JP5923324B2 - 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 - Google Patents

Description

本発明は、ハードディスク装置（ＨＤＤ）等に用いられる熱アシスト磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録再生装置に関する。

近年、磁気記録媒体に近接場光等を照射して表面を局所的に加熱し、この磁気記録媒体の保磁力を低下させて書き込みを行う熱アシスト記録が、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２クラスの面記録密度を実現できる次世代記録方式として注目されている。

この熱アシスト記録を用いた場合、室温における保磁力が数十ｋＯｅの磁気記録媒体でも、現状ヘッドの記録磁界により容易に書き込みを行うことができる。このため、熱アシスト磁気記録媒体では、磁性層に１０^６Ｊ／ｍ^３台の高い結晶磁気異方性(Ｋｕ)を有する材料を使用することが可能となり、熱安定性を維持したまま、磁性粒径を６ｎｍ以下にまで微細化することができる。このような高Ｋｕ材料としては、Ｌ１_０型の結晶構造を有するＦｅＰｔ合金（Ｋｕ：約７×１０^６Ｊ／ｍ^３）や、Ｌ１_０型の結晶構造を有するＣｏＰｔ合金（Ｋｕ：約５×１０^６Ｊ／ｍ^３）等が知られている。

ところで、ＦｅＰｔ合金を規則化させてＬ１_０構造をとらせるには、基板温度を６００〜７００℃以上に加熱する必要がある。しかしながら、ガラス基板の耐熱性の観点から基板温度は、概ね６００℃以下とすることが望ましい。上記規則化温度は、ＦｅＰｔに第三元素を添加することによって低減できる。例えば、下記非特許文献１には、ＦｅＰｔにＣｕを添加することによって、規則化温度を大幅に低減できることが記載されている。また、下記非特許文献２には、Ｃｕに加えて、Ａｇ、Ａｕ添加することによって、規則化温度を低減できることが記載されている。

Appl. Phys. Lett. 80, 2147 (2002) J. Appl. Phys. 92, 6104 (2002)

上述したように、熱アシスト磁気記録媒体に用いるＦｅＰｔ合金、若しくはＣｏＰｔ合金を規則化させてＬ１_０構造をとらせるためには、基板を６００〜７００℃以上に加熱する必要がある。また、規則化温度は、ＦｅＰｔ合金にＣｕ、Ａｇ、Ａｕ等の第三元素を添加することによって低減できる。

しかしながら、この場合、Ｋｕの低下を招くことになる。更に、第三元素を添加した場合、この第三元素の濃度分布に伴い、保磁力分散ΔＨｃ／Ｈｃが増大する。このため、ＦｅＰｔ合金、若しくはＣｏＰｔ合金に第三元素を添加することなく、規則化温度をガラス基板の耐熱温度である６００℃以下に低減する必要がある。

また、熱アシスト磁気記録媒体の磁性層にＦｅＰｔ合金、若しくはＣｏＰｔ合金を用いる場合、これらの合金膜は、規則度の高いＬ１_０構造をとると同時に、(００１)面を基板面と平行とした配向をとっている必要がある。

ＦｅＰｔ合金に(００１)配向をとらせるには、このＦｅＰｔ合金を(１００)配向したＭｇＯ下地層の上に形成することが望ましい。ＭｇＯは、通常、ガラス基板上に直接、若しくはＴａなどの下地層の上に形成することによって(１００)配向をとることが知られている。

但し、良好な(１００)配向を実現するには、ＭｇＯ下地層の厚みを１０ｎｍ以上に厚くする必要がある。また、生産効率の観点からＭｇＯ下地層の厚みは、５ｎｍ以下、望ましくは３ｎｍが好ましい。さらに、パーティクル発生抑止の観点からも、ＭｇＯ下地層は薄い方が望ましい。このため、厚みが３ｎｍ以下で、且つ、良好な(１００)配向を示すＭｇＯ下地層を形成する必要がある。

本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、規則化温度が低く、ＭｇＯ下地層の膜厚を５ｎｍ以下まで低減可能とした熱アシスト磁気記録媒体、並びに、そのような熱アシスト磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。

本発明は、以下の手段を提供する。
（１） 基板と、
前記基板の上に形成された下地層と、
前記下地層の上に形成された磁性層とを備え、
前記磁性層が、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分として含み、
前記下地層が、非晶質合金、若しくは微結晶構造を有する合金からなる第１の下地層と、Ｃｒ、若しくはＣｒを主成分とするＢＣＣ構造を有する合金からなる第２の下地層と、格子定数が２．９８Ａ以上のＢＣＣ構造を有する金属又は合金からなる第３の下地層と、ＭｇＯからなる第４の下地層とから構成され、
前記第３の下地層の格子定数が、前記第２の下地層の格子定数より大きいことを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。
（２） 前記第１の下地層が、非磁性、若しくは磁化が１００emu／cc以下のＮｉＴａ、ＮｉＴｉ、ＣｏＴａ、ＣｏＴｉ、ＣｒＴａ、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒＺｒ、ＣｏＣｒＴａ合金からなることを特徴とする前項（１）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（３） 前記第２の下地層が、Ｃｒを主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｎの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなることを特徴とする前項（１）又は（２）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（４） 前記第２の下地層が、Ｃｒを主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｎの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有し、且つ、Ｂ、Ｓｉ、Ｃの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなることを特徴とする前項（１）〜（３）の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（５） 前記第２の下地層の格子定数が、２．９８Ａ以下であることを特徴とする前項（１）〜（４）の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（６） 前記第３の下地層が、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなることを特徴とする前項（１）〜（５）の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（７） 前記第３の下地層が、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有し、且つ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｔｉの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなることを特徴とする前項（１）〜（５）の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（８） 前記第３の下地層が、Ｍｏ、若しくはＷの金属からなることを特徴とする前項（１）〜（５）の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（９） Ｃｏ、若しくはＦｅを主成分とし、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する軟磁性合金からなる下地層が、第１の下地層と第２の下地層との間、若しくは基板と第１の下地層との間に形成されていることを特徴とする前項（１）〜（８）の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（１０） 前記磁性層が、Ｌ１_０構造を有するＦｅＰｔ又はＣｏＰｔ合金を主成分とし、且つ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃの中から選ばれる少なくとも１種の酸化物、若しくは元素を含有する合金からなることを特徴とする前項（１）〜（９）の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（１１） 前記磁性層の上に形成されたキャップ層を備え、
前記キャップ層が、Ｃｏ、Ｎｉ、若しくはＦｅを主成分とし、且つ、前記磁性層よりも磁気異方性が低い合金からなることを特徴とする前項（１）〜（１０）の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（１２） 前項（１）〜（１１）の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体と、
前記熱アシスト磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
前記熱アシスト磁気記録媒体を加熱するレーザー発生部と、前記レーザー発生部から発生したレーザー光を先端部へと導く導波路とを有して、前記熱アシスト磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記熱アシスト磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、
前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドから出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理系とを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。

以上のように、本発明によれば、規則化温度が低く、ＭｇＯ下地層（第４の下地層）の膜厚を５ｎｍ以下まで低減した熱アシスト記録媒体が実現され、これを用いた大容量の磁気記録再生装置を提供することが可能となる。

第１の実施例において作製した熱アシスト磁気記録媒体の層構成の一例を示す断面図である。 第１の実施例において作製した熱アシスト磁気記録媒体のＸ線回折スペクトルを示すグラフである。 第２の実施例において作製した熱アシスト磁気記録媒体の層構成の一例を示す断面図である。 第３の実施例において作製した熱アシスト磁気記録媒体の層構成の一例を示す断面図である。 第４の実施例において本実施例媒体及び比較例媒体の保磁力(Ｈｃ)とＭｇＯの膜厚との関係を示すグラフである。 第５の実施例において用いた磁気記録再生装置の構成の一例を示す斜視図である。 図６に示す磁気記録再生装置が備える磁気ヘッドの構成を模式的に示す断面図である。

以下、本発明を適用した熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。

本発明を適用した熱アシスト磁気記録媒体は、基板と、基板の上に形成された下地層と、下地層の上に形成された磁性層とを備え、磁性層が、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分として含み、下地層が、非晶質合金、若しくは微結晶構造を有する合金からなる第１の下地層と、Ｃｒ、若しくはＣｒを主成分とするＢＣＣ合金からなる第２の下地層と、格子定数が２．９８Ａ以上のＢＣＣ合金からなる第３の下地層と、ＭｇＯからなる第４の下地層とから構成されていることを特徴とする。

本発明では、基板の上に、非晶質合金、若しくは微結晶構造を有する合金からなる第１の下地層を形成した後、この基板を１５０〜２００℃以上に加熱する。そして、この第１の下地層の上に、Ｃｒ、若しくはＣｒを主成分とするＢＣＣ合金からなる第２の下地層を形成することによって、この第２の下地層に(１００)配向をとらせることができる。

第１の下地層は、非晶質、若しくは微結晶構造を有する合金からなるものであれば特に制限はなく、例えば、ＮｉＴａ、ＮｉＴｉ、ＣｏＴａ、ＣｏＴｉ、ＣｒＴａ、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒＺｒ、ＣｏＣｒＴａ合金等を用いることができる。また、第１の磁性層は、非磁性であることが望ましいが、１００emu／cc以下であれば微弱な磁化を有していても問題ない。したがって、上記合金のうち、Ｎｉ、Ｃｏ等の磁性元素を含有するものは、その含有量を７０原子％以下とすることが好ましく、更には６０原子％以下とすることが好ましい。

第２の下地層には、Ｃｒ、若しくはＣｒを主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｎの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金、例えば、ＣｒＴｉ、ＣｒＶ、ＣｒＭｏ、ＣｒＭｏ、ＣｒＷ、ＣｒＲｕ、ＣｒＭｎ等のＣｒ合金を用いることができる。

さらに、第２の下地層には、上記Ｃｒ合金に、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ等の元素を添加したものを用いてもよい。これらの元素を添加することにより、第２の下地層の粒径を微細化することができる。また、第２の下地層の上に形成される第３の下地層及び第４の下地層の粒径も微細化することができ、最終的に下地層の上に形成される磁性層の粒径を均一化することができる。

上記元素のＣｒ合金への添加量は、このＣｒ合金がＢＣＣ構造をとる範囲内であれば特に制限はないものの、多量の添加は第２の下地層の(１００)配向を劣化させるため望ましくない。したがって、添加元素の合計は概ね４０ａｔ％以下程度が望ましい。

本発明では、上記第２の下地層の上に、ＭｇＯ下地層を形成することにより、このＭｇＯ下地層に(１００)配向をとらせることができる。また、(１００)配向したＭｇＯ下地層の上に、ＦｅＰｔ合金又はＣｏＰｔ合金（磁性層）を形成することにより、これらの合金に(００１)配向したＬ１_０構造をとらせることができる。

但し、この場合、基板温度を６００〜７００℃以上まで加熱する必要がある。本発明者らは、種々の下地層の構成を検討した結果、第２の下地層の上に、格子定数が２．９８Ａ以上のＢＣＣ合金からなる第３の下地層を形成し、この第３の下地層の上に、ＭｇＯ下地層（第４の下地層）を形成することによって、規則化温度を低減できることを見出した。

これにより、６００℃以下の基板加熱で、高い保磁力を有する熱アシスト磁気記録媒体を得ることが可能となる。この規則化温度を低減できる理由については、以下のように考えられる。

すなわち、Ｌ１_０構造を有するＦｅＰｔ合金又はＣｏＰｔ合金は、膜面垂直方向に縮んだＦＣＴ構造をとる。この場合、膜面内方向に引っ張り応力を導入することより、規則化が促進され、規則化温度を低減できる。ＭｇＯ下地層の格子定数は、Ｌ１_０−ＦｅＰｔ合金又はＬ１_０−ＣｏＰｔ合金のａ軸長より約１０％大きい。したがって、Ｌ１_０−ＦｅＰｔ合金又はＬ１_０−ＣｏＰｔ合金がＭｇＯ下地層上にエピタキシャル成長した場合、これらの合金には、膜面内方向に引っ張り応力が導入される。本発明のように、格子定数の√２倍の値がＭｇＯの格子定数より大きなＢＣＣ構造を有する第３の下地層の上に、ＭｇＯからなる第４の下地層をエピタキシャル成長させた場合、このＭｇＯの格子定数を膜面内方向に拡げることができる。これにより、ＦｅＰｔ合金又はＣｏＰｔ合金に加わる面内引っ張り応力を更に増大させることができる。このため、ＦｅＰｔ合金又はＣｏＰｔ合金の規則化が促進され、規則化温度を低減することが可能となる。

第３の下地層は、格子定数が２．９８Ａ以上のＢＣＣ構造を有する金属又は合金であれば、特に制限されるものではない。ＢＣＣ(１００)配向した第３の下地層（ＵＬ３）の上に、ＭｇＯがエピタキシャル成長して(１００)配向する場合、面内方向にＵＬ３<１１０>//ＭｇＯ<１００>の方位関係が成り立つ。このため、第３の下地層の格子定数（ａ_３）が２．９８Ａ以上であれば、√２ａ_３は４．２３以上となり、ＭｇＯの格子定数を上回る。これにより、ＭｇＯの膜面内方向に引っ張り応力を導入し、格子定数を拡大することができる。また、これによってＦｅＰｔ合金又はＣｏＰｔ合金の面内方向に引っ張り応力を導入し、規則化を促進することができる。

第３の下地層の格子定数の上限については特に制限はないものの、第２の下地層の上にエピタキシャル成長させて(１００)配向をとる必要があるため、第２の下地層に用いる合金との格子ミスフィットが概ね１０％を下回らない範囲内とすることが望ましい。そのような第３の下地層には、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金、具体的には、ＶＣｒ、ＶＴｉ、ＭｏＣｒ、ＭｏＴｉ、ＭｏＶ、ＭｏＭｎ、ＭｏＲｕ、ＭｏＷ、ＭｏＴａ、ＭｏＮｂ、ＷＣｒ、ＷＴｉ、ＷＶ、ＷＭｎ、ＷＲｕ、ＷＴａ、ＷＮｂ、ＴａＣｒ、ＴａＴｉ、ＴａＺｒ、ＴａＮｂ、ＮｂＣｒ、ＮｂＴｉ、ＮｂＺｒ等を用いることができる。また、これらＶ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂを単体で用いてもよい。

なお、第２の下地層に２．９８Ａ以上のＣｒ合金を用いることによって、第３の下地層を設けなくてもＭｇＯに引っ張り応力を導入できる可能性が考えられる。しかしながら、これは実現困難である。すなわち、Ｃｒに他元素を添加して、格子定数を２．９８Ａ以上とするには、元素の添加量を概ね４０at％とする必要があるが、この場合、第２の下地層の結晶性、配向性が大幅に劣化する。このため、第３の下地層を設けずにＭｇＯに引っ張り応力を導入するのは困難である。

ＭｇＯからなる第４の下地層は、上記第３の下地層の上に形成することにより、ＭｇＯの配向性、結晶性を劣化させることなく、このＭｇＯの厚みを５ｎｍ以下まで薄くすることができる。これにより、ＭｇＯの膜厚が５ｎｍ以下で、且つ、規則化温度が６００℃以下の、熱アシスト磁気記録媒体を得ることができる。

磁性層には、Ｌ１_０構造を有するＦｅＰｔ合金、若しくはＣｏＰｔ合金を用いることができる。磁性層は、上記ＦｅＰｔ合金、若しくはＣｏＰｔ合金が、粒界偏析材料で囲まれたグラニュラー構造をとっていることが望ましい。粒界偏析材料としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃ、若しくはこれらの混合物を用いることができる。

上記磁性層の上には、キャップ層を設けてもよい。この場合、キャップ層を介して、磁性層中の粒子間に交換結合を導入し、保磁力分散を低減することができる。但し、過度の交換結合は、クラスターサイズを増加させるため、キャップ層のＭｓと膜厚は、これらを考慮して設計する必要がある。また、キャップ層のＫｕは、磁性層より低く設定することが望ましい。これにより、磁性層の磁化反転を容易にし、書き込み特性を改善することができる。

上記以外にも、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、若しくはこれらを主成分とする熱伝導率の高い合金材料をヒートシンク層として形成してもよい。ヒートシンク層は、第１の下地層と基板との間に設けることが好ましい。

また、書き込み特性を改善するため、Ｃｏ、又はＣｏを主成分とする、非晶質若しくは微結晶構造を有する軟磁性下地層を設けてもよい。軟磁性下地層には、Ｃｏ、若しくはＦｅを主成分とし、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する軟磁性合金、例えば、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＦｅＴａＺｒ、ＣｏＦｅＴａＢ、ＣｏＦｅＴａＳｉ、ＣｏＦｅＺｒＳｉ、ＣｏＦｅＺｒＢ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＴａＣ合金等を用いることができる。さらに、軟磁性下地層は、上記合金の単層構造であっても、Ｒｕを挟んで反強磁性結合させた積層構造であってもよい。

非晶質若しくは微結晶構造を有する軟磁性合金層は、第２の下地層に(１００)配向をとらせる機能を有するため、第１の下地層と第２の下地層の間に設けることができる。また、第１の下地層と基板の間に設けてもよい。それ以外にも、基板との密着性を改善するための密着層を基板上に形成してもよい。

以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。

（第１の実施例）
第１の実施例において作製した熱アシスト磁気記録媒体（以下、実施例媒体という。）の層構成の一例を図１に示す。
本実施例媒体を作製する際は、ガラス基板１０１上に、層厚１００ｎｍのＮｉ−３８ａｔ％Ｔａからなる第１の下地層１０２と、層厚１０ｎｍのＣｒ−１５ａｔ％Ｔｉ−５ａｔ％Ｂからなる第２の下地層１０３と、層厚１０ｎｍのＭｏ−４０ａｔ％Ｃｒ（実施例１−１）、Ｍｏ−２０ａｔ％Ｃｒ（実施例１−２）、若しくはＭｏ（実施例１−３）からなる第３の下地層１０４と、層厚２ｎｍのＭｇＯからなる第４の下地層１０５と、層厚１０ｎｍの（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−４０ａｔ％Ｃからなる磁性層１０６と、層厚３ｎｍのカーボン(Ｃ)からなる保護層１０７とを順次積層して形成した。また、第１の下地層１０２の形成後と第４の下地層１０５の形成後に、２度の基板加熱を行っており、加熱温度は、それぞれ１５０℃と５００℃である。また、比較例１として、第３の下地層１０４を形成せず、第２の下地層（Ｃｒ）１０３上に、第４の下地層（ＭｇＯ）１０５を直接形成した熱アシスト磁気記録媒体（以下、比較例媒体という。）を作製した。

本実施例媒体（実施例１−１〜１−３）のＸ線回折スペクトルを図２に示す。
図２に示すように、第２の下地層１０３として用いたＣｒからの(２００)ピークと、第３の下地層１０４として用いたＭｏＣｒ、若しくはＭｏからの(２００)ピークが確認できる。このことは、第１の下地層（ＮｉＴａ）１０２上に形成された第２の下地層（Ｃｒ）１０３が(１００)配向をとり、その上に形成される第３の下地層（ＣｒＭｏ若しくはＭｏ）１０４がエピタキシャル成長していることを示している。また、第１の下地層（ＮｉＴａ）１０２からは、明瞭な回折ピークが観察されなかった。したがって、第１の下地層１０２は、非晶質構造、若しくは微結晶構造をとっていると考えられる。

本実施例媒体（実施例１−１〜１−３）の第３の下地層１０４に用いたＭｏＣｒ合金、若しくはもしくはＭｏの格子定数ａ_３、及び√２ａ_３の値を表１に示す。

ここで、ａ_３は、ＣｒＭｏ(２００)ピーク、若しくはＭｏ(２００)ピークから見積もった面間隔ｄ_２００から、ａ_３＝２×ｄ_２００として算出した。(１００)配向した第３の下地層（ＭｏＣｒ、若しくはＭｏ）１０４上に、第４の下地層（ＭｇＯ）１０５がエピタキシャル成長して(１００)配向する場合、面内方向にＣｒＭｏ<１１０>//ＭｇＯ<１００>、若しくはＭｏ<１１０>//ＭｇＯ<１００>の方位関係が成り立つ。

表１に示すように、本実施例媒体（実施例１−１〜１−３）の√２ａ_３は、何れもＭｇＯの格子定数が４．２１Ａを上回っており、第４の下地層（ＭｇＯ）１０５に膜面内方向の引っ張り応力を及ぼしていると考えられる。

磁性層１０６からは、Ｌ１_０−ＦｅＰｔ(００１)ピーク、及びＬ１_０−ＦｅＰｔ(００２)ピークとＦＣＣ−ＦｅＰｔ(２００)ピークの混合ピークが観察された。後者の積分強度に対する前者の積分強度比は、いずれも１．８以上であった。このことは、磁性層１０６中のＦｅＰｔ合金は規則度の高いＬ１_０型構造を有し、且つ、(００１)配向をとっていることを示している。ＭｇＯからの回折ピークは確認されなかったが、磁性層１０６中のＦｅＰｔ合金が強い(００１)配向を示していることから、(１００)配向をとっていると考えられる。

一方、第３の下地層１０４を形成していない比較例媒体（比較例１）の磁性層１０６からも、実施例媒体と同様、Ｌ１_０−ＦｅＰｔ(００１)ピーク、及びＬ１_０−ＦｅＰｔ(００２)ピークとＦＣＣ−ＦｅＰｔ(２００)ピークの混合ピークが観察された。但し、後者の積分強度に対する前者の積分強度比は１．３程度であった。これより、第３の下地層１０４として格子定数が、２．９８Ａ以上の第３の磁性層（ＣｒＭｏ、若しくはＭｏ）１０４を形成することによって、規則度を大幅に改善できることがわかった。

本実施例媒体（実施例１−１〜１−３）及び比較例媒体（比較例１）の保磁力(Ｈｃ)を表２に示す。

表２に示すように、第３の下地層１０４中のＭｏ濃度の増加と共に、Ｈｃが増加しており、純Ｍｏを使用した場合には、１７．７ｋＯｅのＨｃが得られた。この値は、第３の下地層１０４を形成しない比較例媒体のＨｃより、６ｋＯｅ程度高い値である。これは、本実施例媒体の方がＬ１_０−ＦｅＰｔ合金の規則度が高いためと考えられる。

以上により、第３の下地層１０４として、格子定数が２．９８Ａ以上のＣｒＭｏ合金、若しくはＭｏを形成することにより、６００℃以下の基板加熱でも規則度が良好で、高いＨｃを示す熱アシスト磁気記録媒体が得られることがわかった。

なお、第１の下地層１０２として、Ｎｉ−３８ａｔ％Ｔａ合金の代わりに、Ｎｉ−５０ａｔ％Ｔｉ、Ｃｏ−４５ａｔ％Ｔａ、Ｃｏ−５０ａｔ％Ｔｉ、Ｃｒ−５５ａｔ％Ｔｉ、Ｃｒ−４０ａｔ％Ｔａ等の非晶質合金を用いてもよい。また、磁性層１０６には、ＦｅＰｔ合金にＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ等の酸化物を１０〜２０mol％添加した材料を用いることもできる。

（第２の実施例）
第２の実施例において作製した熱アシスト磁気記録媒体（以下、実施例媒体という。）の層構成の一例を図３に示す。
本実施例媒体を作製する際は、ガラス基板２０１上に、層厚５ｎｍのＣｏ−５０ａｔ％Ｔｉからなる第１の下地層２０２と、層厚１００ｎｍのＣｏ−１５ａｔ％Ｔａ−３ａｔ％Ｚｒからなる軟磁性下地層２０３と、層厚１０ｎｍのＣｒ−２０ａｔ％Ｔｉ（実施例２−１）、Ｃｒ−２０ａｔ％Ｍｏ（実施例２−２）、Ｃｒ−３０ａｔ％Ｖ（実施例２−３）、Ｃｒ−１５ａｔ％Ｍｎ（実施例２−４）、Ｃｒ−１５ａｔ％Ｒｕ（実施例２−５）、Ｃｒ−１５ａｔ％Ｗ（実施例２−６）、Ｃｒ−１５ａｔ％Ｔｉ−５ａｔ％Ｂ（実施例２−７）、Ｃｒ−１５ａｔ％Ｍｏ−１０ａｔ％Ｂ（実施例２−８）、Ｃｒ−２０ａｔ％Ｖ−５ａｔ％Ｂ（実施例２−９）、Ｃｒ−１６ａｔ％Ｖ−１０ａｔ％Ｃ（実施例２−１０）、Ｃｒ−２５ａｔ％Ｍｎ−３ａｔ％Ｂ（実施例２−１１）、Ｃｒ−１５ａｔ％Ｍｎ−１０ａｔ％Ｃ（実施例２−１２）、Ｃｒ−１５ａｔ％Ｍｎ−５ａｔ％Ｓｉ（実施例２−１３）、Ｃｒ−１０ａｔ％Ｒｕ−８ａｔ％Ｂ（実施例２−１４）、Ｃｒ−５ａｔ％Ｍｎ−１０ａｔ％Ｃ（実施例２−１５）、若しくはＣｒ−３０ａｔ％Ｗ−５ａｔ％Ｂ（実施例２−１６）からなる第２の下地層２０４と、層厚９ｎｍのＷからなる第３の下地層２０５と、層厚２ｎｍのＭｇＯからなる第４の下地層２０６と、層厚１０ｎｍの（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−４０ａｔ％ＴｉＯ_２からなる磁性層２０７と、層厚４ｎｍのＣｏ−２０ａｔ％Ｎｂ−１０ａｔ％Ｚｒからなるキャップ層２０８と、層厚３ｎｍのカーボン(Ｃ)からなる保護層２０９とを順次積層して形成した。また、第１の下地層２０２の形成後と第４の下地層２０６の形成後に、２度の基板加熱を行っており、加熱温度は、それぞれ１８０℃と４５０℃である。また、比較例２として、第２の下地層２０４を形成せず、第１の下地層（ＣｏＴａＺｒ合金）２０２上に、第３の下地層（Ｗ）２０５を直接形成した熱アシスト磁気記録媒体（以下、比較例媒体という。）を作製した。

本実施例媒体（実施例２−１〜２−１０）のＸ線回折測定を行ったところ、第２の下地層２０４に用いたＣｒ合金、及び第３の下地層２０５に用いたＷは、何れも(１００)配向していることがわかった。また、第３の下地層２０５として用いたＷの(２００)ピークから求めた格子定数は、３．１７Ａであった。

磁性層２０７からは、Ｌ１_０−ＦｅＰｔ(００１)ピーク、及びＬ１_０−ＦｅＰｔ(００２)ピークとＦＣＣ−ＦｅＰｔ(２００)ピークの混合ピークが観察された。後者の積分強度に対する前者の積分強度比、保磁力Ｈｃ、保持力分散ΔＨｃ／Ｈｃの値を表３に示す。

なお、ΔＨｃ／Ｈｃは、「IEEE Trans. Magn., vol.27, pp4975-4977, 1991」に記載の方法で測定した。具体的には、メジャーループ及びマイナーループにおいて、磁化の値が飽和値の５０％となるときの磁界を測定し、両者の差分から、Ｈｃ分布がガウス分布であると仮定してΔＨｃ／Ｈｃを算出した。ΔＨｃ／Ｈｃは、反転磁界分散に相当するパラメーターであり、この値が低いほど、反転磁界分散が狭くなるため、良好な媒体ＳＮＲが得られる。

表３に示すように、本実施例媒体（実施例２−１〜２−１０）の積分強度比は、何れも１．６以上であった。このことは、本実施例媒体の磁性層２０７中のＦｅＰｔ合金が、高い規則度を有していることを示している。また、本実施例媒体の保磁力が、何れも１５ｋＯｅ以上の高い値を示しているのは、このためと考えられる。

また、第２の下地層２０４に、Ｂ、Ｃ、若しくはＳｉを含有した合金を用いた媒体（実施例２−７〜２−１６）は、上記元素を添加しない媒体（実施例２−１〜２−６）に比べてΔＨｃ／Ｈｃが低い傾向が見られる。特に、第２の下地層２０４に、ＣｒＶＢ、ＣｒＶＣ、ＣｒＭｎＢ、ＣｒＲｕＢを用いた媒体が、０．２以下の低いΔＨｃ／Ｈｃを示した。

一方、比較例媒体（比較例２）のＸ線回折測定を行ったところ、第３の下地層２０５に用いたＷは、(１００)配向を示さず、(１１０)配向をとっていた。また、磁性層２０７からは、Ｌ１_０−ＦｅＰｔ(００１)ピークが観察されず、ＦｅＰｔ合金の規則度が不十分であることがわかった。このため、保磁力も９ｋＯｅ程度と、本実施例媒体に比べて大幅に低かった。

以上により、第２の下地層２０３として、(１００)配向したＣｒ合金を用い、第３の下地層２０５として、Ｗを形成することによって、磁性層２０７中のＦｅＰｔ合金の規則度が良好で、高い保磁力を有する熱アシスト磁気記録媒体が得られることがわかった。また、第２の下地層２０４に、ＣｒＶＢ、ＣｒＶＣ、ＣｒＭｎＢ、ＣｒＲｕＢを用いることにより、特にΔＨｃ／Ｈｃを低減できることがわかった。

なお、第１の下地層２０２には、ＣｏＴａＺｒ合金以外にも、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＦｅＴａＺｒ、ＣｏＦｅＴａＢ、ＣｏＦｅＴａＳｉ、ＣｏＦｅＺｒＳｉ、ＣｏＦｅＺｒＢ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＴａＣ等の軟磁性合金を用いることができる。また、ガラス基板２０１と第１の下地層２０２との間に密着性改善を目的とした接着層を形成してもよい。接着層には、ＮｉＴａ、ＮｉＴｉ、ＣｏＴａ、ＣｏＴｉ、ＣｒＴｉ、ＣｒＴａ合金等、ガラス基板２０１との密着性の良い非晶質合金を用いることができる。

（第３の実施例）
第３の実施例において作製した熱アシスト磁気記録媒体（以下、実施例媒体という。）の層構成の一例を図４に示す。ガラス基板３０１上に、層厚５０ｎｍのＣｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｚｒからなる第１の下地層３０２と、層厚１０ｎｍのＣｒ−２０ａｔ％Ｍｏ−５ａｔ％Ｂからなる第２の下地層３０３と、層厚１０ｎｍのＶ−１５ａｔ％Ｃｒ（実施例３−１）、Ｖ−１５ａｔ％Ｔｉ（実施例３−２）、Ｍｏ−２０ａｔ％Ｃｒ（実施例３−３）、Ｍｏ−３０ａｔ％Ｖ（実施例３−４）、Ｍｏ−２０ａｔ％Ｔａ（実施例３−５）、Ｍｏ−１０ａｔ％Ｎｂ（実施例３−６）、Ｍｏ−２０ａｔ％Ｔｉ（実施例３−７）、Ｍｏ−４５ａｔ％Ｗ（実施例３−８）、Ｗ−２０ａｔ％Ｃｒ（実施例３−９）、Ｗ−２０ａｔ％Ｖ（実施例３−１０）、Ｗ−３０ａｔ％Ｔａ（実施例３−１１）、Ｗ−２５ａｔ％Ｎｂ（実施例３−１２）、Ｗ−３０ａｔ％Ｔｉ（実施例３−１３）、Ｔａ−２０ａｔ％Ｃｒ（実施例３−１４）、Ｔａ−３０ａｔ％Ｖ（実施例３−１５）、Ｔａ−２５ａｔ％Ｔｉ（実施例３−１６）、Ｔａ−２０ａｔ％Ｚｒ（実施例３−１７）、Ｔａ−３０ａｔ％Ｎｂ（実施例３−１８）、Ｍｏ（実施例３−１９）、若しくはＷ（実施例３−２０）からなる第３の下地層３０４と、層厚１．５ｎｍのＭｇＯからなる第４の下地層３０５と、層厚６ｎｍの（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−８mol％ＳｉＯ_２−４mol％Ｃｒ_２Ｏ_３からなる磁性層３０６と、層厚３ｎｍのＦｅ−１５ａｔ％Ａｌ−３ａｔ％Ｓｉからなるキャップ層３０７と、層厚３．２ｎｍのカーボン(Ｃ)からなる保護層３０８とを順次積層して形成した。また、第１の下地層３０２の形成後と第４の下地層３０５の形成後に、２度の基板加熱を行っており、加熱温度は、それぞれ１８０℃と４５０℃である。また、第１の下地層（ＣｏＣｒＺｒ合金）３０２を形成した後、チャンバー中に１ＰａのＡｒ＋１％Ｏ_２ガスを導入し、第１の下地層３０２の表面酸化を行った。

また、比較例３として、第２の下地層３０３を形成せず、第１の下地層（ＣｏＣｒＺｒ合金）３０２上に、上記各実施例３−１〜３−２０に対応する第３の下地層３０４を直接形成した熱アシスト磁気記録媒体（以下、比較例媒体という。）を作製した。

本実施例媒体（実施例３−１〜３−２０）のＸ線回折測定を行ったところ、第２の下地層３０３に用いたＣｒＴｉＢ合金は、(１００)配向をとっていた。また、第３の下地層３０４もＢＣＣ構造をとっており、且つ、(１００)配向をとっていた。(２００)ピークから見積もった第３の下地層３０４の格子定数は、何れも２．９８Ａ以上であった。磁性層３０６からは、強いＬ１_０−ＦｅＰｔ(００１)ピークが観察され、ＦｅＰｔ合金が規則度の高いＬ１_０構造をとっていることがわかった。

一方、比較例媒体の第３の下地層３０４は、(１００)配向を示さず、(１１０)配向を示した。また、磁性層３０６からは、Ｌ１_０−ＦｅＰｔ(００１)ピークが観察されなかった。

本実施例媒体（実施例３−１〜３−２０）の保磁力(Ｈｃ)を表４に示す。

表４に示すように、何れの実施例媒体も１５ｋＯｅ以上の高い保磁力を示している。これは、上述したように、磁性層３０６中のＦｅＰｔ合金が規則度の高いＬ１_０構造をとっているためと考えられる。特に、第３の下地層３０４にＭｏ、Ｗを用いた媒体が高い保磁力を示している。

一方、第２の下地層３０３を形成していない比較例媒体の保磁力は、何れも１０ｋＯｅ以下と低かった（表４において記載せず。）。これは、第１の下地層（ＣｏＣｒＺｒ合金）３０２上に直接形成した第３の下地層３０３が(１００)配向を示さなかったため、磁性層３０６中のＦｅＰｔ合金の規則度が不十分であることに起因していると考えられる。

以上により、第２の下地層３０３として、(１００)配向したＣｒ合金を用い、この第２の下地層３０３上に、格子定数が２．９８Ａ以上のＢＣＣ構造を有する第３の下地層３０４を形成することにより、５００℃以下の基板加熱でも良好な規則度を示し、高い保磁力を示す熱アシスト磁気記録媒体が得られることがわかった。

なお、第１の下地層３０２の下には、ヒートシンク層として、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ等を主成分とする熱伝導率の高い合金層を形成してもよい。

（第４の実施例）
第４の実施例では、第３の下地層３０４に、層厚１０ｎｍのＭｏ−２０ａｔ％Ｗ（実施例４）を使用した以外は、上記図４に示す実施例媒体と同様の構成を有する熱アシスト磁気記録媒体（以下、実施例媒体という。）を作製した。また、比較例４として、第２の下地層３０３を形成せず、第１の下地層３０２上に、層厚１０ｎｍのＭｏ−２０ａｔ％Ｗからなる第３の下地層３０４を直接形成した熱アシスト磁気記録媒体（以下、比較例媒体という。）を作製した。上記以外の各層の膜厚は、上記第３の実施例の実施例媒体と同一であるが、第４の下地層（ＭｇＯ）３０５の膜厚のみ、１〜５ｎｍまで変化させた。

本実施例媒体（実施例４）及び比較例媒体（比較例４）の保磁力(Ｈｃ)とＭｇＯの膜厚との関係を図５に示す。
図５に示すように、本実施例媒体（実施例４）は、比較例媒体（比較例４）の保磁力よりも高く、ＭｇＯを１ｎｍまで薄くしても高い保磁力を維持している。これに対して、比較例媒体（比較例４）の保磁力は、ＭｇＯの膜厚が減少すると共に、保磁力が急激に低下した。第３の下地層３０４は、膜厚が５ｎｍと薄いため、Ｘ線回折測定によって格子定数を見積もることは困難であった。但し、ＭｏＷ合金は全率固溶系であるため、Ｖｅｇａｒｄ則から、Ｍｏ−２０ａｔ％Ｗ合金の格子定数は、概ね３．１５Ａ程度と見積もられる。

以上により、格子定数が２．９８Ａ以上のＢＣＣ構造を有する第３の下地層３０４を形成することにより、その上に形成される第４の下地層（ＭｇＯ）３０５の膜厚を５ｎｍ以下まで薄くしても、高い保磁力を示す熱アシスト磁気記録媒体が得られることがわかった。

なお、第３の下地層３０４には、格子定数が２．９８Ａ以上となる、ＶＣｒ、ＶＴｉ、ＭｏＣｒ、ＭｏＴｉ、ＭｏＶ、ＭｏＭｎ、ＭｏＲｕ、ＭｏＷ、ＭｏＴａ、ＭｏＮｂ、ＷＣｒ、ＷＴｉ、ＷＶ、ＷＭｎ、ＷＲｕ、ＷＴａ、ＷＮｂ、ＴａＣｒ、ＴａＴｉ、ＴａＺｒ、ＴａＮｂ、ＮｂＣｒ、ＮｂＴｉ、ＮｂＺｒ等を用いた場合でも、同様な効果が得られる。

（第５の実施例）
実施例５においては、上記第１〜第４の実施例において作製した熱アシスト磁気記録媒体の表面にパーフルオルポリエーテル系の潤滑剤を塗布した後、図６に示す磁気記録再生装置に組み込んだ。この磁気記録再生装置は、熱アシスト磁気記録媒体５０１と、熱アシスト磁気記録媒体を回転させるための媒体駆動部５０２と、熱アシスト磁気記録媒体５０１に対して記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッド５０３と、磁気ヘッド５０３を熱アシスト磁気記録媒体５０１に対して相対移動させるためのヘッド駆動部５０４と、磁気ヘッド５０３への信号入力と磁気ヘッド５０３から出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理系５０５とから概略構成される。なお、上記磁気記録再生装置には、図６に図示されていないものの、レーザー光を発生させるレーザー発生装置と、発生したレーザー光を磁気ヘッド５０３まで伝達するための導波路とが配置されている。

また、上記磁気記録再生装置に組み込んだ磁気ヘッド５０３の構造を図７に模式的に示す。この磁気ヘッド５０３は、記録ヘッド６０１と再生ヘッド６０２とを備え、記録ヘッド６０１は、主磁極６０３、補助磁極６０４、及び両者の間に挟まれたＰＳＩＭ（Planar Solid Immersion Mirror）６０５から構成される。ＰＳＩＭ６０５は、例えば「Ｊｐｎ．，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ１４５，ｎｏ．２Ｂ，ｐｐ１３１４−１３２０（２００６）」に記載されているような構造のものを用いることができる。記録ヘッド６０１は、ＰＳＩＭ６０５のグレーティング部６０６にレーザーダイオードなどのレーザー光源６０７が発する波長６５０ｎｍのレーザー光Ｌを照射し、ＰＳＩＭ６０５の先端部（近接場光発生部）から発生した近接場光ＮＬにより熱アシスト磁気記録媒体５０１を加熱しながら記録を行う。一方、再生ヘッド６０２は、上部シールド６０８と下部シールド６０９で挟まれたＴＭＲ素子６１０で構成されている。

上記磁気ヘッド５０３により、熱アシスト磁気記録媒体５０１を加熱し、線記録密度１８００ｋＦＣＩ（kilo Flux changes per Inch）で記録し、電磁変換特性を測定したところ、１５ｄＢ以上の高い媒体ＳＮ比と良好な重ね書き特性が得られた。また、軟磁性合金を形成した上記第２の実施例の熱アシスト磁気記録媒体は、特に良好な重ね書き特性を示した。

なお、本実施例では、導波路と近接場光発生部を、主磁極６０３のリーディング側に配置したが、主磁極６０３のトレーリング側に配置することもできる。また、記録ヘッド６０１と再生ヘッド６０２との間に配置してもよい。

１０１…ガラス基板
１０２…第１の下地層
１０３…第２の下地層
１０４…第３の下地層
１０５…第４の下地層
１０６…磁性層
１０７…保護層
２０１…ガラス基板
２０２…第１の下地層
２０３…第２の下地層
２０４…第３の下地層
２０５…第４の下地層
２０６…磁性層
２０７…キャップ層
２０８…保護層
３０１…ガラス基板
３０２…第１の下地層
３０３…第２の下地層
３０４…第３の下地層
３０５…第４の下地層
３０６…磁性層
３０７…キャップ層
３０８…保護層
５０１…熱アシスト磁気記録媒体
５０２…媒体駆動部
５０３…磁気ヘッド
５０４…ヘッド駆動部
５０５…記録再生信号処理系
６０１…記録ヘッド
６０２…再生ヘッド
６０３…主磁極
６０４…補助磁極
６０５…ＰＳＩＭ（Planar Solid Immersion Mirror）
６０６…グレーティング部
６０７…レーザー光源
６０８…上部シールド
６０９…下部シールド
６１０…ＴＭＲ素子
Ｌ…レーザー光
ＮＬ…近接場光

Claims (12)

1. 基板と、
   前記基板の上に形成された下地層と、
   前記下地層の上に形成された磁性層とを備え、
   前記磁性層が、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分として含み、
   前記下地層が、非晶質合金、若しくは微結晶構造を有する合金からなる第１の下地層と、Ｃｒ、若しくはＣｒを主成分とするＢＣＣ構造を有する合金からなる第２の下地層と、格子定数が２．９８Ａ以上のＢＣＣ構造を有する金属又は合金からなる第３の下地層と、ＭｇＯからなる第４の下地層とから構成され、
   前記第３の下地層の格子定数が、前記第２の下地層の格子定数より大きいことを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。
2. 前記第１の下地層が、非磁性、若しくは磁化が１００emu／cc以下のＮｉＴａ、ＮｉＴｉ、ＣｏＴａ、ＣｏＴｉ、ＣｒＴａ、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒＺｒ、ＣｏＣｒＴａ合金からなることを特徴とする請求項１に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
3. 前記第２の下地層が、Ｃｒを主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｎの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
4. 前記第２の下地層が、Ｃｒを主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｎの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有し、且つ、Ｂ、Ｓｉ、Ｃの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
5. 前記第２の下地層の格子定数が、２．９８Ａ以下であることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
6. 前記第３の下地層が、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
7. 前記第３の下地層が、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有し、且つ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｔｉの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
8. 前記第３の下地層が、Ｍｏ、若しくはＷの金属からなることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
9. Ｃｏ、若しくはＦｅを主成分とし、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する軟磁性合金からなる下地層が、第１の下地層と第２の下地層との間、若しくは基板と第１の下地層との間に形成されていることを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
10. 前記磁性層が、Ｌ１_０構造を有するＦｅＰｔ又はＣｏＰｔ合金を主成分とし、且つ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃの中から選ばれる少なくとも１種の酸化物、若しくは元素を含有する合金からなることを特徴とする請求項１〜９の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
11. 前記磁性層の上に形成されたキャップ層を備え、
    前記キャップ層が、Ｃｏ、Ｎｉ、若しくはＦｅを主成分とし、且つ、前記磁性層よりも磁気異方性が低い合金からなることを特徴とする請求項１〜１０の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
12. 請求項１〜１１の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体と、
    前記熱アシスト磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
    前記熱アシスト磁気記録媒体を加熱するレーザー発生部と、前記レーザー発生部から発生したレーザー光を先端部へと導く導波路とを有して、前記熱アシスト磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、
    前記磁気ヘッドを前記熱アシスト磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、
    前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドから出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理系とを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。

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