JP5730047B2 - 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents
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Description
(2)前記下地層を複数層から形成し、前記TiCが、BCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする(1)に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(3)前記TiCが、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする(2)に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(4)前記TiCが、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有し、更に、B、C、Siのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする(1)に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(5)前記TiCが、BCC構造を有する第一の下地層と、前記第一の下地層の上に形成されたBCC構造を有する第二の下地層の上に形成されており、前記第二の下地層の格子定数が、0.306nm以上であることを特徴とする(1)に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(6)前記TiCが、B2構造を有するNiAl、もしくはRuAlからなる第一の下地層と、前記第一の下地層の上に形成されたBCC構造を有する第二の下地層の上に形成されており、前記第二の下地層の格子定数が、0.306nm以上であることを特徴とする(1)に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(7)格子定数が0.306nm以上である第二の下地層が、Mo、W、Ta、Nb、もしくはこれらを含有するBCC構造を有する合金であることを特徴とする(5)または(6)に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(8)前記TiCが、MgO下地層の上に形成されていることを特徴とする(1)に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(9)磁性層がL10構造を有するFePt、もしくはCoPt合金を主成分とし、かつ、SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、Cから選択される少なくとも一種類の酸化物、もしくは元素を含有していることを特徴とする(1)1乃至(8)の何れか1項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
(10)磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させるための駆動部と、該磁気記録媒体を加熱するためのレーザー発生部と、該レーザー発生部から発生したレーザー光をヘッド先端まで導く導波路と、ヘッド先端に取り付けられた近接場光発生部を備えた磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを移動させるための駆動部と、記録再生信号処理系から構成さる磁気記憶装置において、該磁気記録媒体が(1)乃至(9)の何れか1項に記載の熱アシスト媒体であることを特徴とする磁気記憶装置。
図1に本実施例で作製した磁気記録媒体の層構成の一例を示す。ガラス基板101上に、4nmのSi下地層102、10nmのTiC下地層103、10nmの(Fe−50at%Pt−8at%Ag)−15mol%SiO2磁性層104、3nmのDLC−C保護膜105が順次形成されている。基板には、ガラス転移温度が700℃以上の耐熱ガラス基板を用い、TiC下地層形成前に640℃の基板加熱を行った。また、比較例として、TiC下地層の代わりにMgO下地層を形成した媒体を作製した。
図2に本実施例で作製した磁気記録媒体の層構成の一例を示す。ガラス基板201上に、Ti−50at%Al接着層202、Ag−5at%Pdヒートシンク層203、Cr−50at%Tiシード層204、配向制御層205、TiC下地層206、(Fe−50at%Pt−8at%Cu)−45at%C磁性層207、Ni−20at%Feキャップ層208、DLC−C保護膜209が順次形成されている。
実施例2と同一構成で、配向制御層を2種類のBCC合金からなる二層構造とした媒体を作製した。CrTiシード層の上に設ける第一の配向制御層(基板側)に、8nmのCrを使用し、第二の配向制御層(磁性層側)に、6nmのCrMo合金を使用しMo濃度を20at%から100at%(純Mo)まで変化させた。配向制御層以外の層構成、成膜プロセスは、実施例2と同様である。
実施例2で示した媒体(実施例媒体2.1〜2.9)にパーフルオルポリエーテル系の潤滑剤を塗布したのち、図4に示した磁気記憶装置に組み込んだ。本磁気記憶装置は、磁気記録媒体401と、磁気記録媒体を回転させるための駆動部402と、磁気ヘッド403と、ヘッドを移動させるための駆動部404と、記録再生信号処理系405から構成される。図5に磁気ヘッドの詳細を示す。ヘッドは、主磁極501、補助磁極502、磁界を発生させるためのコイル503、レーザーダイオード(LD)504、LDから発生したレーザー光505を近接場発生素子506まで伝達するための導波路507から構成される記録ヘッド508、及びシールド509で挟まれた再生素子510から構成される再生ヘッド511からなる。近接場光素子から発生した近接場光により媒体512を加熱し、媒体の保磁力をヘッド磁界以下まで低下させて記録できる。また、LD、導波路、近接場発生素子からなる加熱機構513を主磁極と補助磁極の間に配置しても良い。但し、この場合、主磁極のリーディング側を加熱する必要があるため、媒体の進行方向は図とは逆に右側となる。
102…Si下地層
103…TiC下地層
104…磁性層
105…DLC保護膜
201…ガラス基板
202…TiAl接着層
203…AgPdヒートシンク層
204…CrTiシード層
205…配向制御層
206…TiC下地層
207…磁性層
208…キャップ層
209…DLC保護膜
401…磁気記録媒体
402…媒体駆動部
403…磁気ヘッド
404…ヘッド駆動部
405…記録再生信号処理系
501…主磁極
502…補助磁極
503…コイル
504…半導体レーザーダイオード
505…レーザー光
506…近接場光発生部
507…導波路
508…記録ヘッド
509…シールド
510…再生素子
511…再生ヘッド
Claims (8)
- 基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、L10構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、前記下地層が、NaCl構造をとり(100)配向したTiC下地層を含み、前記TiC下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に接して設けられ、前記TiC下地層の上に前記磁性層が(001)配向をとってエピタキシャル成長していることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。
- 前記Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層が、更に、B、C、Siのうちの少なくとも1種類を含有することを特徴とする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 前記BCC構造を有する下地層は、BCC構造を有する第一の下地層と、前記第一の下地層の上に形成されたBCC構造を有する第二の下地層とからなり、前記第二の下地層の格子定数が、0.306nm以上であることを特徴とする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 前記TiC下地層が、B2構造を有するNiAl、もしくはRuAlからなる第一の下地層と、前記第一の下地層の上に形成された前記BCC構造を有する下地層である第二の下地層の上に接して設けられ、前記第二の下地層の格子定数が、0.306nm以上であることを特徴とする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 格子定数が0.306nm以上である第二の下地層が、Mo、W、Ta、Nb、もしくはこれらを含有するBCC構造を有する合金であることを特徴とする請求項3または4に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 前記TiC下地層が、MgO下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 磁性層がL10構造を有するFePt、もしくはCoPt合金を主成分とし、かつ、SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、Cから選択される少なくとも一種類の酸化物、もしくは元素を含有していることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させるための駆動部と、該磁気記録媒体を加熱するためのレーザー発生部と、該レーザー発生部から発生したレーザー光をヘッド先端まで導く導波路と、ヘッド先端に取り付けられた近接場光発生部を備えた磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを移動させるための駆動部と、記録再生信号処理系から構成さる磁気記憶装置において、該磁気記録媒体が請求項1乃至7の何れか1項に記載の熱アシスト媒体であることを特徴とする磁気記憶装置。
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