CN103226954A - 热辅助磁记录介质和磁记录再生装置 - Google Patents
热辅助磁记录介质和磁记录再生装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103226954A CN103226954A CN2013100320077A CN201310032007A CN103226954A CN 103226954 A CN103226954 A CN 103226954A CN 2013100320077 A CN2013100320077 A CN 2013100320077A CN 201310032007 A CN201310032007 A CN 201310032007A CN 103226954 A CN103226954 A CN 103226954A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- basalis
- alloy
- magnetic recording
- hamr
- medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 131
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 106
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 105
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011435 rock Substances 0.000 claims description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 241000849798 Nita Species 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 6
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 claims description 6
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 claims description 6
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 229910001149 41xx steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 5
- 230000008676 import Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 241001239379 Calophysus macropterus Species 0.000 description 2
- 229910015320 MoMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015799 MoRu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016024 MoTa Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016027 MoTi Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016026 MoV Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000917012 Quercus floribunda Species 0.000 description 2
- 229910004525 TaCr Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004168 TaNb Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000009940 knitting Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N Matrine Chemical compound C1CC[C@H]2CN3C(=O)CCC[C@@H]3[C@@H]3[C@H]2N1CCC3 ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/736—Non-magnetic layer under a soft magnetic layer, e.g. between a substrate and a soft magnetic underlayer [SUL] or a keeper layer
- G11B5/7363—Non-magnetic single underlayer comprising nickel
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/736—Non-magnetic layer under a soft magnetic layer, e.g. between a substrate and a soft magnetic underlayer [SUL] or a keeper layer
- G11B5/7364—Non-magnetic single underlayer comprising chromium
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
- G11B5/737—Physical structure of underlayer, e.g. texture
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
本发明的热辅助磁记录介质，具备：基板、在基板上形成的基底层、和在基底层上形成的磁性层，磁性层含有具有L10结构的合金作为主成分，基底层由下述层构成：第1基底层，该第1基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成；第2基底层，该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的具有BCC结构的合金构成；第3基底层，该第3基底层由具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的金属或合金构成；和第4基底层，该第4基底层由MgO构成。
Description
技术领域
本发明涉及用于硬盘装置（HDD）等的热辅助磁记录介质和使用了该热辅助磁记录介质的磁记录再生装置。
本申请基于在2012年1月31日在日本提出的专利申请2012-019185号要求优先权，将其内容援引于本申请中。
背景技术
近年来，对磁记录介质照射近场光等将表面局部地加热，使该磁记录介质的矫顽力降低进行写入的热辅助记录，作为能够实现1Tbit/英寸2级的面记录密度的下一代记录方式受到关注。
在使用该热辅助记录的情况下，即使是室温下的矫顽力为数十kOe的磁记录介质，也可通过现有磁头的记录磁场容易地进行写入。因此，在热辅助磁记录介质中，磁性层可使用具有106J/m3程度的高的晶体磁各向异性（Ku）的材料，可以在维持热稳定性的状态下将磁性粒径微细化到6nm以下。作为这样的高Ku材料，已知例如具有L10型的晶体结构的FePt合金（Ku：约7×106J/m3）和具有L10型的晶体结构的CoPt合金（Ku：约5×106J/m3）等。
然而，为了使FePt合金有序化（规则化）并取得L10结构，需要将基板温度加热到600~700℃以上。但是，从玻璃基板的耐热性的观点出发，希望基板温度设定为约600℃以下。上述有序化温度可以通过向FePt添加第三元素来降低。例如，在非专利文献1中记载了，通过向FePt添加Cu，可以大幅度地降低上述的有序化温度。另外，在非专利文献2中记载了，通过除了Cu以外还添加Ag、Au，可以降低上述的有序化温度。
现有技术文献
非专利文献1：Appl.Phys.Lett.80,2147(2002)
非专利文献2：J.Appl.Phys.92,6104(2002)
发明内容
如上述那样，为使用于热辅助磁记录介质的FePt合金或CoPt合金有序化并取得L10结构，需要将基板加热到600~700℃以上。另外，上述的有序化温度可以通过向FePt合金添加Cu、Ag、Au等的第三元素来降低。
但是，该情况下，会招致Ku的降低。此外，在添加了第三元素的情况下，与该第三元素的浓度分布相伴，矫顽力分散ΔHc/Hc增大。因此，需要不向FePt合金或CoPt合金添加第三元素而将上述的有序化温度降低到作为玻璃基板的耐热温度的600℃以下。
另外，在热辅助磁记录介质的磁性层使用FePt合金或CoPt合金的情况下，这些合金膜需要在取得有序度高的L10结构的同时，设为使（001）面与基板面平行的取向。
为使FePt合金采取（001）取向，优选在（100）取向了的MgO基底层上形成该FePt合金。已知MgO通常通过在玻璃基板上直接形成或在Ta等的基底层上形成来取得（100）取向。
但是，为了实现良好的（100）取向，优选将该MgO基底层的厚度设定为10nm以上，但从生产效率的观点出发，希望MgO基底层的厚度为5nm以下，优选为3nm以下。此外，从抑制微粒产生的观点出发，优选MgO基底层较薄。因此，需要形成厚度为3nm以下、并且显示良好的（100）取向的MgO基底层。
本发明是鉴于这样的现有状况而提出的，其目的是提供有序化温度低、可将MgO基底层的膜厚降低到5nm以下的热辅助磁记录介质、以及具备这样的热辅助磁记录介质的磁记录再生装置。
本发明提供以下的方案。
（1）一种热辅助磁记录介质，其特征在于，具备：
基板；
在上述基板上形成的基底层；和
在上述基底层上形成的磁性层，
上述磁性层含有具有L10结构的合金作为主成分，
上述基底层由下述层构成：第1基底层，该第1基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成；第2基底层，该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的具有BCC结构的合金构成；第3基底层，该第3基底层由具有晶格常数为2.98埃
以上的BCC结构的金属或合金构成；和第4基底层，该第4基底层由MgO构成。
（2）根据上述（1）所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第1基底层由非磁性或磁化强度为100emu/cc以下的NiTa、NiTi、CoTa、CoTi、CrTa、CrTi、CoCrZr、CoCrTa合金构成。
（3）根据上述（1）所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第2基底层，由以Cr为主成分、含有选自Ti、V、Mo、W、Ru、Mn之中的至少一种元素的合金构成。
（4）根据上述（1）所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第2基底层，由以Cr为主成分、含有选自Ti、V、Mo、W、Ru、Mn之中的至少一种元素、并且含有选自B、Si、C之中的至少一种元素的合金构成。
（5）根据上述（1）所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第2基底层的晶格常数为2.98埃以下。
（6）根据上述（1）所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第3基底层，由含有选自V、Mo、W、Ta、Nb之中的至少一种元素的合金构成。
（7）根据上述（1）所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第3基底层，由含有选自V、Mo、W、Ta、Nb之中的至少一种元素、并且含有选自Cr、Mn、Ru、Ti之中的至少一种元素的合金构成。
（8）根据上述（1）所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第3基底层，由Mo或W金属构成。
（9）根据上述（1）所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第3基底层的晶格常数比上述第2基底层的晶格常数大。
（10）根据上述（1）所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，在第1基底层和第2基底层之间、或者基板和第1基底层之间，形成有由以Co或Fe为主成分、含有选自Ta、B、Si、Zr、Al、C之中的至少一种元素的软磁性合金构成的基底层。
（11）根据上述（1）所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述磁性层，由以具有L10结构的FePt或CoPt合金为主成分，并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、C之中的至少一种的氧化物或元素的合金构成。
（12）根据上述（1）所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，具备在上述磁性层上形成的盖层（帽层，caplayer），
上述盖层，由以Co、Ni或Fe为主成分、并且磁各向异性比上述磁性层低的合金构成。
（13）一种磁记录再生装置，其特征在于，具备：
上述（1）所述的热辅助磁记录介质；
将上述热辅助磁记录介质沿记录方向驱动的介质驱动部；
针对上述热辅助磁记录介质进行记录动作和再生动作的磁头，其具有对上述热辅助磁记录介质进行加热的激光发生部和将从上述激光发生部发生的激光引导到前端部的波导；
使上述磁头相对于上述热辅助磁记录介质进行相对移动的磁头移动部；和
用于进行向上述磁头输入信号和从上述磁头再生输出信号的记录再生信号处理系统。
根据本发明的热辅助磁记录介质，能够实现有序化温度低、将MgO基底层（第4基底层）的膜厚降低到5nm以下的热辅助磁记录介质。因此，通过应用这样的热辅助磁记录介质，可以提供大容量的磁记录再生装置。附图说明
图1是表示第1实施例中制作的热辅助磁记录介质的层构成的一例的截面图。
图2是表示第1实施例中制作的热辅助磁记录介质的X射线衍射光谱的图。
图3是表示第2实施例中制作的热辅助磁记录介质的层构成的一例的截面图。
图4是表示第3实施例中制作的热辅助磁记录介质的层构成的一例的截面图。
图5是表示在第4实施例中制作的本实施例介质和比较例介质的矫顽力（Hc）和MgO膜厚的关系的曲线图。
图6是表示在第5实施例中使用的磁记录再生装置的构成的一例的立体图。
图7是模式地表示图6所示的磁记录再生装置具备的磁头的构成的截面图。
具体实施方式
以下，对于本发明涉及的热辅助磁记录介质和磁记录再生装置的优选例，参照附图详细地说明，但本发明不限定于这些例子。在不脱离本发明的要旨的范围，可以进行构成的附加、省略、置换和其他的变更。
再者，为易于明白本发明的特征，在以下的说明中使用的附图有时为方便起见将成为特征的部分放大地表示，各构成要素的尺寸比率等未必与实际的热辅助磁记录介质和磁记录再生装置相同。
应用了本发明的热辅助磁记录介质，其特征在于，具备：基板、在基板上形成的基底层、和在基底层上形成的磁性层，磁性层含有具有L10结构的合金作为主成分，基底层由下述基底层构成：第1基底层，该第1基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成；第2基底层，该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的BCC合金构成；第3基底层，该第3基底层由晶格常数为2.98埃以上的BCC合金构成；和第4基底层，该第4基底层由MgO构成。
制造本发明的热辅助磁记录介质时，首先，在基板上形成由非晶合金或具有微晶结构的合金构成的第1基底层后，将该基板加热到150~200℃以上。通过在该第1基底层上，形成由Cr或以Cr为主成分的BCC合金构成的第2基底层，可以使该第2基底层取得（100）取向。
第1基底层，只要是由具有非晶或微晶结构的合金构成就没有特别的限制，可以使用例如NiTa、NiTi、CoTa、CoTi、CrTa、CrTi、CoCrZr、CoCrTa合金等。另外，第1基底层优选是非磁性的，但若为100emu/cc以下则即使具有微弱的磁化也没有问题。因此，上述合金之中的、含有Ni、Co等磁性元素的合金，该磁性元素的含量优选为70原子%以下，更优选为60原子%以下。
第2基底层可以使用Cr、或由以Cr为主成分并含有选自Ti、V、Mo、W、Ru、Mn之中的至少一种元素的合金，例如CrTi、CrV、CrMo、CrW、CrRu、CrMn等的Cr合金。
此外，第2基底层也可以使用向上述Cr合金添加了B、C、Si等的元素的合金。通过添加这些元素，可以将第2基底层的粒径微细化。另外，通过向第2基底层添加上述元素，也能够将形成于第2基底层上的第3基底层和第4基底层的粒径微细化，可将最终形成于基底层上的磁性层的粒径均匀化。
上述元素向Cr合金的添加量，虽然只要是在该Cr合金取得BCC结构的范围内就没有特别的限制，但是大量的添加会使第2基底层的（100）取向劣化，因此不优选。因此，向第2基底层添加的上述添加元素的合计，优选为约40原子%以下左右。
在本发明中，通过在上述第2基底层上形成MgO基底层，能够使该MgO基底层成为（100）取向。另外，通过在（100）取向了的MgO基底层上形成FePt合金或CoPt合金（磁性层），可以使这些合金成为（001）取向了的L10结构。
但是，该情况下，需要将基板温度加热到600~700℃以上。本发明者们研讨了各种的基底层的构成的结果，发现了通过在第2基底层上形成由晶格常数为2.98埃以上的BCC合金构成的第3基底层，并在该第3基底层上形成MgO基底层（第4基底层），可以降低有序化温度。
由此，通过600℃以下的基板加热，可以得到具有高的矫顽力的热辅助磁记录介质。对于能够降低该有序化温度的原因，可以考虑如下。
即，具有L10结构的FePt合金或CoPt合金，采取在与膜面垂直的方向上收缩的FCT结构。该情况下，通过在膜面内方向上导入拉伸应力，可促进有序化，能够降低有序化温度。MgO基底层的晶格常数，比L10-FePt合金或L10-CoPt合金的a轴长度大了约10%。因此，L10-FePt合金或L10-CoPt合金在MgO基底层上外延生长时，这些合金在膜面内方向上被导入拉伸应力。如本发明那样，在具有晶格常数的
倍的值比MgO的晶格常数大的BCC结构的第3基底层上，使由MgO构成的第4基底层外延生长的情况下，能够将该MgO的晶格常数在膜面内方向上扩大。由此，可以进一步增大对FePt合金或CoPt合金施加的面内拉伸应力。因此，可促进FePt合金或CoPt合金的有序化，能够降低有序化温度。
第3基底层，如果为具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的金属或合金，则没有特别的限制。在BCC（100）取向了的第3基底层（UL3）上，MgO外延生长并进行（100）取向的情况下，在面内方向上UL3＜100＞//MgO＜100＞的方位关系成立。因此，如果第3基底层的晶格常数（a3）为2.98埃以上，则
为4.23埃以上，高于MgO的晶格常数。
由此，在MgO的膜面内方向导入拉伸应力，可以扩大晶格常数。另外，由此，在FePt合金或CoPt合金的面内方向上导入拉伸应力，能够促进有序化。
对于第3基底层的晶格常数的上限，虽然没有特别的限制，但是由于需要在第2基底层上进行外延生长并取得（100）取向，因此优选设为与用于第2基底层的合金的晶格失配度不低于约10%的范围内。这样的第3基底层，可以使用含有选自V、Mo、W、Ta、Nb之中的至少一种元素的合金，具体地讲，可以使用VCr、VTi、MoCr、MoTi、MoV、MoMn、MoRu、MoW、MoTa、MoNb、WCr、WTi、WV、WMn、WRu、WTa、WNb、TaCr、TaTi、TaZr、TaNb、NbCr、NbTi、NbZr等。另外，也可以以单质的形式使用V、Mo、W、Ta、Nb。
再者，可以考虑通过第2基底层使用晶格常数（a3）为2.98埃以上的Cr合金，即使不设置第3基底层也能够向MgO导入拉伸应力的可能性。但是，这个实现困难。即，为了向Cr添加其他元素，使晶格常数为2.98埃以上，需要将元素的添加量设定为约40原子%，但该情况下，第2基底层的结晶性、取向性大幅度地劣化。因此，不设置第3基底层就向MgO导入拉伸应力较困难。
由MgO构成的第4基底层，通过形成于上述第3基底层上，可以不使MgO的取向性、结晶性劣化而将该MgO的厚度减薄到5nm以下。由此，可以得到MgO的膜厚为5nm以下、并且有序化温度为600℃以下的热辅助磁记录介质。
磁性层可以使用具有L10结构的FePt合金或CoPt合金。磁性层优选采取上述FePt合金或CoPt合金由晶界偏析材料包围的粒状结构。作为晶界偏析材料，可以使用例如SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、C或它们的混合物。
在上述磁性层上也可以设置盖层。该情况下，可以经由盖层向磁性层中的粒子间导入交换耦合，降低矫顽力分散。但是，过度的交换耦合使团簇尺寸增加，因此盖层的饱和磁化强度（Ms）和膜厚需要考虑这些因素进行设计。另外，盖层的Ku优选设定得比磁性层低。由此，可使磁性层的磁化翻转（反转）容易，改善写入特性。
在本发明中，除了上述以外，还可以将Cu、Ag、Al或以这些元素为主成分的导热率高的合金材料作为热沉层而形成。优选热沉层设置在第1基底层和基板之间。
另外，为了改善写入特性，也可以设置以Co或Fe为主成分的具有非晶或微晶结构的软磁性基底层。软磁性基底层可以使用以Co或Fe为主成分，并含有选自Ta、B、Si、Zr、Al、C之中的至少一种元素的软磁性合金，例如CoTaZr、CoNbZr、CoFeTaZr、CoFeTaB、CoFeTaSi、CoFeZrSi、CoFeZrB、FeAlSi、FeTaC合金等。此外，软磁性基底层可以是上述合金的单层结构，也可以是夹持Ru进行反铁磁耦合了的叠层结构。
具有非晶或微晶结构的软磁性基底层，具有将第2基底层进行（100）取向的功能，因此可以设置在第1基底层和第2基底层之间。另外，也可以将软磁性基底层设置在第1基底层和基板之间。此外，在本发明中，除了上述的各层以外，还可以在基板上形成用于改善与基板的密着性的密着层。
实施例
以下，通过实施例使本发明的效果更加清楚。再者，本发明不限定于以下的实施例，在不变更其要旨的范围可以适当变更地实施。
（第1实施例）
图1示出第1实施例中制作的热辅助磁记录介质（以下，称为实施例介质）的层构成的一例。
制作本实施例介质时，在玻璃基板101上，依次层叠形成了：层厚为100nm的由Ni-38原子%Ta构成的第1基底层102、层厚为10nm的由Cr-15原子%Ti-5原子%B构成的第2基底层103、层厚为10nm的由Mo-40原子%Cr（实施例1-1）、Mo-20原子%Cr（实施例1-2）、或Mo（实施例1-3）构成的第3基底层104、层厚为2nm的由MgO构成的第4基底层105、层厚为10nm的由（Fe-55原子%Pt）-40原子%C构成的磁性层106、层厚为3nm的由碳（C）构成的保护层107。另外，在第1基底层102形成后和第4基底层105形成后，进行二次基板加热，加热温度分别为150℃和500℃。另外，作为比较例1，制成不形成第3基底层104而在第2基底层（Cr）103上直接形成了第4基底层（MgO）105的热辅助磁记录介质（以下，称为比较例介质）。
将本实施例介质（实施例1-1~1-3）的X射线衍射光谱示于图2。
如图2所示，可以确认出来自作为第2基底层103使用的Cr的（200）峰、来自作为第3基底层104使用的MoCr或Mo的（200）峰。这显示在第1基底层（NiTa）102上形成的第2基底层（Cr）103取得（100）取向，在该第2基底层上形成的第3基底层（CrMo或Mo）104进行了外延生长。另外，从第1基底层（NiTa）102没有观察到明显的衍射峰。因此，认为第1基底层102取得非晶结构或微晶结构。
将用于本实施例介质（实施例1-1~1-3）的第3基底层104的MoCr合金或Mo的晶格常数a3、和
的值示于表1。
表1
在此，a3从由CrMo（200）峰或Mo（200）峰估算出的面间距d200按a3＝2×d200计算出。在（100）取向了的第3基底层（MoCr或Mo）104上第4基底层（MgO）105外延生长而进行（100）取向的情况下，在面内方向上，CrMo＜110＞//MgO＜100＞、或Mo＜110＞//MgO＜100＞的方位关系成立。
如表1所示，本实施例介质（实施例1-1~1-3）的
均大于MgO的晶格常数4.21埃，可以认为给第4基底层（MgO）105带来了膜面内方向的拉伸应力。
从磁性层106观察到L10-FePt（001）峰、以及L10-FePt（002）峰与FCC-FePt（200）峰的混合峰。前者的积分强度相对于后者的积分强度的比都为1.8以上。这显示了磁性层106中的FePt合金具有有序度（规则度）高的L10型结构，并且取得（001）取向。没有确认出来自MgO的衍射峰，但磁性层106中的FePt合金显示强的（001）取向，由此认为取得了（100）取向。
另一方面，从没有形成第3基底层104的比较例介质（比较例1）的磁性层106也与实施例介质同样地观察到L10-FePt（001)峰、以及L10-FePt（002）峰与FCC-FePt（200）峰的混合峰。但是，前者的积分强度相对于后者的积分强度的比为1.3左右。由此可知通过形成晶格常数为2.98埃以上的第3磁性层（CrMo或Mo）104，可以大幅度地改善有序度。
将本实施例介质（实施例1-1~1-3）和比较例介质（比较例1）的矫顽力（Hc）示于表2。
表2
如表2所示，随着第3基底层104中的Mo浓度增加，Hc增加，在使用了纯Mo的情况下，得到了17.7kOe的Hc。该值是比没有形成第3基底层104的比较例介质的Hc高6kOe左右的值。认为这是由于本实施例介质这一方的L10-FePt合金的有序度高的缘故。
由以上可知，通过作为第3基底层104，形成晶格常数为2.98埃以上的CrMo合金或Mo，可得到即使在600℃以下的基板加热下有序度也良好，且显示高的Hc的热辅助磁记录介质。
再者，作为第1基底层102，也可以替代Ni-38原子%Ta合金，使用Ni-50原子%Ti、Co-45原子%Ta、Co-50原子%Ti、Cr-55原子%Ti、Cr-40原子%Ta等的非晶合金。另外，磁性层106也可以使用向FePt合金添加了10~20摩尔%的、SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO等氧化物的材料。
（第2实施例）
将第2实施例中制作的热辅助磁记录介质（以下，称为实施例介质）的层构成的一例示于图3。
制作本实施例介质时，在玻璃基板201上，依次层叠形成了：层厚为5nm的由Co-50原子%Ti构成的第1基底层202、层厚为100nm的由Co-15原子%Ta-3原子%Zr构成的软磁性基底层203、层厚为10nm的由Cr-20原子%Ti（实施例2-1）、Cr-20原子%Mo（实施例2-2）、Cr-30原子%V（实施例2-3）、Cr-15原子%Mn（实施例2-4）、Cr-15原子%Ru（实施例2-5）、Cr-15原子%W（实施例2-6）、Cr-15原子%Ti-5原子%B（实施例2-7）、Cr-15原子%Mo-10原子%B（实施例2-8）、Cr-20原子%V-5原子%B（实施例2-9）、Cr-16原子%V-10原子%C（实施例2-10）、Cr-25原子%Mn-3原子%B（实施例2-11）、Cr-15原子%Mn-10原子%C（实施例2-12）、Cr-15原子%Mn-5原子%Si（实施例2-13）、Cr-10原子%Ru-8原子%B（实施例2-14）、Cr-5原子%Mn-10原子%C（实施例2-15）、或Cr-30原子%W-5原子%B（实施例2-16）构成的第2基底层204、层厚为9nm的由W构成的第3基底层205、层厚为2nm的由MgO构成的第4基底层206、层厚为10nm的由（Fe-55原子%Pt）-40原子%TiO2构成的磁性层207、层厚为4nm的由Co-20原子%Nb-10原子%Zr构成的盖层208、层厚为3nm的由碳（C）构成的保护层209。另外，在第1基底层202形成后和第4基底层206形成后，进行二次的基板加热，加热温度分别为180℃和450℃。另外，作为比较例2，制成不形成第2基底层204而在第1基底层（CoTaZr合金）202上直接形成了第3基底层（W）205的热辅助磁记录介质（以下，称为比较例介质）。
进行了本实施例介质（实施例2-1~2-10）的X射线衍射测定，可知用于第2基底层204的Cr合金和用于第3基底层205的W都是（100）取向。另外，从作为第3基底层205使用的W的（200）峰求得的晶格常数为3.17埃。
从磁性层207观察到L10-FePt（001）峰、以及L10-FePt（002）峰与FCC-FePt（200）峰的混合峰。前者的积分强度相对于后者的积分强度的比、矫顽力Hc、矫顽力分散ΔHc/Hc的值示于表3。
再者，ΔHc/Hc采用「IEEE Trans.Magn.,vol.27,pp4975-4977,1991」中记载的方法测定。具体地讲，测定在主磁滞回线（major loop）和局部磁滞回线（minor loop）中，磁化值变为饱和值的50%时的磁场，假定Hc分布为高斯分布，从两者的差量计算出ΔHc/Hc。ΔHc/Hc是相当于反转磁场分散的参数，该值越低，反转磁场分散就变得越窄，因此可得到良好的介质SNR。
表3
如表3所示，本实施例介质（实施例2-1~2-10）的积分强度比都为1.6以上。这显示了本实施例介质的磁性层207中的FePt合金具有高的有序度。另外，认为本实施例介质的矫顽力都显示15kOe以上的高的值是由于这个原因。
另外，第2基底层204使用了含有B、C或Si的合金的介质（实施例2-7~2-16），与没有添加上述元素的介质（实施例2-1~2-6）相比，可看到ΔHc/Hc低的倾向。特别是第2基底层204使用了CrVB、CrVC、CrMnB、CrRuB的介质，显示了0.2以下的低的ΔHc/Hc。
另一方面，进行了比较例介质（比较例2）的X射线衍射测定，用于第3基底层205的W不显示（100）取向，采取了（110）取向。另外，从磁性层207没有观察到L10-FePt（001）峰，可知FePt合金的有序度不充分。因此，矫顽力为9kOe左右，与本实施例介质相比也大幅度地低。
由以上可知，通过作为第2基底层203使用（100）取向的Cr合金，作为第3基底层205形成W，可得到磁性层207中的FePt合金的有序度良好，且具有高的矫顽力的热辅助磁记录介质。另外，通过第2基底层204使用CrVB、CrVC、CrMnB、CrRuB，可以特别地降低ΔHc/Hc。
再者，第1基底层202，除了CoTaZr合金以外，还可以使用CoNbZr、CoFeTaZr、CoFeTaB、CoFeTaSi、CoFeZrSi、CoFeZrB、FeAlSi、FeTaC等的软磁性合金。另外，也可以在玻璃基板201和第1基底层202之间形成以改善密着性为目的的接合层。接合层可以使用NiTa、NiTi、CoTa、CoTi、CrTi、CrTa合金等的与玻璃基板201的密着性良好的非晶合金。
（第3实施例）
将第3实施例中制作的热辅助磁记录介质（以下，称为实施例介质）的层构成的一例示于图4。在玻璃基板301上，依次层叠形成了：层厚为50nm的由Co-30原子%Cr-10原子%Zr构成的第1基底层302、层厚为10nm的由Cr-20原子%Mo-5原子%B构成的第2基底层303、层厚为10nm的由V-15原子%Cr（实施例3-1）、V-15原子%Ti（实施例3-2）、Mo-20原子%Cr（实施例3-3）、Mo-30原子%V（实施例3-4）、Mo-20原子%Ta（实施例3-5）、Mo-10原子%Nb（实施例3-6）、Mo-20原子%Ti（实施例3-7）、Mo-45原子%W（实施例3-8）、W-20原子%Cr（实施例3-9）、W-20原子%V（实施例3-10）、W-30原子%Ta（实施例3-11）、W-25原子%Nb（实施例3-12）、W-30原子%Ti（实施例3-13）、Ta-20原子%Cr（实施例3-14）、Ta-30原子%V（实施例3-15）、Ta-25原子%Ti（实施例3-16）、Ta-20原子%Zr（实施例3-17）、Ta-30原子%Nb（实施例3-18）、Mo（实施例3-19）、或W（实施例3-20）构成的第3基底层304、层厚为1.5nm的由MgO构成的第4基底层305、层厚为6nm的由（Fe-55原子%Pt）-8原子%SiO2-4摩尔%Cr2O3构成的磁性层306、层厚为3nm的由Fe-15原子%Al-3原子%Si构成的盖层307、层厚为3.2nm的由碳（C）构成的保护层308。另外，在第1基底层302形成后和第4基底层305形成后，进行二次的基板加热，加热温度分别为180℃和450℃。另外，形成了第1基底层（CoCrZr合金）302后，向腔室中导入1Pa的Ar+1%O2气体，进行第1基底层302的表面氧化。
另外，作为比较例3，制成不形成第2基底层303而在第1基底层（CoCrZr合金）302上直接形成了对应于上述各实施例3-1~3-20的第3基底层304的热辅助磁记录介质（以下，称为比较例介质）。
进行了本实施例介质（实施例3-1~3-20）的X射线衍射测定，可知用于第2基底层303的CrTiB合金取得了（100）取向。另外，第3基底层304也取得了BCC结构，且取得了（100）取向。从（200）峰估算出的第3基底层304的晶格常数都为2.98埃以上。从磁性层306观察到强的L10-FePt（001）峰，可知FePt合金取得了有序度高的L10结构。
另一方面，比较例介质的第3基底层304，没有显示（100）取向，而是显示了（110）取向。另外，从磁性层306没有观察到L10-FePt（001）峰。
将本实施例介质（实施例3-1~3-20）的矫顽力（Hc）示于表4。
表4
如表4所示，任一实施例介质都显示出15kOe以上的高的矫顽力。认为这是由于如上述那样，磁性层306中的FePt合金取得了有序度高的L10结构的缘故。特别是第3基底层304使用了Mo、W的介质，显示了高的矫顽力。
另一方面，没有形成第2基底层303的比较例介质的矫顽力，都为10kOe以下、较低（在表4中没有记载）。认为这是由于直接形成于第1基底层（CoCrZr合金）302上的第3基底层303未显示（100）取向，因此磁性层306中的FePt合金的有序度不充分所造成的。
由以上可知，通过作为第2基底层303，使用（100）取向了的Cr合金，并在该第2基底层303上形成具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的第3基底层304，可得到即使在500℃以下的温度的基板加热下也显示良好的有序度、显示高的矫顽力的热辅助磁记录介质。
再者，也可以在第1基底层302之下，作为热沉层，形成以Al、Cu、Ag等为主成分的导热率高的合金层。
（第4实施例）
在第4实施例中，制作了除了第3基底层304使用层厚为10nm的Mo-20原子%W（实施例4）以外，具有与上述图4所示的实施例介质同样的构成的热辅助磁记录介质（以下，称为实施例介质）。另外，作为比较例4，制成不形成第2基底层303而在第1基底层302上直接形成层厚为10nm的由Mo-20原子%W构成的第3基底层304的热辅助磁记录介质（以下，称为比较例介质）。上述以外的各层的膜厚，与上述第3实施例的实施例介质相同，但只使第4基底层（MgO）305的膜厚变化到1～5nm。
将本实施例介质（实施例4）和比较例介质（比较例4）的矫顽力（Hc）与MgO的膜厚的关系示于图5。
如图5所示，本实施例介质（实施例4）的矫顽力，高于比较例介质（比较例4）的矫顽力，即使将MgO减薄到1nm也维持了高的矫顽力。与此相对，比较例介质（比较例4），随着MgO的膜厚减少，矫顽力急剧地降低。第3基底层304，膜厚为5nm、较薄，因此通过X射线衍射测定估算晶格常数较困难。但是，由于MoW合金是完全固溶系，因此由Vegard法则，Mo-20原子%W合金的晶格常数被估算为约3.15埃左右。
由以上可知，通过形成具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的第3基底层304，即使将形成于其上的第4基底层（MgO）305的膜厚减薄到5nm以下，也可得到显示高的矫顽力的热辅助磁记录介质。
再者，在第3基底层304使用晶格常数为2.98埃以上的、VCr、VTi、MoCr、MoTi、MoV、MoMn、MoRu、MoW、MoTa、MoNb、WCr、WTi、WV、WMn、WRu、WTa、WNb、TaCr、TaTi、TaZr、TaNb、NbCr、NbTi、NbZr等的情况下，也可得到同样的效果。
（第5实施例）
在实施例5中，对上述第1~第4实施例中制作的热辅助磁记录介质的表面涂布了全氟聚醚系的润滑剂后，组装到图6所示的磁记录再生装置中。该磁记录再生装置由以下部分概略构成：热辅助磁记录介质501、用于使热辅助磁记录介质旋转的介质驱动部502、针对热辅助磁记录介质501进行记录动作和再生动作的磁头503、用于使磁头503相对于热辅助磁记录介质501进行相对移动的磁头驱动部504、和用于进行向磁头503输入信号和从磁头503再生输出信号的记录再生信号处理系统505。再者，在上述磁记录再生装置中，虽然图6中没有图示，但配置有发生激光的激光发生装置和将所发生的激光传递到磁头503的波导。
另外，将组装到上述磁记录再生装置中的磁头503的结构模式地示于图7。该磁头503具备记录磁头601和再生磁头602，记录磁头601由主磁极603、辅助磁极604和夹在两者之间的PSIM（平面固体浸入镜；PlanarSolid Immersion Mirror）605构成。PSIM605可以使用例如「Jpn.,J.Appl.Phys.,vol145,no.2B,pp1314-1320(2006)」中所记载的结构的PSIM。记录磁头601，向PSIM605的光栅（Grating）部606照射激光二极管等的激光光源607发出的波长为650nm的激光L，一边利用从PSIM605的前端部（近场光发生部）发生的近场光NL对热辅助磁记录介质501进行加热一边进行记录。另一方面，再生磁头602由利用上部屏蔽件608和下部屏蔽件609夹着的TMR元件610构成。
利用上述磁头503，加热热辅助磁记录介质501，以1800kFCI（kilo Fluxchanges per Inch）的线记录密度进行记录，测定了电磁转换特性，得到了15dB以上的高的介质SN比和良好的重写特性。另外，形成了软磁性合金的上述第2实施例的热辅助磁记录介质，显示出特别良好的重写特性。
再者，在本实施例中，将波导和近场光发生部配置在主磁极603的前（leading）侧，但也可以配置在主磁极603的后尾（trailing）侧。另外，也可以将波导和近场光发生部配置在记录磁头601和再生磁头602之间。产业上的利用可能性
可以提供有序化温度低、可将MgO基底层的膜厚降低到5nm以下的热辅助磁记录介质。
附图标记说明
101玻璃基板
102第1基底层
103第2基底层
104第3基底层
105第4基底层
106磁性层
107保护层
201玻璃基板
202第1基底层
203第2基底层
204第3基底层
205第4基底层
206磁性层
207盖层
208保护层
301玻璃基板
302第1基底层
303第2基底层
304第3基底层
305第4基底层
306磁性层
307盖层
308保护层
501热辅助磁记录介质
502介质驱动部
503磁头
504磁头驱动部
505记录再生信号处理系统
601记录磁头
602再生磁头
603主磁极
604辅助磁极
605PSIM（Planar Solid Immersion Mirror）606光栅部
607激光光源
608上部屏蔽件
609下部屏蔽件
610TMR元件
L激光
NL近场光
Claims (13)
1.一种热辅助磁记录介质，其特征在于，具备：
基板；
在所述基板上形成的基底层；和
在所述基底层上形成的磁性层，
所述磁性层含有具有L10结构的合金作为主成分，
所述基底层由下述层构成：
第1基底层，该第1基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成；
第2基底层，该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的具有BCC结构的合金构成；
第3基底层，该第3基底层由具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的金属或合金构成；和
第4基底层，该第4基底层由MgO构成。
2.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第1基底层由非磁性或磁化强度为100emu/cc以下的NiTa、NiTi、CoTa、CoTi、CrTa、CrTi、CoCrZr、CoCrTa合金构成。
3.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第2基底层，由以Cr为主成分、含有选自Ti、V、Mo、W、Ru、Mn之中的至少一种元素的合金构成。
4.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第2基底层，由以Cr为主成分、含有选自Ti、V、Mo、W、Ru、Mn之中的至少一种元素、并且含有选自B、Si、C之中的至少一种元素的合金构成。
5.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第2基底层的晶格常数为2.98埃以下。
6.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第3基底层，由含有选自V、Mo、W、Ta、Nb之中的至少一种元素的合金构成。
7.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第3基底层，由含有选自V、Mo、W、Ta、Nb之中的至少一种元素、并且含有选自Cr、Mn、Ru、Ti之中的至少一种元素的合金构成。
8.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第3基底层，由Mo或W金属构成。
9.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第3基底层的晶格常数比所述第2基底层的晶格常数大。
10.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，在第1基底层和第2基底层之间、或者基板和第1基底层之间，形成有由以Co或Fe为主成分、含有选自Ta、B、Si、Zr、Al、C之中的至少一种元素的软磁性合金构成的基底层。
11.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述磁性层，由以具有L10结构的FePt或CoPt合金为主成分，并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、C之中的至少一种的氧化物或元素的合金构成。
12.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，具备在所述磁性层上形成的盖层，
所述盖层，由以Co、Ni或Fe为主成分、并且磁各向异性比所述磁性层低的合金构成。
13.一种磁记录再生装置，其特征在于，具备：
权利要求1所述的热辅助磁记录介质；
将所述热辅助磁记录介质沿记录方向驱动的介质驱动部；
针对所述热辅助磁记录介质进行记录动作和再生动作的磁头，其具有对所述热辅助磁记录介质进行加热的激光发生部和将从所述激光发生部发生的激光引导到前端部的波导；
使所述磁头相对于所述热辅助磁记录介质进行相对移动的磁头移动部；和
用于进行向所述磁头输入信号和从所述磁头再生输出信号的记录再生信号处理系统。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012019185A JP5923324B2 (ja) | 2012-01-31 | 2012-01-31 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| JP019185/2012 | 2012-01-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103226954A true CN103226954A (zh) | 2013-07-31 |
| CN103226954B CN103226954B (zh) | 2015-07-22 |
Family
ID=48837374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310032007.7A Active CN103226954B (zh) | 2012-01-31 | 2013-01-28 | 热辅助磁记录介质和磁记录再生装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8582416B2 (zh) |
| JP (1) | JP5923324B2 (zh) |
| CN (1) | CN103226954B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108624864A (zh) * | 2017-03-17 | 2018-10-09 | 株式会社日立国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 |
| CN110634509A (zh) * | 2018-06-25 | 2019-12-31 | 昭和电工株式会社 | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 |
| CN111916114A (zh) * | 2019-05-09 | 2020-11-10 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质和磁记录再现装置 |
| CN113053423A (zh) * | 2019-12-26 | 2021-06-29 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质及其制造方法以及磁存储装置 |
| CN113257286A (zh) * | 2020-02-13 | 2021-08-13 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质及其制造方法以及磁存储装置 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5961490B2 (ja) * | 2012-08-29 | 2016-08-02 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| US9177585B1 (en) | 2013-10-23 | 2015-11-03 | WD Media, LLC | Magnetic media capable of improving magnetic properties and thermal management for heat-assisted magnetic recording |
| JP2015088197A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| US9824711B1 (en) | 2014-02-14 | 2017-11-21 | WD Media, LLC | Soft underlayer for heat assisted magnetic recording media |
| JP6221907B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-11-01 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体 |
| CN105723460A (zh) * | 2014-04-24 | 2016-06-29 | 富士电机株式会社 | 磁记录介质的制造方法 |
| US9159350B1 (en) | 2014-07-02 | 2015-10-13 | WD Media, LLC | High damping cap layer for magnetic recording media |
| US9822441B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-11-21 | WD Media, LLC | Iridium underlayer for heat assisted magnetic recording media |
| KR102451098B1 (ko) | 2015-09-23 | 2022-10-05 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
| US10529364B2 (en) | 2017-02-15 | 2020-01-07 | Seagate Technology Llc | Heat-assisted removal of head contamination |
| US10373632B2 (en) * | 2017-02-15 | 2019-08-06 | Seagate Technology Llc | Heat-assisted removal of head contamination |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1451159A (zh) * | 2000-11-09 | 2003-10-22 | 日立麦克赛尔株式会社 | 磁记录媒体和磁记录装置 |
| CN1877704A (zh) * | 2006-06-29 | 2006-12-13 | 复旦大学 | 取向控制生长L10－FePt的方法 |
| WO2011021652A1 (ja) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| CN102163433A (zh) * | 2010-02-23 | 2011-08-24 | 昭和电工株式会社 | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 |
| CN102208192A (zh) * | 2010-03-29 | 2011-10-05 | 昭和电工株式会社 | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003123243A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-04-25 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| AU2003216441A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-16 | Seagate Technology Llc | Chemically ordered, cobalt-platinum alloys for magnetic recording |
| JP4435558B2 (ja) * | 2003-12-24 | 2010-03-17 | ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ | 磁気記録媒体 |
| US7521137B2 (en) * | 2005-01-12 | 2009-04-21 | Seagate Technology Llc | Patterned thin films and use of such films as thermal control layers in heat assisted magnetic recording media |
| WO2008030199A1 (en) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Agency For Science, Technology And Research | Chemically ordered perpendicular recording media |
| JP5128930B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-01-23 | エイチジーエスティーネザーランドビーブイ | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP5561766B2 (ja) * | 2010-02-04 | 2014-07-30 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| JP5787344B2 (ja) * | 2011-02-15 | 2015-09-30 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
-
2012
- 2012-01-31 JP JP2012019185A patent/JP5923324B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-25 US US13/749,934 patent/US8582416B2/en active Active
- 2013-01-28 CN CN201310032007.7A patent/CN103226954B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1451159A (zh) * | 2000-11-09 | 2003-10-22 | 日立麦克赛尔株式会社 | 磁记录媒体和磁记录装置 |
| CN1877704A (zh) * | 2006-06-29 | 2006-12-13 | 复旦大学 | 取向控制生长L10－FePt的方法 |
| WO2011021652A1 (ja) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| CN102163433A (zh) * | 2010-02-23 | 2011-08-24 | 昭和电工株式会社 | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 |
| CN102208192A (zh) * | 2010-03-29 | 2011-10-05 | 昭和电工株式会社 | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108624864A (zh) * | 2017-03-17 | 2018-10-09 | 株式会社日立国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 |
| CN108624864B (zh) * | 2017-03-17 | 2020-09-18 | 株式会社国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 |
| CN110634509A (zh) * | 2018-06-25 | 2019-12-31 | 昭和电工株式会社 | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 |
| CN111916114A (zh) * | 2019-05-09 | 2020-11-10 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质和磁记录再现装置 |
| CN113053423A (zh) * | 2019-12-26 | 2021-06-29 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质及其制造方法以及磁存储装置 |
| CN113053423B (zh) * | 2019-12-26 | 2022-06-28 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质及其制造方法以及磁存储装置 |
| US11676632B2 (en) | 2019-12-26 | 2023-06-13 | Resonac Corporation | Magnetic recording medium, method of manufacturing magnetic recording medium and magnetic storage device |
| CN113257286A (zh) * | 2020-02-13 | 2021-08-13 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质及其制造方法以及磁存储装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8582416B2 (en) | 2013-11-12 |
| CN103226954B (zh) | 2015-07-22 |
| US20130194901A1 (en) | 2013-08-01 |
| JP5923324B2 (ja) | 2016-05-24 |
| JP2013157071A (ja) | 2013-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103226954B (zh) | 热辅助磁记录介质和磁记录再生装置 | |
| CN102163433B (zh) | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 | |
| CN102725793B (zh) | 热辅助磁记录介质和磁记录再生装置 | |
| CN102473420B (zh) | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 | |
| JP6199618B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記憶装置 | |
| CN102208192B (zh) | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 | |
| CN102646421B (zh) | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 | |
| JP5015901B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| JP5961490B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| JP6317896B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JP6145332B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記憶装置 | |
| CN102822892A (zh) | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 | |
| JP6014385B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| JP5938224B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| JP5506604B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| CN104575530A (zh) | 磁记录介质及磁存储装置 | |
| CN104303232B (zh) | 热辅助磁记录介质和磁记录再生装置 | |
| JP5923152B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| JP5730047B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JP2013149328A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Tokyo, Japan Patentee after: Lishennoco Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: Showa electrical materials Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230517 Address after: Tokyo, Japan Patentee after: Showa electrical materials Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: SHOWA DENKO Kabushiki Kaisha |