JP2008517477A - 発光素子及び発光素子の製造方法 - Google Patents
発光素子及び発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008517477A JP2008517477A JP2007537811A JP2007537811A JP2008517477A JP 2008517477 A JP2008517477 A JP 2008517477A JP 2007537811 A JP2007537811 A JP 2007537811A JP 2007537811 A JP2007537811 A JP 2007537811A JP 2008517477 A JP2008517477 A JP 2008517477A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- emitting device
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 31
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 28
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 176
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004116 SrO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 abstract description 15
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 9
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 150000002258 gallium Chemical class 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本発明は、発光素子及び発光素子の製造方法に関し、本発明に係る発光素子において、無機発光素子は、透明電極と接触する上部ドーピング層に酸化膜、窒化膜または金属膜を形成した後、プラズマ処理してプラズマエッチング層を形成し、透明電極と上部ドーピング層との接触力を向上させたものである。また、本発明に係る発光素子において、有機発光素子は、透明電極が接触する基板、特にプラスチック基板の上部に酸化膜、窒化膜または金属膜を形成した後、プラズマ処理してプラズマエッチング層を形成し、基板と透明電極との接触力を向上させたものである。このように、本発明に係る発光素子は、透明電極の接触力を改善させることによって、層分離を防止することができ、発光素子の効率を改善させることができると同時に、生産収率を向上させることができる。
Description
本発明は、発光素子及び発光素子の製造方法に関する。より詳細には、透明電極を使用する発光素子において、透明電極と接触する層の表面にプラズマ処理を通じて表面粗度を増加させることによって接触力を向上させることができる発光素子及び発光素子の製造方法に関する。
一般的に、無機発光素子の場合、ｎ型またはｐ型の半導体基板上にｎ型またはｐ型を示す下部ドーピング層を形成した後、発光層を形成し、次いで、ｐ型またはｎ型を示す上部ドーピング層を形成した後、透明電極を形成する順に積層されている。また、有機発光素子の場合、ガラスのような基板上に透明電極を形成し、次いで、有機層を形成し、金属電極を順次に積層している。この場合、透明電極物質として酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化亜鉛とアルミニウム（ＺｎＯ／Ａｌ）をマグネトロンスパッタリング蒸着、パルスレーザー蒸着（ＰＬＤ）、または化学気相蒸着（ＣＶＤ）などの方法を使用して比較的大面積で蒸着してきた。
しかしながら、マイクロサイズの超小型無機発光素子の製作に際して、前述のような一般的な蒸着方法を利用する場合、透明電極と発光層または上部ドーピング層との接触力が弱いため、エッチングなどの工程で透明電極と上部ドーピング層が分離される現象が発生し、素子特性及び収率を減少させている。一方、フレキシブルディスプレイの場合、プラスチック基板を主に使用するようになるが、プラスチック基板を使用してプラスチック基板上に透明電極層を一般的な蒸着方法により形成する場合にも、接触が不良となり、エッチングなどの工程で基板と透明電極が分離され、素子特性及び収率を減少させている。
これより、本発明者らは、無機または有機発光素子において、透明電極と接触する層の表面を改質することで接触力を補強する方法を研究しながら、透明電極と接触するような層に酸化膜、窒化膜及び金属膜を形成した後、これらをプラズマ処理して表面をエッチングした後、透明電極を形成する場合、透明電極と接触する層の表面粗度が増加しつつ接触力が向上し、これにより、発光素子の素子特性と効率をさらに向上させることができると同時に、生産収率をも高めることができることを知見し、本発明を完成した。
技術的解決課題
従って、本発明の第１目的は、透明電極が形成される層の上部にプラズマエッチング層を含む無機発光素子を提供することにある。
従って、本発明の第１目的は、透明電極が形成される層の上部にプラズマエッチング層を含む無機発光素子を提供することにある。
本発明の第２目的は、透明電極が形成される層の上部にプラズマエッチング層を形成する無機発光素子の製造方法を提供することにある。
本発明の第３目的は、透明電極が形成される基板の上部にプラズマエッチング層を含む有機発光素子を提供することにある。
本発明の第４目的は、透明電極が形成される基板の上部にプラズマエッチング層を形成する有機発光素子の製造方法を提供することにある。
技術的解決手段
上記第１目的を達成するために、本発明に係る無機発光素子は、基板と、前記基板上に形成された下部ドーピング層と、前記下部ドーピング層の上部に形成された発光層と、前記発光層の上部に形成された上部ドーピング層と、前記上部ドーピング層の上部に形成され、且つ酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から１種以上選択された膜で形成されたプラズマエッチング層と、前記プラズマエッチング層の上部に形成された透明電極層と、を含む。
上記第１目的を達成するために、本発明に係る無機発光素子は、基板と、前記基板上に形成された下部ドーピング層と、前記下部ドーピング層の上部に形成された発光層と、前記発光層の上部に形成された上部ドーピング層と、前記上部ドーピング層の上部に形成され、且つ酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から１種以上選択された膜で形成されたプラズマエッチング層と、前記プラズマエッチング層の上部に形成された透明電極層と、を含む。
上記第２目的を達成するために、本発明に係る無機発光素子の製造方法は、基板の上部に下部ドーピング層を形成する段階と、前記下部ドーピング層の上部に発光層を形成する段階と、前記発光層の上部に上部ドーピング層を形成する段階と、前記上部ドーピング層の上部に、酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から選択された１種以上の膜を形成する段階と、プラズマを用いて前記膜の表面をエッチングし、プラズマエッチング層を形成する段階と、前記プラズマエッチング層の上部に透明電極を形成する段階と、を含む。
上記第３目的を達成するために、本発明に係る有機発光素子は、基板と、前記基板上に形成され、且つ酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から１種以上選択された膜で形成されたプラズマエッチング層と、前記プラズマエッチング層の上部に形成された透明電極層と、前記透明電極層の上部に形成された電子又は正孔伝達用下部有機層と、前記下部有機層の上部に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上部に形成された電子又は正孔伝達用上部有機層と、前記上部有機層の上部に形成された金属電極層と、を含む。
上記第４目的を達成するために、本発明に係る有機発光素子の製造方法は、基板の上部に、酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から１種以上選択された膜を形成する段階と、プラズマを用いて前記膜の表面をエッチングし、プラズマエッチング層を形成する段階と、前記プラズマエッチング層の上部に電子又は正孔伝達用下部有機層を形成する段階と、前記下部有機層の上部に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層の上部に電子又は正孔伝達用上部有機層を形成する段階と、前記上部有機層の上部に金属伝達層を形成する段階と、を含む。
発明の効果
本発明に係る無機発光素子は、透明電極と接触する上部ドーピング層または発光層の上部に酸化膜、窒化膜または金属膜を形成し、プラズマ処理することで表面粗度を増加させた後、透明電極を形成して、接触力を向上させることによって、透明電極との層分離を防止することができ、無機発光素子の性能を改善させることができる。
本発明に係る無機発光素子は、透明電極と接触する上部ドーピング層または発光層の上部に酸化膜、窒化膜または金属膜を形成し、プラズマ処理することで表面粗度を増加させた後、透明電極を形成して、接触力を向上させることによって、透明電極との層分離を防止することができ、無機発光素子の性能を改善させることができる。
また、本発明に係る有機発光素子は、透明電極と接触する基板、特にプラスチック基板の上部に酸化膜、窒化膜または金属膜を形成し、プラズマ処理することで表面粗度を増加させた後、透明電極を形成して、基板と透明電極との分離を防止することによって、発光素子の効率を向上させることができる。
また、本発明に係る発光素子は、層間接触力を改善させることによって、生産工程上、発生し得る層分離を防止することができ、生産収率を向上させることができる。
以下、添付の図面を参照して本発明を詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例に係る無機発光素子の構造を概略的に示す断面図であり、図２は、本発明の他の実施例に係る無機発光素子の構造を概略的に示す断面である。
図１及び図２を参照すれば、本発明に係る無機発光素子の構造は、基板１００／下部ドーピング層２００／発光層３００／上部ドーピング層４００／プラズマエッチング層５００／透明電極６００が順に積層された構造であるか、または、基板１００／下部ドーピング層２００／発光層３００／プラズマエッチング層５００／透明電極６００が順に積層された構造である。その他、発光素子の効率を向上させるための中間層がさらに積層されることができる。
本発明に係る無機発光素子は、シリコン系発光素子または窒化物系発光素子であることができる。
前記基板１００は、この分野において一般的に使われるｐ型またはｎ型半導体基板であることができ、サファイア、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、ＧａＡｓまたはＳｉなどが用いられることができる。
前記基板１００の上部に形成される下部ドーピング層２００は、ｐ型またはｎ型ドーピング層であって、ｐ型またはｎ型を示す化合物のいずれを使用してもよく、好ましくは、ＧａＡｓ：Ｂｅ、ＧａＡｓ：Ｓｉ、ＧａＮ：Ｍｇ、ＳｉＣ：Ｎ、ＳｉＣ：Ｐ、ＳｉＣ：Ｂ、ＺｎＯ：Ｇａ、ＺｎＯ：Ａｌなどが使われることができる。前記下部ドーピング層２００は、この分野において一般的に使われる方法により適切な厚さで形成されることができ、好ましくは、５０ｎｍ乃至５００ｎｍの厚さでマグネトロンスパッタリング蒸着、パルスレーザー蒸着（ＰＬＤ）、または化学気相蒸着（ＣＶＤ）などの方法により形成されるものである。
前記下部ドーピング層２００上の所定領域に形成される発光層３００は、ｐ−ｎ接合層であって、周期律表III−Ｖ族、II−VI族、IV−IV族で構成された化合物が使われることができ、発光波長によって適宜選択されることができる。例えば、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａｌｎＰ、ＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＡＩＰ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮ、ＧａＡｌＮなどが使われることができる。
前記発光層３００もこの分野において一般的な方法により適切な厚さで形成されることができ、好ましくは、５０ｎｍ乃至５００ｎｍの厚さで前述した成長方法により形成するものである。
前記発光層３００の上部に、外部から印加される電流を均一に供給するために形成され得る上部ドーピング層４００は、下部ドーピング層２００がｐ型である場合、ｎ型ドーピング層であり、下部ドーピング層２００がｎ型である場合、ｐ型ドーピング層である。例えば、ＧａＡｓ：Ｂｅ、ＧａＡｓ：Ｓｉ、ＧａＮ：Ｍｇ、ＳｉＣ：Ｎ、ＳｉＣ：Ｐ、ＳｉＣ：Ｂ、ＺｎＯ：Ｇａ、ＺｎＯ：Ａｌなどが使われることができる。
前記上部ドーピング層４００は、この分野において一般的に使われる方法により適切な厚さで形成されることができ、好ましくは、５０ｎｍ乃至５００ｎｍの厚さで前述した成長方法により形成されるものである。
前記発光層３００または前記上部ドーピング層４００の上部に、接触力向上のためのプラズマエッチング層５００を形成する。プラズマエッチング層５００は、前記発光層３００または上部ドーピング層４００の上部に、酸化膜、窒化膜または金属膜を１０ｎｍ以下の厚さで形成した後に、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ、ＣＦ４、ＳＦ６及びＮＦ３の単一ガスまたは混合ガスを用いてプラズマ処理を通じて部分的にエッチングし、表面粗度を増加させる。過多エッチングされて形成された酸化膜や酸化膜または金属膜が損傷されることを防止するために、前記プラズマは、前記選択されたガスを１×１０−４乃至５×１０−５ｔｏｒｒの圧力下で１０ｓｃｃｍ乃至２０ｓｃｃｍ速度で５乃至１０秒間処理する。この時に使われるプラズマのパワーは、１００Ｗ未満である。
一方、前記発光層３００または上部ドーピング層４００の上部に既に酸化膜や窒化膜が形成されている場合には、酸化膜または窒化膜を形成する必要なく、そのままプラズマ処理が進行されることができる。一方、金属膜は、素子の特性上、酸化膜や窒化膜の形成が容易でない場合に形成することができ、金属膜を形成した後、プラズマ処理または素子特性が劣化しない条件下で熱処理し、表面粗度を増加させることができる。
この時、酸化膜としては、ＳｉＯ２などが使われることができ、窒化膜としては、Ｓｉ３Ｎ４などが使われることができ、金属膜としては、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、ＮｉまたはＣｕの単一金属または合金が使われることができる。
また、前記プラズマ処理される膜の厚さは、１０ｎｍ以下であり、好ましくは、１乃至８ｎｍであることが好ましい。１０ｎｍを超過する場合、形成された酸化膜や窒化膜または金属膜が破壊される問題が発生することができる。
前記プラズマエッチング層５００の上部に、金属電極のための透明電極６００が形成される。透明電極６００は、ＩＴＯ、ＩｎＳｎＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＮｉＯまたはＣｕ２ＳｒＯ２の酸化物を用いて形成されることができ、または、ＣｕＩｎＯ２：Ｃａ、ＩｎＯ：Ｍｏのように酸化物にｎ型またはｐ型ドーピングしたものが用いられることができる。透明電極６００の厚さは、５０ｎｍ乃至２００ｎｍであることが好ましく、この分野において一般的に使用する方法により形成されることが好ましい。
図３は、本発明の一実施例に係る有機発光素子の構造を概略的に示す断面図である。
図３を参照すれば、本発明に係る有機発光素子の構造は、基板７００／プラズマエッチング層８００／透明電極層９００／有機層１０００／金属電極層１１００が積層されている構造である。前記有機層１０００には、発光層が含まれ、その他、透明電極層と発光層との間に正孔注入層、正孔輸送層が含まれることができ、発光層と金属電極層との間に正孔抑制層、電子輸送層、電子注入層が含まれることができ、その他、層間界面特性を改善させるための中間層が含まれることができる。
前記基板７００としては、この分野において一般的に使われる基板を使用することができ、特に透明性、表面平滑性、取り扱い容易性及び防水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板であることが好ましい。また、前記プラスチック基板としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）などの高分子化合物で構成された基板が使われることができる。
前記基板７００の上部に、接触力向上のためのプラズマエッチング層８００を形成する。プラズマエッチング層８００は、前記基板７００の上部に酸化膜、窒化膜または金属膜を１０ｎｍ以下の厚さで形成した後に、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ、ＣＦ４、ＳＦ６及びＮＦ３の単一ガスまたは混合ガスを用いてプラズマ処理を通じて部分的にエッチングし、表面粗度を増加させる。前記プラズマは、上記で選択されたガスを１×１０−４乃至５×１０−５ｔｏｒｒの圧力下で１０ｓｃｃｍ乃至２０ｓｃｃｍ速度で５乃至１０秒間処理する。この時に使われるプラズマのパワーは、１００Ｗ未満である。
一方、前記基板７００の上部に既に酸化膜や窒化膜が形成されている場合には、酸化膜または窒化膜を形成する必要なく、そのままプラズマ処理が進行されることができる。一方、金属膜は、素子の特性上、酸化膜や窒化膜の形成が容易でない場合に形成することができ、金属膜を形成した後、プラズマ処理または素子特性が劣化しない条件下で熱処理し、表面粗度を増加させることができる。
この時、酸化膜としては、ＳｉＯ２などが使われることができ、窒化膜としては、Ｓｉ３Ｎ４などが使われることができ、金属膜としては、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、ＮｉまたはＣｕの単一金属または合金が使われることができる。
また、前記プラズマ処理される膜の厚さは、１０ｎｍ以下であり、１乃至８ｎｍであることが好ましく、１０ｎｍを超過する場合には、形成された酸化膜や窒化膜または金属膜が破壊される問題が発生することができる。
前記プラズマエッチング層８００の上部には、この分野においての一般的な方法により透明電極層９００が形成される。透明電極層９００は、ＩＴＯ、ＩｎＳｎＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＮｉＯまたはＣｕ２ＳｒＯ２の酸化物を用いて形成されることができ、または、ＣｕＩｎＯ２：Ｃａ、ＩｎＯ：Ｍｏのように酸化物にｎ型またはｐ型ドーピングしたものが用いられることができる。透明電極層９００は、５０ｎｍ乃至２００ｎｍであることが好ましく、この分野において一般的に使用する方法により形成されることが好ましい。
次いで、透明電極層９００の上部に有機層１０００が形成される。前記有機層１０００には、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層、電子注入層などを含むことができる。
前記正孔注入層は、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）またはスターバースト（Starburst）型アミン類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＩＤＥ４０６（イデミツ社製材料）などで形成されることができ、正孔輸送層は、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン：α−ＮＰＤ）、ＩＤＥ３２０（イデミツ社製材料）などで形成されることができる。
前記発光層としては、通常使われるものを使用し、特に制限されるものではなく、具体的な例として、アルミニウム錯体（例：Ａｌｑ３（トリス（８−キノリノラト）−アルミニウム（tris(8-quinolinolato)-aluminium）、ＢＡｌｑ、ＳＡｌｑ、Ａｌｍｑ３、ガリウム錯体（例：Ｇａｑ’２ＯＰｉｖ、Ｇａｑ’２ＯＡｃ、２Ｇａｑ’２）、フルオレン（fluorene）系高分子、ポリパラフェニレンビニレンまたはその誘導体、ビフェニル誘導体、スピロポリフルオレン（spiropolyfluorne）系高分子などを利用する。
前記正孔抑制層は、電子輸送能力を有し、且つ発光化合物より高いイオン化ポテンシャルを有するＢＡｌｑ、ＢＣＰ、ＴＰＢＩなどを使用して形成されることができる。
また、電子輸送層は、Ａｌｑ３のような電子輸送物質を使用して形成されることができる。
電子注入層を形成する電子注入物質としては、特に制限されるものではなく、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、Ｌｉなどが使われることができる。
前記有機層１０００に含まれることができる正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層または電子注入層は、真空蒸着やスピンコーティングのような方法により形成されることができ、これらの厚さは、この分野において一般的に使われる厚さで形成されることができる。
前記有機層１０００の上部に金属電極層１１００が形成されることができ、これらは、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などを用いて形成されることができる。形成される金属電極層１１００の厚さは、２００ｎｍ乃至３００ｎｍであることが好ましい。
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明が下記実施例に限定されるものではない。
無機発光素子の製造
Ｓｉ基板の上部にＳｉＣ：Ｂを用いてｐ型ドーピング層を２００ｎｍの厚さで５００ｍＴｏｒｒの真空下で形成した。次いで、ｐ型ドーピング層の上部にＳｉＨ４を用いて発光層を５０ｎｍの厚さで５００ｍＴｏｒｒの真空下で形成した。前記発光層の上部にＳｉＣ：Ｐを用いてｎ型ドーピング層を２００ｎｍの厚さで５００ｍＴｏｒｒの真空下に形成した。
Ｓｉ基板の上部にＳｉＣ：Ｂを用いてｐ型ドーピング層を２００ｎｍの厚さで５００ｍＴｏｒｒの真空下で形成した。次いで、ｐ型ドーピング層の上部にＳｉＨ４を用いて発光層を５０ｎｍの厚さで５００ｍＴｏｒｒの真空下で形成した。前記発光層の上部にＳｉＣ：Ｐを用いてｎ型ドーピング層を２００ｎｍの厚さで５００ｍＴｏｒｒの真空下に形成した。
前記ｎ型ドーピング層の上部にＳｉＨ４とＯ２を使用して酸化膜を７ｎｍの厚さで５００ｍＴｏｒｒの真空下で成長させる。次いで、Ａｒガスを２０ｓｃｃｍで４．６×１０−４ｔｏｒｒの圧力下でプラズマパワーを１００Ｗにし、バイアス電圧を２３０Ｖに維持しながら１０秒間ドライエッチングした。次いで、ＩＴＯを１００ｎｍの厚さで１５ｍＴｏｒｒの真空下で形成し、無機発光素子を製造した。
有機発光素子の製造
ポリエチレンスルホン（ＰＥＳ）基板上にマグネトロンスパッタリングを使用して酸化膜を７ｎｍの厚さで１０ｍＴｏｒｒの真空下で成長させた。次いで、Ａｒガスを２０ｓｃｃｍで４．６×１０−４ｔｏｒｒの圧力下でプラズマパワーを１００Ｗにし、バイアス電圧を２３０Ｖに維持しながら１０秒間処理し、表面をエッチングした。次いで、ＩＴＯを１８０ｎｍの厚さで１５ｍＴｏｒｒの真空下で蒸着して、透明電極層を形成した。次いで、前記透明電極層の上部にＮＰＤを５０ｎｍの厚さで真空熱蒸着して、ＮＰＤ層を形成し、ＮＰＤ層の上部にＡｌｑ３を蒸着して、５０ｎｍ厚さのＡｌｑ３層を形成し、有機層を形成した。
ポリエチレンスルホン（ＰＥＳ）基板上にマグネトロンスパッタリングを使用して酸化膜を７ｎｍの厚さで１０ｍＴｏｒｒの真空下で成長させた。次いで、Ａｒガスを２０ｓｃｃｍで４．６×１０−４ｔｏｒｒの圧力下でプラズマパワーを１００Ｗにし、バイアス電圧を２３０Ｖに維持しながら１０秒間処理し、表面をエッチングした。次いで、ＩＴＯを１８０ｎｍの厚さで１５ｍＴｏｒｒの真空下で蒸着して、透明電極層を形成した。次いで、前記透明電極層の上部にＮＰＤを５０ｎｍの厚さで真空熱蒸着して、ＮＰＤ層を形成し、ＮＰＤ層の上部にＡｌｑ３を蒸着して、５０ｎｍ厚さのＡｌｑ３層を形成し、有機層を形成した。
前記有機層の上部にＡｌを真空熱蒸着して、金属電極を１５０ｎｍの厚さで形成し、有機発光素子を製造した。
前記ポリエチレンスルホン基板上にＡｒガスを用いてプラズマを処理した後、ＩＴＯを蒸着した場合の断面（ａ）、及びプラズマ処理しない状態でポリエチレンスルホン基板上にＩＴＯを蒸着した場合の断面（ｂ）のＳＥＭイメージを図４に各々（ａ）及び（ｂ）で示す。また、これらの発光イメージを図５に各々（ａ）及び（ｂ）で示す。
図４（ａ）に示されたように、プラズマ処理した場合、基板とＩＴＯ層の分離が生じないことを確認することができ、また、このため、図５（ａ）に示されたように、発光面の全てが非常に均一な発光特性を示すことが分かった。これに対し、図４（ｂ）に示されたように、プラズマ処理しない場合の基板とＩＴＯ層は、若干分離が生じたことを確認することができ、このため、図５（ｂ）に示されたように、局部的な発光特性を示した。
１００ 基板
６００、９００ 透明電極層
２００ 下部ドーピング層
１０００ 有機層
３００ 発光層
１１００ 金属電極層
４００ 上部ドーピング層
５００、８００ プラズマエッチング層
６００、９００ 透明電極層
２００ 下部ドーピング層
１０００ 有機層
３００ 発光層
１１００ 金属電極層
４００ 上部ドーピング層
５００、８００ プラズマエッチング層
Claims (15)
- 基板と、
前記基板上に形成された下部ドーピング層と、
前記下部ドーピング層の上部に形成された発光層と、
前記発光層の上部に形成された上部ドーピング層と、
前記上部ドーピング層の上部に形成され、且つ酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から１種以上選択されて形成されたプラズマエッチング層と、
前記プラズマエッチング層の上部に形成された透明電極層と、を含むことを特徴とする無機発光素子。 - 前記上部ドーピング層が除外されたことを特徴とする請求項１に記載の無機発光素子。
- 前記基板は、ｐ型またはｎ型半導体基板であり、前記下部ドーピング層は、ｐ型またはｎ型ドーピング層であり、前記上部ドーピング層は、ｎ型またはｐ型ドーピング層であることを特徴とする請求項１に記載の無機発光素子。
- 前記プラズマエッチング層は、１０ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の無機発光素子。
- 前記酸化膜は、ＳｉＯ２で形成され、前記窒化膜は、Ｓｉ３Ｎ４で形成され、前記金属膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕよりなる群から１種以上選択された金属で形成されることを特徴とする請求項１に記載の無機発光素子。
- 前記透明電極は、ＩＴＯ、ＩｎＳｎＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＮｉＯ及びＣｕ２ＳｒＯ２よりなる群から選択された１種以上の酸化物で形成されたり、ＣｕＩｎＯ２：ＣａまたはＩｎＯ：Ｍｏの酸化物にｎ型またはｐ型物質をドーピングして形成されることを特徴とする請求項１に記載の無機発光素子。
- 基板上に下部ドーピング層を形成する段階と、
前記下部ドーピング層の上部に発光層を形成する段階と、
前記発光層の上部に上部ドーピング層を形成する段階と、
前記上部ドーピング層の上部に、酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から選択された１種以上で膜を形成する段階と、
前記膜の上部にプラズマを用いて表面をエッチングし、プラズマエッチング層を形成する段階と、
前記プラズマエッチング層の上部に透明電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする無機発光素子の製造方法。 - 前記プラズマは、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ、ＣＦ４、ＳＦ６及びＮＦ３よりなる群から１種以上選択されたガスを用いて、１×１０−４乃至５×１０−５ｔｏｒｒの圧力下で１０ｓｃｃｍ乃至２０ｓｃｃｍ速度で５乃至１０秒間処理されることを特徴とする請求項７に記載の無機発光素子の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に形成され、且つ酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から１種以上選択されたプラズマエッチング層と、
前記プラズマエッチング層の上部に形成された透明電極層と、
前記透明電極層の上部に形成された有機層と、
前記有機層の上部に形成された金属電極層と、を含むことを特徴とする有機発光素子。 - 前記基板は、プラスチック基板であり、前記有機層は、発光層であることを特徴とする請求項９に記載の有機発光素子。
- 前記プラズマエッチング層は、１０ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項９に記載の有機発光素子。
- 前記酸化膜は、ＳｉＯ２で形成され、前記窒化膜は、Ｓｉ３Ｎ４で形成され、前記金属膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕよりなる群から１種以上選択された金属で形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機発光素子。
- 前記透明電極は、ＩＴＯ、ＩｎＳｎＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＮｉＯ及びＣｕ２ＳｒＯ２よりなる群から選択された１種以上の酸化物で形成されたり、ＣｕＩｎＯ２：ＣａまたはＩｎＯ：Ｍｏの酸化物電極にｎ型またはｐ型物質をドーピングして形成されることを特徴とする請求項９に記載の半導体発光素子。
- プラスチック基板上に、酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から１種以上選択された膜を形成する段階と、
前記膜の上部にプラズマを用いて表面をエッチングし、プラズマエッチング層を形成する段階と、
前記プラズマエッチング層の上部に有機層を形成する段階と、
前記有機層の上部に金属電極層を形成する段階と、を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。 - 前記プラズマは、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ、ＣＦ４、ＳＦ６及びＮＦ３よりなる群から１種以上選択されたガスを用いて、１×１０−４乃至５×１０−５ｔｏｒｒの圧力下で１０ｓｃｃｍ乃至２０ｓｃｃｍ速度で５乃至１０秒間処理されることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20040102927 | 2004-12-08 | ||
| KR1020050052859A KR100659579B1 (ko) | 2004-12-08 | 2005-06-20 | 발광 소자 및 발광 소자의 제조방법 |
| PCT/KR2005/004176 WO2006062350A1 (en) | 2004-12-08 | 2005-12-07 | Light emitting diode and method of fabricating the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008517477A true JP2008517477A (ja) | 2008-05-22 |
Family
ID=36578136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007537811A Pending JP2008517477A (ja) | 2004-12-08 | 2005-12-07 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090101928A1 (ja) |
| EP (1) | EP1820223A4 (ja) |
| JP (1) | JP2008517477A (ja) |
| KR (1) | KR100659579B1 (ja) |
| WO (1) | WO2006062350A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014017427A1 (ja) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 半導体発光装置 |
| JP2017507368A (ja) * | 2013-12-23 | 2017-03-16 | ソルベイ スペシャルティ ポリマーズ イタリー エス．ピー．エー． | ディスプレイデバイス |
| JP2021100048A (ja) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、および、プロジェクター |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200736170A (en) * | 2006-02-07 | 2007-10-01 | Sumitomo Chemical Co | Organic electroluminescence device |
| KR100796615B1 (ko) | 2006-12-22 | 2008-01-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
| JP2009280903A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-12-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｓｉ（１−ｖ−ｗ−ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ（１−ｖ−ｗ−ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ基材およびエピタキシャルウエハ |
| JP2009280484A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-12-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｓｉ（１−ｖ−ｗ−ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ（１−ｖ−ｗ−ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ基材およびエピタキシャルウエハ |
| JP5621199B2 (ja) * | 2008-04-24 | 2014-11-05 | 住友電気工業株式会社 | Ｓｉ（１−ｖ−ｗ−ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ（１−ｖ−ｗ−ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ基材およびエピタキシャルウエハ |
| TWI384657B (zh) * | 2009-07-15 | 2013-02-01 | Ind Tech Res Inst | 氮化物半導體發光二極體元件 |
| JP5066274B1 (ja) * | 2011-05-16 | 2012-11-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| WO2013032277A2 (en) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method of manufacturing substrate for chip packages and method of manufacturing chip package |
| US9024205B2 (en) | 2012-12-03 | 2015-05-05 | Invensas Corporation | Advanced device assembly structures and methods |
| CN103035490A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-04-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示器件的制备方法 |
| US8941111B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-01-27 | Invensas Corporation | Non-crystalline inorganic light emitting diode |
| US10861693B2 (en) * | 2015-12-18 | 2020-12-08 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method |
| KR20200026760A (ko) * | 2019-09-09 | 2020-03-11 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 |
| CN112750933B (zh) * | 2021-01-26 | 2022-08-26 | 长沙壹纳光电材料有限公司 | 一种led芯片及其制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11168238A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-06-22 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2002016286A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
| JP2004296438A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4894115A (en) * | 1989-02-14 | 1990-01-16 | General Electric Company | Laser beam scanning method for forming via holes in polymer materials |
| JPH0456825A (ja) * | 1990-06-23 | 1992-02-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 透明電極層の形成方法 |
| US5163220A (en) * | 1991-10-09 | 1992-11-17 | The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of enhancing the electrical conductivity of indium-tin-oxide electrode stripes |
| US5753381A (en) * | 1995-12-22 | 1998-05-19 | Add Vision Inc | Electroluminescent filament |
| EP0966050A3 (de) * | 1998-06-18 | 2004-11-17 | Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG | Organische Leuchtdiode |
| JP3469484B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2001043977A (ja) * | 1999-05-27 | 2001-02-16 | Tdk Corp | 発光ダイオード |
| JP3705016B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2005-10-12 | 豊田合成株式会社 | 透光性電極用膜及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 |
| US6645843B2 (en) * | 2001-01-19 | 2003-11-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Pulsed laser deposition of transparent conducting thin films on flexible substrates |
| SG143942A1 (en) * | 2001-02-19 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US6806521B2 (en) * | 2003-01-08 | 2004-10-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integrated high performance MOS tunneling LED in ULSI technology |
| JP4056481B2 (ja) * | 2003-02-07 | 2008-03-05 | 三洋電機株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
| ATE447558T1 (de) * | 2004-04-07 | 2009-11-15 | Idemitsu Kosan Co | Stickstoffhaltiges heterocyclusderivat und organisches elektrolumineszentes element, bei dem dieses verwendung findet |
-
2005
- 2005-06-20 KR KR1020050052859A patent/KR100659579B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-12-07 US US11/577,728 patent/US20090101928A1/en not_active Abandoned
- 2005-12-07 JP JP2007537811A patent/JP2008517477A/ja active Pending
- 2005-12-07 WO PCT/KR2005/004176 patent/WO2006062350A1/en active Application Filing
- 2005-12-07 EP EP05821410A patent/EP1820223A4/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11168238A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-06-22 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2002016286A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
| JP2004296438A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014017427A1 (ja) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 半導体発光装置 |
| JP2017507368A (ja) * | 2013-12-23 | 2017-03-16 | ソルベイ スペシャルティ ポリマーズ イタリー エス．ピー．エー． | ディスプレイデバイス |
| JP2021100048A (ja) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、および、プロジェクター |
| JP7424038B2 (ja) | 2019-12-23 | 2024-01-30 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、および、プロジェクター |
| US11901695B2 (en) | 2019-12-23 | 2024-02-13 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and projector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1820223A1 (en) | 2007-08-22 |
| WO2006062350A1 (en) | 2006-06-15 |
| US20090101928A1 (en) | 2009-04-23 |
| KR20060064477A (ko) | 2006-06-13 |
| EP1820223A4 (en) | 2012-02-08 |
| KR100659579B1 (ko) | 2006-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100659579B1 (ko) | 발광 소자 및 발광 소자의 제조방법 | |
| JP4024754B2 (ja) | 有機層を有する発光素子 | |
| US6501217B2 (en) | Anode modification for organic light emitting diodes | |
| JP3327558B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセント・デバイスを改良するために使用される有機／無機合金 | |
| EP1801882A2 (en) | Organic luminescence display device and method of manufacturing the same | |
| KR102477631B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US20210327981A1 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| JP3795624B2 (ja) | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 | |
| KR20050050488A (ko) | 풀칼라유기전계발광소자 및 그의 제조방법 | |
| JP2002367780A (ja) | 有機ｅｌ装置及びその製造方法 | |
| US20230062456A1 (en) | Semiconductor device, method of fabricating the same, and display device including the same | |
| JP4782550B2 (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
| JP2008159347A (ja) | 透明導電膜の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、およびプラズマ処理装置 | |
| KR100721947B1 (ko) | 다수의 발광층을 구비하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR100830643B1 (ko) | 발광 소자의 제조 방법 | |
| JP2002246173A (ja) | 有機ｅｌデバイスおよびこの製造方法 | |
| KR100751381B1 (ko) | 유기 발광 소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 유기발광 소자 | |
| KR100787460B1 (ko) | 유기 발광 소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 유기발광 소자 | |
| KR102239885B1 (ko) | 헤테로 구조의 적층 박막, 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법 및 헤테로 구조의 적층 박막을 포함하는 반도체 소자 | |
| CN109473525B (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法 | |
| KR100468320B1 (ko) | 3족질화물반도체발광소자 | |
| US20040012025A1 (en) | Anode for organic light emitting diodes | |
| KR100642046B1 (ko) | 점선 도핑 방법에 의하여 발광효율이 향상된 유기발광소자 | |
| KR100609717B1 (ko) | 전면 방출형 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR100964228B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100802 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100806 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110107 |