JPH01105331A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH01105331A JPH01105331A JP817188A JP817188A JPH01105331A JP H01105331 A JPH01105331 A JP H01105331A JP 817188 A JP817188 A JP 817188A JP 817188 A JP817188 A JP 817188A JP H01105331 A JPH01105331 A JP H01105331A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- -1 Nitrogen ions Chemical class 0.000 claims description 40
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910001337 iron nitride Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 9
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 208000018459 dissociative disease Diseases 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
(イ)産業上の利用分野
本発明は磁気テープ等の磁気記録媒体の製造方法に関す
る。 (ロ)従来の技術 一般に、強磁性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記録
媒体は、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着法等
によってポリエステルフィルム等の基板上に被着してつ
くられ、高密度記録に適した特性を有するが、反面空気
中で除々に酸化を受は易く、最大磁束密度などの磁気特
性が劣化するなどの難点がある。 上述の欠点を解消したものとして、例えば特開昭60−
87457号公報(01)B5/85)に開示されてい
る。真空槽内に、円筒状キャンの局面に沿って移動する
基板と、この基板の移動方向に沿って順次にこの基板と
対向する強磁性材蒸発源とイオン源とを配設し、真空雰
囲気下で強磁性材蒸発源から強磁性材の蒸気流を基板に
差し向けて、該基板上に強磁性金属薄膜層を形成した後
、引き続いてイオン源からイオン化した酸素ガスまたは
窒素ガスを差し向けることによって、速い速度で効率よ
く強磁性金属薄膜の表面の酸化または窒化を行い保護層
を形成し、強磁性金属薄膜層の耐候性を向上させたもの
がある。 第4図は従来の窒化鉄系磁気記録媒体の製造に用いられ
る真空蒸着装置の概略断面図である。 図中、(1)は排気系1)υにより内部が、lX1()
”Torr以下の高真空に保たれた真空槽で、該真空槽
(1)の内部にはるつぼ(2)、冷却ローラ(31、送
出しローラ(5)、巻取リローラ(4)、イオン銃(6
)が配設されている。前記るつぼ(2)内には蒸発源で
ある鉄(7)が収納されている。前記冷却ローラf31
には送出しローラ(4)から送出され巻取リローラ(5
)に巻取られるフィルム基板(8)が巻付けられている
。前記イオン銃(6)はガス導入管Iからの窒素ガスを
イオン化して、窒素イオンを前記フィルム基板(8)に
向けて照射する。(9)は遮へい板である。 前記るつぼ(2)より蒸発した鉄の蒸気化は前記冷却ロ
ーラ(3)上のフィルム基板(8)上に斜め蒸着すると
同時に、前記イオン銃(6)から窒素イオンビーム化を
前記フィルム基板(8)に照射して該フィルム基板(8
)上に窒化鉄の薄膜を形成する。 しかし乍ら、上記従来例の場合、イオン銃(6)から平
行性の良い窒素イオンビームσ2を引き出すためには、
イオンビーム中のイオンの運動エネルギーが数百7以上
になるようにイオンを加速しなければならない。そして
、このような運動エネルギーをもったイオンがフィルム
基板(8)に到達すると、鉄の窒化反応と共に窒化鉄の
熱解離反応が起こり、窒化効率が低下する。また、前記
フィルム基板(8)として絶縁物を用いた場合、該基板
(8)は窒素イオンの蓄積によりチャージアップし、窒
素イオンの基板への入射効率が低下する。 e→ 発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点に鑑みなされたものであり、
基板に被着した被膜のチャージアップを防止して、被膜
を効率良く形成することが出来る磁気記録媒体の製造方
法を提供することを目的とするものである。 に)課題を解決するための手段 プラズム生成室より得た正イオン及び電子を蒸発源から
の蒸気と同時に基板に照射して該基板に薄膜を形成する
。 (ホ)作 用 上記方法に依れば、基板に到達した正イオンは電子によ
りて打ち消され、前記基板はチャージアップしない。 (へ)実施例 以下、図面を参照しつつ本発明の第1実施例を詳細に説
明する。 第1図は第1実施例に用いられる真空蒸着装置の概略断
面図であり、第4図と同一部分には同一符号を付し、そ
の説明は第4図の説明を援用する。 図中、酩はガス導入管Iより窒素ガスが導入され、内部
のガス圧が1x10 Torr8度であるプラズマ生
成室で、該プラズマ生成室ff31の局面にはソレノイ
ドコイルa9が巻回されている。前記プラズマ生成室(
131は真空槽(1)の底面に平行に配されている。(
1eは前記プラズマ生成室t131の内外に気圧差を形
成するためのグリッドである。前記グリッド’(leの
中心とフィルム基板(8)の蒸着面の中心との距離は1
0c1)である。 第2図は前記プラズマ生成室の詳細な構造を示す図であ
る。前記プラズマ生成室a31の内部には交流電源(1
7)K接続されたフィラメンH81と、直流電源σ9に
より正に印加されたアノード電極(2G(2Gとが配設
されている。(至)は遮へ^板である。 上述のようなプラズマ生成室では、ソレノイドコイルα
9により破線で示す磁力線(21)が形成される。 一方、ガス導入管側より導入された中性窒素分子(至)
は、フィラメントαaから放出されアノード電極■によ
って加速される熱電子のと衝突することによりイオン化
される。そして、この時発生した低エネルギーの分子状
の窒素イオン(N2)f241と電子内とは前記磁力線
Qυにより磁場勾配及びグリッドαeによる気圧差によ
ってプラズム生成室+131から外部忙放射状に引き出
される。 上述のような第1実施例の製造方法では前記プラズマ生
成室[13より引き出された窒素イオン+241及び電
子内は、るつぼ(2)からの鉄の蒸気1)と同時にフィ
ルム基板(8)に照射される。このため、前記フィルム
基板(8)に到達した窒素イオン(241は電子(25
1によって打ち消され、前記基板(8)はチャージアッ
プしない。また、前記窒素イオンc4及び電子(ハ)の
運動エネルギーは小さいのでフィルム基板(8)上に形
成された窒化鉄膜は熱解離しない。尚、前記蒸気α01
窒素イオン(至)及び電子のは遮へい板(至)によりフ
ィルム基板侶)の送出側に到達するのが防止される。 第3図は第1実施例の製造方法により、窒化鉄膜を形成
した場合(イ)と、第4図に示すように熱電子衝突型の
イオン銃を用いて窒化鉄膜を形成した場合−)の膜形成
速度と保磁力との関係を示す図である。この実験結果は
(イ)幹)両方とも真空槽+1)内の窒素のガス圧が8
X10 Torr、窒mイオン0イオン電流が25
0μA/−1鉄の蒸気の基板への最小入射角θが65′
の条件下で蒸着速度を変化させて基板上に2000Xの
窒化鉄膜を形成した時の保磁力を測定することにより得
た。尚、仲)の場合の窒素イオンの加速電圧は5oov
である。 この図より、tJIJ1実施例の製造方法に依れば、良
好な磁気特性が得られる時の蒸着速度は従来の製造方法
に比して約3倍向上したことが判る。 尚、熱電子衝突型のプラズマ生成室の代りにマイク四波
屋のプラズマ生成室を用いても同様の効果を得る。 次に、本発明の第2実施例について説明する。 第5図は第2実施例に用いられる真空蒸着装置の要部概
略断面図であり、第1図及び第2図と同一部分には同一
符号を付し、その説明は第1図及び第2図の説明を援用
する。 第2実施例の真空蒸着装置は冷却ローラ(3)の蒸着部
分近傍内部には永久磁石(磁場発生部)(至)が前記冷
却ローラ(3)の回転に伴って移動しないように固定さ
れて組み込まれている。プラズマ生成室a3のソレノイ
ドコイル(151によって形成された磁力線!21)は
前記永久磁石■による磁力線−と合成してミラー型磁場
を形成し、フィルム基板(8)の蒸気(IGが蒸着する
部分に収束する磁力線(至)となる。尚、前記永久磁石
(至)の磁極の向きは前記プラズマ生成室(13からの
磁力線−の向きによつて決まる。 この第2実施例の磁気記録媒体の製造方法では、プラズ
マ生成室a3で生成された窒素イオンc241及び電子
(ハ)は第1実施例と同様に前記プラズマ生成室(13
から引き出され、磁力線■により蒸気(1Gの最小入射
角θ方向に誘導される。このため1、前記蒸気αGの入
射角が大きく鉄の堆積速度が遅い所では、前記窒素イオ
ン勿及び電子の・よりなる窒素プラズマは低密度であり
、前記蒸気a1の入射角が小さく鉄の堆積速度が速い所
では、前記窒素イオン(2滲及び電子固よりなる窒素プ
ラズマは高密度である。 即ち、この様にして形成された窒化鉄膜は表層から深層
まで窒化度は均一であり、良好な磁性層を形成出来る。 また、窒素イオン(24及び電子のが効率良くフィルム
基板(8)に入射するので、良好な窒化鉄膜を高速で形
成することが出来る。尚、磁場発生部を電磁石で形成し
てもよい。 第6図は第1実施例の装置により窒化鉄膜を形成した場
合(−9と、第5図に示す第2実施例の装置により窒化
鉄膜を形成した場合に)の膜形成速度と保磁力との関係
を示す図である。この実験結果は蒸着中の真空槽(1]
内の窒素のガス圧がlX10−’Torr、鉄の蒸気の
基板への最小入射角θが6c:の条件下で蒸着速度を変
化させて基板上に2000^の窒化鉄膜を形成した時の
保磁力を測定することにより得た。この時、冷却ロー2
13)表面の最も強い磁場は(ハ)が50G、に)が1
00Gである。 また、プラズマ生成装置としてはカウフマン型イオン源
と同原理の熱電子衝突型の装置を用い、放電電力は10
0V、2Aと一定である。尚、鉄の蒸着速度は水晶振動
子膜厚計により制御し、保磁力は振動試料厘磁力計によ
り測定した。 第6図から判るように、高保磁力が得られる時の膜形成
速度は(ハ)の場合400X/minであるのニ対し、
に)o場合1000 X/min ト約2.5 倍に
なり、この時の保磁力も12100eと(ハ)の場合の
910Qeに比べて大きくなった。 次に、本発明の第3実施例について説明する。 第7図は第3実施例に用いられる真空蒸着装置のプラズ
マ生成室の断面図であり、第3実施例の真空蒸着装置、
は第1実施例の真空蒸着袋・置のプラズマ生成室13の
位置に第7図に示すプラズマ生成室を装着した以外は第
1実施例の真空蒸着装置と同じである。 第5実施例のプラズマ生成室のは、モリブデンからなる
厚さ0.2間、開口率30%のメツシュ状の分離板c3
αによって第1生成室31)1と第2生成室(至)とに
分離されている。前記第1生成室0の内部には交流電源
田に接続されたフィラメント[有]と、直流電源(至)
により正に印加されたアノード電極(至)(至)とが配
設されている。また、前記第1生成室(至)の局面には
ソレノイドコイル(9)が巻回されている。 (側は前記第1生成室((1)内にヘリウムガスを導入
するガス導入管である。尚、前記アノード電極(至)の
電圧は200V、電流は4Aであり、前記ソレノイドコ
イルζmによって前記第1生成室0の中心に発生する磁
場の強さは2000eである。 前記第2生成室■の内部には直流電源臼により正に印加
されたアノード電極+a 10が配設されており、局面
にはソレノイドコイルG1))が巻回されている。□□
□は前記第2生成室(至)内に窒素ガスを導入するガス
導入管である。尚、前記アノード電極間の電圧は100
V、電流は4人であり、前記ソレノイドコイル(4Dに
よって前記第2生成室(至)の中心に発生する磁場の強
さは1000eである。 上述のようなプラズマ生成室では、ガス導入管(至)よ
り導入された中性ヘリウム分子(転)は、フィラメント
(至)から放出されアノード電極(至)によって加速さ
れる熱電子(財)と衝突することによりイオン化されヘ
リウムイオン(He” ) 449と電子WjK分離す
る。そして、この分離されたヘリウムイオン(He+)
(至)と電子−は第1生成室C1υと第2生成室(至)
との気圧差によって第2生成室■に輸送される。この第
2生成室(至)に輸送されたヘリウムイオン(He”)
(ハ)と電子■はガス導入管(6)より導入された中性
窒素分子0ηに衝突する。ここで、前記中性窒素分子@
ηに電子−が衝突すると、第7図の(イ)に示す反応が
起こり、前記中性窒素分子節は分子状の窒素イオン(N
2)−と電子IIに分離する。また、前記中性窒素分子
07)にヘリウムイオン(He+)Laが衝突すると N 2 +He”−*N+I +He の反応と + + N2+He−4N2 +He の反応とが約6:4の比率で起こる。即ち、前記中性窒
素分子αηにヘリウムイオン(He )(ト)が衝突す
ると第7図の(ロ)に示す反応により中性窒素原子のと
原子状の窒素イオン(N”) (51とヘリウム原子6
のとが生成され、第7図のe−9に示す反応により分子
状の窒素イオン(N 2+) 61とヘリウム原子(ロ
)とが生成される。第7図の(イ)←)(ハ)に示す上
述の反応により生成されたヘリウム原子G13@(ロ)
、窒素分子Oη、電子(財)(ト)(至)、分子状の窒
素イオン(N2+)(財)(至)、ヘリウムイオン(ト
)、窒素原子団原子状の窒素イオン(−゛)GTJより
なる混合プラズマガス(ト)はソレノイドコイルlによ
り形成される磁場勾配と第2生成室(至)内外の気圧差
とによって外部に放射状に引き出される。そして、外部
に引き出された混合プラズマガス曽は第1実施例と同様
にるつぼからの鉄の蒸気と同時にフィルム基板に照射さ
れ、該フィルム基板上には窒化鉄の磁性薄膜が形成され
る。 尚、薄膜形成時の真空度は第1生成室面内が5X10
〜lX10 ’l’orr、第2生成室(至)内が1
x10 Torr、真空槽(1)内が2X10 T
orr である。また、薄膜形成前の真空槽(1)内
の真空度は8x10 Torr である。 一般に原子状の窒素イオン(f)は分子状の窒素イオン
(N2)よりも活性であり、しかも前記窒素イオン(N
)は単原子イオンであるため侵入型窒化物である窒化鉄
を形成する場合、窒素イオン(N2)よりも鉄原子間に
侵入し易い。即ち上述の第3実施例の製造方法では、第
7図の(ロ)に示す反応により窒素イオン(N)が多量
に生成され、窒化鉄の薄膜が高速で形成される。 第8図は第1実施例の装置により窒化鉄膜を形成した場
合(ホ)と、第7図に示す第3実施例の装置により窒化
鉄膜を形成した場合(へ)の膜形成速度と保磁力との関
係を示す図である。この実験結果は蒸着中の真空槽
る。 (ロ)従来の技術 一般に、強磁性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記録
媒体は、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着法等
によってポリエステルフィルム等の基板上に被着してつ
くられ、高密度記録に適した特性を有するが、反面空気
中で除々に酸化を受は易く、最大磁束密度などの磁気特
性が劣化するなどの難点がある。 上述の欠点を解消したものとして、例えば特開昭60−
87457号公報(01)B5/85)に開示されてい
る。真空槽内に、円筒状キャンの局面に沿って移動する
基板と、この基板の移動方向に沿って順次にこの基板と
対向する強磁性材蒸発源とイオン源とを配設し、真空雰
囲気下で強磁性材蒸発源から強磁性材の蒸気流を基板に
差し向けて、該基板上に強磁性金属薄膜層を形成した後
、引き続いてイオン源からイオン化した酸素ガスまたは
窒素ガスを差し向けることによって、速い速度で効率よ
く強磁性金属薄膜の表面の酸化または窒化を行い保護層
を形成し、強磁性金属薄膜層の耐候性を向上させたもの
がある。 第4図は従来の窒化鉄系磁気記録媒体の製造に用いられ
る真空蒸着装置の概略断面図である。 図中、(1)は排気系1)υにより内部が、lX1()
”Torr以下の高真空に保たれた真空槽で、該真空槽
(1)の内部にはるつぼ(2)、冷却ローラ(31、送
出しローラ(5)、巻取リローラ(4)、イオン銃(6
)が配設されている。前記るつぼ(2)内には蒸発源で
ある鉄(7)が収納されている。前記冷却ローラf31
には送出しローラ(4)から送出され巻取リローラ(5
)に巻取られるフィルム基板(8)が巻付けられている
。前記イオン銃(6)はガス導入管Iからの窒素ガスを
イオン化して、窒素イオンを前記フィルム基板(8)に
向けて照射する。(9)は遮へい板である。 前記るつぼ(2)より蒸発した鉄の蒸気化は前記冷却ロ
ーラ(3)上のフィルム基板(8)上に斜め蒸着すると
同時に、前記イオン銃(6)から窒素イオンビーム化を
前記フィルム基板(8)に照射して該フィルム基板(8
)上に窒化鉄の薄膜を形成する。 しかし乍ら、上記従来例の場合、イオン銃(6)から平
行性の良い窒素イオンビームσ2を引き出すためには、
イオンビーム中のイオンの運動エネルギーが数百7以上
になるようにイオンを加速しなければならない。そして
、このような運動エネルギーをもったイオンがフィルム
基板(8)に到達すると、鉄の窒化反応と共に窒化鉄の
熱解離反応が起こり、窒化効率が低下する。また、前記
フィルム基板(8)として絶縁物を用いた場合、該基板
(8)は窒素イオンの蓄積によりチャージアップし、窒
素イオンの基板への入射効率が低下する。 e→ 発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点に鑑みなされたものであり、
基板に被着した被膜のチャージアップを防止して、被膜
を効率良く形成することが出来る磁気記録媒体の製造方
法を提供することを目的とするものである。 に)課題を解決するための手段 プラズム生成室より得た正イオン及び電子を蒸発源から
の蒸気と同時に基板に照射して該基板に薄膜を形成する
。 (ホ)作 用 上記方法に依れば、基板に到達した正イオンは電子によ
りて打ち消され、前記基板はチャージアップしない。 (へ)実施例 以下、図面を参照しつつ本発明の第1実施例を詳細に説
明する。 第1図は第1実施例に用いられる真空蒸着装置の概略断
面図であり、第4図と同一部分には同一符号を付し、そ
の説明は第4図の説明を援用する。 図中、酩はガス導入管Iより窒素ガスが導入され、内部
のガス圧が1x10 Torr8度であるプラズマ生
成室で、該プラズマ生成室ff31の局面にはソレノイ
ドコイルa9が巻回されている。前記プラズマ生成室(
131は真空槽(1)の底面に平行に配されている。(
1eは前記プラズマ生成室t131の内外に気圧差を形
成するためのグリッドである。前記グリッド’(leの
中心とフィルム基板(8)の蒸着面の中心との距離は1
0c1)である。 第2図は前記プラズマ生成室の詳細な構造を示す図であ
る。前記プラズマ生成室a31の内部には交流電源(1
7)K接続されたフィラメンH81と、直流電源σ9に
より正に印加されたアノード電極(2G(2Gとが配設
されている。(至)は遮へ^板である。 上述のようなプラズマ生成室では、ソレノイドコイルα
9により破線で示す磁力線(21)が形成される。 一方、ガス導入管側より導入された中性窒素分子(至)
は、フィラメントαaから放出されアノード電極■によ
って加速される熱電子のと衝突することによりイオン化
される。そして、この時発生した低エネルギーの分子状
の窒素イオン(N2)f241と電子内とは前記磁力線
Qυにより磁場勾配及びグリッドαeによる気圧差によ
ってプラズム生成室+131から外部忙放射状に引き出
される。 上述のような第1実施例の製造方法では前記プラズマ生
成室[13より引き出された窒素イオン+241及び電
子内は、るつぼ(2)からの鉄の蒸気1)と同時にフィ
ルム基板(8)に照射される。このため、前記フィルム
基板(8)に到達した窒素イオン(241は電子(25
1によって打ち消され、前記基板(8)はチャージアッ
プしない。また、前記窒素イオンc4及び電子(ハ)の
運動エネルギーは小さいのでフィルム基板(8)上に形
成された窒化鉄膜は熱解離しない。尚、前記蒸気α01
窒素イオン(至)及び電子のは遮へい板(至)によりフ
ィルム基板侶)の送出側に到達するのが防止される。 第3図は第1実施例の製造方法により、窒化鉄膜を形成
した場合(イ)と、第4図に示すように熱電子衝突型の
イオン銃を用いて窒化鉄膜を形成した場合−)の膜形成
速度と保磁力との関係を示す図である。この実験結果は
(イ)幹)両方とも真空槽+1)内の窒素のガス圧が8
X10 Torr、窒mイオン0イオン電流が25
0μA/−1鉄の蒸気の基板への最小入射角θが65′
の条件下で蒸着速度を変化させて基板上に2000Xの
窒化鉄膜を形成した時の保磁力を測定することにより得
た。尚、仲)の場合の窒素イオンの加速電圧は5oov
である。 この図より、tJIJ1実施例の製造方法に依れば、良
好な磁気特性が得られる時の蒸着速度は従来の製造方法
に比して約3倍向上したことが判る。 尚、熱電子衝突型のプラズマ生成室の代りにマイク四波
屋のプラズマ生成室を用いても同様の効果を得る。 次に、本発明の第2実施例について説明する。 第5図は第2実施例に用いられる真空蒸着装置の要部概
略断面図であり、第1図及び第2図と同一部分には同一
符号を付し、その説明は第1図及び第2図の説明を援用
する。 第2実施例の真空蒸着装置は冷却ローラ(3)の蒸着部
分近傍内部には永久磁石(磁場発生部)(至)が前記冷
却ローラ(3)の回転に伴って移動しないように固定さ
れて組み込まれている。プラズマ生成室a3のソレノイ
ドコイル(151によって形成された磁力線!21)は
前記永久磁石■による磁力線−と合成してミラー型磁場
を形成し、フィルム基板(8)の蒸気(IGが蒸着する
部分に収束する磁力線(至)となる。尚、前記永久磁石
(至)の磁極の向きは前記プラズマ生成室(13からの
磁力線−の向きによつて決まる。 この第2実施例の磁気記録媒体の製造方法では、プラズ
マ生成室a3で生成された窒素イオンc241及び電子
(ハ)は第1実施例と同様に前記プラズマ生成室(13
から引き出され、磁力線■により蒸気(1Gの最小入射
角θ方向に誘導される。このため1、前記蒸気αGの入
射角が大きく鉄の堆積速度が遅い所では、前記窒素イオ
ン勿及び電子の・よりなる窒素プラズマは低密度であり
、前記蒸気a1の入射角が小さく鉄の堆積速度が速い所
では、前記窒素イオン(2滲及び電子固よりなる窒素プ
ラズマは高密度である。 即ち、この様にして形成された窒化鉄膜は表層から深層
まで窒化度は均一であり、良好な磁性層を形成出来る。 また、窒素イオン(24及び電子のが効率良くフィルム
基板(8)に入射するので、良好な窒化鉄膜を高速で形
成することが出来る。尚、磁場発生部を電磁石で形成し
てもよい。 第6図は第1実施例の装置により窒化鉄膜を形成した場
合(−9と、第5図に示す第2実施例の装置により窒化
鉄膜を形成した場合に)の膜形成速度と保磁力との関係
を示す図である。この実験結果は蒸着中の真空槽(1]
内の窒素のガス圧がlX10−’Torr、鉄の蒸気の
基板への最小入射角θが6c:の条件下で蒸着速度を変
化させて基板上に2000^の窒化鉄膜を形成した時の
保磁力を測定することにより得た。この時、冷却ロー2
13)表面の最も強い磁場は(ハ)が50G、に)が1
00Gである。 また、プラズマ生成装置としてはカウフマン型イオン源
と同原理の熱電子衝突型の装置を用い、放電電力は10
0V、2Aと一定である。尚、鉄の蒸着速度は水晶振動
子膜厚計により制御し、保磁力は振動試料厘磁力計によ
り測定した。 第6図から判るように、高保磁力が得られる時の膜形成
速度は(ハ)の場合400X/minであるのニ対し、
に)o場合1000 X/min ト約2.5 倍に
なり、この時の保磁力も12100eと(ハ)の場合の
910Qeに比べて大きくなった。 次に、本発明の第3実施例について説明する。 第7図は第3実施例に用いられる真空蒸着装置のプラズ
マ生成室の断面図であり、第3実施例の真空蒸着装置、
は第1実施例の真空蒸着袋・置のプラズマ生成室13の
位置に第7図に示すプラズマ生成室を装着した以外は第
1実施例の真空蒸着装置と同じである。 第5実施例のプラズマ生成室のは、モリブデンからなる
厚さ0.2間、開口率30%のメツシュ状の分離板c3
αによって第1生成室31)1と第2生成室(至)とに
分離されている。前記第1生成室0の内部には交流電源
田に接続されたフィラメント[有]と、直流電源(至)
により正に印加されたアノード電極(至)(至)とが配
設されている。また、前記第1生成室(至)の局面には
ソレノイドコイル(9)が巻回されている。 (側は前記第1生成室((1)内にヘリウムガスを導入
するガス導入管である。尚、前記アノード電極(至)の
電圧は200V、電流は4Aであり、前記ソレノイドコ
イルζmによって前記第1生成室0の中心に発生する磁
場の強さは2000eである。 前記第2生成室■の内部には直流電源臼により正に印加
されたアノード電極+a 10が配設されており、局面
にはソレノイドコイルG1))が巻回されている。□□
□は前記第2生成室(至)内に窒素ガスを導入するガス
導入管である。尚、前記アノード電極間の電圧は100
V、電流は4人であり、前記ソレノイドコイル(4Dに
よって前記第2生成室(至)の中心に発生する磁場の強
さは1000eである。 上述のようなプラズマ生成室では、ガス導入管(至)よ
り導入された中性ヘリウム分子(転)は、フィラメント
(至)から放出されアノード電極(至)によって加速さ
れる熱電子(財)と衝突することによりイオン化されヘ
リウムイオン(He” ) 449と電子WjK分離す
る。そして、この分離されたヘリウムイオン(He+)
(至)と電子−は第1生成室C1υと第2生成室(至)
との気圧差によって第2生成室■に輸送される。この第
2生成室(至)に輸送されたヘリウムイオン(He”)
(ハ)と電子■はガス導入管(6)より導入された中性
窒素分子0ηに衝突する。ここで、前記中性窒素分子@
ηに電子−が衝突すると、第7図の(イ)に示す反応が
起こり、前記中性窒素分子節は分子状の窒素イオン(N
2)−と電子IIに分離する。また、前記中性窒素分子
07)にヘリウムイオン(He+)Laが衝突すると N 2 +He”−*N+I +He の反応と + + N2+He−4N2 +He の反応とが約6:4の比率で起こる。即ち、前記中性窒
素分子αηにヘリウムイオン(He )(ト)が衝突す
ると第7図の(ロ)に示す反応により中性窒素原子のと
原子状の窒素イオン(N”) (51とヘリウム原子6
のとが生成され、第7図のe−9に示す反応により分子
状の窒素イオン(N 2+) 61とヘリウム原子(ロ
)とが生成される。第7図の(イ)←)(ハ)に示す上
述の反応により生成されたヘリウム原子G13@(ロ)
、窒素分子Oη、電子(財)(ト)(至)、分子状の窒
素イオン(N2+)(財)(至)、ヘリウムイオン(ト
)、窒素原子団原子状の窒素イオン(−゛)GTJより
なる混合プラズマガス(ト)はソレノイドコイルlによ
り形成される磁場勾配と第2生成室(至)内外の気圧差
とによって外部に放射状に引き出される。そして、外部
に引き出された混合プラズマガス曽は第1実施例と同様
にるつぼからの鉄の蒸気と同時にフィルム基板に照射さ
れ、該フィルム基板上には窒化鉄の磁性薄膜が形成され
る。 尚、薄膜形成時の真空度は第1生成室面内が5X10
〜lX10 ’l’orr、第2生成室(至)内が1
x10 Torr、真空槽(1)内が2X10 T
orr である。また、薄膜形成前の真空槽(1)内
の真空度は8x10 Torr である。 一般に原子状の窒素イオン(f)は分子状の窒素イオン
(N2)よりも活性であり、しかも前記窒素イオン(N
)は単原子イオンであるため侵入型窒化物である窒化鉄
を形成する場合、窒素イオン(N2)よりも鉄原子間に
侵入し易い。即ち上述の第3実施例の製造方法では、第
7図の(ロ)に示す反応により窒素イオン(N)が多量
に生成され、窒化鉄の薄膜が高速で形成される。 第8図は第1実施例の装置により窒化鉄膜を形成した場
合(ホ)と、第7図に示す第3実施例の装置により窒化
鉄膜を形成した場合(へ)の膜形成速度と保磁力との関
係を示す図である。この実験結果は蒸着中の真空槽
【1
】内のガス圧が2X10 Torr。 鉄の蒸気の基板への最小入射角θが65°の条件下で蒸
着速度を変化させて基板上に2000Xの窒化鉄膜を形
成した時の保磁力を測定することにより得た。尚、プラ
ズマ生成室へのガス導入量は、(ホ)の場合、窒素ガス
が5secm であり、(へ)の場合、窒素ガスが6
sccm、ヘリウムガスが2secmである。また、基
板近くでのイオン電流密度は、(ホ)(へ)共に2 m
A / 51Jである。 第8図から判るように、最大保磁力が得られる時の膜形
成速度は、(ホ)の場合的400A/minであるのに
対し、(へ)の場合200 oX/mtnと約5倍にな
り、この時の保磁力も10300eと(ホ)の場合の8
300eに比べて大きくなった。尚、第3実施例の方が
第1実施例よりも高保磁力の窒化鉄の薄膜を形成出来る
のは、原子状の窒素イオン(N)が分子状の窒素イオン
(N2)よりも活性であるためと考えられる。 (ト)発明の効果 本発明に依れば、被膜のチャージアップを防止すること
により効率良く被膜を形成することが出来る磁気記録媒
体の製造方法を提供し得る。
】内のガス圧が2X10 Torr。 鉄の蒸気の基板への最小入射角θが65°の条件下で蒸
着速度を変化させて基板上に2000Xの窒化鉄膜を形
成した時の保磁力を測定することにより得た。尚、プラ
ズマ生成室へのガス導入量は、(ホ)の場合、窒素ガス
が5secm であり、(へ)の場合、窒素ガスが6
sccm、ヘリウムガスが2secmである。また、基
板近くでのイオン電流密度は、(ホ)(へ)共に2 m
A / 51Jである。 第8図から判るように、最大保磁力が得られる時の膜形
成速度は、(ホ)の場合的400A/minであるのに
対し、(へ)の場合200 oX/mtnと約5倍にな
り、この時の保磁力も10300eと(ホ)の場合の8
300eに比べて大きくなった。尚、第3実施例の方が
第1実施例よりも高保磁力の窒化鉄の薄膜を形成出来る
のは、原子状の窒素イオン(N)が分子状の窒素イオン
(N2)よりも活性であるためと考えられる。 (ト)発明の効果 本発明に依れば、被膜のチャージアップを防止すること
により効率良く被膜を形成することが出来る磁気記録媒
体の製造方法を提供し得る。
第1図は第1実施例の真空蒸着装置の概略断面図、第2
図は第1実施例のプラズマ生成室の概略断面図、第3図
は膜形成速度と保磁力との関係を示す図である。第4図
は従来の真空蒸着装置の概略断面図である。第5図は第
2実施例の真空蒸着装置の要部概略断面図、第6図は膜
形成速度と保磁力との関係を示す図である。第7図は第
3実施例のプラズマ生成室の概略断面図、第8図は膜形
成速度と保磁力との関係を示す図である。 (7)・・・鉄、 (訃・・フィルム基板、(1)・・
・蒸気、(13・・・プラズマ生成室、(241・・・
窒素イオン、(2j・・・電子、 (至)・・・永久磁
石(磁場発生部)、 (財)・・・原子状の窒素イオン
図は第1実施例のプラズマ生成室の概略断面図、第3図
は膜形成速度と保磁力との関係を示す図である。第4図
は従来の真空蒸着装置の概略断面図である。第5図は第
2実施例の真空蒸着装置の要部概略断面図、第6図は膜
形成速度と保磁力との関係を示す図である。第7図は第
3実施例のプラズマ生成室の概略断面図、第8図は膜形
成速度と保磁力との関係を示す図である。 (7)・・・鉄、 (訃・・フィルム基板、(1)・・
・蒸気、(13・・・プラズマ生成室、(241・・・
窒素イオン、(2j・・・電子、 (至)・・・永久磁
石(磁場発生部)、 (財)・・・原子状の窒素イオン
Claims (3)
- (1)プラズマ生成室より得た窒素イオン及び電子を、
鉄の蒸気と同時に基板に照射して該基板に窒化鉄膜を被
着することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - (2)前記窒素イオン及び電子を磁場発生部によって前
記鉄の蒸着部に収束させたことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の磁気記録媒体の製造方法。 - (3)前記窒素イオンが原子状の窒素イオン(N^+)
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁
気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63008171A JP2735836B2 (ja) | 1987-04-15 | 1988-01-18 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62-92281 | 1987-04-15 | ||
JP9228187 | 1987-04-15 | ||
JP18051287 | 1987-07-20 | ||
JP62-180512 | 1987-07-20 | ||
JP63008171A JP2735836B2 (ja) | 1987-04-15 | 1988-01-18 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01105331A true JPH01105331A (ja) | 1989-04-21 |
JP2735836B2 JP2735836B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=27277917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63008171A Expired - Fee Related JP2735836B2 (ja) | 1987-04-15 | 1988-01-18 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2735836B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0371420A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5812317A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | Sony Corp | 薄膜磁気媒体の製法 |
JPS58166930A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-10-03 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 中和されたイオン・ビ−ムを発生させる装置 |
JPS61926A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-06 | Taiyo Yuden Co Ltd | 鉄系薄膜型磁気記録媒体の製造方法 |
JPS61106767A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-24 | Agency Of Ind Science & Technol | 刃物類の刃先表面層改質方法 |
-
1988
- 1988-01-18 JP JP63008171A patent/JP2735836B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5812317A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | Sony Corp | 薄膜磁気媒体の製法 |
JPS58166930A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-10-03 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 中和されたイオン・ビ−ムを発生させる装置 |
JPS61926A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-06 | Taiyo Yuden Co Ltd | 鉄系薄膜型磁気記録媒体の製造方法 |
JPS61106767A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-24 | Agency Of Ind Science & Technol | 刃物類の刃先表面層改質方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0371420A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2735836B2 (ja) | 1998-04-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |