JPH10105964A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH10105964A JPH10105964A JP25422796A JP25422796A JPH10105964A JP H10105964 A JPH10105964 A JP H10105964A JP 25422796 A JP25422796 A JP 25422796A JP 25422796 A JP25422796 A JP 25422796A JP H10105964 A JPH10105964 A JP H10105964A
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- magnetic film
- magnetic
- forming
- film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヘッドタッチに優れ、記録再生特性が良い磁
気記録媒体を提供することである。 【解決手段】 支持体上に第１の磁性膜、この第１の磁
性膜上に第２の磁性膜が少なくとも設けられてなる磁気
記録媒体の製造方法であって、下記の式（１）及び
（２）を満たすよう前記磁性膜の成膜時における付着粒
子の入射角を制御する磁気記録媒体の製造方法。 式（１） θ1min＝θ2min 但し、θ1minは第１の磁性膜の成膜時における付着粒子
の最小入射角 θ2minは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最小
入射角 式（２） θ1max≠θ2max 但し、θ1maxは第１の磁性膜の成膜時における付着粒子
の最大入射角 θ2maxは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最大
入射角
気記録媒体を提供することである。 【解決手段】 支持体上に第１の磁性膜、この第１の磁
性膜上に第２の磁性膜が少なくとも設けられてなる磁気
記録媒体の製造方法であって、下記の式（１）及び
（２）を満たすよう前記磁性膜の成膜時における付着粒
子の入射角を制御する磁気記録媒体の製造方法。 式（１） θ1min＝θ2min 但し、θ1minは第１の磁性膜の成膜時における付着粒子
の最小入射角 θ2minは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最小
入射角 式（２） θ1max≠θ2max 但し、θ1maxは第１の磁性膜の成膜時における付着粒子
の最大入射角 θ2maxは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最大
入射角
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープなどの磁気
記録媒体においては、高密度記録化の要請から、支持体
上に設けられる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗
布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜
型のものが提案されている。すなわち、蒸着やスパッタ
などの乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気記録
媒体が提案されている。そして、この種の磁気記録媒体
は磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したもので
ある。
記録媒体においては、高密度記録化の要請から、支持体
上に設けられる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗
布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜
型のものが提案されている。すなわち、蒸着やスパッタ
などの乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気記録
媒体が提案されている。そして、この種の磁気記録媒体
は磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したもので
ある。
【０００３】しかし、磁性体の充填密度が高いが故に、
応力集中が起き、カッピングが起きてしまう。そして、
カッピングが起きたものは磁気ヘッドの当たりが悪く、
記録再生特性が低下する。従って、本発明が解決しよう
とする課題は、ヘッドタッチに優れ、記録再生特性が良
い磁気記録媒体を提供することである。
応力集中が起き、カッピングが起きてしまう。そして、
カッピングが起きたものは磁気ヘッドの当たりが悪く、
記録再生特性が低下する。従って、本発明が解決しよう
とする課題は、ヘッドタッチに優れ、記録再生特性が良
い磁気記録媒体を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記本発明の課題は、支
持体上に第１の磁性膜、この第１の磁性膜上に第２の磁
性膜が少なくとも設けられてなる磁気記録媒体の製造方
法であって、下記の式（１）及び（２）を満たすよう前
記磁性膜の成膜時における付着粒子の入射角を制御して
なることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によって
解決される。
持体上に第１の磁性膜、この第１の磁性膜上に第２の磁
性膜が少なくとも設けられてなる磁気記録媒体の製造方
法であって、下記の式（１）及び（２）を満たすよう前
記磁性膜の成膜時における付着粒子の入射角を制御して
なることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によって
解決される。
【０００５】又、支持体をドラムに沿って走行させ、前
記支持体上に第１の磁性膜、この第１の磁性膜上に第２
の磁性膜を少なくとも成膜する磁気記録媒体の製造方法
であって、下記の式（１）及び（３）を満たすよう前記
磁性膜の成膜時における付着粒子の入射角を制御してな
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によって解
決される。
記支持体上に第１の磁性膜、この第１の磁性膜上に第２
の磁性膜を少なくとも成膜する磁気記録媒体の製造方法
であって、下記の式（１）及び（３）を満たすよう前記
磁性膜の成膜時における付着粒子の入射角を制御してな
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によって解
決される。
【０００６】特に、支持体をドラムに沿って走行させ、
前記支持体上に第１の磁性膜、この第１の磁性膜上に第
２の磁性膜を少なくとも成膜する磁気記録媒体の製造方
法であって、下記の式（１），（２）及び（３）を満た
すよう前記磁性膜の成膜時における付着粒子の入射角を
制御してなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
によって解決される。
前記支持体上に第１の磁性膜、この第１の磁性膜上に第
２の磁性膜を少なくとも成膜する磁気記録媒体の製造方
法であって、下記の式（１），（２）及び（３）を満た
すよう前記磁性膜の成膜時における付着粒子の入射角を
制御してなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
によって解決される。
【０００７】式（１） θ1min＝θ2min 但し、θ1minは第１の磁性膜の成膜時における付着粒子
の最小入射角 θ2minは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最小
入射角 式（２） θ1max≠θ2max 但し、θ1maxは第１の磁性膜の成膜時における付着粒子
の最大入射角 θ2maxは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最大
入射角 式（３） α1 ≠α2 但し、α1 は第１の磁性膜の成膜範囲のドラム角度 α2 は第２の磁性膜の成膜範囲のドラム角度 尚、上記製造方法において、θ1min＝θ2min，θ1min＝
２０〜８０°（特に、４５〜６５°），θ2min＝２０〜
８０°（特に、４５〜６５°），θ1max＞θ2m ax，θ
1max＝６０〜９０°（特に、７０〜８８°），θ2max＝
５５〜８８°（特に、６５〜８７°）であるよう磁性膜
の成膜時における付着粒子の入射角を制御してなるのが
好ましい。又は、θ1min＝θ2min，θ1min＝２０〜８０
°（特に、４５〜６５°），θ2min＝２０〜８０°（特
に、４５〜６５°），θ1max＜θ2m ax，θ1max＝５５〜
８８°（特に、６５〜８７°），θ2max＝６０〜９０°
（特に、７０〜８８°）であるよう磁性膜の成膜時にお
ける付着粒子の入射角を制御してなるのが好ましい。
の最小入射角 θ2minは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最小
入射角 式（２） θ1max≠θ2max 但し、θ1maxは第１の磁性膜の成膜時における付着粒子
の最大入射角 θ2maxは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最大
入射角 式（３） α1 ≠α2 但し、α1 は第１の磁性膜の成膜範囲のドラム角度 α2 は第２の磁性膜の成膜範囲のドラム角度 尚、上記製造方法において、θ1min＝θ2min，θ1min＝
２０〜８０°（特に、４５〜６５°），θ2min＝２０〜
８０°（特に、４５〜６５°），θ1max＞θ2m ax，θ
1max＝６０〜９０°（特に、７０〜８８°），θ2max＝
５５〜８８°（特に、６５〜８７°）であるよう磁性膜
の成膜時における付着粒子の入射角を制御してなるのが
好ましい。又は、θ1min＝θ2min，θ1min＝２０〜８０
°（特に、４５〜６５°），θ2min＝２０〜８０°（特
に、４５〜６５°），θ1max＜θ2m ax，θ1max＝５５〜
８８°（特に、６５〜８７°），θ2max＝６０〜９０°
（特に、７０〜８８°）であるよう磁性膜の成膜時にお
ける付着粒子の入射角を制御してなるのが好ましい。
【０００８】又、上記製造方法において、θ1min＝θ
2min，θ1min＝２０〜８０°（特に、４５〜６５°），
θ2min＝２０〜８０°（特に、４５〜６５°），α1 ＞
α2 ，α1 ＝９〜５６°（特に、１６〜４７°），α2
＝７〜５４°（特に、１４〜４５°）であるよう磁性膜
の成膜時における付着粒子の入射角を制御してなるのが
好ましい。又は、θ1min＝θ2min，θ1min＝２０〜８０
°（特に、４５〜６５°），θ2min＝２０〜８０°（特
に、４５〜６５°），α1 ＜α2 ，α1 ＝７〜５４°
（特に、１４〜４５°），α2 ＝９〜５６°（特に、１
６〜４７°）であるよう磁性膜の成膜時における付着粒
子の入射角を制御してなるのが好ましい。
2min，θ1min＝２０〜８０°（特に、４５〜６５°），
θ2min＝２０〜８０°（特に、４５〜６５°），α1 ＞
α2 ，α1 ＝９〜５６°（特に、１６〜４７°），α2
＝７〜５４°（特に、１４〜４５°）であるよう磁性膜
の成膜時における付着粒子の入射角を制御してなるのが
好ましい。又は、θ1min＝θ2min，θ1min＝２０〜８０
°（特に、４５〜６５°），θ2min＝２０〜８０°（特
に、４５〜６５°），α1 ＜α2 ，α1 ＝７〜５４°
（特に、１４〜４５°），α2 ＝９〜５６°（特に、１
６〜４７°）であるよう磁性膜の成膜時における付着粒
子の入射角を制御してなるのが好ましい。
【０００９】又、上記製造方法において、第１の磁性膜
の厚さａ1 と第２の磁性膜の厚さａ 2 とが下記の式
（４）又は（５）を満たすよう磁性膜が成膜されるのが
好ましい。 式（４） ａ1 ＞ａ2 ａ1 ＝４００〜４５００Å（特に、４５０〜２５００
Å） ａ2 ＝３５０〜２０００Å（特に、３５０〜１２００
Å） 式（５） ａ1 ＜ａ2 ａ1 ＝３５０〜２０００Å（特に、３５０〜１２００
Å） ａ2 ＝４００〜４５００Å（特に、４５０〜２５００
Å） 尚、第１の磁性膜や第２の磁性膜の成膜手段としては、
斜め蒸着手段を好ましいものとして挙げることが出来
る。
の厚さａ1 と第２の磁性膜の厚さａ 2 とが下記の式
（４）又は（５）を満たすよう磁性膜が成膜されるのが
好ましい。 式（４） ａ1 ＞ａ2 ａ1 ＝４００〜４５００Å（特に、４５０〜２５００
Å） ａ2 ＝３５０〜２０００Å（特に、３５０〜１２００
Å） 式（５） ａ1 ＜ａ2 ａ1 ＝３５０〜２０００Å（特に、３５０〜１２００
Å） ａ2 ＝４００〜４５００Å（特に、４５０〜２５００
Å） 尚、第１の磁性膜や第２の磁性膜の成膜手段としては、
斜め蒸着手段を好ましいものとして挙げることが出来
る。
【００１０】そして、上記条件を満たすようにして磁性
膜の成膜が行われると、磁性膜（第１の磁性膜＋第２の
磁性膜）全体における応力集中が緩和されており、カッ
ピングが改善され、磁気ヘッドの当たりが良くなり、記
録再生特性が向上していた。例えば、モジュレーション
が改善された。又、出力も向上した。更には、ヘッドタ
ッチが向上したことから、磁気記録媒体の耐久性も向上
した。
膜の成膜が行われると、磁性膜（第１の磁性膜＋第２の
磁性膜）全体における応力集中が緩和されており、カッ
ピングが改善され、磁気ヘッドの当たりが良くなり、記
録再生特性が向上していた。例えば、モジュレーション
が改善された。又、出力も向上した。更には、ヘッドタ
ッチが向上したことから、磁気記録媒体の耐久性も向上
した。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体の製造方法
は、支持体上に第１の磁性膜、この第１の磁性膜上に第
２の磁性膜が少なくとも設けられてなる磁気記録媒体の
製造方法であって、下記の式（１）及び（２）を満たす
よう前記磁性膜の成膜時における付着粒子の入射角を制
御するものである。又、支持体をドラムに沿って走行さ
せ、前記支持体上に第１の磁性膜、この第１の磁性膜上
に第２の磁性膜を少なくとも成膜する磁気記録媒体の製
造方法であって、下記の式（１）及び（３）を満たすよ
う前記磁性膜の成膜時における付着粒子の入射角を制御
するものである。特に、支持体をドラムに沿って走行さ
せ、前記支持体上に第１の磁性膜、この第１の磁性膜上
に第２の磁性膜を少なくとも成膜する磁気記録媒体の製
造方法であって、下記の式（１），（２）及び（３）を
満たすよう前記磁性膜の成膜時における付着粒子の入射
角を制御するものである。
は、支持体上に第１の磁性膜、この第１の磁性膜上に第
２の磁性膜が少なくとも設けられてなる磁気記録媒体の
製造方法であって、下記の式（１）及び（２）を満たす
よう前記磁性膜の成膜時における付着粒子の入射角を制
御するものである。又、支持体をドラムに沿って走行さ
せ、前記支持体上に第１の磁性膜、この第１の磁性膜上
に第２の磁性膜を少なくとも成膜する磁気記録媒体の製
造方法であって、下記の式（１）及び（３）を満たすよ
う前記磁性膜の成膜時における付着粒子の入射角を制御
するものである。特に、支持体をドラムに沿って走行さ
せ、前記支持体上に第１の磁性膜、この第１の磁性膜上
に第２の磁性膜を少なくとも成膜する磁気記録媒体の製
造方法であって、下記の式（１），（２）及び（３）を
満たすよう前記磁性膜の成膜時における付着粒子の入射
角を制御するものである。
【００１２】式（１） θ1min＝θ2min 但し、θ1minは第１の磁性膜の成膜時における付着粒子
の最小入射角 θ2minは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最小
入射角 式（２） θ1max≠θ2max 但し、θ1maxは第１の磁性膜の成膜時における付着粒子
の最大入射角 θ2maxは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最大
入射角 式（３） α1 ≠α2 但し、α1 は第１の磁性膜の成膜範囲のドラム角度 α2 は第２の磁性膜の成膜範囲のドラム角度 尚、θ1min＝θ2min，θ1min＝２０〜８０°（特に、４
５〜６５°），θ2min＝２０〜８０°（特に、４５〜６
５°），θ1max＞θ2max，θ1max＝６０〜９０°（特
に、７０〜８８°），θ2max＝５５〜８８°（特に、６
５〜８７°）であるよう磁性膜の成膜時における付着粒
子の入射角を制御する。又は、θ1min＝θ 2min，θ1min
＝２０〜８０°（特に、４５〜６５°），θ2min＝２０
〜８０°（特に、４５〜６５°），θ1max＜θ2max，θ
1max＝５５〜８８°（特に、６５〜８７°），θ2max＝
６０〜９０°（特に、７０〜８８°）であるよう磁性膜
の成膜時における付着粒子の入射角を制御する。
の最小入射角 θ2minは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最小
入射角 式（２） θ1max≠θ2max 但し、θ1maxは第１の磁性膜の成膜時における付着粒子
の最大入射角 θ2maxは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最大
入射角 式（３） α1 ≠α2 但し、α1 は第１の磁性膜の成膜範囲のドラム角度 α2 は第２の磁性膜の成膜範囲のドラム角度 尚、θ1min＝θ2min，θ1min＝２０〜８０°（特に、４
５〜６５°），θ2min＝２０〜８０°（特に、４５〜６
５°），θ1max＞θ2max，θ1max＝６０〜９０°（特
に、７０〜８８°），θ2max＝５５〜８８°（特に、６
５〜８７°）であるよう磁性膜の成膜時における付着粒
子の入射角を制御する。又は、θ1min＝θ 2min，θ1min
＝２０〜８０°（特に、４５〜６５°），θ2min＝２０
〜８０°（特に、４５〜６５°），θ1max＜θ2max，θ
1max＝５５〜８８°（特に、６５〜８７°），θ2max＝
６０〜９０°（特に、７０〜８８°）であるよう磁性膜
の成膜時における付着粒子の入射角を制御する。
【００１３】又、θ1min＝θ2min，θ1min＝２０〜８０
°（特に、４５〜６５°），θ2min＝２０〜８０°（特
に、４５〜６５°），α1 ＞α2 ，α1 ＝９〜５６°
（特に、１６〜４７°），α2 ＝７〜５４°（特に、１
４〜４５°）であるよう磁性膜の成膜時における付着粒
子の入射角を制御する。又は、θ1min＝θ2min，θ1min
＝２０〜８０°（特に、４５〜６５°），θ2min＝２０
〜８０°（特に、４５〜６５°），α1 ＜α2 ，α1 ＝
７〜５４°（特に、１４〜４５°），α2 ＝９〜５６°
（特に、１６〜４７°）であるよう磁性膜の成膜時にお
ける付着粒子の入射角を制御する。
°（特に、４５〜６５°），θ2min＝２０〜８０°（特
に、４５〜６５°），α1 ＞α2 ，α1 ＝９〜５６°
（特に、１６〜４７°），α2 ＝７〜５４°（特に、１
４〜４５°）であるよう磁性膜の成膜時における付着粒
子の入射角を制御する。又は、θ1min＝θ2min，θ1min
＝２０〜８０°（特に、４５〜６５°），θ2min＝２０
〜８０°（特に、４５〜６５°），α1 ＜α2 ，α1 ＝
７〜５４°（特に、１４〜４５°），α2 ＝９〜５６°
（特に、１６〜４７°）であるよう磁性膜の成膜時にお
ける付着粒子の入射角を制御する。
【００１４】又、第１の磁性膜の厚さａ1 と第２の磁性
膜の厚さａ2 とが下記の式（４）又は（５）を満たすよ
う磁性膜を成膜する。 式（４） ａ1 ＞ａ2 ａ1 ＝４００〜４５００Å（特に、４５０〜２５００
Å） ａ2 ＝３５０〜２０００Å（特に、３５０〜１２００
Å） 式（５） ａ1 ＜ａ2 ａ1 ＝３５０〜２０００Å（特に、３５０〜１２００
Å） ａ2 ＝４００〜４５００Å（特に、４５０〜２５００
Å） 以下、更に詳しく説明する。
膜の厚さａ2 とが下記の式（４）又は（５）を満たすよ
う磁性膜を成膜する。 式（４） ａ1 ＞ａ2 ａ1 ＝４００〜４５００Å（特に、４５０〜２５００
Å） ａ2 ＝３５０〜２０００Å（特に、３５０〜１２００
Å） 式（５） ａ1 ＜ａ2 ａ1 ＝３５０〜２０００Å（特に、３５０〜１２００
Å） ａ2 ＝４００〜４５００Å（特に、４５０〜２５００
Å） 以下、更に詳しく説明する。
【００１５】図１は本発明になる磁気記録媒体製造装置
（斜め蒸着装置）の概略図、図２は得られた磁気記録媒
体の概略断面図である。各図中、１は支持体、１１ａは
支持体１の供給側ロール、１１ｂは支持体１の巻取側ロ
ール、１２はガイドロール、１３ａ，１３ｂは冷却キャ
ンロール、１４ａ，１４ｂはルツボ、１５ａ，１５ｂは
ルツボ１４ａ，１４ｂ内に充填された金属磁性膜を構成
する金属、１６ａ，１６ｂは電子銃、１７ａ，１７ｂは
遮蔽板、１８ａ，１８ｂは酸素ガス供給ノズル、１９
ａ，１９ｂは真空槽である。そして、斜め蒸着装置の構
成は、従来から知られている斜め蒸着装置を二つ連結し
た構成のものであるから、詳細な説明は省略する。
（斜め蒸着装置）の概略図、図２は得られた磁気記録媒
体の概略断面図である。各図中、１は支持体、１１ａは
支持体１の供給側ロール、１１ｂは支持体１の巻取側ロ
ール、１２はガイドロール、１３ａ，１３ｂは冷却キャ
ンロール、１４ａ，１４ｂはルツボ、１５ａ，１５ｂは
ルツボ１４ａ，１４ｂ内に充填された金属磁性膜を構成
する金属、１６ａ，１６ｂは電子銃、１７ａ，１７ｂは
遮蔽板、１８ａ，１８ｂは酸素ガス供給ノズル、１９
ａ，１９ｂは真空槽である。そして、斜め蒸着装置の構
成は、従来から知られている斜め蒸着装置を二つ連結し
た構成のものであるから、詳細な説明は省略する。
【００１６】尚、第１の磁性膜を形成した後、第１の真
空槽から取り出し、第２の真空槽へセットし、第２の磁
性膜を形成しても良い。支持体１としては、磁性を有す
るものでも、非磁性のものでも良い。代表的なものとし
て、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチ
レンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ
シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート、ポリエチ
レンビスフェノキシカルボキシレート等のポリエステル
類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン
類、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセ
テートプロピオネート等のセルロース誘導体、ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリア
ミド、ポリカーボネート等の非磁性のプラスチック材料
が挙げられる。勿論、これらに限定されるものではな
い。又、各種の処理が行われることが有る。例えば、コ
ロナ放電、イオンボンバード処理、その他適宜な手段に
よる表面処理がなされる。又、接着性向上の為のポリエ
ステルやポリウレタンあるいはオリゴマー等が塗布され
ても良い。
空槽から取り出し、第２の真空槽へセットし、第２の磁
性膜を形成しても良い。支持体１としては、磁性を有す
るものでも、非磁性のものでも良い。代表的なものとし
て、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチ
レンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ
シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート、ポリエチ
レンビスフェノキシカルボキシレート等のポリエステル
類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン
類、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセ
テートプロピオネート等のセルロース誘導体、ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリア
ミド、ポリカーボネート等の非磁性のプラスチック材料
が挙げられる。勿論、これらに限定されるものではな
い。又、各種の処理が行われることが有る。例えば、コ
ロナ放電、イオンボンバード処理、その他適宜な手段に
よる表面処理がなされる。又、接着性向上の為のポリエ
ステルやポリウレタンあるいはオリゴマー等が塗布され
ても良い。
【００１７】支持体１は供給側ロール１１ａから繰り出
され、そして冷却キャンロール１３ａに添接され、ガイ
ドロール１２を経て第１の真空槽１９ａから第２の真空
槽１９ｂに導かれる。第２の真空槽１９ｂに導かれた支
持体１は冷却キャンロール１３ｂに添接され、そして巻
取側ロール１１ｂに巻き取られる。真空槽１９ａは真空
度が１０-3〜１０-7Ｔｏｒｒに排気されており、ルツボ
１４ａ内に充填された磁性金属材料に対して電子銃１６
ａからの電子ビームが照射され、磁性金属が蒸発させら
れる。蒸発した金属粒子は、０．５〜１００ｍ／分の走
行速度で冷却キャンロール１３ａに沿って走行する支持
体１の表面に斜め蒸着し、第１の金属磁性膜２ａが成膜
される。尚、この成膜時に、酸素ガス供給ノズル１８ａ
から酸素ガスが１０〜１０００ｓｃｃｍの割合で支持体
１の走行方向とは逆方向で吹き付けられている。ここ
で、第１の金属磁性膜２ａの成膜時における金属粒子が
支持体１上に蒸着した時の最小入射角θ1minは上記条件
を満たすよう設定されている。又、最大入射角θ1maxは
上記条件を満たすよう設定されている。更に、第１の金
属磁性膜２ａの成膜範囲のドラム角度α1 も上記条件を
満たすよう設定されている。これら、θ1min，θ1max，
α1 は遮蔽板１７ａの位置を選定することによって制御
できる。又、第１の金属磁性膜２ａの厚さａ1 が上記条
件を満たすよう設定されている。この厚さａ1 は、支持
体１の走行速度、電子銃１６ａの出力やドラム角度α1
を選定することによって制御できる。
され、そして冷却キャンロール１３ａに添接され、ガイ
ドロール１２を経て第１の真空槽１９ａから第２の真空
槽１９ｂに導かれる。第２の真空槽１９ｂに導かれた支
持体１は冷却キャンロール１３ｂに添接され、そして巻
取側ロール１１ｂに巻き取られる。真空槽１９ａは真空
度が１０-3〜１０-7Ｔｏｒｒに排気されており、ルツボ
１４ａ内に充填された磁性金属材料に対して電子銃１６
ａからの電子ビームが照射され、磁性金属が蒸発させら
れる。蒸発した金属粒子は、０．５〜１００ｍ／分の走
行速度で冷却キャンロール１３ａに沿って走行する支持
体１の表面に斜め蒸着し、第１の金属磁性膜２ａが成膜
される。尚、この成膜時に、酸素ガス供給ノズル１８ａ
から酸素ガスが１０〜１０００ｓｃｃｍの割合で支持体
１の走行方向とは逆方向で吹き付けられている。ここ
で、第１の金属磁性膜２ａの成膜時における金属粒子が
支持体１上に蒸着した時の最小入射角θ1minは上記条件
を満たすよう設定されている。又、最大入射角θ1maxは
上記条件を満たすよう設定されている。更に、第１の金
属磁性膜２ａの成膜範囲のドラム角度α1 も上記条件を
満たすよう設定されている。これら、θ1min，θ1max，
α1 は遮蔽板１７ａの位置を選定することによって制御
できる。又、第１の金属磁性膜２ａの厚さａ1 が上記条
件を満たすよう設定されている。この厚さａ1 は、支持
体１の走行速度、電子銃１６ａの出力やドラム角度α1
を選定することによって制御できる。
【００１８】第１の金属磁性膜２ａが成膜された後、支
持体１は真空度が１０-3〜１０-7Ｔｏｒｒに排気されて
いる真空槽１９ｂに導かれる。そして、ルツボ１４ｂ内
に充填された磁性金属材料に対して電子銃１６ｂからの
電子ビームが照射され、磁性金属が蒸発させられる。蒸
発した金属粒子は冷却キャンロール１３ｂに沿って走行
する支持体１上の第１の金属磁性膜２ａの表面に斜め蒸
着し、第２の金属磁性膜２ｂが成膜される。尚、この成
膜時に、酸素ガス供給ノズル１８ｂから酸素ガスが１０
〜３０００ｓｃｃｍの割合で支持体１に向け垂直に吹き
付けられている。ここで、第２の金属磁性膜２ｂの成膜
時における金属粒子が第１の金属磁性膜２ａ上に蒸着し
た時の最小入射角θ2minは上記条件を満たすよう設定さ
れている。又、最大入射角θ2maxは上記条件を満たすよ
う設定されている。更に、第２の金属磁性膜２ｂの成膜
範囲のドラム角度α2 も上記条件を満たすよう設定され
ている。これら、θ2min，θ2max，α2 は遮蔽板１７ｂ
の位置を選定することによって制御できる。又、第２の
金属磁性膜２ｂの厚さａ2 が上記条件を満たすよう設定
されている。この厚さａ2 は、支持体１の走行速度、電
子銃１６ｂの出力やドラム角度α2 を選定することによ
って制御できる。
持体１は真空度が１０-3〜１０-7Ｔｏｒｒに排気されて
いる真空槽１９ｂに導かれる。そして、ルツボ１４ｂ内
に充填された磁性金属材料に対して電子銃１６ｂからの
電子ビームが照射され、磁性金属が蒸発させられる。蒸
発した金属粒子は冷却キャンロール１３ｂに沿って走行
する支持体１上の第１の金属磁性膜２ａの表面に斜め蒸
着し、第２の金属磁性膜２ｂが成膜される。尚、この成
膜時に、酸素ガス供給ノズル１８ｂから酸素ガスが１０
〜３０００ｓｃｃｍの割合で支持体１に向け垂直に吹き
付けられている。ここで、第２の金属磁性膜２ｂの成膜
時における金属粒子が第１の金属磁性膜２ａ上に蒸着し
た時の最小入射角θ2minは上記条件を満たすよう設定さ
れている。又、最大入射角θ2maxは上記条件を満たすよ
う設定されている。更に、第２の金属磁性膜２ｂの成膜
範囲のドラム角度α2 も上記条件を満たすよう設定され
ている。これら、θ2min，θ2max，α2 は遮蔽板１７ｂ
の位置を選定することによって制御できる。又、第２の
金属磁性膜２ｂの厚さａ2 が上記条件を満たすよう設定
されている。この厚さａ2 は、支持体１の走行速度、電
子銃１６ｂの出力やドラム角度α2 を選定することによ
って制御できる。
【００１９】第１の金属磁性膜２ａや第２の金属磁性膜
２ｂを構成する材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ
等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金等が用いられ
る。尚、金属磁性膜としては、前記材料の窒化膜（例え
ば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）や炭化膜（例えば、Ｆｅ
−Ｃ−Ｏ）等も挙げられる。第１の金属磁性膜２ａを構
成する材料と第２の金属磁性膜２ｂを構成する材料と
は、同一であっても、異なっていても良い。
２ｂを構成する材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ
等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金等が用いられ
る。尚、金属磁性膜としては、前記材料の窒化膜（例え
ば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）や炭化膜（例えば、Ｆｅ
−Ｃ−Ｏ）等も挙げられる。第１の金属磁性膜２ａを構
成する材料と第２の金属磁性膜２ｂを構成する材料と
は、同一であっても、異なっていても良い。
【００２０】斜め蒸着法で設けた最上層の磁性膜の上に
は保護膜３が設けられる。この保護膜３を構成する材料
として、例えばＡｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，
Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ等の金属の酸化物、窒化物、炭化物ある
いはダイヤモンドライクカーボンやボロンナイトライド
等が用いられる。成膜方法としてＣＶＤ（ケミカルベー
パーデポジション）法やＰＶＤ（フィジカルベーパーデ
ポジション）法が用いられる。保護膜の厚さは１０〜５
００Å、特に３０〜２００Å程度である。
は保護膜３が設けられる。この保護膜３を構成する材料
として、例えばＡｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，
Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ等の金属の酸化物、窒化物、炭化物ある
いはダイヤモンドライクカーボンやボロンナイトライド
等が用いられる。成膜方法としてＣＶＤ（ケミカルベー
パーデポジション）法やＰＶＤ（フィジカルベーパーデ
ポジション）法が用いられる。保護膜の厚さは１０〜５
００Å、特に３０〜２００Å程度である。
【００２１】保護膜３の上には潤滑剤の膜４が設けられ
る。例えば、フッ素系潤滑剤の膜が浸漬あるいは超音波
噴霧などの手段により５〜７０Å程度の厚さ設けられ
る。潤滑剤としては、例えば-(C(R)F-CF2-O)p - （但
し、ＲはＦ，ＣＦ3 ，ＣＨ3 などの基）、特にHOOC-CF2
(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -C
F2CF2COOH と言ったようなカルボキシル基変性パーフロ
オロポリエーテル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OC
F2-CH2OH，HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -O
CH2-(OCH2CH2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH
と言ったようなアルコール変性パーフロオロポリエーテ
ル、又、分子の一方に、又は、一部にアルキル基などの
飽和炭化水素基、あるいは不飽和炭化水素基、若しくは
芳香族炭化水素基、その他の官能基が付いたもの等が挙
げられる。具体的には、モンテカチーニ社のＦＯＭＢＬ
ＩＮ Ｚ ＤＩＡＣやＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダ
イキン工業社のデムナムＳＡ等がある。
る。例えば、フッ素系潤滑剤の膜が浸漬あるいは超音波
噴霧などの手段により５〜７０Å程度の厚さ設けられ
る。潤滑剤としては、例えば-(C(R)F-CF2-O)p - （但
し、ＲはＦ，ＣＦ3 ，ＣＨ3 などの基）、特にHOOC-CF2
(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -C
F2CF2COOH と言ったようなカルボキシル基変性パーフロ
オロポリエーテル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OC
F2-CH2OH，HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -O
CH2-(OCH2CH2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH
と言ったようなアルコール変性パーフロオロポリエーテ
ル、又、分子の一方に、又は、一部にアルキル基などの
飽和炭化水素基、あるいは不飽和炭化水素基、若しくは
芳香族炭化水素基、その他の官能基が付いたもの等が挙
げられる。具体的には、モンテカチーニ社のＦＯＭＢＬ
ＩＮ Ｚ ＤＩＡＣやＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダ
イキン工業社のデムナムＳＡ等がある。
【００２２】支持体１の他面側にはバックコート膜５が
設けられる。バックコート膜を塗布により構成する場合
は、粒径１０〜１００ｎｍのカーボンブラックを塩ビ
系、ウレタン系等のバインダ樹脂中に分散させ、グラビ
ア方式、リバース方式あるいはダイ塗工方式等で乾燥後
の厚さが０．４〜１μｍとなるよう塗布する。バックコ
ート膜を蒸着などのＰＶＤ法で構成する場合は、Ａｌ−
Ｃｕ合金などの金属材料を蒸発源に置き、蒸発金属粒子
を０．０５〜１μｍの厚さ堆積させる。そして、このよ
うなバックコート膜の上には、走行性や耐久性を向上さ
せる為に、トップコート層を設けても良い。
設けられる。バックコート膜を塗布により構成する場合
は、粒径１０〜１００ｎｍのカーボンブラックを塩ビ
系、ウレタン系等のバインダ樹脂中に分散させ、グラビ
ア方式、リバース方式あるいはダイ塗工方式等で乾燥後
の厚さが０．４〜１μｍとなるよう塗布する。バックコ
ート膜を蒸着などのＰＶＤ法で構成する場合は、Ａｌ−
Ｃｕ合金などの金属材料を蒸発源に置き、蒸発金属粒子
を０．０５〜１μｍの厚さ堆積させる。そして、このよ
うなバックコート膜の上には、走行性や耐久性を向上さ
せる為に、トップコート層を設けても良い。
【００２３】
【実施例１】図１に示す装置を用いて図２に示すＨｉ８
ＶＴＲ用磁気テープを作成した。支持体１は６．３μｍ
厚のＰＥＴフィルムである。支持体１の走行速度は２０
ｍ／分である。成膜時におけるノズル１８ａ，１８ｂか
らの酸素ガス供給量は各々５３０ｓｃｃｍである。
ＶＴＲ用磁気テープを作成した。支持体１は６．３μｍ
厚のＰＥＴフィルムである。支持体１の走行速度は２０
ｍ／分である。成膜時におけるノズル１８ａ，１８ｂか
らの酸素ガス供給量は各々５３０ｓｃｃｍである。
【００２４】金属磁性膜２ａ，２ｂの構成材料はＣｏで
ある。金属磁性膜２ａ，２ｂの成膜条件は次の通りであ
る。 θ1min＝６０°，θ1max＝８６°，α1 ＝２６°，ａ1
＝１１００Å θ2min＝６０°，θ2max＝８０°，α2 ＝１８°，ａ2
＝８００Å 保護膜３は９０Å厚のダイヤモンドライクカーボン膜で
ある。
ある。金属磁性膜２ａ，２ｂの成膜条件は次の通りであ
る。 θ1min＝６０°，θ1max＝８６°，α1 ＝２６°，ａ1
＝１１００Å θ2min＝６０°，θ2max＝８０°，α2 ＝１８°，ａ2
＝８００Å 保護膜３は９０Å厚のダイヤモンドライクカーボン膜で
ある。
【００２５】潤滑剤の膜４は２０Å厚であり、潤滑剤は
アウジモント社製のＦＯＭＢＬＩＮＡＭ２００１であ
る。又、支持体１の裏面には０．５μｍ厚のバックコー
ト膜５が設けられている。
アウジモント社製のＦＯＭＢＬＩＮＡＭ２００１であ
る。又、支持体１の裏面には０．５μｍ厚のバックコー
ト膜５が設けられている。
【００２６】
【実施例２】実施例１において、θ1min＝５５°，θ
1max＝８０°，α1 ＝２２°，ａ1 ＝１１００Å，θ
2min＝５５°，θ2max＝７５°，α2 ＝１９°，ａ2 ＝
８００Åにした以外は実施例１に準じて行い、Ｈｉ８Ｖ
ＴＲ用磁気テープを得た。
1max＝８０°，α1 ＝２２°，ａ1 ＝１１００Å，θ
2min＝５５°，θ2max＝７５°，α2 ＝１９°，ａ2 ＝
８００Åにした以外は実施例１に準じて行い、Ｈｉ８Ｖ
ＴＲ用磁気テープを得た。
【００２７】
【実施例３】実施例１において、θ1min＝４８°，θ
1max＝７８°，α1 ＝２３°，ａ1 ＝７５０Å，θ2min
＝４８°，θ2max＝８８°，α2 ＝２９°，ａ2 ＝１２
００Åにした以外は実施例１に準じて行い、Ｈｉ８ＶＴ
Ｒ用磁気テープを得た。
1max＝７８°，α1 ＝２３°，ａ1 ＝７５０Å，θ2min
＝４８°，θ2max＝８８°，α2 ＝２９°，ａ2 ＝１２
００Åにした以外は実施例１に準じて行い、Ｈｉ８ＶＴ
Ｒ用磁気テープを得た。
【００２８】
【実施例４】実施例１において、θ1min＝６０°，θ
1max＝８０°，α1 ＝１８°，ａ1 ＝８００Å，θ2min
＝６０°，θ2max＝８６°，α2 ＝２６°，ａ2 ＝１１
００Åにした以外は実施例１に準じて行い、Ｈｉ８ＶＴ
Ｒ用磁気テープを得た。
1max＝８０°，α1 ＝１８°，ａ1 ＝８００Å，θ2min
＝６０°，θ2max＝８６°，α2 ＝２６°，ａ2 ＝１１
００Åにした以外は実施例１に準じて行い、Ｈｉ８ＶＴ
Ｒ用磁気テープを得た。
【００２９】
【実施例５】実施例１において、θ1min＝４８°，θ
1max＝８８°，α1 ＝２９°，ａ1 ＝１２００Å，θ
2min＝４８°，θ2max＝７８°，α2 ＝２３°，ａ2 ＝
７５０Åにした以外は実施例１に準じて行い、Ｈｉ８Ｖ
ＴＲ用磁気テープを得た。
1max＝８８°，α1 ＝２９°，ａ1 ＝１２００Å，θ
2min＝４８°，θ2max＝７８°，α2 ＝２３°，ａ2 ＝
７５０Åにした以外は実施例１に準じて行い、Ｈｉ８Ｖ
ＴＲ用磁気テープを得た。
【００３０】
【実施例６】実施例１において、θ1min＝７０°，θ
1max＝９０°，α1 ＝１６°，ａ1 ＝４５０Å，θ2min
＝７０°，θ2max＝８８°，α2 ＝２０°，ａ2 ＝１４
２０Åにした以外は実施例１に準じて行い、Ｈｉ８ＶＴ
Ｒ用磁気テープを得た。
1max＝９０°，α1 ＝１６°，ａ1 ＝４５０Å，θ2min
＝７０°，θ2max＝８８°，α2 ＝２０°，ａ2 ＝１４
２０Åにした以外は実施例１に準じて行い、Ｈｉ８ＶＴ
Ｒ用磁気テープを得た。
【００３１】
【実施例７】実施例１において、θ1min＝６５°，θ
1max＝８０°，α1 ＝１５°，ａ1 ＝４６０Å，θ2min
＝６５°，θ2max＝８７°，α2 ＝２１°，ａ2 ＝１７
００Åにした以外は実施例１に準じて行い、Ｈｉ８ＶＴ
Ｒ用磁気テープを得た。
1max＝８０°，α1 ＝１５°，ａ1 ＝４６０Å，θ2min
＝６５°，θ2max＝８７°，α2 ＝２１°，ａ2 ＝１７
００Åにした以外は実施例１に準じて行い、Ｈｉ８ＶＴ
Ｒ用磁気テープを得た。
【００３２】
【実施例８】実施例１において、θ1min＝３８°，θ
1max＝７０°，α1 ＝１８°，ａ1 ＝８３０Å，θ2min
＝３８°，θ2max＝８５°，α2 ＝２９°，ａ2 ＝１５
３０Åにした以外は実施例１に準じて行い、Ｈｉ８ＶＴ
Ｒ用磁気テープを得た。
1max＝７０°，α1 ＝１８°，ａ1 ＝８３０Å，θ2min
＝３８°，θ2max＝８５°，α2 ＝２９°，ａ2 ＝１５
３０Åにした以外は実施例１に準じて行い、Ｈｉ８ＶＴ
Ｒ用磁気テープを得た。
【００３３】
【比較例１】実施例１において、θ1min＝６０°，θ
1max＝８５°，α1 ＝２１°，ａ1 ＝９００Å，θ2min
＝６０°，θ2max＝８５°，α2 ＝２１°，ａ2 ＝９０
０Åにした以外は実施例１に準じて行い、Ｈｉ８ＶＴＲ
用磁気テープを得た。
1max＝８５°，α1 ＝２１°，ａ1 ＝９００Å，θ2min
＝６０°，θ2max＝８５°，α2 ＝２１°，ａ2 ＝９０
０Åにした以外は実施例１に準じて行い、Ｈｉ８ＶＴＲ
用磁気テープを得た。
【００３４】
【特性】上記各例で得た８ｍｍＶＴＲ用磁気テープにつ
いて、アドバンテスト社のＴＲ４１７１型スペクトルア
ナライザを用い、ＲＢＷ(Resolution Band Width) ＝１
０ｋＨｚ，ＶＢＷ(Video Band Width)＝３０ｋＨｚ，周
波数スパン＝０ＭＨｚ，スイープタイム＝４０ｍｓ，平
均回数＝１６回の条件で記録再生信号７ＭＨｚの出力波
形のエンベロープの測定を行い、モジュレーションを求
め、これによりヘッドタッチを調べたので、その結果を
表−１に示す。
いて、アドバンテスト社のＴＲ４１７１型スペクトルア
ナライザを用い、ＲＢＷ(Resolution Band Width) ＝１
０ｋＨｚ，ＶＢＷ(Video Band Width)＝３０ｋＨｚ，周
波数スパン＝０ＭＨｚ，スイープタイム＝４０ｍｓ，平
均回数＝１６回の条件で記録再生信号７ＭＨｚの出力波
形のエンベロープの測定を行い、モジュレーションを求
め、これによりヘッドタッチを調べたので、その結果を
表−１に示す。
【００３５】又、スチル耐久性（市販のＨｉ８ＶＴＲを
改造し、６０分間のスチル再生後の出力低下）、及び出
力についても調べたので、その結果を併せて表−１に示
す。 表−１ モジュレーション スチル耐久性 出力（ｄＢ） （％） （ｄＢ） １ＭＨｚ ７ＭＨｚ １５ＭＨｚ 実施例１ １．７ ０．２ ＋１．９ ＋１．３ ＋０．９ 実施例２ １．８ ０．４ ＋１．５ ＋０．９ ＋０．８ 実施例３ １．６ ０．２ ＋０．８ ＋１．２ ＋１．８ 実施例４ １．７ ０．３ ＋１．０ ＋１．０ ＋１．７ 実施例５ １．５ ０．１ ＋１．３ ＋０．８ ＋０．７ 実施例６ １．３ ０．４ ＋０．４ ＋０．９ ＋１．４ 実施例７ １．３ ０．３ ＋０．１ ＋１．２ ＋１．６ 実施例８ １．４ ０．３ ＋０．５ ＋１．３ ＋１．２ 比較例１ ４．８ １．８ ０ ０ ０ ＊出力は比較例１を基準（０ｄＢ） この結果から、本発明になるものは、モジュレーション
が小さく、ヘッドタッチが良く、そしてスチル耐久性に
優れていることが判る。
改造し、６０分間のスチル再生後の出力低下）、及び出
力についても調べたので、その結果を併せて表−１に示
す。 表−１ モジュレーション スチル耐久性 出力（ｄＢ） （％） （ｄＢ） １ＭＨｚ ７ＭＨｚ １５ＭＨｚ 実施例１ １．７ ０．２ ＋１．９ ＋１．３ ＋０．９ 実施例２ １．８ ０．４ ＋１．５ ＋０．９ ＋０．８ 実施例３ １．６ ０．２ ＋０．８ ＋１．２ ＋１．８ 実施例４ １．７ ０．３ ＋１．０ ＋１．０ ＋１．７ 実施例５ １．５ ０．１ ＋１．３ ＋０．８ ＋０．７ 実施例６ １．３ ０．４ ＋０．４ ＋０．９ ＋１．４ 実施例７ １．３ ０．３ ＋０．１ ＋１．２ ＋１．６ 実施例８ １．４ ０．３ ＋０．５ ＋１．３ ＋１．２ 比較例１ ４．８ １．８ ０ ０ ０ ＊出力は比較例１を基準（０ｄＢ） この結果から、本発明になるものは、モジュレーション
が小さく、ヘッドタッチが良く、そしてスチル耐久性に
優れていることが判る。
【００３６】
【発明の効果】カッピングが少なく、従ってヘッドタッ
チが良いものであり、記録再生特性に優れ、かつ、耐久
性にも優れた磁気記録媒体が得られる。
チが良いものであり、記録再生特性に優れ、かつ、耐久
性にも優れた磁気記録媒体が得られる。
【図１】本発明の磁気記録媒体製造装置の概略図
【図２】本発明の磁気記録媒体の概略断面図
１ 支持体 ２ａ 第１の金属磁性膜 ２ｂ 第２の金属磁性膜 θ1min，θ2min 最小入射角 θ1max，θ2max 最大入射角 α1 ，α2 磁性膜の成膜範囲のドラム角度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 修 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 宮村 猛史 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (10)
- 【請求項１】 支持体上に第１の磁性膜、この第１の磁
性膜上に第２の磁性膜が少なくとも設けられてなる磁気
記録媒体の製造方法であって、 下記の式（１）及び（２）を満たすよう前記磁性膜の成
膜時における付着粒子の入射角を制御してなることを特
徴とする磁気記録媒体の製造方法。 式（１） θ1min＝θ2min 但し、θ1minは第１の磁性膜の成膜時における付着粒子
の最小入射角 θ2minは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最小
入射角 式（２） θ1max≠θ2max 但し、θ1maxは第１の磁性膜の成膜時における付着粒子
の最大入射角 θ2maxは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最大
入射角 - 【請求項２】 支持体をドラムに沿って走行させ、前記
支持体上に第１の磁性膜、この第１の磁性膜上に第２の
磁性膜を少なくとも成膜する磁気記録媒体の製造方法で
あって、 下記の式（１）及び（３）を満たすよう前記磁性膜の成
膜時における付着粒子の入射角を制御してなることを特
徴とする磁気記録媒体の製造方法。 式（１） θ1min＝θ2min 但し、θ1minは第１の磁性膜の成膜時における付着粒子
の最小入射角 θ2minは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最小
入射角 式（３） α1 ≠α2 但し、α1 は第１の磁性膜の成膜範囲のドラム角度 α2 は第２の磁性膜の成膜範囲のドラム角度 - 【請求項３】 支持体をドラムに沿って走行させ、前記
支持体上に第１の磁性膜、この第１の磁性膜上に第２の
磁性膜を少なくとも成膜する磁気記録媒体の製造方法で
あって、 下記の式（１），（２）及び（３）を満たすよう前記磁
性膜の成膜時における付着粒子の入射角を制御してなる
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 式（１） θ1min＝θ2min 但し、θ1minは第１の磁性膜の成膜時における付着粒子
の最小入射角 θ2minは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最小
入射角 式（２） θ1max≠θ2max 但し、θ1maxは第１の磁性膜の成膜時における付着粒子
の最大入射角 θ2maxは第２の磁性膜の成膜時における付着粒子の最大
入射角 式（３） α1 ≠α2 但し、α1 は第１の磁性膜の成膜範囲のドラム角度 α2 は第２の磁性膜の成膜範囲のドラム角度 - 【請求項４】 θ1min＝θ2min，θ1min＝２０〜８０
°，θ2min＝２０〜８０°，θ1max＞θ2max，θ1max＝
６０〜９０°，θ2max＝５５〜８８°であるよう磁性膜
の成膜時における付着粒子の入射角を制御してなること
を特徴とする請求項１または請求項３の磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項５】 θ1min＝θ2min，θ1min＝２０〜８０
°，θ2min＝２０〜８０°，θ1max＜θ2max，θ1max＝
５５〜８８°，θ2max＝６０〜９０°であるよう磁性膜
の成膜時における付着粒子の入射角を制御してなること
を特徴とする請求項１または請求項３の磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項６】 θ1min＝θ2min，θ1min＝２０〜８０
°，θ2min＝２０〜８０°，α1 ＞α2 ，α1 ＝９〜５
６°，α2 ＝７〜５４°であるよう磁性膜の成膜時にお
ける付着粒子の入射角を制御してなることを特徴とする
請求項２または請求項３の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 θ1min＝θ2min，θ1min＝２０〜８０
°，θ2min＝２０〜８０°，α1 ＜α2 ，α1 ＝７〜５
４°，α2 ＝９〜５６°であるよう磁性膜の成膜時にお
ける付着粒子の入射角を制御してなることを特徴とする
請求項２または請求項３の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 第１の磁性膜の厚さａ1 と第２の磁性膜
の厚さａ2 とが下記の式（４）を満たすよう磁性膜が成
膜されることを特徴とする請求項１〜請求項７いずれか
の磁気記録媒体の製造方法。 式（４） ａ1 ＞ａ2 ａ1 ＝４００〜４５００Å ａ2 ＝３５０〜２０００Å - 【請求項９】 第１の磁性膜の厚さａ1 と第２の磁性膜
の厚さａ2 とが下記の式（５）を満たすよう磁性膜が成
膜されることを特徴とする請求項１〜請求項７いずれか
の磁気記録媒体の製造方法。 式（５） ａ1 ＜ａ2 ａ1 ＝３５０〜２０００Å ａ2 ＝４００〜４５００Å - 【請求項１０】 第１の磁性膜および第２の磁性膜は斜
め蒸着手段により成膜されることを特徴とする請求項１
〜請求項９いずれかの磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25422796A JPH10105964A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25422796A JPH10105964A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10105964A true JPH10105964A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17262036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25422796A Pending JPH10105964A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10105964A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2009041239A1 (ja) * | 2007-09-26 | 2011-01-20 | 国立大学法人北海道大学 | ニッケル薄膜およびその形成方法ならびに強磁性ナノ接合素子およびその製造方法ならびに金属細線およびその形成方法 |
| US8241699B2 (en) | 2007-03-09 | 2012-08-14 | Panasonic Corporation | Deposition apparatus and method for manufacturing film by using deposition apparatus |
-
1996
- 1996-09-26 JP JP25422796A patent/JPH10105964A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8241699B2 (en) | 2007-03-09 | 2012-08-14 | Panasonic Corporation | Deposition apparatus and method for manufacturing film by using deposition apparatus |
| JPWO2009041239A1 (ja) * | 2007-09-26 | 2011-01-20 | 国立大学法人北海道大学 | ニッケル薄膜およびその形成方法ならびに強磁性ナノ接合素子およびその製造方法ならびに金属細線およびその形成方法 |
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