JP4551459B2 - 磁気記録用シリコン基板および磁気記録用媒体の製造方法 - Google Patents
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Description
そこで磁気ヘッド133と図示しない近接場光学素子とを集積して、低浮上でヘッドを浮上させながら、近接場光を利用して微細領域に光を集光し、発生する熱と磁場を同期させて書き込むことが必須となる。しかしながら、磁気ヘッド133と近接場光学素子との複合ヘッド開発の難易度が非常に高いという問題がある。なお、図5(A)では、読み取り用に、磁気ヘッド134に隣接して2枚のシールド136を空隙を開けて配置し、該空隙に検出素子として配線137を施したGMR素子138を配置している。
いずれの方式で磁気記録密度の限界を克服するにしても、技術難易度と量産化の課題には非常に大きな壁がある。
ただし、径48mm以上の記録用基板を対象とした場合、原料単結晶Siウェハが高価であるため基板が高くなることが唯一の欠点である。
多結晶基板をそのまま使用するものと、表面に酸化膜を成膜し該膜を平坦化・平滑化するものを開発している。前者は単結晶を多結晶に置き換えるだけのため構成が単純であるが、基板強度や研磨面の欠陥において、単結晶基板との比較で相対的に劣る。後者の強度は単結晶基板以上が得られ、また酸化膜がアモルファスであるので、研磨後の表面特性も優れたものが得られる。ただし、表面に酸化膜があるので、基板表面からの垂直方向の熱伝導に影響が出る。特に熱アシスト磁気記録では、書き込み時に与えた熱の放熱設計に影響の出る可能性がある。
本発明の磁気記録用シリコン基板に用いる多結晶シリコン基板としては、直径が48mm以上のものを好適に採用することができる。上記シリコン膜の厚みは50nm以上5μm以下である。50nm未満であると、シリコン膜厚の面内分布により、下地基板面が露出する危険性がある。5μmを超えると、成膜時間が長くなり、残留応力の影響で表面荒れが大きくなる傾向がある。シリコン膜はアモルファスかもしくは微結晶である。上記「微結晶」とは、通常、粒径が5nm〜50nmの結晶であり、多結晶シリコン下地基板の多結晶粒の平均グレインサイズは、後述のように1mm以上15mm以下が好ましいことから、多結晶シリコン下地基板の層とシリコン膜の層とは結晶構造の観察によって、明確に区別される。
Siのアモルファス膜と微結晶膜とはどちらも使用可能であり、前者は成膜が容易であるが、300℃以上でアモルファス状態から結晶化が始まるので、記録媒体の成膜温度によって使い分ければよい。
なお、本発明の磁気記録用シリコン基板における上記シリコン膜の平均厚さは、基板断面のSEM観察によって測定することができる。
該研磨基板上に適切に記録膜を成膜することにより、磁気記録媒体とする。
図1は、本発明の磁気記録媒体用Si基板の製造プロセスの一例を説明するためのフローチャートである。先ず、HD用Si基板をコア抜きして取得するために、多結晶Siウェハを準備する(S1)。該多結晶Siウェハ純度は高い方がよいが、いわゆる「半導体グレード」(一般には、その純度は「11ナイン」(99.999999999%)以上である)のものである必要はなく、概ね「太陽電池グレード」のものでよい。太陽電池グレードの多結晶Siウェハの純度は、一般的には「8ナイン」(99.999999%)程度であるが、本発明では、「4ナイン」(99.99%)までは許容できる。本発明の磁気記録用基板用途では、多結晶Siを基本的に構造材料として使用するので、太陽電池用途と異なりボロン(B)や燐(P)等のドーパント量の制御をする必要はない。また、原料多結晶Siウェハ中に含有される不溶不純物(SiNxやSiC等)は少ない方が望ましいが、シリコン膜で上部が被覆されるので、実用上は問題とならない。
PVD法ではスパッタ法、イオンプレーティング法、蒸着法(レーザデポジッション法を含む)等があるが、成膜速度の相対的に速いマグネトロンスパッタ法やイオンプレーティング法が適している。
既に粗研磨(S6)加工が施された多結晶Si表面に成膜を行うので、成膜面の表面特性は比較的良好である。シリコン膜の膜質は成膜手法により異なるが、成膜時のプラズマや飛翔粒子の温度の高いものが原理的には緻密な膜が形成できる。そのためにも、プラズマCVDやマグネトロンスパッタ法等飛翔粒子の実効温度の高い方法がよい。
研磨加工後のシリコン膜厚は50nm以上、5μm以下でよい。50nm厚未満になるとシリコン膜厚の面内分布により、下地基板面が露出する危険性がある。また、5μm厚を超えると成膜時間が長くなり、残留応力の影響で表面荒れが大きくなる傾向にあるので、それ以上厚いシリコン膜は望ましくない。
もちろん仕上げ研磨工程(S8)でより良好な表面を得るため、2段階以上の仕上げ研磨を行ってもよい。
このようにして得られた多結晶シリコン基板は、ウェビネスとマイクロウェビネスの2乗平均値が何れも0.3nm以下となり、ハードディスク用の基板として充分な表面特性を得ることができる。
実施例1〜7
純度が「5ナイン」の多結晶Siウェハ(156mm角、厚み0.6mm)を準備し(S1)、この多結晶Siウェハから、レーザー加工機(YAGレーザー、波長1064nm)により、外径65mm、内径20mmのSi基板をコア抜きしてウェハ当たり4枚の基板を得た(S2)。これらの基板に、内外芯取り(S3)、調厚加工(S4)、端面研磨(S5)を施した。
次いで、多結晶シリコン基板の主面に、粗研磨加工(S6)を施した。この粗研磨加工は両面研磨機を用い、pH8.5のコロイダルシリカ(平均粒径40nm)のスラリで、研磨圧10kg/cm2で10分から30分間研磨し、最大で1500nm研磨した。この粗研磨後のSi基板主面の粒間段差を光学検査機(Zygo)で調べたところ、概ね5nm程度であった。
高周波プラズマCVD成膜は、13.56MHzの高周波印加で、シランガスを流しながら背厚が1〜3Torrになるように調整し、加熱していない該多Si基板上にアモルファスシリコン膜を1000nm〜5000nm厚に成膜した。また、同様な条件にて成膜させたが、該Si基板の温度を400℃に昇温した上に成膜させることにより、微結晶シリコン膜を2000nm〜5000nm厚に成膜した。
また、マグネトロンスパッタ成膜は、DCスパッタでSiターゲットを用い、Arガスを流し、背圧5×10−3Torrにてスパッタし、該多結晶シリコン基板上に1500nm前後の膜厚とした。この時、ターゲットの加熱は特に行わなかった。成膜されたシリコン膜は微結晶タイプであった。
S3 内外芯取り S4 調厚加工
S5 端面研磨 S6 粗研磨または精密研削
S7 シリコン膜形成 S8 精密研磨(仕上げ研磨)
S9 スクラブ超音波洗浄 S10 RCA洗浄
S11 光学検査 S12 梱包・出荷
121 ガラス基板 122、112 軟磁性裏打ち層
123 磁性層 124 非磁性材料
131 レーザー 132 磁性層
133 昇温部 134 書き込みコイル
136 シールド 137 配線
138 GMR素子 101、111 非磁性基板
102 Cr系下地層 103、113 磁気記録層
104、114 保護層 105、115 潤滑層
Claims (3)
- シリコン多結晶の磁気記録用基板であって、多結晶シリコン基板上に平均厚さが50nm以上5μm以下の微結晶シリコン膜が積層され、平滑化された磁気記録用シリコン基板。
- 前記微結晶シリコン膜が積層された表面の平均粗さRaが、0.5nm以下である請求項1に記載の磁気記録用シリコン基板。
- 多結晶シリコン基板の主面を精密研削または粗研磨する工程と、
該シリコン基板面上に微結晶シリコン膜を成膜する工程と、
該シリコン膜を平滑に研磨する工程と
磁気記録層を300℃以上で成膜する工程とを含んでなる磁気記録用媒体の製造方法。
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