JP2008263126A - 半導体装置、該半導体装置の製造方法、ｌｅｄヘッド、及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板、及び、基板上に積層される半導体素子を含む半導体薄膜層１０３とを備える半導体装置に於いて、半導体素子が発生する熱を効率的に外部へ放散し、半導体装置の温度上昇を防止し、半導体装置の動作特性を向上させ、安定的な動作を維持すること。
【解決手段】 上記基板として金属基板１０１を用い、該金属基板１０１と半導体薄膜層１０３との間に表面コーティング層１０２として、熱伝導率が高く、且つ絶縁性が良いダイヤモンドライクカーボン層１０２ａを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置、ＬＥＤヘッド、及び画像形成装置に関し、特に半導体素子から発生する熱を効率的に発散させることにより、特性と信頼性を向上させた半導体装置、ＬＥＤヘッド、及び画像形成装置に関する。

半導体素子は動作中に発熱する。又、半導体素子において最も発熱する領域は動作領域である。例えば発光ダイオードであればｐｎ接合付近、あるいは活性層の発光領域が発熱の中心となる。半導体素子の温度上昇は、半導体装置の特性や信頼性に悪影響を及ぼす。この悪影響を回避するためには、半導体素子から発生する熱エネルギを効率的に装置の外部へ伝導し、放熱することが重要である。この課題に関する多くの関連技術が開示されている。例えば、特許文献１では、サファイヤ基板などの基板上に形成された発光ダイオードを絶縁体でありながら熱伝導率が極めて高いダイヤモンド基板上に接着し、熱エネルギを効率的に装置の外部へ伝導し、放熱している。
特開２００２−３２９８９６号公報

しかしながら、上記開示された技術では、発光領域とダイヤモンド基板との間にサファイヤ基板が介在しているために、主たる発熱領域と熱伝導率が高い材料との距離が遠くなってしまい、効果が低減してしまうという解決すべき課題が残されていた。

本発明は、基板と、該基板上に積層される半導体薄膜層とを備える半導体装置であって、上記基板と、上記半導体薄膜層との間にダイヤモンドライクカーボン層を備えることを主要な特徴とする。

基板と、上記半導体薄膜層との間に薄いダイヤモンドライクカーボン層のみを備え、活性層と基板との距離を短くしたので、主たる発熱領域である活性層から熱伝導率の高い基板への熱伝導が高効率になる。ここで、ダイヤモンドライクカーボン層の層厚は薄いので、厚さ方向への熱伝導の効率を下げることにはならない。その結果、半導体素子が発生する熱を効率的に外部へ放散し、半導体装置の温度上昇を防止することができるので、半導体装置の動作特性を向上させることができるとともに、安定的な動作を維持することができるという効果を得る。

以下、本発明の一実施形態を図を用いて詳細に説明する。

本実施例では、主たる発熱領域と熱伝導率が高い基板との距離を出来る限り近くし、熱エネルギを効率的に装置の外部へ伝導するために以下の構成をとる。

図１は、実施例１の半導体装置の斜視図である。
図２は、実施例１の半導体装置の断面図である。
図に示すように実施例１の半導体装置１００は、金属基板１０１の表面を表面コーティング層１０２が被覆し、その上に半導体薄膜層１０３が接着されている。図２では半導体薄膜層１０３の構造を示していないが、半導体薄膜層１０３は、半導体素子を備えた半導体薄膜である。半導体素子は例えば、発光ダイオード、半導体レーザ、集積回路、センサー、受光素子などであって、単数または複数であってもよい。また複数種類の半導体素子が混在しても良い。

金属基板１０１は、例えば、銅、アルミ、真鍮（銅と亜鉛の合金）、亜鉛、タングステン、ニッケル、青銅（銅と錫の合金）、モリブデンなどの熱伝導率が高い材料が望ましい。金属材料基板表面の表面粗さは、平均表面粗さで５ｎｍ以下であることが望ましい。ここで平均の表面粗さとは、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：原子間力顕微鏡）で測定した表面粗さで、測定領域内（例えば典型的な例として、５μｍ〜２５μｍの測定領域）の平均の表面粗さＲａ（ａｖｅｒａｇｅ Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を意味する。更に好ましくは、その測定領域において、最大粗さＲＰＶが５ｎｍ以下であることが望ましい。

ここで最大表面粗さ最大粗さＲＰＶとは、測定領域内で特異的に表面粗さが突出している領域の高低差を意味する。このような特異的な領域が存在する場合には、その面に接合する半導体薄膜に欠陥が発生するため、このような特異的な領域がないことが望ましい。更に望ましくは、表面の最大のうねりＲｍａｘが１／５００以下、より好ましくは、１／１０００以下であることが望ましい。ここで表面の最大のうねりＲｍａｘとは、例えば表面粗さ計（プローブ針で表面をなぞって表面の高低状態を測定する評価装置）で表面の高低プロフィールを測定した場合のある測定距離Ｌでの最大の高低差Ｄｍａｘを意味する。例えばＲｍａｘ＝Ｄｍａｘ／／Ｌ≦１／１０００とは、例えばＬ＝５０μｍの距離で最大の高低差Ｄｍａｘが５０μｍ以下であることを意味する。更に好ましくは、Ｌ≧１０μｍであることが望ましい。

表面コーティング層１０２は、金属基板１０１の表面を被覆するための例えばダイヤモンドライクカーボン層１０２ａである。このダイヤモンドライクカーボン層１０２ａは、絶縁性、及び熱伝導性が高く、ダイヤモンドに類似した炭素材料である。又、ダイヤモンド結合（ＳＰ３構造）とグラファイド結合（ＳＰ２結合）の中間的な構造を備えた構造を持つ、アモルファス炭素材料である。場合によっては多少の水素を含む場合もある。

このダイヤモンドライクカーボン層１０２ａは、例えば、プラズマＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタ法、あるいは、イオンプレーティング法などによって形成することができる。ダイヤモンドライクカーボン層１０２ａは、上記金属基板１０１の表面粗さと同様、表面に特異的な粗さ（ヒロックなど）がなく平坦であることが望ましい。

金属基板１０１を被覆した状態で、ダイヤモンドライクカーボン層１０２ａの表面の平坦性は、例えば、測定エリア内の平均の表面粗さ：Ｒａ≦５ｎｍ、より好ましくはＲａ≦２ｎｍであることが望ましい。このことは、発明者らの系統的な実験では、Ｒａが５ｎｍを越える場合には半導体薄膜が良好にボンディングすることが困難になる結果に基づくものである。更に望ましくは測定エリア内の最大のピーク高さ：ＲＰＶ≦１０ｎｍであることが望ましい。更に望ましくはＲＰＶ≦５ｎｍであることが望ましい。更に望ましくはＲｍａｘ≦１／１０００、であることが望ましい。一般的には、形成する薄膜の厚さが増加するに伴ってＲａが増加する傾向にある。Ｒａを２ｎｍ以下にするために、例えば、ダイヤモンドライクカーボン層１０２ａの層厚を１μｍ以下とすることが望ましい。

以下の説明では、本発明を、半導体素子の一例としてＬＥＤ素子に適用した場合、即ち、半導体薄膜層１０３が、一例として発光素子を形成するＬＥＤ薄膜層であるものとして説明する。このＬＥＤ薄膜層は接着剤や接着性材料が介在することなく、ダイヤモンド層またはダイヤモンドライクカーボン層１０２ａの上に分子間力によって直接接合（ボンディング）されている。以下に、半導体薄膜層１０３の具体的な素子形態、及びその製法について説明する。

図３は、実施例１のＬＥＤ素子の断面図である。
この図は実施例１の半導体薄膜層１０３の具体例であって、３１１は第１導電側ＧａＡｓ層、３１２はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層（クラッド層）、３１３は第１導電型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ層（活性層）、３１４は第２導電型Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＡｓ層（クラッド層）、３１５は第２導電側ＧａＡｓ層（コンタクト層）である。ここで、少なくとも、ｙ＜ｘ、ｚとすることが望ましい。又、３１６は第２導電側電極、３１７は第１導電側電極である。以下にＬＥＤ素子３００の製法の概要について説明する。

図４は、実施例１のＬＥＤ素子の製法説明図（その１）である。
図に示すように、ＬＥＤ素子の素材となるＬＥＤ薄膜層３１０は、ＧａＡｓ基板１０５上に犠牲層１０４（例えばＡｌ_ｔＧａ_１−ｔＡｓ層、ｔ≧０．６）を設け、発光素子のＬＥＤ薄膜層３１０を形成する。例えば有機金属化学記相成長法（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｍｅｔａｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＯＭＣＶＤ法）によって薄膜層が形成される。

図５は、実施例１のＬＥＤ素子の製法説明図（その２）である。
図６は、実施例１のＬＥＤ素子の製法説明図（その３）である。
両図に示すように、犠牲層１０４のみエッチングするエッチング液によって、選択的に犠牲層１０４をエッチングする。犠牲層１０４をエッチングすることによって、ＬＥＤ薄膜層３１０がＧａＡｓ基板１０５から剥離される。

図７は、実施例１のＬＥＤ素子の製法説明図（その４）である。
図に示すように、金属基板１０１上にダイヤモンドライクカーボン層１０２ａを形成した基板上にＬＥＤ薄膜層３１０に荷重をかけ、密着させてボンディングする。この際、ボンディング表面は適宜表面処理を行い。強固にボンディングするようなことが望ましい。

図８は、実施例１のＬＥＤ素子の製法説明図（その５）である。
図９は、実施例１のＬＥＤ素子の製法説明図（その６）である。
両図に示すように、上記図７でＬＥＤ薄膜層３１０を金属基板１０１にボンディングした後に、第１導電側ＧａＡｓ層３１１が露出するように第１導電型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層（クラッド層）３１２から第２導電側ＧａＡｓ層３１５までをエッチングし、第１導電側ＧａＡｓ層３１１と第２導電側ＧａＡｓ層３１５上にそれぞれ、第１導電側電極３１７、第２導電側電極３１６を形成することによって素子が完成する。ここで、第１導電側電極３１７は例えば、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ層、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ層、第２導電側電極３１６はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ層、Ａｌ層、Ｎｉ／Ａｌ層、ＬＥＤは薄膜層３３０ａを得ることが出来る。図４から図９で説明した製造方法では、半導体薄膜層をボンディングした後にＬＥＤの形態に加工するが、予め図３の構造をＧａＡｓ基板上で形成した後に、図４から図６で示した方法と同様の方法で剥離し、図７で示したようにダイヤモンドライクカーボンにボンディングすることも出来る。

次に、以上説明した実施例１のＬＥＤ素子（図３）とは異なる形態［１］〜［１４］のＬＥＤ素子を例にあげて説明する。
図１０は、実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の断面図である。
図において、３２１は例えば第１導電側ＧａＡｓ層、３２２は第１導電型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層（クラッド層）、３２３は第１導電型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ層（活性層）、３２４は第２導電型Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＡｓ層（クラッド層）、３２５は第２導電側ＧａＡｓ層（コンタクト層）、３２６は第２導電型不純物拡散領域で、拡散領域は少なくとも第１導電型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ層（活性層）３２３まで到達している。３２６ａは活性層内の拡散領域である。３２６ｂは、クラッド層内の拡散領域である。３２６ｃは、コンタクト層内の拡散領域である。コンタクト層内の拡散領域３２６ｃと第１導電型ＧａＡｓ層３２５は少なくともエッチングによって分離されている。３２８は第１導電側電極、３２７は第２導電側電極を示している。

図１１は、実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の製法説明図（その１）である。
図に示すように、ＧａＡｓ基板１０５上に犠牲層１０４層（例えばＡｌ_ｔＧａ_１−ｔＡｓ層、ｔ≧０．６）を形成し、更にＬＥＤ薄膜層３２０を形成する。ＬＥＤ薄膜層３２０は、上記と同様ＯＭＣＶＤ法などによって形成する。

図１２は、実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の製法説明図（その２）である。
次に活性層に達する第２導電型不純物拡散領域３２６を形成する。不純物は例えばＺｎである。拡散する領域にＺｎＯ薄膜を形成し、５５０〜６５０℃に加熱することによって不純物を拡散することができる。

図１３は、実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の製法説明図（その３）である。
図に示すように、第１導電側ＧａＡｓ層（コンタクト層）３２５と、該コンタクト層内の拡散領域３２６ｃとを分離する。

図１４は、実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の製法説明図（その４）である。
図４に示すように、第１導電側電極３２８と第２導電側電極３２７を形成する。

図１５は、実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の製法説明図（その５）である。
次に表面に適宜支持体を設け（図には描いていない）、犠牲層１０４を選択的にエッチング除去する。

図１６は、実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の製法説明図（その６）である。
図に示すように、犠牲層を完全にエッチング除去することによって、ＬＥＤ薄膜素子３２９をＧａＡｓ基板１０５から剥離する。

図１７は、実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の製法説明図（その７）である。
図に示すように、金属基板１０１上にダイヤモンドライクカーボン層３０２ａを形成した基板上に、ＬＥＤ薄膜素子３２９を密着させボンディングする。

図１８は、実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の製法説明図（その８）である。
以上示した工程を経て図に示すようなＬＥＤ素子が完成する。

続いて、実施例１のＬＥＤ素子（図３）とは異なる形態［２］の（半導体素子としての）ＬＥＤ素子を例にあげて説明する。
図１９は、実施例１の他の形態［２］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。
図に於いて、３３１はバッファー層で例えばＡｌＮ層、３３２はｎ−ＧａＮ層、３３３は多重量子井戸層で、３３３ａはＩｎＧａＮ層、３３３ｂはＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮ／……／ＩｎＧａＮ／ＧａＮ積層、３３３ｃはＩｎＧａＮ層、３３４はｐ−ＡｎＧａＮ層、３３５はｐ−ＧａＮ層である。

図２０は、実施例１の他の形態［３］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。
図に示すように、他の形態［３］のＬＥＤ薄膜層３３０ａでは、他の形態［２］のＬＥＤ薄膜層３３０に対してバッファー層３３１（図１９）がない例である。

次に、上記、他の形態［２］、及び、他の形態［３］の製法について説明する。
図２１は、実施例１の他の形態［２］のＬＥＤ薄膜層の製法説明図（その１）である。
図２２は、実施例１の他の形態［２］のＬＥＤ薄膜層の製法説明図（その２）である。
図２３は、実施例１の他の形態［２］のＬＥＤ薄膜層の製法説明図（その３）である。

図２１で１０６はサファイヤ基板（一例）、１０４は犠牲層である。図２２に示すように犠牲層１０４を選択的にエッチング除去することによって、ＬＥＤ薄膜層３３０をサファイヤ基板１０６から剥離する。図２３に示すように犠牲層１０４と共にバッファー層３３１をエッチングすることにより、ＬＥＤ薄膜層３３１ａを得ることが出来る。

図２４は、実施例１の他の形態［３］のＬＥＤ薄膜層の製法説明図（その１）である。
図２５は、実施例１の他の形態［３］のＬＥＤ薄膜層の製法説明図（その２）である。
図２６は、実施例１の他の形態［３］のＬＥＤ薄膜層の製法説明図（その３）である。

図２４は、図２１と異なり、犠牲層１０４（図２１）を設けずにＳｉ基板１０７（一例）に直接バッファー層３３１を設けた場合を示している。図に示す基板は例えばＳｉ基板１０７である。図２５に示すようにＳｉ基板１０７のエッチングによってＬＥＤ薄膜層３３０を得る。図２６に示すようにＳｉ基板１０７をエッチングする際に同時にバッファー層３３１をエッチング除去するようにすれば、ＬＥＤ薄膜層３３０ａを得ることが出来る。図２５、２６ではＳｉ基板１０７を全てエッチング除去することも出来るし、主として横方向のエッチング速度が縦方向のエッチング速度よりも大きくなるエッチング方法によって半導体薄膜が形成されている面側の横方向エッチングによって半導体薄膜を剥離することも出来る。このようなエッチングでは、Ｓｉ基板の上面の一部のみがエッチングされる。

図２７は、実施例１の他の形態［４］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。
図に於いて、３４１はｎ−ＧａＡｓ層、３４２はｎ−ＡｌＩｎＧａＰ層（クラッド層）、３４３はノンドープＩｎＧａＰ層 （活性層）、３４４はｐ−ＡｌＩｎＧａＰ層（クラッド層）、３４５はｐ−ＩｎＧａＰ層（バッファー層）、３４６はｎ−ＧａＡｓ層、３４７はｐ−ＧａＡｓ層、である。

図２８は、実施例１の他の形態［４］のＬＥＤ薄膜層の製法説明図である。
図に示すように、例えばＧａＡｓ基板１０５の上に設けた犠牲層１０４を選択的にエッチングすることによって、ＬＥＤ薄膜層３４０を得ることができる。

図２９は、実施例１の他の形態［５］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。
図に於いて、３５１はｎ−ＩｎＰ、３５２はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、３５３はｎ−ＩｎＰ層、３５４はｎ−ＩｎＰ層（クラッド層）、３５５はＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ層（多重量子井戸層）、３５６はｐ−ＩｎＰ層（クラッド層）、３５７はＩｎＰ層、３５８はｐ−ＩｎＧａＡｓ層（コンタクト層）、を示している。

図３０は、実施例１の他の形態［６］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。
この図は、ＬＥＤ薄膜層３５０を得るためのエピタキシャル基板構造の例である。図に於いて、１０８は、例えばＩｎＰ基板である。１０４はＬＥＤ薄膜層３５０とＩｎＰ基板１０８の間に設けた犠牲層である。

図３１は、実施例１の他の形態［７］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。
図に於いて、３６１はノンドープＧａＡｓ層、３６２はｎ−ＡｌＧａＡｓ層、３６３はｎ−ＧａＡｓ層を示している。

図３２は、実施例１の他の形態［８］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。
図に於いて、３７１はｎ−ＧａＡｓ層、３７２はｎ−ＧａＡｓ層、３７３はｐ−ＡｌＧａＡｓ層、３７４はｎ−ＡｌＧａＡｓ層、３７５はｎ−ＧａＡｓ層またはｎ−ＩｎＧａＡｓ層である。

図３３は、実施例１の他の形態［９］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。
図に於いて、３８０ａ−１はＡｌＮ層、３８０ａ−２はｎ−Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層、３８０ａ−３はＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層、３８０ａ−４はｐ−Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＮ層、である。

図３４は、実施例１の他の形態［１０］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。
図に於いて、３８０ｂ−２はｎ−Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層、３８０ｂ−３はＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層、３８０ｂ−４はｐ−Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＮ層、である。

図３５は、実施例１の他の形態［１１］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。
図に於いて、３８０ｃ−１はｎ^＋−ＧａＮ層、３８０ｃ−２はｎ−ＧａＮ層、３８０ｃ−３はｐ−ＧａＮ層、３８０ｃ−４はｎ^＋−ＡｌＧａＮ層、である。

図３６は、実施例１の他の形態［１２］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。
図に於いて、３９０ａ−１はノンドープＧａＮ層、３９０ａ−２はｎ−ＧａＮ層である。

図３７は、実施例１の他の形態［１３］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。
図に於いて、３９０ｂ−１は、ＡｌＮ層、３９０ｂ−２は、ノンドープＧａＮ層、３９０ｂ−３は、ｎ−ＧａＮ層である。

図３８は、実施例１の他の形態［１４］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。
図に於いて、３９６はノンドープＧａＮ層、３９７はノンドープＡｌＧａＮ層、３９８はｎ−ＡｌＧａＮ層である。

以上説明した、半導体素子の一例としてのＬＥＤ素子、センサー素子、電子素子は、発光動作あるいはセンサー動作、あるいはトランジスタ動作を行う。いずれのＬＥＤ素子、センサー素子、電子素子などの半導体素子も動作に伴い発熱する。ＬＥＤ素子から発生した熱は、ＬＥＤ素子が直接接する熱伝導率が高いダイヤモンドライクカーボン層を伝導し、更に金属基板に至る。ダイヤモンドライクカーボン層の層厚は薄いため厚さ方向に効率的に熱が伝導し、金属基板に熱が伝わる。金属材料中では、厚さ方向と共に横方向にも効率的に熱が伝導し外部へ放熱される。

（効果）の説明
以上説明したように、本実施例では、金属基板の上に設けた薄いダイヤモンドライクカーボン層の上に半導体薄膜層としてのＬＥＤ薄膜層、センサー薄膜層、電子素子薄膜層などの半導体素子薄膜層をボンディングし、活性層などの動作層と基板との距離を短くしたので熱伝導効率が高くなる。ここで、ダイヤモンドライクカーボン層の層厚は薄いので、厚さ方向への熱伝導効率を下げることにはならない。又、金属基板では厚さ方向と共に横方向への熱伝導率も高いため、ＬＥＤ素子、センサー素子、電子素子などの半導体素子が発生する熱を効率的に外部へ放散し、ＬＥＤ素子、センサー素子、電子素子などの半導体素子の温度上昇を防止することができる。そのことによって、ＬＥＤ素子、センサー素子、電子素子などの動作特性を向上させることができるとともに、安定的な動作を維持することができるという効果を得る。更に、かかるＬＥＤ素子では、裏面に放射された光を金属表面で反射させることができるため、発光特性を向上させることが出来るという効果を得る。

（変形例）の説明
上記実施例では、ＬＥＤ薄膜層と金属基板との間にダイヤモンドライクカーボン層を設けたが、ダイヤモンドライクカーボン層に代えて、ダイヤモンド層であってもよい。上記実施例では、ダイヤモンドライクカーボン層はＣＶＤ法などの成膜方法によって形成されるが、更に表面を研磨、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）などによって表面を処理、平坦化した平坦面であってもよい。
更に、ダイヤモンドライクカーボンに代えて、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）や酸化アルミニウム(Ａｌ_２Ｏ_３)などの熱伝導率が高い薄膜であってもよい。ＳｉＣ膜やＡｌ_２Ｏ_３膜は、例えばＣＶＤ法によって、Ａｌ_２Ｏ_３膜はスパッタ法などによって形成することができる。

本実施例では、実施例１の構成にプラスして金属基板の上に光の反射率が高い金属層を別に設け、発光素子の発光効率を向上させるために以下の構成をとる。

図３９は、実施例２のＬＥＤ装置の平面図である。
図４０は、図３９のＡ−Ａ断面拡大矢視図である。
以下、両図を参照しながら、第２の実施形態について説明する。

図３９に於いて、４１１は第１導電側ＧａＡｓ層（コンタクト層）である。４１５は第２導電側ＧａＡｓ層（コンタクト層）である。４１７は第２導電側電極である。４１７ｂは第２導電側配線、４１７ｃは第２導電側接続パッドである。４１８は第１導電側電極である。４１８ｂは第１導電側配線、４１８ｃは複数の第１導電側電極を結線する共通配線、４１８ｄは第１導電側接続パッドである。

図４０に於いて、４０１は金属基板、４０２は金属層で金属基板４０１と異なる材料の金属層である。金属基板４０１は熱伝導率が高い金属材料で、例えば銅、アルミ、真鍮（銅と亜鉛の合金）、亜鉛、タングステン、ニッケル、青銅（銅と錫の合金）、モリブデンなどである。金属層４０２は少なくとも、光波長４００ｎｍから１５００ｎｍの間で、少なくとも１つの波長帯の光に対して、５０％以上の反射率を有する金属層で、例えば、銅、銅を含む合金、アルミニウム、アルムニウム／ニッケル、亜鉛、ニッケル、白金、金、銀、金を含む合金、銀を含む合金、チタン、タンタル、パラジウム、イリジウム、タングステンなどである。金属層は、適宜それぞれの金属材料に適した方法を選ぶことが出来る。例えば、スパッタ法、電子ビーム蒸着法、などの真空装置を使う方法であってもよいし、メッキや塗布などの真空装置を使わない方法によって金属層を設けてもよい。

金属層４０２は単層でなくとも積層でもよい。積層の場合には最上層が反射率が高い金属層であることが望ましい。金属層の表面の平坦性については、実施例１で説明した平坦性があることが望ましい、すなわち、Ｒａ≦５ｎｍ、ＲＰＶ≦１０ｎｍ、Ｒｍａｘ≦１／１０００、であることが望ましい。４０３はダイヤモンドライクカーボン層である。ダイヤモンドライクカーボン層の最表面の表面平坦性は、第１の実施例同様、Ｒａ≦５ｎｍ、ＲＰＶ≦１０ｎｍ、より望ましくは、Ｒａ≦３ｎｍ、ＲＰＶ≦５ｎｍであることが望ましい。更に、Ｒｍａｘ≦１／１０００、であることが望ましい。

４１０は発光素子を備えたＬＥＤ薄膜素子である。４１１は第１導電側ＧａＡｓ層（コンタクト層）、４１２はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層（クラッド層）、４１３は第１導電型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ層（活性層）、４１４は第２導電型Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＡｓ層（クラッド層）、４１５は第２導電型ＧａＡｓ層（コンタクト層）である。ここで、少なくとも、ｙ＜ｘ、ｚとすることが望ましい。４１６は層間絶縁膜で、例えばＳｉＮ膜、４１７は第２導電側電極、４１８は第１導電側電極である。

図４１は、実施例２のＬＥＤ装置に於ける熱伝導の説明図である。
ＬＥＤ薄膜素子４１０は、第１導電側電極４１８と第２導電側電極４１７の間に電圧を印加して電流を流すことによって活性層４１３で発光する。裏面に出射した光は、金属層４０２に到達し、金属層４０２表面で反射し発光素子表側から光が取り出される。

発光動作に伴って発生した光は、高い熱伝導率を持つダイヤモンドライクカーボン層４０３に伝わり、更に金属層４０２へ伝わり、最終的に熱伝導率が高い金属基板４０１へ伝わって外部へ放熱される。図では、このような動作を模式的に描き、４２１−４２２が光の反射、４２５が熱の伝導を示している。

（効果）の説明
以上説明したように、第２の実施形態によれば、熱伝導率が高い金属基板の上に、光の反射率が高い金属層を設け、更にダイヤモンドライクカーボン層を設ける形態としたので、ＬＥＤ素子の裏面方向に出射した光は、反射率が高い金属層表面で反射し、表面から取り出すことができるため、実施例１の効果に加えて、発光効率が高い発光素子が得られるという効果を得る。

（変形例）の説明
実施例１における変形例と同様に、本実施例でもＬＥＤ薄膜と金属基板との間に、ダイヤモンドライクカーボン層に代えて、ダイヤモンド層を積層しもよい。更に、第２の金属層の表面を研磨、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）などによって仕上げた表面であってもよい。第１実施例の変形例同様、ダイヤモンドライクカーボン層に代えて、ダイヤモンド層やＳｉＣ層、あるいはＡｌＮ層、Ａｌ_２Ｏ_３層などにすることもできる。

本実施例では、実施例１および実施例２と異なり、ダイヤモンドライクカーボンの自立基板上に半導体薄膜をボンディングし、より一層放熱効果を向上させることを目的とする。

図４２は、実施例３の半導体装置の断面図である。
図に於いて、５０１はダイヤモンドライクカーボン基板である。５１０は半導体薄膜層である。ダイヤモンドライクカーボン基板上の表面については、実施例１で説明した表面状態と同等の平坦性を備えることが望ましい。すなわち、Ｒａ≦５ｎｍ、ＲＰＶ≦１０ｎｍ、より望ましくは、Ｒａ≦３ｎｍ、ＲＰＶ≦５ｎｍであることが望ましい。更に、Ｒｍａｘ≦１／１０００、であることが望ましい。

図４３は、実施例３のＬＥＤ素子の断面図である。
図は、実施例３の半導体薄膜層５１０の具体例であって、図に示すように、実施例３のＬＥＤ素子４５０は、実施例２のＬＥＤ薄膜素子４１０（図４０）をダイヤモンドライクカーボン基板５０１上にボンディングした構成なので、ＬＥＤ薄膜素子４１０の内容に関する説明は省略する。但し、本発明は、このような半導体層構造に限定されることはない。種々の変形、即ち、実施例１で例示した種々の半導体素子の形態に変更が可能である。

ＬＥＤ素子４５０は、ＬＥＤ素子４００（図４０）と同様の動作を示すが、発光素子が動作することによって発生する熱はダイヤモンドライクカーボン基板５０１に伝わる。ダイヤモンドライクカーボンの熱伝導率は高いため、効率的に外部に熱が放散することになる。

（効果）の説明
以上説明したように、本実施例によれば、ＬＥＤ薄膜層（半導体薄膜の一例）を直接ダイヤモンドライクカーボン基板に分子間力によってボンディングすることにより、格子定数が異なる半導体材料であっても結晶欠陥が発生することなく高品質を保ち、かつ高い熱伝導性を得ることができるという効果を得る。更に、主たる発熱領域と高熱伝導率の基板間の距離が短く、半導体薄膜と基板間には他の材料が介在していないので、熱伝導が極めて良好になる。その結果、素子の温度上昇を抑制することが出来るので、優れた素子特性を得ることが出来るという効果を得る。

（変形例）の説明
図４４は、実施例３のＬＥＤ素子の変形例の断面図である。
図に示すように、実施例３の変形例のＬＥＤ素子５５０は、実施例３のＬＥＤ素子４５０（図４３）に於いて、ダイヤモンドライクカーボン基板５０１（図４３）を導電性ダイヤモンドライクカーボン基板５０２で置換え、第１導電側電極５３８を、裏面に設けたメタルにより形成している。こうすることによって、上記実施例３の効果をより一層高めることが可能になる。ここで、ダイヤモンドライクカーボンに導電性を付与するためには、例えばグラファイト成分を増加させることによって導電率を高くすることが出来る。そのためにはグラファイト成分を高くする成膜条件を選択することになる。また、ダイヤモンドライクカーボン基板に代えて、ダイヤモンド基板とすることもできる。

本実施例では、実施例３で用いたダイヤモンドライクカーボン基板の表面を金属層で覆うことにより、横方向への熱伝導率を高めることを目的とする。

図４５は、実施例４の半導体装置の断面図である。
図に示すように実施例４の半導体装置６００は、ＬＥＤ薄膜層５１０と、ダイヤモンドライクカーボン基板５０１との間に金属層６０２が介在している点のみが、実施例３の半導体装置５００（図４２）と異なる。ここで、金属層６０２は、例えば、銅、銅を含む合金、アルミニウム、アルムニウム／ニッケル、亜鉛、ニッケル、白金、金、銀、金を含む合金、銀を含む合金、チタン、タンタル、パラジウム、イリジウム、タングステン、Ａｌを含む合金、ＡｕＧｅ／Ｎｉ、ＡｕＧｅＮｉ、及びＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの中から選択することができる。

図４６は、実施例４のＬＥＤ素子の断面図である。
図は、実施例４の半導体薄膜層５１０の具体例であって、図に示すように、実施例４のＬＥＤ素子６５０は、実施例３のＬＥＤ素子４５０（図３）のＬＥＤ薄膜素子４１０と、ダイヤモンドライクカーボン基板５０１との間に金属層４０２が積層されている。ＬＥＤ薄膜素子４１０の構成および電極の構成は、実施例３で説明した半導体エピタキシャル積層構造および電極構成と同等なので説明を省略する。

本実施例によるＬＥＤ素子６５０も実施例２で説明したＬＥＤ素子４００（図４０）と同様に動作する。但し、発光素子を含むＬＥＤ薄膜素子４１０の最下層の第１導電型ＧａＡｓ層４１１と金属層６０２とのコンタクトは、半導体薄膜の金属層と接合している半導体材料と金属層との組み合わせによってオーミック性のコンタクトを形成することが出来る。この場合には低抵抗のコンタクトを形成することが出来る。

発光素子が動作することによって発生する熱はコンタクトしている金属層６０２およびダイヤモンドライクカーボン基板５０１に伝わる。ダイヤモンドライクカーボンの熱伝導率は高いため、効率的に外部に熱が放散する。又ダイヤモンドライクカーボン基板５０１表面に金属層６０２が設けられているので、横方向への熱の伝導性が向上し、より効率的に熱を外部へ放散することが可能になる。

（効果）の説明
以上説明したように、本実施例によれば、ダイヤモンドライクカーボン基板の上に金属層を設け、少なくとも半導体薄膜が該金属層と密着する構造としたので、上記第１から第３の実施形態の効果に加えて、半導体薄膜から金属層への熱伝導が効率的になるという効果を得る。更に、金属層と、その金属層と接合する半導体層との組み合わせを低抵抗のコンタクト抵抗が得られる組み合わせとすれば半導体薄膜との間で低抵抗のコンタクトを形成することが出来る。

（変形例）の説明
図４７は、実施例４のＬＥＤ素子の変形例の断面図である。
図に示すように、実施例４の変形例のＬＥＤ素子６７０は、実施例４のＬＥＤ素子６５０（図４６）に於いて、ダイヤモンドライクカーボン基板５０１（図４６）を導電性ダイヤモンドライクカーボン基板５０２で置換え、第１導電側電極６０３を、裏面に設けた金属層により形成している。その結果、上記実施例４の効果をより一層向上させることが可能になる。ここで、ダイヤモンドライクカーボンに導電性を付与するためには、例えば作成法によって電気伝導度が変化する、窒素、シリコン、リン、金属などを不純物としてドーピングすることによって伝導度を向上させることが可能である。

本実施例では、実施例４の金属層６０２（図４５）の上に、更に、ダイヤモンドライクカーボン層を備え、熱伝導率を高めると同時に光の反射率を高めることを目的とする。

図４８は、実施例５の半導体装置の断面図である。
図に於いて、５０１はダイヤモンドライクカーボン基板、４０２は金属層、４０３はダイヤモンドライクカーボン層、５１０はＬＥＤ薄膜（半導体薄膜の一例）を示している。金属層４０２の表面の平坦性は実施例１と同等の平坦性が望ましい。すなわち、Ｒａ≦５ｎｍ、ＲＰＶ≦１０ｎｍ、Ｒｍａｘ≦１／１０００、であることが望ましい。ダイヤモンドライクカーボン層４０３の平坦性は第１実施例同様、Ｒａ≦５ｎｍ、ＲＰＶ≦１０ｎｍ、Ｒｍａｘ≦１／１０００、であることが望ましい。更に望ましくは、Ｒａ≦３ｎｍ、ＲＰＶ≦５ｎｍ、Ｒｍａｘ≦１／１０００、であることが望ましい。ＬＥＤ薄膜層５１０は、ダイヤモンドライクカーボン層４０３の上に分子間力によってボンディングされている。

図４９は、実施例５のＬＥＤ素子の断面図である。
図に示すように本実施例によるＬＥＤ素子７５０の積層構造は、実施例２で説明した実施例２のＬＥＤ素子４００（図４０）に於いて、金属基板４０１（図４０）がダイヤモンドライクカーボン基板５０１に置換えられただけであって他の部分は全てＬＥＤ素子４００（図４０）と同様なので、説明を省略する。

ダイヤモンドライクカーボン層４０３は、発光素子が動作する際に発生する熱を伝導する機能を果たすと同時にＬＥＤ薄膜層５１０をボンディングするためのボンディング界面制御層として機能する。金属層４０２は、発光素子からの光の反射層として働くと同時に横方向への熱伝導を促進する機能を果たす。したがって金属層４０２は例えば、最表面層として、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、などで構成される。メタル層は一層でなくともよい。例えば、下地をＣｕやＡｌ系の熱導電率が高いメタル材料とすることもできる。

（効果）の説明
以上説明したように、本実施例によれば、ダイヤモンドライクカーボン基板とＬＥＤ薄膜層との間に、メタル層／ダイヤモンドライクカーボン層の積層構造を備えるようにしたので、熱伝導を高めると同時に高い反射率を実現できるという効果を得る。また、ＬＥＤ薄膜層とダイヤモンドライクカーボン基板の界面はスムーズな界面が得られ、強いボンディング力が得られるという効果を得る。
尚、ダイヤモンドライクカーボン層に代えて、ダイヤモンド層、ＳｉＣ層、Ａｌ_２Ｏ_３層などとすることもできる。

本実施例では、基板としてＳｉＣ基板を用い、ＳｉＣ基板上に金属層とダイヤモンドライクカーボン層を積層することにより熱伝導率を高め、温度上昇の防止を図ることを目的とする。

図５０は、実施例６の半導体装置の断面図である。
図に於いて、９０１はＳｉＣ基板である。４０２は金属層である。４０３はダイヤモンドライクカーボン層である。５１０は、半導体薄膜層５１０の具体例で、ＬＥＤ素子の断面図である。

ＳｉＣ基板９０１は、例えば立方晶ＳｉＣ（３Ｃ−ＳｉＣ）である。必ずしも単結晶でなくてもよい。また、例えば、六方晶など他の結晶系が混在していてもよい。基板表面の平坦性は、少なくとも、Ｒａ≦５ｎｍ、ＲＰＶ≦１０ｎｍ、Ｒｍａｘ≦１／１０００、であることが望ましい。更に望ましくは、Ｒａ≦３ｎｍ、ＲＰＶ≦５ｎｍ、Ｒｍａｘ≦１／１０００、であることが望ましい。

金属層４０２は少なくとも、光波長３５０ｎｍから１５００ｎｍの間で、少なくとも１つの波長帯の光に対して、５０％以上の反射率を有する金属層で、例えば、銅、銅を含む合金、アルミニウム、アルムニウム／ニッケル、亜鉛、ニッケル、白金、金、銀、金を含む合金、銀を含む合金、チタン、タンタル、パラジウム、イリジウム、タングステンなどである。金属層４０２は単層でなくとも積層でもよい。積層の場合には最上層が反射率が高い金属層であることが望ましい。メタル層は例えばスパッタ法によって形成することができる。

ダイヤモンドライクカーボン層４０３は上記平坦性が得られるような層厚を適宜決めればよい。ダイヤモンドライクカーボン層は、実施例１と同様、例えば、プラズマＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタ法、あるいは、イオンプレーティング法などによって形成することができる。

図５１は、実施例６のＬＥＤ素子の断面図である。
図に示すように本実施例によるＬＥＤ素子８５０の積層構造は、実施例２で説明した実施例２のＬＥＤ素子４００（図４０）に於いて、金属基板４０１（図４０）がＳｉＣ基板９０１に置換えられただけであって他の部分は全てＬＥＤ素子４００（図４０）と同様なので、説明を省略する。

ＳｉＣ基板９０１は高熱伝導基板として作用する。ＳｉＣ基板９０１は銅と同等の熱伝導性を発揮する。金属層４０２は発光素子を備えた場合において裏面方向へ出射した光に対して高反射層として動作する。ダイヤモンドライクカーボン層４０３はＬＥＤ薄膜層５１０と金属層４０２とを分離する絶縁層かつ高熱伝導層として作用する。

（効果）の説明
以上説明したように、本実施例によれば、ＳｉＣ基板を備え、ＳｉＣ基板上に金属層とダイヤモンドライクカーボン層を備えた形態としたので、高熱伝導性による温度上昇の防止によって、特性向上、安定、および信頼性の向上が実現できるという効果を得る。また、金属層の高光反射による発光素子の特性向上に加えて、基板加工性の向上、耐薬品性の向上が実現できるという効果を得る。

本実施例では、実施例６の積層構造からダイヤモンドライクカーボン層を削除し、半導体素子の共通電極を基板側に設けることを可能にし、積層構造を単純化することを目的とする。

図５２は、実施例７の半導体装置（その１）の断面図である。
図５３は、実施例７の半導体装置（その２）の断面図である。
図５４は、実施例７の半導体装置（その３）の断面図である。
図５５は、実施例７の半導体装置（その４）の断面図である。
図に於いて、９０１はＳｉＣ基板である。４０２は金属層である。９０４は、金属膜である。５１０は、半導体薄膜層の具体例で、ＬＥＤ素子の断面図である。

ＬＥＤ薄膜層５１０（半導体薄膜の一例）は例えば分子間力に全面が金属層４０２またはＳｉＣ基板９０１と密着している。ＳｉＣ基板９０１は、高抵抗基板であっても導電性であってもよく、半導体薄膜が備える素子の動作設計によって適宜選択することができる。

金属層４０２は該金属層４０２が接するＬＥＤ薄膜層５１０（半導体薄膜の一例）とのコンタクト抵抗やメタル層表面の光反射率などの要求仕様によって適宜材料を選択することができる。例えば、低コンタクト抵抗が必要な場合には、Ｎｉ、Ｎｉ／Ａｌ、Ｐｄ、ＡｕＧｅ／Ｎｉ、ＡｕＧｅＮｉ、などのメタルを候補材料とすることができる。高反射率を所望する場合には、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔなどの材料を候補材料とすることができる。その他、上記実施例２で述べた金属材料層を適用してもよい。

金属層４０２とＬＥＤ薄膜層５１０（半導体薄膜の一例）とのコンタクト抵抗を低抵抗とする形態では、ＳｉＣ基板９０１を導電性の基板とすることによって、ＳｉＣ基板９０１が導通層として動作する。この場合には、図５３に示したようにＳｉＣ基板９０１の裏面に別の金属膜９０４を設けることによって基板裏面に半導体素子の共通電極を備えることができる。ＳｉＣ基板９０１をｐ型またはｎ型の低抵抗基板とし、図５４ないし図５５のようにメタル層を省略してＳｉＣ基板９０１に直接半導体薄膜をボンディングする形態としてもよい。

（効果）の説明
以上説明したように、本実施例によれば、ＳｉＣ基板を備え、ＬＥＤ薄膜（半導体薄膜の一例）をＳｉＣ基板上に設けた金属層表面またはＳｉＣ基板表面に半導体薄膜をボンディングする形態としたので、ＬＥＤ薄膜層（半導体薄膜の一例）が備える半導体素子の共通電極を基板側に設けることができるので、積層構造を単純化できるという効果を得る。

尚、上記、実施例１〜実施例７までの説明では、半導体薄膜が備える半導体素子の具体的な例として発光ダイオードを構成する半導体積層構造を取り上げて説明したが、本発明はこの例に限定されるものではない。他の、種々の半導体素子を構成する半導体積層構造であってもよい。また、半導体薄膜が備える半導体素子は１種類に制限されることはなく、複数種類の半導体素子が混在することもできる。また、素子数が限定されることもない。上記実施例の説明では、半導体材料として無機半導体材料をとりあげて説明したが、有機半導体材料を使った半導体薄膜素子を備えた場合であっても、素子の動作に伴う熱放散効果が得られる。

本実施例では、上記、実施例１から実施例７までに説明した発光素子を用いて発光素子アレイを構成する。以下に説明する構成では、発光素子を１次元的に配列し、基板上に該発光素子アレイを駆動する駆動回路を設けたことを特徴とする。

図５６は、実施例８の発光素子アレイの斜視図である。
図に於いて、１００１はＳｉＣ基板である。１００２は基板１００１上に形成された金属層である。１００３はダイヤモンドライクカーボン層である。ＳｉＣ基板１００１、金属層１００２、ダイヤモンドライクカーボン層１０２の形態等は、実施例で説明した形態と同等である。

１０２０は発光ダイオードである。一例として実施例５で説明したＬＥＤ薄膜素子４１０（図４９）と同等の半導体積層構造である。図ではわかりやすくするために電極と半導体層との間あるいは電極配線間のショート（第１導電側と第２導電側のショート）を防止するための層間絶縁膜を省略して描かれている。１０２７は第２導電側電極、１０２８は第１導電側電極で、実施例５で説明したＬＥＤ素子７５０の第２導電側電極４１７（図４９）、第１導電側電極４１８（図４９）と同等の構成、材料である。

１０３１、１０３２はそれぞれ第２導電側、第１導電側の配線である。１０３５は発光ダイオードを駆動するための駆動回路である。駆動回路１０３５は例えば、アモルファスＳｉ、ポリＳｉ、ＺｎＯ、などの無機材料を中心とした材料を使った薄膜トランジスタの集積回路、あるいは、有機材料を使った薄膜トランジスタの集積回路である。発光ダイオード１０２０と駆動回路１０３５は、配線１０３１、配線１０３２によって結線されている。

駆動回路１０３５への電源や信号の入力などの配線や外部回路との接続形態については省略している。発光ダイオードは１素子毎に分離されて描かれているが、素子分離の形態、駆動回路との接続、複数の発光ダイオードの一斉駆動方式形態や時分割駆動形態などの駆動方式については種々の変形が可能であり、適宜設計される。発光素子の数、ピッチ、サイズ、配列の形態（一直線、千鳥配置など）などについても種々の変形が可能である。駆動回路１０３５が担う駆動機能についても種々の設計が可能であり、本発明を何ら限定するものではない。

本実施例において、ＳｉＣ基板１００１、ダイヤモンドライクカーボン層１００３、金属層１００５は発光ダイオードアレイが点灯動作する際に発生する熱を効率的に伝導、放散するように作用する。金属層１００２は発光ダイオードから基板側に出射した光が前面方向（図面上Ｙ軸方向）に出射するように作用する。駆動回路１０３５は複数の発光ダイオードが所望の点灯動作をするように制御する。複数の発光ダイオードは、順次点灯する、あるいは一斉に点灯するなど外部からの駆動信号あるいは内部に設けた駆動プログラムなど、所望の設計にしたがった点灯動作を行う。

（効果）の説明
以上説明したように、本実施例によれば、ＳｉＣ基板の上に金属層を設け、更にその上にダイヤモンドライクカーボン層を設け、その上に複数の発光ダイオードの配列とその複数の発光ダイオードを駆動する駆動回路を設けた形態としたので、放熱性に優れ、高い特性と信頼性を備えたコンパクトな発光ダイオードアレイを提供することができるという効果を得る。

（変形例）の説明
図５７は、実施例８の発光素子アレイの変形例（その１）の斜視図である。
図５８は、実施例８の発光素子アレイの変形例（その２）の斜視図である。
図５９は、実施例８の発光素子アレイの変形例（その３）の斜視図である。
図６０は、実施例８の発光素子アレイの変形例（その４）の斜視図である。
図６１は、実施例８の発光素子アレイの変形例（その５）の斜視図である。
図６２は、実施例８の発光素子アレイの変形例（その６）の斜視図である。

図５７に示すようにＳｉＣ基板１００１に代えて金属基板１００４を設けることもできる。図５７で金属層１００５を省略することも出来る。図５８は、別の変形例で、ＳｉＣ基板に代えてダイヤモンドライクカーボン基板１００６とすることもできる。図５９、図６０に示すように、ダイヤモンドライクカーボン基板の上面、裏面に金属層１００５、金属層１００７を設けても良い。更に、図６１に示すように、導電性のＳｉＣ基板、あるいは導電性のダイヤモンドライクカーボン基板１００８に発光ダイオードをボンディングし、基板の裏面に金属層１００７を設けた形態であってもよい。更に、ダイヤモンドライクカーボン層あるいはダイヤモンドライクカーボン基板に代えて、ダイヤモンド層、またはダイヤモンド基板としてもよい。上記実施例の説明では１次元の発光素子の配列について説明したが、図６２に示すように発光素子の２次元の配列であってもよい。尚。図６２で１０３７は第２導電側の配線、１０３８は第１導電側の配線である。

本実施例では、実施例１から実施例８までと異なり、基板を窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で被覆し、その上に半導体素子を備えることにより製造工程の省力化を図ることを目的とする。

図６３は、実施例９の半導体装置の斜視図である。
図に於いて、１１０１は基板で、例えば金属基板、ダイヤモンドライクカーボン基板、ＳｉＣ基板などである。金属基板の場合、実施例１で述べた具体的な材料を適用することができる。基板表面の条件は実施形態で述べた表面の粗さ、平坦性の条件と同等にすることができる。１１０２はＡｌＮ層である。ＡｌＮ層は単結晶、多結晶、アモルファル、いずれの形態であってもよい。

ＡｌＮは例えばスパッタ法、熱ＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ＯＭＣＶＤ法（有機金属化学蒸着法）ＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）などの方法で形成することができる。ＡｌＮ層は成膜した状態（アズデポ状態）であってもよい。また、表面を研磨あるいはＣＭＰ処理などの方法によって表面処理を行うこともできる。ＡｌＮの表面粗さは、好ましくは、Ｒａ≦３ｎｍ、ＲＰＶ≦３ｎｍ、Ｒｍａｘ≦１／１０００、であることが望ましい。１１１０は半導体素子を備えた半導体薄膜である。半導体薄膜１１１０は、接着剤などを使わずに分子間力によって、ＡｌＮ表面に接合（ボンディングされている）。半導体薄膜が備える半導体素子は、前出の実施例と同様、発光素子、センサー、トランジスタ回路、など種々の半導体素子であってよい。

図６４は、実施例９のＬＥＤ素子の断面図である。
図は、実施例３の半導体薄膜層４１０の具体例であって、発光ダイオードを備えた、実施例２で説明したＬＥＤ薄膜素子４１０（図４０）を、基板１１０１／ＡｌＮ層１１０２上にボンディングした形態例を示している。

本実施例のポイントであるＡｌＮは、熱伝導層として機能する。また、ボンディングのための平坦下地層として機能する。半導体素子から効率的にＡｌＮに熱が伝わり、更に下の基板に熱が効率的に伝導することになる。

（効果）の説明
以上説明したように、本実施例によれば、基板１１０１上をＡｌＮ層１１０２としたので、実施例１〜８の効果に加えて、以下の効果を得る。
ＡｌＮ層、特に、スパッタ法などによる多結晶状態、あるいはアモルファス状態のＡｌＮは加工が容易であるので、製造工程を省力化することができるという効果を得る。更に、研磨やＣＭＰのような、機械的あるいはメカノケミカルな表面処理が、例えば、ダイヤモンド材料よりも容易に行うことができるという効果を得る。

（変形例）の説明
図６５は、実施例９の他の形態のＬＥＤ素子の断面図である。
図６６は、実施例９のＬＥＤ素子を用いた発光素子アレイの斜視図（その１）である。
図６７は、実施例９のＬＥＤ素子を用いた発光素子アレイの斜視図（その２）である。

以下に、上記、実施例１から実施例８で述べた種々の変形を適用し例について説明する。図６５はＡｌＮ層と基板との間に第２の金属層１１０３を設けた形態を示している。第２の金属層１１０３の具体例は、実施例２で述べた具体例と同様な材料を適用することができる。図６６は発光素子を１列に配置した例である。図６６で１０２０は、発光ダイオード（半導体薄膜）である。１０３５は、発光ダイオードを点灯制御するための駆動回路である。１１２７は、発光ダイオードと駆動回路を接続するための接続配線である。図６７は、発光素子を２次元に配列した例である。図に於いて１０２０は発光ダイオードである。１０３７は、第１導電側電極１０２７と接続された第１導電側配線である。１０３８は、第２導電側電極１０２８と接続された第１導電側配線である。

本実施例では、上記実施例１から実施例９までに説明した半導体装置としてのＬＥＤ素子を用いてＬＥＤヘッドを構成する。

図６８は、本発明のＬＥＤヘッドの断面図である。
図６９は、ＬＥＤユニットの平面図である。
図に示すように、ベース部材１２０１上には、ＬＥＤユニット１２０２が搭載されている。このＬＥＤユニット１２０２は、実施例１から実施例９までに説明した何れかの半導体装置としてのＬＥＤ素子が実装基板上に搭載されたものである。

図に示すように、実装基板１２０２ｅ上には、発光部と駆動部を複合した半導体複合装置が、発光部ユニット１２０２ａとして長手方向に沿って複数配設されている。実装基板１２０２ｅ上には、その他に、電子部品が配置されて配線が形成されている電子部品実装エリア１２０２ｂ、１２０２ｃ、及び外部から制御信号や電源などを供給するためのコネクタ１２０２ｄ等が設けられている。

発光部ユニット１２０２ａの発光部の上方には、発光部から出射された光を集光する光学素子としてのロッドレンズアレイ１２０３が配設されている。このロッドレンズアレイ１２０３は、柱状の光学レンズを発光部ユニット１２０２ａの直線状に配列された発光部に沿って多数配列したもので、光学素子ホルダに相当するレンズホルダ１２０４によって所定位置に保持されている。

このレンズホルダ１２０４は、図に示すように、ベース部材１２０１及びＬＥＤユニット１２０２を覆うように形成されている。そして、ベース部材１２０１、ＬＥＤユニット１２０２、及びレンズホルダ１２０４は、ベース部材１２０１及びレンズホルダ１２０４に形成された開口部１２０１ａ、１２０４ａを介して配設されるクランパ１２０５によって一体的に保持されている。従って、ＬＥＤユニット１２０２で発生した光はロッドレンズアレイ１２０３を通して所定の外部部材に照射される。このＬＥＤプリントヘッド１２００は、例えば電子写真プリンタや電子写真コピー装置等の露光装置として用いられる。

（効果）の説明
以上のように、本実施例の形態のＬＥＤヘッドによれば、ＬＥＤユニット１２０２として、上記した実施例１から実施例９までに説明した半導体複合装置の何れかが使用されるため、高品質で信頼性の高いＬＥＤヘッドを提供することができる。

本実施例では、実施例８、実施例９で説明した半導体装置としてのＬＥＤアレイを用いてＬＥＤヘッドを構成する。
図７０は、実施例１１のＬＥＤヘッドの断面図である。
図７１は、実施例１１のＬＥＤヘッドの斜視図である。

図に示すように、１００４は、金属基板、１００３は、ダイヤモンドライクカーボン、１０２０は、ダイヤモンドライクカーボン上にボンディングしたＬＥＤ薄膜、１０３５は、金属基板上に設けられたＬＥＤを駆動するための回路群である。１２０３は、ロッドレンズアレイ、１２０４は、レンズホルダである。ＬＥＤヘッドの幅の基板１００４上に印刷幅分のＬＥＤ薄膜１０２０がボンディングされている。

ここで示したＬＥＤユニットは、図５７で金属層１００５を省略した形態であるが、実施例８、実施例９で説明したような種々の変更が可能である。又、基板１００４の下に１００４に接して更に金属基板などの放熱、支持のための基板を追加しても良い。

(効果)の説明
以上説明したように、本実施例の形態のＬＥＤヘッドによれば、実施例８、実施例９で説明した半導体複合装置のいずれかをＬＥＤユニットとするので、チップを別の実装基板上に実装する必要がなくなる。そして、放熱性が高い、高品質で信頼性が高いＬＥＤヘッドを提供できるという効果を得る。

本実施例では、実施例１０、または実施例１１で構成したＬＥＤヘッドを用いて構成した画像形成装置について説明する。

図７２は、本発明の画像形成装置の要部断面図である。
図に示すように、画像形成装置１３００内には、イエロー、マゼンダ、シアン、ブラックの各色の画像を、各々に形成する四つのプロセスユニット１３０１〜１３０４が記録媒体１３０５の搬送経路１３２０に沿ってその上流側から順に配置されている。これらのプロセスユニット１３０１〜１３０４の内部構成は共通しているため、例えばシアンのプロセスユニット１３０３を例にとり、これらの内部構成を説明する。

プロセスユニット１３０３には、像担持体として感光体ドラム１３０３ａが矢印方向に回転可能に配置され、この感光体ドラム１３０３ａの周囲にはその回転方向上流側から順に、感光体ドラム１３０３ａの表面に電気供給して帯電させる帯電装置１３０３ｂ、帯電された感光体ドラム１３０３ａの表面に選択的に光を照射して静電潜像を形成する露光装置１３０３ｃが配設される。更に、静電潜像が形成された感光体ドラム１３０３ａの表面に、所定色（シアン）のトナーを付着させて顕像を発生させる現像装置１３０３ｄ、及び感光体ドラム１３０３ａの表面に残留したトナーを除去するクリーニング装置１３０３ｅが配設される。尚、これら各装置に用いられているドラム又はローラは、図示しない駆動源及びギアによって回転させられる。

また、画像形成装置１３００は、その下部に、紙等の記録媒体１３０５を堆積した状態で収納する用紙カセット１３０６を装着し、その上方には記録媒体１３０５を１枚ずつ分離させて搬送するためのホッピングローラ１３０７を配設している。更に、記録媒体１３０５の搬送方向における、このホッピングローラ１３０７の下流側には、ピンチローラ１３０８、１３０９と共に記録媒体１３０５を狭持することによって、記録媒体１３０５の斜行を修正し、プロセスユニット１３０１〜１３０４に搬送するレジストローラ１３１０、１３１１が配設されている。これ等のホッピングローラ１３０７及びレジストローラ１３１０、１３１１は、図示しない駆動源及びギアによって連動回転する。

プロセスユニット１３０１〜１３０４の各感光体ドラムに対向する位置には、それぞれ半導電性のゴム等によって形成された転写ローラ１３１２が配設されている。そして、感光体ドラム１３０１ａ〜１３０４ａ上のトナーを記録媒体１３０５に付着させるために、感光体ドラム１３０１ａ〜１３０４ａの表面とこれらの各転写ローラ１３１２の表面との間に所定の電位差が生じるように構成されている。

定着装置１３１３は、加熱ローラとバックアップローラとを有し、記録媒体１３０５上に転写されたトナーを加圧、加熱することによって定着させる。また、排出ローラ１３１４、１３１５は、定着装置１３１３から排出された記録媒体１３０５を、排出部のピンチローラ１３１６、１３１７と共に挟持し、記録媒体スタッカ部１３１８に搬送する。尚、排出ローラ１３１４、１３１５は、図示されない駆動源及びギアによって連動回転する。ここで使用される露光装置１３０３ｃとしては、実施例１０で説明したＬＥＤプリントヘッド１２００が用いられる。

次に、上記構成の画像形成装置の動作について説明する。
まず、用紙カセット１３０６に堆積した状態で収納されている記録媒体１３０５がホッピングローラ１３０７によって、上から１枚ずつ分離されて搬送される。続いて、この記録媒体１３０５は、レジストローラ１３１０、１３１１及びピンチローラ１３０８、１３０９に挟持されて、プロセスユニット１３０１の感光体ドラム１３０１ａ及び転写ローラ１３１２へ搬送される。その後、記録媒体１３０５は、感光体ドラム１３０１ａ及び転写ローラ１３１２に挟持され、その記録画面にトナー画像が転写されると同時に感光体ドラム１３０１ａの回転によって搬送される。

同様にして、記録媒体１３０５は、順次プロセスユニット１３０２〜１３０４を通過し、その通過過程で、各露光装置１３０１ｃ〜１３０４ｃにより形成された静電潜像は、現像装置１３０１ｄ〜１３０４ｄによって現像され、各色のトナー像がその記録画面に順次転写され重ね合わせられる。そして、その記録面上に各色のトナー像が重ね合わせられた後、定着装置１３１３によってトナー像が定着された記録媒体１３０５は、排出ローラ１３１４、１３１５及びピンチローラ１３１６、１３１７に挟持され、画像形成装置１３００の外部の記録媒体スタッカ部１３１８に排出される。以上の過程を経て、カラー画像が記録媒体１３０５上に形成される。

次に、以上説明した本発明の画像形成装置の露光制御系統について説明する。
図７３は、本発明の画像形成装置の露光制御系統ブロック図である。
図に於いて、画像入力部８は、外部装置（例えば、ＤＶＤプレーヤーなどの動画再生装置）から画像信号を受け入れる部分である。
制御部５は、画像入力部８から入力された画像信号をＬＥＤアレイパネル１０で形成可能な形式に変換し、制御信号とともに出力する画像制御部６と、画像信号を記憶する記憶部７とからなる。

ＬＥＤアレイパネル１０は、画像制御部６により変換された画像信号を用いて被駆動素子であるＬＥＤを駆動する駆動部１２と、駆動部１３と、薄膜状に形成されたＬＥＤを多数配列させた薄膜ＬＥＤアレイ群１１とを含む。

駆動部１２（アノードドライバ）は、画像制御部６から入力された画像信号に応じて接続された薄膜ＬＥＤアレイ群１１に備えられた各ＬＥＤに電流を供給する部分であり、例えば、シフトレジスタ回路、ラッチ回路、定電流回路、増幅回路などで構成される。

駆動部１３（カソードドライバ）は、画像制御部６から入力された制御信号に応じて、接続された薄膜ＬＥＤアレイ群１１に備えられている各ＬＥＤを走査する部分であり、選択回路などで構成される。以上説明した制御系統によって本発明による画像形成装置は露光制御され、外部装置から受け入れた画像信号に基づいて印刷画像を出力する。

以上説明したように、本実施例の画像形成装置によれば、実施例１０または実施例１１で説明したＬＥＤプリントヘッドを採用するため、高品質で、信頼性の高い画像形成装置を提供することができる。

実施例の説明では、本発明をＬＥＤ素子に適用した場合について説明したが、本発明はこの例に限定されるものではない。即ち、基板上に半導体薄膜を接合するあらゆる種類の半導体装置に適用可能である。

実施例１の半導体装置の斜視図である。 実施例１の半導体装置の断面図である。 実施例１のＬＥＤ素子の断面図である。 実施例１のＬＥＤ素子の製法説明図（その１）である。 実施例１のＬＥＤ素子の製法説明図（その２）である。 実施例１のＬＥＤ素子の製法説明図（その３）である。 実施例１のＬＥＤ素子の製法説明図（その４）である。 実施例１のＬＥＤ素子の製法説明図（その５）である。 実施例１のＬＥＤ素子の製法説明図（その６）である。 実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の断面図である。 実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の製法説明図（その１）である。 実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の製法説明図（その２）である。 実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の製法説明図（その３）である。 実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の製法説明図（その４）である。 実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の製法説明図（その５）である。 実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の製法説明図（その６）である。 実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の製法説明図（その７）である。 実施例１の他の形態［１］のＬＥＤ素子の製法説明図（その８）である。 実施例１の他の形態［２］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。 実施例１の他の形態［３］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。 実施例１の他の形態［２］のＬＥＤ薄膜層の製法説明図（その１）である。 実施例１の他の形態［２］のＬＥＤ薄膜層の製法説明図（その２）である。 実施例１の他の形態［２］のＬＥＤ薄膜層の製法説明図（その３）である。 実施例１の他の形態［３］のＬＥＤ薄膜層の製法説明図（その１）である。 実施例１の他の形態［３］のＬＥＤ薄膜層の製法説明図（その２）である。 実施例１の他の形態［３］のＬＥＤ薄膜層の製法説明図（その３）である。 実施例１の他の形態［４］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。 実施例１の他の形態［４］のＬＥＤ薄膜層の製法説明図である。 実施例１の他の形態［５］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。 実施例１の他の形態［６］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。 実施例１の他の形態［７］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。 実施例１の他の形態［８］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。 実施例１の他の形態［９］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。 実施例１の他の形態［１０］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。 実施例１の他の形態［１１］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。 実施例１の他の形態［１２］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。 実施例１の他の形態［１３］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。 実施例１の他の形態［１４］のＬＥＤ薄膜層の断面図である。 実施例２のＬＥＤ装置の平面図である。 図３９のＡ−Ａ断面拡大矢視図である。 実施例２のＬＥＤ装置に於ける熱伝導の説明図である。 実施例３の半導体装置の断面図である。 実施例３のＬＥＤ素子の断面図である。 実施例３のＬＥＤ素子の変形例の断面図である。 実施例４の半導体装置の断面図である。 実施例４のＬＥＤ素子の断面図である。 実施例４のＬＥＤ素子の変形例の断面図である。 実施例５の半導体装置の断面図である。 実施例５のＬＥＤ素子の断面図である。 実施例６の半導体装置の断面図である。 実施例６のＬＥＤ素子の断面図である。 実施例７の半導体装置（その１）の断面図である。 実施例７の半導体装置（その２）の断面図である。 実施例７の半導体装置（その３）の断面図である。 実施例７の半導体装置（その４）の断面図である。 実施例８の発光素子アレイの斜視図である。 実施例８の発光素子アレイの変形例（その１）の斜視図である。 実施例８の発光素子アレイの変形例（その２）の斜視図である。 実施例８の発光素子アレイの変形例（その３）の斜視図である。 実施例８の発光素子アレイの変形例（その４）の斜視図である。 実施例８の発光素子アレイの変形例（その５）の斜視図である。 実施例８の発光素子アレイの変形例（その６）の斜視図である。 実施例９の半導体装置の斜視図である。 実施例９のＬＥＤ素子の断面図である。 実施例９の他の形態のＬＥＤ素子の断面図である。 実施例９のＬＥＤ素子を用いた発光素子アレイの斜視図（その１）である。 実施例９のＬＥＤ素子を用いた発光素子アレイの斜視図（その２）である。 本発明のＬＥＤヘッドの断面図である。 ＬＥＤユニットの平面図である。 実施例１１のＬＥＤヘッドの断面図である。 実施例１１のＬＥＤヘッドの斜視図である。 本発明の画像形成装置の要部断面図である。 本発明の画像形成装置の露光制御系統ブロック図である。

符号の説明

１００ 半導体装置
１０１ 金属基板
１０２ 表面コーティング層
１０２ａ ダイヤモンドライクカーボン層
１０３ 半導体薄膜層

Claims (65)

1. 基板と、該基板上に積層される半導体素子を含む半導体薄膜層とを備える半導体装置であって、
   前記基板と、前記半導体薄膜層との間にダイヤモンドライクカーボン層を備えることを特徴とする半導体装置。
2. 前記基板は金属製であること、または、前記基板と前記ダイヤモンドライクカーボン層との間に、更に、金属層を備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 前記金属層は、
   光波長４００ｎｍから１５００ｎｍの間で、少なくとも１つの波長帯の光に対して、５０％以上の反射率を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記金属層の表面は、
   銅、銅を含む合金、アルミニウム、アルムニウム／ニッケル、亜鉛、ニッケル、白金、金、銀、金を含む合金、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ、銀を含む合金、チタン、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、タンタル、パラジウム、イリジウム、及び、タングステンのいずれかであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
5. 前記基板は、
   銅、アルミ、真鍮（銅と亜鉛の合金）、亜鉛、タングステン、ニッケル、青銅（銅と錫の合金）、及びモリブデンのいずれかの金属製であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
6. 前記ダイヤモンドライクカーボン層の最表面の平均粗さは、
   ５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
7. 前記ダイヤモンドライクカーボン層の層厚は、
   １μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
8. 前記半導体薄膜層と前記ダイヤモンドライクカーボン層とは直接接合されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
9. 前記半導体素子層は、
   無機半導体材料製であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
10. 前記半導体薄膜層は、
    発光素子を含んでいることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
11. 前記発光体素子は、
    発光ダイオードであることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
12. 前記基板上に複数の発光ダイオードを含んでいることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
13. 前記複数の発光ダイオードは、
    １次元に配列された発光ダイオードアレイであることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
14. 前記複数の発光ダイオードは、
    ２次元に配列された発光ダイオードアレイであることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
15. 前記基板上に、前記半導体素子を駆動する駆動回路を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
16. 自立するダイヤモンドライクカーボン基板、及び、半導体素子を含み前記自立するダイヤモンドライクカーボン基板上に積層される半導体薄膜層とを備えることを特徴とする半導体装置。
17. 前記自立するダイヤモンドライクカーボン基板と、前記半導体薄膜層との間に金属層を備えていることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
18. 前記金属層は、前記半導体薄膜層と直接接合し、前記金属層と前記半導体薄膜層とのコンタクトは、オーミックコンタクトであることを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置。
19. 前記金属層は、
    光波長４００ｎｍから１５００ｎｍの間で、少なくとも１つの波長帯の光に対して、５０％以上の反射率を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
20. 前記金属層は、
    銅、銅を含む合金、アルミニウム、アルムニウム／ニッケル、亜鉛、ニッケル、白金、金、銀、金を含む合金、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ、銀を含む合金、チタン、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、タンタル、パラジウム、イリジウム、及び、タングステンのいずれかひとつまたは複数の材料を含むことを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置。
21. 前記自立ダイヤモンドライクカーボン基板と前記半導体薄膜の間にダイヤモンドライクカーボン層を備えていることを特徴とする請求項１６記載の半導体装置。
22. 前記ダイヤモンドライクカーボン基板と前記ダイヤモンドライクカーボン層の間に金属層を備えていることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置。
23. 前記金属層は、
    光波長４００ｎｍから１５００ｎｍの間で、少なくとも１つの波長帯の光に対して、５０％以上の反射率を有することを特徴とする請求項２２に記載の半導体装置。
24. 前記金属層は、
    銅、銅を含む合金、アルミニウム、アルムニウム／ニッケル、亜鉛、ニッケル、白金、金、銀、金を含む合金、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ、銀を含む合金、チタン、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、タンタル、パラジウム、イリジウム、及び、タングステンのいずれかの材料であることを特徴とする請求項２２に記載の半導体装置。
25. 前記ダイヤモンドライクカーボン層の平均表面粗さは、
    ５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２１に記載の半導体装置。
26. 前記ダイヤモンドライクカーボン層の厚さは、
    １μｍ以下であることを特徴とする請求項２１に記載の半導体装置。
27. 前記ダイヤモンドライクカーボン層の平均表面粗さは、
    ５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２１に記載の半導体装置。
28. 前記半導体薄膜の材料は、
    無機半導体材料であることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
29. 前記半導体薄膜が含む半導体素子は、
    発光素子であることを特徴とする請求項２８に記載の半導体装置。
30. 前記半導体薄膜が含む半導体素子は発光ダイオードであることを特徴とする請求項２８記載の半導体装置。
31. 前記ダイヤモンドライクカーボン基板上に、複数の発光ダイオードを備えていることを特徴とする請求項３０に記載の半導体装置。
32. 前記複数の発光ダイオードは、
    １次元に配列された発光ダイオードアレイであることを特徴とする請求項３１に記載の半導体装置。
33. 前記複数の発光ダイオードは、
    ２次元に配列された発光ダイオードアレイであることを特徴とする請求項３１に記載の半導体装置。
34. 前記ダイヤモンドライクカーボン基板上に、前記半導体素子を駆動する駆動回路を備えることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
35. 自立するＳｉＣ基板、及び、半導体素子を含み前記基板上に積層される半導体薄膜層とを備えることを特徴とする半導体装置。
36. 前記ＳｉＣ基板と、
    前記半導体薄膜の間に金属層を備えることを特徴とする請求項３５に記載の半導体装置。
37. 前記金属層は、前記半導体薄膜層と直接接合しており、前記金属層と前記半導体薄膜層のコンタクトはオーミックコンタクトであることを特徴とする請求項３６に記載の半導体装置。
38. 前記金属層は、
    光波長４００ｎｍから１５００ｎｍの間で、少なくとも１つの波長帯の光に対して、５０％以上の反射率を有することを特徴とする請求項３６に記載の半導体装置。
39. 前記金属層は、
    銅、銅を含む合金、アルミニウム、アルムニウム／ニッケル、亜鉛、ニッケル、白金、金、銀、金を含む合金、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ、銀を含む合金、チタン、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、タンタル、パラジウム、イリジウム、及び、タングステンのうち少なくともひとつの材料を含むことを特徴とする請求項３６に記載の半導体装置。
40. 前記ＳｉＣ基板と前記半導体薄膜との間に、
    ダイヤモンドライクカーボン層を備えることを特徴とする請求項３５に記載の半導体装置。
41. 前記ＳｉＣ基板と前記ダイヤモンドライクカーボン層の間に、
    金属層を備えることを特徴とする請求項４０に記載の半導体装置。
42. 前記金属層は、
    光波長４００ｎｍから１５００ｎｍの間で、少なくとも１つの波長帯の光に対して、５０％以上の反射率を有することを特徴とする請求項４１に記載の半導体装置。
43. 前記金属層は、
    銅、銅を含む合金、アルミニウム、アルムニウム／ニッケル、亜鉛、ニッケル、白金、金、銀、金を含む合金、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ、銀を含む合金、チタン、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、タンタル、パラジウム、イリジウム、及び、タングステンのいずれかの材料であることを特徴とする請求項４１に記載の半導体装置。
44. 前記ダイヤモンドライクカーボン層の平均表面粗さは、
    ５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２１に記載の半導体装置。
45. 前記ダイヤモンドライクカーボン層の厚さは、
    １μｍ以下であることを特徴とする請求項４０に記載の半導体装置。
46. 前記ダイヤモンドライクカーボン層の平均表面粗さは、
    ５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項４０に記載の半導体装置。
47. 前記半導体薄膜の材料は、
    無機半導体材料であることを特徴とする請求項３５に記載の半導体装置。
48. 前記半導体薄膜が含む半導体素子は、
    発光素子であることを特徴とする請求項４７に記載の半導体装置。
49. 前記半導体薄膜が含む半導体素子は、
    発光ダイオードであることを特徴とする請求項４７に記載の半導体装置。
50. 前記ＳｉＣ基板上に複数の発光ダイオードを備えている、
    ことを特徴とする請求項４９記載の半導体装置。
51. 前記複数の発光ダイオードは、
    １次元に配列された発光ダイオードアレイであることを特徴とする請求項５０に記載の半導体装置。
52. 前記複数の発光ダイオードは、
    ２次元に配列された発光ダイオードアレイであることを特徴とする請求項５０に記載の半導体装置。
53. 前記ＳｉＣ基板上に、
    前記半導体素子を駆動する駆動回路を備えることを特徴とする請求項３５に記載の半導体装置。
54. 基板、及び、半導体素子を含み前記基板上に積層される半導体薄膜層とを備える半導体装置であって、
    前記基板と、前記半導体薄膜層との間にＡｌＮ層を備えることを特徴とする半導体装置。
55. 基板、及び、半導体素子を含み前記基板上に積層される半導体薄膜層とを備える半導体装置であって、
    前記基板と、前記半導体薄膜層との間に薄膜層を備え、
    前記薄膜層の最上層の表面は、
    機械的な研磨、または化学的処理、または研磨と化学的処理によって処理された面であることを特徴とする半導体装置。
56. 前記ダイヤモンドライクカーボン層に代えて、
    ダイヤモンド層を備えることを特徴とする、請求項１または請求項４０に記載の半導体装置。
57. 前記ダイヤモンドライクカーボン基板に代えて、
    ダイヤモンド基板を備えることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
58. 前記半導体素子がセンサーを含むことを特徴とする、請求項９、請求項２８、請求項４７に記載の半導体装置。
59. 前記半導体素子が電子素子を含むことを特徴とする、請求項９、請求項２８、請求項４７に記載の半導体装置。
60. 基板と、半導体素子を含み前記基板上に積層される半導体薄膜層と、前記基板と、前記半導体薄膜層との間に薄膜層を備える半導体装置の製造方法であって、
    前記薄膜層の最上層の表面は、
    機械的な研磨、または化学的処理、または研磨と化学的処理によって処理されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
61. 請求項１から請求項５７までの何れか一項に記載の半導体装置を備えることを特徴とするＬＥＤヘッド。
62. 請求項５８から請求項６０までの何れか一項に記載の半導体装置の製造方法に基づいて製造された半導体装置を備えることを特徴とするＬＥＤヘッド。
63. 前記基板が印刷幅にわたり一体であることを特徴とする、請求項１５、請求項３４、請求項５３、請求項５４に記載の半導体装置。
64. 請求項６３に記載の半導体装置を備えることを特徴とするＬＥＤヘッド。
65. 請求項６１、または請求項６２、または請求項６４に記載のＬＥＤヘッドを備えることを特徴とする画像形成装置。

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