JPH1091958A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体の製造方法

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JPH1091958A
JPH1091958A JP24759096A JP24759096A JPH1091958A JP H1091958 A JPH1091958 A JP H1091958A JP 24759096 A JP24759096 A JP 24759096A JP 24759096 A JP24759096 A JP 24759096A JP H1091958 A JPH1091958 A JP H1091958A
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magnetic
evaporated
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JP24759096A
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Inventor
Katsumi Sasaki
克己 佐々木
Noriyuki Kitaori
典之 北折
Osamu Yoshida
修 吉田
Katsumi Endo
克巳 遠藤
Akira Shiga
章 志賀
Takeshi Miyamura
猛史 宮村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kao Corp
Original Assignee
Kao Corp
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 支持体の厚さが薄い場合においても均一な磁
性膜が得られ、記録・再生特性に優れた磁気記録媒体を
提供することである。 【解決手段】 磁性材料源8に電子ビームを照射し、蒸
発した粒子を走行する支持体1上に斜め蒸着させること
により磁性膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であっ
て、支持体は、厚さが2〜6μm、表面粗さRaが0.
5〜3nm、Rzが3〜40nm、蒸発粒子が支持体上
に蒸着する時の最小入射角は50〜70°であり、電子
ビームが照射された地点である輝点とその真上の支持体
との間には遮蔽物がなく、輝点から垂直上方に蒸発した
蒸発粒子は支持体上に斜め蒸着し、最小入射角を設定す
る為に設けられた遮蔽板の先端部の水平方向高さと輝点
との間の垂直方向の距離Xと遮蔽板の先端部の水平方向
高さと支持体との間の垂直方向の距離Yとが10≦X/
Y≦50を満たす。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、斜め蒸着により磁
性膜を形成する磁気記録媒体の製造方法に関する。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】磁性膜を斜め蒸着によ
り形成する金属薄膜型の磁気記録媒体の製造方法が、広
く知られている。しかし、これまでに知られている製造
方法で満足できるものではない。例えば、磁性膜の形成
に際して支持体に散乱電子がチャージし、支持体の走行
性が低下して、磁性膜が良好に形成されなかったりす
る。又、支持体が熱負けして歪み、良好な製品が得られ
なかったりする。更には、支持体の長手方向における磁
性膜の均一性にも問題が有る。
【0003】特に、支持体の厚さが2〜6μmのように
薄くなって来ると、電子ビームの拡散や蒸発源からの輻
射熱による熱負けの影響が極めて大きい。かつ、支持体
への散乱電子のチャージによる走行性の低下に対する策
としてテンションを高めることが行われているものの、
支持体の厚さが薄くなって来ると、高テンションによる
歪みが大きくなる。このようなことに起因して、支持体
の厚さが薄くなって来ると、支持体の長手方向における
形成された磁性膜の均一性に大きな問題が有ることが判
って来た。
【0004】従って、本発明が解決しようとする課題
は、支持体の厚さが薄い場合においても均一な磁性膜が
得られる磁気記録媒体の製造方法を提供することであ
る。又、本発明が解決しようとする他の課題は、記録・
再生特性に優れた磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とである。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記本発明の課題は、磁
性材料源に電子ビームを照射し、蒸発した粒子を走行す
る支持体上に斜め蒸着させることにより磁性膜を形成す
る磁気記録媒体の製造方法であって、前記支持体は、そ
の厚さが2〜6μmで、かつ、その表面粗さRaが0.
5〜3nm、Rzが3〜40nmであり、前記蒸発粒子
が支持体上に蒸着する時の最小入射角θは50〜70°
であり、かつ、電子ビームが照射された地点である輝点
と該輝点の真上の支持体との間には遮蔽物がなく、該輝
点から垂直上方に蒸発した蒸発粒子は支持体上に斜め蒸
着し、更に、前記輝点から垂直上方に蒸発し、支持体に
蒸着した蒸着粒子の飛行経路において、前記最小入射角
θを設定する為に設けられた遮蔽板の先端部の水平方向
高さと前記輝点との間の垂直方向の距離Xと前記遮蔽板
の先端部の水平方向高さと前記支持体との間の垂直方向
の距離Yとが下記の式(1)を満たすことを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法によって解決される。
【0006】特に、供給側ロールから巻取側ロールに走
行し、その走行途中において冷却キャンロールに添接さ
れた支持体に、電子ビームの照射による蒸発磁性粒子が
真空雰囲気下で斜め蒸着することにより磁性膜が形成さ
れ、かつ、前記磁性膜の形成に際して酸素ガスが供給さ
れる磁気記録媒体の製造方法であって、前記支持体は、
その厚さが2〜6μmで、かつ、その表面粗さRaが
0.5〜3nm、Rzが3〜40nmであり、前記酸素
ガスの供給方向と支持体の走行方向とが逆方向であり、
前記蒸発粒子が支持体上に蒸着する時の最小入射角θは
50〜70°であり、かつ、電子ビームが照射された地
点である輝点と該輝点の真上の支持体との間には遮蔽物
がなく、該輝点から垂直上方に蒸発した蒸発粒子は支持
体上に斜め蒸着し、更に、前記輝点から垂直上方に蒸発
し、支持体に蒸着した蒸着粒子の飛行経路において、前
記最小入射角θを設定する為に設けられた遮蔽板の先端
部の水平方向高さと前記輝点との間の垂直方向の距離X
と前記遮蔽板の先端部の水平方向高さと前記支持体との
間の垂直方向の距離Yとが下記の式(1)を満たすこと
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法によって解決され
る。
【0007】式(1) 10≦X/Y≦50 尚、Yは0.5〜5cmに設定されているのが好まし
い。すなわち、上記のように構成させていると、特に最
小入射角θを50〜70°とし、かつ、輝点から真上
(鉛直上方)に蒸発した粒子が支持体上に付着するよう
にしたので、蒸発粒子の中で一番高いエネルギーを持つ
粒子を効果的に利用できる。従って、粒子の充填密度が
一層高まり、パッキング密度が一層高まることから、よ
り高い飽和磁束密度のものが得られる。すなわち、より
高い出力のものが得られる。
【0008】更に、磁性粒子の蒸発量は輝点から鉛直線
を基準にした立体角に応じてガウス分布していると考え
られる。従って、輝点から真上(鉛直上方)に蒸発した
粒子が支持体上に付着するようにしていると、蒸発した
粒子を効果的に利用できる。この為、磁性膜の形成効率
が高い。特に、遮蔽板の先端部と輝点との間の水平方向
の距離Zが式(3)を満たすようにしておくことによっ
て、蒸発した粒子をより効果的に利用できる。
【0009】式(3) 0.5cm≦Z≦40cm そして、式(1)、更には式(3)を満たすようにして
いると、蒸発の進行に伴って蒸発源における液面変動が
有っても、この変動による蒸着粒子の最大入射角のふら
つきによる影響(磁性膜の最表面のコラム角度の変動、
及び磁性膜の厚さの変動)を小さくできる。すなわち、
均一な特性を持つ磁性膜を形成できる。尚、10≦X/
Y≦30,Y=1.5〜4cmであるのが一層好まし
い。
【0010】又、蒸発した磁性粒子が支持体上に蒸着す
るに前もって、支持体はボンバード処理が行われること
が好ましい。又、走行する支持体に対して作用するテン
ションを6kg/mm2 以下(特に、0.1〜5kg/
mm2 )のものとしておくことにより、支持体に歪みが
出来難く、長手方向に均一な磁性膜が得られる。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体の製造方法
は、磁性材料源に電子ビームを照射し、蒸発した粒子を
走行する支持体上に斜め蒸着させることにより磁性膜を
形成する磁気記録媒体の製造方法であって、前記支持体
は、その厚さが2〜6μm(特に、2.5〜6μm)
で、かつ、その表面粗さRa(中心線平均粗さ)が0.
5〜3nm(特に、0.5〜2.8nm)、Rz(10
点平均粗さ)が3〜40nm(特に、3〜38nm)で
あり、前記蒸発粒子が支持体上に蒸着する時の最小入射
角θは50〜70°(特に、55〜68°)であり、か
つ、電子ビームが照射された地点である輝点と該輝点の
真上の支持体との間には遮蔽物がなく、該輝点から垂直
上方に蒸発した蒸発粒子は支持体上に斜め蒸着し、更
に、前記輝点から垂直上方に蒸発し、支持体に蒸着した
蒸着粒子の飛行経路において、前記最小入射角θを設定
する為に設けられた遮蔽板の先端部の水平方向高さと前
記輝点との間の垂直方向の距離Xと前記遮蔽板の先端部
の水平方向高さと前記支持体との間の垂直方向の距離Y
とが下記の式(1)、特に式(2)を満たすものであ
る。特に、供給側ロールから巻取側ロールに走行し、そ
の走行途中において冷却キャンロールに添接された支持
体に、電子ビームの照射による蒸発磁性粒子が真空雰囲
気下で斜め蒸着することにより磁性膜が形成され、か
つ、前記磁性膜の形成に際して酸素ガスが供給される磁
気記録媒体の製造方法であって、前記支持体は、その厚
さが2〜6μm(特に、2.5〜6μm)で、かつ、そ
の表面粗さRaが0.5〜3nm(特に、0.5〜2.
8nm)、Rzが3〜40nm(特に、3〜38nm)
であり、前記酸素ガスの供給方向と支持体の走行方向と
が逆方向であり、前記蒸発粒子が支持体上に蒸着する時
の最小入射角θは50〜70°(特に、55〜68°)
であり、かつ、電子ビームが照射された地点である輝点
と該輝点の真上の支持体との間には遮蔽物がなく、該輝
点から垂直上方に蒸発した蒸発粒子は支持体上に斜め蒸
着し、更に、前記輝点から垂直上方に蒸発し、支持体に
蒸着した蒸着粒子の飛行経路において、前記最小入射角
θを設定する為に設けられた遮蔽板の先端部の水平方向
高さと前記輝点との間の垂直方向の距離Xと前記遮蔽板
の先端部の水平方向高さと前記支持体との間の垂直方向
の距離Yとが下記の式(1)、特に式(2)を満たすも
のである。
【0012】式(1) 10≦X/Y≦50 式(2) 10≦X/Y≦30 Yは0.5〜5cm、特に1.5〜4cmである。遮蔽
板の先端部と輝点との間の水平方向の距離Zは0.5〜
40cm、特に0.5〜35cmである。尚、Zがマイ
ナスの値を示す比較例は、遮蔽板が輝点の真上位置に存
在している場合を示す。又、走行する支持体に対して長
手方向において作用するテンションは、6kg/mm2
以下(特に、0.1〜5kg/mm2 )である。又、蒸
発した磁性粒子が支持体上に蒸着するに前もって、支持
体は酸化性ガスを用いたボンバード処理が行われる。
【0013】以下、更に説明する。図1は、本発明にな
る磁気記録媒体の製造方法が実施される装置(斜め蒸着
装置)の概略図である。同図中、1は、厚さや表面粗さ
が上記条件を満たす支持体である。この支持体1は、供
給側ロール2aから巻取側ロール2bに、矢印で示す如
く、右から左に走行する。この走行途中において、支持
体1は冷却キャンロール3に添接されている。
【0014】支持体1は、磁性あるいは非磁性いずれの
ものでも良い。一般的には、非磁性である。支持体とし
ては、PET等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化
ビニル系の樹脂等の有機材料(樹脂)が用いられる。
尚、支持体1の表面には、磁性膜との密着性を向上させ
る為のアンダーコート層が適宜設けられる。
【0015】4は、蒸着が行われる前段階の位置におい
て、支持体1の表面を、例えば酸素ガスを用いたイオン
ボンバード処理する為のイオンボンバード室である。こ
のイオンボンバード処理により、支持体1に後述する蒸
発粒子が蒸着した時、その結着強度が向上する。5は、
冷却キャンロール3の下方位置に設けられた遮蔽板であ
る。尚、遮蔽板5は、支持体1に対して蒸着が行われた
後段階の位置に対応する部分に設けられたものである。
又、遮蔽板5は、後述するルツボからの蒸発粒子が支持
体1に蒸着する時の最小入射角θが50〜70°(特
に、55〜68°)となるよう設定されている。又、
X,Y,Zが上記条件を満たすように設定されている。
かつ、後述する電子銃からの電子ビームが後述の磁性金
属材料に照射された地点である輝点Kと、この輝点Kの
真上の支持体1との間には、遮蔽板5がないよう設定さ
れている。すなわち、輝点Kとその真上の支持体1との
間には一切の遮蔽物がなく、輝点Kの真上位置にある支
持体1から真下を覗いた場合、輝点Kを認めることが出
来るようになっている。つまり、輝点Kから垂直(鉛
直)上方に蒸発した蒸発粒子は支持体1上に斜め蒸着す
る。
【0016】6は、遮蔽板5と冷却キャンロール3との
間の位置に配設された酸素ガス供給ノズルである。従っ
て、ノズル6より供給される酸素の供給方向は、図1
中、左から右であり、支持体1の走行方向は、図1中、
右から左であり、従って酸素ガスの供給方向と支持体1
の走行方向とは逆方向である。7は冷却キャンロール3
の下方位置に設けられたMgO製のルツボである。この
ルツボ7には磁性金属材料8が充填されている。尚、磁
性金属材料としては、Fe,Co,Ni,あるいはこれ
らの合金が適宜用いられる。
【0017】9は電子銃であり、電子銃9からの電子ビ
ームはルツボ7内の磁性金属材料8目掛けて照射され
る。10は真空槽である。上記装置において、先ず、真
空槽10内を10-4〜10-6Torrの真空度に排気す
る。そして、電子銃9からの電子ビームを磁性金属材料
8に照射し、蒸発させる。これにより、磁性金属粒子
が、走行方向において0.1〜5kg/mm 2 のテンシ
ョンが作用しながら走行する支持体1上に、最小入射角
θは50〜70°(特に、55〜68°)でもって斜め
蒸着する。この斜め蒸着に際して、ノズル6から酸素ガ
スが50〜300sccm供給され、磁性膜の表面酸化
が行われる。そして、厚さが800〜5000Å(特
に、800〜2500Å)の金属薄膜型の磁性膜が設け
られる。
【0018】磁性膜の表面には厚さが10〜200Åの
保護膜が設けられる。保護膜を構成する材料として、A
l等の金属の酸化物、窒化物、あるいは炭化物などが考
えられる。特に、ダイヤモンドライクカーボンは好まし
いものである。ダイヤモンドライクカーボンよりなる保
護膜はケミカルベーパーデポジション(CVD)法によ
り形成される。特に、ECRプラズマCVD装置により
形成される。すなわち、真空槽内に配設された支持体上
の磁性膜に対してECRプラズマCVD装置を作動さ
せ、磁性膜に炭化水素系ガスのプラズマを吹き付ける。
これにより、磁性膜表面に保護膜(ダイヤモンドライク
カーボン膜)が形成される。
【0019】支持体1の他面(裏面)には、バックコー
ト膜が設けられる。例えば、蒸着法、直流スパッタ法、
交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マグネトロン
スパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ法、イオンビ
ームスパッタ法などのメッキ手段によりバックコート膜
が設けられる。又、カーボンブラック及びバインダを含
有する塗料を塗布することによってもバックコート膜は
設けられる。
【0020】そして、表面には、潤滑剤、特にパーフル
オロポリエーテル等のフッ素系の潤滑剤の塗料が塗布さ
れ、厚さが5〜70Åの潤滑剤の膜が設けられる。尚、
潤滑剤としては、例えば-(C(R)F-CF2-O)p - (但し、R
はF,CF3 ,CH3 などの基)、特にHOOC-CF2(O-C2F
4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ,F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF 2C
OOH 等のカルボキシル基変性パーフロオロポリエーテ
ル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OH,HO-(C
2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -OCH2-(OCH2CH2)
n -OH ,F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH等のアルコール
変性パーフロオロポリエーテルが挙げられる。分子量は
500〜50000のものが好ましい。具体的には、モ
ンテカチーニ社のFOMBLIN Z DIACやFO
MBLINZ DOL、ダイキン工業社のデムナムSA
等がある。
【0021】
【実施例1】図1に示す装置を用いた。但し、X/Y=
17,Y=3cm,Z=4cmである。支持体1は、幅
310mm、厚さ4.5μm、Raが2.3nm、Rz
が19nmのアラミドフィルムである。そして、20〜
30nmφのカーボンブラック及びバインダ樹脂を含む
バックコート塗料をアラミドフィルムの裏面に塗布し、
乾燥厚さが0.5μmのバックコート膜を設けた。支持
体1を装置に装填した時、バックコート膜が冷却キャン
ロール3に接している。
【0022】そして、下記の条件で1190Å厚の磁性
膜を形成した。支持体1の走行速度は55m/分、支持
体1に作用している長手方向(支持体走行方向)におけ
るテンションは2.0kgである。冷却キャンロール3
の径は100cmであり、冷却キャンロール3の温度は
−30℃に制御されている。
【0023】ノズル6からの酸素供給量は150scc
mである。ルツボ7にはCoが充填されており、これよ
り蒸発し、支持体1に斜め蒸着する時の最小入射角θは
55°(最表面のコラム角は62°)である。電子銃9
の出力Pは50kWである。尚、蒸着工程の前に支持体
1の表面はイオンボンバード処理(120sccmの酸
素ガスを供給)が行われている。
【0024】次に、表面に潤滑剤(デムナムSA)の膜
を20Å厚設け、この後通常の工程を経て8mmVTR
用磁気テープを得た。
【0025】
【実施例2】実施例1において、Z=0cm、支持体1
の走行速度を40m/分として1100Å厚の磁性膜を
形成した以外は実施例1に準じて行った。
【0026】
【実施例3】実施例1において、X/Y=10(最小入
射角θ;54.5°)、支持体1の走行速度を80m/
分として1310Å厚の磁性膜(最表面のコラム角は6
2.5°)を形成した以外は実施例1に準じて行った。
【0027】
【実施例4】実施例1において、X/Y=28(最小入
射角θ;55.4°)、支持体1の走行速度を30m/
分として1120Å厚の磁性膜(最表面のコラム角は6
1°)を形成した以外は実施例1に準じて行った。
【0028】
【比較例1】実施例1において、Z=−3cm、支持体
1の走行速度を25m/分として1100Å厚の磁性膜
を形成した以外は実施例1に準じて行った。尚、支持体
1の表面はイオンボンバード処理が行われていない。
【0029】
【比較例2】実施例1において、X/Y=10、Z=−
3cm(最小入射角θ;58.5°)、支持体1の走行
速度を35m/分として1210Å厚の磁性膜(最表面
のコラム角は60°)を形成した以外は実施例1に準じ
て行った。
【0030】
【比較例3】実施例1において、X/Y=28、Z=−
3cm(最小入射角θ;53.7°)、支持体1の走行
速度を10m/分として1090Å厚の磁性膜(最表面
のコラム角は63°)を形成した以外は実施例1に準じ
て行った。
【0031】
【比較例4】実施例1において、支持体としてRa=
4.7nm,Rz=57nmのPETフィルムを用いた
以外は実施例1に準じて行った。尚、形成された磁性膜
の厚さは1200Åであった。
【0032】
【特性】上記各例で得た8mmVTR用磁気テープにつ
いて、ヘッド当たり、耐久性を調べたので、その結果を
表−1に示す。尚、ヘッド当たりは、ヘッド出力が測定
できるように市販の8mmVTRを改造し、これにスペ
クトラムアナライザ(アドバンテスト社製のTR417
1)をつなぎ、RBW=30kHz,VBW=10kH
z,SPAN=0Hz,スイープタイム=20msの条
件下で再生エンベロープ波形の変動幅および出力を求
め、これで評価した。
【0033】耐久性は、ドラムテスタを用い、ヘッドと
磁気テープとの間の相対速度を10m/sとし、磁性膜
が破壊されるまでに要した時間を求め、これで評価し
た。 これによれば、本発明になるものは、ヘッド当たりが良
く、記録・再生特性に優れており、更には磁性膜の耐久
性に富むことが判る。
【0034】又、一定の厚さの磁性膜を形成するに際し
て、支持体の走行速度を速く出来、従って生産性に優れ
ている。しかも、るつぼの液面高さ変動の影響を受け難
く、均一な特性の磁性膜が得られる。
【0035】
【発明の効果】ヘッド当たりが良く、記録・再生特性に
優れており、かつ、耐久性に富み、そして均一な特性の
磁性膜を効率良く形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】磁気記録媒体の製造装置の概略図
【符号の説明】
1 支持体 3 冷却キャンロール 5 遮蔽板 6 酸素ガス供給ノズル 7 ルツボ 8 磁性金属材料 9 電子銃 10 真空槽 K 輝点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 宮村 猛史 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 磁性材料源に電子ビームを照射し、蒸発
    した粒子を走行する支持体上に斜め蒸着させることによ
    り磁性膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、 前記支持体は、その厚さが2〜6μmで、かつ、その表
    面粗さRaが0.5〜3nm、Rzが3〜40nmであ
    り、 前記蒸発粒子が支持体上に蒸着する時の最小入射角θは
    50〜70°であり、 かつ、電子ビームが照射された地点である輝点と該輝点
    の真上の支持体との間には遮蔽物がなく、該輝点から垂
    直上方に蒸発した蒸発粒子は支持体上に斜め蒸着し、 更に、前記輝点から垂直上方に蒸発し、支持体に蒸着し
    た蒸着粒子の飛行経路において、前記最小入射角θを設
    定する為に設けられた遮蔽板の先端部の水平方向高さと
    前記輝点との間の垂直方向の距離Xと前記遮蔽板の先端
    部の水平方向高さと前記支持体との間の垂直方向の距離
    Yとが下記の式(1)を満たすことを特徴とする磁気記
    録媒体の製造方法。 式(1) 10≦X/Y≦50
  2. 【請求項2】 供給側ロールから巻取側ロールに走行
    し、その走行途中において冷却キャンロールに添接され
    た支持体に、電子ビームの照射による蒸発磁性粒子が真
    空雰囲気下で斜め蒸着することにより磁性膜が形成さ
    れ、かつ、前記磁性膜の形成に際して酸素ガスが供給さ
    れる磁気記録媒体の製造方法であって、 前記支持体は、その厚さが2〜6μmで、かつ、その表
    面粗さRaが0.5〜3nm、Rzが3〜40nmであ
    り、 前記酸素ガスの供給方向と支持体の走行方向とが逆方向
    であり、 前記蒸発粒子が支持体上に蒸着する時の最小入射角θは
    50〜70°であり、 かつ、電子ビームが照射された地点である輝点と該輝点
    の真上の支持体との間には遮蔽物がなく、該輝点から垂
    直上方に蒸発した蒸発粒子は支持体上に斜め蒸着し、 更に、前記輝点から垂直上方に蒸発し、支持体に蒸着し
    た蒸着粒子の飛行経路において、前記最小入射角θを設
    定する為に設けられた遮蔽板の先端部の水平方向高さと
    前記輝点との間の垂直方向の距離Xと前記遮蔽板の先端
    部の水平方向高さと前記支持体との間の垂直方向の距離
    Yとが下記の式(1)を満たすことを特徴とする磁気記
    録媒体の製造方法。 式(1) 10≦X/Y≦50
  3. 【請求項3】 Yが0.5〜5cmであることを特徴と
    する請求項1又は請求項2の磁気記録媒体の製造方法。
  4. 【請求項4】 Z(遮蔽板の先端部と輝点との間の水平
    方向の距離)が0.5〜40cmであることを特徴とす
    る請求項1又は請求項2の磁気記録媒体の製造方法。
  5. 【請求項5】 蒸発した磁性粒子が支持体上に蒸着する
    に前もって、支持体はボンバード処理が行われることを
    特徴とする請求項1又は請求項2の磁気記録媒体の製造
    方法。
  6. 【請求項6】 走行する支持体に対して6kg/mm2
    以下のテンションが作用していることを特徴とする請求
    項1又は請求項2の磁気記録媒体の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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