FR2992466A1 - Procede de realisation de contact pour led et structure resultante - Google Patents

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Abstract

L'invention concerne une structure (20) comprenant un substrat (100) comportant sur une face une pluralité de structures élémentaires de LED (150) comprenant chacune au moins une couche de type n (132), une couche active (133) et une couche de type p (134), les structures élémentaires étant espacées les unes des autres sur le premier substrat par des tranchées (160). Chaque structure élémentaire de LED (150) comprend : - une première partie (151) comprenant la couche de type p (134), la couche active (133) et une première partie (1320) de la couche de type n (132) en contact avec la couche active et une deuxième partie (152) comprenant une deuxième partie (1321) de la couche de type n (132), la première partie (151) de chaque structure élémentaire de LED (150) ayant des dimensions latérales inférieures à la deuxième partie (152) de chaque structure élémentaire de LED (150), - une portion de matériau isolant (1390) sur les flancs de la couche de type p (134), de la couche active (133) et de la première partie (1320) de la couche de type n (132), et - un plot de contact n (145) sur au moins l'ensemble de la deuxième partie (1321) de la couche de type n (132) exposée.

Description

Domaine technique et art antérieur La présente invention concerne la fabrication de diodes électroluminescentes ou LEDs et, plus particulièrement la réalisation des plots de contact permettant la connexion avec les couches de type n présentes dans les structures de LED. Les LEDs sont en général fabriquées à partir de structures élémentaires correspondant à un empilement de couches comprenant au moins une couche ou région de type n, une couche ou région de type p et une couche active disposée entre les couches de type n et p. Ces structures élémentaires de LED peuvent être formées à partir d'un même substrat de croissance sur lequel on forme par croissance épitaxiale un empilement de couches comme décrit ci-dessus, des portions de cet empilement étant ensuite découpées dans le substrat pour former chacune une structure élémentaire de LED. Le câblage de chaque LED pour la formation de plots de contact n est généralement réalisé en pratiquant une ouverture sur la face arrière 20 de chaque structure élémentaire de LED afin d'accéder à la couche de type n et de former dans cette ouverture un plot de contact n. Cependant, les plots de contact n ainsi réalisés présentent une résistance électrique importante en raison de leur surface de contact limitée. 25 En outre, les plots de contact n sont en général réalisés de manière individuelle, ce qui multiplie le nombre d'opérations pour la fabrication en série de LEDs et augmente, par conséquent, le coût de fabrication de ces LEDs. 30 Résumé de l'invention L'invention a pour but de remédier aux inconvénients précités en permettant une réalisation simplifiée et améliorée des contacts n.
Ce but est atteint avec un procédé de fabrication de dispositifs de diode électroluminescente ou LED comprenant la formation sur une face d'un premier substrat d'une pluralité de structures élémentaires de LED sous forme d'îlots comprenant chacune au moins une couche de type n, une couche active et une couche de type p, les structures élémentaires de LED étant espacées les unes des autres sur le premier substrat par des tranchées, le procédé comprenant en outre pour chaque structure élémentaire de LED: la réduction des dimensions latérales de la couche de type p, de la couche active et d'une première partie de la couche de type n en contact avec la couche active, la couche de type n présentant une deuxième partie ayant des dimensions latérales supérieures à ladite première partie de la couche de type n, la formation d'une portion de matériau isolant sur les flancs de la couche de type p, de la couche active et de la première partie de la couche de type n, - la formation de plots de contact n sur au moins l'ensemble de la deuxième partie de la couche de type n exposée. Ainsi, le procédé de l'invention permet de former des plots de 20 contact n présentant une grande surface de contact et, par conséquent, une faible résistance électrique. L'alimentation des dispositifs de LED selon l'invention est ainsi facilitée. Par ailleurs, le procédé selon l'invention permet de réaliser les plots de contact n de manière collective car le nombre d'opérations nécessaires 25 pour la formation des plots de contact n est ici considérablement réduit en comparaison de l'art antérieur où les plots de contact étaient formés de façon indépendante sur chaque structure élémentaire. On dispose ainsi d'un substrat ou plaque comportant une pluralité de structures élémentaires câblées n qui peuvent être découpées individuellement ou en 30 groupe pour former des dispositifs de LED. Selon un premier aspect du procédé de l'invention, la formation des plots de contact n comprend le dépôt d'une couche de matériau conducteur d'épaisseur déterminée sur l'ensemble de la face du premier substrat comportant les structures élémentaires de LED.
Selon un deuxième aspect du procédé de l'invention, après le dépôt de la couche de matériau conducteur, on procède à une gravure directive de la couche de matériau conducteur de manière à laisser subsister des portions de la couche de matériau conducteur sur les parois latérales des structures élémentaires, lesdites portions formant les plots de contact n. Selon un troisième aspect du procédé de l'invention, après l'étape de gravure sélective, des ouvertures sont formées sur une profondeur limitée dans la couche de type p de chaque structure élémentaire de LED et sont remplies avec un matériau conducteur de manière à former un plot de contact p. On dispose ainsi d'une structure qui se présente sous la forme d'une plaque avec une pluralité de structures élémentaires chacune munie d'un plot de contact p et d'un plot de contact n. Selon un quatrième aspect du procédé de l'invention, après la formation des plots de contact p, on dépose une couche de matériau isolant recouvrant l'ensemble des structures élémentaires de LED au-dessus des plots de contact de type p et on polit la couche de matériau isolant sur une profondeur déterminée de manière à exposer les plots de contact n, les portions de matériau isolant et les plots de contact p.
On dispose ainsi d'une structure qui se présente sous la forme d'une plaque à partir de laquelle on peut former des dispositifs de LED comprenant plusieurs structures élémentaires de LED connectées en série. En outre, la structure comporte une surface polie compatible avec un collage par adhésion moléculaire, par exemple, avec substrat final équipé de connexions électroniques verticales (vias) pour l'accès aux contacts p et n, le substrat final pouvant en outre être équipés de circuits électroniques. Selon un cinquième aspect du procédé de l'invention, après la formation des plots de contact p, on dépose une couche de matériau conducteur recouvrant l'ensemble des structures élémentaires de LED au-dessus des plots de contact de type p et on polit la couche de matériau conducteur sur une profondeur déterminée de manière à exposer les plots de contact n, les portions de matériau isolant et les plots de contact p.
On dispose ainsi d'une structure qui se présente sous la forme d'une plaque à partir de laquelle on peut former des dispositifs de LED comprenant plusieurs structures élémentaires de LED connectées en parallèle. En outre, la structure comporte une surface polie compatible avec un collage par adhésion moléculaire, par exemple, avec substrat final équipé de connexions électroniques verticales (vias) pour l'accès aux contacts p et n, le substrat final pouvant en outre être équipés de circuits électroniques. L'invention propose également une structure comprenant un substrat comportant sur une face une pluralité de structures élémentaires de LED comprenant chacune au moins une couche de type n, une couche active et une couche de type p, les structures élémentaires étant espacées les unes des autres sur le premier substrat par des tranchées, caractérisée en ce que chaque structure élémentaire de LED comprend : - une première partie comprenant la couche de type p, la couche active et une première partie de la couche de type n en contact avec la couche active et une deuxième partie comprenant une deuxième partie de la couche de type n, la première partie de chaque structure élémentaire de LED ayant des dimensions latérales inférieures à la deuxième partie de chaque structure élémentaire de LED, - une portion de matériau isolant sur les flancs de la couche de type p, de la couche active et de la première partie de la couche de type n, et - un plot de contact n sur au moins l'ensemble de la deuxième partie de la couche de type n exposée.
On dispose ainsi d'une structure qui se présente sous la forme d'une plaque avec une pluralité de structures élémentaires de LED chacune munie d'un plot de contact n présentant une grande surface de contact et, par conséquent, une faible résistance électrique. Les structures élémentaires câblées peuvent être découpées individuellement ou en groupe pour former des dispositifs de LED. Selon un aspect de la structure de l'invention, au moins une partie des plots de contact n sont isolés les uns des autres par un matériau isolant. Il est ainsi possible de former des dispositifs de LED comprenant plusieurs structures élémentaires de LED connectées en série.
Selon un autre aspect de la structure de l'invention, au moins une partie des plots de contact n sont connectés les uns des autres par un matériau conducteur. Il est ainsi possible de former des dispositifs de LED comprenant plusieurs structures élémentaires de LED connectées en parallèle. Selon encore un autre aspect de la structure de l'invention, cette dernière comporte une surface polie compatible avec un collage par adhésion moléculaire, par exemple, avec substrat final équipé de connexions électroniques verticales (vias) pour l'accès aux contacts p et n, le substrat final pouvant en outre être équipés de circuits électroniques. Brève description des figures les figures lA à 1K, sont des vues schématiques en perspectives et en coupe montrant la fabrication collective de dispositifs de LED conformément à un mode de réalisation de l'invention, la figure 2 est un organigramme des étapes mises en oeuvre dans les figures lA à 1K, les figures 3A à 3C, sont des vues schématiques en perspectives et en coupe montrant une variante de réalisation des plots de contact n et p conformément à un mode de réalisation de l'invention, la figure 4 est un organigramme des étapes mises en oeuvre dans les figures 3A à 3C.
Exposé détaillé de modes de réalisation de l'invention La présente invention s'applique à la fabrication collective de dispositifs de diode électroluminescente ou LED et, plus particulièrement, à la réalisation de plot de contact n ayant une grande surface de contact.
Un procédé de fabrication collective de LEDs est décrit en relation avec les figures 1A à 1K et 2. Dans l'exemple décrit ici, le procédé est mis en oeuvre à partir d'une plaque ou d'un substrat composite de croissance 100 comprenant un substrat support 101, une couche enterrée 102 et de îlots de croissance 131 (figure 1A). Le substrat support 101 est ici constitué de saphir. Le substrat 101 peut être également constitué d'un matériau semiconducteur tel que notamment du silicium, du carbure de silicium, du germanium. La couche enterrée est une couche d'adaptation réalisée ici en Si02. Les îlots de croissance 131 sont obtenus à partir d'une couche de croissance en matériau contraint, ici une couche en InGaN réalisée, par exemple, par croissance épitaxiale sur une couche de germe en GaN et transférée sur le substrat support 101 via la couche enterrée 102. Des tranchées 160 ont été ménagées dans la couche de croissance de manière à délimiter les îlots de croissance 131 en InGaN. Ces tranchées ont également permis de relaxer le matériau contraint de la couche de croissance. A titre d'exemple non limitatif, chaque îlot 131 présente ici une forme carrée de 1 mm de côté. La forme et les dimensions des îlots qui définissent la forme et au moins une partie des dimensions des LEDs finales peuvent évidemment être différentes, les îlots pouvant notamment présenter une forme circulaire. Le procédé débute par la formation par épitaxie d'une couche de type n 132 (environ 1 pm d'épaisseur), d'une couche active 133 (environ 10 nm) et d'une couche de type p 134 (environ entre 100 nm et 200 nm d'épaisseur) sur chaque îlot 131 par épitaxie (étapes Si, S2, S3, figure 1B), ces trois couches formant sur chaque îlot une structure élémentaire de LED 150. A ce stade du procédé, on dispose d'une structure 10 qui se présente sous la forme d'une plaque et qui comprend sur sa face supérieure une pluralité de structures de LED 150 séparées les unes des autres par les tranchées 160. Les couches de type n et p peuvent comprendre plusieurs couches de différentes compositions, épaisseurs ou concentration en dopant, incluant des couches non intentionnellement dopées. La couche active 133 est une couche émettrice de lumière qui peut 30 être formée d'une seule couche aussi bien épaisse que fine ou d'une pluralité de couches de puits quantique émetteur de lumière séparées les unes des autres par des couches de barrière. On procède ensuite au retrait, par gravure chimique ou gravure sèche, par exemple de type RIE (pour "Reactive Ion Etching"), d'une portion latérale dans les structures élémentaires 150. Le retrait de cette portion étant réalisé sur une largeur I déterminée à partir du bord latéral de chaque structure et sur une profondeur P s'étendant depuis la surface supérieure des structures élémentaires de LED dans la couche de type p 134, la couche active 133 et une première partie 1320 de la couche de type n en contact avec la couche active 133 (étape S4, figure 1C). On forme ainsi dans chaque structure élémentaire de LED 150 une première portion 151 présentant des dimensions latérales (largeur, diamètre, etc.) réduites par rapport à une deuxième portion sous-jacente 152 comprenant la deuxième partie 1321 de la couche de type n 132 non détourée. Après la formation de la première portion 151, on procède à un dépôt pleine plaque d'une couche de matériau isolant 139, par exemple en Si02, ayant une épaisseur limitée de manière à suivre les contours des structures élémentaires de LED 150 et des tranchées 160 (étape S5, figure 1D). Ce dépôt est suivi d'une gravure sèche directive gravant préférentiellement dans la direction verticale de manière à ouvrir la couche de matériau isolant 139 au niveau de la surface de la couche de type p 134, la deuxième partie 1321 de la couche de type n 132 non détourée et dans les tranchées 160 (étape S6, figure 1E). Après la gravure directive, seule une portion 1390 de la couche 139 subsiste sur les flancs des structures élémentaires 150 au niveau de la première portion 151 de dimensions latérales réduites. On réalise ensuite un dépôt pleine plaque d'une couche de matériau conducteur 140, par exemple en Ti/Al/Ni, ayant une épaisseur limitée de manière à suivre les contours des structures élémentaires de LED 150 et des tranchées 160 (étape S7, figure 1F). Ce dépôt est suivi d'une gravure sèche directive gravant la couche de matériau conducteur 140 préférentiellement dans la direction verticale de manière à laisser subsister seulement des portions 1400 de la couche 140 sur les parois latérales des structures élémentaires 150 formant des plots de contact n 145 (étapes S8, figure 1G). Les portions 1400 de la couche de matériau conducteur 140 se trouvent en contact avec tout le pourtour de la deuxième partie 1321 de la couche de type n 132 qui est exposé en dehors des portions 1390 de la couche de matériau isolant.
On réalise ainsi un contact avec une grande surface, ce qui permet de réduire significativement la résistance électrique au niveau du plot de contact n sans réellement pénaliser la densité d'intégration du composant. En effet, le plot de contact n étant réalisé autour de la couche de type n, on augmente peu la largeur et la surface supérieure du composant final. A ce stade du procédé, on dispose d'une structure 20 qui se présente sous la forme d'une plaque avec une pluralité de structures élémentaires 150 chacune munie d'un plot de contact n 145 présentant une grande surface de contact, la structure 20 pouvant être découpée en une pluralité de dispositifs chacun d'entre eux comprenant une ou plusieurs structures élémentaires 150 suivant l'application finale envisagée, les opérations restantes de la formation d'une LED, étant réalisées individuellement pour chaque dispositif découpé. La fabrication collective de dispositifs de LED se poursuit avec l'ouverture des couches de type p 134, par exemple par gravure chimique sélective sèche ou humide, sur une profondeur limitée dans la couche de type p 134 (étape S9, figure 1H). A cet effet, on utilise un masque de gravure utilisant une couche de résine protectrice qui présente des ouvertures délimitant les zones à graver dans la structure, à savoir des ouvertures 137. Des plots de contact p 138 sont formés dans les ouvertures 137 par dépôt dans ces dernières d'au moins un matériau conducteur (étape S10, figure 1I). Lors du dépôt du ou des matériaux des plots de contact 138, on conserve le masque utilisé pour la gravure des ouvertures 337. Une fois les plots de contact p 338 formés, on retire la résine protectrice du masque de gravure, ce qui permet d'éliminer en même temps le ou les matériaux constitutifs des plots de contact p 138 déposés en dehors des ouvertures 7. A ce stade du procédé, on dispose d'une structure 30 qui se présente sous la forme d'une plaque avec une pluralité de structures élémentaires 150 chacune munie d'un plot de contact p et d'un plot de contact n. Une couche de matériau conducteur 141, ici du cuivre, est déposée sur toute la plaque et sur une épaisseur importante de manière à recouvrir avec le matériau conducteur l'ensemble des structures élémentaires de LED au-dessus des plots de contact p 138 et remplir les tranchées 160 avec le matériau conducteur connectant ainsi les plots de contact n 145 des structures élémentaires adjacentes (étape S11, figure 13). Une couche d'accrochage, par exemple en Ta et/ou TaN, favorisant l'adhésion semi- conducteur/métal est de préférence déposée sur les plots de contact p 138 et des plots de contact n 145 avant le dépôt de la couche 141. La couche de matériau conducteur 141 est polie par polissage mécano-chimique (CMP) jusqu'à une profondeur Ppol (figure 13) de manière à exposer les plots de contact p 138 et à former des portions ou prises de contact n 143 de couche de matériau conducteur 141 en contact avec les plots de contact n 145 afin de permettre une prise de contact sur chacun de ces plots (étape S12, figure 1K). Les plots de contact 138 et 144 sont séparés les uns des autres par les potions 1390 de matériau isolant. A ce stade du procédé, on dispose d'une structure 40 qui se présente sous la forme d'une plaque avec une pluralité de structures élémentaires 150 chacune munie d'un plot de contact p et d'un plot de contact n, la structure 40 présentant une surface 40a plane compatible avec un collage direct sur un substrat final ou receveur. Dans l'exemple décrit ici, les tranchées 160 sont remplies par le matériau conducteur des prises de contact n 143 qui interconnecte ensemble les plots de contact n 145 des structures élémentaires de LED 150 adjacentes. Il est ainsi possible de connecter directement en parallèle plusieurs structures élémentaires de LED. L'interconnexion entre les plots de contact n peut être également réalisée en laissant la couche de matériau conducteur présente dans les tranchées comme illustrée sur la figure 1F. Dans ce cas, la couche matériau conducteur 140 n'est ouverte qu'au-dessus des couches de type p 134.
Selon une variante de réalisation, lors de l'étape S11 décrite précédemment, à la place d'une couche de matériau conducteur 141, on dépose une couche de matériau isolant, tel qu'un diélectrique comme du Si02, sur toute la plaque et sur une épaisseur importante de manière à recouvrir avec le matériau isolant l'ensemble des structures élémentaires 2 992 466 10 de LED au-dessus des plots de contact p 138 et remplir les tranchées 160 avec le matériau isolant. On isole ainsi les uns des autres les plots de contact n 145 des structures élémentaires de LED, ce qui permet notamment de réaliser par la suite une connexion en série de plusieurs 5 structures élémentaires de LED. Selon une autre variante de réalisation de l'invention, une partie des tranchées peut être remplie avec un matériau isolant tandis que l'autre partie des tranchés peut être remplie avec un matériau conducteur, ce qui permet de disposer sur la même plaque des structures élémentaires 10 de LED ayant des couches de type n connectées en parallèle et des structures élémentaires de LED ayant des couches de type n isolées les unes des autres. Selon une variante de réalisation du procédé de l'invention décrite en relation avec les figures 3A à 3C et 4, les plots de contacts n et p sont 15 formés simultanément. Cette variante de réalisation est mise en oeuvre à partir d'une structure 200 identique à la structure présentée sur la figure 1E, c'est-à-dire après : - des étapes de formation de structures élémentaires de LED 350 séparées par des tranchées 360 et comprenant une couche de type n 332, 20 une couche active 333 et une couche de type p 334 réalisées dans les mêmes conditions que les étapes 51, S2 et S3 décrites précédemment, - une étape réalisée dans les mêmes conditions que l'étape S4 décrite précédemment et permettant de former dans chaque structure élémentaire de LED 350 une première portion 351 comprenant la couche 25 de type p 334, la couche active 333 et une première partie 3320 de la couche de type n en contact avec la couche active 333 et présentant des dimensions latérales (largeur, diamètre, etc.) réduites par rapport à une deuxième portion sous-jacente 352 comprenant la deuxième partie 3321 de la couche de type n 332 non détourée, 30 - une étape similaire à l'étape S5 déjà décrite de dépôt pleine plaque d'une couche de matériau isolant, par exemple en 902, ayant une épaisseur limitée de manière à suivre les contours des structures élémentaires de LED 350 et les tranchées 360, et - une étape similaire à l'étape S6 déjà décrite de gravure sèche directive gravant préférentiellement dans la direction verticale de manière à ne laisser subsister qu'une portion 3390 de la couche en matériau isolant sur les flancs des structures élémentaires 350 au niveau de la première portion 351 de dimensions latérales réduites. Dans cette variante de réalisation, les couches de type p 334 sont ensuite ouvertes, par exemple par gravure chimique sélective sèche ou humide, sur une profondeur déterminée (étape S20, figure 3A). A cet effet, on utilise un masque de gravure utilisant une couche de résine protectrice qui présente des ouvertures délimitant les zones à graver dans la structure, à savoir des ouvertures 337. On réalise ensuite un dépôt pleine plaque d'une couche de matériau conducteur 340 qui recouvre l'ensemble de structures élémentaires 350 et les tranchées 360 tout en remplissant les ouvertures 337 (étape S21, figure 3B). La couche de matériau conducteur 340 est polie par polissage mécano-chimique (CMP) jusqu'à une profondeur Ppol (figure 3B) de manière à former des plots de contact p 338 et des plots de contact n 345 séparés les uns des autres par des potions 3390 de matériau isolant (étape S22, figure 3C). A ce stade du procédé, on dispose d'une structure 210 qui se présente sous la forme d'une plaque avec une pluralité de structures élémentaires 350 chacune munie d'un plot de contact p et d'un plot de contact n, la structure 210 présentant une surface 210a plane compatible avec un collage direct sur un substrat final ou receveur.

Claims (10)

  1. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication de dispositifs de diode électroluminescente ou LED comprenant la formation sur une face d'un premier substrat (100) d'une pluralité de structures élémentaires de LED (150) sous forme d'îlots comprenant chacune au moins une couche de type n (132), une couche active (133) et une couche de type p (134), les structures élémentaires de LED (150) étant espacées les unes des autres sur le premier substrat par des tranchées (160), le procédé comprenant en outre pour chaque structure élémentaire de LED: la réduction des dimensions latérales de la couche de type p (134), de la couche active (133) et d'une première partie (1320) de la couche de type n (132) en contact avec la couche active, la couche de type n (132) présentant une deuxième partie (1321) ayant des dimensions latérales supérieures à ladite première partie (1320) de la couche de type n, la formation d'une portion de matériau isolant (1390) sur les flancs de la couche de type p (134), de la couche active (133) et de la première partie (1320) de la couche de type n (132), la formation de plots de contact n (145) sur au moins l'ensemble de la deuxième partie (1321) de la couche de type n (132) exposée.
  2. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la formation des plots de contact n (145) comprend le dépôt d'une couche de matériau conducteur (140) d'épaisseur déterminée sur l'ensemble de la face du premier substrat (100) comportant les structures élémentaires de LED (150).
  3. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, après le dépôt de la couche de matériau conducteur (140), la gravure directive de ladite couche de matériau conducteur de manière à laisser subsister des portions (1400) de la couche de matériauconducteur (140) sur les parois latérales des structures élémentaires (150), lesdites portions formant les plots de contact n (145).
  4. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend, après l'étape de gravure sélective, la formation d'ouvertures (137) sur une profondeur limitée dans la couche de type p (134) de chaque structures élémentaires de LED (150) et le remplissage de ces ouverture avec un matériau conducteur de manière à former un plot de contact p (138).
  5. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend, après la formation des plots de contact p (138), le dépôt d'une couche de matériau isolant recouvrant l'ensemble des structures élémentaires de LED (150) au-dessus des plots de contact de type p (138) et le polissage de ladite couche de matériau isolant sur une profondeur déterminée de manière à exposer les plots de contact n (145), les portions de matériau isolant (1390) et les plots de contact p (138).
  6. 6. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend, après la formation des plots de contact p (138), le dépôt d'une couche de matériau conducteur (141) recouvrant l'ensemble des structures élémentaires de LED (150) au-dessus des plots de contact de type p (138) et le polissage de ladite couche de matériau conducteur (140) sur une profondeur déterminée de manière à exposer les plots de contact n (145), les portions de matériau isolant (1390) et les plots de contact p (138).
  7. 7. Structure (20) comprenant un substrat (100) comportant sur une face une pluralité de structures élémentaires de LED (150) comprenant chacune au moins une couche de type n (132), une couche active (133) et une couche de type p (134), les structures élémentaires étant espacées les unes des autres sur le premier substrat par des tranchées (160), caractérisée en ce que chaque structure élémentaire de LED (150) comprend :- une première partie (151) comprenant la couche de type p (134), la couche active (133) et une première partie (1320) de la couche de type n (132) en contact avec la couche active et une deuxième partie (152) comprenant une deuxième partie (1321) de la couche de type n (132), la première partie (151) de chaque structure élémentaire de LED (150) ayant des dimensions latérales inférieures à la deuxième partie (152) de chaque structure élémentaire de LED (150), - une portion de matériau isolant (1390) sur les flancs de la couche de type p (134), de la couche active (133) et de la première partie (1320) de la couche de type n (132), et - un plot de contact n (145) sur au moins l'ensemble de la deuxième partie (1321) de la couche de type n (132) exposée.
  8. 8. Structure selon la revendication 7, caractérisée en ce qu'au moins une partie des plots de contact n (145) sont isolés les uns des autres par un matériau isolant.
  9. 9. Structure (40) selon la revendication 7, caractérisée en ce qu'au moins une partie des plots de contact n (145) sont connectés les uns des 20 autres par un matériau conducteur.
  10. 10. Structure (40) selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisée en ce qu'elle comporte une surface polie (40a) compatible avec un collage par adhésion moléculaire.
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KR1020147036038A KR102087754B1 (ko) 2012-06-22 2013-06-14 Led들 또는 태양 전지들의 구조들을 제조하는 방법
JP2015517701A JP6269664B2 (ja) 2012-06-22 2013-06-14 Ｌｅｄ又は太陽電池セルの構造を製造する方法
PCT/EP2013/062423 WO2013189857A1 (fr) 2012-06-22 2013-06-14 Procédé de fabrication de structures de del de cellules solaires
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CN201380032574.0A CN104396030B (zh) 2012-06-22 2013-06-14 制造led或太阳能电池的结构的方法
US14/405,632 US9478707B2 (en) 2012-06-22 2013-06-14 Method of manufacturing structures of LEDs or solar cells
JP2015517733A JP6103276B2 (ja) 2012-06-22 2013-06-18 Ｌｅｄの集合的製造の方法及びｌｅｄの集合的製造のための構造
KR1020147036042A KR102011351B1 (ko) 2012-06-22 2013-06-18 Led들의 일괄 제조를 위한 방법 및 led들의 일괄 제조를 위한 구조
PCT/EP2013/062658 WO2013189949A1 (fr) 2012-06-22 2013-06-18 Procédé et structure de fabrication collective de del
US14/409,650 US20150155331A1 (en) 2012-06-22 2013-06-18 Method of collective manufacture of leds and structure for collective manufacture of leds
CN201380032606.7A CN104396033B (zh) 2012-06-22 2013-06-18 Led的集体制造的方法及led的集体制造的结构
EP13729948.3A EP2865021B1 (fr) 2012-06-22 2013-06-18 Procédé et structure de fabrication collective de del
TW102122240A TWI518954B (zh) 2012-06-22 2013-06-21 ＬＥＤｓ集體製造之方法及用於ＬＥＤｓ集體製造之結構
TW102122243A TWI493761B (zh) 2012-06-22 2013-06-21 製造ＬＥＤｓ或太陽能電池結構之方法
US15/332,412 US9865786B2 (en) 2012-06-22 2016-10-24 Method of manufacturing structures of LEDs or solar cells

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2992466A1 (fr) 2012-06-22 2013-12-27 Soitec Silicon On Insulator Procede de realisation de contact pour led et structure resultante
DE102013103601A1 (de) * 2013-04-10 2014-10-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
FR3023065B1 (fr) * 2014-06-27 2017-12-15 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique a jonction p-n permettant une ionisation de dopants par effet de champ
DE102015108056A1 (de) * 2015-05-21 2016-11-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil, optoelektronische Anordnung und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
FR3038127B1 (fr) * 2015-06-24 2017-06-23 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une pluralite de dipoles en forme d'ilots ayant des electrodes auto-alignees
FR3043254B1 (fr) * 2015-11-04 2018-03-16 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de realisation d'un dispositif electronique
JP6843885B2 (ja) * 2016-05-13 2021-03-17 コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ 複数の窒化ガリウムダイオードを備えた光電子デバイスを製造する方法
US10749070B2 (en) 2016-05-20 2020-08-18 Lumileds Llc Method of forming a P-type layer for a light emitting device
EP4033531B1 (fr) 2017-03-17 2023-08-02 Soitec Procédé de fabrication d'une pluralité d'îlots semiconducteurs cristallins
FR3079070B1 (fr) 2018-03-13 2020-02-28 Soitec Procede de fabrication d'une pluralite d'ilots semi-conducteurs cristallins presentant une variete de parametres de maille
FR3079071B1 (fr) 2018-03-13 2020-02-28 Soitec Procede de fabrication d'une pluralite d'ilots semi-conducteurs cristallins prensentant une variete de parametres de maille
FR3064108B1 (fr) 2017-03-17 2022-12-30 Soitec Silicon On Insulator Substrat de croissance pour la formation de dispositifs optoelectroniques, procede de fabrication d'un tel susbstrat, et utilisation du susbtrat notamment dans le domaine des micro-ecrans d'affichage
DE102017117414A1 (de) * 2017-08-01 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
KR102419593B1 (ko) * 2017-10-23 2022-07-12 삼성전자주식회사 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
FR3076170B1 (fr) * 2017-12-22 2020-05-15 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de report de structures electroluminescentes
US20190198709A1 (en) * 2017-12-22 2019-06-27 Lumileds Llc Iii-nitride multi-color on wafer micro-led enabled by tunnel junctions
US11515299B2 (en) 2018-05-16 2022-11-29 Industrial Technology Research Institute Method for manufacturing display array
TWI688121B (zh) * 2018-08-24 2020-03-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體結構
US11342479B2 (en) 2018-09-11 2022-05-24 Facebook Technologies, Llc Reducing bowing of materials before wafer-to-wafer bonding for LED manufacturing
US11056611B2 (en) 2018-09-11 2021-07-06 Facebook Technologies, Llc Mesa formation for wafer-to-wafer bonding
US11145786B2 (en) 2018-09-11 2021-10-12 Facebook Technologies, Llc Methods for wafer-to-wafer bonding
CN109496368A (zh) * 2018-10-12 2019-03-19 京东方科技集团股份有限公司 微发光二极管装置及其制造方法
US20200171544A1 (en) * 2018-11-29 2020-06-04 Ascent Ventures, Llc High Frequency Ultrasonic Transducer and Method of Fabrication
US11152540B2 (en) 2019-07-29 2021-10-19 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode structure and method of manufacturing thereof
GB2586862B (en) * 2019-09-06 2021-12-15 Plessey Semiconductors Ltd LED precursor incorporating strain relaxing structure
US11038088B2 (en) 2019-10-14 2021-06-15 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode package
CN114730813A (zh) * 2019-12-13 2022-07-08 苏州晶湛半导体有限公司 半导体结构的制作方法
US11264530B2 (en) 2019-12-19 2022-03-01 Lumileds Llc Light emitting diode (LED) devices with nucleation layer
US11211527B2 (en) 2019-12-19 2021-12-28 Lumileds Llc Light emitting diode (LED) devices with high density textures
JP7424038B2 (ja) * 2019-12-23 2024-01-30 セイコーエプソン株式会社 発光装置、および、プロジェクター
TWI740438B (zh) * 2020-03-31 2021-09-21 聚積科技股份有限公司 微型發光二極體的轉移方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6281524B1 (en) * 1997-02-21 2001-08-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device
US20060169994A1 (en) * 2005-02-03 2006-08-03 United Epitaxy Company, Ltd. Light emitting device and manufacture method thereof
EP2390933A1 (fr) * 2010-05-24 2011-11-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Dispositif électroluminescent semi-conducteur

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3921885A (en) * 1973-06-28 1975-11-25 Rca Corp Method of bonding two bodies together
US5565266A (en) 1993-06-14 1996-10-15 Eastman Kodak Company Multilayer magnetooptic recording media
US5563000A (en) 1994-03-11 1996-10-08 Eastman Kodak Company Multilayer magnetooptic recording media
US6037644A (en) * 1997-09-12 2000-03-14 The Whitaker Corporation Semi-transparent monitor detector for surface emitting light emitting devices
JP2000020937A (ja) 1998-07-03 2000-01-21 Hitachi Ltd 磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記憶装置
US20030036483A1 (en) * 2000-12-06 2003-02-20 Arendt Paul N. High temperature superconducting thick films
JP2003031870A (ja) 2001-07-19 2003-01-31 Alps Electric Co Ltd 交換結合膜及び前記交換結合膜を用いた磁気検出素子
JP4198900B2 (ja) 2001-07-19 2008-12-17 アルプス電気株式会社 交換結合膜及び前記交換結合膜を用いた磁気検出素子
JP4189146B2 (ja) 2001-07-19 2008-12-03 アルプス電気株式会社 交換結合膜及び前記交換結合膜を用いた磁気検出素子
US20030189215A1 (en) 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
JP2003332649A (ja) 2002-05-14 2003-11-21 Alps Electric Co Ltd 磁気検出素子
US6653704B1 (en) 2002-09-24 2003-11-25 International Business Machines Corporation Magnetic memory with tunnel junction memory cells and phase transition material for controlling current to the cells
US7092220B2 (en) 2003-07-29 2006-08-15 Hitachi Global Storage Technologies Apparatus for enhancing thermal stability, improving biasing and reducing damage from electrostatic discharge in self-pinned abutted junction heads having a first self-pinned layer extending under the hard bias layers
US7282277B2 (en) 2004-04-20 2007-10-16 Seagate Technology Llc Magnetic recording media with Cu-containing magnetic layers
US7449345B2 (en) 2004-06-15 2008-11-11 Headway Technologies, Inc. Capping structure for enhancing dR/R of the MTJ device
US7122840B2 (en) 2004-06-17 2006-10-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor with optical guard ring and fabrication method thereof
KR100616600B1 (ko) * 2004-08-24 2006-08-28 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 반도체 발광소자
JP2006165059A (ja) 2004-12-02 2006-06-22 Sony Corp 記憶素子及びメモリ
JP2006269664A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Fuji Xerox Co Ltd 発光デバイス、光通信システム、および発光デバイスの製造方法
JP4767035B2 (ja) * 2005-04-12 2011-09-07 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
JP2006334652A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Ebara Corp 金属接合方法
JP4933130B2 (ja) 2006-02-16 2012-05-16 昭和電工株式会社 ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法
JP2007271676A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Kyocera Corp ファイバ型光線路、ファイバ型部品及び光モジュール
JP2008124381A (ja) 2006-11-15 2008-05-29 Sharp Corp 太陽電池
US20080170329A1 (en) 2007-01-11 2008-07-17 Seagate Technology Llc Granular perpendicular magnetic recording media with improved corrosion resistance by SUL post-deposition heating
CN101652861B (zh) 2007-01-22 2013-01-23 科锐公司 容错发光体、包含容错发光体的系统以及制造容错发光体的方法
JP2010518536A (ja) 2007-02-03 2010-05-27 ダブリューディー メディア インコーポレイテッド 改良された異方性磁界を有する垂直磁気記録媒体
JP2008263126A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Oki Data Corp 半導体装置、該半導体装置の製造方法、ｌｅｄヘッド、及び画像形成装置
US20090032970A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Park Chang-Min Stacking of integrated circuits using glassy metal bonding
JP2009105123A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Showa Denko Kk 発光ダイオードおよびその製造方法
JP2009116930A (ja) 2007-11-02 2009-05-28 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 垂直磁気記録媒体およびそれを用いた磁気記録再生装置
KR20090074396A (ko) 2008-01-02 2009-07-07 삼성전자주식회사 강유전체를 이용한 정보저장매체, 그 제조방법, 및 이를채용한 정보저장장치
WO2009113659A1 (fr) * 2008-03-13 2009-09-17 昭和電工株式会社 Dispositif électroluminescent à semi-conducteur et son procédé de fabrication
KR20090122728A (ko) * 2008-05-26 2009-12-01 삼성전자주식회사 비선형 태양전지 모듈
DE102009025015A1 (de) * 2008-07-08 2010-02-18 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US20100019222A1 (en) * 2008-07-25 2010-01-28 High Power Opto.Inc. Low-temperature led chip metal bonding layer
CN101640240A (zh) * 2008-07-28 2010-02-03 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
US9117944B2 (en) * 2008-09-24 2015-08-25 Koninklijke Philips N.V. Semiconductor light emitting devices grown on composite substrates
FR2936903B1 (fr) 2008-10-07 2011-01-14 Soitec Silicon On Insulator Relaxation d'une couche de materiau contraint avec application d'un raidisseur
KR100945800B1 (ko) 2008-12-09 2010-03-05 김영혜 이종 접합 웨이퍼 제조방법
EP2412006A1 (fr) 2009-02-05 2012-02-01 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Procédés d'épitaxie et structures épitaxiales pour former des matériaux semi-conducteurs
WO2010140371A1 (fr) * 2009-06-05 2010-12-09 住友化学株式会社 Substrat semiconducteur, dispositif de conversion photoelectrique, procede de fabrication de substrat semiconducteur et procede de fabrication de dispositif de conversion photoelectrique
US8580593B2 (en) 2009-09-10 2013-11-12 Micron Technology, Inc. Epitaxial formation structures and associated methods of manufacturing solid state lighting devices
JP5493624B2 (ja) 2009-09-15 2014-05-14 ソニー株式会社 画像表示装置及び電子機器
US9082534B2 (en) 2009-09-15 2015-07-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Magnetic element having perpendicular anisotropy with enhanced efficiency
JP5534763B2 (ja) * 2009-09-25 2014-07-02 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
KR101198758B1 (ko) * 2009-11-25 2012-11-12 엘지이노텍 주식회사 수직구조 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2011148979A (ja) 2009-12-22 2011-08-04 Panasonic Electric Works Co Ltd プリント配線板用エポキシ樹脂組成物、樹脂フィルム、プリプレグ、金属箔付き樹脂シート、フレキシブルプリント配線板
US20110174376A1 (en) * 2010-01-19 2011-07-21 Amberwave, Inc. Monocrystalline Thin Cell
JP2011171273A (ja) 2010-01-25 2011-09-01 Hitachi Chem Co Ltd 電極用ペースト組成物及び太陽電池
JP2011198962A (ja) 2010-03-18 2011-10-06 Toshiba Corp 半導体発光素子の製造方法
SG175482A1 (en) 2010-05-04 2011-11-28 Agency Science Tech & Res Multi-bit cell magnetic memory with perpendicular magnetization and spin torque switching
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
EP2636078B1 (fr) 2010-11-04 2015-12-30 Koninklijke Philips N.V. Dispositifs électroluminescents à semi-conducteur formés à partir de structures de configuration cristallographique lâche
FR2967813B1 (fr) 2010-11-18 2013-10-04 Soitec Silicon On Insulator Procédé de réalisation d'une structure a couche métallique enterrée
JP2012114184A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
US8786036B2 (en) 2011-01-19 2014-07-22 Headway Technologies, Inc. Magnetic tunnel junction for MRAM applications
US8508006B2 (en) 2011-05-10 2013-08-13 Magic Technologies, Inc. Co/Ni multilayers with improved out-of-plane anisotropy for magnetic device applications
CN103534757B (zh) 2011-05-17 2016-08-17 昭和电工株式会社 磁记录介质及其制造方法以及磁记录再生装置
JP5768498B2 (ja) 2011-05-23 2015-08-26 ソニー株式会社 記憶素子、記憶装置
JP5177256B2 (ja) 2011-06-03 2013-04-03 富士電機株式会社 垂直磁気記録媒体およびその製造方法
TWI434405B (zh) * 2011-06-07 2014-04-11 Univ Nat Chiao Tung 具有積體電路與發光二極體之異質整合結構及其製作方法
US8492169B2 (en) 2011-08-15 2013-07-23 Magic Technologies, Inc. Magnetic tunnel junction for MRAM applications
US9679664B2 (en) 2012-02-11 2017-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for providing a smart memory architecture
US8871365B2 (en) 2012-02-28 2014-10-28 Headway Technologies, Inc. High thermal stability reference structure with out-of-plane aniotropy to magnetic device applications
US8941950B2 (en) 2012-05-23 2015-01-27 WD Media, LLC Underlayers for heat assisted magnetic recording (HAMR) media
FR2992466A1 (fr) 2012-06-22 2013-12-27 Soitec Silicon On Insulator Procede de realisation de contact pour led et structure resultante
KR101446338B1 (ko) 2012-07-17 2014-10-01 삼성전자주식회사 자기 소자 및 그 제조 방법
JP5961490B2 (ja) 2012-08-29 2016-08-02 昭和電工株式会社 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
US20140242419A1 (en) 2013-02-28 2014-08-28 Showa Denko Hd Singapore Pte Ltd. Perpendicular recording medium for hard disk drives
US9499899B2 (en) 2013-03-13 2016-11-22 Intermolecular, Inc. Systems, methods, and apparatus for production coatings of low-emissivity glass including a ternary alloy
US9206078B2 (en) 2013-03-13 2015-12-08 Intermolecular, Inc. Barrier layers for silver reflective coatings and HPC workflows for rapid screening of materials for such barrier layers
JP6199618B2 (ja) 2013-04-12 2017-09-20 昭和電工株式会社 磁気記録媒体、磁気記憶装置
US9341685B2 (en) 2013-05-13 2016-05-17 HGST Netherlands B.V. Antiferromagnetic (AFM) grain growth controlled random telegraph noise (RTN) suppressed magnetic head
WO2014184988A1 (fr) 2013-05-16 2014-11-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Dispositif à semi-conducteurs et procédé pour le fabriquer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6281524B1 (en) * 1997-02-21 2001-08-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device
US20060169994A1 (en) * 2005-02-03 2006-08-03 United Epitaxy Company, Ltd. Light emitting device and manufacture method thereof
EP2390933A1 (fr) * 2010-05-24 2011-11-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Dispositif électroluminescent semi-conducteur

Also Published As

Publication number Publication date
EP2865019A1 (fr) 2015-04-29
KR102087754B1 (ko) 2020-03-11
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US20170040518A1 (en) 2017-02-09
JP6269664B2 (ja) 2018-01-31
WO2013189857A1 (fr) 2013-12-27
EP2865019B1 (fr) 2018-08-01

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