JPS58115633A - 磁気記録媒体の製造装置 - Google Patents
磁気記録媒体の製造装置Info
- Publication number
- JPS58115633A JPS58115633A JP21256481A JP21256481A JPS58115633A JP S58115633 A JPS58115633 A JP S58115633A JP 21256481 A JP21256481 A JP 21256481A JP 21256481 A JP21256481 A JP 21256481A JP S58115633 A JPS58115633 A JP S58115633A
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- JP
- Japan
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- base material
- film base
- cooling
- film
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は強磁性壷Ｗ４薄膜１着層を有する磁気記録媒体
をＩｌ！造するための装置Ｋｍするものである。
をＩｌ！造するための装置Ｋｍするものである。
遅生、記録密度の飛躍約増大を目的として、樹脂バイン
ダーを使用せずに非磁性基材上Ｋｌｌｌ配気層として強
磁性金属薄膜を設けた、磁気テープ等の磁気記録媒体を
真！蒸着法、スパッタリング法イオンブレーティング法
、ククスターイオンビーム沫等の薄１ｍ形成法を用りて
製造する方法が精力的に研究開発され、−＊＃ｉ寮用に
供されている。
ダーを使用せずに非磁性基材上Ｋｌｌｌ配気層として強
磁性金属薄膜を設けた、磁気テープ等の磁気記録媒体を
真！蒸着法、スパッタリング法イオンブレーティング法
、ククスターイオンビーム沫等の薄１ｍ形成法を用りて
製造する方法が精力的に研究開発され、−＊＃ｉ寮用に
供されている。
特に、真空度がｌＸｌ０ ）−ル以下の高真空中で行
なわれる、特１に＠！５−３０１０７ｔＫｊりてｔｌｌ
されている様なイオンブレーティング沃によりて形成さ
れる磁気記に媒体は磁質性能に優れ、かつ基材との密着
性がきわめて高く、磁性層の耐摩耗性に優れるなど磁気
テープの如き磁気記録媒体の製造方法として好適である
が、該方法により工業的規模で長尺の磁気記録媒体を製
造するに＃′ｉ以下のような闘原点があった。
なわれる、特１に＠！５−３０１０７ｔＫｊりてｔｌｌ
されている様なイオンブレーティング沃によりて形成さ
れる磁気記に媒体は磁質性能に優れ、かつ基材との密着
性がきわめて高く、磁性層の耐摩耗性に優れるなど磁気
テープの如き磁気記録媒体の製造方法として好適である
が、該方法により工業的規模で長尺の磁気記録媒体を製
造するに＃′ｉ以下のような闘原点があった。
即ち、上記方法に４とづいて、高エネルギーの強磁性金
属イオンをポリエチレンテレフタレートの如き高分子フ
ィルムの表１ｉＫ連続して入射させて磁性層を彫ＷＬさ
せると、形成される磁性１ＩＩＫ上記入射イオンに起因
する電萄の蓄積が起動、フィルム冷却ドラムや冷却基板
、加速電極４１０金属体に対して、これに接触走行する
フィルム基材が静電吸着され、フィルムテンションが過
大となる結果、該フィルム基材にシソや該シソの発生に
基づく熱変形を発生させ九シ、は１に＃ｉだしい鳩舎Ｆ
ｉフィルム走行が困難になるなどの関厘点を有してい良
、。
属イオンをポリエチレンテレフタレートの如き高分子フ
ィルムの表１ｉＫ連続して入射させて磁性層を彫ＷＬさ
せると、形成される磁性１ＩＩＫ上記入射イオンに起因
する電萄の蓄積が起動、フィルム冷却ドラムや冷却基板
、加速電極４１０金属体に対して、これに接触走行する
フィルム基材が静電吸着され、フィルムテンションが過
大となる結果、該フィルム基材にシソや該シソの発生に
基づく熱変形を発生させ九シ、は１に＃ｉだしい鳩舎Ｆ
ｉフィルム走行が困難になるなどの関厘点を有してい良
、。
本発明は上記の如き欠点を解消して、連続的に安定して
優れた性能の磁気記録媒体を製造することの出来る装置
をｉＩ！供することを目的としてなされたものであり、
その要旨社、真空容器内に、長尺フィルム基材を始めは
上昇し次に下降するように導いて山形に走行させるため
のフィルム基材走行ｇｔｉｌｉ１１上丼及び下降して走
行するフィルム基材の裏面に接するように配置されえ冷
却基板、同じくフィルム基材の裏ＩＩＫ位置するように
設置された強磁性金属イオン加遮のえめの加速電極、冷
却基材の上昇して走行するフィルム基材に接する向と下
降して走行するフィルム基材に接する面との閏を区切る
ように配置されえ接地された金属板及び冷却基材の下方
に設置され九ｇｉｉ磁性表編イオンを発生させる丸めの
蒸着イオン源が設けられてなることを特徴とする磁気記
録媒体の製造装置に存する。
優れた性能の磁気記録媒体を製造することの出来る装置
をｉＩ！供することを目的としてなされたものであり、
その要旨社、真空容器内に、長尺フィルム基材を始めは
上昇し次に下降するように導いて山形に走行させるため
のフィルム基材走行ｇｔｉｌｉ１１上丼及び下降して走
行するフィルム基材の裏面に接するように配置されえ冷
却基板、同じくフィルム基材の裏ＩＩＫ位置するように
設置された強磁性金属イオン加遮のえめの加速電極、冷
却基材の上昇して走行するフィルム基材に接する向と下
降して走行するフィルム基材に接する面との閏を区切る
ように配置されえ接地された金属板及び冷却基材の下方
に設置され九ｇｉｉ磁性表編イオンを発生させる丸めの
蒸着イオン源が設けられてなることを特徴とする磁気記
録媒体の製造装置に存する。
本発明におけるフィルム基材とは、〆り塩化ビニル、ポ
リ７フ化ビニル、酢酸セルロース、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン
、ポリプロピレン、ポリカーボネイト、ポリイミド、ポ
リエーテルサルフオン、ボリノ鳴うバン酸簀の高分子材
料から製せられた長尺のフィルムであり、好適にはポリ
エチレンテレフタレートの７−イルムが用いられる。
リ７フ化ビニル、酢酸セルロース、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン
、ポリプロピレン、ポリカーボネイト、ポリイミド、ポ
リエーテルサルフオン、ボリノ鳴うバン酸簀の高分子材
料から製せられた長尺のフィルムであり、好適にはポリ
エチレンテレフタレートの７−イルムが用いられる。
又該フィルム基材の厚みは特に制限されるものでＦｉな
いが３〜２０ｐの範゛′囲のものが好適に使ｌ＠纒れる
。
いが３〜２０ｐの範゛′囲のものが好適に使ｌ＠纒れる
。
以下本発明装置について図面を参照しながら説明する。
４３１図は本発明装置の一例を示す模式図である。
真空側１内は排曳口２に連結される排気系装置（油回転
ポンプ、油拡欽ポンプ等で構成されているが図示されて
いない）ＫよってｌＸｌ０″トール好ましくはｌＸ１０
＝）−ル以下の高真空Ｋｉｔ気することができるように
なされている。
ポンプ、油拡欽ポンプ等で構成されているが図示されて
いない）ＫよってｌＸｌ０″トール好ましくはｌＸ１０
＝）−ル以下の高真空Ｋｉｔ気することができるように
なされている。
真空客ｓｌ内ＫＦｉ長尺フィルム基材４をＰｍＬ看取る
ためｆ）供給ロール５及び巻取りロール６（ただしロー
ル駆動装置ｌは図示されていない）、フィルム基材を始
めは上昇し次に下降するように導いて山形に走行させる
ためのガイドロール７．８．９が設置されておシ、これ
ら供給ロール５１場ＲＬシロール６及びガイドロール７
．８゜９によってフィルム基材４の走行装置が４１威さ
れている。
ためｆ）供給ロール５及び巻取りロール６（ただしロー
ル駆動装置ｌは図示されていない）、フィルム基材を始
めは上昇し次に下降するように導いて山形に走行させる
ためのガイドロール７．８．９が設置されておシ、これ
ら供給ロール５１場ＲＬシロール６及びガイドロール７
．８゜９によってフィルム基材４の走行装置が４１威さ
れている。
又、ガイドロール７．８間の上昇して走行するフィルム
基材４の裏肉反びガイドロール８，１間の下降して走行
するフィルム基材４の裏−に接する嫌に冷却基板１０及
び１０’が配置されており、１１．１１’は該冷却基板
１０．１’０’を冷却するための冷媒を通すためのパイ
プである。さらに１上記冷却基板１０．１０’の背後Ｋ
Ｖｉ強磁性金属イオンを加速させるための加速電極１２
．１！’が設けられている。そして本爽施例においては
該加速電極１１．１２’は、上記冷却基板１０，１＠’
と電気的に絶縁される欅に、絶縁碍子１３．１３’を介
して冷却基＆１０，１Ｇ’に取抄付社られてい０る。本
発ＩＰＩにおいては上記加速電極１２ 、１ ！’は走
行するフィルム基材４の裏面に位置する欅に配置すれば
よく、例えば上記冷却基１１０．１０’に加速電比を印
加して加速電極として着用させることも出来るが、本夾
施例の如く加速電極１２．１２’を冷却基板１０，１（
１’のＩＩ徐に電気的に絶縁して設けるのが、走行する
フィルム基材４の冷却基板１０．１０’との接触抵抗を
より減少させることが出来るりで好ましい。そして加速
電極１１１意’には電１１２８により負の電圧が印加さ
れるようＫｔされている。
基材４の裏肉反びガイドロール８，１間の下降して走行
するフィルム基材４の裏−に接する嫌に冷却基板１０及
び１０’が配置されており、１１．１１’は該冷却基板
１０．１’０’を冷却するための冷媒を通すためのパイ
プである。さらに１上記冷却基板１０．１０’の背後Ｋ
Ｖｉ強磁性金属イオンを加速させるための加速電極１２
．１！’が設けられている。そして本爽施例においては
該加速電極１１．１２’は、上記冷却基板１０，１＠’
と電気的に絶縁される欅に、絶縁碍子１３．１３’を介
して冷却基＆１０，１Ｇ’に取抄付社られてい０る。本
発ＩＰＩにおいては上記加速電極１２ 、１ ！’は走
行するフィルム基材４の裏面に位置する欅に配置すれば
よく、例えば上記冷却基１１０．１０’に加速電比を印
加して加速電極として着用させることも出来るが、本夾
施例の如く加速電極１２．１２’を冷却基板１０，１（
１’のＩＩ徐に電気的に絶縁して設けるのが、走行する
フィルム基材４の冷却基板１０．１０’との接触抵抗を
より減少させることが出来るりで好ましい。そして加速
電極１１１意’には電１１２８により負の電圧が印加さ
れるようＫｔされている。
図中１４は金属板であや、該金属板１４は前記冷却基板
１０及び１０’の互いに対峙、して設置されえフィルム
基材捺触向の岡を区切る嫌に配置されており、かつ接地
されている。そして歇表編板１４の素材としては導電性
のものであればそり種類＃ｉ特にＩＩ＠されない。又、
該金属板１４は上下方向に移動可能になされるのがよく
、そうすれば蒸着中に上下方向に少しずつ移動させるこ
とＫよって、蒸着時におけるフィルム基材４の冷却基板
１０．１０’との摩擦抵抗が最も小さくなる位置を見い
だし、そこに該金属板１４を一定することが出来る。
１０及び１０’の互いに対峙、して設置されえフィルム
基材捺触向の岡を区切る嫌に配置されており、かつ接地
されている。そして歇表編板１４の素材としては導電性
のものであればそり種類＃ｉ特にＩＩ＠されない。又、
該金属板１４は上下方向に移動可能になされるのがよく
、そうすれば蒸着中に上下方向に少しずつ移動させるこ
とＫよって、蒸着時におけるフィルム基材４の冷却基板
１０．１０’との摩擦抵抗が最も小さくなる位置を見い
だし、そこに該金属板１４を一定することが出来る。
前記冷却基板１０．１０’の下方には、蒸着イオン源１
が設置されており、該イオン源３よりイオン化され九強
磁性表編粒子を含む強磁性金属蒸発粒子が発生し、とく
にイオン９化粒子Ｆｉ前記加速電極１２．１２’によ抄
加速されて、走行しているフィルム基材４の表１ｉＫ入
射し、強磁性金属の蒸着−を形成する様＃′ｃなされて
いるのである。
が設置されており、該イオン源３よりイオン化され九強
磁性表編粒子を含む強磁性金属蒸発粒子が発生し、とく
にイオン９化粒子Ｆｉ前記加速電極１２．１２’によ抄
加速されて、走行しているフィルム基材４の表１ｉＫ入
射し、強磁性金属の蒸着−を形成する様＃′ｃなされて
いるのである。
蒸着イオンｔＩＡ３はＥガン蒸発源１５及び悪気イオン
化装置１６によシ構成されており、そしてＩガン菖発＆
１５ｉ！１８０′）偏向ガン１１、本◆銅ハース１８及
び鉄、コバルト等の強磁性金属からなる蒸発源材料が入
れられたルツボｌ・から構成され、蒸気イオン化装置１
６は熱電子款出用フイラメン）２Ｇ、放出された熱電子
を電界加速する網状電極２１及び電界制御の丸めのガー
ド２２により構成されている。
化装置１６によシ構成されており、そしてＩガン菖発＆
１５ｉ！１８０′）偏向ガン１１、本◆銅ハース１８及
び鉄、コバルト等の強磁性金属からなる蒸発源材料が入
れられたルツボｌ・から構成され、蒸気イオン化装置１
６は熱電子款出用フイラメン）２Ｇ、放出された熱電子
を電界加速する網状電極２１及び電界制御の丸めのガー
ド２２により構成されている。
更に第１図に於いては蒸気イオン化装置１・を動作させ
るための交流電ｔＩＡ２４及び直流電源鵞ｓとその回路
が示されてｈる。
るための交流電ｔＩＡ２４及び直流電源鵞ｓとその回路
が示されてｈる。
次に上述の装置によ）磁気記録媒体の製造を行った何に
ついて脱明する。
ついて脱明する。
先ず、例えば厚さ１４μ、幅５００ａｍのポリエチレン
テレフタレートフィルム０如きフィルム基材が巻かれた
供給ロール暴からフィルふ基材４を引き出して、第１１
１ＫｊされるＩＩＩＫガイドロール７、冷却基板１０．
ガイドロールＳ、冷却基板１０′、ガイド−一＃−を経
て看取抄ロール６に巻取られる樺ＫＦ！賦し、次に冠ガ
ン蒸脅１ｌｌｓのルツボ１ｅＫ例えばコノ（ル）ｍａｌ
ｌ（純度６１ｓ％）１・・ｆかもなる墓１１１４１材料
を供給し、蒸着イオン源３からのフィルム基材４貢への
イオン・！−五入射角度（フィルム画決線とのなす角）
が・・０以上となるように１金属ガイドロール１．＄、
・及び冷却基板ｌ・、１０′の配置調節を行なつ九。
テレフタレートフィルム０如きフィルム基材が巻かれた
供給ロール暴からフィルふ基材４を引き出して、第１１
１ＫｊされるＩＩＩＫガイドロール７、冷却基板１０．
ガイドロールＳ、冷却基板１０′、ガイド−一＃−を経
て看取抄ロール６に巻取られる樺ＫＦ！賦し、次に冠ガ
ン蒸脅１ｌｌｓのルツボ１ｅＫ例えばコノ（ル）ｍａｌ
ｌ（純度６１ｓ％）１・・ｆかもなる墓１１１４１材料
を供給し、蒸着イオン源３からのフィルム基材４貢への
イオン・！−五入射角度（フィルム画決線とのなす角）
が・・０以上となるように１金属ガイドロール１．＄、
・及び冷却基板ｌ・、１０′の配置調節を行なつ九。
又、金属板１４が冷却基板１０，１＠’の対崗面の岡に
、該冷却基板同志を仕切るようＫ１１ｌａ！ｌの如くに
配置され、かつ接地されていることを確藤した。
、該冷却基板同志を仕切るようＫ１１ｌａ！ｌの如くに
配置され、かつ接地されていることを確藤した。
次りで真空−！内を１Ｘ１Ｇ−６）−ルまて排気した徒
、フィルム基材走行装置を動作させて、フィルふ過少速
度が１ｏＯ信／−となるようｋした。このと自巻取にロ
ール６Ｋかかるトルクを計柵することでｖ４Ｉ用し要冷
却基板１０，１０’とフィルム基材４とのａｔ助抵抗は
約２〜でありえ。
、フィルム基材走行装置を動作させて、フィルふ過少速
度が１ｏＯ信／−となるようｋした。このと自巻取にロ
ール６Ｋかかるトルクを計柵することでｖ４Ｉ用し要冷
却基板１０，１０’とフィルム基材４とのａｔ助抵抗は
約２〜でありえ。
次いで１着イオン源３を作動させ、Ｅガン菖侮源１ｓで
蒸発させ友コバルト番発粒子に悪気イオン化装置五６に
おいて加速されｆｃ熱電子を衝撃させてイオン化するこ
とＫよね発生したコバルトイオン及びコバルト中性Ｘｇ
Ｌからなるビームをフィルム基材４向に入射させ、Ｈ時
に加速電極１２．１２’に電Ｍ！ＩＫ！リー１００ＧＶ
Ｏ直流電圧を印加して蒸着を開始した。
蒸発させ友コバルト番発粒子に悪気イオン化装置五６に
おいて加速されｆｃ熱電子を衝撃させてイオン化するこ
とＫよね発生したコバルトイオン及びコバルト中性Ｘｇ
Ｌからなるビームをフィルム基材４向に入射させ、Ｈ時
に加速電極１２．１２’に電Ｍ！ＩＫ！リー１００ＧＶ
Ｏ直流電圧を印加して蒸着を開始した。
上記条件で蒸着中におけるフィルム基材４の細動抵抗を
測定したところ該抵抗は約３＃であ伽安定しており、又
、フィルム基材４のａ変形中シソの発生は纒められなか
った。
測定したところ該抵抗は約３＃であ伽安定しており、又
、フィルム基材４のａ変形中シソの発生は纒められなか
った。
なお、比較のために、金属＆１４を取り診いえこと以外
は前記と同様にしてフィルム基材４に蒸着を行なり九が
、この時のＩＩ＃抵抗＃′ｉ７〜以上となり走行中のフ
ィルムにシワが発生するＯがｍａｔされ友。
は前記と同様にしてフィルム基材４に蒸着を行なり九が
、この時のＩＩ＃抵抗＃′ｉ７〜以上となり走行中のフ
ィルムにシワが発生するＯがｍａｔされ友。
この様に１壷属［１４０存在によりフィルム基材４の冷
＃基板１０．１０’との摩擦抵抗が、その理由は詳細に
は不明であるが、大中に絨少するのである。
＃基板１０．１０’との摩擦抵抗が、その理由は詳細に
は不明であるが、大中に絨少するのである。
上記により得られえ磁気記録媒体社磁諷特性とくに抗磁
力、残留磁束密度、角形比等にすぐれており、さらに磁
性層のフィルム基面との密着強度がすぐれ耐摩耗性のす
ぐれえものであり良。
力、残留磁束密度、角形比等にすぐれており、さらに磁
性層のフィルム基面との密着強度がすぐれ耐摩耗性のす
ぐれえものであり良。
本幾明磁気記録謀体の製造装置は上述の通シの構成の−
のであるので、本装置によれば冷却基材とこれに接触し
て走行するフィルム基材との岡の摺動抵抗が大きくなる
ことを防止出来、すぐれ丸性能の磁気記録媒体を連続し
て、安定しえ状籐て製造することが出来るのである。
のであるので、本装置によれば冷却基材とこれに接触し
て走行するフィルム基材との岡の摺動抵抗が大きくなる
ことを防止出来、すぐれ丸性能の磁気記録媒体を連続し
て、安定しえ状籐て製造することが出来るのである。
１１１図は本発明装置の一例を示す模式図である。
１・・真空＊Ｓ、Ｚ・・・排気口、３・・・蒸着イオン
源、４ ・フィルム基材、５・・・供給ロール、６・・
・巻取レロール、７，８．ＩＩ・・・ガイドロール、１
０゜１０’ 冷却基板、１２．１２’・・・加速電極
、１４・・・査Ｘ＆、ＩＩｓ・・露ガン蒸発源、１６・
・・蒸気イオン化装置、１９・・・ルツボ、２３，２４
．２６・・・電極特許出願９人 積水化学工業株式金社 代表者 藤 沼 基 利
源、４ ・フィルム基材、５・・・供給ロール、６・・
・巻取レロール、７，８．ＩＩ・・・ガイドロール、１
０゜１０’ 冷却基板、１２．１２’・・・加速電極
、１４・・・査Ｘ＆、ＩＩｓ・・露ガン蒸発源、１６・
・・蒸気イオン化装置、１９・・・ルツボ、２３，２４
．２６・・・電極特許出願９人 積水化学工業株式金社 代表者 藤 沼 基 利
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 真空客器内に、兼尺フィルム基材を始めは上昇し次
に下降するように導いて山形に走行させるためのフィル
ム基材走行装置、上昇及び下降して走行するフィルム基
材の裏１ｊｉＫ接するように配置され九冷却基板、−じ
くフィルム基材の裏崗に位置するように設置され九強磁
性表編イオン加速のえめの加速電極、冷却基材の上昇し
て走行するフィルム基材に接する面と下降して走行する
フィルム基材Ｋｍする内との崗を区切るように配置され
九振地された金属板及び冷却基材の下方に設置された強
磁性表編イオンを発生させる良めの蒸着イオン源が皺け
られてなることを特徴とするｉＩｌ気記録媒体の製造装
置。 １ 加速電極が冷却基板と電気的に絶縁されて該冷却基
板の背後に設置されている第１項記載の磁気記録媒体の
製造装置。 亀 壷ｍ＆が上下方崗に移動可能になされえものである
第１項又＃′ｉ第２項記叡の磁気記録媒体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21256481A JPS58115633A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21256481A JPS58115633A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58115633A true JPS58115633A (ja) | 1983-07-09 |
Family
ID=16624783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21256481A Pending JPS58115633A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58115633A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54140997A (en) * | 1978-04-25 | 1979-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic memory medium |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP21256481A patent/JPS58115633A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54140997A (en) * | 1978-04-25 | 1979-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic memory medium |
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