JP2021150373A - 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ - Google Patents

発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ Download PDF

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寛明 次六
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Abstract

【課題】光閉じ込め係数を向上できる発光装置を提供する。【解決手段】複数の柱状部を有する積層体を有し、前記積層体は、第１半導体層と、前記第１半導体層とは導電型の異なる第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層の間に設けられた発光層と、第３半導体層と、を有し、前記第１半導体層および前記発光層は、前記柱状部を構成し、前記第２半導体層は、前記発光層と前記第３半導体層との間に設けられ、前記第２半導体層は、複数の凹部を有し、前記凹部を規定する前記第２半導体層の面と、前記第３半導体層の前記第２半導体層側の面と、によって、空隙が形成されている、発光装置。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置およびプロジェクターに関する。
半導体レーザーは、高輝度の次世代光源として期待されている。特に、ナノコラム、ナノワイヤー、ナノロッド、ナノピラーなどと呼ばれるナノ構造を有する半導体レーザーは、フォトニック結晶の効果によって、狭放射角で高出力の発光が得られる発光装置が実現できると期待されている。
例えば、特許文献１には、シリコン基板上に、ｎ型ＧａＮナノコラム層、発光層を形成し、ナノコラム径を広げながらｐ型ＧａＮコンタクト層をエピタキシャル成長させた上に、半透明のｐ型電極を形成させて成る発光ダイオードが開示されている。
特開２００７−４９０６２号公報
しかしながら、上記のような発光装置では、発光層の材料や基板の材料に基づいて格子整合などの条件を考慮する必要があり、材料の選択肢は大幅に制限される。そのため、発光層とクラッド層との屈折率の差がとり難く、光閉じ込め係数を高くすることが難しい。
本発明に係る発光装置の一態様は、
複数の柱状部を有する積層体を有し、
前記積層体は、
第１半導体層と、
前記第１半導体層とは導電型の異なる第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層の間に設けられた発光層と、
第３半導体層と、
を有し、
前記第１半導体層および前記発光層は、前記柱状部を構成し、
前記第２半導体層は、前記発光層と前記第３半導体層との間に設けられ、
前記第２半導体層は、複数の凹部を有し、
前記凹部を規定する前記第２半導体層の面と、前記第３半導体層の前記第２半導体層側の面と、によって、空隙が形成されている。
本発明に係るプロジェクターの一態様は、
前記発光装置の一態様を有する。
実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。 実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 計算モデルを説明するための図。 各計算モデルの０次光の透過率の計算結果を示すグラフ。 各計算モデルの０次光以外の透過率の計算結果を示すグラフ。 各計算モデルの０次光の反射率の計算結果を示すグラフ。 各計算モデルの０次光以外の反射率の計算結果を示すグラフ。 本実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
１． 発光装置
まず、本実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す断面図である。図２は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す平面図である。なお、図１は、図２のＩ−Ｉ線断面図である。
発光装置１００は、基板１０と、積層体２０と、第１電極５０と、第２電極５２と、を有している。
基板１０は、例えば、Ｓｉ基板、ＧａＮ基板、サファイア基板などである。
積層体２０は、基板１０に設けられている。積層体２０は、バッファー層２２と、第１半導体層３２と、発光層３４と、第２半導体層３６と、第３半導体層３８と、を有している。
バッファー層２２は、基板１０上に設けられている。バッファー層２２は、例えば、Ｓｉがドープされたｎ型のＧａＮ層である。
本明細書では、積層体２０の積層方向（以下、単に「積層方向」ともいう）において、発光層３４を基準とした場合、発光層３４から第２半導体層３６に向かう方向を「上」とし、発光層３４から第１半導体層３２に向かう方向を「下」として説明する。また、「積層体の積層方向」とは、第１半導体層３２と発光層３４との積層方向をいう。
第１半導体層３２は、バッファー層２２上に設けられている。第１半導体層３２は、基板１０と発光層３４との間に設けられている。第１半導体層３２は、ｎ型の半導体層である。第１半導体層３２は、例えば、Ｓｉがドープされたｎ型のＧａＮ層である。
発光層３４は、第１半導体層３２上に設けられている。発光層３４は、第１半導体層３２と第２半導体層３６との間に設けられている。発光層３４は、電流が注入されることで光を発生させる。発光層３４は、例えば、不純物がドープされていないｉ型のＧａＮ層と、ｉ型のＩｎＧａＮ層と、からなる量子井戸構造を重ねた多重量子井戸構造を有している。
第２半導体層３６は、発光層３４上に設けられている。第２半導体層３６は、発光層３４と第３半導体層３８との間に設けられている。第２半導体層３６は、第１半導体層３２と導電型の異なる層である。第２半導体層３６は、ｐ型の半導体層である。第２半導体層３６は、例えば、Ｍｇがドープされたｐ型のＧａＮ層である。なお、第２半導体層３６は
、例えば、Ｍｇがドープされたｐ型のＡｌＧａＮ層であってもよい。第１半導体層３２および第２半導体層３６は、発光層３４に光を閉じ込める機能を有するクラッド層である。
第１半導体層３２および発光層３４は、柱状部３０を構成している。図１に示す例では、第１半導体層３２、発光層３４、および第２半導体層３６の一部が、柱状部３０を構成している。積層体２０は、複数の柱状部３０を有している。
柱状部３０は、バッファー層２２上に設けられている。柱状部３０は、バッファー層２２から上方に突出した柱状の形状を有している。柱状部３０は、例えば、ナノコラム、ナノワイヤー、ナノロッド、ナノピラーとも呼ばれる。柱状部３０の平面形状は、例えば、多角形、円などである。
柱状部３０の径は、例えば、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。柱状部３０の径を５００ｎｍ以下とすることによって、高品質な結晶の発光層３４を得ることができ、発光層３４に内在する歪みを低減することができる。これにより、発光層３４で発生する光を高い効率で増幅できる。複数の柱状部３０の径は、例えば、互いに等しい。
なお、「柱状部の径」とは、柱状部３０の平面形状が円の場合は、直径であり、柱状部３０の平面形状が円ではない形状の場合は、最小包含円の直径である。例えば、柱状部３０の径は、柱状部３０の平面形状が多角形の場合、該多角形を内部に含む最小の円の直径であり、柱状部３０の平面形状が楕円の場合、該楕円を内部に含む最小の円の直径である。
柱状部３０は、複数設けられている。隣り合う柱状部３０の間隔は、例えば、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。複数の柱状部３０は、積層方向から見た平面視において、所定の方向に所定のピッチで配列されている。複数の柱状部３０は、積層方向から見た平面視において（以下、単に「平面視において」ともいう）、第１方向に第１ピッチＰ１で配列されている。第１方向は、柱状部３０が最も短いピッチで並ぶ方向である。複数の柱状部３０は、例えば、三角格子状に配置されている。なお、複数の柱状部３０の配置は、特に限定されず、正方格子状に配置されていてもよい。複数の柱状部３０は、フォトニック結晶の効果を発現することができる。
なお、「柱状部のピッチ」とは、所定の方向に沿って隣り合う柱状部３０の中心間の距離である。「柱状部の中心」とは、柱状部３０の平面形状が円の場合は、該円の中心であり、柱状部３０の平面形状が円ではない形状の場合は、最小包含円の中心である。例えば、柱状部３０の中心は、柱状部３０の平面形状が多角形の場合、該多角形を内部に含む最小の円の中心であり、柱状部３０の平面形状が楕円の場合、該楕円を内部に含む最小の円の中心である。
隣り合う柱状部３０の間は、例えば、空隙である。なお、隣り合う柱状部３０の間に光伝搬層が設けられていてもよい。光伝搬層は、例えば、酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、酸化チタン層などである。発光層３４で発生した光は、光伝搬層を通って複数の柱状部３０を、積層方向と直交する面内方向に伝搬することができる。
第２半導体層３６は、柱状部３０を構成する柱状部分３６ａと、複数の柱状部３０に跨る層状部分３６ｂと、を有している。柱状部分３６ａは、第２半導体層３６のうちの柱状部３０を構成する柱状の部分である。層状部分３６ｂは、第２半導体層３６のうちの複数の柱状部３０に跨がって設けられた１つの層を構成している部分である。柱状部分３６ａは、発光層３４に接しており、層状部分３６ｂは、第３半導体層３８に接している。
第２半導体層３６には、複数の凹部４０が設けられている。複数の凹部４０は、第２半導体層３６の層状部分３６ｂに設けられている。
凹部４０の平面形状は、図２に示すように、円である。すなわち、凹部４０の開口の形状は、円である。なお、凹部４０の平面形状は、特に限定されず、多角形や楕円などであってもよい。凹部４０の平面形状とは、凹部４０を積層方向から見た形状である。
凹部４０の径は、例えば、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。凹部４０の径は、例えば、柱状部３０の径よりも小さい。凹部４０の形状は、例えば、円柱状である。
なお、「凹部の径」とは、凹部４０の平面形状が円の場合は、直径であり、凹部４０の平面形状が円ではない形状の場合は、最小包含円の直径である。例えば、凹部の径は、凹部４０の平面形状が多角形の場合、該多角形を内部に含む最小の円の直径であり、凹部４０の平面形状が楕円の場合、該楕円を内部に含む最小の円の直径である。
凹部４０は、図１に示すように、第２方向に第２ピッチＰ２で配置されている。第２方向は、凹部４０が最も短いピッチで並ぶ方向である。第２ピッチＰ２は、第１ピッチＰ１よりも小さい。第２ピッチＰ２は、例えば、１００ｎｍ程度である。隣り合う凹部４０の間隔は、例えば、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。複数の凹部４０は、例えば、三角格子状、四角格子状などに配置されている。
上述したように、複数の柱状部３０は第１方向に第１ピッチＰ１で配列され、複数の凹部４０は第２方向に第２ピッチＰ２で配列されている。また、第２ピッチＰ２は、第１ピッチＰ１よりも小さい。これにより、複数の凹部４０が、複数の柱状部３０によって発現するフォトニック結晶の効果に及ぼす影響を低減できる。例えば、第１ピッチＰ１と第２ピッチＰ２とが等しい場合、複数の凹部４０が、複数の柱状部３０によって発現するフォトニック結晶の効果に与える影響が大きくなる。
「凹部のピッチ」とは、所定方向に沿って隣り合う凹部４０の中心間の距離である。「凹部の中心」とは、凹部４０の平面形状が円の場合は、該円の中心であり、凹部４０の平面形状が円ではない形状の場合は、最小包含円の中心である。例えば、凹部４０の中心は、凹部４０の平面形状が多角形の場合、該多角形を内部に含む最小の円の中心であり、凹部４０の平面形状が楕円の場合、該楕円を内部に含む最小の円の中心である。
なお、凹部４０は、第２半導体層３６にランダムに設けられていてもよい。これにより、凹部４０がフォトニック結晶の効果を発現することを防止できる。
凹部４０の深さは、例えば、第２半導体層３６の層状部分３６ｂの厚さよりも小さい。凹部４０の深さは、積層方向における凹部４０の大きさである。凹部４０の深さは、例えば、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。凹部４０の深さは、凹部４０の径の５倍以上であってもよい。凹部４０の内部は、空隙である。
第３半導体層３８は、第２半導体層３６上に設けられている。第３半導体層３８は、第２半導体層３６と第２電極５２との間に設けられている。第３半導体層３８は、第２半導体層３６上および凹部４０上に設けられている。第３半導体層３８は、凹部４０の開口を塞いでいる。第３半導体層３８は、複数の凹部４０を塞ぐ、１つの層である。
第３半導体層３８は、例えば、第１半導体層３２と導電型の異なる層である。第３半導体層３８は、ｐ型の半導体層である。第３半導体層３８は、例えば、Ｍｇがドープされたｐ型のＧａＮ層である。なお、第３半導体層３８は、例えば、Ｍｇがドープされたｐ型の
ＡｌＧａＮ層であってもよい。第２半導体層３６と第３半導体層３８は、例えば、同じ組成である。第２半導体層３６の不純物濃度と第３半導体層３８の不純物濃度は、例えば、等しい。第３半導体層３８の膜厚は、例えば、３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
凹部４０を規定する第２半導体層３６の第１面２ａおよび第２面２ｂと、第３半導体層３８の基板１０側の下面４ａと、によって空隙が形成されている。図１に示すように、第２半導体層３６は、凹部４０の底を規定する第１面２ａと、凹部４０の側方を規定する第２面２ｂと、を有している。第３半導体層３８は、第２半導体層３６側の面である下面４ａと、第２半導体層３６とは反対側の面である上面４ｂと、を有している。第３半導体層３８の下面４ａは、第２半導体層３６と接しており、第３半導体層３８の上面４ｂは、第２電極５２と接している。第３半導体層３８の上面４ｂは、例えば、平坦である。第２半導体層３６の第１面２ａと第３半導体層３８の下面４ａとは、例えば、対向している。
凹部４０は、第２半導体層３６の第１面２ａおよび第２面２ｂと、第３半導体層３８の下面４ａと、によって囲まれている。凹部４０は、第２半導体層３６の第１面２ａおよび第２面２ｂによって規定されており、凹部４０の開口を、第３半導体層３８の下面４ａで塞ぐことによって、空隙が形成されている。
第１電極５０は、バッファー層２２上に設けられている。バッファー層２２は、第１電極５０とオーミックコンタクトしていてもよい。第１電極５０は、第１半導体層３２と電気的に接続されている。図示の例では、第１電極５０は、バッファー層２２を介して、第１半導体層３２と電気的に接続されている。第１電極５０は、発光層３４に電流を注入するための一方の電極である。第１電極５０としては、例えば、バッファー層２２側から、Ｃｒ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いる。
第２電極５２は、積層体２０の基板１０側とは反対側に設けられている。第２電極５２は、第３半導体層３８の上面４ｂに設けられている。第２電極５２は、第３半導体層３８と電気的に接続されている。第２電極５２は、第３半導体層３８を介して第２半導体層３６に電気的に接続されている。第２電極５２は、発光層３４に電流を注入するための他方の電極である。第２電極５２としては、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）などを用いる。第２電極５２の膜厚は、例えば、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
発光装置１００では、ｐ型の第２半導体層３６、発光層３４、およびｎ型の第１半導体層３２により、ｐｉｎダイオードが構成される。発光装置１００では、第１電極５０と第２電極５２との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、発光層３４に電流が注入されて発光層３４で電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。発光層３４で発生した光は、第１半導体層３２および第２半導体層３６により積層方向と直交する方向に伝搬し、複数の柱状部３０によるフォトニック結晶の効果により定在波を形成し、発光層３４で利得を受けてレーザー発振する。そして、発光装置１００は、＋１次回折光および−１次回折光をレーザー光として、積層方向に射出する。
ここで、発光装置１００では、第２半導体層３６に複数の凹部４０が設けられており、凹部４０内は空隙である。そのため、発光装置１００では、第２半導体層３６の凹部４０が設けられた部分の、面内方向の平均屈折率を低くすることができる。これにより、発光層３４で発生した光の、第２電極５２側への漏れ量を低減できる。したがって、発光装置１００では、第２電極５２による光の吸収を低減することができ、第２電極５２による光の損失を低減できる。発光装置１００では、図１に示すように、例えば、発光層３４に光強度のピークを位置させることができる。
なお、上記では、ＩｎＧａＮ系の発光層３４について説明したが、発光層３４としては
、出射される光の波長に応じて、電流が注入されることで発光可能な様々な材料系を用いることができる。例えば、ＡｌＧａＮ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＰ系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＰ系などの半導体材料を用いることができる。
２． 作用効果
発光装置１００では、第２半導体層３６は、複数の凹部４０を有し、凹部４０を規定する第２半導体層３６の第１面２ａおよび第２面２ｂと、第３半導体層３８の下面４ａと、によって空隙が形成されている。このように、発光装置１００では、第２半導体層３６は、複数の凹部４０を有し、凹部４０内は空隙であるため、上述したように、第２半導体層３６の面内方向の平均屈折率を低くすることができる。したがって、発光装置１００では、光閉じ込め係数を向上できる。よって、発光装置１００では、第２電極５２による光の吸収を低減することができ、第２電極５２による光の損失を低減できる。
発光装置１００では、第２電極５２を有し、第３半導体層３８は、第２半導体層３６と第２電極５２の間に設けられている。このように、発光装置１００では、凹部４０を塞ぐ第３半導体層３８に第２電極５２が設けられているため、第２電極５２の断線を防ぐことができ、低抵抗な電極を実現できる。
例えば、第３半導体層３８を設けずに、凹部４０を有する第２半導体層３６に、直接、第２電極５２を設けた場合、第２半導体層３６と第２電極５２との接触面積が小さく、密着性が低くなってしまい、断線が生じる場合がある。また、第２半導体層３６の上面には、凹部４０を形成する際のエッチングダメージによって、欠陥が生じる場合がある。第２半導体層３６に、直接、第２電極５２を設けた場合、この欠陥によって、抵抗が高くなってしまう。
発光装置１００では、第２半導体層３６と第２電極５２との間に、第３半導体層３８が設けられているため、上記のような問題が生じない。したがって、発光装置１００では、第２電極５２の断線を防ぐことができ、低抵抗な電極を実現できる。
発光装置１００では、第１半導体層３２はｎ型のＧａＮ層であり、第２半導体層３６はｐ型のＧａＮ層であり、第３半導体層３８はｐ型のＧａＮ層である。このように、発光装置１００では、第２半導体層３６と第３半導体層３８は、同じ材質であるため、第２半導体層３６と第３半導体層３８の密着性が高い。また、第２半導体層３６と第３半導体層３８が同じ材質であるため、製造が容易である。
３． 発光装置の製造方法
次に、本実施形態に係る発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図３〜図５は、本実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
図３に示すように、基板１０上に、バッファー層２２をエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などが挙げられる。
次に、バッファー層２２上に、図３では図示しないマスク層を形成し、当該マスク層をマスクとして、バッファー層２２上に、第１半導体層３２、発光層３４、および第２半導体層３６をエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法などが挙げられる。これにより、柱状部３０が形成される。
本工程において、第２半導体層３６をエピタキシャル成長させる際には、積層方向だけ
でなく面内方向にも成長する条件で成長させる。これにより、第２半導体層３６が成長するに従って隣り合う柱状部３０間の距離が小さくなり、最終的に隣り合う柱状部３０が接続されることによって、柱状部分３６ａと層状部分３６ｂとを有する第２半導体層３６を形成できる。成長条件は、成長温度や、原料ガスの流量などを調整することによって制御できる。
図４に示すように、第２半導体層３６に複数の凹部４０を形成する。凹部４０は、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングを用いて形成することができる。
図５に示すように、第２半導体層３６上に第３半導体層３８を形成する。例えば、第２半導体層３６上に第３半導体層３８をエピタキシャル成長させる。このとき、第３半導体層３８を積層方向だけでなく面内方向にも成長する条件で成長させる。第３半導体層３８をエピタキシャル成長させる方法としては、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などが挙げられる。
次に、図１に示すように、バッファー層２２上に第１電極５０を形成し、第３半導体層３８上に第２電極５２を形成する。第１電極５０および第２電極５２は、例えば、真空蒸着法などにより形成される。なお、第１電極５０および第２電極５２の形成順序は、特に限定されない。
以上の工程により、発光装置１００を製造することができる。
４． 変形例
４．１． 第１変形例
上述した実施形態では、第３半導体層３８の不純物濃度と第２半導体層３６の不純物濃度が等しい場合について説明したが、第３半導体層３８の不純物濃度は、第２半導体層３６の不純物濃度よりも高くてもよい。例えば、第３半導体層３８のＭｇの濃度は、第２半導体層３６のＭｇの濃度よりも高くてもよい。
発光装置１００では、第３半導体層３８の不純物濃度を、第２半導体層３６の不純物濃度よりも高くすることによって、第３半導体層３８と第２電極５２との接触抵抗を低減できる。
４．２． 第２変形例
上述した実施形態では、第１半導体層３２がｎ型のＧａＮ層であり、第２半導体層３６がｐ型のＧａＮ層であり、第３半導体層３８がｐ型のＧａＮ層である場合について説明したが、第１半導体層３２はｎ型のＧａＮ層であり、第２半導体層３６はｐ型のＧａＮ層であり、第３半導体層３８は、Ｉｎを含むＧａＮ層であってもよい。すなわち、第３半導体層３８は、ＩｎＧａＮ層であってもよい。このとき、第３半導体層３８は、ｉ型（intrinsic semiconductor）であってもよい。
ここで、ＧａＮ層にＩｎを加えることによって、歪みが生じて内部電界がかかる。この内部電界の効果によって電気抵抗を下げることができる。したがって、第３半導体層３８として、Ｉｎを含むＧａＮ層を用いることによって、第３半導体層３８と第２電極５２との接触抵抗を低減できる。内部電界の効果によって第３半導体層３８と第２電極５２との接触抵抗を低減できるため、第３半導体層３８は、意図的な不純物ドープがなされていないｉ型の半導体層であってもよい。
４．３． 第３変形例
上述した実施形態では、凹部４０のピッチが任意の長さである場合について説明したが、凹部４０のピッチ、すなわち、凹部４０の繰り返し周期は、例えば、２００ｎｍ未満で
あってもよい。これにより、光学的損失が小さく、光利用効率の高い発光装置を実現できる。以下、この理由について計算例を示して説明する。
まず、凹部の周期Ｐが１００ｎｍの計算モデル、凹部の周期Ｐが２００ｎｍの計算モデル、凹部の周期Ｐが４００ｎｍの計算モデル、凹部の周期Ｐが１０００ｎｍの計算モデル、凹部の周期Ｐが２０００ｎｍの計算モデルを準備した。
図６は、計算モデルを説明するための図である。なお、図６には、計算モデルの１周期分を示している。
各計算モデルにおいて、凹部の径Ｄを周期Ｐの３０％とした。例えば、凹部の周期Ｐが１００ｎｍの計算モデルでは、凹部の径Ｄは３０ｎｍである。
また、各計算モデルにおいて、凹部の深さは５００ｎｍとし、凹部は正方格子状に配列しているものとした。また、発光層で発生する光Ｌは平面波であり、ＴＭ偏光とした。また、第２半導体層の屈折率をｎ＝２．４とし、凹部内は空隙とし、凹部内の屈折率をｎ＝１．０とした。このような各計算モデルに対して、ＲＣＷＡ（Rigorous Coupled Wave Analysis）法を用いて、透過率および反射率の遠方解を計算した。
図７は、各計算モデルの０次光の透過率の計算結果を示すグラフであり、図８は、各計算モデルの０次光以外の透過率の計算結果を示すグラフである。ここでは、０次光は、発光層で発生し、積層方向に進行する光Ｌの直進成分である。
図７に示すように、０次光の透過率の計算結果から、凹部の周期Ｐが増加するほど、０次光の透過率が低下することがわかる。また、図８に示すように、０次光以外の透過率の計算結果から、凹部の周期Ｐが１０００ｎｍ以上で０次光以外の回折光が確認できる。この回折光は、レーザー放射角に影響する。そのため、凹部の周期Ｐは１０００ｎｍ未満であることが好ましい。
図９は、各計算モデルの０次光の反射率の計算結果を示すグラフであり、図１０は、各計算モデルの０次光以外の反射率の計算結果を示すグラフである。
図９に示すように、０次光の反射率の計算結果から、０次光の反射率は、凹部の周期Ｐの影響は小さいことがわかる。また、図１０に示すように、０次光以外の反射率の計算結果では、凹部の周期Ｐが２００ｎｍ以上で、０次光以外の回折光が確認できる。０次光以外の回折光は、発光層に戻る光となり、光学的損失、すなわち、透過率の低下を招く。そのため、凹部４０の周期は２００ｎｍ未満であり、凹部４０の径Ｄは６０ｎｍ未満であることが好ましい。
このように、凹部４０の周期を２００ｎｍ未満とすることで、０次光以外の回折光を低減できる。したがって、凹部４０の周期を２００ｎｍ未満とすることで、高い透過率が得られる。すなわち、凹部４０の周期を２００ｎｍ未満とすることで、光学的損失が小さく、光利用効率の高い発光装置を実現できる。
５． プロジェクター
次に、本実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図１１は、本実施形態に係るプロジェクター９００を模式的に示す図である。
プロジェクター９００は、例えば、光源として、発光装置１００を有している。
プロジェクター９００は、図示しない筐体と、筐体内に備えられている赤色光、緑色光、青色光をそれぞれ出射する赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、青色光源１００Ｂと、を有している。なお、便宜上、図１１では、赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、および青色光源１００Ｂを簡略化している。
プロジェクター９００は、さらに、筐体内に備えられている、第１光学素子９０２Ｒと、第２光学素子９０２Ｇと、第３光学素子９０２Ｂと、第１光変調装置９０４Ｒと、第２光変調装置９０４Ｇと、第３光変調装置９０４Ｂと、投射装置９０８と、を有している。第１光変調装置９０４Ｒ、第２光変調装置９０４Ｇ、および第３光変調装置９０４Ｂは、例えば、透過型の液晶ライトバルブである。投射装置９０８は、例えば、投射レンズである。
赤色光源１００Ｒから出射された光は、第１光学素子９０２Ｒに入射する。赤色光源１００Ｒから出射された光は、第１光学素子９０２Ｒによって集光される。なお、第１光学素子９０２Ｒは、集光以外の機能を有していてもよい。後述する第２光学素子９０２Ｇおよび第３光学素子９０２Ｂについても同様である。
第１光学素子９０２Ｒによって集光された光は、第１光変調装置９０４Ｒに入射する。第１光変調装置９０４Ｒは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置９０８は、第１光変調装置９０４Ｒによって形成された像を拡大してスクリーン９１０に投射する。
緑色光源１００Ｇから出射された光は、第２光学素子９０２Ｇに入射する。緑色光源１００Ｇから出射された光は、第２光学素子９０２Ｇによって集光される。
第２光学素子９０２Ｇによって集光された光は、第２光変調装置９０４Ｇに入射する。第２光変調装置９０４Ｇは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置９０８は、第２光変調装置９０４Ｇによって形成された像を拡大してスクリーン９１０に投射する。
青色光源１００Ｂから出射された光は、第３光学素子９０２Ｂに入射する。青色光源１００Ｂから出射された光は、第３光学素子９０２Ｂによって集光される。
第３光学素子９０２Ｂによって集光された光は、第３光変調装置９０４Ｂに入射する。第３光変調装置９０４Ｂは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置９０８は、第３光変調装置９０４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン９１０に投射する。
また、プロジェクター９００は、第１光変調装置９０４Ｒ、第２光変調装置９０４Ｇ、および第３光変調装置９０４Ｂから出射された光を合成して投射装置９０８に導くクロスダイクロイックプリズム９０６を有することができる。
第１光変調装置９０４Ｒ、第２光変調装置９０４Ｇ、および第３光変調装置９０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム９０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム９０６は、４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は、投射装置９０８によりスクリーン９１０上に投射され、拡大された画像が表示される。
また、赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、および青色光源１００Ｂは、発光装置１００を映像の画素として画像情報に応じて制御することで、第１光変調装置９０４Ｒ、第２光変調装置９０４Ｇ、および第３光変調装置９０４Ｂを用いずに、直接的に映像を形成してもよい。そして、投射装置９０８は、赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、および青色光源１００Ｂによって形成された映像を、拡大してスクリーン９１０に投射してもよい。
また、上記の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Digital Micro Mirror Device）が挙げられる。また、投射装置の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
また、光源１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂを、光源１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂからの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置の光源装置にも適用することが可能である。
上述した実施形態に係る発光装置は、プロジェクター以外にも用いることが可能である。プロジェクター以外の用途には、例えば、屋内外の照明、ディスプレイのバックライト、レーザープリンター、スキャナー、車載用ライト、光を用いるセンシング機器、通信機器等の光源がある。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
例えば、上述した実施形態および変形例では、積層体２０において、第１半導体層３２が発光層３４と基板１０との間に配置されているが、これに限らず、第３半導体層３８および第２半導体層３６が、発光層３４と基板１０との間に配置されていてもよい。
また、上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成、例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
上述した実施形態および変形例から以下の内容が導き出される。
発光装置の一態様は、
複数の柱状部を有する積層体を有し、
前記積層体は、
第１半導体層と、
前記第１半導体層とは導電型の異なる第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層の間に設けられた発光層と、
第３半導体層と、
を有し、
前記第１半導体層および前記発光層は、前記柱状部を構成し、
前記第２半導体層は、前記発光層と前記第３半導体層との間に設けられ、
前記第２半導体層は、複数の凹部を有し、
前記凹部を規定する前記第２半導体層の面と、前記第３半導体層の前記第２半導体層側の面と、によって、空隙が設けられている。
このような発光装置では、凹部を規定する第２半導体層の面と、第３半導体層の基板側の面と、によって、空隙が設けられているため、第２半導体層の凹部が設けられた部分の、積層方向と直交する面内方向の平均屈折率を低くすることができる。したがって、このような発光装置では、光閉じ込め係数を向上できる。
前記発光装置の一態様において、
前記発光層に電流を注入するための電極を含み、
前記第３半導体層は、前記第２半導体層と前記電極との間に設けられていてもよい。
このような発光装置では、第２半導体層と電極の間に第３半導体層が設けられているため、電極の断線を防ぐことができ、低抵抗な電極を実現できる。
前記発光装置の一態様において、
前記第３半導体層の不純物濃度は、前記第２半導体層の不純物濃度よりも高くてもよい。
このような発光装置では、第３半導体層の不純物濃度を第２半導体層の不純物濃度よりも高くすることによって、第３半導体層と電極との接触抵抗を低減できる。
前記発光装置の一態様において、
前記第１半導体層は、ｎ型のＧａＮ層であり、
前記第２半導体層は、ｐ型のＧａＮ層であり、
前記第３半導体層は、ｐ型のＧａＮ層であってもよい。
このような発光装置では、第２半導体層と第３半導体層が同じ材質であるため、第２半導体層と第３半導体層の密着性が高い。また、第２半導体層と第３半導体層が同じ材質であるため、製造が容易である。
前記発光装置の一態様において、
前記第１半導体層は、ｎ型のＧａＮ層であり、
前記第２半導体層は、ｐ型のＧａＮ層であり、
前記第３半導体層は、Ｉｎを含むＧａＮ層であってもよい。
このような発光装置では、第３半導体層がＩｎを含むＧａＮ層であるため、歪みによる内部電界の効果によって第３半導体層と電極との接触抵抗を低減できる。
前記発光装置の一態様において、
前記第３半導体層は、ｉ型であってもよい。
このような発光装置では、第３半導体層がＩｎを含むＧａＮ層であるため、歪みによる内部電界の効果によって第３半導体層と電極との接触抵抗を低減できる。したがって、第３半導体層がｉ型であっても、電極と第２半導体層を電気的に接続できる。
プロジェクターの一態様は、
前記発光装置の一態様を有する。
２ａ…第１面、２ｂ…第２面、４ａ…下面、４ｂ…上面、１０…基板、２０…積層体、２２…バッファー層、３０…柱状部、３２…第１半導体層、３４…発光層、３６…第２半導体層、３６ａ…柱状部分、３６ｂ…層状部分、３８…第３半導体層、４０…凹部、５０…第１電極、５２…第２電極、１００…発光装置、１００Ｒ…赤色光源、１００Ｇ…緑色光源、１００Ｂ…青色光源、９００…プロジェクター、９０２Ｒ…第１光学素子、９０２Ｇ…第２光学素子、９０２Ｂ…第３光学素子、９０４Ｒ…第１光変調装置、９０４Ｇ…第２光変調装置、９０４Ｂ…第３光変調装置、９０６…クロスダイクロイックプリズム、９０８…投射装置、９１０…スクリーン

Claims (7)

  1. 複数の柱状部を有する積層体を有し、
    前記積層体は、
    第１半導体層と、
    前記第１半導体層とは導電型の異なる第２半導体層と、
    前記第１半導体層と前記第２半導体層の間に設けられた発光層と、
    第３半導体層と、
    を有し、
    前記第１半導体層および前記発光層は、前記柱状部を構成し、
    前記第２半導体層は、前記発光層と前記第３半導体層との間に設けられ、
    前記第２半導体層は、複数の凹部を有し、
    前記凹部を規定する前記第２半導体層の面と、前記第３半導体層の前記第２半導体層側の面と、によって、空隙が形成されている、発光装置。
  2. 請求項１において、
    前記発光層に電流を注入するための電極を有し、
    前記第３半導体層は、前記第２半導体層と前記電極との間に設けられている、発光装置。
  3. 請求項１または２において、
    前記第３半導体層の不純物濃度は、前記第２半導体層の不純物濃度よりも高い、発光装置。
  4. 請求項１ないし３のいずれか１項において、
    前記第１半導体層は、ｎ型のＧａＮ層であり、
    前記第２半導体層は、ｐ型のＧａＮ層であり、
    前記第３半導体層は、ｐ型のＧａＮ層である、発光装置。
  5. 請求項１ないし３のいずれか１項において、
    前記第１半導体層は、ｎ型のＧａＮ層であり、
    前記第２半導体層は、ｐ型のＧａＮ層であり、
    前記第３半導体層は、Ｉｎを含むＧａＮ層である、発光装置。
  6. 請求項５において、
    前記第３半導体層は、ｉ型である、発光装置。
  7. 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置を有する、プロジェクター。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210168338A1 (en) * 2019-11-29 2021-06-03 Seiko Epson Corporation Light emitting apparatus and projector

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004134772A (ja) * 2002-09-18 2004-04-30 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体発光素子
US20080135864A1 (en) * 2006-11-15 2008-06-12 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency light emitting diode (led) with emitters within structured materials
JP2009009978A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Panasonic Electric Works Co Ltd 化合物半導体素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法
JP2009049044A (ja) * 2007-08-13 2009-03-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザを作製する方法
JP2010232488A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Canon Inc 窒化物半導体レーザ
JP2014067945A (ja) * 2012-09-27 2014-04-17 Canon Inc フォトニック結晶レーザ
JP2018133517A (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP2018133516A (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 セイコーエプソン株式会社 発光装置、プロジェクター、および発光装置の製造方法
JP2018142660A (ja) * 2017-02-28 2018-09-13 学校法人上智学院 光デバイスおよび光デバイスの製造方法
JP2018186114A (ja) * 2017-04-24 2018-11-22 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP2018206861A (ja) * 2017-05-31 2018-12-27 セイコーエプソン株式会社 発光装置、プロジェクター、および発光装置の製造方法
JP2018206860A (ja) * 2017-05-31 2018-12-27 セイコーエプソン株式会社 発光装置、プロジェクター、および発光装置の製造方法
JP2019029522A (ja) * 2017-07-31 2019-02-21 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP2019054127A (ja) * 2017-09-15 2019-04-04 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびその製造方法、ならびにプロジェクター
JP2019083232A (ja) * 2017-10-27 2019-05-30 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびその製造方法、ならびにプロジェクター
JP2019149503A (ja) * 2018-02-28 2019-09-05 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびその製造方法、ならびにプロジェクター

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100449808C (zh) * 1998-03-12 2009-01-07 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体元件
US7087922B2 (en) * 2004-11-16 2006-08-08 Formosa Epitaxy Incorporation Light-emitting diode structure
US8163575B2 (en) * 2005-06-17 2012-04-24 Philips Lumileds Lighting Company Llc Grown photonic crystals in semiconductor light emitting devices
US7697584B2 (en) * 2006-10-02 2010-04-13 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light emitting device including arrayed emitters defined by a photonic crystal
KR101341374B1 (ko) * 2007-07-30 2013-12-16 삼성전자주식회사 광자결정 발광소자 및 그 제조방법
JP2011119333A (ja) * 2009-12-01 2011-06-16 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子
KR20120034910A (ko) * 2010-10-04 2012-04-13 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR20120092326A (ko) * 2011-02-11 2012-08-21 서울옵토디바이스주식회사 광 결정 구조를 갖는 비극성 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101648079B1 (ko) * 2014-03-06 2016-08-12 마루분 가부시키가이샤 심자외 led 및 그 제조 방법

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004134772A (ja) * 2002-09-18 2004-04-30 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体発光素子
US20080135864A1 (en) * 2006-11-15 2008-06-12 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency light emitting diode (led) with emitters within structured materials
JP2009009978A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Panasonic Electric Works Co Ltd 化合物半導体素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法
JP2009049044A (ja) * 2007-08-13 2009-03-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザを作製する方法
JP2010232488A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Canon Inc 窒化物半導体レーザ
JP2014067945A (ja) * 2012-09-27 2014-04-17 Canon Inc フォトニック結晶レーザ
JP2018133517A (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP2018133516A (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 セイコーエプソン株式会社 発光装置、プロジェクター、および発光装置の製造方法
JP2018142660A (ja) * 2017-02-28 2018-09-13 学校法人上智学院 光デバイスおよび光デバイスの製造方法
JP2018186114A (ja) * 2017-04-24 2018-11-22 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP2018206861A (ja) * 2017-05-31 2018-12-27 セイコーエプソン株式会社 発光装置、プロジェクター、および発光装置の製造方法
JP2018206860A (ja) * 2017-05-31 2018-12-27 セイコーエプソン株式会社 発光装置、プロジェクター、および発光装置の製造方法
JP2019029522A (ja) * 2017-07-31 2019-02-21 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP2019054127A (ja) * 2017-09-15 2019-04-04 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびその製造方法、ならびにプロジェクター
JP2019083232A (ja) * 2017-10-27 2019-05-30 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびその製造方法、ならびにプロジェクター
JP2019149503A (ja) * 2018-02-28 2019-09-05 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびその製造方法、ならびにプロジェクター

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