JP2005196874A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ガラス基板を用いた磁気記録媒体において、高い磁気異方性と高耐久性を実現する。
【解決手段】 ガラス基板上にテクスチャーを設け、非磁性アモルファスの密着層、非磁性アモルファスのシード層、非磁性下地層、磁性層を順次形成する。密着層およびシード層はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏからなる群から選択される少なくとも一元素を含み、さらに、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａからなる群から選択される少なくとも一元素を含んで構成し、各々３ｎｍ〜５０ｎｍの膜厚とする。密着層とシード層の積層膜はビッカース硬度で６００Ｈｖ〜２０００Ｈｖとする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、情報の記録再生を行うための磁気記録媒体に関し、より詳細には、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）装置に搭載される、ガラス基板を用いた磁気記録媒体およびその製造方法に関する。

近年、磁気記録媒体に対する高記録密度化の要求は益々高まっている。現在この磁気記録媒体においては、基板上にＣｒ、Ｃｒ合金等からなる下地層等を介して、ＣｏＣｒ合金等の磁気記録層を設け、記録磁化の方向を面内に向けて記録する長手記録方式が用いられている。基板としては通常Ａｌ基板もしくはガラス基板が用いられるが、特にノート型パソコンにおいては、衝撃に対する耐久性が必要となることから、高強度なガラス基板を用いた磁気記録媒体が普及している。
長手記録方式において線記録密度を向上するためには、記録時の反磁界の影響を減少するために、記録を担う磁性層の残留磁化（Ｍｒ）と磁性層膜厚（ｔ）の積（Ｍｒ・ｔ）を小さくし、保磁力を増大する必要がある（例えば、特許文献１参照）。また、磁化遷移領域から発生する媒体雑音を低減し、Ｓ／Ｎを向上するためには磁性層結晶粒の微細化と結晶粒間の交換相互作用の低減による活性化粒径の低減が必要である。粒径を微細化するためには下地層の薄膜化および多層化が有効であり、粒間相互作用の低減に関しては、基板加熱を行なう事でＣｏＣｒ合金中のＣｒを結晶粒界に偏析させ、非磁性領域を形成する事が有効である。しかしながら、このような磁性層結晶粒の微細化や粒間相互作用の低減により、活性化粒径が低減した媒体では、熱的には不安定となり、残留磁化が減少し、これに伴い記録遷移幅が増大する結果、ヘッド出力の時間減少が加速する。このいわゆる熱揺らぎを改善するためには、磁性膜の磁気異方性エネルギー（Ｋｕ）を大きくする事が有効であり、現状ではＣｏＣｒ合金にＰｔを多く添加する事で磁気異方性エネルギーを高めている。

最近においては、磁気異方性エネルギーを大きくする事なく熱安定性を確保する反強磁性結合（ＡＦＣ：Ａｎｔｉ−Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ）を用いたＡＦＣ媒体が実用化されている（例えば、特許文献２参照）。ＡＦＣ媒体は記録を担う主たる磁性層の下に１ｎｍ以下のスペーシング層と磁性を有する安定化層を設けた媒体である。このＡＦＣ媒体は、主たる磁性層と安定化層間で反強磁性的な交換作用が働くため、安定化層分の磁性層体積が増え熱安定性が高まる。
Ｓ／Ｎを向上させる他の手法としては、Ｃｏ基合金等からなる磁性層の面内配向性を向上させることが効果的である。これは結晶磁気異方性が面内方向に強くなり、磁気特性の保磁力、保磁力角型比及び残留磁化が増加するためである。さらに円周方向と半径方向の磁気特性の異方性（特に残留磁化膜厚積の円周方向の値と半径方向の値の比:ＯＲ−Ｍｒ・ｔ）を大きくする事も有効である。磁気特性の面内異方性を得るためには、メッキ膜もしくはスパッタ膜上にテクスチャーと呼ばれる円周方向の溝を形成し、その後、加熱処理を行い順次Ｃｒ下地層、Ｃｏ基磁性層などを形成する。この際、テクスチャーの形状により基板面表面で円周方向と半径方向に応力の異方性が発生し、これを受けＣｒ下地が変形する。この時Ｃｒ下地は（２００）優先配向であり、＜１１０＞軸が半径方向に伸びるため、Ｃｏ（１１０）面の短辺であるｃ軸が円周方向に優先的に配向し、磁気特性の異方性が発現すると考えられている（例えば、非特許文献１参照）。この時テクスチャーの半幅よりＣｒ下地の結晶粒径が小さいと異方性が導出され易い（例えば、非特許文献２参照）。

しかしながら、上述のテクスチャーによる磁気異方性の付与は、Ａｌ基板を用いる場合には有効に作用するが、ガラス基板を用いる場合には磁気異方性の発現が困難である。これは、下地層と基板との熱膨張差の程度にＡｌとガラスでは差があるため、上述の効果が発現しにくいためと考えられる。この解決のために、ガラス基板を用いて磁気異方性を発現する手段がこれまで種々提案されているが、いずれも不十分なレベルに留まっている。
一つの方法はガラス基板上にＣｒ等の密着層を形成後、ＮｉＰ等をシード層としてスパッタで形成し、その後テクスチャーを形成する方法である（例えば、特許文献３参照）。しかしながら、シード層を形成後にテクスチャー加工を行なうためには、シード層であるＮｉＰを数１００ｎｍ以上形成しなければならず、量産を考慮した場合に問題が生じる。また、テクスチャー加工性の観点から使用できる材料が限定される。

他の方法は、ガラス基板に直接テクスチャーを施す方法である（例えば、特許文献４、５参照）。ガラス基板にテクスチャーを形成した以降は、真空中で一貫して成膜することが可能であり、量産性の観点からは好ましい。しかしながら、前者の作成方法と特性を比較すると磁気特性は同等であるが、電磁変換特性が劣る。これは残留磁化膜厚積（Ｍｒ・ｔ）の円周方向と半径方向の比（ＯＲ−Ｍｒ・ｔ）が未だ小さいためである。また耐久性という観点では、スパッタ法で形成したＮｉＰ膜は硬度が低いため、耐久性は不十分である。また、ＡｌＲｕ膜は、規則合金であるため硬度は高いが、ＡｌＲｕの下層に粒径およびガラス基板の表面状態を抑制する層が必要であり、この層の材料により耐久性の劣化が生じる。
特開平８-３２９４４４号公報 特開平１３-５６９２４号公報 特開平１１-３３９２４０号公報 特開２００３-３０８２５号公報 特開２００３-２４２６３１号公報 高橋克典ほか、「ＣｏＣｒＰｔＴａ薄膜磁気記録媒体の面内磁気異方性と微細構造」、日本応用磁気学会誌、２０００年、第２４巻、ｐ．２８３-２８６ 村尾玲子ほか、「薄膜媒体の面内磁気異方性の考察」、日本応用磁気学会誌、２００１年、第２５巻、ｐ．６１５-６１８

上述の問題に鑑み、本発明は、ガラス基板を用いた磁気記録媒体において、高いＯＲ−Ｍｒ・ｔ、高Ｓ／Ｎと高い熱ゆらぎ安定性を有し、高記録密度化に対応可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
また、繰り返し使用時における記録再生ヘッドの接触等の衝撃あるいは摺動等の破壊要因に対して、高い耐久性を有する磁気記録媒体を提供することを目的とする。
さらに、低コスト化が可能な量産性に優れた製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために本発明では、ガラス基板上に少なくとも非磁性下地層、磁性層を順次形成した磁気記録媒体において、前記ガラス基板は円周方向にテクスチャーが形成され、前記ガラス基板と前記非磁性下地層との間に、非磁性アモルファス材料からなる密着層、非磁性アモルファス材料からなるシード層が順次形成され、円周方向の残留磁化膜厚積と半径方向の残留磁化膜厚積の比が１．２以上である事を特徴とする。
前記密着層、前記シード層を積層した膜の膜硬度は好ましくはビッカース硬度で６００Ｈｖ以上、２０００Ｈｖ以下とされる。
前記密着層は、好ましくはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏからなる群から選択される少なくとも一元素を含み、さらに、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａからなる群から選択される少なくとも一元素を含んでよい。

前記シード層は、好ましくはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏからなる群から選択される少なくとも一元素を含み、さらに、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａからなる群から選択される少なくとも一元素を含んでよい。
前記密着層と前記シード層は好ましくは異なる材料から形成される。
前記密着層および前記シード層の膜厚がそれぞれ３ｎｍ以上、５０ｎｍ以下が好ましく、かつ前記密着層の膜厚と前記シード層の膜厚の合計が１００ｎｍ以下が好ましい
前記磁性層に反強磁性結合が形成されることが好ましい。
ガラス基板上に少なくとも非磁性下地層、磁性層を順次形成した磁気記録媒体の製造方法において、前記ガラス基板の円周方向にテクスチャー加工を施し、前記ガラス基板と前記非磁性下地層との間に、非磁性アモルファス材料からなる密着層、非磁性アモルファス材料からなるシード層を順次形成し、円周方向の残留磁化膜厚積と半径方向の残留磁化膜厚積の比を１．２以上とすることを特徴とする。

本発明によれば、ガラス基板上にテクスチャーを設け、非磁性の密着層、非磁性のシード層、非磁性下地層、磁性層を順次形成した磁気記録媒体において、非磁性の密着層および非磁性のシード層をアモルファス材料とすることにより、高いＯＲ−Ｍｒ・ｔを実現し、Ｓ／Ｎと熱ゆらぎ安定性を両立して高めることが可能となり、さらに高耐久性を実現することが可能となった。

以下、図面を参照して本発明の最良の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の磁気記録媒体の基本的な構成例を説明するための概念図で、非磁性のガラス基板１上に、非磁性アモルファス材料からなる密着層２、非磁性アモルファス材料からなるシード層３、非磁性下地層４、磁性層５が順次積層され、磁性層５は安定化層５ａ、スペーサー層５ｂ、主磁性層５ｃから構成される。磁性層５の上には保護層６、液体潤滑層７が設けられている、
本発明の磁気記録媒体の基本的特徴は、ガラス基板１にテクスチャーを施し、非磁性アモルファス材料からなる密着層２およびシード層３を積層した点にある。密着層２およびシード層３をアモルファス材料とすることにより、ガラス基板上に形成したテクスチャーの凹凸をシード層表面まで維持することが可能となり、高い磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒ・ｔ）を発現するとともに、密着層２およびシード層３の積層膜の硬度を高めることが可能となり、耐久性を高めることが可能となる。安定化層５ａ、スペーサー層５ｂは反強磁性結合（ＡＦＣ）を発現して特性を向上するために付加することが好ましい層であり、これらの層を備えない構成の磁気記録媒体とすることも可能である。

以下、より具体的に説明する。ガラス基板１はアモルファスガラスあるいは結晶化ガラス等の通常使用される材料が使用可能であり、ガラス基板の種類、組成、形状等は特に限定されない。ガラス基板の機械的強度を高めるために化学強化ガラスとすることもできる。
ガラス基板１にはテクスチャー加工が施される。テクスチャー加工は、情報の記録再生を行うトラックの方向に略平行に微細な凹凸を形成する。ガラス基板が円板状の場合にはテクスチャーは円周方向に形成される。テクスチャーの形成方法は、機械的な加工方法、リソグラフィー法等、筋状の凹凸を付与する方法を適用できるが、コスト的観点からすれば、研磨砥粒を含まない加工布を基板表面に押圧し、加工布に研磨用のスラリーを付着させて、基板を回転しながら加工するテープテクスチャー法が好ましい。研磨砥粒は、ダイアモンド、酸化セリウム、シリコンカーバイド、コロイダルシリカ等を用いることができ、研磨砥粒と研磨液を混合してスラリーとして用いる事ができる。テクスチャーの表面粗さ、半径方向のピッチは、磁気特性の面内磁気異方性や磁気ヘッドの浮上特性に影響を与える。記録再生特性の観点では、表面粗さが小さく半径方向のピッチが大きい方がヘッドとの磁気スペーシング距離が短くなるため好ましいが、面内磁気異方性の減少によるＳ／Ｎ劣化や磁気ヘッドの浮上特性劣化による機械的エラーが発生する。このため、表面粗さとしては、Ｒａで０．２ｎｍ〜０．５ｎｍ、半径方向のピッチとしては５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲で形成する事が好ましい。表面粗さの測定は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用い、測定領域は１０μｍ×１０μｍで行っている。

密着層２はガラス基板との密着性を向上するとともに、ガラス基板に含まれるアルカリ金属等の汚染元素の拡散を抑止して磁気特性の劣化を防ぐために設けられる層であり、非磁性のアモルファス材料から構成される。その材料は、使用するガラス基板の材料および拡散を防止すべき元素に応じて適宜選択されるが、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏからなる群から選択される少なくとも一元素を主成分として含むことが好ましく、さらに、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａからなる群から選択される少なくとも一元素を添加することが好ましい。膜厚は３ｎｍ以上、５０ｎｍ以下が好ましい。膜厚が３ｎｍより薄い場合は、ガラス基板から拡散する汚染元素の抑止が不十分となり、また、膜厚が５０ｎｍを超えると量産性に支障を生じる。
シード層３は、この上に形成する非磁性下地層４の配向性を向上するとともに非磁性下地層４の粒径を制御するために設けられる層であり、非磁性のアモルファス材料から構成される。その材料は、使用する非磁性下地層４の材料に応じて適宜選択されるが、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏからなる群から選択される少なくとも一元素を主成分として含むことが好ましく、さらに、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａからなる群から選択される少なくとも一元素を添加することが好ましい。その膜厚は３ｎｍ以上、５０ｎｍ以下が好ましい。膜厚が３ｎｍより薄い場合は、下地層４の配向性または粒径の制御が不十分となり、膜厚が５０ｎｍより厚い場合は量産性に支障を生じる。

密着層２およびシード層３をアモルファス材料とすることにより、ガラス基板上に形成したテクスチャーの凹凸をシード層表面まで維持することが可能となり、高い磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒ・ｔ）を発現するとともに、密着層２およびシード層３の積層膜の硬度を高めることが可能となり、耐久性を高めることが可能となる。
密着層２およびシード層３が良好なアモルファス構造を呈するためには２種以上の元素を用いることが好ましく、３種以上の元素から構成すれば更に好ましい。構成する元素の原子半径が１２％以上異なっている場合にはさらに良好なアモルファス構造を呈することができる。例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属元素を主要元素とした場合には、Ｂ、Ｐ、Ｚｒ、Ｃ、Ｔａ等と合金化させることが望ましい。また、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主要元素として用いる場合は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉは磁性材料であるのでアモルファス構造でかつ非磁性にするためには、前述したＢ、Ｐ、Ｚｒ、Ｃ、Ｔａおよび他の材料は主要元素に対して１０％を超えて添加することが好ましく、さらに１５％以上添加すれば一層の効果を生じる。

膜の硬度に関しては、例えば多結晶膜の場合、結晶粒径に大きく依存するＨａｌｌ Ｐｅｔｃｈの関係が知られている。アモルファス構造の場合は、非常に微細な結晶粒と考えられるため、膜の硬度は高まる。また、さらに硬度を高める場合は、硬度の支配的な要因は材料自体の硬度であるため、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉのほかに高融点で高強度なＷ、Ｍｏなどを主成分として添加し、少なくとも２種類、好ましくは３種類以上の合金として用いる事により膜の硬度を高めることができる。また、合金化すること自体が膜を強化する効果がある。密着層２およびシード層３を積層した膜の硬度はビッカース硬度で６００Ｈｖ以上、２０００Ｈｖ以下が好ましい。ビッカース硬度が６００Ｈｖ未満では繰り返し使用時における記録再生ヘッドとの接触等の衝撃あるいは摺動等による破壊が生じ耐久性が大きく低下する。ビッカース硬度が２０００Ｈｖを超えると、耐久性は十分であるが、下地層の応力変形が阻害されるため、ＯＲ−Ｍｒ・t異方性の発現が低下する。

密着層２およびシード層３の合計膜厚は、３０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下が好ましい。合計膜厚が３０ｎｍ未満では、磁性層への応力の付与が不十分となり、ＯＲ−Ｍｒ・ｔの異方性の発現が低下する。
非磁性下地層４は、磁性層５の磁性結晶配向性、結晶粒径及び粒界偏析を好適に制御するために用いられる。材料としては、体心立方構造（bｃｃ）あるいは六方最密充填構造（ｈｃｐ）を有する単金属膜あるいは合金膜が好ましく、Ｃｒ、Ｔｉ，Ｒｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｔａやそれらを含む合金膜が挙げられるが、それらに限定されない。非磁性下地層４の膜厚としては、磁性層５の構造制御を行なうのに必要最小限の膜厚とすることが、記録の面からは必要である。膜厚を薄くする事により、非磁性下地層の結晶粒径を小さくする事ができ、磁性層の結晶粒径を微細化してＳ／Ｎを向上する事ができる。良好な特性を得るために、非磁性下地層を何層かの積層により構成することも有効である。積層する事により、非磁性下地層各層の膜厚を薄くして結晶粒径を小さくすることができる。

磁性層５としては、ＣｏＣｒ基合金膜、結晶粒界にＳｉＯ_２等の非磁性酸化物や窒化物を有するグラニュラー膜、希土類−遷移金属合金非晶質膜、ＦｅＰｔ規則合金膜等の良く知られた磁性膜を用いる事が出来る。
磁気記録特性を向上するために反強磁性結合を有する層構成とすることもできる。具体的には、非磁性下地層４上にＣｏＣｒ基合金等の磁性を有する安定化層５ａ、Ｒｕ合金等からなるスペーサー層５ｂ、主磁性層５ｃを順次積層して形成する。反強磁性結合により安定化層５ａに相当する磁性層体積が増えるため、熱揺らぎ安定性がさらに向上する。
磁性層５の非磁性粒界の形成を促進するために基板加熱を行うことが有効である。基板加熱温度は、高すぎる場合には、密着層２とシード層３に結晶領域が形成されるため、２８０℃以下が好ましい。

保護層６は、従来より使用されている保護膜を用いることができる。例えば、カーボンを主体とする保護膜を用いることができる。保護層６の膜厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。
また、液体潤滑層７も従来より使用されている材料を用いることができる。例えば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤をもちいることができる。液体潤滑層７の膜厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。
以下に本発明の実施例を説明するが、以下の実施例は、本発明を説明する代表例に過ぎず、本発明をなんら限定するものではない。
（実施例１）
非磁性ガラス基板１を化学強化系ガラス基板とし、テープテクスチャー装置でテクスチャー加工を行なった。その表面粗さは、原子間力顕微鏡にて測定した結果、Ｒａが０．２５ｎｍ、半径方向のピッチは１５ｎｍで形成されていた。その後、基板洗浄を行い、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、非磁性アモルファスの密着層２をＴｉ_５０Ｃｒ_４０Ｂ_１０にて膜厚１５ｎｍ、非磁性アモルファスのシード層３をＣｒ_６０Ｂ_４０にて膜厚１５ｎｍ形成し、予備加熱を２２０℃で行なった。次に非磁性下地層４をＣｒが膜厚４ｎｍ、Ｃｒ_７０Ｍｏ_３０が膜厚４ｎｍの順に２層で形成し、安定化層５ａをＣｏ_７８Ｃｒ_１５Ｔａ_７にて膜厚２ｎｍ、スペーサー層５ｂをＲｕにて膜厚０．８ ｎｍ、主磁性層５ｃをＣｏ_５６Ｃｒ_２４Ｐｔ_１２Ｂ_８が膜厚６ｎｍ、Ｃｏ_６５Ｃｒ_１５Ｐｔ_１２Ｂ_８が膜厚６ｎｍの順に２層で形成した。非磁性下地層４から主磁性層５ｃまで全てＤＣマグネトロンスパッタ法で形成している。その後ダイヤモンドライクカーボン保護層６を３ｎｍの膜厚でＣＶＤ法で形成し、保護層６上にフロロカーボン系の液体潤滑剤を膜厚１．４ｎｍで塗布して潤滑層７を形成して磁気記録媒体とした。こうして得られた磁気記録媒体のＳ／Ｎ比、出力減衰の測定およびＯＲ−Ｍｒ・ｔを測定した。Ｓ／Ｎ比の測定は、スピンスタンド型テスターを用い、線記録密度６００ｋＦＣＩ（ｋｉｌｏ ｆｌｕｘ ｃｈａｎｇｅ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）で測定した。出力減衰はスピンスタンド型テスターを用い、６０℃において線記録密度３００ｋＦＣＩで出力減衰を測定した。ＯＲ−Ｍｒ・ｔ値の測定はＯＲＭ測定器（イノベイティブインスツルメント製）と呼ばれる磁気測定器を用いて円周方向のＭｒ・ｔ値と半径方向のＭｒ・ｔ値を求め、円周方向のＭｒ・ｔ値と半径方向のＭｒ・ｔ値の比（円周方向Ｍｒ・ｔ/半径方向Ｍｒ・ｔ）をＯＲ−Ｍｒ・ｔとした。その後透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による磁性層結晶粒径の評価を行なった。平均粒径および標準偏差はＣｏ（１００）、（００２）、（１０１）の回折リングを用いて結像した暗視野像を用い、白いコントラストの結晶粒を１５０個〜３００個計測し算出した。粒径分散は標準偏差を平均粒径で除した値である。同様に作製した磁気記録媒体を用いてスクラッチ試験により破壊荷重、ロードアンロード試験によりＡＥバースト（ロードアンロード時の磁気ディスクと磁気ヘッドの接触により磁気ディスクの膜剥離が生じ、剥離膜が磁気ヘッドに付着することにより浮上障害を誘発しＡＥ出力が急激に増加する現象）するまでの回数の測定を行なった。スクラッチ試験はロックウェルダイヤモンド圧子を膜面に押しつけ荷重を増加させながら膜面を引っかき、膜の破壊が発生する荷重値を破壊荷重値とした。密着層／シード層の硬度はシード層まで同様に成膜したサンプルを電子天秤上に載せサンプルに圧子を垂直に押し込み、押し込んだ時の押し込み荷重、押し込み深さから硬度を求め、ビッカース硬度に換算した値を用いた。評価結果を表１にまとめる。また、密着層およびシード層の構造確認を行なうため、透過電子顕微鏡による断面観察を行なったところ密着層２およびシード層３共にアモルファス構造であった。
比較例（１）
前記実施例１に示した磁気記録媒体において非磁性ガラス基板１上にテクスチャーを形成せずにＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い密着層２をＣｒにて膜厚５ｎｍ、シード層３をＮｉ_８０Ｐ_２０にて膜厚１００ｎｍで形成し、シード層３上にテクスチャーを形成した後に予備加熱を２２０℃で行なった以外は実施例１と同様に作製した磁気記録媒体を得た。こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定および透過電子顕微鏡による磁性層結晶粒径の評価、スクラッチ試験により破壊荷重、ロードアンロード試験によりＡＥバーストするまでの回数の測定を行なった。表１に評価結果を示す。また、密着層およびシード層の構造確認を行なうため、透過電子顕微鏡による断面観察を行なったところ密着層２は結晶構造でありシード層３はアモルファス構造であった。
比較例（２）
前記実施例１に示した磁気記録媒体において密着層２をＣｒ_９０Ｔａ_１０にて膜厚１５ｎｍ、シード層３をＮｉ_８０Ｐ_２０にて膜厚１０ｎｍとしてＤＣマグネトロンスパッタで形成した以外は実施例１と同様に作製した磁気記録媒体を得た。こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定および透過電子顕微鏡による磁性層結晶粒径の評価、スクラッチ試験により破壊荷重、ロードアンロード試験によりＡＥバーストするまでの回数の測定を行なった。表１に評価結果を示す。また、密着層およびシード層の構造確認を行なうため、透過電子顕微鏡による断面観察を行なったところ密着層２は結晶構造でありシード層３はアモルファス構造であった。
比較例（３）
前記実施例１に示した磁気記録媒体において非磁性ガラス基板上にテクスチャーを設けず、密着層２をＣｒにて膜厚１０ｎｍとし、シード層３をＮｉ_５０Ａｌ_５０にて膜厚３０ｎｍとしてＤＣマグネトロンスパッタで形成した以外は実施例１と同様に作製した磁気記録媒体を得た。こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定および透過電子顕微鏡による磁性層結晶粒径の評価、スクラッチ試験により破壊荷重、ロードアンロード試験によりＡＥバーストするまでの回数の測定を行なった。表１に評価結果を示す。また、密着層およびシード層の構造確認を行なうため、透過電子顕微鏡による断面観察を行なったところ密着層２およびシード層３共に結晶構造であった。
比較例（４）
前記実施例１に示した磁気記録媒体においてシード層３を形成しない以外は同様に作製した磁気記録媒体を得た。こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定および透過電子顕微鏡による磁性層結晶粒径の評価、スクラッチ試験により破壊荷重、ロードアンロード試験によりＡＥバーストするまでの回数の測定を行なった。表１に評価結果を示す。また、密着層の構造確認を行なうため、透過電子顕微鏡による断面観察を行なったところ密着層２はアモルファス構造であった。
比較例（５）
前記実施例１に示した磁気記録媒体においてテクスチャー加工を行なわない以外は同様に作製した磁気記録媒体を得た。こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定および透過電子顕微鏡による磁性層結晶粒径の評価、スクラッチ試験により破壊荷重、ロードアンロード試験によりＡＥバーストするまでの回数の測定を行なった。表１に評価結果を示す。また、密着層およびシード層の構造確認を行なうため、透過電子顕微鏡による断面観察を行なったところ密着層２、シード層３共にアモルファス構造であった。
（実施例２）
前記実施例１に示した磁気記録媒体において密着層２をＴｉ_５０Ｃｒ_４０Ｂ_１０にて膜厚１０ｎｍ、シード層３をＣｒ_６０Ｂ_４０にて膜厚３０ｎｍとした以外は同様に作製した磁気記録媒体を得た。こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定および透過電子顕微鏡による磁性層結晶粒径の評価、スクラッチ試験により破壊荷重、ロードアンロード試験によりＡＥバーストするまでの回数の測定を行なった。表１に評価結果を示す。また、密着層およびシード層の構造確認を行なうため、透過電子顕微鏡による断面観察を行なったところ密着層２およびシード層３共にアモルファス構造であった。
（実施例３）
前記実施例１に示した磁気記録媒体において予備加熱温度を２８０℃とした以外は、実施例１と同様に作製した磁気記録媒体を得た。こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定および透過電子顕微鏡による磁性層結晶粒径の評価、スクラッチ試験により破壊荷重、ロードアンロード試験によりＡＥバーストするまでの回数の測定を行なった。表１に評価結果を示す。また、密着層およびシード層の構造確認を行なうため、透過電子顕微鏡による断面観察を行なったところ密着層２およびシード層３共にアモルファス構造であった。
（実施例４）
前記実施例１に示した磁気記録媒体において密着層２をＣｒ_５０Ｔａ_５０にて膜厚１５ｎｍ、シード層３をＷ_５０Ｃｏ_４０Ｂ_１０にて膜厚１５ｎｍとした以外は同様に作製した磁気記録媒体を得た。こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定および透過電子顕微鏡による磁性層結晶粒径の評価、スクラッチ試験により破壊荷重、ロードアンロード試験によりＡＥバーストするまでの回数の測定を行なった。表１に評価結果を示す。また、密着層およびシード層の構造確認を行なうため、透過電子顕微鏡による断面観察を行なったところ密着層２およびシード層３共にアモルファス構造であった。
（実施例５）
前記実施例１に示した磁気記録媒体において密着層２をＣｒ_６０Ｂ_４０にて膜厚１０ｎｍ、シード層３をＭｏ_５０Ｚｒ_３０Ｂ_２０にて膜厚３０ｎｍとした以外は実施例１と同様に作製した磁気記録媒体を得た。こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定および透過電子顕微鏡による磁性層結晶粒径の評価、スクラッチ試験により破壊荷重、ロードアンロード試験によりＡＥバーストするまでの回数の測定を行なった。表１に評価結果を示す。また、密着層およびシード層の構造確認を行なうため、透過電子顕微鏡による断面観察を行なったところ密着層２およびシード層３共にアモルファス構造であった。
（実施例６）
前記実施例１に示した磁気記録媒体において密着層２をＴｉ_５０Ｃｒ_４０Ｂ_１０にて膜厚２０ｎｍ、シード層３をＣｒ_６０Ｂ_４０にて膜厚５０ｎｍ形成し予備加熱を２２０℃で行なった後に−２００Vのバイアス電圧をかけながら非磁性下地層４をＣｒが膜厚４ｎｍ、Ｃｒ_７０Ｍｏ_３０が膜厚４ｎｍを順次形成する以外は実施例１と同様に作製した磁気記録媒体を得た。こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定および透過電子顕微鏡による磁性層結晶粒径の評価、スクラッチ試験により破壊荷重、ロードアンロード試験によりＡＥバーストするまでの回数の測定を行なった。表１に評価結果を示す。また、密着層およびシード層の構造確認を行なうため、透過電子顕微鏡による断面観察を行なったところ密着層２およびシード層３共にアモルファス構造であった。
（実施例７）
前記実施例１に示した磁気記録媒体において非磁性下地層４をＣｒが膜厚４ｎｍ、Ｃｒ_７４Ｍｏ_２０Ｂ_６が膜厚２ｎｍ、Ｃｒ_７０Ｍｏ_３０が膜厚２ｎｍの３層とした以外は実施例１と同様に作製した磁気記録媒体を得た。こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定および透過電子顕微鏡による磁性層結晶粒径の評価、スクラッチ試験により破壊荷重、ロードアンロード試験によりＡＥバーストするまでの回数の測定を行なった。表１に評価結果を示す。また、密着層およびシード層の構造確認を行なうため、透過電子顕微鏡による断面観察を行なったところ密着層２およびシード層３共にアモルファス構造であった。
（実施例８）
前記実施例１に示した磁気記録媒体において密着層２をＣｒ_５０Ｔａ_５０にて膜厚１０ｎｍ、シード層３をＦｅ_５０Ｃｒ_２０Ｂ_２０Ｓｉ_１０にて膜厚１５ｎｍとした以外は実施例１と同様に作製した磁気記録媒体を得た。こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定および透過電子顕微鏡による磁性層結晶粒径の評価、スクラッチ試験により破壊荷重、ロードアンロード試験によりＡＥバーストするまでの回数の測定を行なった。表１に評価結果を示す。また、密着層およびシード層の構造確認を行なうため、透過電子顕微鏡による断面観察を行なったところ密着層２およびシード層３共にアモルファス構造であった。

本発明に係る磁気記録媒体の断面図。

符号の説明

１ ガラス基板
２ 非磁性アモルファス材料からなる密着層
３ 非磁性アモルファス材料からなるシード層
４ 非磁性下地層
５ 磁性層
５ａ 安定化層
５ｂ スペーサー層
５ｃ 主磁性層
６ 保護層
７ 液体潤滑層

Claims (8)

1. ガラス基板上に少なくとも非磁性下地層、磁性層を順次形成した磁気記録媒体において、
   前記ガラス基板は円周方向にテクスチャーが形成され、
   前記ガラス基板と前記非磁性下地層との間に、非磁性アモルファス材料からなる密着層、非磁性アモルファス材料からなるシード層が順次形成され、
   円周方向の残留磁化膜厚積と半径方向の残留磁化膜厚積の比が１．２以上である事を特徴とする磁気記録媒体。
2. 前記密着層、前記シード層を積層した膜の膜硬度がビッカース硬度で６００Ｈｖ以上、２０００Ｈｖ以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 前記密着層は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏからなる群から選択される少なくとも一元素を含み、さらに、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａからなる群から選択される少なくとも一元素を含むことを特徴とする請求項１または２の何れかに記載の磁気記録媒体。
4. 前記シード層は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏからなる群から選択される少なくとも一元素を含み、さらに、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａからなる群から選択される少なくとも一元素を含むことを特徴とする請求項１または２の何れかに記載の磁気記録媒体。
5. 前記密着層と前記シード層が異なる材料から形成されることを特徴とする請求項１ないし４の何れかに記載の磁気記録媒体。
6. 前記密着層および前記シード層の膜厚がそれぞれ３ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であり、かつ前記密着層の膜厚と前記シード層の膜厚の合計が１００ｎｍ以下である事を特徴とする請求項１ないし５の何れかに記載の磁気記録媒体。
7. 前記磁性層に反強磁性結合が形成されることを特徴とする請求項1ないし６の何れかに記載の磁気記録媒体。
8. ガラス基板上に少なくとも非磁性下地層、磁性層を順次形成した磁気記録媒体において、
   前記ガラス基板の円周方向にテクスチャー加工を施し、
   前記ガラス基板と前記非磁性下地層との間に、非磁性アモルファス材料からなる密着層、非磁性アモルファス材料からなるシード層を順次形成し、
   円周方向の残留磁化膜厚積と半径方向の残留磁化膜厚積の比を１．２以上とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
   

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