JP5961490B2 - 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 - Google Patents

Description

本発明は、ハードディスク装置（ＨＤＤ）等に用いられる熱アシスト磁気記録方式、またはマイクロ波アシスト磁気記録方式の磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置に関する。

ハードディスク装置の記録容量増大のため、媒体の高密度化が進んでいるが、粒径微細化、熱安定特性、記録特性を同時に成立させることが困難である、いわゆる、トリレンマと呼ばれる問題によって、媒体の高密度化が困難になっている。熱アシスト磁気記録方式は、このトリレンマを解決する方法として期待され、盛んに研究開発が行われている。

熱アシスト磁気記録方式は、磁気ヘッドによって媒体に近接場光を照射し、媒体表面を局所的に加熱することにより、媒体保磁力を低下させて書き込みを行う記録方式である。この熱アシスト磁気記録方式の媒体磁性層に高い結晶磁気異方性Ｋｕを有する材料を使うことで、熱安定性指標であるＫｕＶ／ｋＴ（Ｋｕ：磁気異方性定数、Ｖ：粒子体積、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：温度）を維持したまま、磁性粒子体積を小さくすることができる。このような高Ｋｕ材料としては、Ｌ１_０型結晶構造を有するＦｅＰｔ（Ｋｕ〜７×１０^７ｅｒｇ／ｃｍ^３）、ＣｏＰｔ（Ｋｕ〜５×１０^７ｅｒｇ／ｃｍ^３）のような規則化合金が知られている。

高い結晶磁気異方性を示す熱アシスト磁気記録媒体を得るには、磁性層のＬ１_０型結晶構造を有する合金に、良好な（００１）配向をとらせる必要がある。磁性層の配向性は、下地層によって制御されるので、下地層の材料を適切に選択する必要がある。

例えば、特許文献１には、ＭｇＯ下地層を用いることで、ＦｅＰｔ磁性層が（００１）配向を示すことが記載されている。また、非特許文献１には、ＲｕＡｌ下地層及びＴｉＮ下地層を組み合わせて用いることにより、ＦｅＰｔ磁性層が良好な（００１）配向を示すことが記載されている。

また、次世代の記録方式として注目されている他の技術として、マイクロ波アシスト磁気記録方式がある。マイクロ波アシスト磁気記録方式は、磁気記録媒体の磁性層にマイクロ波を照射して磁化方向を磁化容易軸から傾けて、磁性層の磁化を局所的に反転させて磁気情報を記録する方式である。

マイクロ波アシスト磁気記録方式においても、熱アシスト磁気記録方式と同様に、磁性層の材料として、Ｌ１_０型結晶構造を有する合金からなる高Ｋｕ材料を用いることができる。記録密度を更に向上させるためには磁性層の粒径を小さくすることが必須となる。そのため、マイクロ波アシスト磁気記録方式においても、磁性粒子の粒径を微細化しても熱安定性を維持できるＬ１_０型結晶構造を有する合金からなる磁気記録媒体が必要となる。

特開平１１−３５３６４８号公報

Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．１０９，０７Ｂ７７０（２０１１）

熱アシスト磁気記録媒体において、良好な磁気記録特性を得るためには、Ｌ１_０型結晶構造を有する合金からなる磁性層に良好な（００１）配向をとらせることが重要である。磁性層にＦｅＰｔ合金を用いる場合、Ｃｒ合金やＲｕＡｌ、ＭｇＯ、ＴｉＮなどが下地層として広く使われている。しかし、従来の技術では、Ｌ１_０型結晶構造を有する合金からなる磁性層の（００１）配向性が不十分であり、更なる記録密度向上のためには、熱アシスト磁気記録媒体に使用される磁性層の配向性をより良好にすることが必要である。
また、マイクロ波アシスト磁気記録媒体においても、Ｌ１_０型結晶構造を有する合金からなる磁性層の配向をより良好なものにすることが必要である。

本発明は、上記の事情に鑑みて提案されたものであり、Ｌ１_０型結晶構造を有する合金からなる磁性層を備え、磁性層が良好な（００１）配向を有していることにより、高保磁力で高いシグナルノイズ比（ＳＮＲ）が得られる熱アシスト磁気記録媒体、及びこれを備えた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、Ｌ１_０型結晶構造を有する合金からなる磁性層を備え、磁性層が良好な配向を有するマイクロ波アシスト磁気記録媒体、およびこれを備えた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。

この課題は、基板上に形成された下地層と、前記下地層上に形成されたＬ１_０型結晶構造を有する合金を主成分とする磁性層とを有し、前記下地層が、基板側から順に、格子定数ａが２．８７Å≦ａ＜３．０４Åであり、Ｂ２構造、または、Ｃｒを主成分とするＢＣＣ構造を有する第一下地層と、格子定数ａが３．０４Å≦ａ＜３．１８ÅであるＢＣＣ構造の第二下地層と、格子定数ａが３．１８Å≦ａ＜３．３１ÅであるＢＣＣ構造の第三下地層と、ＮａＣｌ型結晶構造を有する上層下地層とを有する磁気記録媒体を用いることによって解決できる。

本発明は、以下の特徴を有する磁気記録媒体を提供する。
（１）基板上に形成された下地層と、前記下地層上に形成されたＬ１_０型結晶構造を有する合金を主成分とする磁性層とを有し、前記下地層が、基板側から順に、格子定数ａが２．８７Å≦ａ＜３．０４Åであり、Ｂ２構造、または、Ｃｒを主成分とするＢＣＣ構造を有する第一下地層と、格子定数ａが３．０４Å≦ａ＜３．１８ÅであるＢＣＣ構造の第二下地層と、格子定数ａが３．１８Å≦ａ＜３．３１ÅであるＢＣＣ構造の第三下地層と、ＮａＣｌ型結晶構造を有する上層下地層とを有し、熱アシスト磁気記録方式、またはマイクロ波アシスト磁気記録方式で情報が記録されるものであることを特徴とする磁気記録媒体。
（２）前記第一下地層が、Ｃｒ、若しくは、Ｃｒを主成分として含み、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｒｕのうち少なくとも１種を含み、ＢＣＣ構造を有することを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）前記第一下地層が、ＮｉＡｌまたはＲｕＡｌからなる、Ｂ２構造を有することを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）前記第二および第三下地層が、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、若しくは、これらを主成分とし、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｒｕのうち少なくとも１種を含むことを特徴とする（１）乃至（３）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（５）前記磁性層が、Ｌ１_０型結晶構造を有し、ＦｅＰｔ合金もしくはＣｏＰｔ合金を主成分とし、かつ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃから選択される少なくとも１種の酸化物、もしくは元素を含有していることを特徴とする（１）乃至（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（６）（１）乃至（５）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体を加熱するレーザー発生部と前記レーザー発生部から発生したレーザー光を先端部へと導く導波路と前記先端部に設けられた近接場発生素子とを有して前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号の再生とを行う記録再生信号処理系とを備える磁気記録再生装置。
（７）（１）乃至（５）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体にマイクロ波を照射する素子と、前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号の再生とを行う記録再生信号処理系とを備える磁気記録再生装置。

本発明により、磁性層が良好な（００１）配向を有し、高保磁力と高いシグナルノイズ比（ＳＮＲ）とを示す磁気記録媒体を実現することができる。

本発明の熱アシスト磁気記録媒体の一例を示した断面図である。 本発明の熱アシスト磁気記録媒体の他の例を示した断面図である。 本発明の熱アシスト磁気記録媒体の他の例を示した断面図である。 本発明の磁気記録再生装置の一例を示した斜視図である。 図４に示す磁気記録再生装置に備えられた磁気ヘッドの構成を模式的に示した図である。

以下に、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す例のみに限定されるものではない。特に制限のない限り、数量、構成、位置、材料などを変更してもよい。
［熱アシスト磁気記録媒体］
図１は、本発明の熱アシスト磁気記録媒体の一例を示した断面図である。
図１の熱アシスト磁気記録媒体は、基板１０１上に、密着層１０２、ヒートシンク層１０３、シード層１０４が形成され、シード層１０４上に第一下地層１０５、第二下地層１０６、第三下地層１０７、ＮａＣｌ型結晶構造を有する上層下地層１０８が順次積層され、このＮａＣｌ構造を有する上層下地層１０８上に磁性層１０９、保護膜１１０、潤滑剤層１１１が形成されたものである。

「基板」
本発明において、熱アシスト磁気記録媒体に使用される基板１０１としては、円形の非磁性基板などを用いることができる。非磁性基板としては、例えば、ガラス、アルミ、セラミックスなどを用いることができ、ガラス基板としては、結晶化ガラスや非晶質ガラス、強化ガラス等を使用できる。
熱アシスト磁気記録媒体に使用される基板１０１としては、ガラス転移点が高く耐熱性に優れたものを用いることが望ましく、基板１０１上に形成される各層の成膜条件や、磁気記録媒体の使用条件などに応じて、表面粗さや熱容量、結晶化状態などを適宜選択して使用できる。

「密着層」
密着層１０２は、ヒートシンク層１０３と基板１０１との密着性を向上させるためのものであり、材料としては、密着性と表面平坦性に優れていれば特に限定するものではないが、ＣｒＴｉ、ＮｉＴａ、ＡｌＴｉ、ＣｏＴｉ、ＮｉＴａＺｒなどが挙げられる。

「ヒートシンク層」
ヒートシンク層１０３は、磁性層１０９に溜まる熱を垂直方向に拡散させて、水平方向への広がりを抑制することで遷移幅を狭くすると共に、記録後に磁性層１０９に溜まった熱を速やかに散逸させるためのものであり、必要に応じて備えられるものである。ヒートシンク層１０３の材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏもしくはこれらを主成分とする熱伝導率の高い合金などが挙げられる。
磁性層１０９の熱を効果的に散逸させるためには、ヒートシンク層１０３と磁性層１０９の距離は短い方が好ましく、ヒートシンク層１０３と磁性層１０９の間に配置されている下地層膜厚は、磁性層１０９の粒径及び配向の制御機能を損なわない範囲で薄くすることが望ましい。
図１に示す熱アシスト磁気記録媒体では、ヒートシンク層１０３は基板１０１側に配置されているが、磁性層１０９の粒径及び配向の制御機能を維持できれば、磁性層１０９直下に設けてもよいし、第一下地層１０５から上層下地層１０８までの間のいずれかの位置に設けることもできる。

「シード層」
図１におけるシード層１０４は、その下のヒートシンク層１０３の（１１１）配向を打ち消して、第一下地層１０５に良好な（１００）配向を取らせるために設けられた層である。シード層１０４の材料としては、ＣｒＴｉ、ＮｉＴａ、ＡｌＴｉなどのアモルファス材料が挙げられる。また、シード層１０４には軟磁性材料を用いてもよい。磁気記録媒体の第一下地層１０５の配向が（１００）となり、かつ十分な配向性を示せば、シード層１０４は必ずしも必要であるとは限らないため、上記シード層１０４の有無は、本発明の範囲を制限するものではない。

「第一下地層」
第一下地層１０５は、その上層の下地層１０６、１０７、１０８、ひいては磁性層１０９の粒径及び配向を制御するための層として形成されたものである。第一下地層１０５は、格子定数ａが２．８７Å≦ａ＜３．０４Å（０.２８７ｎｍ≦ａ＜０.３０４ｎｍ）であり、Ｂ２構造、または、Ｃｒを主成分とするＢＣＣ構造を有する。
第一下地層１０５は、例えば、Ｃｒ、若しくは、Ｃｒを主成分として含み、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｒｕのうち少なくとも１種含む合金からなる。そのため、第一下地層１０５の上の第二下地層１０６がエピタキシャル成長により良好な（１００）配向を示す。
なお、主成分とは、当該成分を例えば５０ａｔ％以上（または５０ａｔ％を越えて）含有することをいう。

（１００）配向した第一下地層１０５は、具体的には例えば、２５０℃程度に加熱した基板１０１にＣｒ合金を成膜する方法などにより形成できる。第一下地層１０５の膜厚は、良好な（１００）配向を形成するために２ｎｍ以上が好ましい。
Ｃｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａは通常ＢＣＣ構造を形成するが、Ｒｕは単体ではＨＣＰ構造をとり、ＢＣＣ構造を形成しない。また、Ｔｉ、Ｍｎの単体も、２５０℃程度の加熱条件下ではＢＣＣ構造をとらない。
しかし、ＣｒなどのＢＣＣ構造を有する元素を主成分として、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｍｎのうち少なくとも１種を少量添加する分には良好な（１００）配向を示す。
第一下地層１０５の配向は（１００）であることが望ましいが、（１１１）や（１１０）を多少含んでいても、第一下地層としての機能を発揮する。

第一下地層１０５は、ＲｕＡｌやＮｉＡｌのようなＢ２構造を有するものであってもよい。このＢ２下地層は、ＢＣＣ構造を有する第一下地層１０５と同じく（１００）配向を示すため、その上の第二下地層１０６の（１００）配向形成のための下地層として機能する。

本明細書においては、第一〜第三下地層１０５〜１０７、上層下地層１０８等における、各元素の格子定数は、それぞれがＢＣＣ結晶構造を形成した場合の格子定数として、日本金属学会編集の改訂４版金属データブックに記載されているＣｒ：２．８８４Å、Ｖ：３．０２３Å、Ｍｏ：３．１４７Å、Ｗ：３．１６５Å、Ｎｂ：３．３０７Å、Ｔａ：３．２９８Å、Ｔｉ：３．３０７Å、Ｍｎ：３．０８１Åを用いた。また、Ｒｕについては、ＲｕがＢＣＣ構造を形成した場合を仮定し、原子半径から算出した格子定数３．０７２Åという値を用いた。
下地層１０５〜１０８等を構成する合金の格子定数は、それぞれの構成元素の格子定数に存在比をかけて算出された加重平均の値、いわゆる、Ｖｅｇａｒｄの法則から算出した値である。例えば、図１における磁気記録媒体のＣｒ−１０ａｔ％Ｎｂからなる第一下地層１０５の場合、Ｃｒの格子定数が２．８８４Å、Ｎｂの格子定数が３．３０７Åであることから、Ｃｒ−１０ａｔ％Ｎｂ合金の格子定数は、２．９２Åと算出できる。なお、１０Å＝１ｎｍである。

「第二下地層」
第二下地層１０６は、格子定数ａが３．０４Å≦ａ＜３．１８Å（０.３０４ｎｍ≦ａ＜０.３１８ｎｍ）であって、ＢＣＣ構造を有する。
その構成材料としては、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、若しくは、これらを主成分とし、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｒｕのうち少なくとも１種含むものが挙げられる。
第二下地層１０６は、第一下地層１０５と第三下地層１０７の格子不整合性を緩和するために設けられる層であると共に、第三下地層１０７の（１００）配向を向上させるものである。そのため、第二下地層１０６の格子定数は、第一下地層１０５と第三下地層１０７のそれぞれの格子定数の中間にあたる。第二下地層１０６の膜厚は、良好な（１００）配向を形成するために２ｎｍ以上が好ましい。
また、第二下地層１０６にＣｒ合金を用いれば、Ｃｒ合金からなる第一下地層１０５に対する濡れ性は良くなると考えられる。また、第二下地層１０６の材料にＴａ、Ｗ、Ｍｏなどを添加すれば、磁気記録媒体の機械的特性を向上させることもできる。

「第三下地層」
第三下地層１０７は、格子定数ａが３．１８Å≦ａ＜３．３１Å（０.３１８ｎｍ≦ａ＜０.３３１ｎｍ）で、ＢＣＣ構造を有する。その構成材料としては、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、若しくは、これらを主成分とし、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｒｕのうち少なくとも１種を含むものである。
第三下地層１０７は、その上のＮａＣｌ型の下地層に良好な（１００）配向を取らせると共に、適度な面内ストレスを導入する。第三下地層１０７の格子定数を大きくし、ＮａＣｌ型の下地層に面内ストレスを導入することによりＳＮＲを改善できる。第二下地層１０６との格子ミスマッチが大きくならず、かつＮａＣｌ型の下地層に適度なストレスを導入できる格子定数の値として３．１８Å≦ａ＜３．３１Åという範囲が採用される。

「上層下地層」
本発明の磁気記録媒体には、第三下地層１０７の上に、ＮａＣｌ構造を有する上層下地層１０８が形成される。具体的には、ＭｇＯ、ＴｉＯ、ＮｉＯのような酸化物、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＨｆＮのような窒化物、ＴａＣ、ＴｉＣのような炭化物が挙げられる。
第三下地層１０７が（１００）配向を示すため、これらのＮａＣｌ構造を有する上層下地層１０８もエピタキシャル成長により（１００）配向を示す。そのため、ＮａＣｌ構造を有する上層下地層１０８上に、ＦｅＰｔ合金もしくはＣｏＰｔ合金を主成分とし、Ｌ１_０型結晶構造を有する磁性層１０９を形成することにより、磁性層１０９に良好な（００１）配向をとらせることができる。

ＮａＣｌ型の上層下地層１０８は、磁性層１０９との格子定数の差が大きくない材料からなることが好ましい。ＭｇＯとＴｉＮの格子定数は、それぞれ４．２１Å、４．２３Åであるため、Ｌ１_０型結晶構造を有する合金を主成分とするＦｅＰｔ磁性層１０９のａ軸長（３．８５Å）、及びＬ１_０型結晶構造を有するＣｏＰｔのａ軸長（３．８１Å）と近似している。そのため、ＮａＣｌ構造を有する上層下地層１０８の材料としては、ＭｇＯとＴｉＮは特に望ましい。
また、ＮａＣｌ構造を有する上層下地層１０８の材料は、酸素、窒素、炭素のうち１つと、金属とが１：１（モル基準）で含有されているものであることが望ましいが、これらが１：１ではない酸化物、窒化物が若干量混在していても良い。

図１に示す磁気記録媒体は、ＮａＣｌ型上層下地層１０８として、ＭｇＯ上層下地層１０８を有する。このＭｇＯ上層下地層１０８の膜厚は、均一で良好な配向性を示す磁性層１０９を得るために、０．５ｎｍ〜１５ｎｍであることが望ましい。ＭｇＯ上層下地層１０８膜厚が上記範囲未満であると、磁性層１０９を制御する機能が十分に得られず、良好な磁性層１０９（００１）配向が得られにくい。また、ＭｇＯ上層下地層１０８の厚さが上記範囲を超えると、ＭｇＯ上層下地層１０８の膜厚が不均一に成りやすく、磁性層１０９の配向制御機能が十分に得られず、平坦性が不十分となりうる。
ＭｇＯ上層下地層１０８は、例えば、ＭｇＯターゲットを用いたＲＦ放電成膜法や、Ｍｇの金属ターゲットとＯ_２を含むガスとを用いたＤＣ放電成膜法を用いて形成できる。

第一〜第三下地層１０５〜１０７および上層下地層１０８は、下地層１００と総称することができる。

本発明では、熱アシスト磁気記録媒体の書き込み特性を向上させるために、軟磁性下地層を形成してもよい。
軟磁性下地層を形成すれば、磁性層１０９に印加される磁界勾配を高めることができ、磁気記録再生装置に備えられた場合に磁気ヘッドからの磁界を効率よく磁性層１０９に印加できる。
この軟磁性下地層は、非晶質合金でもよいし、微結晶や多結晶合金であってもよい。さらに、軟磁性下地層は、Ｒｕを介して反強磁性結合した積層構造であってもよいし、単層であってもよい。軟磁性下地層の材料としては、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＦｅＺｒ、ＣｏＦｅＴａ、ＣｏＦｅＴａＺｒ、ＣｏＦｅＴａＢ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＮｉＴａ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＺｒＢ、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＮｂＺｒ、ＦｅＡｌＳｉなどが挙げられる。
軟磁性下地層の材料として、具体例には、ＣｏＦｅ系合金（ＣｏＦｅＢ、ＣｏＦｅＴａ、ＣｏＦｅＴａＺｒ、ＣｏＦｅＺｒ、ＣｏＦｅＴａＢ）、ＣｏＦｅＮｉ系合金（ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＮｉＴａ、ＣｏＮｉＺｒ）、Ｃｏ系合金（ＣｏＺｒ、ＣｏＴａ、ＣｏＷ、ＣｏＴｉ、ＣｏＭｏ、ＣｏＺｒＢ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＴａＭｏ）、Ｆｅ系合金（ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＢ、ＦｅＺｒ、ＦｅＳｉＢ）などを好適なものとして挙げることができる。

磁性層１０９は、Ｌ１_０型結晶構造を有する合金を主成分とするものである。高記録密度を達成するためには、磁性層１０９は、粒界偏析材料で分離された数ｎｍの磁性粒子で形成されていることが好ましいが、磁性粒子の体積が小さくなり熱的に不安定になる。そのため、本実施形態においては、磁性層１０９の主成分として、磁気異方性エネルギーの高いＬ１_０型結晶構造を有する合金が用いられる。

磁性層１０９は、Ｌ１_０型結晶構造を有するＦｅＰｔ合金もしくはＣｏＰｔ合金を主成分とし、かつ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃから選択される少なくとも１種の酸化物、もしくは元素を含有していることが望ましい。

本実施形態においては、磁性粒子の大きさや粒子間の交換結合を制御するため、ＦｅＰｔもしくはＣｏＰｔなどのＬ１_０型結晶構造を有する合金に、偏析材料として添加物を含有させている。添加物としては、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃから選択される少なくとも１種の酸化物、もしくは元素を用いる。
このような添加物を含有させることにより、グラニュラー構造の磁性層１０９となり、粒子間の交換結合を低減できると共に、磁性粒子を微細化することができ、熱アシスト磁気記録媒体のＳＮＲをより一層改善できる。
磁性層１０９にＬ１_０型結晶構造をとらせる方法としては、各種下地層を形成した基板１０１を４５０〜７００℃に加熱して、磁性層１０９となるＦｅＰｔ層をエピタキシャル成長させる。本実施形態においては、下地層の配向制御効果によって、Ｌ１_０型結晶構造を有するＦｅＰｔ層は、良好な（００１）配向を示す。

本発明においては、熱アシスト磁気記録媒体の書き込み特性をさらに改善するために、磁性層１０９の上にキャップ層を形成してもよい。キャップ層としては、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉを主成分とする合金を用いることができる。キャップ層は、室温において強磁性を失わない範囲でその他の添加元素を含むものであってもよい。キャップ層は、結晶質合金でもよいし、非晶質合金を使ってもよい。

「保護膜」
保護膜１１０としては、耐熱性に優れる材料からなるものであること望ましく、単層または複数層のカーボン膜などを用いることができる。カーボン膜としては、水素や窒素、金属を添加したものを用いてもよい。カーボン膜は、ＣＶＤ法やイオンビーム法によって形成できる。

「潤滑剤層」
潤滑剤層１１１としては、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤層などを用いることができる。

［マイクロ波アシスト磁気記録媒体］
本発明の磁気記録媒体は、マイクロ波アシスト磁気記録媒体にも適用可能である。
本実施形態のマイクロ波アシスト磁気記録媒体としては、例えば、基板上に、ＢＣＣ構造を有するＣｒ合金からなる（あるいはＢ２構造を有する）第一下地層と、ＢＣＣ構造を有する第二および第三下地層と、ＮａＣｌ型結晶構造を有する上層下地層と、磁性層とがこの順で積層されたものが挙げられる。
下地層と磁性層としては、上述した図１に示す熱アシスト磁気記録媒体と同様のものを用いることができる。

マイクロ波アシスト磁気記録媒体においては、媒体表面を加熱しないためヒートシンク層は必要としない。図１に示す磁気記録媒体の場合、ヒートシンク層１０３を除くこともできるし、ヒートシンク層１０３およびシード層１０４を除いて、密着層１０２上に直接ＢＣＣ下地層１０５を形成することもできる。
このようなマイクロ波アシスト磁気記録媒体では、上述した図１に示す熱アシスト磁気記録媒体と同様に、Ｌ１_０型結晶構造を有する合金を主成分とする磁性層１０９が良好な（００１）配向を有しているものとなる。このため、本実施形態のマイクロ波アシスト磁気記録媒体は、高い保磁力と高いシグナルノイズ比（ＳＮＲ）とを示すものとなる。

［磁気記録再生装置］
次に、本発明の磁気記録再生装置について説明する。図４は、本発明の磁気記録再生装置の一例を示した斜視図であり、図５は、図４に示す磁気記録再生装置に備えられた磁気ヘッドの構成を模式的に示した断面図である。
図４に示す磁気記録再生装置は、本発明の熱アシスト磁気記録媒体である磁気記録媒体４０１と、磁気記録媒体４０１を回転させ、記録方向に駆動する媒体駆動部４０２と、磁気記録媒体４０１に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッド４０３と、磁気ヘッド４０３を磁気記録媒体４０１に対して相対移動させるヘッド駆動部４０４と、磁気ヘッド４０３への信号入力と磁気ヘッド４０３からの出力信号の再生とを行う記録再生信号処理系４０５とから概略構成されている。

図４に示す磁気記録再生装置に組み込まれている磁気ヘッド４０３は、図５に示すように、記録ヘッド５０８と再生ヘッド５１１とから概略構成されている。記録ヘッド５０８は、主磁極５０１と、補助磁極５０２と、磁界を発生させるためのコイル５０３と、レーザーダイオード（ＬＤ）５０４と、ＬＤ５０４から発生したレーザー光５０５を先端部に設けられた近接場発生素子５０６へと導く導波路５０７とを備えている。再生ヘッド５１１は、一対のシールド５０９で挟み込まれたＴＭＲ素子等の再生素子５１０を備えている。

そして、図４に示す磁気記録再生装置では、磁気ヘッド４０３の近接場発生素子５０６から発生した近接場光を磁気記録媒体４０１に照射し、その表面を局所的に加熱して上記磁性層の保磁力を一時的にヘッド磁界以下まで低下させて磁気情報の書き込みを行う。

図４に示す磁気記録再生装置は、高い保磁力と高いシグナルノイズ比（ＳＮＲ）とを有する本発明の熱アシスト磁気記録媒体からなる磁気記録媒体４０１を備えているので、エラーレートの低いものとなる。

［磁気記録再生装置（他の例）］
次に、本発明の磁気記録再生装置の他の例について説明する。
本発明の磁気記録再生装置は、マイクロ波アシスト磁気記録媒体からなる磁気記録媒体を備えるものであってもよい。このような磁気記録再生装置としては、例えば、マイクロ波アシスト磁気記録媒体からなる磁気記録媒体と、磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、磁気記録媒体にマイクロ波を照射する素子と、磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号の再生とを行う記録再生信号処理系とを備えるものが挙げられる。
マイクロ波アシスト磁気記録媒体からなる磁気記録媒体を備える磁気記録再生装置では、マイクロ波を照射する素子から磁気記録媒体にマイクロ波を照射することにより、磁気記録媒体の磁性層にマイクロ波帯の交流磁場を印加して磁化方向を磁化容易軸から傾け、磁性層の磁化を局所的に反転させて磁気ヘッドにより磁気情報の書き込みを行う。
このような磁気記録再生装置は、高い保磁力と高いシグナルノイズ比（ＳＮＲ）とを有する本発明のマイクロ波アシスト磁気記録媒体からなる磁気記録媒体を備えているので、エラーレートが低く、優れた記録再生特性が得られるものとなる。

以下、実施例により本発明の効果をより詳細に説明する。なお、以下に示す実施例は、本発明の磁気記録媒体を好適に説明するための代表例であり、本発明はこれらの例に限定されるものではない。

（実施例１−１〜１−９）
以下に示す方法により、図１に示す熱アシスト磁気記録媒体を製造した。
まず、２．５インチガラス基板１０１上に、Ｃｒ−５０ａｔ％Ｔｉからなる厚み４０ｎｍの密着層１０２、Ａｇからなる厚み２５ｎｍのヒートシンク層１０３を成膜し、さらに、その上にＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉからなる厚み３０ｎｍのシード層１０４を形成した。
シード層１０４まで成膜した基板１０１を２６０℃まで加熱して、Ｃｒ−１０ａｔ％Ｎｂからなる厚み１５ｎｍの第一下地層１０５と、Ｃｒ−５０ａｔ％Ｎｂからなる厚み１５ｎｍの第二下地層１０６を成膜し、続けて、Ｎｂ−１０ａｔ％Ｃｒからなる厚み１５ｎｍの第三下地層１０７、その上に、ＭｇＯからなる厚み３ｎｍの上層下地層１０８（ＮａＣｌ構造を有する）を順次形成した。
次に、上層下地層１０８までを形成した基板１０１を６５０℃まで加熱して、（Ｆｅ−５０ａｔ％Ｐｔ）−１５ｍｏｌ％ＳｉＯ_２からなる厚み８ｎｍの磁性層１０９を形成し、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ））からなる厚み３．５ｎｍの保護膜１１０を形成し、パーフルオロポリエーテルからなる厚み１．５ｎｍの液体潤滑剤層１１１を塗布により形成した。
以上の工程により、実施例１−１の熱アシスト磁気記録媒体を得た。

続いて、実施例１−１の熱アシスト磁気記録媒体における第一下地層１０５の材料をそれぞれ、表１に示す材料に置き換えて、他の層は全て実施例１−１と同様にして実施例１−２〜１−９の熱アシスト磁気記録媒体を作製した。

実施例１−１〜１−９の第二下地層１０６（Ｃｒ−５０ａｔ％Ｎｂ）は、格子定数ａが３．１０Åであり、３．０４Å≦ａ＜３．１８Åの範囲内である。また、第三下地層１０７（Ｎｂ−１０ａｔ％Ｃｒ）は、格子定数ａが３．２６Åであり、３．１８Å≦ａ＜３．３１Åの範囲内である。
第二下地層１０６（Ｃｒ−５０ａｔ％Ｎｂ）および第三下地層１０７（Ｎｂ−１０ａｔ％Ｃｒ）は、いずれもＢＣＣ構造を有する。

得られた実施例１−１の熱アシスト磁気記録媒体のＸ線回折測定を行ったところ、Ｌ１_０−ＦｅＰｔ（００１）、およびＬ１_０−ＦｅＰｔ（００２）とＦＣＣ−ＦｅＰｔ（２００）の混合ピークが確認された。また、Ｃｒ−１０ａｔ％Ｎｂからなる第一下地層１０５、その上に形成されたＣｒ−５０ａｔ％Ｎｂからなる第二下地層１０６、さらに、Ｎｂ−１０ａｔ％Ｃｒからなる第三下地層１０７がそれぞれ（１００）配向を示した。
実施例１−１〜１−９の熱アシスト磁気記録媒体について、以下に示す方法により、保磁力と電磁変換特性のシグナルノイズ比（ＳＮＲ）、及び表面粗さ（Ｒａ）を測定した。その結果を表１に示す。
保磁力は、物理特性測定装置（ＰＰＭＳ）により室温で７Ｔの磁界を印加して測定した。また、電磁変換特性のＳＮＲ測定は、レーザースポット加熱機構を搭載したヘッドを用いて、スピンスタンドテスターにて行い、トラックプロファイルの半値幅と定義した記録トラック幅が７０ｎｍになるようにレーザーダイオード（ＬＤ）投入電圧を調整し、このトラック幅のときのＳＮＲを確認した。さらに、表面粗さ（Ｒａ）は、Ｖｅｅｃｏ社製ＡＦＭのタッピングモードを用いて、１０μｍ視野で測定した。

第一下地層１０５が、Ｃｒ、もしくはＣｒを主成分とする合金（ＢＣＣ構造）であり、格子定数ａが、２．８７Å≦ａ＜３．０４Åの範囲である実施例１−１〜１−７は、良好な保磁力と高いＳＮＲを示した。また、Ｂ２構造を持つＲｕＡｌやＮｉＡｌを用いた実施例１−８、１−９も良好な保磁力と高いＳＮＲを示した。
このことから、第一下地層１０５が、Ｃｒを主成分とするＢＣＣ構造を有する、あるいはＢ２構造を有することにより、保磁力とＳＮＲが良好な媒体を提供することができる。
実施例１−１〜１−７では、Ｃｒに添加する元素が少ない方が良好な保磁力、ＳＮＲを示すことがわかる。これは、純Ｃｒの配向が最もよいためと考えられる。
これらは、実施例１−１〜１−７の合金に比べるとややＳＮＲは高いが、表面粗さＲａもやや高い傾向がある。このことから、磁気記録媒体に求められる要求特性に合わせて、第一下地層の種類を選択することができる。

（比較例１−１〜１−７）
実施例１−１の熱アシスト磁気記録媒体における第一下地層を表２に示す材料に置き換えて、他の層は全て実施例１−１と同様にして比較例１−１〜１−７の熱アシスト磁気記録媒体を作製した。比較例１−１〜１−７の熱アシスト磁気記録媒体について、保磁力とＳＮＲを測定した結果を表２に示す。

比較例１−１〜１−７の保磁力とＳＮＲを見ると、実施例１−１〜１−９のそれらと比べて、どちらも大きく劣る。比較例１−１〜１−６の媒体の第一下地層はＣｒを主成分とする合金ではないため、第一下地層が（１００）配向せず、その上に形成される第二下地層、第三下地層も（１００）配向しない。そのため、下地層による配向制御機能が十分に得られず磁性層の配向も悪くなると考えられる。一方、第一下地層を抜いた比較例１−７は、第一下地層による配向制御機能がなく、第二下地層の配向制御効果も不十分なため、保持力とＳＮＲが共に良くないと考えられる。

（実施例２−１〜２−７）
図２に示す熱アシスト磁気記録媒体を製造した。
実施例１−１の磁気記録媒体における第一下地層１０５をＣｒからなる第一下地層２０１に、第二下地層１０６をＭｏ−３０ａｔ％Ｃｒからなる第二下地層２０２に、第三下地層１０７をＷ−２０ａｔ％Ｔａからなる第三下地層２０３に置き換えた。
さらに、磁性層１０９を膜厚７．５ｎｍの（Ｆｅ−４８ａｔ％Ｐｔ）−５ａｔ％Ａｇ−３５ｍｏｌ％Ｃからなる磁性層２０４（Ｌ１_０型結晶構造を含む）に置き換え、その磁性層２０４の上に膜厚１．５ｎｍのＣｏ−１０ａｔ％Ｔａ−５ａｔ％Ｂからなるキャップ層２０５を形成した。その他の層はすべて実施例１−１と同様にして実施例２−１の磁気記録媒体を作製した。
図２において、第一〜第三下地層２０１〜２０３および上層下地層１０８を下地層２００と総称する。

実施例２−１の熱アシスト磁気記録媒体における第二下地層２０２の材料をそれぞれ、表３に示す材料に置き換えた。その他の層は全て実施例２−１と同様にして実施例２−２〜２−７の磁気記録媒体を作製した。

実施例２−１〜２−７の第一下地層２０１（Ｃｒ）は、格子定数ａが２．８８Åであり、２．８７Å≦ａ＜３．０４Åの範囲内である。また、第三下地層２０３（Ｗ−２０ａｔ％Ｔａ）は、格子定数ａが ３．１９Åであり、３．１８Å≦ａ＜３．３１Åの範囲内である。
実施例２−１〜２−７の第一〜第三下地層２０１、２０２、２０３は、いずれもＢＣＣ構造を有する。
これらの磁気記録媒体の保磁力とＳＮＲを測定した結果を表３に示す。

実施例２に示す磁気記録媒体においても保磁力とＳＮＲは高い値を示した。これは、下地層の格子定数を段階的に増加させることによって、下地層間のミスフィットを小さくして、配向をより良くしているためと考えられる。

（比較例２−１〜２−５）
実施例２−１における第二下地層を表４に示す材料に置き換えて、比較例２−１〜２−５に示す磁気記録媒体を作製した。これらの磁気記録媒体の保磁力、ＳＮＲの値を表４に示す。
比較例２−１〜２−５の保磁力、及びＳＮＲは、実施例１の磁気記録媒体の値と比べると低い。比較例２−１〜２−３の媒体における第二下地層は格子定数が小さいため、第二下地層と第三下地層の格子ミスフィットが大きくなり、保磁力とＳＮＲが低下すると考えられる。一方で、比較例２−４、２−５の媒体における第二下地層は格子定数が大きいため、第一下地層と第二下地層の格子ミスフィットが大きくなり、保磁力とＳＮＲが劣ると考えられる。

（実施例３−１〜３−７）
以下に示す方法により、図３に示す熱アシスト磁気記録媒体を作製した。
２．５インチガラス基板３０１上に、Ｎｉ−５０ａｔ％Ｔａからなる厚み４０ｎｍの密着層３０２を成膜し、続けてＣｕからなる厚み３５ｎｍのヒートシンク層３０３を成膜した。さらに、ヒートシンク層３０３上にＦｅ−２０ａｔ％Ａｌ−５ａｔ％Ｓｉからなる厚み３０ｎｍの軟磁性層３０４を形成し、Ｃｒ−５０ａｔ％Ｔｉからなる膜厚１５ｎｍのシード層３０５を形成した。
シード層３０５までを形成した基板３０１を２８０℃まで加熱して、Ｃｒ−１０ａｔ％Ｍｏからなる厚み１０ｎｍの第一下地層３０６と、Ｍｏ−１０ａｔ％Ｃｒからなる厚み１０ｎｍの第二下地層３０７を成膜し、続けて、Ｔａ−２０ａｔ％Ｃｒからなる厚み１５ｎｍの第三下地層３０８、さらにその上に、ＴｉＮからなる厚み５ｎｍの上層下地層３０９（ＮａＣｌ構造を有する）を順次形成した。
次に、上層下地層３０９までを形成した基板３０１を６８０℃まで加熱して、（Ｆｅ−５３ａｔ％Ｐｔ）−１８ｍｏｌ％ＴｉＯ_２からなる厚み９ｎｍの磁性層３１０を形成し、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ））からなる厚み３．５ｎｍの保護膜３１１を形成し、パーフルオロポリエーテルからなる厚み１．５ｎｍの液体潤滑剤層３１２を塗布により形成した。
以上の工程により、実施例３−１の磁気記録媒体を得た。
図３において、第一〜第三下地層３０６〜３０８および上層下地層３０９を下地層３００と総称する。

また、実施例３−１の熱アシスト磁気記録媒体における第三下地層３０８を、表５に示す材料に置き換え、他の層は全て実施例３−１と同様にして実施例３−２〜３−７の磁気記録媒体を作製した。

実施例３−１〜３−７の第一下地層３０６（Ｃｒ−１０ａｔ％Ｍｏ）は、格子定数ａが２．９１Åであり、２．８７Å≦ａ＜３．０４Åの範囲内である。第二下地層３０７（Ｍｏ−１０ａｔ％Ｃｒ）は、格子定数ａが３．１２Åであり、３．０４Å≦ａ＜３．１８Åの範囲内である。
実施例３−１〜３−７の第一〜第三下地層３０６、３０７、３０８は、いずれもＢＣＣ構造を有する。

実施例３−１〜３−７の磁気記録媒体について、保持力およびＳＮＲを測定した。その結果を表５に示す。

実施例３−１〜３−７の磁気記録媒体は、どれも高い保磁力とＳＮＲを示した。第三下地層には、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂの比較的大きな格子定数を持つ元素を主成分として、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉなどを添加した合金を用いることができる。

（比較例３−１〜３−６）
実施例３−１における第三下地層を表６に示す材料に置き換えて、比較例３−１〜３−５に示す磁気記録媒体を作製し、保磁力、ＳＮＲの値を確認した。これを表４に示す。
実施例３に比べ、比較例３−１〜３−５の磁気記録媒体における保磁力、及びＳＮＲは、低くなっている。これは、第三下地層を形成する合金の格子定数が小さく、上層下地層３０９に面内応力が加わらないためと考えられる。

（実施例４）
実施例１−１〜１−３、１−８、２−１、２−４〜２−５、３−１〜３−４、比較例１−１、１−３、１−５、２−１、２−３、３−１、３−４の熱アシスト磁気記録媒体を図４に示す磁気記録再生装置の磁気記録媒体として用い、エラーレートを測定した。
エラーレートは、線記録密度１６００ｋＦＣＩ、トラック密度５００ｋＦＣＩ（面記録密度８００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２）の条件で記録して測定した。
その結果、実施例１−１〜１−３、１−８、２−１、２−４〜２−５、３−１〜３−４の磁気記録媒体を組み込んだ磁気記憶装置は、１×１０^−６以下の低いエラーレートを示した。また、比較例１−１、１−３、１−５、２−１、２−３、３−１、３−４の磁気記録媒体を組み込んだ磁気記憶発生装置のエラーレートは１×１０^−４〜１×１０^−３程度であった。

以上より、基板上に形成された下地層と、前記下地層上に形成されたＬ１_０型結晶構造を有する合金を主成分とする磁性層とを有し、前記下地層が、基板側から順に、格子定数ａが２．８７Å≦ａ＜３．０４Åであり、Ｂ２構造、または、Ｃｒを主成分とするＢＣＣ構造を有する第一下地層と、格子定数ａが３．０４Å≦ａ＜３．１８ÅであるＢＣＣ構造の第二下地層と、格子定数ａが３．１８Å≦ａ＜３．３１ÅであるＢＣＣ構造の第三下地層と、ＮａＣｌ構造を有する上層下地層とを有する磁気記録媒体を用いることにより、エラーレートの低い磁気記憶再生装置が得られることがわかった。

本発明によれば、高保磁力と高いシグナルノイズ比（ＳＮＲ）を示す磁気記録媒体及びこれを備えた磁気記録再生装置を提供できる。

１００、２００、３００…下地層、１０１、３０１…基板、１０２…密着層、１０５、２０１、３０６…第一下地層、１０６、２０２、３０７…第二下地層、１０７、２０３、３０８…第三下地層、１０８、３０９…上層下地層、１０９、２０４、３１０…磁性層、４０１…磁気記録媒体、４０２…媒体駆動部、４０３…磁気ヘッド、４０４…ヘッド駆動部、４０５…記録再生信号処理系、５０１…主磁極、５０２…補助磁極、５０３…コイル、５０４…レーザーダイオード、５０５…レーザー光、５０６…近接場発生素子、５０７…導波路、５０８…記録ヘッド、５０９…シールド、５１０…再生素子、５１１…再生ヘッド。

Claims (7)

1. 基板上に形成された下地層と、
   前記下地層上に形成されたＬ１_０型結晶構造を有する合金を主成分とする磁性層とを有し、
   前記下地層が、基板側から順に、格子定数ａが２．８７Å≦ａ＜３．０４Åであり、Ｂ２構造、または、Ｃｒを主成分とするＢＣＣ構造を有する第一下地層と、
   格子定数ａが３．０４Å≦ａ＜３．１８ÅであるＢＣＣ構造の第二下地層と、
   格子定数ａが３．１８Å≦ａ＜３．３１ÅであるＢＣＣ構造の第三下地層と、
   ＮａＣｌ型結晶構造を有する上層下地層とを有し、
   熱アシスト磁気記録方式、またはマイクロ波アシスト磁気記録方式で情報が記録されるものであることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 前記第一下地層が、Ｃｒ、若しくは、Ｃｒを主成分として含み、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｒｕのうち少なくとも１種を含み、ＢＣＣ構造を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 前記第一下地層が、ＮｉＡｌまたはＲｕＡｌからなる、Ｂ２構造を有することを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
4. 前記第二および第三下地層が、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、若しくは、これらを主成分とし、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｒｕのうち少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
5. 前記磁性層が、Ｌ１_０型結晶構造を有し、ＦｅＰｔ合金もしくはＣｏＰｔ合金を主成分とし、かつ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃから選択される少なくとも１種の酸化物、もしくは元素を含有していることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体と、
   前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
   前記磁気記録媒体を加熱するレーザー発生部と前記レーザー発生部から発生したレーザー光を先端部へと導く導波路と前記先端部に設けられた近接場発生素子とを有して前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、
   前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、
   前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号の再生とを行う記録再生信号処理系とを備える磁気記録再生装置。
7. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体と、
   前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
   前記磁気記録媒体にマイクロ波を照射する素子と、
   前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、
   前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、
   前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号の再生とを行う記録再生信号処理系とを備える磁気記録再生装置。

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