JP7424038B2 - 発光装置、および、プロジェクター - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置、および、当該発光装置を備えたプロジェクターに関する。
半導体レーザーは、高輝度の次世代光源として期待されている。特に、ナノコラム、ナノワイヤー、ナノロッド、ナノピラーなどと呼ばれるナノ構造を有する半導体レーザーは、フォトニック結晶の効果によって、狭放射角で高出力の発光が得られる発光装置が実現できると期待されている。
特許文献１には、複数のナノコラムを有する半導体発光素子が開示されている。当該文献（図３）では、一定のピッチで林立するナノコラム上に、蒸着法を用いて透明電極を形成している。柱状のナノコラムの側面には絶縁膜が形成されており、平坦な頂部はｐ型ＧａＮ層が露出しており、当該頂部を覆うように透明電極が形成されている。透明電極は、林立するナノコラムを覆って形成されるため、隣り合うナノコラムの間隙部分では、隙間への入り込みが生じ、その表面は凹凸に波打っている。
特開２００９－１５２４７４号公報
しかしながら、特許文献１の技術では、透明電極と複数のナノコラムとの間で、安定した電気的接続を取ることは困難であるという課題があった。実際のナノコラムの頂部は、曲面を持ったドーム状か、緩やかなテーパーを持った錐状であるため、頂部が平坦な場合と比べて、酸化膜からなる透明電極の密着性が良くなかった。また、透明電極がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）である場合、ｐ型ＧａＮ層との間で、電流が流れにくいという課題もあった。詳しくは、仕事関数が約６．７ｅＶのｐ型ＧａＮ層と、約４．３ｅＶのＩＴＯとでは、両者の界面におけるエネルギー障壁が大きいため、ホール輸送による電流が流れ難かった。つまり、安定した電気的接続を確保した発光装置、および、信頼性の高いプロジェクターを提供することを課題とする。
本願に係る発光装置は、基体と、前記基体上に設けられ、複数の柱状部を含む積層体と、前記積層体において前記基体とは反対側に設けられている電極と、を有し、前記柱状部は、第１半導体層、前記第１半導体層と導電型の異なる第２半導体層、および、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に位置する発光層、を有し、前記電極は、前記複数の柱状部における前記第２半導体層と接続し、前記第２半導体層より仕事関数の小さい材料から成る第１電極層と、前記第１電極層と接続し、前記第１電極層よりも仕事関数の小さい第２電極層と、を含み、前記第１電極層と前記第２電極層との界面は、凹凸形状を有する。
実施形態１に係る発光装置の平面図。 発光装置の断面図。 図２におけるｇ部の拡大図。 金属と半導体との接触前後におけるバンドダイヤグラム図。 発光装置の製造方法を示すフローチャート図。 製造工程における製品態様を示す過程図。 製造工程における製品態様を示す過程図。 製造工程における製品態様を示す過程図。 実施形態２に係るプロジェクターの概略構成図。
実施形態１
＊＊＊発光装置の概要＊＊＊
図１は、本実施形態に係る発光装置の平面図である。図２は、図１のｆ－ｆ断面における発光装置の断面図である。まず、図１、および図２を用いて、本実施形態の発光装置１００の概要について説明する。発光装置１００は、半導体内で電子と正孔とを結合させて発光させる微細な柱状結晶構造体であるナノコラムを複数備えた半導体レーザー光源である。なお、実際に光源として用いる際には、複数の発光装置１００を規則的に配列させた集合体の面光源として用いることが多い。
図１において、発光領域５を中心として、ｎ電極端子２４の方向を＋Ｘ方向、ｐ電極端子３９の方向を＋Ｙ方向として説明する。＋Ｘ方向のことを右方向、－Ｘ方向のことを左方向ともいう。図２において、基体１０の上の積層方向を＋Ｚ方向とする。＋Ｚ方向のことを上方向ともいう。
図２に示すように、発光装置１００は、基体１０上に、複数の柱状部２０を含む積層体３０を備えた構成となっている。
基体１０は、基板であり、好適例としてＳｉ基板を用いている。なお、Ｓｉ基板に限定するものではなく、ＧａＮ基板、サファイア基板、ガラス基板などを用いても良い。
基体１０の表面には、バッファー層１１が形成されている。バッファー層１１は、好適例としてＳｉがドープされたｎ型のＧａＮ層である。なお、バッファー層１１は基体１０の一部であるため、バッファー層１１を含めて基体１０と見做してもよい。
また、基体１０とバッファー層１１との間、または基体１０の底面に反射層を設けても良い。当該反射層は、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）層となる。当該反射層によって、発光層１６の発光のうち、基体１０側に向かう光を反射させることができるため、光の利用効率を高めることができる。
柱状部２０は、バッファー層１１上に形成されたナノコラムであり、第１半導体層１５、発光層１６、第２半導体層１７から構成されている。詳しくは、柱状部２０は、バッファー層１１上に、第１半導体層１５、発光層１６、第２半導体層１７の順に積層された柱状の構造体である。好適例において、柱状部２０の高さは、約１０００ｎｍとしている。なお、柱状部２０は、ナノワイヤー、ナノロッド、ナノピラーとも呼ばれる。
第１半導体層１５は、ｎ型の半導体層である。好適例において、第１半導体層１５は、Ｓｉがドープされたｎ型のＧａＮ層としている。
発光層１６は、好適例において、不純物がドープされていないｉ型のＧａＮ層と、ｉ型のＩｎＧａＮ層とからなる量子井戸構造を重ねた多重量子井戸構造としている。発光層１６は、後述するｐ側電極８から電流が注入されることで発光する。
第２半導体層１７は、第１半導体層１５とは導電型の異なるｐ型の半導体層である。好適例において、第２半導体層１７は、Ｍｇがドープされたｐ型のＧａＮ層としている。なお、第１半導体層１５、および第２半導体層１７は、発光層１６に光を閉じ込めるクラッド層としての機能も有する。また、第２半導体層１７からなる柱状部２０の上部（端面）は、頂部が丸みを帯びたドーム状となっている。なお、頂部の形状は、成長条件によっては鈍角な錘状となることもある。
また、柱状部２０は、基体１０側から、第１半導体層１５、発光層１６、第２半導体層１７の順に積層される構成に限定するものではなく、反対の積層順であっても良い。例えば、基体１０上に、第２半導体層１７、発光層１６、第１半導体層１５の順に積層される構成であっても良い。この場合、基体１０側から電流が注入される構成となる。
図１に示すように、発光装置１００は、複数の柱状部２０からの光が出射される発光領域５を備えている。発光領域５は、平面的に略円形状をなしており、当該円形状内には、複数の柱状部２０が規則的に配置されている。
１つの柱状部２０は、平面的に略正六角形をなしている。当該六角形に外接する円の直径は、好適例では約２８０ｎｍとしている。なお、これに限定するものではなく、１０ｎｍ以上で、５００ｎｍ以下であれば良い。なお、本実施形態では、この外接円の直径のことを柱状部２０の径と見做して説明する。また、平面形状は、六角形に限定するものではなく、他の多角形や、円であっても良い。
複数の柱状部２０は、亀甲模様状に一定のピッチで配置されている。隣り合う柱状部２０の配置ピッチは、好適例では約３００ｎｍとしている。なお、これに限定するものではなく、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であれば良い。また、隣り合う柱状部２０の隙間は、約１０～２０ｎｍ程度である。なお、間隙は、空気層となっている。
また、配置態様は亀甲模様に限定するものではなく、規則的であれば良い。例えば、格子状、三角格子状、四角格子状などであっても良い。
図２に戻る。
林立する柱状部２０により構成される柱状部群の周囲には、サイドウォール２１が設けられている。サイドウォール２１は、好適例において酸化シリコン層としている。この材料に限定するものではなく、発光層１６の屈折率よりも低い材料が好ましく、例えば、酸化アルミニウム層や、酸化チタン層であっても良い。なお、本実施形態では、複数の柱状部２０と、その側壁を覆うサイドウォール２１からなる構成部位を積層体３０としている。
複数の柱状部２０の頂部を覆って、第１電極層１９が設けられている。第１電極層１９は、金属層であり、金属薄膜による２層構成となっている。詳細は後述する。
積層体３０の周囲には、絶縁層２２が設けられている。絶縁層２２は、積層体３０頂部の発光領域５を開口して、積層体３０の周囲を覆う絶縁性の保護層である。好適例において絶縁層２２は、酸化シリコンで形成されている。なお、絶縁性材料であれば良く、例えば、窒化シリコンや、ポリイミドを用いても良い。
第１電極層１９、および絶縁層２２の一部を覆って、第２電極層２５が設けられている。第２電極層２５は、透明電極層であり、好適例としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いている。なお、第１電極層１９と第２電極層２５とから、電極としてのｐ側電極８が構成される。ｐ側電極８の詳細は後述する。
積層体３０の＋Ｘ方向には、ｎ電極端子２４が設けられている。ｎ電極端子２４は、複数の柱状部２０の第１半導体層１５と、不図示の配線により電気的に接続している。ｎ電極端子２４は、バッファー層１１上に形成された金属配線から構成されている。
図１に戻る。
積層体３０の＋Ｙ方向には、ｐ電極端子３９が設けられている。ｐ電極端子３９は、ｐ側電極８の第２電極層２５と電気的に接続している。換言すれば、複数の柱状部２０の第２半導体層１７と電気的に接続している。
ｎ電極端子２４、および、ｐ電極端子３９は、電力入力端子であり、例えば、ボンディングワイヤーが接続されて、発光駆動用の駆動信号が入力される。
＊＊＊ｐ側電極の詳細な構成＊＊＊
図３は、図２におけるｇ部の拡大図であり、ｐ側電極８周辺の拡大断面図である。
前述したように、柱状部２０の頂部は丸みを帯びたドーム状となっている。また、隣り合う柱状部２０の間には隙間があるため、複数の柱状部２０の頂部を繋ぐ表面（上面）は、図３に示すように、波打った形状となっている。
ｐ側電極８は、複数の柱状部２０の頂部を覆って設けられるため、当該波打った形状に倣って形成されている。
ｐ側電極８は、第１電極層１９と第２電極層２５との２層構成となっている。
第１電極層１９は、第１金属層１９ａと、第２金属層１９ｂとの２層構成としている。好適例において、第１金属層１９ａはＮｉ、第２金属層１９ｂはＡｕを用いている。Ｎｉ層からなる第１金属層１９ａの厚さを約１０ｎｍ、Ａｕ層からなる第２金属層１９ｂの厚さを約１０ｎｍとし、総厚で約２０ｎｍの薄膜としている。このように薄膜化することにより、透光性を確保している。なお、この厚さに限定するものではなく、必要な透光性を確保できる厚さであれば良い。
また、金属薄膜は柔軟性があるため、複数の柱状部２０による波打った上面の形状にもフィットする。また、柱状部２０は結晶体であるため、その表面は滑らかであるが、金属薄膜は当該表面にも密着性良く成膜できる。
第１電極層１９における第２金属層１９ｂの上には、透明電極層からなる第２電極層２５が設けられている。好適例において、第２電極層２５としてＩＴＯを用いており、電気抵抗を低くするために、膜厚を約２００ｎｍと厚くしている。
ここで、第１電極層１９の第２金属層１９ｂと、第２電極層２５との界面には、凹凸形状２３が設けられている。詳しくは、Ａｕからなる第２金属層１９ｂの表面には凹凸形状２３が形成されており、その上に設けられる第２電極層２５も、凹凸形状２３に倣った形状となっている。凹凸形状２３は、１０ｎｍ以下の微細な凹凸形状であり、第２金属層１９ｂの表面全面に形成されている。なお、凹凸形状２３の形成方法は、後述する。
図４は、金属と半導体との接触前後におけるバンドダイヤグラム図である。
図４の左側は接触前における金属３４、半導体３３のバンドダイヤグラム図であり、右側は接触後のバンドダイヤグラム図である。図中、金属３４のフェルミ準位をＥｆｍ、半導体３３のフェルミ準位をＥｆｓ、半導体の電子親和力をＸｓとしている。
半導体に金属電極を接続する際、理想的には、金属３４の仕事関数φｍ＞半導体３３の仕事関数φｓであればオーミックコンタクトとなるが、本実施形態の構成においては困難であった。詳しくは、柱状部２０のｐ型ＧａＮ層からなる第２半導体層１７の仕事関数φｓは約６．７ｅｖと大きく、他方、ＩＴＯからなる第２電極層２５の仕事関数φｓは約４．３ｅｖと小さい関係性となっている。このため、図４の右側図に示すように、両者の接触後においては、エネルギー障壁φＢが生じてしまい、接触抵抗により電流が流れ難い組合せとなっている。
この点に鑑み、エネルギー障壁を段階的に緩和する構成を採用している。詳しくは、エネルギー障壁φＢを段階的に小さくするために、第２半導体層１７と第２電極層２５との間に、２層構成の第１電極層１９を介在させている。
まず、仕事関数φｓが約６．７ｅｖの第２半導体層１７には、仕事関数φｍが約５．２ｅｖのＮｉ層からなる第１金属層１９ａを接触させる。次いで、第１金属層１９ａの上には、仕事関数φｍが約４．７ｅｖのＡｕ層からなる第２金属層１９ｂを設ける。そして、第２金属層１９ｂの上に、仕事関数φｍが約４．３ｅｖのＩＴＯからなる第２電極層２５を設ける構成とした。つまり、仕事関数が、第２半導体層１７＞第１金属層１９ａ＞第２金属層１９ｂ＞第２電極層２５となる関係を持つ構成とすることで、エネルギー障壁φＢを段階的に小さくし、電流を流れ易くしている。
なお、この関係を満たせば、金属層や、透明電極の材料を変更しても良い。例えば、第２電極層２５のＩＴＯに換えて、仕事関数φｍが約４．６ｅｖのＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）を用いても良い。
図２に戻る。
このような構成の発光装置１００では、柱状部２０のｐ型の第２半導体層１７、発光層１６、およびｎ型の第１半導体層１５により、ｐｉｎダイオードが構成される。ｐ電極端子３９（図１）とｎ電極端子２４との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、発光層１６に電流が注入されて発光層１６で電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。
発光層１６で発生した光は、第１半導体層１５、および第２半導体層１７による積層方向と直交する方向において、間隙の空気層を介して伝搬し、複数の柱状部２０によるフォトニック結晶の効果により定在波を形成し、発光層１６で利得を受けてレーザー発振する。そして、発光装置１００は、＋１次回折光および－１次回折光をレーザー光として、発光領域５から出射する。
＊＊＊発光装置の製造方法＊＊＊
図５は、発光装置の製造方法を示すフローチャート図である。図６Ａ～図６Ｃは、製造工程における製品態様を示す過程図である。ここでは、図５を主体に、適宜、図２、図６Ａ～図６Ｃを交えて、発光装置の製造方法について説明する。
発光装置１００は、基本的に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、フォトリソグラフィ法（パターニング）、スパッタリング法、蒸着法（真空蒸着法）、エッチング法、およびＣＭＰ（Chemical Mechanical Planarization）法など、公知の半導体プロセスで用いられる方法や、これらを組み合せることにより製造することが可能である。以下、好適な製造方法を主体に説明するが、同等な構造を形成可能で、かつ、当該構造における機能、特性を満たせれば、他の製造方法を用いても良い。
ステップＳ１では、ナノコラムの形成に先立ち、基体１０を準備する。詳しくは、図６Ａに示すように、基体１０の上に、バッファー層１１をエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長の方法は、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などを用いる。
次いで、バッファー層１１の上に、柱状部２０の形成領域を区画するためのハードマスクである選択マスク１２を形成する。選択マスク１２は、好適例においてＴｉを用いている。図６Ａでは、複数の柱状部２０の形成領域全体を選択マスク１２の開口としているが、実際は、柱状部２０ごとに対応した開口が形成されている。選択マスク１２は、例えば、スパッタリング法で成膜した後、パターニングを行うことで形成する。
ステップＳ２では、複数の柱状部２０を形成する。詳しくは、選択マスク１２の開口部におけるバッファー層１１上に、第１半導体層１５、発光層１６、第２半導体層１７を、この順番でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長の方法は、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法などを用いる。これにより、図６Ｂに示すように、複数の柱状部２０を形成することができる。なお、柱状部２０の太さや、頂部の形状は、成長条件を調整することにより、変更可能である。
ステップＳ３では、複数の柱状部２０の上面に、第１電極層１９を形成する。まず、第１電極層１９となる領域を開口部としたレジストマスクを形成し、第１金属層１９ａとなるＮｉ層を蒸着法で全面に成膜する。次いで、Ｎｉ層に重ねて、第２金属層１９ｂとなるＡｕ層を蒸着法で全面に成膜する。次いで、レジストマスクを除去する。つまり、リフトオフにより、図６Ｂに示すように、複数の柱状部２０の上面に、第１電極層１９を形成する。
ステップＳ４では、サイドウォール２１、および絶縁層２２を形成する。
まず、サイドウォール２１を形成する。複数の柱状部２０を含む全面に酸化シリコン層を成膜する。好適例において、成膜には、ＡＬＤ（Atomic layer deposition）法を用いる。次に、第１電極層１９の領域が開口部となるレジストマスクを形成し、ドライエッチングを含むパターニングを行う。これにより、図６Ｃに示すように、複数の柱状部２０の側面にサイドウォール２１が形成される。
次に、絶縁層２２を形成する。詳しくは、全面に酸化シリコン層を成膜した後、ドライエッチングを含むパターニングを行うことで、図６Ｃに示すように、発光領域５が開口した状態の絶縁層２２が形成される。
ステップＳ５では、第２金属層１９ｂの表面に、凹凸形状２３を形成する。詳しくは、アルゴンガスに酸素を混合した混合ガスを用いてドライプロセスのプラズマ処理を行うことで、Ａｕ層の表面に凹凸形状２３を形成する。これにより、Ａｕ層の表面に、１０ｎｍ以下の微細な凹凸形状２３が形成される。凹凸形状２３は、複数の柱状部２０による波打った上面の谷間においても、頂部と同様に形成される。なお、この方法に限定するものではなく、同様な凹凸形状を形成可能な方法を用いても良い。
ステップＳ６では、第１電極層１９の上面に、第２電極層２５を形成する。詳しくは、スパッタリング法により全面にＩＴＯ層を成膜した後、ドライエッチングを含むパターニングを行うことで、図２に示すように、第１電極層１９、および絶縁層２２の一部を覆う第２電極層２５が形成される。これにより、ｐ側電極８が形成される。なお、成膜には、蒸着法を用いても良い。
ステップＳ７では、引出し配線、およびｐ電極端子３９を形成する。ｐ電極端子３９、およびｐ側電極８とｐ電極端子３９とを接続する引出し配線は、蒸着法で金属層を成膜した後、ドライエッチングを含むパターニングを行うことで形成する。また、同一工程にて、ｎ電極端子２４も形成される。これにより、図１、図２に示す発光装置１００が形成される。
本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
ｐ側電極８は、複数の柱状部２０における第２半導体層１７と接続し、第２半導体層１７より仕事関数の小さい材料から成る第１電極層１９と、第１電極層１９と接続し、第１電極層１９よりも仕事関数の小さい第２電極層２５とを含み、第１電極層１９と第２電極層２５との界面は、凹凸形状２３を有している。
この構成によれば、第１電極層１９は、第２電極層２５よりも仕事関数が小さいため、ｐ型ＧａＮ層からなる第２半導体層１７との間のエネルギー障壁は、第２半導体層１７と第２電極層２５とが直接接触する場合に比べて小さくなる。つまり、第１電極層１９が介在することにより、第２半導体層１７と第２電極層２５との間におけるエネルギー障壁が段階的となり緩和されるため、電流が流れ易くなる。
さらに、凹凸形状２３により、第１電極層１９と第２電極層２５とのコンタクト面積が増加するため、コンタクト抵抗が低下することに加えて、両者の密着性が向上する。
従って、安定した電気的接続を確保した発光装置１００を提供することができる。
また、第１電極層１９は、金属層であり、第１金属層１９ａと、第２金属層１９ｂとを含み、第２半導体層１７と接続する第１金属層１９ａの仕事関数は、第２金属層１９ｂの仕事関数よりも大きい。
この構成によれば、第２半導体層１７と、第２電極層２５との間に、密着性に優れた金属層からなる第１電極層１９が設けられるため、柱状部２０の第２半導体層１７への密着性が向上する。さらに、仕事関数が、第２半導体層１７＞第１金属層１９ａ＞第２金属層１９ｂ＞第２電極層２５となる関係を持つ構成となるため、エネルギー障壁φＢが段階的に小さくなり、電流をより流れ易くすることができる。
また、第２電極層２５は、透明電極層であり、凹凸形状２３は、第２金属層１９ｂと、第２電極層２５との界面に設けられる。前述の通り、ＩＴＯからなる第２電極層２５は抵抗を下げるために厚く形成しているが、ＩＴＯを厚くすると剥がれ易くなる。特に、隣り合う柱状部２０間における波打ち形状の谷間において顕著となる。これは、波打ち形状の谷間では、柱状部２０の波打ちの傾斜が大きくなる状態で、ＩＴＯが形成時の膜応力(収縮)がかかる為と考えられる。
この構成によれば、凹凸形状２３を設けて、第２金属層１９ｂと第２電極層２５とを接続することにより、界面において両者が、凹凸による勘合で強固に結合し、かつ、接触面積が増えるため、接続強度が向上する。これにより、第２電極層２５の剥がれを防止している。特に、波打ち形状の谷間において凹凸形状を大きくすることが有効である。前述したように、凹凸形状２３は、波打ち形状の谷間において頂部よりも大きく形成されているため、谷間における膜応力の増大に耐えることができ、両者が確実に接合される。さらに、接触面積が増えることで、接触抵抗は低下する。よって、厚さのある第２電極層２５と、第２金属層１９ｂとを確実に接続することができる。
また、ｐ側電極８において、第１金属層１９ａはＮｉ層であり、第２金属層１９ｂはＡｕ層であり、凹凸形状２３は、Ａｕ層の表面にプラズマ処理により形成される。
これによれば、第１電極層１９と第２電極層２５との界面となるＡｕ層の表面に、凹凸形状２３を効率的に形成することができる。
また、凹凸形状２３は、柱状部２０に重なる部分よりも、隣り合う柱状部２０の間隙部分の方が大きい。
これによれば、隣り合う柱状部２０の間隙で、しっかり接続したい谷間部分について、大きな凹凸形状２３により、より強く密着させることができる。
実施形態２
＊＊＊プロジェクターの概要＊＊＊
図７は、本実施形態に係るプロジェクターの概略構成図である。
ここでは、本実施形態のプロジェクター２００について、図７を用いて説明する。
プロジェクター２００は、図示しない筐体と、筐体内に備えられている赤色光、緑色光、青色光をそれぞれ出射する赤色光源１１０Ｒ、緑色光源１１０Ｇ、青色光源１１０Ｂと、を備えている。
赤色光源１１０Ｒ、緑色光源１１０Ｇ、青色光源１１０Ｂは、その光源として実施形態１の発光装置１００を備えている。
プロジェクター２００は、さらに、筐体内に備えられている、第１光学素子５０Ｒと、第２光学素子５０Ｇと、第３光学素子５０Ｂと、第１光変調装置５５Ｒと、第２光変調装置５５Ｇと、第３光変調装置５５Ｂと、投射装置７０と、を有している。
第１光変調装置５５Ｒ、第２光変調装置５５Ｇ、および第３光変調装置５５Ｂは、例えば、透過型の液晶ライトバルブである。投射装置７０は、例えば、投射レンズである。
赤色光源１１０Ｒから出射された光は、第１光学素子５０Ｒに入射する。赤色光源１１０Ｒから出射された光は、第１光学素子５０Ｒによって集光される。なお、第１光学素子５０Ｒは、集光以外の機能を有していてもよい。後述する第２光学素子５０Ｇおよび第３光学素子５０Ｂについても同様である。
第１光学素子５０Ｒによって集光された光は、第１光変調装置５５Ｒに入射する。第１光変調装置５５Ｒは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置７０は、第１光変調装置５５Ｒによって形成された像を拡大してスクリーン３に投射する。
緑色光源１１０Ｇから出射された光は、第２光学素子５０Ｇに入射する。緑色光源１１０Ｇから出射された光は、第２光学素子５０Ｇによって集光される。
第２光学素子５０Ｇによって集光された光は、第２光変調装置５５Ｇに入射する。第２光変調装置５５Ｇは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置７０は、第２光変調装置５５Ｇによって形成された像を拡大してスクリーン３に投射する。
青色光源１１０Ｂから出射された光は、第３光学素子５０Ｂに入射する。青色光源１１０Ｂから出射された光は、第３光学素子５０Ｂによって集光される。第３光学素子５０Ｂによって集光された光は、第３光変調装置５５Ｂに入射する。第３光変調装置５５Ｂは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置７０は、第３光変調装置５５Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン３に投射する。
また、プロジェクター２００は、第１光変調装置５５Ｒ、第２光変調装置５５Ｇ、および第３光変調装置５５Ｂから出射された光を合成して投射装置７０に導くクロスダイクロイックプリズム６０を備えている。
第１光変調装置５５Ｒ、第２光変調装置５５Ｇ、および第３光変調装置５５Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム６０に入射する。クロスダイクロイックプリズム６０は、４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は、投射装置７０によりスクリーン３上に投射され、拡大された画像が表示される。
なお、赤色光源１１０Ｒ、緑色光源１１０Ｇ、および青色光源１１０Ｂは、発光装置１００を映像の画素として画像情報に応じて制御することで、第１光変調装置５５Ｒ、第２光変調装置５５Ｇ、および第３光変調装置５５Ｂを用いずに、直接的に映像を形成してもよい。そして、投射装置７０は、赤色光源１１０Ｒ、緑色光源１１０Ｇ、および青色光源１１０Ｂによって形成された映像を、拡大してスクリーン３に投射してもよい。
以上、述べた通り、プロジェクター２００は、安定した電気的接続を確保した発光装置１００を備えている。従って、信頼性の高いプロジェクター２００を提供することができる。
また、上記の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Digital Micro Mirror Device）が挙げられる。また、投射装置の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
また、光源を、光源からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置の光源装置にも適用することが可能である。
上述した実施形態に係る発光装置１００は、プロジェクター以外にも用いることが可能である。プロジェクター以外の用途には、例えば、屋内外の照明、ディスプレイのバックライト、レーザープリンター、スキャナー、車載用ライト、光を用いるセンシング機器、通信機器等の光源がある。
変形例１
上述の実施形態１では、発光装置１００が柱状部２０を用いた半導体レーザーである場合について説明したが、発光装置１００は、柱状部２０を用いたスーパールミネッセントダイオードや、柱状部２０を用いた発光ダイオードであってもよい。
変形例２
上述の実施形態１に係る発光装置１００では、ＩｎＧａＮ系の発光層１６について説明したが、発光層１６としては、出射される光の波長に応じて、電流が注入されることで発光可能な様々な材料系を用いることができる。例えば、ＡｌＧａＮ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＰ系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＰ系などの半導体材料を用いることができる。
５…発光領域、８…ｐ側電極、１０…基体、１１…バッファー層、１５…第１半導体層、１６…発光層、１７…第２半導体層、１９…第１電極層、１９ａ…第１金属層、１９ｂ…第２金属層、２０…柱状部、２１…サイドウォール、２２…絶縁層、２３…凹凸形状、２５…第２電極層、３０…積層体、３９…ｐ電極端子、１００…発光装置、１１０Ｂ…青色光源、１１０Ｇ…緑色光源、１１０Ｒ…赤色光源、２００…プロジェクター。

Claims (5)

  1. 基体と、
    前記基体上に設けられ、複数の柱状部を含む積層体と、
    前記積層体において前記基体とは反対側に設けられている電極と、を有し、
    前記柱状部は、第１半導体層、前記第１半導体層と導電型の異なる第２半導体層、およ
    び、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に位置する発光層、を有し、
    前記電極は、前記複数の柱状部における前記第２半導体層と接続し、
    前記第２半導体層より仕事関数の小さい材料からなる第１電極層と、
    前記第１電極層と接続し、前記第１電極層よりも仕事関数の小さい第２電極層と、を含
    み、
    前記第１電極層と前記第２電極層との界面は、凹凸形状を有し、
    前記凹凸形状は、前記柱状部に重なる部分よりも、隣り合う前記柱状部の間隙部分の方
    が大きい、発光装置。
  2. 前記第１電極層は、金属層であり、
    第１金属層と、第２金属層とを含み、
    前記第２半導体層と接続する前記第１金属層の仕事関数は、前記第２金属層の仕事関数
    よりも大きい、請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記第２電極層は、透明電極層であり、
    前記凹凸形状は、前記第２金属層と、前記第２電極層との界面に設けられている、請求
    項２に記載の発光装置。
  4. 前記電極において、
    前記第１金属層は、Ｎｉ層であり、
    前記第２金属層は、Ａｕ層であり、
    前記凹凸形状は、前記Ａｕ層の表面に、プラズマ処理で形成されている、
    請求項２、または３に記載の発光装置。
  5. 請求項１～４のいずれかに記載の発光装置を備えたプロジェクター。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021057443A (ja) * 2019-09-30 2021-04-08 セイコーエプソン株式会社 発光装置、および、プロジェクター

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008517477A (ja) 2004-12-08 2008-05-22 エレクトロニクス アンド テレコミュニケーションズ リサーチ インスチチュート 発光素子及び発光素子の製造方法
JP2014512667A (ja) 2011-02-10 2014-05-22 ザ・ロイヤル・インスティテューション・フォア・ザ・アドバンスメント・オブ・ラーニング／マクギル・ユニヴァーシティ 高効率広帯域半導体ナノワイヤ素子および異種金属触媒無しの製造方法

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5104824A (en) * 1990-11-06 1992-04-14 Bell Communications Research, Inc. Selective area regrowth for surface-emitting lasers and other sharp features
JP2000277260A (ja) * 1999-03-23 2000-10-06 Seiko Epson Corp 発光装置
JP4235440B2 (ja) * 2002-12-13 2009-03-11 キヤノン株式会社 半導体デバイスアレイ及びその製造方法
KR100560244B1 (ko) 2003-06-13 2006-03-10 삼성코닝 주식회사 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 이용한 전계 방출어레이 및 그 제조 방법
JP4755901B2 (ja) * 2003-08-08 2011-08-24 サンキュウ カン 高輝度の窒化物マイクロ発光ダイオード及びその製造方法
US7260135B2 (en) * 2003-09-26 2007-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20050167681A1 (en) * 2004-02-04 2005-08-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Electrode layer, light emitting device including the same, and method of forming the electrode layer
US7132677B2 (en) * 2004-02-13 2006-11-07 Dongguk University Super bright light emitting diode of nanorod array structure having InGaN quantum well and method for manufacturing the same
EP1583190B1 (en) * 2004-04-02 2008-12-24 Nichia Corporation Nitride semiconductor laser device
KR100624419B1 (ko) * 2004-04-07 2006-09-19 삼성전자주식회사 나노와이어 발광소자 및 그 제조방법
US7279751B2 (en) * 2004-06-21 2007-10-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
US20060002442A1 (en) 2004-06-30 2006-01-05 Kevin Haberern Light emitting devices having current blocking structures and methods of fabricating light emitting devices having current blocking structures
TWI500072B (zh) * 2004-08-31 2015-09-11 Sophia School Corp 發光元件之製造方法
KR100896564B1 (ko) * 2004-08-31 2009-05-07 삼성전기주식회사 반사전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자
JP4386191B2 (ja) * 2004-12-15 2009-12-16 セイコーエプソン株式会社 光素子
KR20070021671A (ko) * 2005-08-19 2007-02-23 서울옵토디바이스주식회사 나노막대들의 어레이를 채택한 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법
JP4105216B2 (ja) * 2006-08-04 2008-06-25 三菱電機株式会社 半導体光素子の製造方法
JP4765916B2 (ja) * 2006-12-04 2011-09-07 サンケン電気株式会社 半導体発光素子
JP2009076896A (ja) * 2007-08-31 2009-04-09 Panasonic Corp 半導体発光素子
JP2009105182A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Panasonic Corp 光集積化素子および光集積化素子の製造方法
JP4995053B2 (ja) * 2007-12-04 2012-08-08 パナソニック株式会社 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法
JP5097532B2 (ja) 2007-12-21 2012-12-12 パナソニック株式会社 化合物半導体発光素子の製造方法
CN102089893B (zh) * 2008-07-07 2013-02-06 格罗有限公司 纳米结构led
KR20100028412A (ko) * 2008-09-04 2010-03-12 삼성전자주식회사 나노 막대를 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법
JP4886766B2 (ja) * 2008-12-25 2012-02-29 株式会社東芝 半導体発光素子
JP5434288B2 (ja) 2009-06-12 2014-03-05 豊田合成株式会社 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子を備えたランプ、照明装置および電子機器
JP2011124442A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Panasonic Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP4803302B2 (ja) 2009-12-17 2011-10-26 三菱化学株式会社 窒化物半導体発光素子
WO2011160051A2 (en) * 2010-06-18 2011-12-22 Glo Ab Nanowire led structure and method for manufacturing the same
JP2013042107A (ja) * 2011-02-17 2013-02-28 Rohm Co Ltd 半導体レーザ素子
JP2013038394A (ja) * 2011-07-14 2013-02-21 Rohm Co Ltd 半導体レーザ素子
US9557573B2 (en) 2012-05-09 2017-01-31 Merck Patent Gmbh Three dimensional display system
FR2992466A1 (fr) * 2012-06-22 2013-12-27 Soitec Silicon On Insulator Procede de realisation de contact pour led et structure resultante
TWI544658B (zh) * 2012-08-01 2016-08-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體結構
WO2014138904A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 The Royal Institution For The Advancement Of Learning/Mcgill University Methods and devices for solid state nanowire devices
KR102086365B1 (ko) * 2013-04-19 2020-03-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102188497B1 (ko) * 2014-03-27 2020-12-09 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
US10418499B2 (en) * 2017-06-01 2019-09-17 Glo Ab Self-aligned nanowire-based light emitting diode subpixels for a direct view display and method of making thereof
JP6999877B2 (ja) 2017-07-31 2022-01-19 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP2019040982A (ja) * 2017-08-24 2019-03-14 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびその製造方法、ならびにプロジェクター
JP7097567B2 (ja) * 2018-02-28 2022-07-08 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびその製造方法、ならびにプロジェクター
WO2019199117A1 (ko) * 2018-04-12 2019-10-17 엘지이노텍 주식회사 표면발광 레이저소자
KR102608987B1 (ko) * 2018-09-07 2023-12-05 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 그의 제조 방법, 및 발광 소자를 구비한 표시 장치
WO2021076786A1 (en) * 2019-10-15 2021-04-22 The Regents Of The University Of Michigan Nanocrystal surface-emitting lasers

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008517477A (ja) 2004-12-08 2008-05-22 エレクトロニクス アンド テレコミュニケーションズ リサーチ インスチチュート 発光素子及び発光素子の製造方法
JP2014512667A (ja) 2011-02-10 2014-05-22 ザ・ロイヤル・インスティテューション・フォア・ザ・アドバンスメント・オブ・ラーニング／マクギル・ユニヴァーシティ 高効率広帯域半導体ナノワイヤ素子および異種金属触媒無しの製造方法

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