JP5858634B2 - 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents
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Description
(2)前記配向制御層が、B2構造を有するNiAl、もしくはRuAlからなる下地層であることを特徴とする(1)に記載の磁気記録媒体。
(4)前記配向制御層が、NaCl構造を有するTiN、TiC、もしくはMgO下地層であることを特徴とする(1)に記載の磁気記録媒体。
実施例に限定されるものではない。
2.5インチガラス基板上に、第1の下地層として50nmのCo−50at%Tiを形成し、200℃の基板加熱を行った後、第2の下地層として12nmのRu−50at%Al(実施例1.1)、Ni−50at%Al(実施例1.2)、Cr−10at%Mn(実施例1.3)、Cr−5at%Ru(実施例1.4)、Cr−7at%Ti(実施例1.5)、Cr−30at%Mo(実施例1.6)、Cr−30at%W(実施例1.7)を形成し、更にその上に5nmのNiO下地層を形成した。その後、520℃の基板加熱を行ったのち、12nmの(Fe−45at%Pt−5at%Ag)−8mol%SiO2−4mol%Cr2O3の磁性層を形成し、3nmのDLC保護膜を形成した。また、比較例として、第2の下地層を形成せず、NiO下地層を第1の下地層上に直接形成した媒体を形成した(比較例1)。
2.5インチガラス基板上に、5nmのNi−40at%Ta接着層、50nmのCu−1at%Zrヒートシンク層、第1の下地層として10nmのCr−50at%Tiを形成し、200℃の基板加熱を行った後、第2の下地層として10nmのRu−50at%Al、第3の下地層として2nmのTiN下地層(実施例2.1)、TiC下地層(実施例2.2)、もしくはMgO下地層(実施例2.3)を形成し、更にその上に、5nmのNiO下地層を形成した。その後、540℃の基板加熱を行ったのち、9nmの(Fe−47at%Pt−3at%Cu)−40at%C磁性層を形成し、3nmのDLC保護膜を形成した。また、比較例として、実施例2.1〜2.3のNiO下地層を形成せず、第3の下地層上に直接磁性層を形成した媒体を作製した(比較例2.1〜2.3)。
実施例1で示した実施例1.1〜1.7の媒体、及び比較例1の媒体を、図6に示した磁気記憶装置に組み込んだ。本磁気記憶装置は、磁気記録媒体512と、磁気記録媒体を回転させるための駆動部602と、磁気ヘッド603と、ヘッドを移動させるための駆動部604と、記録再生信号処理系605から構成される。尚、磁気ヘッドには、実施例2で示した熱アシスト記録用磁気ヘッドを用いた。
102…第1の下地層
103…第2の下地層(配向制御層)
104…NiO下地層
105…磁性層
106…DLC保護膜
201…接着層
202…ヒートシンク層
301…軟磁性下地層
401…第3の下地層(配向制御層)
501…主磁極
502…補助磁極
503…コイル
504…半導体レーザーダイオード
505…レーザー光
506…近接場光発生部
507…導波路
508…記録ヘッド
509…シールド
510…再生素子
511…再生ヘッド
512…磁気記録媒体
602…媒体駆動部
603…磁気ヘッド
604…ヘッド駆動部
605…記録再生信号処理系
Claims (5)
- 基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、L10構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該複数の下地層が、NiO下地層と、該NiO下地層に(100)配向をとらせるための配向制御層を含み、前記配向制御層が、B2構造を有するNiAl、もしくはRuAlからなる下地層であり、前記配向制御層、前記NiO下地層、前記磁性層を前記基板側からこの順で接して有することを特徴とする磁気記録媒体。
- 基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、L10構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該複数の下地層が、NiO下地層と、該NiO下地層に(100)配向をとらせるための配向制御層を含み、前記配向制御層が、Crを主成分とし、Ti、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造の合金からなる下地層であり、前記配向制御層、前記NiO下地層、前記磁性層を前記基板側からこの順で接して有することを特徴とする磁気記録媒体。
- 基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、L10構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該複数の下地層が、NiO下地層と、該NiO下地層に(100)配向をとらせるための配向制御層を含み、前記配向制御層が、B2構造を有するRuAl下地層と、NaCl構造を有するTiN、TiC、もしくはMgO下地層であり、前記RuAl下地層、前記TiN、TiC、もしくはMgO下地層、前記NiO下地層、前記磁性層を前記基板側からこの順で接して有することを特徴とする磁気記録媒体。
- 前記磁性層が、L10構造を有するFePt、もしくはCoPt合金を主成分とし、かつ、SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、Cから選択される少なくとも一種類の酸化物、もしくは元素を含有していることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の磁気記録媒体。
- 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させるための駆動部と、該磁気記録媒体を加熱するためのレーザー発生部と、該レーザー発生部から発生したレーザー光をヘッド先端まで導く導波路と、ヘッド先端に取り付けられた近接場光発生部を備えた磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを移動させるための駆動部と、記録再生信号処理系から構成さる磁気記憶装置において、該磁気記録媒体が請求項1乃至4の何れか1項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記憶装置。
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