JP7207012B2 - 発光装置の製造方法、発光装置、およびプロジェクター - Google Patents
発光装置の製造方法、発光装置、およびプロジェクター Download PDFInfo
- Publication number
- JP7207012B2 JP7207012B2 JP2019033830A JP2019033830A JP7207012B2 JP 7207012 B2 JP7207012 B2 JP 7207012B2 JP 2019033830 A JP2019033830 A JP 2019033830A JP 2019033830 A JP2019033830 A JP 2019033830A JP 7207012 B2 JP7207012 B2 JP 7207012B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- columnar
- layer
- opening
- emitting device
- openings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 253
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 80
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 54
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 7
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Projection Apparatus (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
基板にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層に、複数の第1開口と、少なくとも1つの第2開口と、を形成する工程と、
複数の前記第1開口から発光部を有する柱状部を成長させ、前記第2開口から構造体を成長させる工程と、
を有する。
前記第1開口および前記第2開口を形成する工程では、
前記基板の厚さ方向からみて、前記第2開口の形状を環状にし、前記第2開口の内側に、複数の前記第1開口を形成してもよい。
前記第1開口および前記第2開口を形成する工程では、
前記マスク層に、第1部分と、前記基板の厚さ方向からみて前記第1部分の外側に第2部分と、を形成し、
前記第1部分に、複数の前記第1開口と、前記第2開口と、を形成し、
前記第2部分を平坦にしてもよい。
前記第1開口および前記第2開口を形成する工程では、
前記第2開口を、複数形成し、
前記基板の厚さ方向からみて、
複数の前記第2開口を、複数の前記第1開口を囲んで形成し、
前記第2開口を、前記第1開口と同じ形状に形成し、
前記第2開口を、前記第1開口と同じ大きさに形成してもよい。
前記第1開口および前記第2開口を形成する工程では、
前記マスク層に、第1部分と、前記基板の厚さ方向からみて前記第1部分の外側に第2部分と、を形成し、
前記第1部分に、複数の前記第1開口と、前記基板の厚さ方向からみて複数の前記第1開口を囲む複数の前記第2開口を形成し、
前記第2部分を平坦にしてもよい。
基板と、
前記基板に設けられた複数の柱状部と、
前記基板に設けられ、前記柱状部と同じ層構造を有する少なくとも1つの構造体と、
を有し、
前記柱状部は、発光部を有し、
前記柱状部には、電流が注入され、
前記構造体には、電流が注入されない。
前記基板の厚さ方向からみて、前記構造体の形状は、環状であり、
前記構造体の内側に、複数の前記柱状部が設けられていてもよい。
前記基板に設けられた被覆層を有し、
前記被覆層には、複数の第1開口と、第2開口とが設けられ、
前記柱状部は、前記第1開口に設けられ、
前記構造体は、前記第2開口に設けられ、
前記被覆層は、
複数の前記第1開口と、前記第2開口とが設けられた第1部分と、
前記基板の厚さ方向からみて前記第1部分の外側に設けられた、平坦な第2部分と、
を有してもよい。
前記構造体は、複数設けられ、
前記基板の厚さ方向からみて、
複数の前記構造体は、複数の前記柱状部を囲んで設けられ、
前記構造体の形状は、前記柱状部の形状と同じであり、
前記構造体の大きさは、前記柱状部の大きさと同じであってもよい。
前記基板に設けられた被覆層を有し、
前記被覆層には、複数の第1開口と、複数の第2開口とが設けられ、
前記柱状部は、前記第1開口に設けられ、
前記構造体は、前記第2開口に設けられ、
前記被覆層は、
複数の前記第1開口と、前記基板の厚さ方向からみて複数の前記第1開口を囲む複数の前記第2開口とが設けられた第1部分と、
前記基板の厚さ方向からみて前記第1部分の外側に設けられた、平坦な第2部分と、
を有してもよい。
前記発光装置の一態様を有する。
1.1. 発光装置
まず、第1実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る発光装置100を模式的に示す平面図である。図2は、第1実施形態に係る発光装置100を模式的に示す図1のI-I線断面図である。なお、図1および図2では、互いに直交する3軸として、X軸、Y軸、およびZ軸を図示している。
とInGaN層とから構成された量子井戸構造を有している。MQW層24には、電流が注入される。MQW層24は、電流が注入されることで光を発することが可能な発光部である。
層の材質は、柱状部20を構成する各層の材質と同じである。図示の例では、柱状部20および構造体30ともに、3つの層から構成されている。構造体30は、例えば、第1半導体層32と、MQW層34と、第2半導体層36と、を有している。
下であることが望ましい。距離Dを1cm以下とすることで、マスク層40の部分40a上に付着した原材料が、第1開口42側に移動し過ぎて柱状部20が巨大化してしまうことを低減できる。なお、部分40aは、積層方向からみて、マスク層40の、第1開口42と第2開口44との間の部分である。
2と、第2開口44とが設けられた第1部分46と、積層方向からみて第1部分46の外側に設けられた、平坦な第2部分48と、を有する。発光装置100では、柱状部20を成長させる工程において、マスク層40の第2部分48上を移動して柱状部20aに向かう原材料2をトラップすることができる。
次に、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図5は、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法を説明するためのフローチャートである。図6~図8は、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法を模式的に示す断面図である。
1.3.1. 第1変形例
次に、第1実施形態の第1変形例に係る発光装置110について、図面を参照しながら説明する。図9は、第1実施形態の第1変形例に係る発光装置110を模式的に示す断面図である。
態に係る発光装置100の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。このことは、以下に示す第1実施形態の第2変形例に係る発光装置において、同様である。
次に、第1実施形態の第2変形例に係る発光装置120について、図面を参照しながら説明する。図10は、第1実施形態の第2変形例に係る発光装置120を模式的に示す断面図である。
2.1. 発光装置
次に、第2実施形態に係る発光装置200について、図面を参照しながら説明する。図11は、第2実施形態に係る発光装置200を模式的に示す断面図である。以下、第2実施形態に係る発光装置200において、上述した第1実施形態に係る発光装置100の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
次に、第2実施形態に係る発光装置200の製造方法について、図面を参照しながら説明する。以下、第2実施形態に係る発光装置200の製造方法において、上述した第1実施形態に係る発光装置100の製造方法の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
4を、積層方向からみて、複数の第1開口42を囲んで形成する。さらに、積層方向からみて、第2開口44を、第1開口42と同じ形状に形成する。積層方向からみて、第1開口42および第2開口44の形状は、例えば、円である。さらに、積層方向からみて、第2開口44を、第1開口42と同じ大きさに形成する。さらに、マスク層40の第1部分46に、複数の第1開口42と、積層方向からみて複数の第1開口42を囲む複数の第2開口44を形成し、マスク層40の第2部分48を平坦にする。
次に、第3実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図12は、第3実施形態に係るプロジェクター300を模式的に示す図である。
この場合、発光装置100から出射された光は、直接、投射レンズ302に入射する。このようなプロジェクターでは、より小型化を図ることができる。
以下に、実施例および比較例を示し、本発明をより具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例および比較例によって何ら限定されるものではない。
Claims (5)
- 基板にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層に、複数の第1開口と、少なくとも1つの第2開口と、を形成する工程と、
複数の前記第1開口から発光部を有する柱状部を成長させ、前記第2開口から構造体を成長させる工程と、
を有し、
前記第1開口および前記第2開口を形成する工程では、
前記基板の厚さ方向からみて、前記第2開口の形状を環状にし、前記第2開口の内側に、複数の前記第1開口を形成し、
前記第1開口および前記第2開口を形成する工程では、
前記マスク層に、第1部分と、前記基板の厚さ方向からみて前記第1部分の外側に第2部分と、を形成し、
前記第1部分に、複数の前記第1開口と、前記第2開口と、を形成し、
前記第2部分を平坦にする、発光装置の製造方法。 - 基板と、
前記基板に設けられた複数の柱状部と、
前記基板に設けられ、前記柱状部と同じ層構造を有する少なくとも1つの構造体と、
を有し、
前記柱状部は、発光部を有し、
前記柱状部には、電流が注入され、
前記構造体には、電流が注入されず、
前記基板の厚さ方向からみて、前記構造体の形状は、環状であり、
前記構造体の内側に、複数の前記柱状部が設けられている、発光装置。 - 請求項2において、
前記基板に設けられた被覆層を有し、
前記被覆層には、複数の第1開口と、第2開口とが設けられ、
前記柱状部は、前記第1開口に設けられ、
前記構造体は、前記第2開口に設けられ、
前記被覆層は、
複数の前記第1開口と、前記第2開口とが設けられた第1部分と、
前記基板の厚さ方向からみて前記第1部分の外側に設けられた、平坦な第2部分と、
を有する、発光装置。 - 基板と、
前記基板に設けられた複数の柱状部と、
前記基板に設けられ、前記柱状部と同じ層構造を有する少なくとも1つの構造体と、
を有し、
前記柱状部は、発光部を有し、
前記柱状部には、電流が注入され、
前記構造体には、電流が注入されず、
前記構造体は、複数設けられ、
前記基板の厚さ方向からみて、
複数の前記構造体は、複数の前記柱状部を囲んで設けられ、
前記構造体の形状は、前記柱状部の形状と同じであり、
前記構造体の大きさは、前記柱状部の大きさと同じであり、
前記基板に設けられた被覆層を有し、
前記被覆層には、複数の第1開口と、複数の第2開口とが設けられ、
前記柱状部は、前記第1開口に設けられ、
前記構造体は、前記第2開口に設けられ、
前記被覆層は、
複数の前記第1開口と、前記基板の厚さ方向からみて複数の前記第1開口を囲む複数の前記第2開口とが設けられた第1部分と、
前記基板の厚さ方向からみて前記第1部分の外側に設けられた、平坦な第2部分と、
を有する、発光装置。 - 請求項2ないし4のいずれか1項に記載の発光装置を有する、プロジェクター。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019033830A JP7207012B2 (ja) | 2019-02-27 | 2019-02-27 | 発光装置の製造方法、発光装置、およびプロジェクター |
US16/801,485 US11177316B2 (en) | 2019-02-27 | 2020-02-26 | Method of manufacturing light emitting device, light emitting device, and projector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019033830A JP7207012B2 (ja) | 2019-02-27 | 2019-02-27 | 発光装置の製造方法、発光装置、およびプロジェクター |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020140997A JP2020140997A (ja) | 2020-09-03 |
JP2020140997A5 JP2020140997A5 (ja) | 2022-02-07 |
JP7207012B2 true JP7207012B2 (ja) | 2023-01-18 |
Family
ID=72140403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019033830A Active JP7207012B2 (ja) | 2019-02-27 | 2019-02-27 | 発光装置の製造方法、発光装置、およびプロジェクター |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11177316B2 (ja) |
JP (1) | JP7207012B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000114656A (ja) | 1998-10-05 | 2000-04-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光レーザアレイ装置 |
JP2003309331A (ja) | 1995-09-18 | 2003-10-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2005142182A (ja) | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Nec Corp | 光半導体素子およびその製造方法 |
US20140246647A1 (en) | 2013-01-29 | 2014-09-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanostructure light emitting device and method of manufacturing the same |
JP2016506076A (ja) | 2012-12-21 | 2016-02-25 | アレディア | Ledワイヤを備える隣接した領域の製造方法およびその製造方法により得られる装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100809235B1 (ko) * | 2006-08-21 | 2008-03-05 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 제조방법 |
JP4995053B2 (ja) | 2007-12-04 | 2012-08-08 | パナソニック株式会社 | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 |
JP5145120B2 (ja) | 2008-05-26 | 2013-02-13 | パナソニック株式会社 | 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体発光素子の製造方法 |
JP5547076B2 (ja) | 2008-09-01 | 2014-07-09 | 学校法人上智学院 | 半導体光素子アレイおよびその製造方法 |
JP2013148677A (ja) | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Nikon Corp | プロジェクタ |
JP2014154673A (ja) | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Seiko Epson Corp | 映像表示デバイスおよびプロジェクター |
-
2019
- 2019-02-27 JP JP2019033830A patent/JP7207012B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-26 US US16/801,485 patent/US11177316B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003309331A (ja) | 1995-09-18 | 2003-10-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2000114656A (ja) | 1998-10-05 | 2000-04-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光レーザアレイ装置 |
JP2005142182A (ja) | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Nec Corp | 光半導体素子およびその製造方法 |
JP2016506076A (ja) | 2012-12-21 | 2016-02-25 | アレディア | Ledワイヤを備える隣接した領域の製造方法およびその製造方法により得られる装置 |
US20140246647A1 (en) | 2013-01-29 | 2014-09-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanostructure light emitting device and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200273908A1 (en) | 2020-08-27 |
US11177316B2 (en) | 2021-11-16 |
JP2020140997A (ja) | 2020-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6935657B2 (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
CN112750930B (zh) | 发光装置、投影仪以及显示器 | |
JP2022011468A (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
US11626533B2 (en) | Light emitting device and projector | |
JP6981444B2 (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター | |
JP7207012B2 (ja) | 発光装置の製造方法、発光装置、およびプロジェクター | |
JP7176700B2 (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP7203390B2 (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
US11901695B2 (en) | Light emitting device and projector | |
JP7230901B2 (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP7485278B2 (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP2022026489A (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP2022081925A (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
US11803115B2 (en) | Light-emitting device and projector | |
JP2020170759A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP7462902B2 (ja) | 発光装置、プロジェクター、および発光装置の製造方法 | |
US20230139048A1 (en) | Light-emitting device and projector | |
US20230098065A1 (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof, projector, and display | |
US20220239064A1 (en) | Light Emitting Apparatus, Projector, And Method For Manufacturing Light Emitting Apparatus | |
JP2022082063A (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP2022154048A (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP2022110674A (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP2022142100A (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP2022109471A (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
JP2022131215A (ja) | 発光装置およびプロジェクター |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220113 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220817 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221013 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7207012 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |