JPH09293224A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH09293224A JPH09293224A JP10072596A JP10072596A JPH09293224A JP H09293224 A JPH09293224 A JP H09293224A JP 10072596 A JP10072596 A JP 10072596A JP 10072596 A JP10072596 A JP 10072596A JP H09293224 A JPH09293224 A JP H09293224A
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- Japan
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- film
- based metal
- metal magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高出力で低廉なコストの磁気記録媒体を提供
することである。 【解決手段】 支持体上にＣｏ系金属磁性膜が設けられ
てなる磁気記録媒体において、前記Ｃｏ系金属磁性膜の
下に六方晶形のｃ軸がＣｏ系金属磁性膜の面と平行な方
向に存在する膜が設けられてなる磁気記録媒体。
することである。 【解決手段】 支持体上にＣｏ系金属磁性膜が設けられ
てなる磁気記録媒体において、前記Ｃｏ系金属磁性膜の
下に六方晶形のｃ軸がＣｏ系金属磁性膜の面と平行な方
向に存在する膜が設けられてなる磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に関
する。
する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープなどの磁気
記録媒体においては、高密度記録化の要請から、支持体
上に設けられる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗
布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜
型のものが提案されている。すなわち、無電解メッキな
どの湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングあるい
はイオンプレーティングなどの乾式メッキ手段により磁
性層を形成した磁気記録媒体が提案されている。そし
て、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高く、
高密度記録に適したものである。
記録媒体においては、高密度記録化の要請から、支持体
上に設けられる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗
布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜
型のものが提案されている。すなわち、無電解メッキな
どの湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングあるい
はイオンプレーティングなどの乾式メッキ手段により磁
性層を形成した磁気記録媒体が提案されている。そし
て、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高く、
高密度記録に適したものである。
【０００３】尚、金属薄膜型磁気記録媒体は、成膜速度
の観点から、蒸着、特に斜め蒸着によって製造されてい
る。しかし、ＣｏあるいはＣｏ−Ｃｒ合金などのＣｏ系
金属を蒸発させ、支持体上に付着させるに際して、付着
するＣｏ系金属粒子の入射角度が低いと出力特性が低下
していることが判って来た。この為、入射角度が大きな
領域の粒子のみを堆積させることが考えられた。
の観点から、蒸着、特に斜め蒸着によって製造されてい
る。しかし、ＣｏあるいはＣｏ−Ｃｒ合金などのＣｏ系
金属を蒸発させ、支持体上に付着させるに際して、付着
するＣｏ系金属粒子の入射角度が低いと出力特性が低下
していることが判って来た。この為、入射角度が大きな
領域の粒子のみを堆積させることが考えられた。
【０００４】この入射角度が大きな領域の粒子のみを堆
積させる技術は、低入射角で飛散するＣｏ系金属粒子を
遮蔽板で遮ることによって実施できる。しかし、遮蔽板
で遮ることから、無駄になるＣｏ系金属材料が多くなる
のみでなく、成膜速度も低下し、コストが高いものに付
く。従って、本発明の課題は、高出力で低廉なコストの
磁気記録媒体を提供することである。
積させる技術は、低入射角で飛散するＣｏ系金属粒子を
遮蔽板で遮ることによって実施できる。しかし、遮蔽板
で遮ることから、無駄になるＣｏ系金属材料が多くなる
のみでなく、成膜速度も低下し、コストが高いものに付
く。従って、本発明の課題は、高出力で低廉なコストの
磁気記録媒体を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記本発明の課題は、支
持体上にＣｏ系金属磁性膜が設けられてなる磁気記録媒
体において、前記Ｃｏ系金属磁性膜の下に六方晶形のｃ
軸がＣｏ系金属磁性膜の面と平行な方向に存在する膜が
設けられてなることを特徴とする磁気記録媒体によって
解決される。
持体上にＣｏ系金属磁性膜が設けられてなる磁気記録媒
体において、前記Ｃｏ系金属磁性膜の下に六方晶形のｃ
軸がＣｏ系金属磁性膜の面と平行な方向に存在する膜が
設けられてなることを特徴とする磁気記録媒体によって
解決される。
【０００６】尚、Ｃｏ系金属磁性膜の下に設けられた六
方晶形のｃ軸がＣｏ系金属磁性膜の面と平行な方向に存
在する膜は、Ｃｒ系膜やＣｏ系膜で構成できる。Ｃｏ系
金属磁性膜の下に設けられた六方晶形のｃ軸がＣｏ系金
属磁性膜の面と平行な方向に存在する膜は５０〜５００
Å、特に１００〜３５０Å、更には２００〜３００Åの
厚さであるものが好ましい。これは、余りにも薄すぎる
と、下地膜としての効能が低下するからであり、逆に、
厚くし過ぎても、厚くしたことによる格別のメリットは
無いからである。
方晶形のｃ軸がＣｏ系金属磁性膜の面と平行な方向に存
在する膜は、Ｃｒ系膜やＣｏ系膜で構成できる。Ｃｏ系
金属磁性膜の下に設けられた六方晶形のｃ軸がＣｏ系金
属磁性膜の面と平行な方向に存在する膜は５０〜５００
Å、特に１００〜３５０Å、更には２００〜３００Åの
厚さであるものが好ましい。これは、余りにも薄すぎる
と、下地膜としての効能が低下するからであり、逆に、
厚くし過ぎても、厚くしたことによる格別のメリットは
無いからである。
【０００７】尚、Ｃｏ系金属磁性膜は７００〜２５００
Åの厚さである。そして、上記のように構成させた本発
明の磁気記録媒体は、Ｃｏ系金属磁性膜の下地膜として
六方晶形のｃ軸がＣｏ系金属磁性膜の面と平行な方向に
存在する膜（Ｃｒ系膜やＣｏ系膜）を設けているから、
Ｃｏ系金属磁性膜を斜め蒸着によって成膜するに際し
て、Ｃｏ系金属粒子の付着時の入射角が低くても、下地
膜の影響を受けて斜めに成長するようになり、従って広
い領域にわたって付着させることが出来る。よって、無
駄になるＣｏ系金属材料が少なくなり、成膜速度も向上
し、コストが低廉なものになる。かつ、出力も向上す
る。
Åの厚さである。そして、上記のように構成させた本発
明の磁気記録媒体は、Ｃｏ系金属磁性膜の下地膜として
六方晶形のｃ軸がＣｏ系金属磁性膜の面と平行な方向に
存在する膜（Ｃｒ系膜やＣｏ系膜）を設けているから、
Ｃｏ系金属磁性膜を斜め蒸着によって成膜するに際し
て、Ｃｏ系金属粒子の付着時の入射角が低くても、下地
膜の影響を受けて斜めに成長するようになり、従って広
い領域にわたって付着させることが出来る。よって、無
駄になるＣｏ系金属材料が少なくなり、成膜速度も向上
し、コストが低廉なものになる。かつ、出力も向上す
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、支持体
上にＣｏ系金属磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体に
おいて、前記Ｃｏ系金属磁性膜の下に六方晶形のｃ軸が
Ｃｏ系金属磁性膜の面と平行な方向に存在する膜が設け
られてなる。尚、Ｃｏ系金属磁性膜の下に設けられた六
方晶形のｃ軸がＣｏ系金属磁性膜の面と平行な方向に存
在する膜は、Ｃｒ，Ｃｒ合金などのＣｒ系膜や、Ｃｏ，
Ｃｏ−Ｎｉ合金などのＣｏ系膜からなる。尚、Ｃｏ系膜
で構成する場合には、入射角が９０°付近、例えば最小
入射角が８５°程度であるようにＣｏ系粒子を蒸着させ
る。Ｃｏ系金属磁性膜の下に設けられた六方晶形のｃ軸
がＣｏ系金属磁性膜の面と平行な方向に存在する膜は５
０〜５００Å（特に１００〜３５０Å、更には２００〜
３００Å）の厚さである。Ｃｏ系金属磁性膜は７００〜
２５００Å（特に８００〜２４００Å）の厚さである。
上にＣｏ系金属磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体に
おいて、前記Ｃｏ系金属磁性膜の下に六方晶形のｃ軸が
Ｃｏ系金属磁性膜の面と平行な方向に存在する膜が設け
られてなる。尚、Ｃｏ系金属磁性膜の下に設けられた六
方晶形のｃ軸がＣｏ系金属磁性膜の面と平行な方向に存
在する膜は、Ｃｒ，Ｃｒ合金などのＣｒ系膜や、Ｃｏ，
Ｃｏ−Ｎｉ合金などのＣｏ系膜からなる。尚、Ｃｏ系膜
で構成する場合には、入射角が９０°付近、例えば最小
入射角が８５°程度であるようにＣｏ系粒子を蒸着させ
る。Ｃｏ系金属磁性膜の下に設けられた六方晶形のｃ軸
がＣｏ系金属磁性膜の面と平行な方向に存在する膜は５
０〜５００Å（特に１００〜３５０Å、更には２００〜
３００Å）の厚さである。Ｃｏ系金属磁性膜は７００〜
２５００Å（特に８００〜２４００Å）の厚さである。
【０００９】以下、更に詳しく説明する。図１は、本発
明に係る磁気記録媒体の概略図である。本発明における
磁気記録媒体の支持体１としては、磁性を有するもので
も、非磁性のものでも良い。代表的なものとして、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリシクロヘ
キシレンジメチレンテレフタレート、ポリエチレンビス
フェノキシカルボキシレート等のポリエステル類、ポリ
エチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セル
ロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプ
ロピオネート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリアミド、ポ
リカーボネート等の非磁性のプラスチック材料が挙げら
れる。勿論、これらに限定されるものではない。又、各
種の処理が行われることが有る。例えば、コロナ放電、
あるいはその他適宜な手段による表面処理がなされる。
又、接着性向上の為のポリエステルやポリウレタンある
いはオリゴマー等が塗布されても良い。
明に係る磁気記録媒体の概略図である。本発明における
磁気記録媒体の支持体１としては、磁性を有するもので
も、非磁性のものでも良い。代表的なものとして、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリシクロヘ
キシレンジメチレンテレフタレート、ポリエチレンビス
フェノキシカルボキシレート等のポリエステル類、ポリ
エチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セル
ロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプ
ロピオネート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリアミド、ポ
リカーボネート等の非磁性のプラスチック材料が挙げら
れる。勿論、これらに限定されるものではない。又、各
種の処理が行われることが有る。例えば、コロナ放電、
あるいはその他適宜な手段による表面処理がなされる。
又、接着性向上の為のポリエステルやポリウレタンある
いはオリゴマー等が塗布されても良い。
【００１０】この支持体１上に、金属薄膜型のＣｏ系金
属磁性膜３が一層以上設けられている。Ｃｏ系金属磁性
膜３を構成する材料としては、Ｃｏの他に、Ｃｏ−Ｎｉ
合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−
Ｃｒ合金等が用いられる。尚、金属磁性膜としては、前
記材料の酸化膜等も挙げられる。Ｃｏ系金属磁性膜３が
設けられる前に、Ｃｏ系金属磁性膜３（及び／又は支持
体１）の面と平行な方向に六方晶形のｃ軸が存在する膜
２が設けられている。すなわち、支持体１上には、Ｃ
ｒ，Ｃｒ合金などのＣｒ系膜や、Ｃｏ，Ｃｏ−Ｎｉ合金
などのＣｏ系膜からなる六方晶形のｃ軸がほぼ水平方向
に存在する膜２が設けられている。
属磁性膜３が一層以上設けられている。Ｃｏ系金属磁性
膜３を構成する材料としては、Ｃｏの他に、Ｃｏ−Ｎｉ
合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−
Ｃｒ合金等が用いられる。尚、金属磁性膜としては、前
記材料の酸化膜等も挙げられる。Ｃｏ系金属磁性膜３が
設けられる前に、Ｃｏ系金属磁性膜３（及び／又は支持
体１）の面と平行な方向に六方晶形のｃ軸が存在する膜
２が設けられている。すなわち、支持体１上には、Ｃ
ｒ，Ｃｒ合金などのＣｒ系膜や、Ｃｏ，Ｃｏ−Ｎｉ合金
などのＣｏ系膜からなる六方晶形のｃ軸がほぼ水平方向
に存在する膜２が設けられている。
【００１１】上記膜２やＣｏ系金属磁性膜３は、図２に
示す斜め蒸着装置を用いて成膜することが出来る。尚、
図２中、１１ａは支持体１の供給側ロール、１１ｂは支
持体１の巻取側ロール、１２は冷却キャンロール、１３
はルツボ、１４はルツボ１３に充填された膜２の構成材
料、１５は電子銃、１６はルツボ、１７はルツボ１６に
充填されたＣｏ系金属磁性膜３の構成材料、１８は電子
銃、１９は遮蔽板、２０は酸素ガス導入ノズルである。
そして、先ず、供給側ロール１１ａから巻取側ロール１
１ｂに向かって走行する支持体１に対して、ルツボ１３
から粒子が蒸着させられ、支持体１の面と平行な方向に
六方晶形のｃ軸が存在する膜２が設けられる。尚、Ｃｏ
系膜によって膜２を構成する場合には、入射角が９０°
付近、例えば最小入射角が８５°程度であるようにす
る。膜２が設けられた支持体１に対して、ルツボ１６か
らＣｏ系粒子が２０°（最小入射角）から９０°（最大
入射角）の領域において蒸着させられ、膜２上にＣｏ系
金属磁性膜３が設けられる。従って、このようにして得
られたＣｏ系金属磁性膜３は、膜（下地膜）２の作用に
よってＣｏ系粒子の入射角が低くても、斜めに成長す
る。
示す斜め蒸着装置を用いて成膜することが出来る。尚、
図２中、１１ａは支持体１の供給側ロール、１１ｂは支
持体１の巻取側ロール、１２は冷却キャンロール、１３
はルツボ、１４はルツボ１３に充填された膜２の構成材
料、１５は電子銃、１６はルツボ、１７はルツボ１６に
充填されたＣｏ系金属磁性膜３の構成材料、１８は電子
銃、１９は遮蔽板、２０は酸素ガス導入ノズルである。
そして、先ず、供給側ロール１１ａから巻取側ロール１
１ｂに向かって走行する支持体１に対して、ルツボ１３
から粒子が蒸着させられ、支持体１の面と平行な方向に
六方晶形のｃ軸が存在する膜２が設けられる。尚、Ｃｏ
系膜によって膜２を構成する場合には、入射角が９０°
付近、例えば最小入射角が８５°程度であるようにす
る。膜２が設けられた支持体１に対して、ルツボ１６か
らＣｏ系粒子が２０°（最小入射角）から９０°（最大
入射角）の領域において蒸着させられ、膜２上にＣｏ系
金属磁性膜３が設けられる。従って、このようにして得
られたＣｏ系金属磁性膜３は、膜（下地膜）２の作用に
よってＣｏ系粒子の入射角が低くても、斜めに成長す
る。
【００１２】Ｃｏ系金属磁性膜３の上には保護膜４が設
けられる。この保護膜４を構成する材料として、例えば
Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ
等の金属の酸化物、窒化物、炭化物あるいはダイヤモン
ドライクカーボンやボロンナイトライド等が用いられ
る。成膜方法としてＣＶＤ（ケミカルベーパーデポジシ
ョン）やＰＶＤが用いられる。保護膜の厚さは１０〜５
００Å、特に３０〜２００Å程度である。
けられる。この保護膜４を構成する材料として、例えば
Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ
等の金属の酸化物、窒化物、炭化物あるいはダイヤモン
ドライクカーボンやボロンナイトライド等が用いられ
る。成膜方法としてＣＶＤ（ケミカルベーパーデポジシ
ョン）やＰＶＤが用いられる。保護膜の厚さは１０〜５
００Å、特に３０〜２００Å程度である。
【００１３】保護膜４の上には潤滑剤の膜５が設けられ
る。例えば、フッ素系潤滑剤の膜が浸漬あるいは超音波
噴霧などの手段により２０〜７０Å程度の厚さ設けられ
る。潤滑剤としては、例えば-(C(R)F-CF2-O)p - （但
し、ＲはＦ，ＣＦ3 ，ＣＨ3 などの基）、特にHOOC-CF2
(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -C
F2CF2COOH と言ったようなカルボキシル基変性パーフロ
オロポリエーテル、HOCH 2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OC
F2-CH2OH，HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF 2) q -
OCH2-(OCH2CH2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH
と言ったようなアルコール変性パーフロオロポリエーテ
ル、又、分子の一方に、又は、一部にアルキル基などの
飽和炭化水素基、あるいは不飽和炭化水素基、若しくは
芳香族炭化水素基、その他の官能基が付いたもの等が挙
げられる。具体的には、モンテカチーニ社のＦＯＭＢＬ
ＩＮ Ｚ ＤＩＡＣやＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダ
イキン工業社のデムナムＳＡ等がある。
る。例えば、フッ素系潤滑剤の膜が浸漬あるいは超音波
噴霧などの手段により２０〜７０Å程度の厚さ設けられ
る。潤滑剤としては、例えば-(C(R)F-CF2-O)p - （但
し、ＲはＦ，ＣＦ3 ，ＣＨ3 などの基）、特にHOOC-CF2
(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -C
F2CF2COOH と言ったようなカルボキシル基変性パーフロ
オロポリエーテル、HOCH 2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OC
F2-CH2OH，HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF 2) q -
OCH2-(OCH2CH2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH
と言ったようなアルコール変性パーフロオロポリエーテ
ル、又、分子の一方に、又は、一部にアルキル基などの
飽和炭化水素基、あるいは不飽和炭化水素基、若しくは
芳香族炭化水素基、その他の官能基が付いたもの等が挙
げられる。具体的には、モンテカチーニ社のＦＯＭＢＬ
ＩＮ Ｚ ＤＩＡＣやＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダ
イキン工業社のデムナムＳＡ等がある。
【００１４】支持体１の他面側にはバックコート膜６が
設けられる。バックコート膜を塗布により構成する場合
は、粒径１０〜１００ｎｍのカーボンブラックを塩ビ
系、ウレタン系等のバインダ樹脂中に分散させ、グラビ
ア方式、リバース方式あるいはダイ塗工方式等で乾燥後
の厚さが０．４〜１μｍとなるよう塗布する。バックコ
ート膜を蒸着などのＰＶＤ手段で構成する場合は、Ａｌ
−Ｃｕ合金などの金属材料を蒸発源に置き、蒸発金属粒
子を０．０５〜１μｍの厚さ堆積させる。そして、この
ようなバックコート膜の上には、走行性や耐久性を向上
させる為に、トップコート層を設けても良い。
設けられる。バックコート膜を塗布により構成する場合
は、粒径１０〜１００ｎｍのカーボンブラックを塩ビ
系、ウレタン系等のバインダ樹脂中に分散させ、グラビ
ア方式、リバース方式あるいはダイ塗工方式等で乾燥後
の厚さが０．４〜１μｍとなるよう塗布する。バックコ
ート膜を蒸着などのＰＶＤ手段で構成する場合は、Ａｌ
−Ｃｕ合金などの金属材料を蒸発源に置き、蒸発金属粒
子を０．０５〜１μｍの厚さ堆積させる。そして、この
ようなバックコート膜の上には、走行性や耐久性を向上
させる為に、トップコート層を設けても良い。
【００１５】
【実施例１】図２の装置を用い、１５ｍ／ｍｉｎの速度
で走行する６．３μｍ厚さのＰＥＴフィルム１上に、先
ず、ルツボ１３からＣｒ粒子を蒸着させ、支持体１の面
と平行な方向に六方晶形のｃ軸が存在するＣｒ膜２を２
５０Å厚設け、引き続き、次の段階で、Ｃｒ膜２上に、
ルツボ１６からＣｏ粒子を２０°（最小入射角）から９
０°（最大入射角）の領域において酸素ガスを導入（真
空度が２．０×１０-5Ｔｏｒｒとなるよう酸素ガスを導
入）しながら蒸着させ、Ｃｒ膜２上にＣｏ金属磁性膜３
を１５００Å厚設けた。
で走行する６．３μｍ厚さのＰＥＴフィルム１上に、先
ず、ルツボ１３からＣｒ粒子を蒸着させ、支持体１の面
と平行な方向に六方晶形のｃ軸が存在するＣｒ膜２を２
５０Å厚設け、引き続き、次の段階で、Ｃｒ膜２上に、
ルツボ１６からＣｏ粒子を２０°（最小入射角）から９
０°（最大入射角）の領域において酸素ガスを導入（真
空度が２．０×１０-5Ｔｏｒｒとなるよう酸素ガスを導
入）しながら蒸着させ、Ｃｒ膜２上にＣｏ金属磁性膜３
を１５００Å厚設けた。
【００１６】この後、Ｃｏ金属磁性膜３上に、ベンゼン
を原料としてＥＣＲ−ＣＶＤにより１００Å厚のダイヤ
モンドライクカーボン膜（保護膜）４を設け、更にこの
上に潤滑剤（ＦＯＭＢＬＩＮ ＡＭ２００１ アウジモ
ント社製）膜５を２０Å厚設けた。又、０．５μｍ厚の
バックコート膜６を設けた。
を原料としてＥＣＲ−ＣＶＤにより１００Å厚のダイヤ
モンドライクカーボン膜（保護膜）４を設け、更にこの
上に潤滑剤（ＦＯＭＢＬＩＮ ＡＭ２００１ アウジモ
ント社製）膜５を２０Å厚設けた。又、０．５μｍ厚の
バックコート膜６を設けた。
【００１７】
【実施例２】図２の装置を用い、１５ｍ／ｍｉｎの速度
で走行する６．３μｍ厚さのＰＥＴフィルム１上に、先
ず、ルツボ１３からＣｏ粒子を８５°（最小入射角）か
ら９０°（最大入射角）の領域において蒸着させ、支持
体１の面と平行な方向に六方晶形のｃ軸が存在するＣｏ
膜２を２００Å厚設け、引き続き、次の段階で、Ｃｏ膜
２上に、ルツボ１６からＣｏ粒子を２０°（最小入射
角）から９０°（最大入射角）の領域において酸素ガス
を導入（真空度が２．０×１０-5Ｔｏｒｒとなるよう酸
素ガスを導入）しながら蒸着させ、六方晶形のｃ軸が支
持体１の面と平行な方向に存在するＣｏ膜２上にＣｏ金
属磁性膜３を１５００Å厚設けた。
で走行する６．３μｍ厚さのＰＥＴフィルム１上に、先
ず、ルツボ１３からＣｏ粒子を８５°（最小入射角）か
ら９０°（最大入射角）の領域において蒸着させ、支持
体１の面と平行な方向に六方晶形のｃ軸が存在するＣｏ
膜２を２００Å厚設け、引き続き、次の段階で、Ｃｏ膜
２上に、ルツボ１６からＣｏ粒子を２０°（最小入射
角）から９０°（最大入射角）の領域において酸素ガス
を導入（真空度が２．０×１０-5Ｔｏｒｒとなるよう酸
素ガスを導入）しながら蒸着させ、六方晶形のｃ軸が支
持体１の面と平行な方向に存在するＣｏ膜２上にＣｏ金
属磁性膜３を１５００Å厚設けた。
【００１８】この後、Ｃｏ金属磁性膜３上に、ベンゼン
を原料としてＥＣＲ−ＣＶＤにより１００Å厚のダイヤ
モンドライクカーボン膜（保護膜）４を設け、更にこの
上に潤滑剤（ＦＯＭＢＬＩＮ ＡＭ２００１ アウジモ
ント社製）膜５を２０Å厚設けた。又、０．５μｍ厚の
バックコート膜６を設けた。
を原料としてＥＣＲ−ＣＶＤにより１００Å厚のダイヤ
モンドライクカーボン膜（保護膜）４を設け、更にこの
上に潤滑剤（ＦＯＭＢＬＩＮ ＡＭ２００１ アウジモ
ント社製）膜５を２０Å厚設けた。又、０．５μｍ厚の
バックコート膜６を設けた。
【００１９】
【比較例１】実施例１において、ルツボ１３からＣｒ粒
子を蒸着させず、支持体１上に直接Ｃｏ金属磁性膜３を
１５００Å厚設けた以外は実施例１に準じて行った。
子を蒸着させず、支持体１上に直接Ｃｏ金属磁性膜３を
１５００Å厚設けた以外は実施例１に準じて行った。
【００２０】
【比較例２】比較例１において、ＰＥＴフィルム１の走
行速度を３．０ｍ／ｍｉｎとし、Ｃｏ粒子を６０°（最
小入射角）から９０°（最大入射角）の領域において酸
素ガスを導入しながら蒸着させた以外は比較例１に準じ
て行った。
行速度を３．０ｍ／ｍｉｎとし、Ｃｏ粒子を６０°（最
小入射角）から９０°（最大入射角）の領域において酸
素ガスを導入しながら蒸着させた以外は比較例１に準じ
て行った。
【００２１】
【特性】上記各例で得た８ｍｍＶＴＲ用磁気テープにつ
いて、磁気特性（保磁力Ｈｃ，飽和磁束密度Ｂｓ）や出
力特性（１ＭＨｚ，７ＭＨｚ，１５ＭＨｚでの出力）を
調べたので、その結果を表−１に示す。 表−１ 磁 気 特 性 出 力 特 性 Ｈｃ(Oe) Ｂｓ(G) 1MHz 7MHz 15MHz 実施例１ １４８０ ５４００ +9.8 +11.2 +12.8 実施例２ １５５０ ５８００ +10.1 +12.2 +12.5 比較例１ ９８０ ４２００ ０ ０ ０ 比較例２ １５４０ ５８１０ +7.8 +8.5 +9.3 この結果から、本発明になるものは、高い出力が得られ
ている。
いて、磁気特性（保磁力Ｈｃ，飽和磁束密度Ｂｓ）や出
力特性（１ＭＨｚ，７ＭＨｚ，１５ＭＨｚでの出力）を
調べたので、その結果を表−１に示す。 表−１ 磁 気 特 性 出 力 特 性 Ｈｃ(Oe) Ｂｓ(G) 1MHz 7MHz 15MHz 実施例１ １４８０ ５４００ +9.8 +11.2 +12.8 実施例２ １５５０ ５８００ +10.1 +12.2 +12.5 比較例１ ９８０ ４２００ ０ ０ ０ 比較例２ １５４０ ５８１０ +7.8 +8.5 +9.3 この結果から、本発明になるものは、高い出力が得られ
ている。
【００２２】又、２０°（最小入射角）から９０°（最
大入射角）の領域においてＣｏ系金属粒子を蒸着させて
いるから、磁性膜の成膜効率が高く、そして無駄になる
Ｃｏ系金属材料が少なくなり、コストが低廉である。
大入射角）の領域においてＣｏ系金属粒子を蒸着させて
いるから、磁性膜の成膜効率が高く、そして無駄になる
Ｃｏ系金属材料が少なくなり、コストが低廉である。
【００２３】
【発明の効果】出力が高いものが得られ、かつ、広い範
囲にわたってＣｏ系金属粒子を蒸着させているから、磁
性膜の成膜効率が高く、そして無駄になるＣｏ系金属材
料が少なくなり、コストが低廉である。
囲にわたってＣｏ系金属粒子を蒸着させているから、磁
性膜の成膜効率が高く、そして無駄になるＣｏ系金属材
料が少なくなり、コストが低廉である。
【図１】本発明の磁気記録媒体の概略図
【図２】本発明の磁気記録媒体の製造装置の概略図
１ 支持体 ２ 膜 ３ Ｃｏ系金属磁性膜 ４ 保護膜 ５ 潤滑剤の膜
フロントページの続き (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 支持体上にＣｏ系金属磁性膜が設けられ
てなる磁気記録媒体において、 前記Ｃｏ系金属磁性膜の下に六方晶形のｃ軸がＣｏ系金
属磁性膜の面と平行な方向に存在する膜が設けられてな
ることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 Ｃｏ系金属磁性膜の下に設けられた六方
晶形のｃ軸がＣｏ系金属磁性膜の面と平行な方向に存在
する膜が、Ｃｒ系膜からなることを特徴とする請求項１
の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 Ｃｏ系金属磁性膜の下に設けられた六方
晶形のｃ軸がＣｏ系金属磁性膜の面と平行な方向に存在
する膜が、Ｃｏ系膜からなることを特徴とする請求項１
の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 Ｃｏ系金属磁性膜の下に設けられた六方
晶形のｃ軸がＣｏ系金属磁性膜の面と平行な方向に存在
する膜が５０〜５００Åの厚さであることを特徴とする
請求項１〜請求項３いずれかの磁気記録媒体。 - 【請求項５】 Ｃｏ系金属磁性膜が７００〜２５００Å
の厚さであることを特徴とする請求項１〜請求項４いず
れかの磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10072596A JPH09293224A (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10072596A JPH09293224A (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293224A true JPH09293224A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=14281606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10072596A Pending JPH09293224A (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09293224A (ja) |
-
1996
- 1996-04-23 JP JP10072596A patent/JPH09293224A/ja active Pending
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