JPS6237453B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6237453B2 JPS6237453B2 JP55112203A JP11220380A JPS6237453B2 JP S6237453 B2 JPS6237453 B2 JP S6237453B2 JP 55112203 A JP55112203 A JP 55112203A JP 11220380 A JP11220380 A JP 11220380A JP S6237453 B2 JPS6237453 B2 JP S6237453B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thin film
- ferromagnetic metal
- metal
- ion beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 7
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FWNZSZOHNBCKGA-UHFFFAOYSA-N [P].[Bi].[Co] Chemical compound [P].[Bi].[Co] FWNZSZOHNBCKGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGOJDKCIHXGPTI-UHFFFAOYSA-N [P].[Co].[Ni] Chemical compound [P].[Co].[Ni] IGOJDKCIHXGPTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N chromium(6+) Chemical compound [Cr+6] JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910052571 earthenware Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は、強磁性金属薄膜層を磁気記録層とす
る磁気記録媒体の製造方法に関するものである。 従来、磁気記録媒体としては、酸化鉄、酸化ク
ロム等の針状磁性粉或いは、強磁性金属の超微粉
末を樹脂バインダー中に分散しこれを非磁性基材
上に塗布した磁気記録媒体が広く用いられてき
た。 しかし乍ら、近年、情報の高密度記録化の要請
が該磁気記録媒体に対しても強く、種々改良がな
されてきたが、上記の従来の塗布型の磁気記録媒
体では、用いている強磁性粉末の粒子の大きさが
記録要素の最小単位として限界を有しており、そ
れ以上に記録密度を高めることが原理的に不可能
であるため、この高密度記録の要請に答え得なか
つた。 この為、最近、記録密度の飛躍的増大を目的と
して、樹脂バインダーを使用せず強磁性金属薄膜
層を磁気記録層とする磁気記録媒体が湿式メツキ
法、真空蒸着法、スパツタリング法、イオンプレ
ーテイング法等の薄膜形成法を用いて精力的に研
究開発され一部は実用に供されている。 しかし乍ら、該強磁性金属薄膜層は通常の放置
状態にあつても、酸化され易く磁気性能が経時的
に劣化するという記録保存媒体としては致命的な
欠陥を有している。又、該表面を手指で触れただ
けでも該部分が急速に腐蝕したり、更には、記録
再生時においては、ヘツドとの接触走査により該
磁性層が剥離、摩滅、損傷、脱落等を生じ易いと
いう欠点があつた。 上記欠陥を改善する為、これまで該強磁性金属
薄膜の表面上に種々の保護層を設けることが提案
されている。例えば、溶液塗布法によつて高分子
被膜を形成したり、電解メツキ、無電解メツキ法
などの湿式メツキ法によつて金属被膜を形成した
り、クロム酸等の水溶液によるクロム酸処理によ
つて反応被膜を形成したり、或いは酸化雰囲気中
で記録媒体を高温加熱処理し強磁性金属薄膜の表
面上に酸化被膜を形成したりする等多くの方法が
提案されているが、未だに充分な保護層を得るに
到つておらず、又、その形成方法にも種々の解決
しなければならぬ問題点を多くかかえている。即
ち、塗布によつて高分子被膜を形成する方法では
塗布工程が必要であり、又、溶剤回収或いは、公
害防止のための大きな付帯設備を要し、更に充分
な耐腐触性を与えるには数ミクロン以上の膜厚を
要し、これが記録密度の低下を招くという欠点を
有していた。又、クロム酸処理によつて被膜を形
成する方法では、6価クロムの有毒性から排水処
理等に上記と同様の欠点を有する。湿式メツキ法
による耐蝕性金属被膜を形成する方法では得られ
る被膜の耐摩耗性が小さく容易に損傷を受ける。
真空蒸着法によつて上記耐蝕性金属被膜を形成す
る方法も試みられているが、耐摩耗性が充分でな
いという欠点を有している。更に酸化雰囲気中で
記録媒体を高温加熱処理して酸化被膜を形成する
方法では、基材がポリエチレンテレフタレート等
の高分子材料である記録媒体では、熱変形を生じ
るという欠点を有し、又、強磁性金属薄膜自体も
加熱処理により結晶構造等の変化を受け磁気特性
が変化を受ける等の欠点がある。本発明の目的
は、上記の従来の欠点を解消し耐摩耗性と耐腐蝕
性に優れた性能面でも優れた磁気記録媒体の製造
方法を提供することにあり、その要旨は非磁性材
料からなる基材面に蒸着形成された強磁性金属の
薄膜からなる磁性層の表面に、窒素又はアンモニ
アを反応性ガスとする反応性クラスターイオンビ
ーム法により上記強磁性金属の窒化薄膜層を設け
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法に存
する。 本発明に於て使用される基材は、非磁性材料か
らなるものであつて、その形状は磁気記録媒体の
使用方法によつて適宜定めれば良く、例えば、テ
ープ、フイルム、デイスク、ドラム等の形状が挙
げられる。 そして、上記非磁性材料としては、例えば、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフ
タレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
塩化ビニル、ポリフツ化ビニル、酢酸セルロー
ス、酢酸ブチルセルロース、ポリカーボネート、
ポリイミド、ポリエーテルサルホン、ポリバラバ
ン酸等の高分子材料、ガラス、磁器、陶器等のセ
ラミツク材料の他、アルミニウム、銅、銅−亜鉛
合金等の非磁性金属材料が挙げられる。又、強磁
性金属としては鉄やニツケルやこれらの金属を主
体とする合金、混合物等の金属材料の使用も可能
であるが、本発明においては該強磁性金属として
コバルトやコバルトを含有する合金や混合物を用
いるのが好ましく、上記コバルトを含有する合金
としてはコバルトと例えばリン、クロム、銅、
鉄、ニツケル、マンガン、金、イツトリウム、ビ
スマス、ランタン、ブラセオジム等との合金の
他、ニツケル−コバルト−リン合金、コバルト−
鉄−ニツケル合金、コバルト−ビスマス−リン合
金などが挙げられる。 本発明においては前記基材の表面に上記強磁性
金属の薄膜からなる磁性層が蒸着形成されたもの
が使用せられるが、該磁性層の蒸着形成にはクラ
スターイオンビーム蒸着法が採用されるのが基材
との密着強度、表面平滑度が高く、耐摩耗性、耐
ヘツドクラツシユ性にすぐれたものとなるので、
好適であり、その蒸着層の厚さは通常0.001〜0.5
ミクロン程度とするのが好ましい。なお、クラス
ターイオンビーム蒸着法とは、10-4トールから
10-10トールの高真空に排気された真空槽内に於
いて、強磁性体薄膜を形成し得る材料が供給され
た噴出孔を有する密閉型ルツボを加熱し、ルツボ
内蒸気圧を10-2トール以上として前記噴出孔から
該蒸気を噴出せしめることによつて、500個〜
2000個の該材料の原子から構成されるクラスター
を形成し、更に該クラスターを電子衝撃により電
離してクラスターイオンとし、該クラスターイオ
ンを電界効果により集中、加速して、数eV〜数
千eVの高エネルギーが付与されたクラスターイ
オンビームとなし、該クラスターイオンビームを
前記基材表面上に射突せしめることによつて薄膜
を形成する方法である。クラスターイオンビーム
蒸着法は、基材表面に射突される主として強磁性
金属原子からなるクラスターイオンが射突時のエ
ネルギーで個々の原子状粒子に分解して該表面上
を移動するマイグレーシヨン効果、又該表面に射
突したときのエネルギーの一部が熱エネルギーに
変換されて局部的に温度を上昇させるいわゆる蒸
着膜表面の自己加熱効果、及びイオンの存在によ
る化学的活性効果などによつて、薄膜が形成され
るため、結晶性の良好な磁性薄膜が得られるとと
もに、上記の効果により特に基材加熱という操作
を必要としないということで、ポリエチレンテレ
フタレートの如き低軟化温度の高分子材料を基材
として用いる磁気記録媒体に好適に適用ができる
のである。 次に本発明において採用される窒素又はアンモ
ニアを反応性ガスとする反応性クラスターイオン
ビーム法とは、上記クラスターイオンビーム蒸着
法における高真空の雰囲気に窒素又はアンモニア
を導入して圧力8×10-4トール以下の高真空に保
つてこれらのガスの共存下に上記と同様な方法で
クラスターイオンビームを基材面に射突させる方
法であり、この方法では窒素イオンが発生してこ
れがクラスターイオンと共に基材面に射突させら
れるので、金属イオンや窒素イオンの化学的活性
効果によつて金属窒化物の薄膜層が形成されるの
である。そして該窒化薄膜層の厚さは0.005〜0.2
ミクロンの範囲とするのが好ましい。 以下本発明方法について図面にもとずいて説明
する。第1図は本発明製造方法に使用される装置
の一例を示す模型図であり、真空槽1内の真空室
2は排気口3に連結される排気系装置(油回転ポ
ンプ、油拡散ポンプ等で構成されているが図示さ
れていない)によつて、8×10-4トールから1×
10-10トールまでの高真空に排気することができ
る様になされている。 真空室2内には、蒸着イオン源10、フイルム
状の基材5、その供給ロール6と巻取りロール7
(但しロール駆動装置は図示されていない)、及び
イオン加速電極8が設置されている。 蒸気イオン源10は蒸気発生部9と蒸気イオン
化部4により構成されている。 そして蒸気発生部9は噴出孔20を有する密閉
型ルツボ11と熱電子放出用フイラメント12及
び電界制御のためのガード13とで構成され、
又、蒸気イオン化部4は熱電子放出用フイラメン
ト14、放出された電子を電界加速する網状電極
15及び電界制御のためのガード16とにより構
成されている。 又、17は窒素ボンベ18に接続された窒素ガ
ス導入管であり、該管17の管端は蒸着イオン源
10内に開口している。 更に第1図に於いては、本装置を動作させるた
めの真空槽1外に設置された電源21〜25とそ
の回路が示されている。 次に第1図に示される装置を用いて本発明方法
により磁気記録媒体を製造する場合には先ず、第
1図に示したように、ポリエチレンテレフタレー
トフイルムの如き非磁性基材5の巻かれた供給ロ
ール6を設置し、該基材5を巻取ロール7に巻き
取られるように配置する。 蒸気発生部9のルツボ11内に、強磁性体薄膜
を形成し得る材料19を供給し、該蒸気発生部9
を第1図の如く設置する。 次いで、排気口3から排気系装置によつて真空
室2を8×10-4トールから10-10トール(通常
は、10-5トールから10-6トール)の高真空に排気
するが、この時基材5の表面に存在する吸着物及
び供給ロール6中に巻き込まれている空気を脱気
するため巻き取り巻き戻しをする事が好ましい。
真空室2の真空度が一定になつたところで、電源
21〜25を入れる。 ルツボ11を加熱するには、電源22によりフ
イラメント12を通電加熱して熱電子を放出さ
せ、かつ該フイラメント12及びガード13に電
源21により負の直流電圧を印加し、ルツボを接
地することにより該放出電子を電界加速させてル
ツボ11をボンバートすることで加熱する。 密閉型ルツボ内の蒸発源材料19は上記の方法
で加熱されルツボ内の金属蒸気圧が10-2トトール
〜数トールとなるようにし噴出孔20により高真
空領域にある真空室2内に金属蒸気を噴出せしめ
ると噴出口から噴出された原子状の金属蒸気は断
熱膨張により過冷却状態となり、金属原子のフア
ンデルワールスカによりゆるく結合して塊状粒子
集団、いわゆるクラスターを形成し蒸気イオン化
部4に達する。 蒸気イオン化部4にて該クラスターをイオン化
するには電源23によりフイラメント14を通電
加熱させて、熱電子を放出させ、かつ該フイラメ
ント14及びガード16に電源24により負の直
流電圧を印加し、網状電極15を接地することで
該放出電子を電界加速し、上記クラスターに衝突
させてこれをイオン化する。イオン化された金属
クラスターイオンは正の荷電状態にあるのでこれ
を電源25によりイオン加速電極8に、接地され
たルツボ11に対し負の直流電圧を印加すること
で、これを加速し、高運動エネルギーを付与す
る。かくして電界加速された金属クラスターイオ
ンは基材5表面に射突し、基材5の表面に強磁性
金属の薄膜からなる磁性層が蒸着形成されるので
ある。 本発明においては上記磁性層の上にすでに述べ
た反応性クラスターイオンビーム法により強磁性
金属の窒化薄膜層を蒸着形成させるのであるが、
該窒化薄膜層の形成は第1図に示される装置にお
いて、真空室2内を8×10-4よりも高度の真空に
保つた所に、バルブ調節により窒素ボンベ18よ
り導入管17を通じて窒素をその分圧が8×10-4
〜10-5トール程度となる様に導入し、この状態で
装置を前記と同様に動作させて、クラスターイオ
ン及び窒素イオンの発生並びに加速を行い、前記
磁性層が設けられた基材5の表面に射突させるこ
とにより行われる。なお上記において窒素の代り
にアンモニアを用いてもよい。 又、上記のクラスターイオンビーム蒸着法又は
反応性クラスターイオンビーム法の一方若しくは
両方において、加速された蒸発粒子イオンを基材
5の表面に対して斜めに入射せしめると、すなわ
ち該蒸発粒子イオンを基材の法線に対して角度を
有するようにとくに30゜以上の角度で入射せしめ
ると、形成される強磁性体薄膜は、特定方向に磁
気異方性を生じ磁気特性上好ましい結果を与える
ので本発明においてはこの様な斜め蒸着法を採用
するのが好ましい。 又、装置の作動条件としては蒸発粒子をイオン
化するための電子電流が30mA以上であることが
好ましく、又、イオン化蒸発粒子によるイオン電
流密度が1μA/cm2以上となるようにするのが好
ましい。 本発明磁気記録媒体の製造方法は上述の通りの
方法であり、とくに、非磁性材料からなる基材面
に蒸着形成された強磁性金属の薄膜磁性層の表面
に反応性クラスターイオンビーム法により強磁性
金属の窒化薄膜層を設けることを要件とするの
で、耐摩耗性と耐腐蝕性に優れ、磁気特性等の性
能面でもすぐれた磁気記録媒体を製造することが
出来るものである。 実施例 1 第1図に示した装置を使用し、密閉型ルツボ内
に、コバルト塊(純度99.99%)10gを供給し厚
さ15μのポリエチレンテレフタレートフイルムを
基材として、第1表に示す条件でクラスターイオ
ンビーム蒸着を行ない、厚さ0.2μの磁性薄膜層
を形成させた後、窒素供給装置から窒素を真空槽
内真空度が2×10-4トールとなるように導入し反
応性クラスターイオンビーム蒸着を行ない、厚さ
約0.05μの窒化物薄膜層を形成した。得られた磁
気記録媒体につき基材との密着強度をセロハンテ
ープによる剥離試験により調べたところ、磁性層
及び窒化物薄膜層の剥離は全く認められなかつ
た。 更に市販のオープンリール型のテープレコーダ
ーを用いて走行速度9.5cm/secの再生状態の使用
条件下でエンドレステープ状にした該磁気記録媒
体の磁性層摩耗試験を行つたところ、150回のヘ
ツド通過繰返し再生に於いても剥離脱落などは認
められず、又、肉眼でも明瞭な摩耗跡は認められ
なかつた。 尚、得られた磁気記録媒体の磁気特性を直流磁
化測定装置にて測定したところ残留磁束密度7800
ガウス、抗磁力450エルステツド、角形比0.85で
あつた。
る磁気記録媒体の製造方法に関するものである。 従来、磁気記録媒体としては、酸化鉄、酸化ク
ロム等の針状磁性粉或いは、強磁性金属の超微粉
末を樹脂バインダー中に分散しこれを非磁性基材
上に塗布した磁気記録媒体が広く用いられてき
た。 しかし乍ら、近年、情報の高密度記録化の要請
が該磁気記録媒体に対しても強く、種々改良がな
されてきたが、上記の従来の塗布型の磁気記録媒
体では、用いている強磁性粉末の粒子の大きさが
記録要素の最小単位として限界を有しており、そ
れ以上に記録密度を高めることが原理的に不可能
であるため、この高密度記録の要請に答え得なか
つた。 この為、最近、記録密度の飛躍的増大を目的と
して、樹脂バインダーを使用せず強磁性金属薄膜
層を磁気記録層とする磁気記録媒体が湿式メツキ
法、真空蒸着法、スパツタリング法、イオンプレ
ーテイング法等の薄膜形成法を用いて精力的に研
究開発され一部は実用に供されている。 しかし乍ら、該強磁性金属薄膜層は通常の放置
状態にあつても、酸化され易く磁気性能が経時的
に劣化するという記録保存媒体としては致命的な
欠陥を有している。又、該表面を手指で触れただ
けでも該部分が急速に腐蝕したり、更には、記録
再生時においては、ヘツドとの接触走査により該
磁性層が剥離、摩滅、損傷、脱落等を生じ易いと
いう欠点があつた。 上記欠陥を改善する為、これまで該強磁性金属
薄膜の表面上に種々の保護層を設けることが提案
されている。例えば、溶液塗布法によつて高分子
被膜を形成したり、電解メツキ、無電解メツキ法
などの湿式メツキ法によつて金属被膜を形成した
り、クロム酸等の水溶液によるクロム酸処理によ
つて反応被膜を形成したり、或いは酸化雰囲気中
で記録媒体を高温加熱処理し強磁性金属薄膜の表
面上に酸化被膜を形成したりする等多くの方法が
提案されているが、未だに充分な保護層を得るに
到つておらず、又、その形成方法にも種々の解決
しなければならぬ問題点を多くかかえている。即
ち、塗布によつて高分子被膜を形成する方法では
塗布工程が必要であり、又、溶剤回収或いは、公
害防止のための大きな付帯設備を要し、更に充分
な耐腐触性を与えるには数ミクロン以上の膜厚を
要し、これが記録密度の低下を招くという欠点を
有していた。又、クロム酸処理によつて被膜を形
成する方法では、6価クロムの有毒性から排水処
理等に上記と同様の欠点を有する。湿式メツキ法
による耐蝕性金属被膜を形成する方法では得られ
る被膜の耐摩耗性が小さく容易に損傷を受ける。
真空蒸着法によつて上記耐蝕性金属被膜を形成す
る方法も試みられているが、耐摩耗性が充分でな
いという欠点を有している。更に酸化雰囲気中で
記録媒体を高温加熱処理して酸化被膜を形成する
方法では、基材がポリエチレンテレフタレート等
の高分子材料である記録媒体では、熱変形を生じ
るという欠点を有し、又、強磁性金属薄膜自体も
加熱処理により結晶構造等の変化を受け磁気特性
が変化を受ける等の欠点がある。本発明の目的
は、上記の従来の欠点を解消し耐摩耗性と耐腐蝕
性に優れた性能面でも優れた磁気記録媒体の製造
方法を提供することにあり、その要旨は非磁性材
料からなる基材面に蒸着形成された強磁性金属の
薄膜からなる磁性層の表面に、窒素又はアンモニ
アを反応性ガスとする反応性クラスターイオンビ
ーム法により上記強磁性金属の窒化薄膜層を設け
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法に存
する。 本発明に於て使用される基材は、非磁性材料か
らなるものであつて、その形状は磁気記録媒体の
使用方法によつて適宜定めれば良く、例えば、テ
ープ、フイルム、デイスク、ドラム等の形状が挙
げられる。 そして、上記非磁性材料としては、例えば、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフ
タレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
塩化ビニル、ポリフツ化ビニル、酢酸セルロー
ス、酢酸ブチルセルロース、ポリカーボネート、
ポリイミド、ポリエーテルサルホン、ポリバラバ
ン酸等の高分子材料、ガラス、磁器、陶器等のセ
ラミツク材料の他、アルミニウム、銅、銅−亜鉛
合金等の非磁性金属材料が挙げられる。又、強磁
性金属としては鉄やニツケルやこれらの金属を主
体とする合金、混合物等の金属材料の使用も可能
であるが、本発明においては該強磁性金属として
コバルトやコバルトを含有する合金や混合物を用
いるのが好ましく、上記コバルトを含有する合金
としてはコバルトと例えばリン、クロム、銅、
鉄、ニツケル、マンガン、金、イツトリウム、ビ
スマス、ランタン、ブラセオジム等との合金の
他、ニツケル−コバルト−リン合金、コバルト−
鉄−ニツケル合金、コバルト−ビスマス−リン合
金などが挙げられる。 本発明においては前記基材の表面に上記強磁性
金属の薄膜からなる磁性層が蒸着形成されたもの
が使用せられるが、該磁性層の蒸着形成にはクラ
スターイオンビーム蒸着法が採用されるのが基材
との密着強度、表面平滑度が高く、耐摩耗性、耐
ヘツドクラツシユ性にすぐれたものとなるので、
好適であり、その蒸着層の厚さは通常0.001〜0.5
ミクロン程度とするのが好ましい。なお、クラス
ターイオンビーム蒸着法とは、10-4トールから
10-10トールの高真空に排気された真空槽内に於
いて、強磁性体薄膜を形成し得る材料が供給され
た噴出孔を有する密閉型ルツボを加熱し、ルツボ
内蒸気圧を10-2トール以上として前記噴出孔から
該蒸気を噴出せしめることによつて、500個〜
2000個の該材料の原子から構成されるクラスター
を形成し、更に該クラスターを電子衝撃により電
離してクラスターイオンとし、該クラスターイオ
ンを電界効果により集中、加速して、数eV〜数
千eVの高エネルギーが付与されたクラスターイ
オンビームとなし、該クラスターイオンビームを
前記基材表面上に射突せしめることによつて薄膜
を形成する方法である。クラスターイオンビーム
蒸着法は、基材表面に射突される主として強磁性
金属原子からなるクラスターイオンが射突時のエ
ネルギーで個々の原子状粒子に分解して該表面上
を移動するマイグレーシヨン効果、又該表面に射
突したときのエネルギーの一部が熱エネルギーに
変換されて局部的に温度を上昇させるいわゆる蒸
着膜表面の自己加熱効果、及びイオンの存在によ
る化学的活性効果などによつて、薄膜が形成され
るため、結晶性の良好な磁性薄膜が得られるとと
もに、上記の効果により特に基材加熱という操作
を必要としないということで、ポリエチレンテレ
フタレートの如き低軟化温度の高分子材料を基材
として用いる磁気記録媒体に好適に適用ができる
のである。 次に本発明において採用される窒素又はアンモ
ニアを反応性ガスとする反応性クラスターイオン
ビーム法とは、上記クラスターイオンビーム蒸着
法における高真空の雰囲気に窒素又はアンモニア
を導入して圧力8×10-4トール以下の高真空に保
つてこれらのガスの共存下に上記と同様な方法で
クラスターイオンビームを基材面に射突させる方
法であり、この方法では窒素イオンが発生してこ
れがクラスターイオンと共に基材面に射突させら
れるので、金属イオンや窒素イオンの化学的活性
効果によつて金属窒化物の薄膜層が形成されるの
である。そして該窒化薄膜層の厚さは0.005〜0.2
ミクロンの範囲とするのが好ましい。 以下本発明方法について図面にもとずいて説明
する。第1図は本発明製造方法に使用される装置
の一例を示す模型図であり、真空槽1内の真空室
2は排気口3に連結される排気系装置(油回転ポ
ンプ、油拡散ポンプ等で構成されているが図示さ
れていない)によつて、8×10-4トールから1×
10-10トールまでの高真空に排気することができ
る様になされている。 真空室2内には、蒸着イオン源10、フイルム
状の基材5、その供給ロール6と巻取りロール7
(但しロール駆動装置は図示されていない)、及び
イオン加速電極8が設置されている。 蒸気イオン源10は蒸気発生部9と蒸気イオン
化部4により構成されている。 そして蒸気発生部9は噴出孔20を有する密閉
型ルツボ11と熱電子放出用フイラメント12及
び電界制御のためのガード13とで構成され、
又、蒸気イオン化部4は熱電子放出用フイラメン
ト14、放出された電子を電界加速する網状電極
15及び電界制御のためのガード16とにより構
成されている。 又、17は窒素ボンベ18に接続された窒素ガ
ス導入管であり、該管17の管端は蒸着イオン源
10内に開口している。 更に第1図に於いては、本装置を動作させるた
めの真空槽1外に設置された電源21〜25とそ
の回路が示されている。 次に第1図に示される装置を用いて本発明方法
により磁気記録媒体を製造する場合には先ず、第
1図に示したように、ポリエチレンテレフタレー
トフイルムの如き非磁性基材5の巻かれた供給ロ
ール6を設置し、該基材5を巻取ロール7に巻き
取られるように配置する。 蒸気発生部9のルツボ11内に、強磁性体薄膜
を形成し得る材料19を供給し、該蒸気発生部9
を第1図の如く設置する。 次いで、排気口3から排気系装置によつて真空
室2を8×10-4トールから10-10トール(通常
は、10-5トールから10-6トール)の高真空に排気
するが、この時基材5の表面に存在する吸着物及
び供給ロール6中に巻き込まれている空気を脱気
するため巻き取り巻き戻しをする事が好ましい。
真空室2の真空度が一定になつたところで、電源
21〜25を入れる。 ルツボ11を加熱するには、電源22によりフ
イラメント12を通電加熱して熱電子を放出さ
せ、かつ該フイラメント12及びガード13に電
源21により負の直流電圧を印加し、ルツボを接
地することにより該放出電子を電界加速させてル
ツボ11をボンバートすることで加熱する。 密閉型ルツボ内の蒸発源材料19は上記の方法
で加熱されルツボ内の金属蒸気圧が10-2トトール
〜数トールとなるようにし噴出孔20により高真
空領域にある真空室2内に金属蒸気を噴出せしめ
ると噴出口から噴出された原子状の金属蒸気は断
熱膨張により過冷却状態となり、金属原子のフア
ンデルワールスカによりゆるく結合して塊状粒子
集団、いわゆるクラスターを形成し蒸気イオン化
部4に達する。 蒸気イオン化部4にて該クラスターをイオン化
するには電源23によりフイラメント14を通電
加熱させて、熱電子を放出させ、かつ該フイラメ
ント14及びガード16に電源24により負の直
流電圧を印加し、網状電極15を接地することで
該放出電子を電界加速し、上記クラスターに衝突
させてこれをイオン化する。イオン化された金属
クラスターイオンは正の荷電状態にあるのでこれ
を電源25によりイオン加速電極8に、接地され
たルツボ11に対し負の直流電圧を印加すること
で、これを加速し、高運動エネルギーを付与す
る。かくして電界加速された金属クラスターイオ
ンは基材5表面に射突し、基材5の表面に強磁性
金属の薄膜からなる磁性層が蒸着形成されるので
ある。 本発明においては上記磁性層の上にすでに述べ
た反応性クラスターイオンビーム法により強磁性
金属の窒化薄膜層を蒸着形成させるのであるが、
該窒化薄膜層の形成は第1図に示される装置にお
いて、真空室2内を8×10-4よりも高度の真空に
保つた所に、バルブ調節により窒素ボンベ18よ
り導入管17を通じて窒素をその分圧が8×10-4
〜10-5トール程度となる様に導入し、この状態で
装置を前記と同様に動作させて、クラスターイオ
ン及び窒素イオンの発生並びに加速を行い、前記
磁性層が設けられた基材5の表面に射突させるこ
とにより行われる。なお上記において窒素の代り
にアンモニアを用いてもよい。 又、上記のクラスターイオンビーム蒸着法又は
反応性クラスターイオンビーム法の一方若しくは
両方において、加速された蒸発粒子イオンを基材
5の表面に対して斜めに入射せしめると、すなわ
ち該蒸発粒子イオンを基材の法線に対して角度を
有するようにとくに30゜以上の角度で入射せしめ
ると、形成される強磁性体薄膜は、特定方向に磁
気異方性を生じ磁気特性上好ましい結果を与える
ので本発明においてはこの様な斜め蒸着法を採用
するのが好ましい。 又、装置の作動条件としては蒸発粒子をイオン
化するための電子電流が30mA以上であることが
好ましく、又、イオン化蒸発粒子によるイオン電
流密度が1μA/cm2以上となるようにするのが好
ましい。 本発明磁気記録媒体の製造方法は上述の通りの
方法であり、とくに、非磁性材料からなる基材面
に蒸着形成された強磁性金属の薄膜磁性層の表面
に反応性クラスターイオンビーム法により強磁性
金属の窒化薄膜層を設けることを要件とするの
で、耐摩耗性と耐腐蝕性に優れ、磁気特性等の性
能面でもすぐれた磁気記録媒体を製造することが
出来るものである。 実施例 1 第1図に示した装置を使用し、密閉型ルツボ内
に、コバルト塊(純度99.99%)10gを供給し厚
さ15μのポリエチレンテレフタレートフイルムを
基材として、第1表に示す条件でクラスターイオ
ンビーム蒸着を行ない、厚さ0.2μの磁性薄膜層
を形成させた後、窒素供給装置から窒素を真空槽
内真空度が2×10-4トールとなるように導入し反
応性クラスターイオンビーム蒸着を行ない、厚さ
約0.05μの窒化物薄膜層を形成した。得られた磁
気記録媒体につき基材との密着強度をセロハンテ
ープによる剥離試験により調べたところ、磁性層
及び窒化物薄膜層の剥離は全く認められなかつ
た。 更に市販のオープンリール型のテープレコーダ
ーを用いて走行速度9.5cm/secの再生状態の使用
条件下でエンドレステープ状にした該磁気記録媒
体の磁性層摩耗試験を行つたところ、150回のヘ
ツド通過繰返し再生に於いても剥離脱落などは認
められず、又、肉眼でも明瞭な摩耗跡は認められ
なかつた。 尚、得られた磁気記録媒体の磁気特性を直流磁
化測定装置にて測定したところ残留磁束密度7800
ガウス、抗磁力450エルステツド、角形比0.85で
あつた。
【表】
実施例 2
実施例1により得られた磁気記録媒体につい
て、50℃、90%相対湿度の環境に100時間保持す
ることによる耐腐蝕試験を行なつた所、表面上の
変化は認められなかつた。又同じく実施例1で得
られた磁気記録媒体について水中に24時間浸漬に
よる耐腐蝕試験を行なつたが表面変化は認められ
なかつた。又、磁気特性についての結果は第2表
のとおりであつた。
て、50℃、90%相対湿度の環境に100時間保持す
ることによる耐腐蝕試験を行なつた所、表面上の
変化は認められなかつた。又同じく実施例1で得
られた磁気記録媒体について水中に24時間浸漬に
よる耐腐蝕試験を行なつたが表面変化は認められ
なかつた。又、磁気特性についての結果は第2表
のとおりであつた。
第1図は本発明に使用される装置の一例を示す
模型図である。 2……真空室、3……排気口、4……蒸気イオ
ン化部、5……基材、6,7……ロール、8……
イオン加速電極、9……蒸気発生部、10……蒸
着イオン源、11……密閉型ルツボ、20……噴
出孔、12,14……熱電子放出用フイラメン
ト、13,16……ガード、15……網状電極、
17……窒素ガス導入管、18……窒素ボンベ、
21〜25……電源。
模型図である。 2……真空室、3……排気口、4……蒸気イオ
ン化部、5……基材、6,7……ロール、8……
イオン加速電極、9……蒸気発生部、10……蒸
着イオン源、11……密閉型ルツボ、20……噴
出孔、12,14……熱電子放出用フイラメン
ト、13,16……ガード、15……網状電極、
17……窒素ガス導入管、18……窒素ボンベ、
21〜25……電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 非磁性材料からなる基材面に蒸着形成された
強磁性金属の薄膜からなる磁性層の表面に、窒素
又はアンモニアを反応性ガスとする反応性クラス
ターイオンビーム法により上記強磁性金属の窒化
薄膜層を設けることを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。 2 強磁性金属の薄膜からなる磁性層がクラスタ
ーイオンビーム法により形成されたものである第
1項記載の製造方法。 3 強磁性金属がコバルトないしはコバルトを含
有する金属材料である第1項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11220380A JPS5736436A (en) | 1980-08-14 | 1980-08-14 | Production of magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11220380A JPS5736436A (en) | 1980-08-14 | 1980-08-14 | Production of magnetic recording medium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5736436A JPS5736436A (en) | 1982-02-27 |
JPS6237453B2 true JPS6237453B2 (ja) | 1987-08-12 |
Family
ID=14580831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11220380A Granted JPS5736436A (en) | 1980-08-14 | 1980-08-14 | Production of magnetic recording medium |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5736436A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58167602A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-03 | Futaba Corp | 有機物薄膜の形成方法 |
JPH061541B2 (ja) * | 1984-08-24 | 1994-01-05 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
JP2524410B2 (ja) * | 1989-08-19 | 1996-08-14 | シーケーディ株式会社 | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5313472A (en) * | 1976-07-22 | 1978-02-07 | Citizen Watch Co Ltd | Electronic timepiece |
JPS5351702A (en) * | 1976-10-21 | 1978-05-11 | Fujitsu Ltd | Magnetic recording medium and preparation thereof |
-
1980
- 1980-08-14 JP JP11220380A patent/JPS5736436A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5313472A (en) * | 1976-07-22 | 1978-02-07 | Citizen Watch Co Ltd | Electronic timepiece |
JPS5351702A (en) * | 1976-10-21 | 1978-05-11 | Fujitsu Ltd | Magnetic recording medium and preparation thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5736436A (en) | 1982-02-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4382110A (en) | Magnetic recording medium | |
US4673610A (en) | Magnetic recording medium having iron nitride recording layer | |
JPH0318254B2 (ja) | ||
EP0035894B1 (en) | Process for producing a magnetic recording medium | |
JPS5812728B2 (ja) | ジキキロクバイタイノ セイホウ | |
JPS6237453B2 (ja) | ||
JPH0318253B2 (ja) | ||
JPH0120490B2 (ja) | ||
JPS6037525B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP2548233B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
EP0190854A2 (en) | Method for producing a perpendicular magnetic recording medium | |
JPS6019047B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS6131529B2 (ja) | ||
JP2883334B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS5857631A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS6326460B2 (ja) | ||
JPS6037526B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS5860428A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH11161947A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH0120495B2 (ja) | ||
JPH0451888B2 (ja) | ||
JP2004055114A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JPS6236285B2 (ja) | ||
JPS62146435A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH061541B2 (ja) | 磁気記録媒体 |