JP6221907B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents

Description

本技術は、可撓性を有する基材を用いる磁気記録媒体に関する。

ハードディスクドライブ（以下「ＨＤＤ」という。）に用いられる磁気記録媒体は、記録磁化の配置の仕方により面内磁気記録媒体と垂直磁気記録媒体に大別される。高記録密度化の観点からすると、垂直磁気記録媒体が面内磁気記録媒体に比して有利である。

垂直磁気記録媒体では、記録層内の磁性体微結晶の磁化容易軸が基板に対して垂直になるように配向される。高記録密度化のためには、磁性体微結晶の磁化容易軸を垂直方向にきちんと揃うように配向させることが重要となる。

特許文献１では、ＨＤＤ用の磁気記録媒体において、垂直記録層における磁性体微結晶の磁化容易軸の配向分散を抑制して、配向分散の指標であるΔθ₅₀を３度程度に抑えることが記載されている。

特開２００８−２８７８０８号公報（段落［００５４］参照）

本技術の目的は、記録再生特性と信頼性を両立できる磁気記録媒体を提供することにある。

上述の課題を解決するために、本技術は、可撓性を有する長尺状の基材と、下地層と、記録層、基材と下地層の間に設けられた軟磁性裏打ち層と、基材と軟磁性裏打ち層の間に設けられた、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む層とを備え、Ｘ線回折ピークの中で、記録層に含まれる磁性原子の回折ピークをロッキングカーブ法で計測したΔθ５０の値が、５°以上１０°未満であり、下地層が、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む層を備える磁気記録媒体である。
また、本技術は、可撓性を有する長尺状の基材と、下地層と、記録層とを備え、Ｘ線回折ピークの中で、記録層に含まれる磁性原子の回折ピークをロッキングカーブ法で計測したΔθ５０の値が、７°以上１０°未満であり、下地層が、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む層を備える磁気記録媒体である。

以上説明したように、本技術によれば、記録再生特性と信頼性を両立できる。

図１は、本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 図２は、本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタ装置の構成の一例を示す概略図である。 図３Ａは、本技術の第１の実施形態の変形例１に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。図３Ｂは、本技術の第１の実施形態の変形例２に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 図４は、本技術の第１の実施形態の変形例３に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 図５は、本技術の第１の実施形態の変形例４に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 図６は、本技術の第２の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 図７は、本技術の第３の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。

磁気記録媒体は、ガラス基板や合金基板などの剛性基材を用いる磁気記録媒体（いわゆるＨＤＤに用いられる磁気記録媒体）と、高分子フィルムなどの可撓性基材を用いる磁気記録媒体（いわゆる磁気テープ）とに大別される。両媒体は、製造工程および記録再生システムにおいて以下の相違点を有する。

・製造工程に関する相違点
剛性基材を用いる磁気記録媒体では、上述したようにガラス基板や合金基板などが用いられるため、基材を加熱することが可能である。したがって、表面性が悪い基材上に薄膜を成膜する場合であっても、基材を加熱しながら薄膜を成膜などすれば、薄膜の膜質はその成膜面の状態に大きな影響を受けずに済む。つまり、成膜面の状態に関わらず、比較的望ましい膜質の薄膜を成膜でき、比較的良好な記録再生特性を得ることができる。

一方、可撓性基材を用いる磁気記録媒体では、上述したように高分子フィルムなどが用いられるため、基材を加熱することは困難である。したがって、薄膜の成膜面の状態が、薄膜の膜質に大きく影響することになる。つまり、望ましい薄膜の膜質を成膜し、良好な記録再生特性を得るためには、成膜面の状態が重要となる。

・記録再生システムに関する相違点
剛性基材を用いる磁気記録媒体の記録再生システムでは、浮動ヘッド（flying head）が用いられるため、媒体とヘッドは通常摺動することはない。したがって、この記録媒体では、摺動性を考慮する必要がないから、下地層の膜質向上の観点から、下地層の成膜面は、平滑であればあるほど望ましいということになる。

一方、可撓性基材を用いる磁気記録媒体の記録再生システムでは、媒体とヘッドとの摺動が前提となる。このため、過度な表面性向上は、摩擦の増大を生じさせ、摺動性能が低下する。このように摺動性が低下すると、磁気記録媒体の信頼性の低下を招くこととなる。

上述した両媒体の相違点から、可撓性基材を用いる磁気記録媒体において特有な以下の問題が明らかになる。可撓性基材を用いる磁気記録媒体では、優れた記録再生特性を実現すべく、下地層の成膜面を平滑にすると、摺動性能の低下を招く、すなわち、信頼性の低下を招くことになる。これとは逆に、摺動性能を向上すべく、すなわち優れた信頼性を得るべく、下地層の成膜面の平滑性を低下させると、記録再生特性の低下を招くことになる。すなわち、可撓性基材を用いる磁気記録媒体には、記録再生特性と信頼性を両立することが困難であるという問題がある。

そこで、本発明者らは、可撓性基材を用いる磁気記録媒体において、記録再生特性と信頼性を両立すべく、鋭意検討を行った。その結果、記録層に含まれる磁性原子の回折ピークをロッキングカーブ法で計測したΔθ₅₀の値を５°以上１０°未満の範囲内にすることで、記録再生特性と信頼性を両立できることを見出した。

Δθ₅₀の値を５°以上１０°未満の範囲内にする方法としては、例えば、記録層に含まれる磁性結晶の配向と密接な関係を持った下地層の下の層の表面性、例えば基材または軟磁性裏打ち層の表面性を調整する方法が挙げられる。但し、Δθ₅₀の値を５°以上１０°未満の範囲内にする方法はこれに限定されるものではなく、他の方法を用いてもよい。

本技術において、下地層と記録層との間に設けられた中間層をさらに備えることが好ましい。また、記録層の表面に隣接して設けられたＣＡＰ層をさらに備えることが好ましい。

本技術において、下地層、中間層および記録層の各層は、単層構造および多層構造のいずれであってもよい。磁気記録媒体の記録再生特性などの向上の観点からすると、多層構造を採用することが好ましい。製造効率を考慮すると、多層構造のうちでも２層構造を採用することが好ましい。

本技術において、磁気記録媒体が基材と下地層との間に、または下地層と記録層との間に設けられた軟磁性層をさらに備えることが好ましい。磁気記録媒体が下地層と記録層との間に中間層を備える場合には、下地層と中間層との間に軟磁性層をさらに備えるようにしてもよい。軟磁性層の構造としては、単層構造および多層構造のいずれを用いてもよいが、記録再生特性の向上の観点からすると、多層構造を用いることが好ましい。多層構造を有する軟磁性層としては、第１の軟磁性層と中間層と第２の軟磁性層とを備え、中間層が第１の軟磁性層と第２の軟磁性層との間に設けられているものが好ましい。磁気記録媒体が軟磁性層を備える場合、基材と軟磁性層との間、および軟磁性層と記録層との間のうちの少なくとも一方に、下地層を備えることが好ましい。

本技術において、中間層はＲｕを含んでいることが好ましい。Ｒｕは、Ｒｕ単体、Ｒｕ合金またはＲｕ酸化物の形態で含まれていることが好ましいが、特にこれらの形態に限定されるものではない。下地層はＴｉまたはＮｉを含んでいることが好ましい。このような構成を有する下地層としては、Ｔｉ合金を含む単一層、Ｎｉ合金を含む単一層、またはそれらの積層膜が挙げられるが、特にこれらの構成に限定されるものではない。

本技術において、生産性向上の観点から、下地層および記録層は、Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜されていることが好ましい。磁気記録媒体が、中間層、下地層およびＣＡＰ層のうちの少なくとも１種を備える場合には、その層も下地層および記録層とともにＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜されていることが好ましい。成膜方法としては、スパッタリング法などの物理的堆積法を用いることが好ましい。

本技術の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
１．第１の実施形態（磁気記録媒体の例）
１．１ 磁気記録媒体の構成
１．２ スパッタ装置の構成
１．３ 磁気記録媒体の製造方法
１．４ 効果
１．５ 変形例
２．第２の実施形態（磁気記録媒体の例）
２．１ 磁気記録媒体の構成
２．２ 効果
２．３ 変形例
３．第３の実施形態（磁気記録媒体の例）
３．１ 磁気記録媒体の構成
３．２ 効果
３．３ 変形例

＜１．第１の実施形態＞
第１の実施形態では、下地層の下の層が基材であり、この基材表面の算術平均粗さＲａ、すなわち基材−下地層の界面の算術平均粗さＲａを調整することで、記録層の配向強度Δθ₅₀の値を５°以上１０°未満の範囲内とした磁気記録媒体を例として説明する。

［１．１ 磁気記録媒体の構成］
図１に示すように、本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体は、いわゆる単層垂直磁気記録媒体であり、基材１１と、基材１１の表面に設けられた下地層１２と、下地層１２の表面に設けられた記録層１３とを備える。この磁気記録媒体は、必要に応じて、記録層１３の表面に設けられた保護層１４と、保護層１４の表面に設けられたトップコート層１５とをさらに備えるようにしてもよい。

下地層１２および記録層１３は、例えば物理的堆積法により成膜されている。物理的堆積法としては、生産性などの観点から、スパッタリング法が好ましい。下地層１２および記録層１３は、Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜されていることが好ましい。なお、本明細書では、軟磁性裏打ち層を持たない磁気記録媒体を「単層垂直磁気記録媒体」と称し、軟磁性裏打ち層を有する磁気記録媒体を「二層垂直磁気記録媒体」と称する。

この磁気記録媒体は、今後ますます需要が高まることが期待されるデータアーカイブ用ストレージメディアとして用いて好適なものである。この磁気記録媒体は、例えば、現在のストレージ用塗布型磁気テープの１０倍以上の面記録密度、すなわち５０Ｇｂ／ｉｎ²の面記録密度を実現することが可能である。このような面記録密度を有する磁気記録媒体を用いて、一般のリニア記録方式のデータカートリッジを構成した場合には、データカートリッジ１巻当たり５０ＴＢ以上の大容量記録が可能になる。この磁気記録媒体は、リング型の記録ヘッドと巨大磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistive：ＧＭＲ）型の再生ヘッドを用いる記録再生装置に用いて好適なものである。

Ｋｅｒｒ効果を用いて測定した磁気記録媒体の垂直方向の磁気特性Ｈｃ（保持力）が、３０００Ｏｅ以上５５００Ｏｅ以下であり、かつ垂直方向の磁気特性Ｒｓ（角型比）が８５％以上であることが好ましい。磁気特性Ｈｃおよび磁気特性Ｒｓがこの範囲にあることで、良好な記録再生特性を得ることができる。

（基材）
支持体となる基材１１は、例えば、長尺状のフィルムであり、長手方向（ＭＤ方向）および短手方向（ＴＤ方向）を持つ表面を有している。基材１１としては、可撓性を有する非磁性基材を用いることが好ましい。非磁性基材の材料としては、例えば、通常の磁気記録媒体に用いられる可撓性の高分子樹脂材料を用いることができる。このような高分子材料の具体例としては、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類またはポリカーボネートなどが挙げられる。

基材１１は、微細凹凸を持った凹凸面を有していることが好ましい。下地層１２および記録層１３などの各層は、この凹凸面に倣った形状を有していることが好ましい。基材１１と下地層１２とが隣接して設けられ、下地層１２の下の層となる基材１１の表面（成膜面）の算術平均粗さＲａ、すなわち基材１１−下地層１２の界面の算術平均粗さＲａが、０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、磁気記録媒体のＸ線回折ピークの中で、記録層１３に含まれる磁性原子の回折ピークをロッキングカーブ法で計測したΔθ₅₀の値を、５°以上１０°未満の範囲内にできる。但し、Δθ₅₀の値を５°以上１０°未満の範囲内にする方法は、上述した基材１１の表面性の調整する方法に限定されるものではなく、これ以外の方法を用いてもよい。

（下地層）
下地層１２は、基材１１と記録層１３との間に設けられている。下地層１２は、ＴｉまたはＮｉの合金を含んでいることが好ましく、例えばＴｉ合金を含む単一層、Ｎｉ合金を含む単一層、またはそれらが積層された積層膜である。

Ｔｉ合金を含む下地層１２としては、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有しているものが好ましい。また、この合金には、Ｏ（酸素）がさらに含まれていてもよい。この酸素は、例えば、スパッタリング法などの成膜法で下地層１２を成膜する際に、下地層１２内に微量に含まれる不純物酸素である。ここで、「合金」とは、ＴｉおよびＣｒを含む固溶体、共晶体、および金属間化合物などの少なくとも一種を意味する。「アモルファス状態」とは、電子線回折法により、ハローが観測され、結晶構造を特定できないことを意味する。

ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有する下地層１２には、基材１１に吸着したＯ₂ガスやＨ₂Ｏなどの影響を抑制するとともに、基材１１の表面の凹凸を緩和して基材１１の表面に金属性の平滑面を形成する作用がある。この作用により、記録層１３の垂直配向性が向上する。なお、下地層１２の状態を結晶状態にすると、結晶成長に伴うカラム形状が明瞭となり、基材１１の表面の凹凸が強調され、記録層１３の結晶配向が悪化する虞がある。

下地層１２に含まれるＴｉ、ＣｒおよびＯ（酸素）の総量に対するＯの割合は、好ましくは１５原子％（atomic％：at％）以下、より好ましくは１０原子％以下である。酸素の割合が１５原子％を超えると、ＴｉＯ₂結晶が生成することにより、下地層１２の表面に形成される記録層１３の結晶核形成に影響を与えるようになり、記録層１３の配向性が低下する虞がある。

下地層１２に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、好ましくは３０原子％以上１００原子％以下、より好ましくは５０原子％以上１００原子％以下の範囲内である。Ｔｉの比率が３０％未満であると、Ｃｒの体心立方格子（Body-Centered Cubic lattice：ｂｃｃ）構造の（１００）面が配向するようになり、下地層１２の表面に形成される記録層１３の配向性が低下する虞がある。

なお、上記元素の割合は次のようにして求めることができる。磁気記録媒体のトップコート層１５側からイオンビームによるエッチングを行い、エッチングされた下地層１２の最表面についてオージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率を上記元素の割合とする。具体的には、Ｔｉ、ＣｒおよびＯの３元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定する。

下地層１２に含まれる合金が、ＴｉおよびＣｒ以外の元素を添加元素としてさらに含んでいてもよい。この添加元素としては、例えば、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｏ、ＡｌおよびＷなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。

Ｎｉ合金を含む下地層１２としては、ＮｉおよびＷを含む合金を含んでいるものが好ましい。この場合、下地層１２がアモルファル状態を有していてもよい。

（記録層）
磁気記録媒体のＸ線回折ピークの中で、磁性層である記録層１３に含まれる磁性原子の回折ピークをロッキングカーブ法で計測したΔθ₅₀の値が、５°以上１０°未満である。５°未満であると、摺動性能が低下するため、信頼性が低下する。一方、１０°以上であると、記録層１３に含まれる結晶粒子の配向性が低下するため、記録再生特性が低下する

Δθ₅₀の値を５°以上１０°未満の範囲内にする方法としては、例えば磁性結晶粒子の配向と密接な関係を持った下地層１２の下の層となる基材１１の表面の算術平均粗さＲａ、すなわち基材１１−下地層１２の界面の算術平均粗さＲａを調整する方法が挙げられる。但し、Δθ₅₀の値を５°以上１０°未満の範囲内にする方法は、上述した基材１１の表面性の調整する方法に限定されるものではなく、これ以外の方法を用いてもよい。

記録層１３の平均厚みは、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍである。平均厚みが１０ｎｍ未満であると、磁性粒子のサイズが小さくなることにより、熱擾乱の影響が大きくなり、記録磁化の保持が困難となる。一方、平均厚みが３０ｎｍを超えると、ノイズの増大によりＳＮＲが低下する。

記録層１３は、記録密度向上の観点から、垂直記録層であることが好ましい。垂直記録層は、Ｃｏ系合金を含むグラニュラ磁性層であることが好ましい。このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界（非磁性体）とから構成されている。より具体的には、このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含むカラム（柱状結晶）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを磁気的に分離する非磁性粒界（例えばＳｉＯ₂などの酸化物）とから構成されている。この構造では、それぞれのカラムが磁気的に分離した構造を有する記録層１３を構成することができる。

Ｃｏ系合金は、六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有し、そのｃ軸が膜面に対して垂直方向（膜厚方向）に配向している。Ｃｏ系合金としては、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含有するＣｏＣｒＰｔ系合金を用いることが好ましい。ＣｏＣｒＰｔ系合金は、特に限定されるものではなく、ＣｏＣｒＰｔ合金がさらに添加元素を含んでいてもよい。添加元素としては、例えば、ＮｉおよびＴａなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。

強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界は、非磁性金属材料を含んでいる。ここで、金属には半金属を含むものとする。非磁性金属材料としては、例えば、金属酸化物および金属窒化物のうちの少なくとも一方を用いることができ、グラニュラ構造をより安定に維持する観点からすると、金属酸化物を用いることが好ましい。金属酸化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属酸化物が挙げられ、少なくともＳｉ酸化物（すなわちＳｉＯ₂）を含んでいる金属酸化物が好ましい。その具体例としては、ＳｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＣｏＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＺｒＯ₂またはＨｆＯ₂などが挙げられる。金属窒化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属窒化物が挙げられる。その具体例としては、ＳｉＮ、ＴｉＮまたはＡｌＮなどが挙げられる。グラニュラ構造をより安定に維持するためには、非磁性粒界が金属窒化物および金属酸化物のうち金属酸化物を含んでいることが好ましい。

ＳＮＲ（Signal-Noise Ratio）の更なる向上を実現する観点からすると、記録層１３は、以下の式に示す平均組成を有していることが好ましい。反磁界の影響を抑え、かつ、十分な再生出力を確保できる飽和磁化量Ｍｓを実現でき、これにより、高いＳＮＲを確保できるからである。
（Ｃｏ_xＰｔ_yＣｒ_100-x-y）_100-z−（ＳｉＯ₂）_z
（但し、式中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦Ｘ≦７２、１２≦ｙ≦１６、９≦Ｚ≦１２の範囲内の値である。）

なお、上記組成は次のようにして求めることができる。磁気記録媒体のトップコート層１５側からイオンビームによるエッチングを行い、エッチングされた記録層１３の最表面についてオージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率を上記組成として求める。具体的には、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉおよびＯの５元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定する。

記録層１３に含まれる結晶粒子の平均粒径が、６ｎｍ以上８ｎｍ以下であることが好ましい。平均粒径が６ｎｍ未満であると、熱擾乱の影響が大きくなり、記録磁化の保持が困難となる。一方、平均粒径が８ｎｍを超えると、グレイン間の間隔が狭くなることにより、交換相互作用が強くなり、ノイズが増大する。

本実施形態に係る磁気記録媒体は、軟磁性材料を含む裏打ち層（軟磁性裏打ち層）を有さない単層磁気記録媒体であるが、この種の磁気記録媒体では、記録層１３に起因する垂直方向への反磁界の影響が大きいと、垂直方向への十分な記録が困難となる傾向がある。反磁界は、記録層１３の飽和磁化量Ｍｓに比例して大きくなるので、反磁界を抑えるためには飽和磁化量Ｍｓを小さくすることが望ましい。しかしながら、飽和磁化量Ｍｓが小さくなると、残留磁化量Ｍｒが小さくなり、再生出力が低下する。したがって、記録層１３に含まれる材料は、反磁界の影響の抑制（すなわち飽和磁化量Ｍｓの低減）と、十分な再生出力を確保できる残留磁化量Ｍｒとを両立する観点から選択することが好ましい。上記式の平均組成においては、これらの特性を両立し、高いＳＮＲを確保できる。

（保護層）
保護層１４は、例えば、炭素材料または二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）を含み、保護層１４の膜強度の観点からすると、炭素材料を含んでいることが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンドなどが挙げられる。

（トップコート層）
トップコート層１５は、例えば潤滑剤を含んでいる。潤滑剤としては、例えば、シリコーン系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤またはフッ素化炭化水素系潤滑剤などを用いることができる。

［１．２ スパッタ装置の構成］
図２は、本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタ装置の構成の一例を示す概略図である。このスパッタ装置は、下地層１２および記録層１３の成膜に用いられる連続巻取式スパッタ装置であり、図２に示すように、成膜室２１と、金属キャン（回転体）であるドラム２２と、カソード２３ａ、２３ｂと、供給リール２４と、巻き取りリール２５と、複数のガイドロール２７、２８とを備える。スパッタ装置は、例えばＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング方式の装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。

成膜室２１は、排気口２６を介して図示しない真空ポンプに接続され、この真空ポンプにより成膜室２１内の雰囲気が所定の真空度に設定される。成膜室２１の内部には、回転可能な構成を有するドラム２２、供給リール２４および巻き取りリール２５が配置されている。成膜室２１の内部には、供給リール２４とドラム２２との間における基材１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール２７が設けられていると共に、ドラム２２と巻き取りリール２５との間における基材１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール２８が設けられている。スパッタ時には、供給リール２４から巻き出された基材１１が、ガイドロール２７、ドラム２２およびガイドロール２８を介して巻き取りリール２５に巻き取られる。ドラム２２は円柱状の形状を有し、細長い矩形状の基材１１はドラム２２の円柱面状の周面に沿わせて搬送される。ドラム２２には、図示しない冷却機構が設けられており、スパッタ時には、例えば−２０℃程度に冷却される。成膜室２１の内部には、ドラム２２の周面に対向して複数のカソード２３ａ、２３ｂが配置されている。これらのカソード２３ａ、２３ｂにはそれぞれターゲットがセットされている。具体的には、カソード２３ａ、２３ｂにはそれぞれ、下地層１２、記録層１３を成膜するためのターゲットがセットされている。これらのカソード２３ａ、２３ｂにより複数の種類の膜、すなわち下地層１２および記録層１３が、基材１１の１回の搬送で同時に成膜される。

スパッタ時の成膜室２１の雰囲気は、例えば、１×１０^-5Ｐａ〜５×１０^-5Ｐａ程度に設定される。下地層１２および記録層１３の膜厚および特性（例えば磁気特性）は、基材１１を巻き取るテープライン速度、スパッタ時に導入するＡｒガスの圧力（スパッタガス圧）、および投入電力などを調整することにより制御可能である。テープライン速度は、１ｍ／ｍｉｎ〜１０ｍ／ｍｉｎ程度の範囲内であることが好ましい。スパッタガス圧は、０．１Ｐａ〜５Ｐａ程度の範囲内であることが好ましい。投入電力量は、３０ｍＷ／ｍｍ²〜１５０ｍＷ／ｍｍ²程度の範囲内であることが好ましい。

上述の構成を有するスパッタ装置では、下地層１２、および磁気記録層１３をＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により連続成膜することができる。

［１．３ 磁気記録媒体の製造方法］
本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体は、例えば、以下のようにして製造することができる。

まず、図２に示したスパッタ装置を用いて、下地層１２および記録層１３を基材１１の上に形成する。具体的には以下のようにして成膜する。まず、成膜室２１を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、成膜室２１内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、カソード２３ａ、２３ｂにセットされたターゲットをスパッタして、走行する基材１１の表面に下地層１２および記録層１３を順次成膜する。

なお、供給リール２４から基材１１を巻き出し、ドラム２２を介して巻き取りリール２５に巻き取る１回の工程で、下地層１２のみを成膜し、再度巻き取りリール２５から基材１１を巻き出し、供給リール２４に巻き取る更なる工程で、記録層１３を成膜するようにしてもよい。但し、このように下地層１２および記録層１３を別々の走行工程で成膜すると、膜の表面状態に変質を招く虞があるため、上述したように１回の走行工程で下地層１２および記録層１３を同時に成膜することが好ましい。

次に、記録層１３の表面に保護層１４を形成する。保護層１４の形成方法としては、例えば化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法または物理蒸着（physical vapor deposition：ＰＶＤ）法を用いることができる。

次に、例えば潤滑剤を保護層１４の表面に塗布し、トップコート層１５を形成する。潤滑剤の塗布方法はとしては、例えば、グラビアコーティング、ディップコーティングなどの各種塗布方法を用いることができる。
以上により、図１に示した磁気記録媒体が得られる。

［１．４ 効果］
第１の実施形態に係る磁気記録媒体では、可撓性を有する基材１１の表面の算術平均粗さＲａ、すなわち基材１１−下地層１２の界面の算術平均粗さＲａを調整することで、Δθ₅₀の値を５°以上１０°未満にしている。したがって、記録再生特性と信頼性を両立できる。

［１．５ 変形例］
上述の第１の実施形態では、基材１１の表面に、下地層１２、記録層１３を順次積層した構成について説明した。しかしながら、磁気記録媒体の層構成はこれに限定されるものではなく、基材１１の表面の算術平均粗さＲａ、すなわち基材１１−下地層１２の界面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下となっていれば、他の層構成を採用してもよい。以下に、他の層構成について説明する。

（変形例１）
図３Ａに示すように、磁気記録媒体が、下地層１２と記録層１３との間に、中間層１６をさらに備えるようにしてもよい。中間層１６は、記録層１３と同様の結晶構造を有していることが好ましい。記録層１３がＣｏ系合金を含んでいる場合には、中間層１６は、Ｃｏ系合金と同様の六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（すなわち膜厚方向）に配向していることが好ましい。記録層１３の配向性を高め、かつ、中間層１６と記録層１３との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料としては、Ｒｕを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはＲｕ単体、Ｒｕ合金またはＲｕ酸化物が好ましい。Ｒｕ酸化物としては、例えば、Ｒｕ−ＳｉＯ₂、Ｒｕ−ＴｉＯ₂またはＲｕ−ＺｒＯ₂などのＲｕ合金酸化物が挙げられる。

なお、中間層１６は単層構造に限定されるものではなく、２層以上の多層構造であってもよい。中間層１６が多層構造を有する場合、それらの複数の中間層は、組成が同一であるが、スパッタ条件などの成膜条件が異なっているものが用いられる。例えば中間層１６が２層構造を有する場合、中間層１６は、第１の中間層（下側中間層）および第２の中間層（上側中間層）を備える。第１の中間層が下地層１２の側に設けられ、第２の中間層が記録層１３の側に設けられる。

第１、第２の中間層の材料としては、例えば、上述した中間層１６と同様のものを用いることができる。しかしながら、第１、第２の中間層それぞれにおいて目的とする効果が異なっており、それ故にそれぞれの成膜条件は異なるものとなる。すなわち、第１の中間層については結晶配向性の高い膜構造とすることが好ましく、第２の中間層についてはその上層となる記録層１３のグラニュラ構造を促進する膜構造とすることが好ましい。

磁気記録媒体のＸ線回折ピークの中で、中間層１６に含まれる原子の回折ピークをロッキングカーブ法で計測したΔθ₅₀の値が、４°以上９°以下であることが好ましい。これにより、中間層１６上に設けられる記録層１３のΔθ₅₀の値を５°以上１０°未満にできる。すなわち、記録再生特性と信頼性を両立できる。

（変形例２）
図３Ｂに示すように、磁気記録媒体が、記録層１３と保護層１４との間に、ＣＡＰ層（スタック層）１７をさらに備えるようにしてもよい。グラニュラ構造を有する記録層１３と、この記録層１３に隣接して設けられたＣＡＰ層１７とからなる積層構造は、一般にCoupled Granular Continuous（ＣＧＣ）と呼ばれている。ＣＡＰ層１７の膜厚は、４ｎｍ以上１２ｎｍ以下であることが好ましい。ＣＡＰ層１７の膜厚を４ｎｍ以上１２ｎｍ以下の範囲内に選択することで、より良好な記録再生特性を得ることができる。ＣＡＰ層１７は、ＣｏＣｒＰｔ系材料を含んでいることが好ましい。ＣｏＣｒＰｔ系材料としては、例えば、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、これら材料に金属酸化物をさらに添加した材料（ＣｏＣｒＰｔ−金属酸化物、ＣｏＣｒＰｔＢ−金属酸化物）などが挙げられる。添加する金属酸化物としては、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、ＴａおよびＣｒなどからなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。その具体例としては、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｃｒ₂Ｏ₃、それらの２種以上の混合体などが挙げられる。

グラニュラ構造を有する記録層１３上にＣＡＰ層１７を設けた構造を採用した場合には、これらの記録層１３とＣＡＰ層１７との間で交換相互作用による磁気的結合を発生させ、その効果により、Ｈｃ近傍でのＭ−Ｈループの傾きを急峻とすることで、記録を容易とすることができる。通常、記録層１３のみでＭ−Ｈループの傾きを急峻とした場合、ノイズの増大が観察されるが、この構造の場合には、ノイズを発生する記録の構造は低ノイズ構造を維持できるため、低ノイズでかつ記録が容易となる構造を実現できる。

（変形例３）
図４に示すように、磁気記録媒体が、いわゆる二層垂直磁気記録媒体であり、下地層１２と記録層１３との間に、単層構造の軟磁性裏打ち層（Soft magnetic underlayer、以下「ＳＵＬ」という。）１８をさらに備えるようにしてもよい。この磁気記録媒体は、単磁極型（Single Pole Type：ＳＰＴ）の記録ヘッドとトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドを用いる記録再生装置に用いて好適なものである。

ＳＵＬ１８の膜厚は、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下である。４０ｎｍ未満であると、記録再生特性が低下する傾向がある。一方、１４０ｎｍを超えると、ＳＵＬ１８の結晶粒の粗大化による記録層１３の結晶配向性の低下が顕著となるとともに、ＳＵＬ１８の成膜時間が長くなり、生産性の低下を招く虞がある。ＳＵＬ１８は、アモルファス状態の軟磁性材料を含んでいる。軟磁性材料としては、例えば、Ｃｏ系材料またはＦｅ系材料などを用いることができる。Ｃｏ系材料としては、例えば、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＴａＮｂなどが挙げられる。Ｆｅ系材料としては、例えば、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＴａなどが挙げられる。

ＳＵＬ１８はアモルファス状態を有するため、ＳＵＬ１８上に形成される層のエピタキシャル成長を促す役割を担わないが、ＳＵＬ１８の上に形成される記録層１３の結晶配向を乱さないことが求められる。そのためには、軟磁性材料がカラムを形成しない微細な構造を有していることが必要となるが、基材１１からの水分などのデガスの影響が大きい場合、軟磁性材料が粗大化し、ＳＵＬ１８上に形成される記録層１３の結晶配向を乱してしまう虞がある。下地層１２を基材１１の表面に設けることで、それらの影響を抑えることができる。特に、水分や酸素などの気体の吸着の多い、高分子材料のフィルムを基材１１として用いる場合、それらの影響を抑えるために下地層１２を設けることが望ましい。

この磁気記録媒体では、垂直磁性層である記録層１３の下にＳＵＬ１８を設けることで、記録層１３の表層に発生する磁極の発生を減磁界を抑えるとともに、ヘッド磁束をＳＵＬ１８中に誘導することにより、鋭いヘッド磁界の発生を助ける役割を果たす。また、基材１１とＳＵＬ１８との間に下地層１２を設けているので、ＳＵＬ１８に含まれる軟磁性材料の粗大化を抑制することができる。すなわち、下地層１２における結晶配向の乱れを抑制することができる。したがって、高い面記録密度を有する磁気記録媒体において、良好な記録再生特性を実現することができる。

（変形例４）
図５に示すように、磁気記録媒体は、図４に示した単層構造の軟磁性裏打ち層１８に代えて、多層構造の軟磁性裏打ち層であるAntiparallel Coupled ＳＵＬ（以下「ＡＰＣ−ＳＵＬ」という。）１９を備えるようにしてもよい。

ＡＰＣ−ＳＵＬ１９は、薄い中間層１９ｂを介して２つの軟磁性層１９ａ、１９ｃを積層し、中間層１９ｂを介した交換結合を利用して積極的に磁化を反平行に結合させた構造を有している。軟磁性層１９ａ、１９ｃの膜厚は略同一であることが好ましい。軟磁性層１９ａ、１９ｃのトータルの膜厚は、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。４０ｎｍ未満であると、記録再生特性が低下する傾向がある。一方、７０ｎｍを超えると、ＡＰＣ−ＳＵＬ１９の成膜時間が長くなり、生産性の低下を招く虞がある。軟磁性層１９ａ、１９ｃの材料は同一の材料であることが好ましく、その材料としては、変形例３におけるＳＵＬ１８と同様の材料を用いることができる。中間層１９ｂの膜厚は、例えば０．８ｎｍ以上１．４ｎｍ以下、好ましくは０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下、より好ましくは１．１ｎｍ程度である。中間層１９ｂの膜厚を０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下の範囲内に選択することで、より良好な記録再生特性を得ることができる。中間層１９ｂの材料としては、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、およびＲｅなどが挙げられ、特に、Ｒｕを含んでいることが好ましい。

この磁気記録媒体では、ＡＰＣ−ＳＵＬ１９を用いているので、上層部である軟磁性層１９ａと下層部である軟磁性層１９ｃとが反平行に交換結合し、残留磁化状態で上下層トータルの磁化量はゼロなる。これにより、ＡＰＣ−ＳＵＬ１９中の磁区が動いた場合に発生する、スパイク状のノイズの発生を抑えることができる。したがって、記録再生特性を更に向上することができる。

＜２．第２の実施形態＞
第２の実施形態では、下地層の下の層がＳＵＬであり、このＳＵＬ表面の算術平均粗さＲａ、すなわちＳＵＬ−下地層の界面の算術平均粗さＲａを調整することで、記録層の配向強度Δθ₅₀の値を５°以上１０°未満の範囲内とした磁気記録媒体を例として説明する。

［２．１ 磁気記録媒体の構成］
図６に示すように、本技術の第２の実施形態に係る磁気記録媒体は、いわゆる二層垂直磁気記録媒体であり、基材１１と下地層１２との間に、ＳＵＬ１８を備える点において、第１の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。

ＳＵＬ１８と下地層１２とが隣接して設けられ、このＳＵＬ１８の表面（成膜面）の算術平均粗さＲａ、すなわちＳＵＬ１８−下地層１２の界面の算術平均粗さＲａが、０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下である。これにより、磁気記録媒体のＸ線回折ピークの中で、記録層１３に含まれる磁性原子の回折ピークをロッキングカーブ法で計測したΔθ₅₀の値を、５°以上１０°未満の範囲内にできる。但し、Δθ₅₀の値を５°以上１０°未満の範囲内にする方法は、上述したＳＵＬ１８の表面性の調整する方法に限定されるものではなく、これ以外の方法を用いてもよい。

第２の実施形態では、ＳＵＬ１８−下地層１２の界面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下であればよく、基材１１の表面の算術平均粗さＲａは０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下の範囲内に設定されていなくてもよい。

ＳＵＬ１８の表面性の調整方法としては、（１）非磁性支持体である基材１１の表面性を調整する方法、（２）ＳＵＬ１８の成膜時の投入スパッタ電力を調整する方法が挙げられる。これらは、スパッタ粒子が基材１１に到達後、その運動エネルギーにより基材１１上を動き回る現象（マイグレーション）に関係があり、マイグレーション現象が大きいほど平滑で結晶性の高い膜が形成されることが知られている。基材１１の表面性が粗い場合、表面の凹凸の影響により、スパッタ粒子の運動エネルギーが減衰し、十分なマイグレーションが得られなくなる。また、投入スパッタ電力が小さい場合も、同様にスパッタ粒子の運動エネルギーが小さくなることにより、スパッタ粒子の十分なマイグレーションが得られなくなる。これらのパラメータをコントロールすることにより、スパッタ膜の表面性を変化させることが可能となる。

この第２の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

［２．２ 効果］
第２の実施形態に係る磁気記録媒体では、ＳＵＬ１８−下地層１２の界面の算術平均粗さＲａを０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下に調整することで、Δθ₅₀の値を５°以上１０°未満にしている。したがって、記録再生特性と信頼性を両立できる。

［２．３ 変形例］
上述の第２の実施形態では、基材１１の表面に、ＳＵＬ１３、下地層１２、記録層１３を順次積層した構成について説明した。しかしながら、磁気記録媒体の層構成はこれに限定されるものではなく、ＳＵＬ１８−下地層１２の界面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下となっていれば、磁気記録媒体の層構成はこれに限定されるものではなく、他の層構成を採用してもよい。以下に、他の層構成について説明する。

磁気記録媒体が、下地層１２と記録層１３との間に、中間層をさらに備えるようにしてもよい。磁気記録媒体が、記録層１３と保護層１４との間に、ＣＡＰ層（スタック層）をさらに備えるようにしてもよい。中間層およびＣＡＰ層はそれぞれ、第１の実施形態の変形例１、２におけるものと同様である。

磁気記録媒体は、図６に示した単層構造の軟磁性裏打ち層１８に代えて、多層構造の軟磁性裏打ち層であるＡＰＣ−ＳＵＬを備えるようにしてもよい。このＡＰＣ−ＳＵＬの表面（成膜面）の算術平均粗さＲａ、すなわちＡＰＣ−ＳＵＬ−下地層１２の界面の算術平均粗さＲａが、０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下である。ＡＰＣ−ＳＵＬは、これ以外の点では、第１の実施形態の変形例４におけるものと同様である。

＜３．第３の実施形態＞
第３の実施形態では、第１、第２の下地層を設け、第１の下地層の下の層が基材であり、第２の下地層の下の層がＳＵＬであり、ＳＵＬ−第２の下地層の界面の算術平均粗さＲａを調整することで、Δθ₅₀の値を５°以上１０°未満の範囲内とした磁気記録媒体を例として説明する。

［３．１ 磁気記録媒体の構成］
図７に示すように、本技術の第３の実施形態に係る磁気記録媒体は、いわゆる二層垂直磁気記録媒体であり、下地層１２と記録層１３との間に、ＳＵＬ１８および下地層２０をさらに備える点において、第１の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。ＳＵＬ１８が下地層１２の側に設けられ、下地層２０が記録層１３の側に設けられている。

ＳＵＬ１８−下地層２０の界面の算術平均粗さＲａが、０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下である。下地層２０は、第１の実施形態における下地層１２と同様である。

この第３の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

［３．２ 効果］
第３の実施形態では、ＳＵＬ１８−下地層２０の界面の算術平均粗さＲａを、０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下に調整することで、Δθ₅₀の値を５°以上１０°未満にしている。したがって、記録再生特性と信頼性を両立できる。

［３．３ 変形例］
上述の第３の実施形態では、基材１１の表面に、下地層１２、ＳＵＬ１８、下地層２０ｂ、記録層１３を順次積層した構成について説明した。しかしながら、磁気記録媒体の層構成はこれに限定されるものではなく、ＳＵＬ１８−下地層２０の界面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下となっていれば、磁気記録媒体の層構成はこれに限定されるものではなく、他の層構成を採用してもよい。以下に、他の層構成について説明する。

磁気記録媒体が、下地層２０と記録層１３との間に、中間層をさらに備えるようにしてもよい。磁気記録媒体が、記録層１３と保護層１４との間に、ＣＡＰ層（スタック層）をさらに備えるようにしてもよい。中間層およびＣＡＰ層はそれぞれ、第１の実施形態の変形例１、２におけるものと同様である。

磁気記録媒体は、図７に示した単層構造のＳＵＬ１８に代えて、多層構造の軟磁性裏打ち層であるＡＰＣ−ＳＵＬを備えるようにしてもよい。ＡＰＣ−ＳＵＬは、このＡＰＣ−ＳＵＬと下地層２０との界面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下となっている以外の点では、第１の実施形態の変形例４におけるものと同様である。

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

本実施例において、“記録層の平均厚み”、および“結晶粒子の平均粒径”は以下のようにして求めた。

（記録層の平均厚み）
記録層の平均厚みは以下のようにして求めた。磁気テープの断面ＴＥＭ像を撮影し、この断面ＴＥＭ像から、１００ｎｍ長において、２０点のポイントで記録層の厚みを求めてその平均（算術平均）を求めた。

（結晶粒子の平均粒径）
記録層（グラニュラ記録層）に含まれる結晶粒子の平均粒径は、以下のようにして求めた。まず、磁気テープの平面ＴＥＭ像（２００万倍）を撮影し、この平面ＴＥＭ像から記録層に含まれる複数のカラム（結晶粒子）の粒径をそれぞれ求めた。次に、求めた複数の粒径を単純に平均（算術平均）して結晶粒子の平均粒径を求めた。個数は１００個以上とした。

本技術の実施例について以下の順序で説明する。
ｉ．基材表面の凹凸−配向強度Δθ₅₀の関係
ii．ＳＵＬ表面の凹凸−配向強度Δθ₅₀の関係
iii．層構造−各種特性の関係

＜ｉ．基材表面の凹凸−配向強度Δθ₅₀の関係＞
（実施例１−１、比較例１−２、１−２）
（基材の準備工程）
まず、可撓性を有する非磁性基材として、表面粗さが異なる３種類の高分子フィルムを準備した。

（下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、高分子フィルム上にＴｉＣｒ層（下地層）を５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉ₃₀Ｃｒ₇₀ターゲット
到達真空度：５×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．２５Ｐａ

（記録層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＴｉＣｒ層（下地層）上に（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）層（記録層）を１４ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（Ｃｏ₇₅Ｃｒ₁₀Ｐｔ₁₅）₉₀−（ＳｉＯ₂）₁₀ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．０Ｐａ

（保護層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）層（記録層）上にカーボン層（保護層）を５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：カーボンターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．０Ｐａ

（トップコート層の成膜工程）
次に、潤滑剤を保護層上に塗布し、保護層上にトップコート層を成膜した。
以上により、垂直磁気記録媒体である磁気テープを得た。

＜ii．ＳＵＬ表面の凹凸−配向強度Δθ₅₀の関係＞
（実施例２−１、２−２、比較例２−１、２−２）
（基材の準備工程）
まず、可撓性を有する非磁性基材として、表面粗さが異なる４種類の高分子フィルムを準備した。

（ＳＵＬの成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、高分子フィルム上に単層構造のＳＵＬとしてＣｏＺｒＮｂ層を８０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ
投入電力：９６ｍＷ／ｍｍ²

（下地層の成膜工程）
次に、ＣｏＺｒＮｂ層（ＳＵＬ）上に、ＴｉＣｒ層（下地層）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）層（記録層）、カーボン層（保護層）、トップコート層を実施例１−１と同様にして積層した。

（実施例２−３）
単層構造のＳＵＬに代えて、ＡＰＣ−ＳＵＬを成膜する以外は、実施例２−１と同様にして磁気テープを得た。以下に、ＡＰＣ−ＳＵＬを構成する各層の成膜工程について説明する。

（第１の軟磁性層）
まず、以下の成膜条件にて、ＴｉＣｒ層（下地層）上に第１の軟磁性層としてＣｏＺｒＮｂ層を４０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ
投入電力：９６ｍＷ／ｍｍ²

（Ｒｕ中間層）
次に、以下の成膜条件にて、ＣｏＺｒＮｂ層上にＲｕ層（中間層）を、０．８ｎｍ〜１．１ｎｍの範囲で成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．３Ｐａ

（第２の軟磁性層）
次に、以下の成膜条件にて、Ｒｕ層（中間層）上に第２の軟磁性層としてＣｏＺｒＮｂ層を４０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ
投入電力：９６ｍＷ／ｍｍ²

（実施例２−４）
高分子フィルムの準備工程後、ＳＵＬの成膜工程前に、以下の下地層の成膜工程をさらに備える以外は実施例２−３と同様にして磁気テープを得た。

（下地層の成膜工程）
以下の成膜条件にて、高分子フィルム上にＴｉＣｒ層を５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉ₃₀Ｃｒ₇₀ターゲット
到達真空度：５×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．２５Ｐａ

（比較例２−３）
第１の軟磁性層の工程、および第２の軟磁性層の工程における投入電力を５５ｍＷ／ｍｍ²に変更すること以外は実施例２−４と同様にして、磁気テープを得た。

＜iii．層構造−各種特性の関係＞
（実施例３−１）
下地層の成膜工程後、記録層の成膜工程前に、以下の中間層の成膜工程をさらに備える以外は実施例２−４と同様にして磁気テープを得た。

（中間層の成膜工程）
以下の成膜条件にて、ＴｉＣｒ層（下地層）上にＲｕ層（中間層）を２０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．６Ｐａ

（実施例３−２）
下地層の成膜工程におけるガス圧を１．００Ｐａに変更すると共に、中間層の成膜工程におけるガス圧を０．５Ｐａに変更する以外は実施例３−１と同様にして磁気テープを得た。

（実施例４−１）
単層構造の中間層に代えて、２層構造の中間層を成膜する以外は、実施例３−１と同様にして磁気テープを得た。以下に、２層構造を有する中間層の成膜工程について説明する。

（第１の中間層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＴｉＣｒ層（下地層）上に第１の中間層としてＲｕ層を１０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（第２の中間層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、Ｒｕ層（第１の中間層）上に第２の中間層としてＲｕ層を２０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．６Ｐａ

（実施例５−１）
単層構造の下地層に代えて、２層構造の下地層を成膜する以外は、実施例４−１と同様にして磁気テープを得た。以下に、２層構造を有する下地層の成膜工程について説明する。

（第１の下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＣｏＺｒＮｂ層（第２の軟磁性層）上にＴｉＣｒ層（第１の下地層）を２．５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉ₅₀Ｃｒ₅₀ターゲット
到達真空度：５×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（第２の下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＴｉＣｒ層上にＮｉＷ層（第２の下地層）を１０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＮｉＷターゲット
到達真空度：５×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．２５Ｐａ

（比較例５−１）
第１の軟磁性層の工程、および第２の軟磁性層の工程における投入電力を５５ｍＷ／ｍｍ²に変更すること以外は実施例５−１と同様にして、磁気テープを得た。

（実施例５−２）
（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）層（記録層）の平均厚みを１０ｎｍに変更すること以外は実施例５−１と同様にして、磁気テープを得た。

（実施例５−３、５−４）
記録層の成膜工程におけるガス圧を０．８Ｐａ、１．２Ｐａに変更すること以外は実施例５−１と同様にして、磁気テープを得た。

（実施例６−１）
記録層の成膜工程後、保護層の成膜工程前に、以下のＣＡＰ層の成膜工程をさらに備える以外は実施例２−４と同様にして磁気テープを得た。

（ＣＡＰ層の成膜工程）
以下の成膜条件にて、記録層と保護層との間にＣｏＰｔＣｒＢ層（ＣＡＰ層）を８ｎｍ成膜すること以外は、実施例５−１と同様にして磁気テープを得た。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＰｔＣｒＢターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ

（実施例６−２、６−３）
中間層の成膜工程におけるガス圧を１．２Ｐａ、２．０Ｐａに変更すること以外は、実施例６−１と同様にして磁気テープを得た。

［評価］
上述のようにして得られた磁気テープについて、以下の評価を行った。

（高分子フィルム表面の算術平均粗さＲａ）
磁気テープの断面ＴＥＭ像（２００万倍で、長手方向に１００ｎｍ長さ以上の像）を撮影した。この断面ＴＥＭ像から、高分子フィルムとその表面に隣接して設けられ上層との界面の凹凸を、１００ｎｍ長の間で２００個所（望ましくは０．５ｎｍずつおおよそ等間隔）測定し、その算術平均粗さを求めた。
算術平均粗さＲａ（ｎｍ）の定義は、以下に記載する通りである。
Ｚ（ｉ）：各測定点での測定値（ｎｍ）
ｉ：測定点番号ｉ＝１〜２００点
Ｚ_ave：平均中心線＝（Ｚ（１）＋Ｚ（２）＋・・・＋Ｚ（２００））／２００
Ｚ”（ｉ）：各測定点での平均中心線からの偏差＝Ｚ（ｉ）−Ｚ_ave
Ｒａ（ｎｍ）＝（Ｚ”（１）＋Ｚ”（２）＋・・・＋Ｚ”（２００））／２００

（ＳＵＬ−下地層の界面の算術平均粗さＲａ）
磁気テープの断面ＴＥＭ像（２００万倍で、長手方向に１００ｎｍ長さ以上の像）を撮影した。この断面ＴＥＭ像から、ＳＵＬ−下地層の界面の凹凸を、１００ｎｍ長の間で２００個所（望ましくは０．５ｎｍずつおおよそ等間隔）測定し、その算術平均粗さを求めた。なお、算術平均粗さＲａ（ｎｍ）の定義は、上述した通りである。

（記録層の配向強度Δθ₅₀）
ロッキングカーブ法により、記録層に含まれる磁性原子の回折ピークを計測することによりΔθ₅₀を求めた。

（中間層の配向強度Δθ₅₀）
ロッキングカーブ法により、中間層に含まれる原子の回折ピークを計測することによりΔθ₅₀を求めた。

（記録層の磁気特性）
記録層の垂直方向の磁気特性（Ｈｃ、Ｒｓ）を振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）にて調べた。

（記録再生特性の評価）
下地層を有していない単層垂直磁気テープ（実施例１−１、１−２、比較例１−１〜１−３）の記録再生特性を以下のようにして評価した。まず、ループテスター（Microphysics社製）を用いて、磁気テープの再生信号を取得した。以下に、再生信号の取得条件について示す。
ｈｅａｄ：ＧＭＲ ｈｅａｄ
ｓｐｅｅｄ：２ｍ／ｓ
ｓｉｇｎａｌ：単一記録周波数（１０ＭＨｚ）
記録電流：最適記録電流

次に、再生信号をスペクトラムアナライザ（spectrum analyze）によりスパン（SPAN）０〜２０ＭＨｚ（resolution band width = 100kHz, VBW = 30kHz）で取り込んだ。次に、取り込んだスペクトルのピークを信号量Ｓとすると共に、ピークを除いたfloor noiseを積算して雑音量Ｎとし、信号量Ｓと雑音量Ｎの比Ｓ／ＮをＳＮＲ(Signal-to-Noise Ratio)として求めた。次に、求めたＳＮＲを、リファレンスメディアとしての比較例１−１のＳＮＲを基準とした相対値（ｄＢ）に変換した。

下地層を有している二層垂直磁気テープ（実施例２−１〜６−３、比較例２−１〜５−１）の記録再生特性を以下のようにして評価した。まず、Single Pole型の記録ヘッドとトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドを用い、ピエゾステージによりこのヘッドを往復振動させることにより記録再生を行う、所謂、ドラッグテスタにて測定を行った。１００Ｇｂ／ｉｎ²を超える高記録密度記録領域では、垂直磁気記録媒体であっても主に記録の問題で、十分な記録再生特性を実現することが難しく、垂直方向に急峻な磁界を発生できる単磁極（Single Pole Type：ＳＰＴ）ヘッドと軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）を有する２層垂直記録媒体の組み合わせが必要である。また、巨大磁気抵抗ヘッドに比べて磁気抵抗変化率が大きく再生感度の高いトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドも必要と思われる。そのような理由から、ここでは、ＳＰＴ記録ヘッドとＴＭＲ再生ヘッドによる評価を実施した。ここで、再生ヘッドのリードトラック幅は７５ｎｍとした。次に、記録波長を３００ｋＦＣＩ（kilo Flux Changes per Inch）とし、ＳＮＲを、再生波形のピーク・トゥ・ピーク電圧と、ノズスペクトラムを０ｋＦＣＩ〜６００ｋＦＣＩの帯域で積分した値から求めた電圧との比により計算して求めた。次に、求めたＳＮＲを、リファレンスメディアとしての比較例１−１のＳＮＲを基準とした相対値（ｄＢ）に変換した。

実施例１−１、１−２、比較例１−１〜１−３の磁気テープの成膜条件を示す。

実施例１−１、１−２、比較例１−１〜１−３の磁気テープの評価結果を示す。

実施例２−１、２−４、比較例２−１〜２−３の磁気テープの成膜条件を示す。

但し、表３中、“Ｐｏｗ．”は製膜時の投入スパッタ電力、“ＳＬ”は単層（Single Layer）構造のＳＵＬ、“ＡＰＣ”はAntiparallel Coupled構造のＳＵＬを示している。

実施例２−１、２−４、比較例２−１〜２−３の磁気テープの評価結果を示す。

実施例３−１〜６−３、比較例５−１の磁気テープの成膜条件を示す。

但し、表５中、“Ｐｏｗ．”は製膜時の投入スパッタ電力、“ＳＬ”は単層（Single Layer）構造のＳＵＬ、“ＡＰＣ”はAntiparallel Coupled構造のＳＵＬを示している。

実施例３−１〜６−３、比較例５−１の磁気テープの評価結果を示す。

表１、表２から以下のことがわかる。
実施例１−１では、高分子フィルム表面の算術平均粗さＲａ（すなわち、高分子フィルム−下地層の界面の算術平均粗さＲａ）が０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下の範囲内にあるため、記録層のΔθ₅₀が５°以上１０°未満の範囲内にある。したがって、良好なＳＮＲが得られ、かつ摩擦の増加が抑制されている。
比較例１−１では、高分子フィルム表面の算術平均粗さＲａ（すなわち、高分子フィルム−下地層の界面の算術平均粗さＲａ）が１．０ｎｍを超えているため、記録層のΔθ₅₀が１０°以上である。したがって、摩擦の増加が抑制されるが、ＳＮＲが低下してしまう。
比較例１−２では、高分子フィルム表面の算術平均粗さＲａ（すなわち、高分子フィルム−下地層の界面の算術平均粗さＲａ）が０．４ｎｍ未満であるため、記録層のΔθ₅₀が５°未満となっている。したがって、良好なＳＮＲが得られるが、磁気テープとヘッドとの間に貼り付きが発生してしまっている。

表３、表４から以下のことがわかる。
実施例２−１、２−２では、基材と下地層との間にＳＵＬを設け、ＳＵＬ−下地層の界面の算術平均粗さＲａを０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下の範囲内にしているため、記録層のΔθ₅₀が５°以上１０°未満の範囲内にある。したがって、良好なＳＮＲが得られ、かつ摩擦の増加が抑制されている。
比較例２−１では、基材と下地層との間にＳＵＬを設け、ＳＵＬ−下地層の界面の算術平均粗さＲａを１．０ｎｍを超えて大きくしているため、記録層のΔθ₅₀が１０°を超えている。したがって、摩擦の増加が抑制されるが、ＳＮＲが低下してしまっている。
比較例２−２では、基材と下地層との間にＳＵＬを設け、ＳＵＬ−下地層の界面の算術平均粗さＲａを０．４ｎｍ未満にしているため、記録層のΔθ₅₀が５°未満となっている。したがって、良好なＳＮＲが得られるが、磁気テープとヘッドとの間に貼り付きが発生してしまっている。
実施例２−３、２−４では、ＳＵＬがＡＰＣ構造を有している。この構成の場合にも、ＳＵＬが単層構造を有する場合と同様に、ＳＵＬ−下地層の界面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下の範囲内にあると、記録層のΔθ₅₀が５°以上１０°未満の範囲内となる。したがって、良好なＳＮＲが得られ、かつ摩擦の増加が抑制される。
比較例２−３では、ＳＵＬをＡＰＣ構造にしている。この構成の場合にも、ＳＵＬが単層構造を有する場合と同様に、ＳＵＬ−下地層の界面の算術平均粗さＲａが１．０ｎｍを超えていると、記録層のΔθ₅₀が１０°を超えてしまう。したがって、摩擦の増加が抑制されるが、ＳＮＲが低下してしまう。

表５、表６から以下のことがわかる。
実施例３−１、３−２では、下地層と記録層との間に単層構造の中間層を設けている。この構成の場合、ＳＵＬ−下地層の界面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下の範囲内にあると、記録層のΔθ₅₀が５°以上１０°未満の範囲内となり、かつ、中間層のΔθ₅₀が４°以上９°以下となり、良好なＳＮＲが得られ、かつ摩擦の増加が抑制される。
実施例４−１では、中間層の構造を２層構造にしている。この構成の場合、単層構造の中間層の場合と同様に、ＳＵＬ−下地層の界面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下の範囲内にあると、記録層のΔθ₅₀が５°以上１０°未満の範囲内となり、かつ、中間層のΔθ₅₀が４°以上９°以下となり、良好なＳＮＲが得られ、かつ摩擦の増加が抑制される。

実施例５−１〜５−４では、下地層を２層構造にしている。この構成の場合にも、単層構造の中間層の場合と同様に、ＳＵＬ−下地層の界面の算術平均粗さＲａが０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下の範囲内にあると、記録層のΔθ₅₀が５°以上１０°未満の範囲内となり、かつ、中間層のΔθ₅₀が４°以上９°以下となり、良好なＳＮＲが得られ、かつ摩擦の増加が抑制される。
比較例５−１では、下地層を２層構造にしている。この構成の場合にも、ＳＵＬが単層構造を有する場合と同様に、ＳＵＬ−下地層の界面の算術平均粗さＲａが１．０ｎｍを超えていると、記録層のΔθ₅₀が１０°を超えてしまう。また、中間層のΔθ₅₀が９°を超えてしまう。したがって、摩擦の増加が抑制されるが、ＳＮＲが低下してしまう。

以上、本技術の実施形態およびその変形例、ならびに実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
可撓性を有する基材と、下地層と、記録層とを備え、
Ｘ線回折ピークの中で、上記記録層に含まれる磁性原子の回折ピークをロッキングカーブ法で計測したΔθ５０の値が、５°以上１０°未満である磁気記録媒体。
（２）
上記基材と上記下地層の界面の算術平均粗さＲａが、０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
上記基材と上記下地層の間に設けられた軟磁性裏打ち層をさらに備え、
上記軟磁性裏打ち層と上記下地層の界面の算術平均粗さＲａが、０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下である（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
上記軟磁性裏打ち層が、ＡＰＣ構造を有する（３）に記載の磁気記録媒体。
（５）
上記基材と上記軟磁性裏打ち層の間に設けられた、Ｔｉ合金を含む層をさらに備える（３）または（４）に記載の磁気記録媒体。
（６）
上記下地層と上記記録層の間に設けられた中間層をさらに備え、
Ｘ線回折ピークの中で、上記中間層に含まれる原子の回折ピークをロッキングカーブ法で計測したΔθ５０の値が、４°以上９°以下である（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（７）
上記中間層は、組成が同一で、成膜条件が異なる複数の層を備える（６）に記載の磁気記録媒体。
（８）
上記中間層が、Ｒｕを含んでいる（６）または（７）に記載の磁気記録媒体。
（９）
上記下地層が、ＴｉまたはＮｉを含んでいる（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１０）
上記記録層の平均厚みが、１０ｎｍ以上である（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１１）
上記記録層は、垂直記録層である（１）から（１０）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１２）
上記記録層が、グラニュラ構造を有している（１）から（１１）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１３）
上記記録層が、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔを含む合金と、Ｓｉを含む酸化物とを含んでいる（１）から（１２）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１４）
上記記録層に含まれる結晶粒子の平均粒径が、６ｎｍ以上８ｎｍ以下である（１）から（１３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１５）
ＣＡＰ層をさらに備える（１）から（１４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１６）
抗磁力Ｈｃが、３０００Ｏｅ以上５５００Ｏｅ以下であり、
角型比Ｒｓが、８５％以上である（１）から（１５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１７）
上記下地層および上記記録層が、スパッタリング法により成膜されている（１）から（１６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１８）
上記下地層および上記記録層が、Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ法により成膜されている（１）から（１７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。

１１ 基体
１２ 下地層
１３ 記録層
１４ 保護層
１５ トップコート層
１６ 中間層
１７ ＣＡＰ層
１８ ＳＵＬ
１９ ＡＰＣ−ＳＵＬ
２０ａ 第１の下地層
２０ｂ 第２の下地層
２１ 成膜室
２２ ドラム
２３ａ、２３ｂ カソード
２４ 供給リール
２５ 巻き取りリール
２６ 排気口
２７、２８ ガイドロール

Claims (17)

1. 可撓性を有する長尺状の基材と、
   下地層と、
   記録層と、
   上記基材と上記下地層の間に設けられた軟磁性裏打ち層と、
   上記基材と上記軟磁性裏打ち層の間に設けられた、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む層と
   を備え、
   Ｘ線回折ピークの中で、上記記録層に含まれる磁性原子の回折ピークをロッキングカーブ法で計測したΔθ５０の値が、５°以上１０°未満であり、
   上記下地層が、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む層を備える磁気記録媒体。
2. 可撓性を有する長尺状の基材と、下地層と、記録層とを備え、
   Ｘ線回折ピークの中で、上記記録層に含まれる磁性原子の回折ピークをロッキングカーブ法で計測したΔθ５０の値が、７°以上１０°未満であり、
   上記下地層が、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む層を備える磁気記録媒体。
3. 上記下地層が、上記ＴｉおよびＣｒを含む層上に設けられ、ＮｉおよびＷを含む層をさらに備える請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
4. 上記ＴｉおよびＣｒを含む層は、さらにＯ（酸素）を含む請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
5. 上記基材と上記下地層の界面の算術平均粗さＲａが、０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下である請求項２に記載の磁気記録媒体。
6. 上記軟磁性裏打ち層と上記下地層の界面の算術平均粗さＲａが、０．４ｎｍ以上１．０ｎｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
7. 上記軟磁性裏打ち層が、ＡＰＣ構造を有する請求項６に記載の磁気記録媒体。
8. 上記下地層と上記記録層の間に設けられた中間層をさらに備え、
   Ｘ線回折ピークの中で、上記中間層に含まれる原子の回折ピークをロッキングカーブ法で計測したΔθ５０の値が、４°以上９°以下である請求項１から７のいずれかに記載の磁気記録媒体。
9. 上記中間層は、組成が同一で、成膜条件が異なる複数の層を備える請求項８に記載の磁気記録媒体。
10. 上記中間層が、Ｒｕを含んでいる請求項８または９に記載の磁気記録媒体。
11. 上記記録層の平均厚みが、１０ｎｍ以上である請求項１から１０のいずれかに記載の磁気記録媒体。
12. 上記記録層は、垂直記録層である請求項１から１１のいずれかに記載の磁気記録媒体。
13. 上記記録層が、グラニュラ構造を有している請求項１から１２のいずれかに記載の磁気記録媒体。
14. 上記記録層が、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔを含む合金と、Ｓｉを含む酸化物とを含んでいる請求項１から１３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
15. 上記記録層に含まれる結晶粒子の平均粒径が、６ｎｍ以上８ｎｍ以下である請求項１から１４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
16. ＣＡＰ層をさらに備える請求項１から１５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
17. 抗磁力Ｈｃが、３０００Ｏｅ以上５５００Ｏｅ以下であり、
    角型比Ｒｓが、８５％以上である請求項１から１６のいずれかに記載の磁気記録媒体。

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