JPH0991699A - 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体Info
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- JPH0991699A JPH0991699A JP24017395A JP24017395A JPH0991699A JP H0991699 A JPH0991699 A JP H0991699A JP 24017395 A JP24017395 A JP 24017395A JP 24017395 A JP24017395 A JP 24017395A JP H0991699 A JPH0991699 A JP H0991699A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 垂直磁気記録媒体の高密度記録時の再生出
力、Ｃ／Ｎを従来のそれよりさらに向上させる。 【解決手段】 巻き出しロール１２からポリイミドフィ
ルム１を巻き出し、右上のガイドロール１４にガイドさ
せて、右下のガイドロール１４に向けて空中に浮遊させ
たまま垂直下方に走行させる。走行するポリイミドフィ
ルム１は、左側方に所定距離を隔てて設けたヒータ１８
により放射加熱し、スパッタ成膜に適切な温度に設定す
る。適切な温度になったポリイミドフィルム１に、右側
方に所定距離を隔てて設けたスパッタ源１６によりスパ
ッタし、Ｃｏ82Ｃｒ17Ｔａ1 からなる垂直磁化膜２を成
膜する。この垂直磁化膜は、垂直方向の抗磁力（ＨCV）
が１７００〜２３００エールステット゛で、結晶配向度（Δ
θ50）が５〜８゜である。
力、Ｃ／Ｎを従来のそれよりさらに向上させる。 【解決手段】 巻き出しロール１２からポリイミドフィ
ルム１を巻き出し、右上のガイドロール１４にガイドさ
せて、右下のガイドロール１４に向けて空中に浮遊させ
たまま垂直下方に走行させる。走行するポリイミドフィ
ルム１は、左側方に所定距離を隔てて設けたヒータ１８
により放射加熱し、スパッタ成膜に適切な温度に設定す
る。適切な温度になったポリイミドフィルム１に、右側
方に所定距離を隔てて設けたスパッタ源１６によりスパ
ッタし、Ｃｏ82Ｃｒ17Ｔａ1 からなる垂直磁化膜２を成
膜する。この垂直磁化膜は、垂直方向の抗磁力（ＨCV）
が１７００〜２３００エールステット゛で、結晶配向度（Δ
θ50）が５〜８゜である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体の製
造方法及び磁気記録媒体に関する。
造方法及び磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】非磁性基体上に垂直磁化膜を形成したＣ
ｏ系垂直磁気記録媒体（以下、「垂直媒体」と記す。）
は、記録対象が短波長記録になるほど反磁界の影響が弱
まることから、高密度記録に適した媒体として有望視さ
れている。Ｃｏ系垂直磁化膜はＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴ
ａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａＰｔ等の合金からな
る。垂直媒体に関し、高密度記録時の再生出力、Ｃ／Ｎ
に影響を及ぼす特性としては、垂直磁化膜の磁気特性、
結晶配向性がある。
ｏ系垂直磁気記録媒体（以下、「垂直媒体」と記す。）
は、記録対象が短波長記録になるほど反磁界の影響が弱
まることから、高密度記録に適した媒体として有望視さ
れている。Ｃｏ系垂直磁化膜はＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴ
ａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａＰｔ等の合金からな
る。垂直媒体に関し、高密度記録時の再生出力、Ｃ／Ｎ
に影響を及ぼす特性としては、垂直磁化膜の磁気特性、
結晶配向性がある。
【０００３】磁気特性に関しては、主として垂直方向の
抗磁力（ＨCV）の影響が大きく、ＨCVが高いほど再生出
力が大きく、高いＣ／Ｎが得られる。ＨCVは成膜時にお
ける基体の温度に強く依存し、基体の温度上昇とともに
高くなることが知られている。しかし、基体温度の上限
は垂直磁化膜のＣｏがｈｃｐ（六方最密結晶）構造から
ｆｃｃ（面心立方結晶）構造へ転移する温度であり、転
移温度は膜組成により異なる。基体として高分子フィル
ムを用いる場合は、高いＨCVを得るには高分子フィルム
の耐熱温度が高くなければならない。
抗磁力（ＨCV）の影響が大きく、ＨCVが高いほど再生出
力が大きく、高いＣ／Ｎが得られる。ＨCVは成膜時にお
ける基体の温度に強く依存し、基体の温度上昇とともに
高くなることが知られている。しかし、基体温度の上限
は垂直磁化膜のＣｏがｈｃｐ（六方最密結晶）構造から
ｆｃｃ（面心立方結晶）構造へ転移する温度であり、転
移温度は膜組成により異なる。基体として高分子フィル
ムを用いる場合は、高いＨCVを得るには高分子フィルム
の耐熱温度が高くなければならない。
【０００４】高耐熱性高分子としてポリエチレンテレフ
タレートフィルムを用いる場合は、基体温度の上限は１
００〜１３０℃、ポリエチレンナフタレートフィルムの
場合は、１４０〜１５５℃、ポリイミドフィルムの場合
は、２００〜４００℃、アラミドフィルムの場合は、２
００〜２５０℃である。上記フィルムの場合、原料の種
類や製造方法によって、耐熱性が異なる。また、成膜装
置の加熱設備に起因する制約から基体温度には上限があ
り、したがってＨCVの上限が決まる。以上述べたよう
に、高分子フィルム基体上にＣｏＣｒ系垂直磁化膜を成
膜した際に得られるＨCVは、１４００〜１５００エールステッ
ト゛であった。
タレートフィルムを用いる場合は、基体温度の上限は１
００〜１３０℃、ポリエチレンナフタレートフィルムの
場合は、１４０〜１５５℃、ポリイミドフィルムの場合
は、２００〜４００℃、アラミドフィルムの場合は、２
００〜２５０℃である。上記フィルムの場合、原料の種
類や製造方法によって、耐熱性が異なる。また、成膜装
置の加熱設備に起因する制約から基体温度には上限があ
り、したがってＨCVの上限が決まる。以上述べたよう
に、高分子フィルム基体上にＣｏＣｒ系垂直磁化膜を成
膜した際に得られるＨCVは、１４００〜１５００エールステッ
ト゛であった。
【０００５】結晶配向性は、一般にＣｏのｈｃｐ構造の
（００２）ピークのロッキングカーブをＸ線回折で測定
した時の半値幅（Δθ50）即ちＣｏのＣ軸分散角で評価
する。Δθ50が小さいほど、Ｃｏの垂直配向性が良好と
なり、記録再生特性においては、周波数特性が向上す
る。Δθ50はスパッタ法で垂直磁化膜を成膜する場合
は、成膜時のＡｒガス圧に強く依存し、Ａｒガス圧の上
昇とともにΔθ50は大きくなり、垂直配向性は劣化す
る。高分子フィルム基体上にスパッタ法でＣｏＣｒ系垂
直磁化膜を成膜した際に得られるＨCVは、１４００〜１
５００エールステット゛で、Δθ50は４〜２０゜であった。
（００２）ピークのロッキングカーブをＸ線回折で測定
した時の半値幅（Δθ50）即ちＣｏのＣ軸分散角で評価
する。Δθ50が小さいほど、Ｃｏの垂直配向性が良好と
なり、記録再生特性においては、周波数特性が向上す
る。Δθ50はスパッタ法で垂直磁化膜を成膜する場合
は、成膜時のＡｒガス圧に強く依存し、Ａｒガス圧の上
昇とともにΔθ50は大きくなり、垂直配向性は劣化す
る。高分子フィルム基体上にスパッタ法でＣｏＣｒ系垂
直磁化膜を成膜した際に得られるＨCVは、１４００〜１
５００エールステット゛で、Δθ50は４〜２０゜であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の垂直媒体ではＨCVは、１６００エールステット゛以下で、Δ
θ50が４〜２０゜であり、高密度記録時の再生出力、Ｃ
／Ｎには限界があった。本発明の目的は、垂直媒体の高
密度記録時の再生出力、Ｃ／Ｎを従来のそれよりさらに
向上させることにある。
来の垂直媒体ではＨCVは、１６００エールステット゛以下で、Δ
θ50が４〜２０゜であり、高密度記録時の再生出力、Ｃ
／Ｎには限界があった。本発明の目的は、垂直媒体の高
密度記録時の再生出力、Ｃ／Ｎを従来のそれよりさらに
向上させることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の磁気記録媒体の製造方法は、真空容器内
で巻き出しロールから引き出した非磁性フィルム基体を
走行させ、非磁性フィルム基体上に磁性膜を形成し、こ
の後に巻き取りロールに巻き取る磁気記録媒体の製造方
法において、前記磁性膜を形成する時フィルム基体を空
中に浮遊させたまま走行させ、磁性膜形成面の反対側か
らフィルム基体を加熱することを特徴とする。上記製造
方法では、磁性膜を形成する時フィルム基体を空中に浮
遊させたまま走行させ、磁性膜形成面の反対側からフィ
ルム基体を加熱するので、熱伝導による損失が少なく、
高い温度に維持した状態で成膜が可能である。
め、請求項１の磁気記録媒体の製造方法は、真空容器内
で巻き出しロールから引き出した非磁性フィルム基体を
走行させ、非磁性フィルム基体上に磁性膜を形成し、こ
の後に巻き取りロールに巻き取る磁気記録媒体の製造方
法において、前記磁性膜を形成する時フィルム基体を空
中に浮遊させたまま走行させ、磁性膜形成面の反対側か
らフィルム基体を加熱することを特徴とする。上記製造
方法では、磁性膜を形成する時フィルム基体を空中に浮
遊させたまま走行させ、磁性膜形成面の反対側からフィ
ルム基体を加熱するので、熱伝導による損失が少なく、
高い温度に維持した状態で成膜が可能である。
【０００８】請求項２の磁気記録媒体の製造方法は、前
記磁性膜がＣｏ系垂直磁化膜であることを特徴とする。
磁性膜がＣｏ系垂直磁化膜であるので、垂直方向の抗磁
力（ＨCV）が高い垂直磁化膜を得るのが容易である。
記磁性膜がＣｏ系垂直磁化膜であることを特徴とする。
磁性膜がＣｏ系垂直磁化膜であるので、垂直方向の抗磁
力（ＨCV）が高い垂直磁化膜を得るのが容易である。
【０００９】請求項３の磁気記録媒体は、非磁性フィル
ム基体上にＣｏ系垂直磁化膜を形成した磁気記録媒体に
おいて、前記垂直磁化膜は垂直方向の抗磁力（ＨCV）が
１７００〜２３００エールステット゛で、結晶配向度（Δθ50）
が５〜８゜であることを特徴とする。垂直磁化膜につい
て垂直方向の抗磁力（ＨCV）を１７００〜２３００エールス
テット゛に、結晶配向度（Δθ50）を５〜８゜にすることに
より、記録密度特性とＣ／Ｎが良好な垂直媒体を得るこ
とができる。
ム基体上にＣｏ系垂直磁化膜を形成した磁気記録媒体に
おいて、前記垂直磁化膜は垂直方向の抗磁力（ＨCV）が
１７００〜２３００エールステット゛で、結晶配向度（Δθ50）
が５〜８゜であることを特徴とする。垂直磁化膜につい
て垂直方向の抗磁力（ＨCV）を１７００〜２３００エールス
テット゛に、結晶配向度（Δθ50）を５〜８゜にすることに
より、記録密度特性とＣ／Ｎが良好な垂直媒体を得るこ
とができる。
【００１０】請求項４の磁気記録媒体は、前記垂直磁化
膜がＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａを含むＣｏＣｒ系磁性膜で
あることを特徴とする。垂直磁化膜がＣｏＣｒ，ＣｏＣ
ｒＴａを含むＣｏＣｒ系磁性膜であるので、垂直方向の
抗磁力（ＨCV）を高めることができる。
膜がＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａを含むＣｏＣｒ系磁性膜で
あることを特徴とする。垂直磁化膜がＣｏＣｒ，ＣｏＣ
ｒＴａを含むＣｏＣｒ系磁性膜であるので、垂直方向の
抗磁力（ＨCV）を高めることができる。
【００１１】請求項５の磁気記録媒体は、前記非磁性フ
ィルム基体がポリイミドフィルム又はアラミドフィルム
であることを特徴とする。非磁性フィルム基体がポリイ
ミドフィルム又はアラミドフィルムであるので、耐熱性
が高く、垂直磁化膜成膜時にフィルム基体の温度を上げ
ることができる。
ィルム基体がポリイミドフィルム又はアラミドフィルム
であることを特徴とする。非磁性フィルム基体がポリイ
ミドフィルム又はアラミドフィルムであるので、耐熱性
が高く、垂直磁化膜成膜時にフィルム基体の温度を上げ
ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。先ず、本発明の磁気記録媒体の実
施の形態について説明する。図１は本発明の磁気記録媒
体の実施の形態である垂直磁気テープの断面図である。
厚みが１０μｍのポリイミドフィルム１の一方の面に、
Ｃｏ82Ｃｒ17Ｔａ1（各原子に添えた数値は原子％であ
る。以下同様。）からなる厚みが０．１μｍの垂直磁化
膜２、厚みが１０．０ｎｍのカーボン保護膜３、パーフ
ルオロポリエーテルからなる厚みが２．０ｎｍの潤滑膜
４をこの順序で形成して垂直磁気テープ１０を製造す
る。
に基づいて説明する。先ず、本発明の磁気記録媒体の実
施の形態について説明する。図１は本発明の磁気記録媒
体の実施の形態である垂直磁気テープの断面図である。
厚みが１０μｍのポリイミドフィルム１の一方の面に、
Ｃｏ82Ｃｒ17Ｔａ1（各原子に添えた数値は原子％であ
る。以下同様。）からなる厚みが０．１μｍの垂直磁化
膜２、厚みが１０．０ｎｍのカーボン保護膜３、パーフ
ルオロポリエーテルからなる厚みが２．０ｎｍの潤滑膜
４をこの順序で形成して垂直磁気テープ１０を製造す
る。
【００１３】次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法の
実施の形態について説明する。図２は、本発明の磁気記
録媒体を製造するためのスパッタ装置の一例を示す概略
断面図である。スパッタ装置２０は、真空容器１１に不
図示の真空ポンプ等からなる排気系を接続し、真空容器
１１を排気する。また、真空容器１１に不図示のガス導
入系を前記排気系とは別の位置に接続し、真空容器１１
内に所定のガス、例えばＡｒガスを導入して真空容器１
１内の圧力を１０-1〜１０-4Torr程度の所定のガス圧力
に設定する。そして、真空容器１１内に走行系、スパッ
タ源及びヒータを設けている。
実施の形態について説明する。図２は、本発明の磁気記
録媒体を製造するためのスパッタ装置の一例を示す概略
断面図である。スパッタ装置２０は、真空容器１１に不
図示の真空ポンプ等からなる排気系を接続し、真空容器
１１を排気する。また、真空容器１１に不図示のガス導
入系を前記排気系とは別の位置に接続し、真空容器１１
内に所定のガス、例えばＡｒガスを導入して真空容器１
１内の圧力を１０-1〜１０-4Torr程度の所定のガス圧力
に設定する。そして、真空容器１１内に走行系、スパッ
タ源及びヒータを設けている。
【００１４】走行系には上部に巻き出しロール１２を、
右下方に垂直に上下に所定距離を隔ててガイドロール１
４，１４を、右下のガイドロール１４から左方へ水平に
所定距離を隔てて左下のガイドロール１４を及び左下の
ガイドロール１４の左上方に巻き取りロール１５をそれ
ぞれ配設している。巻き出しロール１２には厚みが１０
μｍのポリイミドフィルム１を装着し、このポリイミド
フィルム１を不図示の駆動手段により巻き出しロール１
２から巻き出し、右上のガイドロール１４と右下のガイ
ドロール１４にガイドさせて垂直下方に走行させ、右下
のガイドロール１４で向きを変え、左下のガイドロール
１４に向けて水平左方に走行させ、左下のガイドロール
１４を経て左上方の巻き取りロール１５に巻き取る。
右下方に垂直に上下に所定距離を隔ててガイドロール１
４，１４を、右下のガイドロール１４から左方へ水平に
所定距離を隔てて左下のガイドロール１４を及び左下の
ガイドロール１４の左上方に巻き取りロール１５をそれ
ぞれ配設している。巻き出しロール１２には厚みが１０
μｍのポリイミドフィルム１を装着し、このポリイミド
フィルム１を不図示の駆動手段により巻き出しロール１
２から巻き出し、右上のガイドロール１４と右下のガイ
ドロール１４にガイドさせて垂直下方に走行させ、右下
のガイドロール１４で向きを変え、左下のガイドロール
１４に向けて水平左方に走行させ、左下のガイドロール
１４を経て左上方の巻き取りロール１５に巻き取る。
【００１５】スパッタ源は磁性膜成膜用のスパッタ源１
６と保護膜成膜用のスパッタ源１７とからなる。磁性膜
成膜用のスパッタ源１６は、前記右上下のガイドロール
１４，１４にガイドされて垂直下方に走行するポリイミ
ドフィルム１の右側方に所定距離を隔てて設けてある。
スパッタ源１６はターゲットホルダ１６ｈ，１６ｈによ
り１対のターゲット１６ｔ，１６ｔがそのスパッタされ
る面１６ｓ，１６ｓを空間を隔てて平行かつ水平に対面
するように配設してある。
６と保護膜成膜用のスパッタ源１７とからなる。磁性膜
成膜用のスパッタ源１６は、前記右上下のガイドロール
１４，１４にガイドされて垂直下方に走行するポリイミ
ドフィルム１の右側方に所定距離を隔てて設けてある。
スパッタ源１６はターゲットホルダ１６ｈ，１６ｈによ
り１対のターゲット１６ｔ，１６ｔがそのスパッタされ
る面１６ｓ，１６ｓを空間を隔てて平行かつ水平に対面
するように配設してある。
【００１６】１対のターゲット１６ｔ，１６ｔは、ポリ
イミドフィルム１にＣｏ82Ｃｒ17Ｔａ1 からなる垂直磁
化膜２をスパッタ成膜することができるように、ＣｏＣ
ｒＴａ合金からなる。垂直下方に走行するポリイミドフ
ィルム１はターゲット１６ｔ，１６ｔ間の空間に対面す
る。スパッタ電力を供給する直流電源からなる電力供給
手段１６ｐは、プラス側をアースに、マイナス側をター
ゲット１６ｔ，１６ｔに夫々接続する。したがって電力
供給手段１６ｐからのスパッタ電力は、アースをアノー
ドとし、ターゲット１６ｔ，１６ｔをカソードとして、
アノード、カソード間に供給する。
イミドフィルム１にＣｏ82Ｃｒ17Ｔａ1 からなる垂直磁
化膜２をスパッタ成膜することができるように、ＣｏＣ
ｒＴａ合金からなる。垂直下方に走行するポリイミドフ
ィルム１はターゲット１６ｔ，１６ｔ間の空間に対面す
る。スパッタ電力を供給する直流電源からなる電力供給
手段１６ｐは、プラス側をアースに、マイナス側をター
ゲット１６ｔ，１６ｔに夫々接続する。したがって電力
供給手段１６ｐからのスパッタ電力は、アースをアノー
ドとし、ターゲット１６ｔ，１６ｔをカソードとして、
アノード、カソード間に供給する。
【００１７】ポリイミドフィルム１を加熱するためのヒ
ータ１８は、前記垂直下方に走行するポリイミドフィル
ム１の左側方に所定距離を隔てて、スパッタ源１６に対
向するように設けてある。このヒータ１８は磁性膜形成
面の反対側からポリイミドフィルム１を加熱する。な
お、プレスパッタ時ポリイミドフィルム１を保護するた
め、ポリイミドフィルム１とターゲット１６ｔ，１６ｔ
との間に出入りするシャッタ１９，１９が設けてある。
ータ１８は、前記垂直下方に走行するポリイミドフィル
ム１の左側方に所定距離を隔てて、スパッタ源１６に対
向するように設けてある。このヒータ１８は磁性膜形成
面の反対側からポリイミドフィルム１を加熱する。な
お、プレスパッタ時ポリイミドフィルム１を保護するた
め、ポリイミドフィルム１とターゲット１６ｔ，１６ｔ
との間に出入りするシャッタ１９，１９が設けてある。
【００１８】保護膜成膜用のスパッタ源１７は前記磁性
膜成膜用のスパッタ源１６と同様に、前記左右のガイド
ロール１４，１４にガイドさせて水平左方に走行させる
ポリイミドフィルム１の下方に所定距離を隔てて設けて
ある。スパッタ源１７はターゲットホルダ１７ｈ，１７
ｈにより１対のターゲット１７ｔ，１７ｔがそのスパッ
タされる面１７ｓ，１７ｓを空間を隔てて平行かつ垂直
に対面するように配設してある。１対のターゲット１７
ｔ，１７ｔは、ポリイミドフィルム１にカーボン保護膜
３をスパッタ成膜することができるように、カーボン
（Ｃ）からなる。水平左方に走行するポリイミドフィル
ム１はターゲット１７ｔ，１７ｔ間の空間に対面する。
膜成膜用のスパッタ源１６と同様に、前記左右のガイド
ロール１４，１４にガイドさせて水平左方に走行させる
ポリイミドフィルム１の下方に所定距離を隔てて設けて
ある。スパッタ源１７はターゲットホルダ１７ｈ，１７
ｈにより１対のターゲット１７ｔ，１７ｔがそのスパッ
タされる面１７ｓ，１７ｓを空間を隔てて平行かつ垂直
に対面するように配設してある。１対のターゲット１７
ｔ，１７ｔは、ポリイミドフィルム１にカーボン保護膜
３をスパッタ成膜することができるように、カーボン
（Ｃ）からなる。水平左方に走行するポリイミドフィル
ム１はターゲット１７ｔ，１７ｔ間の空間に対面する。
【００１９】スパッタ電力を供給する直流電源からなる
電力供給手段１７ｐは、構成も作用も前記電力供給手段
１６ｐと同様であるので説明を省略する。なお、プレス
パッタ時ポリイミドフィルム１を保護するため、ポリイ
ミドフィルム１とターゲット１７ｔ，１７ｔとの間にも
出入りするシャッタ１９，１９が設けてある。
電力供給手段１７ｐは、構成も作用も前記電力供給手段
１６ｐと同様であるので説明を省略する。なお、プレス
パッタ時ポリイミドフィルム１を保護するため、ポリイ
ミドフィルム１とターゲット１７ｔ，１７ｔとの間にも
出入りするシャッタ１９，１９が設けてある。
【００２０】次に、このスパッタ装置２０を用いて前記
ポリイミドフィルム１に垂直磁化膜２等を成膜する方法
について説明する。巻き出しロール１２からポリイミド
フィルム１を巻き出し、右上のガイドロール１４にガイ
ドさせて、右下のガイドロール１４に向けて空中に浮遊
させたまま垂直下方に走行させる。走行するポリイミド
フィルム１は、左側方に所定距離を隔てて設けたヒータ
１８により放射加熱し、スパッタ成膜に適切な温度に設
定する。適切な温度になったポリイミドフィルム１に、
右側方に所定距離を隔てて設けたスパッタ源１６により
スパッタし、Ｃｏ82Ｃｒ17Ｔａ1 からなる厚みが０．１
μｍの垂直磁化膜２を成膜する。
ポリイミドフィルム１に垂直磁化膜２等を成膜する方法
について説明する。巻き出しロール１２からポリイミド
フィルム１を巻き出し、右上のガイドロール１４にガイ
ドさせて、右下のガイドロール１４に向けて空中に浮遊
させたまま垂直下方に走行させる。走行するポリイミド
フィルム１は、左側方に所定距離を隔てて設けたヒータ
１８により放射加熱し、スパッタ成膜に適切な温度に設
定する。適切な温度になったポリイミドフィルム１に、
右側方に所定距離を隔てて設けたスパッタ源１６により
スパッタし、Ｃｏ82Ｃｒ17Ｔａ1 からなる厚みが０．１
μｍの垂直磁化膜２を成膜する。
【００２１】垂直磁化膜２を成膜したポリイミドフィル
ム１は右下のガイドロール１４で向きを変え、左下のガ
イドロール１４に向けて空中に浮遊させたまま水平左方
に走行させる。走行するポリイミドフィルム１に、下方
に所定距離を隔てて設けたスパッタ源１７によりスパッ
タし、厚みが１０．０ｎｍのカーボン保護膜３を垂直磁
化膜２の上に成膜する。垂直磁化膜２とカーボン保護膜
３を成膜したポリイミドフィルム１は、左下のガイドロ
ール１４を経て左上方の巻き取りロール１５に巻き取
る。成膜条件を表１にまとめる。
ム１は右下のガイドロール１４で向きを変え、左下のガ
イドロール１４に向けて空中に浮遊させたまま水平左方
に走行させる。走行するポリイミドフィルム１に、下方
に所定距離を隔てて設けたスパッタ源１７によりスパッ
タし、厚みが１０．０ｎｍのカーボン保護膜３を垂直磁
化膜２の上に成膜する。垂直磁化膜２とカーボン保護膜
３を成膜したポリイミドフィルム１は、左下のガイドロ
ール１４を経て左上方の巻き取りロール１５に巻き取
る。成膜条件を表１にまとめる。
【００２２】
【表１】
【００２３】この成膜条件による製造方法では垂直磁化
膜２の成膜時にポリイミドフィルム１を空中に浮遊した
まま、即ち上下のガイドロール１４，１４以外には何物
にも接触させず加熱するので、熱伝導による損失が少な
く、高い温度に維持した状態で成膜が可能である。した
がって、ＨCVが１７００〜２３００エールステット゛の垂直磁化
膜２を得る。この垂直磁化膜２を成膜したポリイミドフ
ィルム１に１対のカーボンターゲット１７ｔ，１７ｔを
用いてカーボン保護膜３を成膜する。
膜２の成膜時にポリイミドフィルム１を空中に浮遊した
まま、即ち上下のガイドロール１４，１４以外には何物
にも接触させず加熱するので、熱伝導による損失が少な
く、高い温度に維持した状態で成膜が可能である。した
がって、ＨCVが１７００〜２３００エールステット゛の垂直磁化
膜２を得る。この垂直磁化膜２を成膜したポリイミドフ
ィルム１に１対のカーボンターゲット１７ｔ，１７ｔを
用いてカーボン保護膜３を成膜する。
【００２４】図３は本発明の磁気記録媒体を製造するた
めに、磁性膜等を形成したフィルムに潤滑膜を塗布する
ための装置の概略断面図である。塗布装置３０は下部に
タンク２１を備え、タンク２１内部に０．００５％濃度
に希釈したパーフルオロポリエーテルからなる液状の潤
滑剤２２を貯蔵し、液状の潤滑剤２２に浸漬するように
ディップロール２６を配設し、ディップロール２６の左
上方にはガイドロール２５を介して巻き出しロール２３
を配設し、ディップロール２６の右上方にはガイドロー
ル２５を介して巻き取りロール２４を配設している。巻
き出しロール２３には、前記スパッタ装置２０により磁
性膜及び保護膜等を形成したフィルム２７を装着する。
磁性膜、保護膜を形成するスパッタ装置として、２つの
ターゲットが対向する対向ターゲット式スパッタ法を示
したが、この発明はこの方法に限定されるものではな
く、１つのターゲットと基体が対向する、一般的なスパ
ッタ法でもよく、又蒸着法でも同様の効果が得られる。
めに、磁性膜等を形成したフィルムに潤滑膜を塗布する
ための装置の概略断面図である。塗布装置３０は下部に
タンク２１を備え、タンク２１内部に０．００５％濃度
に希釈したパーフルオロポリエーテルからなる液状の潤
滑剤２２を貯蔵し、液状の潤滑剤２２に浸漬するように
ディップロール２６を配設し、ディップロール２６の左
上方にはガイドロール２５を介して巻き出しロール２３
を配設し、ディップロール２６の右上方にはガイドロー
ル２５を介して巻き取りロール２４を配設している。巻
き出しロール２３には、前記スパッタ装置２０により磁
性膜及び保護膜等を形成したフィルム２７を装着する。
磁性膜、保護膜を形成するスパッタ装置として、２つの
ターゲットが対向する対向ターゲット式スパッタ法を示
したが、この発明はこの方法に限定されるものではな
く、１つのターゲットと基体が対向する、一般的なスパ
ッタ法でもよく、又蒸着法でも同様の効果が得られる。
【００２５】次に、この塗布装置３０を用いてフィルム
２７にパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜４を成
膜する方法について説明する。フィルム２７は、図２の
スパッタ装置２０により前記垂直磁化膜２とカーボン保
護膜３を成膜したポリイミドフィルム１と同じである。
このフィルム２７を不図示の駆動手段により巻き出しロ
ール２３から右下方に巻き出し、ガイドロール２５にガ
イドさせて下方に走行させ、図示左廻りに回転するディ
ップロール２６の外周面に沿って液状の潤滑剤２２の中
を通過させる間に潤滑剤２２を塗布し、パーフルオロポ
リエーテルからなる厚みが２．０ｎｍの潤滑膜４を成膜
する。潤滑膜４を成膜したフィルム２７はガイドロール
２５にガイドさせて上方に走行させ、右上方の巻き取り
ロール２４に巻き取る。潤滑膜４を成膜したフィルム２
７は、図１の前記垂直磁気テープ１０と同じである。
２７にパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜４を成
膜する方法について説明する。フィルム２７は、図２の
スパッタ装置２０により前記垂直磁化膜２とカーボン保
護膜３を成膜したポリイミドフィルム１と同じである。
このフィルム２７を不図示の駆動手段により巻き出しロ
ール２３から右下方に巻き出し、ガイドロール２５にガ
イドさせて下方に走行させ、図示左廻りに回転するディ
ップロール２６の外周面に沿って液状の潤滑剤２２の中
を通過させる間に潤滑剤２２を塗布し、パーフルオロポ
リエーテルからなる厚みが２．０ｎｍの潤滑膜４を成膜
する。潤滑膜４を成膜したフィルム２７はガイドロール
２５にガイドさせて上方に走行させ、右上方の巻き取り
ロール２４に巻き取る。潤滑膜４を成膜したフィルム２
７は、図１の前記垂直磁気テープ１０と同じである。
【００２６】次に垂直磁気テープ１０をスリッターによ
り幅１／２インチ にスリットし、記録再生の評価を行な
う。記録再生特性はＭＩＧ（Metal in gap）タイプ・リ
ングヘッド（ギャップ長：０．１８μｍ、トラック幅：
１６μｍ）を用い、矩形信号を記録し、ドラムテスター
により測定する。テープ・ヘッド間の相対速度は４．５
ｍ／ｓ、記録電流は記録密度１００ｋＦＣＩ（Flux Cha
nge per Inch）で最大出力が得られる値とする。評価に
用いた垂直磁気テープの垂直磁化膜の作成条件、磁気特
性及び結晶配向性を表２にまとめる。
り幅１／２インチ にスリットし、記録再生の評価を行な
う。記録再生特性はＭＩＧ（Metal in gap）タイプ・リ
ングヘッド（ギャップ長：０．１８μｍ、トラック幅：
１６μｍ）を用い、矩形信号を記録し、ドラムテスター
により測定する。テープ・ヘッド間の相対速度は４．５
ｍ／ｓ、記録電流は記録密度１００ｋＦＣＩ（Flux Cha
nge per Inch）で最大出力が得られる値とする。評価に
用いた垂直磁気テープの垂直磁化膜の作成条件、磁気特
性及び結晶配向性を表２にまとめる。
【００２７】
【表２】
【００２８】表２の成膜ガス圧は、表１のＡｒガス圧に
相当する。また、ＨCHは垂直磁化膜の面内方向の抗磁力
を意味する。表２から分るように、この垂直磁化膜は成
膜ガス圧（Ａｒガス圧）が上昇するにつれて、Δθ50が
大きくなり、例えばヒータ設定温度が４５０℃の場合で
は、成膜ガス圧が１０mTorr のときΔθ50が１１．２
゜、成膜ガス圧が１２mTorr のときΔθ50が１５．３゜
となり、いずれのΔθ５０も８゜より大きくなり、垂直
配向性が劣化する。
相当する。また、ＨCHは垂直磁化膜の面内方向の抗磁力
を意味する。表２から分るように、この垂直磁化膜は成
膜ガス圧（Ａｒガス圧）が上昇するにつれて、Δθ50が
大きくなり、例えばヒータ設定温度が４５０℃の場合で
は、成膜ガス圧が１０mTorr のときΔθ50が１１．２
゜、成膜ガス圧が１２mTorr のときΔθ50が１５．３゜
となり、いずれのΔθ５０も８゜より大きくなり、垂直
配向性が劣化する。
【００２９】図４は本発明の実施の形態であるＨＣＶが
１７００〜２２００エールステット゛の表２の垂直磁気テープに
ついて、記録密度特性より求めた半値出力密度：Ｄ50と
結晶配向度：Δθ50との関係を示すグラフである。ここ
で、Ｄ50は再生出力が低記録密度再生出力の１／２にな
る記録密度と定義する。図５は本発明の実施の形態であ
るＨCVが１７００〜２２００エールステット゛の表２の垂直磁気
テープについて、記録密度１００ｋＦＣＩ（９ＭＨｚ）
におけるＣ／Ｎと結晶配向度：Δθ50との関係を示すグ
ラフである。Ｃ／Ｎのノイズレベルは９ＭＨｚ±１ＭＨ
ｚにおけるトータルノイズレベルの平均で評価する。
１７００〜２２００エールステット゛の表２の垂直磁気テープに
ついて、記録密度特性より求めた半値出力密度：Ｄ50と
結晶配向度：Δθ50との関係を示すグラフである。ここ
で、Ｄ50は再生出力が低記録密度再生出力の１／２にな
る記録密度と定義する。図５は本発明の実施の形態であ
るＨCVが１７００〜２２００エールステット゛の表２の垂直磁気
テープについて、記録密度１００ｋＦＣＩ（９ＭＨｚ）
におけるＣ／Ｎと結晶配向度：Δθ50との関係を示すグ
ラフである。Ｃ／Ｎのノイズレベルは９ＭＨｚ±１ＭＨ
ｚにおけるトータルノイズレベルの平均で評価する。
【００３０】図４、図５からＨCVが１７００〜２２００
エールステット゛でΔθ50が５〜８゜の垂直磁気テープに関し
て、Ｄ50はＨCVが１７００〜２２００エールステット゛でΔθ50
が１０〜１５゜の配向度が悪い垂直磁気テープより最大
約３０ｋＦＣＩ高く、Ｃ／Ｎは最大約１０ｄＢ高い。Δ
θ50が５゜未満の配向度が良い垂直磁気テープを作成す
るには、基体表面のクリーニング度を高める必要があ
り、生産時間、生産コストが嵩むため、生産性を考慮し
てΔθ50を５〜８゜に限定する。なお、本発明は垂直方
向の抗磁力：ＨCV、配向度：Δθ50を限定するものであ
り、実施の形態に示した膜構成、膜組成、成膜条件に限
られるものではない。このように、ＨCVが１７００〜２
２００エールステット゛の垂直磁気テープにおいてΔθ50を限定
することにより、垂直磁気テープの半値出力密度：Ｄ50
を最大約３０ｋＦＣＩ高め、Ｃ／Ｎは最大約１０ｄＢ高
めることが可能になる。
エールステット゛でΔθ50が５〜８゜の垂直磁気テープに関し
て、Ｄ50はＨCVが１７００〜２２００エールステット゛でΔθ50
が１０〜１５゜の配向度が悪い垂直磁気テープより最大
約３０ｋＦＣＩ高く、Ｃ／Ｎは最大約１０ｄＢ高い。Δ
θ50が５゜未満の配向度が良い垂直磁気テープを作成す
るには、基体表面のクリーニング度を高める必要があ
り、生産時間、生産コストが嵩むため、生産性を考慮し
てΔθ50を５〜８゜に限定する。なお、本発明は垂直方
向の抗磁力：ＨCV、配向度：Δθ50を限定するものであ
り、実施の形態に示した膜構成、膜組成、成膜条件に限
られるものではない。このように、ＨCVが１７００〜２
２００エールステット゛の垂直磁気テープにおいてΔθ50を限定
することにより、垂直磁気テープの半値出力密度：Ｄ50
を最大約３０ｋＦＣＩ高め、Ｃ／Ｎは最大約１０ｄＢ高
めることが可能になる。
【００３１】
【発明の効果】本発明は上記構成により、次の効果を発
揮する。請求項１の磁気記録媒体の製造方法は、真空容
器内で巻き出しロールから引き出した非磁性フィルム基
体を走行させ、非磁性フィルム基体上に磁性膜を形成
し、この後に巻き取りロールに巻き取る磁気記録媒体の
製造方法において、前記磁性膜を形成する時フィルム基
体を空中に浮遊させたまま走行させ、磁性膜形成面の反
対側からフィルム基体を加熱するので、熱伝導による損
失が少なく、高い温度に維持した状態で成膜が可能であ
り、垂直方向の抗磁力（ＨCV）が高い垂直磁化膜を得る
ことができる。
揮する。請求項１の磁気記録媒体の製造方法は、真空容
器内で巻き出しロールから引き出した非磁性フィルム基
体を走行させ、非磁性フィルム基体上に磁性膜を形成
し、この後に巻き取りロールに巻き取る磁気記録媒体の
製造方法において、前記磁性膜を形成する時フィルム基
体を空中に浮遊させたまま走行させ、磁性膜形成面の反
対側からフィルム基体を加熱するので、熱伝導による損
失が少なく、高い温度に維持した状態で成膜が可能であ
り、垂直方向の抗磁力（ＨCV）が高い垂直磁化膜を得る
ことができる。
【００３２】請求項２の磁気記録媒体の製造方法は、前
記磁性膜がＣｏ系垂直磁化膜であるので、垂直方向の抗
磁力（ＨCV）が高い垂直磁化膜を得るのが容易である。
記磁性膜がＣｏ系垂直磁化膜であるので、垂直方向の抗
磁力（ＨCV）が高い垂直磁化膜を得るのが容易である。
【００３３】請求項３の磁気記録媒体は、非磁性フィル
ム基体上にＣｏ系垂直磁化膜を形成した磁気記録媒体に
おいて、垂直磁化膜について垂直方向の抗磁力（ＨCV）
を１７００〜２３００エールステット゛に、結晶配向度（Δ
θ50）を５〜８゜にすることにより、記録密度特性とＣ
／Ｎが良好な垂直媒体を得ることができる。
ム基体上にＣｏ系垂直磁化膜を形成した磁気記録媒体に
おいて、垂直磁化膜について垂直方向の抗磁力（ＨCV）
を１７００〜２３００エールステット゛に、結晶配向度（Δ
θ50）を５〜８゜にすることにより、記録密度特性とＣ
／Ｎが良好な垂直媒体を得ることができる。
【００３４】請求項４の磁気記録媒体は、前記垂直磁化
膜がＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａを含むＣｏＣｒ系磁性膜で
あるので、垂直方向の抗磁力（ＨCV）を高めることがで
きる。
膜がＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａを含むＣｏＣｒ系磁性膜で
あるので、垂直方向の抗磁力（ＨCV）を高めることがで
きる。
【００３５】請求項５の磁気記録媒体は、前記非磁性フ
ィルム基体がポリイミドフィルム又はアラミドフィルム
であるので、耐熱性が高く、垂直磁化膜成膜時にフィル
ム基体の温度を上げることができ、垂直磁化膜の垂直方
向の抗磁力（ＨCV）を高めることができる。
ィルム基体がポリイミドフィルム又はアラミドフィルム
であるので、耐熱性が高く、垂直磁化膜成膜時にフィル
ム基体の温度を上げることができ、垂直磁化膜の垂直方
向の抗磁力（ＨCV）を高めることができる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の実施の形態である垂直
磁気テープの断面図
磁気テープの断面図
【図２】本発明の磁気記録媒体を製造するためのスパッ
タ装置の一例を示す概略断面図
タ装置の一例を示す概略断面図
【図３】本発明の磁気記録媒体を製造するために、磁性
膜等を形成したフィルムに潤滑膜を塗布するための装置
の概略断面図
膜等を形成したフィルムに潤滑膜を塗布するための装置
の概略断面図
【図４】本発明の実施の形態である表２の垂直磁気テー
プについて、記録密度特性より求めた半値出力密度：Ｄ
50と結晶配向度：Δθ50との関係を示すグラフ
プについて、記録密度特性より求めた半値出力密度：Ｄ
50と結晶配向度：Δθ50との関係を示すグラフ
【図５】本発明の実施の形態である表２の垂直磁気テー
プについて、記録密度１００ｋＦＣＩ（９ＭＨｚ）にお
けるＣ／Ｎと結晶配向度：Δθ50との関係を示すグラ
フ。
プについて、記録密度１００ｋＦＣＩ（９ＭＨｚ）にお
けるＣ／Ｎと結晶配向度：Δθ50との関係を示すグラ
フ。
Claims (5)
- 【請求項１】 真空容器内で巻き出しロールから引き出
した非磁性フィルム基体を走行させ、非磁性フィルム基
体上に磁性膜を形成し、この後に巻き取りロールに巻き
取る磁気記録媒体の製造方法において、前記磁性膜を形
成する時フィルム基体を空中に浮遊させたまま走行さ
せ、磁性膜形成面の反対側からフィルム基体を加熱する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 前記磁性膜がＣｏ系垂直磁化膜であるこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項３】 非磁性フィルム基体上にＣｏ系垂直磁化
膜を形成した磁気記録媒体において、前記垂直磁化膜は
垂直方向の抗磁力（ＨCV）が１７００〜２３００エールステッ
ト゛で、結晶配向度（Δθ50）が５〜８゜であることを特
徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記垂直磁化膜がＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴ
ａを含むＣｏＣｒ系磁性膜であることを特徴とする請求
項３記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記非磁性フィルム基体がポリイミドフ
ィルム又はアラミドフィルムであることを特徴とする請
求項３又は請求項４記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24017395A JPH0991699A (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24017395A JPH0991699A (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0991699A true JPH0991699A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17055568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24017395A Pending JPH0991699A (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0991699A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015197937A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体 |
-
1995
- 1995-09-19 JP JP24017395A patent/JPH0991699A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015197937A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体 |
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