JP7485278B2 - 発光装置およびプロジェクター - Google Patents
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Description
電極と、
積層体と、
を有し、
前記積層体は、
n型の第1半導体層と、
発光層と、
p型の第2半導体層と、
トンネルジャンクション層と、
n型の第3半導体層と、
を有し、
前記電極は、前記第1半導体層と電気的に接続され、
前記第1半導体層、前記発光層、前記第2半導体層、前記トンネルジャンクション層、前記第3半導体層は、この順で配置され、
前記発光層と前記第1半導体層は、柱状部を構成する。
前記発光装置の一態様を有する。
1.1. 発光装置
まず、第1実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る発光装置100を模式的に示す断面図である。
次に、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図3および図4は、第1実施形態に係る発光装置100の製造工程を模式的に示す断面図である。
2.1. 発光装置
次に、第2実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図5は、第2実施形態に係る発光装置200を模式的に示す断面図である。以下、第2実施形態に係る発光装置200において、上述した第1実施形態に係る発光装置100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
発光装置200の製造方法は、第2半導体層36をエピタキシャル成長させる際に、積層方向に成長する条件でエピタキシャル成長させて柱状部分36aを形成した後、積層方向だけでなく面内方向にも成長する条件でエピタキシャル成長させて層状部分36bを形成する。その他の工程は、上述した発光装置100の製造方法と同様である。
3.1. 発光装置
次に、第3実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図6は、第3実施形態に係る発光装置300を模式的に示す断面図である。以下、第3実施形態に係る発光装置300において、上述した第1実施形態に係る発光装置100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
発光装置300の製造方法は、第2半導体層36をエピタキシャル成長させる際に、積層方向に成長する条件でエピタキシャル成長させ、トンネルジャンクション層37をエピタキシャル成長させる際に、積層方向だけでなく面内方向にも成長する条件でエピタキシャル成長させる。その他の工程は、上述した発光装置100の製造方法と同様である。
4.1. 発光装置
次に、第4実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図7は、第4実施形態に係る発光装置400を模式的に示す断面図である。以下、第4実施形態に係る発光装置400において、上述した第1実施形態に係る発光装置100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
発光装置400の製造方法は、第2半導体層36およびトンネルジャンクション層37をエピタキシャル成長させる際に、積層方向に成長する条件でエピタキシャル成長させる。また、第3半導体層38をエピタキシャル成長させる際に、積層方向だけでなく面内方向にも成長する条件でエピタキシャル成長させる。その他の工程は、上述した発光装置100の製造方法と同様である。
5.1. 発光装置
次に、第5実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図9は、第5実施形態に係る発光装置500を模式的に示す断面図である。以下、第5実施形態に係る発光装置500において、上述した第1実施形態に係る発光装置100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
発光装置500の製造方法は、第2半導体層36、トンネルジャンクション層37をエピタキシャル成長させる際に、積層方向に成長する条件でエピタキシャル成長させる。また、第3半導体層38をエピタキシャル成長させる際に、積層方向に成長する条件でエピタキシャル成長させて柱状部分38aを形成した後、積層方向だけでなく面内方向にも成長する条件でエピタキシャル成長させて層状部分38bを形成する。その他の工程は、上述した発光装置100の製造方法と同様である。
6.1. 発光装置
次に、第6実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図10は、第6実施形態に係る発光装置600を模式的に示す断面図である。以下、第6実施形態に係る発光装置600において、上述した第1実施形態に係る発光装置100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
発光装置600の製造方法は、第2半導体層36、トンネルジャンクション層37、および第3半導体層38をエピタキシャル成長させる際に、積層方向に成長する条件でエピタキシャル成長させる。また、柱状部30上に第2電極70を形成する。第2電極70は、例えば、真空蒸着法などにより形成できる。その他の工程は、上述した発光装置100の製造方法と同様である。
次に、第7実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図11は、第7実施形態に係るプロジェクター900を模式的に示す図である。
電極と、
積層体と、
を有し、
前記積層体は、
n型の第1半導体層と、
発光層と、
p型の第2半導体層と、
トンネルジャンクション層と、
n型の第3半導体層と、
を有し、
前記電極は、前記第1半導体層と電気的に接続され、
前記第1半導体層、前記発光層、前記第2半導体層、前記トンネルジャンクション層、前記第3半導体層は、この順で配置され、
前記発光層と前記第1半導体層は、柱状部を構成する。
前記第2半導体層の少なくとも一部は、前記柱状部を構成してもよい。
前記第2半導体層および前記トンネルジャンクション層は、前記柱状部を構成してもよい。
前記第2半導体層は、c面と、ファセット面と、を有し、
前記トンネルジャンクション層は、
前記c面に設けられたc面領域と、
前記ファセット面に設けられているファセット面領域と、
を有し、
前記c面領域の不純物濃度は、前記ファセット面領域の不純物濃度よりも高くてもよい。
前記第2半導体層、前記トンネルジャンクション層、前記第3半導体層の少なくとも一部は、前記柱状部を構成してもよい。
前記トンネルジャンクション層は、前記第2半導体層と前記第3半導体層をトンネル接合してもよい。
前記発光装置の一態様を有する。
Claims (4)
- 電極と、
積層体と、
を有し、
前記積層体は、
n型の第1半導体層と、
発光層と、
p型の第2半導体層と、
トンネルジャンクション層と、
n型の第3半導体層と、
を有し、
前記電極は、前記第1半導体層と電気的に接続され、
前記第1半導体層、前記発光層、前記第2半導体層、前記トンネルジャンクション層、前記第3半導体層は、この順で配置され、
前記第1半導体層、前記発光層、前記第2半導体層、および前記トンネルジャンクション層は、柱状部を構成し、
前記第2半導体層は、c面と、ファセット面と、を有し、
前記トンネルジャンクション層は、
前記c面に設けられているc面領域と、
前記ファセット面に設けられているファセット面領域と、
を有し、
前記c面領域の不純物濃度は、前記ファセット面領域の不純物濃度よりも高い、発光装置。 - 請求項1において、
前記第3半導体層の少なくとも一部は、前記柱状部を構成する、発光装置。 - 請求項1または2において、
前記トンネルジャンクション層は、前記第2半導体層と前記第3半導体層をトンネル接合する、発光装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の発光装置を有する、プロジェクター。
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