JPS5812317A - 薄膜磁気媒体の製法 - Google Patents
薄膜磁気媒体の製法Info
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- JPS5812317A JPS5812317A JP11035981A JP11035981A JPS5812317A JP S5812317 A JPS5812317 A JP S5812317A JP 11035981 A JP11035981 A JP 11035981A JP 11035981 A JP11035981 A JP 11035981A JP S5812317 A JPS5812317 A JP S5812317A
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- JP
- Japan
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- evaporation
- thin film
- oxygen
- polyethylene terephthalate
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非磁性基体上に磁性金属薄膜を被着形成してな
る所顛薄ｍ磁気媒体の製法に関する。
る所顛薄ｍ磁気媒体の製法に関する。
この種の薄膜磁気媒体の製造に於ては、非磁性基体に対
して斜め方向よりＪＩｌ性金属材（合金も含む）を蒸着
して、抗磁力ＨＣを高めるよ５Ｋした製法が提案されて
いる。この場合斜め蒸着時における蒸発物質（いわゆる
磁性金属の蒸着ビーム）の非磁性基体への入−角一が大
きな程長手方向（テープ走行方向）Ｋ異方性が増して抗
磁力ＨＣが高くなるか、しかし、蒸着効率が落ちるとい
う欠点がある。一方、斯る斜め蒸着法において、その真
空槽内にｌＩ素ガスを導入する方法があり１例えば５Ｘ
１０ ｔｏｒｒ＠度のｌ１票ガスを含んだ寥囲気で、
斜め蒸着すると抗磁力ＨＣが更に向上する。
して斜め方向よりＪＩｌ性金属材（合金も含む）を蒸着
して、抗磁力ＨＣを高めるよ５Ｋした製法が提案されて
いる。この場合斜め蒸着時における蒸発物質（いわゆる
磁性金属の蒸着ビーム）の非磁性基体への入−角一が大
きな程長手方向（テープ走行方向）Ｋ異方性が増して抗
磁力ＨＣが高くなるか、しかし、蒸着効率が落ちるとい
う欠点がある。一方、斯る斜め蒸着法において、その真
空槽内にｌＩ素ガスを導入する方法があり１例えば５Ｘ
１０ ｔｏｒｒ＠度のｌ１票ガスを含んだ寥囲気で、
斜め蒸着すると抗磁力ＨＣが更に向上する。
この酸素導入の斜め蒸着法によれば同等の抗磁力ＨＣと
した場合、上記蒸着ビームの入射角−が小さくて済み、
その分蒸着効率の向上が図られる利点がある。しかし、
従来のこの種の斜め蒸着装置に於ては、ｌｌ索ガスを単
に真空槽内に導入するだけであるため大量の酸素を消費
し、且つ蒸発物質の回り込みＫよるメタル書ブラックの
発生即ち蒸発金属の酸化物が煤となって真空槽内に付着
する等の欠点があった。
した場合、上記蒸着ビームの入射角−が小さくて済み、
その分蒸着効率の向上が図られる利点がある。しかし、
従来のこの種の斜め蒸着装置に於ては、ｌｌ索ガスを単
に真空槽内に導入するだけであるため大量の酸素を消費
し、且つ蒸発物質の回り込みＫよるメタル書ブラックの
発生即ち蒸発金属の酸化物が煤となって真空槽内に付着
する等の欠点があった。
本発明は、上記従来の欠点を改善した薄膜磁気媒体の製
法を提供するものである。
法を提供するものである。
本発明は、非磁性基体上に気相メッキ即ち例えば斜め蒸
着法によって磁性金属薄膜（合金も含む）を被着してな
る薄膜磁気媒体の製造に当り、その真空槽内に於てイオ
ン化されある根皮の指向性を有した酸素を磁性金属薄膜
形成面（所＠Ｈ着面）に部分的に導入するよ５になす。
着法によって磁性金属薄膜（合金も含む）を被着してな
る薄膜磁気媒体の製造に当り、その真空槽内に於てイオ
ン化されある根皮の指向性を有した酸素を磁性金属薄膜
形成面（所＠Ｈ着面）に部分的に導入するよ５になす。
かかる製法によれば、Ｉｌ素の消費が少く、′ｔた蒸発
物質の回り込みによるメタル・ブラックの発生が少量に
抑えられることにより真空槽内の煤の付着が回避され。
物質の回り込みによるメタル・ブラックの発生が少量に
抑えられることにより真空槽内の煤の付着が回避され。
さらにより高い磁気特性（抗磁力ＨＣ及び残留磁束密度
Ｂｒ）及び付着強度を有した磁性金属薄膜を形成するこ
とができる。
Ｂｒ）及び付着強度を有した磁性金属薄膜を形成するこ
とができる。
以下１本発明の実施例について説明する。
図は本実施例に使用する蒸着装置である。同図中、（１
）は真空槽、（２）は槽（１）内に配された回転円筒キ
ャンを示し、非磁性基体（例えばポリエチレンテレフタ
レートフィルム）（３Ｊが供給手段（４）より回転円筒
キャン（２）、の外周を繞って矢印方向に走行し巻取手
段（５）Ｋ 、！取られるようＫなされる。（６）はる
つぼ（７）内に収納された蒸着源（例えばＣｏ−Ｎｉ合
金）で、電子銃（８）からの電子ビーム（９）による加
熱でＭ発し、その金属蒸気（所請蒸着ビーム） ＱＱが
シャッターａυを介して走行する非磁性基体（３Ｊの限
定された蒸着面Ｑ２１上に所要の入射角θをもって斜め
蒸着される。一方、イオンガンａ３が配され、これより
蒸着面Ｑ３ＪＩＣ酸累イオンα句が導入される。このイ
オンガンａ３はガス導入管のまわりに高周波コイルが配
゛され高周波を印加することＫよりガスをイオン化し、
このようにイオン化したガスを加速するガ／によって構
成されている。又、 Ｑ５１は蒸着面０３に同時に電子
ビームａ６１を照射してＩＩ！素イオンの電荷を、中和
するための電子ガンである。
）は真空槽、（２）は槽（１）内に配された回転円筒キ
ャンを示し、非磁性基体（例えばポリエチレンテレフタ
レートフィルム）（３Ｊが供給手段（４）より回転円筒
キャン（２）、の外周を繞って矢印方向に走行し巻取手
段（５）Ｋ 、！取られるようＫなされる。（６）はる
つぼ（７）内に収納された蒸着源（例えばＣｏ−Ｎｉ合
金）で、電子銃（８）からの電子ビーム（９）による加
熱でＭ発し、その金属蒸気（所請蒸着ビーム） ＱＱが
シャッターａυを介して走行する非磁性基体（３Ｊの限
定された蒸着面Ｑ２１上に所要の入射角θをもって斜め
蒸着される。一方、イオンガンａ３が配され、これより
蒸着面Ｑ３ＪＩＣ酸累イオンα句が導入される。このイ
オンガンａ３はガス導入管のまわりに高周波コイルが配
゛され高周波を印加することＫよりガスをイオン化し、
このようにイオン化したガスを加速するガ／によって構
成されている。又、 Ｑ５１は蒸着面０３に同時に電子
ビームａ６１を照射してＩＩ！素イオンの電荷を、中和
するための電子ガンである。
実施例（１）
図示の装置を用い１回転円筒キャン（２）のまわりにポ
リエチレンテレフタレートフィルム１３７を走行させて
シャッターａυで不要部を遮蔽し斜め蒸着法により、
Ｃｏ−Ｎ１合金（Ｎ１２０原子％）（６）を電子ビーム
加熱しポリエチレンテレフタレートフィルム１３７上に
膜厚が１０００ ＸＫなるよ５に蒸着した。このとき蒸
着面には図のイオンガン（１３によりｊｌ１３にイオン
（０２＋）Ｑ４）が０．３５ｍＡ／ｃ−の割合で加速電
圧３ ｋＶ テ導入された。又このとき蒸着面には同時
に電子ビームαＧも照射され酸素イオンａ４の電荷を中
和する様にしである。この時の真空種口）の背圧（真空
蒸着面近傍以外の圧力）は７ Ｘ １０ ｔｏｒｒで
あった。
リエチレンテレフタレートフィルム１３７を走行させて
シャッターａυで不要部を遮蔽し斜め蒸着法により、
Ｃｏ−Ｎ１合金（Ｎ１２０原子％）（６）を電子ビーム
加熱しポリエチレンテレフタレートフィルム１３７上に
膜厚が１０００ ＸＫなるよ５に蒸着した。このとき蒸
着面には図のイオンガン（１３によりｊｌ１３にイオン
（０２＋）Ｑ４）が０．３５ｍＡ／ｃ−の割合で加速電
圧３ ｋＶ テ導入された。又このとき蒸着面には同時
に電子ビームαＧも照射され酸素イオンａ４の電荷を中
和する様にしである。この時の真空種口）の背圧（真空
蒸着面近傍以外の圧力）は７ Ｘ １０ ｔｏｒｒで
あった。
従来例（１）
イオンガンａ３で酸素（０２）を導入せずに５Ｘ１０
ｔｏｒｒのＷＲＸ雰囲気下で、同様に回転円筒キャン
１２７のまわりにポリエチレンテレフタレートフィルム
（３ノヲ走行させて斜め蒸着法忙よりＣｏ −Ｎ１合金
（Ｎｉ２０Ｘ子％）（６Ｊヲ電子ビーム加熱しポリエチ
レンプレフタレートフィルム１３）上に膜厚１ｏｏｏＸ
になるよ５ＫＪＩＮ着した。
ｔｏｒｒのＷＲＸ雰囲気下で、同様に回転円筒キャン
１２７のまわりにポリエチレンテレフタレートフィルム
（３ノヲ走行させて斜め蒸着法忙よりＣｏ −Ｎ１合金
（Ｎｉ２０Ｘ子％）（６Ｊヲ電子ビーム加熱しポリエチ
レンプレフタレートフィルム１３）上に膜厚１ｏｏｏＸ
になるよ５ＫＪＩＮ着した。
上記実施例（１）及び従来例（１）の夫々の残留磁束密
度（Ｂｒ） 、抗磁力ＨＣ，ＪＩｌｌｌ［の付着強度、
ドロップアウトの各測定結果を下記表に示すえ但し。
度（Ｂｒ） 、抗磁力ＨＣ，ＪＩｌｌｌ［の付着強度、
ドロップアウトの各測定結果を下記表に示すえ但し。
ドロップアウトはソニー製家庭用ＶＴＲで再生して１／
４Ｈ以上にわたって信号が１０ｄＢ以上劣化したものの
毎分の個数で示す。
４Ｈ以上にわたって信号が１０ｄＢ以上劣化したものの
毎分の個数で示す。
表１（残留磁束密度）
表２（抗磁力）
表３（付着強度）
表４（ドロップアウト）
オン源を通してイオン化し、ある程度の指向性をもった
酸素ガスを部分的に蒸着面に導入せしめた結果、蒸発物
質の回り込みが少なくなりメ虐ル・ブラックの発生を可
及的に小ならしめることが出来る。しかも＠素ガスのイ
オン化及び運動エネルギーの為、蒸発物質との反応が活
性化され抗磁力ＨＣが大きくなり、又蒸着Ｉ１１！Ｆ度
も高くなった結果、高い龜東密度Ｂｒと付着強度をもっ
た磁性金属薄膜が得られるものであり、依って優れた薄
膜磁気媒体が提供できる。
酸素ガスを部分的に蒸着面に導入せしめた結果、蒸発物
質の回り込みが少なくなりメ虐ル・ブラックの発生を可
及的に小ならしめることが出来る。しかも＠素ガスのイ
オン化及び運動エネルギーの為、蒸発物質との反応が活
性化され抗磁力ＨＣが大きくなり、又蒸着Ｉ１１！Ｆ度
も高くなった結果、高い龜東密度Ｂｒと付着強度をもっ
た磁性金属薄膜が得られるものであり、依って優れた薄
膜磁気媒体が提供できる。
図は本発＠に使用される蒸着装置の例を示す配置図であ
る。 （すは真空槽、（２）は回転円筒キャン、（３）は非磁
性基体、（６Ｊは蒸着源、 Ｑ３はイオンガンである。
る。 （すは真空槽、（２）は回転円筒キャン、（３）は非磁
性基体、（６Ｊは蒸着源、 Ｑ３はイオンガンである。
Claims (1)
- 気相メッキにより金属薄膜磁気媒体を製造する方法にお
いて、薄膜形成面にイオン化された酸素を導入すること
を特徴とする薄膜磁気媒体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11035981A JPS5812317A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 薄膜磁気媒体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11035981A JPS5812317A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 薄膜磁気媒体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5812317A true JPS5812317A (ja) | 1983-01-24 |
| JPH033369B2 JPH033369B2 (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=14533772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11035981A Granted JPS5812317A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 薄膜磁気媒体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812317A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59191138A (ja) * | 1983-04-14 | 1984-10-30 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59201226A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-14 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59201225A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-14 | Hitachi Condenser Co Ltd | 磁気記録媒体の製造装置 |
| JPS59201228A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59213033A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-01 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体の製造法 |
| JPS6059534A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6124214A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-01 | Taiyo Yuden Co Ltd | Ｃｏ−Ｏ系薄膜型垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH01105331A (ja) * | 1987-04-15 | 1989-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| WO1996032520A1 (en) * | 1995-04-14 | 1996-10-17 | Spectra-Physics Lasers, Inc. | Method for producing dielectric coatings |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674836A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-20 | Sekisui Chem Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
| JPS5690432A (en) * | 1979-12-22 | 1981-07-22 | Hitachi Maxell Ltd | Production of magnetic recording medium |
| JPS5720920A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-03 | Sekisui Chem Co Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
-
1981
- 1981-07-15 JP JP11035981A patent/JPS5812317A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674836A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-20 | Sekisui Chem Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
| JPS5690432A (en) * | 1979-12-22 | 1981-07-22 | Hitachi Maxell Ltd | Production of magnetic recording medium |
| JPS5720920A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-03 | Sekisui Chem Co Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
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| JPS59201226A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-14 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59201225A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-14 | Hitachi Condenser Co Ltd | 磁気記録媒体の製造装置 |
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| JPS59213033A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-01 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体の製造法 |
| JPH0320815B2 (ja) * | 1983-05-18 | 1991-03-20 | Ulvac Corp | |
| JPS6059534A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6124214A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-01 | Taiyo Yuden Co Ltd | Ｃｏ−Ｏ系薄膜型垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH0560248B2 (ja) * | 1984-07-12 | 1993-09-01 | Taiyo Yuden Kk | |
| JPH01105331A (ja) * | 1987-04-15 | 1989-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| WO1996032520A1 (en) * | 1995-04-14 | 1996-10-17 | Spectra-Physics Lasers, Inc. | Method for producing dielectric coatings |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH033369B2 (ja) | 1991-01-18 |
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