JPH033369B2 - - Google Patents
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- JPH033369B2 JPH033369B2 JP56110359A JP11035981A JPH033369B2 JP H033369 B2 JPH033369 B2 JP H033369B2 JP 56110359 A JP56110359 A JP 56110359A JP 11035981 A JP11035981 A JP 11035981A JP H033369 B2 JPH033369 B2 JP H033369B2
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- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
本発明は非磁性基体上に磁性金属薄膜を被着形
成してなる所謂薄膜磁気媒体の製法に関する。 この種の薄膜磁気媒体の製造に於ては、非磁性
基体に対して斜め方向より磁性金属材（合金も含
む）を蒸着して、抗磁力HCを高めるようにした
製法が提案されている。この場合斜め蒸着時にお
ける蒸発物質（いわゆる磁性金属の蒸着ビーム）
の非磁性基体への入射角θが大きな程長手方向
（テープ走行方向）に異方性が増して抗磁力HCが
高くなるが、しかし、蒸着効率が落ちるという欠
点がある。一方、斯る斜め蒸着法において、その
真空槽内に酸素ガスを導入する方法があり、例え
ば５×10-4torr程度の酸素ガスを含んだ雰囲気
で、斜め蒸着すると抗磁力HCが更に向上する。
この酸素導入の斜め蒸着法によれば同等の抗磁力
HCとした場合、上記蒸着ビームの入射角θが小
さくて済み、その分蒸着効率の向上が図られる利
点がある。しかし、従来のこの種の斜め蒸着装置
に於ては、酸素ガスを単に真空槽内に導入するだ
けであるため大量の酸素を消費し、且つ蒸発物質
の回り込みによるメタル・ブラツクの発生即ち蒸
発金属の酸化物が煤となつて真空槽内に付着する
等の欠点があつた。 本発明は、上記従来の欠点を改善した薄膜磁気
媒体の製法を提供するものである。 本発明は、非磁性基体上に気相メツキ即ち例え
ば斜め蒸着法によつて磁性金属薄膜（合金も含
む）を被着してなる薄膜磁気媒体の製造に当り、
その気相メツキ中（即ち蒸着中）に真空槽内に於
てイオン化されある程度の指向性を有した酸素を
磁性金属薄膜形成面（所謂蒸着面）に部分的に導
入して磁性金属薄膜を形成するようになす。かか
る製法によれば、酸素の消費が少く、また蒸発物
質の回り込みによるメタル・ブラツクの発生が少
量に抑えられることにより真空槽内の煤の付着が
回避され、さらにより高い磁気特性（抗磁力HC
及び残留磁束密度Br）及び付着強度を有した磁
性金属薄膜を形成することができる。 以下、本発明の実施例について説明する。 図は本実施例に使用する蒸着装置である。同図
中、１は真空槽、２は槽１内に配された回転円筒
キヤンを示し、非磁性基体（例えばポリエチレン
テレフタレートフイルム）３が供給手段４より回
転円筒キヤン２の外周を繞つて矢印方向に走行し
巻取手段５に巻取られるようになされる。６はる
つぼ７内に収納された蒸着源（例えばCo−Ni合
金）で、電子銃８からの電子ビーム９による加熱
で蒸発し、その金属蒸気（所謂蒸着ビーム）１０
がシヤツター１１を介して走行する非磁性基体３
の限定された蒸着面１２上に所要の入射角θをも
つて斜め蒸着される。一方、イオンガン１３が配
され、これより蒸着面１２に酸素イオン１４が導
入される。このイオンガン１３はガス導入管のま
わりに高周波コイルが配され高周波を印加するこ
とによりガスをイオン化し、このようにイオン化
したガスを加速するガンによつて構成されてい
る。又、１５は蒸着面１２に同時に電子ビーム１
６を照射して酸素イオンの電荷を中和するための
電子ガンである。 実施例 １ 図示の装置を用い、回転円筒キヤン２のまわり
にポリエチレンテレフタレートフイルム３を走行
させてシヤツター１１で不要部を遮蔽し斜め蒸着
法により、Co−Ni合金（Ni20原子％）６を電子
ビーム加熱しポリエチレンテレフタレートフイル
ム３上に膜厚が1000Åになるように蒸着した。こ
のとき蒸着面には図のイオンガン１３により酸素
イオン（O2 +）１４が0.35mA／cm2の割合で加速
電圧3kVで導入された。又このとき蒸着面には同
時に電子ビーム１６も照射され酸素イオン１４の
電荷を中和する様にしてある。この時の真空槽１
の背圧（真空蒸着面近傍以外の圧力）は７×
10-5torrであつた。 従来例 １ イオンガン１３で酸素（O2）を導入せずに５
×10-4torrの酸素雰囲気下で、同様に回転円筒キ
ヤン２のまわりにポリエチレンテレフタレートフ
イルム３を走行させて斜め蒸着法によりCo−Ni
合金（Ni20原子％）６を電子ビーム加熱しポリ
エチレンテレフタレートフイルム３上に膜厚1000
Åになるように蒸着した。 上記実施例１及び従来例１の夫々の残留磁束密
度（Br）、抗磁力HC、蒸着膜の付着強度、ドロツ
プアウトの各測定結果を下記表に示す。但し、ド
ロツプアウトはソニー製家庭用VTRで再生して
１／４Ｈ以上にわたつて信号が10dB以上劣化したも
のの毎分の個数で示す。
成してなる所謂薄膜磁気媒体の製法に関する。 この種の薄膜磁気媒体の製造に於ては、非磁性
基体に対して斜め方向より磁性金属材（合金も含
む）を蒸着して、抗磁力HCを高めるようにした
製法が提案されている。この場合斜め蒸着時にお
ける蒸発物質（いわゆる磁性金属の蒸着ビーム）
の非磁性基体への入射角θが大きな程長手方向
（テープ走行方向）に異方性が増して抗磁力HCが
高くなるが、しかし、蒸着効率が落ちるという欠
点がある。一方、斯る斜め蒸着法において、その
真空槽内に酸素ガスを導入する方法があり、例え
ば５×10-4torr程度の酸素ガスを含んだ雰囲気
で、斜め蒸着すると抗磁力HCが更に向上する。
この酸素導入の斜め蒸着法によれば同等の抗磁力
HCとした場合、上記蒸着ビームの入射角θが小
さくて済み、その分蒸着効率の向上が図られる利
点がある。しかし、従来のこの種の斜め蒸着装置
に於ては、酸素ガスを単に真空槽内に導入するだ
けであるため大量の酸素を消費し、且つ蒸発物質
の回り込みによるメタル・ブラツクの発生即ち蒸
発金属の酸化物が煤となつて真空槽内に付着する
等の欠点があつた。 本発明は、上記従来の欠点を改善した薄膜磁気
媒体の製法を提供するものである。 本発明は、非磁性基体上に気相メツキ即ち例え
ば斜め蒸着法によつて磁性金属薄膜（合金も含
む）を被着してなる薄膜磁気媒体の製造に当り、
その気相メツキ中（即ち蒸着中）に真空槽内に於
てイオン化されある程度の指向性を有した酸素を
磁性金属薄膜形成面（所謂蒸着面）に部分的に導
入して磁性金属薄膜を形成するようになす。かか
る製法によれば、酸素の消費が少く、また蒸発物
質の回り込みによるメタル・ブラツクの発生が少
量に抑えられることにより真空槽内の煤の付着が
回避され、さらにより高い磁気特性（抗磁力HC
及び残留磁束密度Br）及び付着強度を有した磁
性金属薄膜を形成することができる。 以下、本発明の実施例について説明する。 図は本実施例に使用する蒸着装置である。同図
中、１は真空槽、２は槽１内に配された回転円筒
キヤンを示し、非磁性基体（例えばポリエチレン
テレフタレートフイルム）３が供給手段４より回
転円筒キヤン２の外周を繞つて矢印方向に走行し
巻取手段５に巻取られるようになされる。６はる
つぼ７内に収納された蒸着源（例えばCo−Ni合
金）で、電子銃８からの電子ビーム９による加熱
で蒸発し、その金属蒸気（所謂蒸着ビーム）１０
がシヤツター１１を介して走行する非磁性基体３
の限定された蒸着面１２上に所要の入射角θをも
つて斜め蒸着される。一方、イオンガン１３が配
され、これより蒸着面１２に酸素イオン１４が導
入される。このイオンガン１３はガス導入管のま
わりに高周波コイルが配され高周波を印加するこ
とによりガスをイオン化し、このようにイオン化
したガスを加速するガンによつて構成されてい
る。又、１５は蒸着面１２に同時に電子ビーム１
６を照射して酸素イオンの電荷を中和するための
電子ガンである。 実施例 １ 図示の装置を用い、回転円筒キヤン２のまわり
にポリエチレンテレフタレートフイルム３を走行
させてシヤツター１１で不要部を遮蔽し斜め蒸着
法により、Co−Ni合金（Ni20原子％）６を電子
ビーム加熱しポリエチレンテレフタレートフイル
ム３上に膜厚が1000Åになるように蒸着した。こ
のとき蒸着面には図のイオンガン１３により酸素
イオン（O2 +）１４が0.35mA／cm2の割合で加速
電圧3kVで導入された。又このとき蒸着面には同
時に電子ビーム１６も照射され酸素イオン１４の
電荷を中和する様にしてある。この時の真空槽１
の背圧（真空蒸着面近傍以外の圧力）は７×
10-5torrであつた。 従来例 １ イオンガン１３で酸素（O2）を導入せずに５
×10-4torrの酸素雰囲気下で、同様に回転円筒キ
ヤン２のまわりにポリエチレンテレフタレートフ
イルム３を走行させて斜め蒸着法によりCo−Ni
合金（Ni20原子％）６を電子ビーム加熱しポリ
エチレンテレフタレートフイルム３上に膜厚1000
Åになるように蒸着した。 上記実施例１及び従来例１の夫々の残留磁束密
度（Br）、抗磁力HC、蒸着膜の付着強度、ドロツ
プアウトの各測定結果を下記表に示す。但し、ド
ロツプアウトはソニー製家庭用VTRで再生して
１／４Ｈ以上にわたつて信号が10dB以上劣化したも
のの毎分の個数で示す。
【表】
このように本発明によれば、酸素ガスをイオン
源を通してイオン化し、ある程度の指向性をもつ
た酸素ガスを部分的に蒸着面に導入せしめた結
果、蒸発物質の回り込みが少なくなりメタル・ブ
ラツクの発生を可及的に小ならしめることが出来
る。しかも酸素ガスのイオン化及び運動エネルギ
ーの為、蒸発物質との反応が活性化され抗磁力
HCが大きくなり、又蒸着膜密度も高くなつた結
果、高い磁束密度Brと付着強度をもつた磁性金
属薄膜が得られるものであり、依つて優れた薄膜
磁気媒体が提供できる。
源を通してイオン化し、ある程度の指向性をもつ
た酸素ガスを部分的に蒸着面に導入せしめた結
果、蒸発物質の回り込みが少なくなりメタル・ブ
ラツクの発生を可及的に小ならしめることが出来
る。しかも酸素ガスのイオン化及び運動エネルギ
ーの為、蒸発物質との反応が活性化され抗磁力
HCが大きくなり、又蒸着膜密度も高くなつた結
果、高い磁束密度Brと付着強度をもつた磁性金
属薄膜が得られるものであり、依つて優れた薄膜
磁気媒体が提供できる。
図は本発明に使用される蒸着装置の例を示す配
置図である。 １は真空槽、２は回転円筒キヤン、３は非磁性
基体、６は蒸着源、１３はイオンガンである。
置図である。 １は真空槽、２は回転円筒キヤン、３は非磁性
基体、６は蒸着源、１３はイオンガンである。
Claims (1)
- １ 気相メツキにより金属薄膜磁気媒体を製造す
る方法において、上記気相メツキ中に薄膜形成面
にイオン化された酸素を導入して磁性金属薄膜を
形成することを特徴とする薄膜磁気媒体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11035981A JPS5812317A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 薄膜磁気媒体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11035981A JPS5812317A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 薄膜磁気媒体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5812317A JPS5812317A (ja) | 1983-01-24 |
| JPH033369B2 true JPH033369B2 (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=14533772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11035981A Granted JPS5812317A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 薄膜磁気媒体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812317A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59213033A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-01 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体の製造法 |
| JPS59191138A (ja) * | 1983-04-14 | 1984-10-30 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59201226A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-14 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59201225A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-14 | Hitachi Condenser Co Ltd | 磁気記録媒体の製造装置 |
| JPS59201228A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6059534A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6124214A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-01 | Taiyo Yuden Co Ltd | Ｃｏ−Ｏ系薄膜型垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2735836B2 (ja) * | 1987-04-15 | 1998-04-02 | 三洋電機株式会社 | 薄膜形成方法 |
| AU5483196A (en) * | 1995-04-14 | 1996-10-30 | Spectra-Physics Lasers, Inc. | Method for producing dielectric coatings |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674836A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-20 | Sekisui Chem Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
| JPS5690432A (en) * | 1979-12-22 | 1981-07-22 | Hitachi Maxell Ltd | Production of magnetic recording medium |
| JPS5720920A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-03 | Sekisui Chem Co Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
-
1981
- 1981-07-15 JP JP11035981A patent/JPS5812317A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674836A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-20 | Sekisui Chem Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
| JPS5690432A (en) * | 1979-12-22 | 1981-07-22 | Hitachi Maxell Ltd | Production of magnetic recording medium |
| JPS5720920A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-03 | Sekisui Chem Co Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5812317A (ja) | 1983-01-24 |
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