JP2021136326A - 発光装置およびプロジェクター - Google Patents
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Abstract
Description
基板と、
前記基板に設けられ、複数の柱状部を有する積層体と、
前記積層体の前記基板と反対側に設けられ、前記積層体に電流を注入する電極と、
を有し、
前記柱状部は、
n型の第1GaN層と、
p型の第2GaN層と、
前記第1GaN層と前記第2GaN層との間に設けられた発光層と、
を有し、
前記第1GaN層は、前記発光層と前記基板との間に設けられ、
前記積層体は、p型の第1AlGaN層を有し、
前記第1AlGaN層は、
隣り合う前記柱状部の前記第2GaN層の間に設けられた第1部分と、
前記第1部分および前記柱状部と、前記電極と、の間に設けられた第2部分と、
を有する。
前記発光装置の一態様を有する。
まず、本実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る発光装置100を模式的に示す断面図である。
次に、本実施形態に係る発光装置100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図3は、本実施形態に係る発光装置100の製造工程を模式的に示す断面図である。
次に、本実施形態の変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図4は、本実施形態の変形例に係る発光装置200を模式的に示す断面図である。以下、本実施形態の変形例に係る発光装置200において、上述した本実施形態に係る発光装置100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
次に、本実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図5は、本実施形態に係るプロジェクター900を模式的に示す図である。
基板と、
前記基板に設けられ、複数の柱状部を有する積層体と、
前記積層体の前記基板と反対側に設けられ、前記積層体に電流を注入する電極と、
を有し、
前記柱状部は、
n型の第1GaN層と、
p型の第2GaN層と、
前記第1GaN層と前記第2GaN層との間に設けられた発光層と、
を有し、
前記第1GaN層は、前記発光層と前記基板との間に設けられ、
前記積層体は、p型の第1AlGaN層を有し、
前記第1AlGaN層は、
隣り合う前記柱状部の前記第2GaN層の間に設けられた第1部分と、
前記第1部分および前記柱状部と、前記電極と、の間に設けられた第2部分と、
を有する。
前記積層体は、隣り合う前記柱状部の前記第1GaN層の間に、前記第1GaN層よりも屈折率の低い低屈折率部を有してもよい。
前記低屈折率部は、第2AlGaN層であってもよい。
前記第1GaN層と前記発光層との積層方向において、前記第1部分の前記基板側の端は、前記発光層の前記基板側の端と、前記発光層の前記電極側の端と、の間に位置していてもよい。
前記発光装置の一態様を有する。
Claims (5)
- 基板と、
前記基板に設けられ、複数の柱状部を有する積層体と、
前記積層体の前記基板と反対側に設けられ、前記積層体に電流を注入する電極と、
を有し、
前記柱状部は、
n型の第1GaN層と、
p型の第2GaN層と、
前記第1GaN層と前記第2GaN層との間に設けられた発光層と、
を有し、
前記第1GaN層は、前記発光層と前記基板との間に設けられ、
前記積層体は、p型の第1AlGaN層を有し、
前記第1AlGaN層は、
隣り合う前記柱状部の前記第2GaN層の間に設けられた第1部分と、
前記第1部分および前記柱状部と、前記電極と、の間に設けられた第2部分と、
を有する、発光装置。 - 請求項1において、
前記積層体は、隣り合う前記柱状部の前記第1GaN層の間に、前記第1GaN層よりも屈折率の低い低屈折率部を有する、発光装置。 - 請求項2において、
前記低屈折率部は、第2AlGaN層である、発光装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記第1GaN層と前記発光層との積層方向において、前記第1部分の前記基板側の端は、前記発光層の前記基板側の端と、前記発光層の前記電極側の端と、の間に位置している、発光装置。 - 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の発光装置を有する、プロジェクター。
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