明する。
明する。
第１図は本発明に用いられる装置の一例を示す
模式図である。
模式図である。
真空槽１内は排気口２に連結される排気系装置
（油回転ポンプ、油拡散ポンプ等で構成されてい
るが図示されていない）によつて１×10-7トール
までの高真空に排気することができるようになさ
れている。
（油回転ポンプ、油拡散ポンプ等で構成されてい
るが図示されていない）によつて１×10-7トール
までの高真空に排気することができるようになさ
れている。
真空槽１内には蒸着イオン源３、長尺の高分子
フイルム４、その供給ロール５と巻取りロール６
（但しロール駆動装置は図示されていない）、金属
ガイドロール７，８さらに冷却基板１０、該冷却
基板１０の背面に絶縁碍子１１を介して該基板１
０と絶縁された状態で配置された加速電極９が設
置されており、冷却基板１０には熱交換を行うた
めの冷却媒体を通すパイプ１２が取り付けられて
いる。そして該冷却基板１０は電気的に接地され
ておらず、装着中この接地されない状態に保たれ
ており、この様な状態に保つのが冷却基板１０と
走行するフイルム４との摺動抵抗をより低める点
からして好ましい。前記蒸着イオン源３はＥガン
蒸発源１３及び蒸気イオン化装置１４により構成
されており、そしてＥガン蒸発源１３は180゜偏向
ガン１５、水冷銅ハース１６及び鉄、コバルト等
の強磁性金属からなる蒸発源材料が入れららたル
ツボ１７から構成され、蒸気イオン化装置１４は
熱電子放出用フイラメント１８、放出された熱電
子を電界加速する網状電極１９及び電界制御のた
めのガード２０により構成されている。
フイルム４、その供給ロール５と巻取りロール６
（但しロール駆動装置は図示されていない）、金属
ガイドロール７，８さらに冷却基板１０、該冷却
基板１０の背面に絶縁碍子１１を介して該基板１
０と絶縁された状態で配置された加速電極９が設
置されており、冷却基板１０には熱交換を行うた
めの冷却媒体を通すパイプ１２が取り付けられて
いる。そして該冷却基板１０は電気的に接地され
ておらず、装着中この接地されない状態に保たれ
ており、この様な状態に保つのが冷却基板１０と
走行するフイルム４との摺動抵抗をより低める点
からして好ましい。前記蒸着イオン源３はＥガン
蒸発源１３及び蒸気イオン化装置１４により構成
されており、そしてＥガン蒸発源１３は180゜偏向
ガン１５、水冷銅ハース１６及び鉄、コバルト等
の強磁性金属からなる蒸発源材料が入れららたル
ツボ１７から構成され、蒸気イオン化装置１４は
熱電子放出用フイラメント１８、放出された熱電
子を電界加速する網状電極１９及び電界制御のた
めのガード２０により構成されている。
更に第１図に於いては蒸気イオン化装置１４を
動作させるための交流電源２１及び直流電源２
２、さらに加速電源９に負の直流電圧を印加させ
るための電源２３とその回路が示されている。
動作させるための交流電源２１及び直流電源２
２、さらに加速電源９に負の直流電圧を印加させ
るための電源２３とその回路が示されている。
次に上述の装置により本発明にもとづいて磁気
記録媒体の製造を行つた例について説明する。先
ず、例えば厚さ14μ、幅500mmのポリエチレンテ
レフタレートフイルムの如き高分子フイルムが巻
かれた供給ロール５から高分子フイルム４を引き
出して、第１図に示される様にガイドロール８、
冷却基板１０、ガイドロール７を経て巻取りロー
ル６に巻取られる様に配置し、次にＥガン蒸発源
１３のルツボ１７に例えばコバルト金属塊（純度
99.5％）100ｇからなる蒸発源材料を供給し、蒸
着イオン源３からの高分子フイルム４面へのイオ
ンビーム入射角度（フイルム面法線とのなす角）
が60゜以上となるように、金属ガイドロール７，
８及び冷却基板１０の配置調節を行なつた。
記録媒体の製造を行つた例について説明する。先
ず、例えば厚さ14μ、幅500mmのポリエチレンテ
レフタレートフイルムの如き高分子フイルムが巻
かれた供給ロール５から高分子フイルム４を引き
出して、第１図に示される様にガイドロール８、
冷却基板１０、ガイドロール７を経て巻取りロー
ル６に巻取られる様に配置し、次にＥガン蒸発源
１３のルツボ１７に例えばコバルト金属塊（純度
99.5％）100ｇからなる蒸発源材料を供給し、蒸
着イオン源３からの高分子フイルム４面へのイオ
ンビーム入射角度（フイルム面法線とのなす角）
が60゜以上となるように、金属ガイドロール７，
８及び冷却基板１０の配置調節を行なつた。
次いで真空槽１内を１×10-6トールまで排気し
た後、ロール駆動系（モーター、ギア等で構成さ
れているが図示されていない）を動作させて、フ
イルム送り速度が100cm／minとなるようにした。
このとき巻取りロール６にかかるトルクを計測す
ることで判明した冷却基板１０と高分子フイルム
４との摺動抵抗は約２Kgであつた。
た後、ロール駆動系（モーター、ギア等で構成さ
れているが図示されていない）を動作させて、フ
イルム送り速度が100cm／minとなるようにした。
このとき巻取りロール６にかかるトルクを計測す
ることで判明した冷却基板１０と高分子フイルム
４との摺動抵抗は約２Kgであつた。
次いで蒸着イオン源３を作動させ、Ｅガン蒸発
源１３で蒸発されたコバルト蒸発粒子に蒸気イオ
ン化装置において加速された熱電子を衝撃させて
イオン化することにより発生したコバルトイオン
及びコバルト中性蒸気からなるビームを高分子フ
イルム４面に入射させ、同時に加速電極９に電源
２３により−1000Vの直流電圧を印加して蒸着を
開始した。
源１３で蒸発されたコバルト蒸発粒子に蒸気イオ
ン化装置において加速された熱電子を衝撃させて
イオン化することにより発生したコバルトイオン
及びコバルト中性蒸気からなるビームを高分子フ
イルム４面に入射させ、同時に加速電極９に電源
２３により−1000Vの直流電圧を印加して蒸着を
開始した。
上記条件で蒸着中における高分子フイルム４の
摺動抵抗を測定したところ該抵抗は4.5Kgであり
安定しており、又、高分子フイルム４の熱変形や
シワの発生は認められなかつた。
摺動抵抗を測定したところ該抵抗は4.5Kgであり
安定しており、又、高分子フイルム４の熱変形や
シワの発生は認められなかつた。
なお、比較のために、冷却基板１０をイオン加
速用の電極として兼用し、これに−1000Vの直流
電圧を印加して加速電極９には直流電圧を印加し
なかつたこと以外は前記と同様にして高分子フイ
ルム４に蒸着を行なつたが、この時の摺動抵抗は
50Kg以上にも達し、フイルム４が破断するに至つ
た。
速用の電極として兼用し、これに−1000Vの直流
電圧を印加して加速電極９には直流電圧を印加し
なかつたこと以外は前記と同様にして高分子フイ
ルム４に蒸着を行なつたが、この時の摺動抵抗は
50Kg以上にも達し、フイルム４が破断するに至つ
た。
前記本発明方法により得られた磁気記録媒体は
磁気特性とくに抗磁力、残留磁束密度、角形比等
にすぐれており、さらに磁性層のフイルム基面と
の密着強度がすぐれ耐摩耗性のすぐれたものであ
つた。
磁気特性とくに抗磁力、残留磁束密度、角形比等
にすぐれており、さらに磁性層のフイルム基面と
の密着強度がすぐれ耐摩耗性のすぐれたものであ
つた。
本発明の磁気記録媒体の製造方法は上述の通り
の方法であるので、冷却基材とこれに接触して走
行する高分子フイルムとの間の摺動抵抗が大きく
なることを防止出来、すぐれた性能の磁気記録媒
体を連続して、安定した状態で製造することが出
来るのである。
の方法であるので、冷却基材とこれに接触して走
行する高分子フイルムとの間の摺動抵抗が大きく
なることを防止出来、すぐれた性能の磁気記録媒
体を連続して、安定した状態で製造することが出
来るのである。
第１図は本発明方法に用いられる装置の一例を
示す模式図である。 １……真空槽、２……排気口、３……蒸気イオ
ン源、４……高分子フイルム、５……供給ロー
ル、６……巻取ロール、９……加速電極、１０…
…冷却基板、１３……Ｅガン蒸発源、１４……蒸
気イオン化装置、１７……ルツボ、２１，２２，
２３……電源。
示す模式図である。 １……真空槽、２……排気口、３……蒸気イオ
ン源、４……高分子フイルム、５……供給ロー
ル、６……巻取ロール、９……加速電極、１０…
…冷却基板、１３……Ｅガン蒸発源、１４……蒸
気イオン化装置、１７……ルツボ、２１，２２，
２３……電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高真空中において長尺の高分子フイルムを冷
却基板の表面に接触させて連続的に走行させなが
ら高分子フイルム面上に電界加速されたイオンを
含む強磁性金属蒸発粒子を入射させて磁性層を形
成させて磁気記録媒体を製造するに際し、イオン
の電界加速のための加速電極を前記冷却基板の背
面に該冷却基板と絶縁された状態で配置すること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 ２ 冷却基板が接地されていない状態に保たれる
第１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19415081A JPS5897135A (ja) | 1981-12-01 | 1981-12-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19415081A JPS5897135A (ja) | 1981-12-01 | 1981-12-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897135A JPS5897135A (ja) | 1983-06-09 |
| JPH0121540B2 true JPH0121540B2 (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=16319743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19415081A Granted JPS5897135A (ja) | 1981-12-01 | 1981-12-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5897135A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6274633A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-06 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性熱可塑性樹脂長尺体の製造方法 |
-
1981
- 1981-12-01 JP JP19415081A patent/JPS5897135A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5897135A (ja) | 1983-06-09 |
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