JP2004326888A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 272
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 98
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 10
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 29
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 20
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 19
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 9
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 7
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 1
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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Abstract
【解決手段】長尺状の非磁性支持体1と、非磁性支持体の一主面に、真空薄膜形成技術によって形成された斜方柱状構造を有する単層の磁性層3とを有し、磁性層に垂直で、かつ磁気記録媒体の長手方向を含む面内における保磁力の最大値Hcmaxと、磁気記録媒体の長手方向の保磁力Hc0との比Hcmax/Hc0が1.2以下である磁気記録媒体。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は高密度磁気記録媒体に関し、特に、磁気抵抗効果型磁気ヘッド(MRヘッド)、若しくは巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド(GMRヘッド)を用い、磁気テープの長手方向に対して磁気ヘッドを双方向に動かしながら記録する、いわゆるリニア方式の磁気記録テープシステムにおいて、信号の再生がなされる磁気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、ビデオテープレコーダー等の分野における磁気記録媒体としては、さらなる高画質化及び高記録密度化を達成するために、直接非磁性支持体上に磁性金属材料、Co−Ni系合金、Co−Cr系合金、Co−CoO系金属酸化物等の各種磁性材料を真空薄膜形成技術により被着させて磁性層を形成した構成の、いわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体が適用されている。
【0003】
さらに、上記のような磁気記録媒体の電磁変換特性を向上させ、より大きな出力が得られるようにするため、磁気記録媒体の磁性層を形成するに際し、磁性層を斜方に蒸着する、いわゆる斜方蒸着が提案されている。この方法によって磁性層が形成された磁気記録媒体は、ハイバンド8mmビデオテープレコーダー、デジタルビデオテープレコーダー用の蒸着テープとして実用化されている。
【0004】
上述したような金属薄膜型の磁気記録媒体は、保磁力や角型比に優れ、また磁性層を極めて薄層に形成できることから、短波長領域での電磁変換特性に優れ、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さい。また、磁性粉を結合剤に分散させた磁性塗料を非磁性支持体に塗布して磁性層を形成するいわゆる塗布型の磁気記録媒体と異なり、磁性層中に非磁性材料である結合剤が混入しないので、強磁性金属材料の充填密度が高められ、高記録密度化を図る際に有利である。
【0005】
また、斜方蒸着による磁気テープは、例えば長尺状の非磁性支持体を長手方向に走行させ、走行状態で非磁性支持体の一主面側に磁性材料を堆積させて磁性層を形成する方法によって作製され、高い生産性と優れた磁気特性が確保できる。
【0006】
一方、磁気テープ等の磁気記録媒体のデータストリーマーとしての需要が高まるに伴い、さらなる磁気記録媒体の高記録密度化が要求されてきている。さらに、記録情報の再生を行う際に用いる磁気ヘッドとして、従来の誘導型ヘッドに代わり磁気抵抗効果型磁気ヘッド(MRヘッド)あるいは巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド(GMRヘッド)が適用されるようになってきている。このMRヘッドやGMRヘッドは磁性層からの微小な漏洩磁束を高感度に検出することができるので、記録密度の向上を図るために有効である。
【0007】
MRヘッドやGMRヘッドは、漏洩磁束に対する感度が飽和する検知限界があり、MRヘッドやGMRヘッドの設計以上に大きな漏洩磁束を検出することができない。したがって、磁気記録媒体の磁性層膜厚を薄層化することにより、漏洩磁束に対する感度を最適化する必要がある。
【0008】
ところで、データストリーマー用途としての磁気テープの記録再生のシステムには、ヘリカルスキャン方式とリニア方式の2種類が実用化されている。ヘリカルスキャン方式は、回転ドラム上に配置された磁気ヘッドが、高速に回転しながら磁気テープ上をスキャンすることで記録再生を行う方式である。
【0009】
ヘリカルスキャン方式の特徴は、記録トラックを精密に記録できるだけでなく、再生時には記録したトラックを正確にスキャンできるように制御することが原理的に可能なことである。したがって、磁気テープシステムにおいて高記録密度を達成することが可能である。こうしたヘリカルスキャン方式は、VHSなどの家庭用ビデオ録画装置や、ハイバンド8mmビデオテープレコーダー、デジタルビデオテープレコーダー用として幅広く実用化されている。
【0010】
一方、リニア方式は磁気テープの幅方向にトラックを設け、長手方向に記録を行う方式である。高速でテープを走行させることが容易であると同時に、磁気ヘッドを並列に数多く並べることによって記録再生の転送レートを向上させることが可能である。
【0011】
カムコーダ用途などの磁気記録テープシステムでは高記録密度が達成可能なヘリカルスキャン方式が有利であるが、磁気記録テープシステムの体積に制約の少ないデータストレージ用途では、上記リニア方式が幅広く実用化され、市場においてもDLT(digital linear tape)やLTO(linear tape−open)といった商品が主流となっている。
【0012】
こうしたリニア方式のデータストレージ用途の磁気テープ媒体としては、いわゆる塗布型の磁気テープのみが用いられており、斜方蒸着による磁気テープ媒体は用いられてこなかった。これは、ヘリカルスキャン方式では、磁気テープと磁気ヘッドの相対的な動きが一定方向であるのに対し、リニア方式では磁気テープと磁気ヘッドが相対的に、テープ長手方向の双方向に動くためである。
【0013】
図4は斜方蒸着により得られる磁気テープ媒体の模式的な断面図である。図4に示すように、非磁性支持体101上に磁性層102が形成されている。斜方蒸着による磁気テープ媒体は、記録した磁気ビットが向く磁化容易軸がテープ面内方向ではなく面内から立ち上がった構造となっている。
【0014】
そのため、記録再生に際してヘッドが斜方蒸着膜の柱状構造に対して正方向(矢印A方向)に摺動する場合は良好な記録再生特性が発揮されるが、斜方蒸着の柱状構造に対して逆方向(矢印B方向)に摺動する場合には、最適記録電流、位相特性、CN比、出力特性などの特性が正方向に摺動した場合に比べて劣り、十分な記録再生特性が得られないという欠点がある。
【0015】
そのため、記録再生を双方向に行うリニア方式においては、斜方蒸着を用いた磁気テープ媒体はほとんど用いられてこなかった。一方、ヘッドが斜方蒸着膜の柱状構造に対して正方向に摺動する場合と逆方向に摺動する場合で記録再生特性が異なるという問題を解決する方法として、成長方向が互いに異なる2層の斜方蒸着膜により斜方蒸着テープの磁性層を構成する方法が提案されている(特許文献1参照)。図5は特許文献1記載の磁気テープ媒体の模式的な断面図である。
【0016】
図5に示すように、非磁性支持体101上に磁性層102が形成され、磁性層102は下層強磁性金属薄膜102aと上層強磁性金属薄膜102bが積層された構造を有する。下層強磁性金属薄膜102aと上層強磁性金属薄膜102bの斜方柱状構造は、非磁性支持体101の長手方向において逆向きに成長している。下層強磁性金属薄膜102aと上層強磁性金属薄膜102bの厚さは、双方向での記録再生特性の差が低減されるように最適化される。
【0017】
また、特許文献2にも、斜方柱状構造の成長方向が互いに異なる2層の斜方蒸着膜を積層させた磁気記録媒体が開示されている。特許文献2記載の磁気記録媒体によれば、印加磁界角度を0°から180°まで可変させた際に得られる保磁力の最小値/最大値を0.65以上として、双方向での記録再生特性を改善している。
【0018】
一方、特許文献3には、単層のコバルト系斜方蒸着膜からなる磁性層の厚さを記録ヘッドギャップ長の1/2以下とすることにより、リニア方式での記録再生を可能とする磁気記録方法が開示されている。この方法によれば、好適には、厚さ40nm以下、保磁力1800エルステッド以上のコバルト系斜方蒸着膜が用いられる。
【0019】
【特許文献1】
特開平4−353622号公報
【特許文献2】
特開平9−73621号公報
【特許文献3】
特開2000−339605号公報
【非特許文献1】
「第二版 磁気抵抗ヘッドとスピンバルブヘッド−基礎と応用−」 林和彦 訳、丸善株式会社、2002年発行
【0020】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の特許文献1および2記載の手法により双方向の記録再生特性を改善した斜方蒸着磁気テープ媒体は、成長方向が互いに異なる2層の磁性層を有するため、磁性層の成膜工程を2回行う必要がある。したがって、磁気記録媒体のコスト増につながる。近年のテープストレージ市場において磁気記録媒体のコストを下げることは市場確保の為に非常に重要であり欠くことができない。
【0021】
また、特許文献1では磁性層の全厚を160nm〜200nmとし、特許文献2の実施例においても厚さ90nmの磁性膜を2層積層させ、磁性層の全厚を180nmとしている。MRヘッドやGMRヘッドは高感度であるため、磁性層の厚さをこのような範囲とすると、ヘッドが飽和して漏洩磁束を検出できない。特許文献3では、磁性層の厚さを規定しているが、保磁力の印加磁界角度依存性や磁性層の磁気異方性については特に記載されていない。
【0022】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、リニア方式に適用可能な単層構造の磁性層を有する磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【0023】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体は、長尺状の非磁性支持体と、前記非磁性支持体の一主面に、真空薄膜形成技術によって形成された斜方柱状構造を有する単層の磁性層とを有し、前記磁性層に垂直で、かつ前記磁気記録媒体の長手方向を含む面内における保磁力の最大値Hcmaxと、前記磁気記録媒体の長手方向の保磁力Hc0との比Hcmax/Hc0が1.2以下であることを特徴とする。
【0024】
これにより、単層の磁性層を有する磁気記録媒体においても、双方向での記録再生特性の差を低減できる。また、2層の磁性層を積層させないため、磁気記録媒体の製造コストを低減でき、磁性層の形成に要する時間も短縮できる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の磁気記録媒体の実施の形態について、図面を参照して説明する。図1は、本発明の磁気記録媒体の一例を示す概略断面図である。図1に示すように、磁気記録媒体10は、長尺状の非磁性支持体1上に下地層2、磁性層3および保護層4が順次形成された構成を有する蒸着テープである。必要に応じて、保護層4上に所定の潤滑剤によって潤滑剤層5を形成してもよい。また、非磁性支持体1の磁性層3が形成されている側の面と反対側の面に、バックコート層6を形成してもよい。
【0026】
磁気記録媒体10の磁性層3は斜方蒸着により形成され、斜方柱状構造を有する。図1の矢印A、Bは磁気記録媒体の長手方向を示し、矢印A、Bの向きは逆である。図1に示すように、磁気記録媒体10の長手方向と印加磁界Hの方向とがなす角度を印加角度θとする。磁性層3に垂直で、かつ磁気記録媒体10の長手方向を含む面内、すなわち図1の紙面と平行な面内において、磁性層3の保磁力Hcは印加角度θに依存して変化する。
【0027】
印加角度θを0°から180°まで変化した際に得られる保磁力の最大値をHcmaxとする。また、印加角度θが0°のときの保磁力、すなわち磁気記録媒体10の長手方向の保磁力をHc0とする。本実施形態の磁気記録媒体10は、保磁力Hcmaxと保磁力Hc0の比(Hcmax/Hc0)が1.2以下である。
【0028】
これにより、ヘッドと磁気記録媒体10を相対的に矢印Aの向きに移動させて記録再生を行った場合と、矢印Bの向きに移動させて記録再生を行った場合の記録再生特性の差が、リニア方式での記録再生に適した範囲内となる。上記の比Hcmax/Hc0は、磁性層を成膜する際の酸素導入量や、非磁性支持体に対する蒸着粒子の入射角度に依存するため、これらの条件を制御して上記の比Hcmax/Hc0を最適化する。
【0029】
図2は本実施形態の磁気記録媒体の保磁力の印加磁界角度依存性を示すグラフである。蒸着テープのように、強磁性磁気微粒子が特定の角度にある程度揃ったような構造をもつ場合、その磁化容易軸と90°を成す角度の保磁力が極小をとることが知られている。図2では、θが約50°〜70°の範囲にある極小がそれに該当する。一方、この極小点の両側(図2のθ=30°近傍とθ=90°近傍)に発生する極大点では、磁化容易軸方向の磁気微粒子の相互作用が大きい。
【0030】
保磁力の最大値Hcmaxがθ=0°の場合の保磁力Hc0に対して大きくなるにつれ、斜方蒸着テープで斜め方向(磁性層の法線方向と面内方向の間の方向)の磁気異方性が大きくなる。図2のaとbは磁性層の成膜条件が異なり、保磁力の最大値Hcmaxはbの方が大きい。図2のaでは、保磁力の最大値Hcmaxと印加角度θ=0°における保磁力Hc0との比Hcmax/Hc0が1.2より小さいが、bでは比Hcmax/Hc0が1.2を超えている。aとbはいずれも斜め方向に磁気異方性を有するが、aの方が磁性層内部の磁気異方性が小さい。
【0031】
磁性層で斜め方向の磁気異方性が大きくなると、正方向と逆方向で記録再生した際の出力差が大きくなる。aとbでは、aの方が双方向での出力差が小さくなる。前述したように、単層磁性層の蒸着テープをリニア方式での記録再生に用いる場合、双方向での記録再生特性の差が問題となるが、磁性層の保磁力の比Hcmax/Hc0を上記の範囲内とすることにより、双方向での記録再生特性の差を低減でき、必要な再生出力が得られる。本発明の磁気記録媒体を、テープストリーマー用途を始めとした各種リニア方式の磁気記録再生システムに適用することにより、高密度記録が可能となる。
【0032】
次に、図1に示す本実施形態の磁気記録媒体10を構成する各層について、詳細に説明する。非磁性支持体1としては、従来の磁気テープにおいて用いられている公知の材料をいずれも適用できる。例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート等のセルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のプラスチック類等が挙げられる。
【0033】
下地層2は、最終的に得られる磁気記録媒体10の耐久性や走行性、および磁気テープ成膜時のハンドリング性を向上させる目的で、必要に応じて設けられる。例えば、バインダー樹脂、フィラー及び界面活性剤等を含有する塗料により下地層2を形成して表面に微細な凹凸を付加したり、機械的な強度を高めたりしてもよい。
【0034】
下地層2を形成するバインダー樹脂としては、例えば水性ポリエステル樹脂、水性アクリル樹脂、水性ポリウレタン樹脂等が挙げられる。フィラーとしては、例えば有機ポリマーからなる粒子、二酸化珪素、炭酸カルシウム等の粒子が用いられる。フィラーの平均粒径は例えば5〜30nm、フィラーによって形成される表面突起の密度は例えば50万〜3000万個/mm2程度とすることが好ましい。
【0035】
下地層2を構成するフィラーの平均粒径や、フィラーによって形成される表面突起の密度は、最終的に得られる磁気記録媒体10の走行耐久性と電磁変換特性が良好となる範囲で適宜設定できる。あるいは、リソグラフィー技術によって非磁性支持体1上に人工的に凹凸を形成したり、メッキや真空薄膜形成技術によって金属、無機化合物または有機高分子からなる微小突起を形成したりしてもよい。
【0036】
磁性層3は、真空下で強磁性金属材料を加熱蒸発させて被着させる真空蒸着法によって形成する。長尺状の非磁性支持体1を長手方向に走行させ、走行する非磁性支持体1の一主面側に磁性微粒子を堆積させて磁性層を形成する斜方蒸着の製法は、成膜性が良好で、生産性が高く、操作も容易であるという利点を有している。
【0037】
磁性層3を形成する真空蒸着装置としては、図3に示すような連続巻き取り式の真空蒸着装置20を適用することができる。真空蒸着装置20の真空室21は斜方蒸着用として構成され、内部が例えば1×10−3Pa程度の真空にされる。真空室21内には冷却キャン22と蒸着源23が配置されている。冷却キャン22は例えば−20℃程度に冷却され、図中矢印Aで示す方向に回転する。蒸着源23は冷却キャン22と対向するように配置されている。
【0038】
真空室21内には供給ロール24と、巻き取りロール25が配設されている。下地層2(図1参照)が形成された後の非磁性支持体1は、供給ロール24から図中矢印Bで示す方向に繰り出され、冷却キャン22の周面に沿って走行した後、巻き取りロール25に巻き取られる。
【0039】
なお、供給ロール24と冷却キャン22との間、及び冷却キャン22と巻き取りロール25との間にはそれぞれガイドローラー27、28が配置されている。ガイドローラー27は供給ロール24から冷却キャン22に走行する非磁性支持体の張力を調節する。ガイドローラー28は冷却キャン22から巻き取りロール25に走行する非磁性支持体1の張力を調節する。これにより、非磁性支持体1が円滑に走行する。
【0040】
蒸着源23は坩堝等の容器にCo等の強磁性金属材料が収容されたものであり、真空蒸着装置20には蒸着源23の強磁性金属材料を加熱、蒸発させるための電子ビーム発生源29が配設されている。電子ビーム発生源29から電子ビーム30を蒸着源23の強磁性金属材料に加速照射することにより、蒸着源23の強磁性金属材料が図中矢印Cで示すように蒸発する。強磁性金属材料は蒸着源23と対向する冷却キャン22の周面に沿って走行する非磁性支持体1上に被着し、強磁性金属薄膜が形成される。
【0041】
蒸着源23と冷却キャン22との間には、第1のシャッタ31と第2のシャッタ32が設けられている。第1のシャッタ31は走行する非磁性支持体1の前段側に位置し、第2のシャッタ32は走行する非磁性支持体1の後段側に位置する。第1のシャッタ31と第2のシャッタ32は、冷却キャン22の周面に沿って走行する非磁性支持体1のうちの所定領域のみを外方(強磁性金属材料が蒸発している雰囲気)に露出させる。すなわち、第1のシャッタ31と第2のシャッタ32は、非磁性支持体1に対する強磁性金属材料気体の入射角度を制限する。
【0042】
強磁性金属薄膜の蒸着に際しては、非磁性支持体1の表面近傍で、かつ強磁性金属材料が入射する部分に、図示しない酸素ガス導入口を介して酸素ガスを供給する。これにより、成膜される磁性層に酸素が導入される。酸素導入量を最適化することにより、斜方蒸着テープの磁気的な異方性を抑制することが可能であり、リニア方式での記録再生に適した蒸着テープが得られる。
【0043】
また、磁性層の酸化を適切に制御することにより、強磁性金属薄膜の耐久性および耐候性などを向上させることもできる。蒸着源の加熱には上記のような電子ビームによる加熱手段の他、例えば抵抗加熱手段、高周波加熱手段、レーザ加熱手段等の公知の手段を使用できる。
【0044】
上記の構成の真空蒸着装置20においては、蒸着源23から強磁性金属材料を蒸発させるとともに冷却キャン22の周面に非磁性支持体1を走行させる。蒸発した強磁性金属材料は、第1のシャッタ31と第2のシャッタ32の間から外方に露出した部分にのみ堆積する。
【0045】
真空蒸着装置20は第1のシャッタ31側から第2のシャッタ32側に向かって非磁性支持体1を走行させるため、蒸発した強磁性金属材料は、まず第1のシャッタ31側の非磁性支持体1上に堆積する。そして、第1のシャッタ31側から第2のシャッタ32側に向かって非磁性支持体1が走行するにつれて、蒸発した強磁性金属材料が順次堆積する。したがって、上述した成膜方法によって磁性微粒子の入射角度を制限して形成した磁性層は、斜方構造をとる特徴がある。磁性微粒子の入射角度によっても、磁性層の斜め方向の磁気異方性が変化するため、成膜時の酸素導入量および磁性微粒子の入射角度は、装置構成や磁性材料の種類等に応じて最適化することが望ましい。
【0046】
また、本発明の磁気記録媒体は、MRヘッドやGMRヘッドを有する記録再生装置に適用するものであって、ノイズの低減化を図り、C/N比の向上を図るためには、磁性層3は極めて薄層に形成することが望ましい。そこで、磁性層3の膜厚は40〜100nmとする。
【0047】
磁性層3の膜厚が40nm未満の場合は、磁性層が非常に薄くなることで結晶成長性が劣化し、高いC/N比を得るための十分な磁気特性が得られない。また、磁性層を100nmよりも厚い膜厚で形成すると、ヘッドの飽和現象が顕著となり、MRヘッドもしくはGMRヘッドを適用した場合に所望の記録密度を達成できないことがある。
【0048】
磁性層3を形成する強磁性金属材料としては、この種の磁気記録媒体の作製に通常用いられる従来公知の金属材料や磁性合金をいずれも適用可能である。例えば、Co、Ni等の強磁性金属、Co−Ni系合金、Co−Fe系合金、Co−Ni−Fe系合金、Co−Cr系合金、Co−Pt系合金、Co−Pt−B系合金、Co−Cr−Ta系合金、Co−Cr−Pt−Ta系合金等の各種材料、あるいはこれらの材料を酸素雰囲気中で成膜し、膜中に酸素を含有させたもの、またはこれらの材料に一種または2種以上のその他の元素を含有させたものが挙げられる。
【0049】
本実施形態の磁気記録媒体10においては、磁性層3と非磁性支持体1との間に下地層2の他にも、磁性層3の結晶粒子の微細化と配向性向上を目的として真空薄膜形成技術を用いて中間層(図示せず)を形成してもよい。
【0050】
真空薄膜形成技術としては、真空下で所定の材料を加熱蒸発させて被処理体に被着させる真空蒸着法、所定の材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、およびアルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし、生じたアルゴンイオンでターゲットの表面原子をたたき出すスパッタリング法等のいわゆる物理的成膜法(PVD法)等が挙げられる。
【0051】
中間層を構成する材料としては、Co、Cu、Ni、Fe、Zr、Pt、Au、Ta、W、Ag、Al、Mn、Cr、Ti、V、Nb、Mo、Ru等の金属材料の他、これらの任意の2種類以上を組み合わせた合金、またはこれらの金属材料と酸素や窒素との化合物、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ITO(indium tin oxide)、In2O3、ZrO等の化合物、カーボン、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)等が挙げられる。
【0052】
磁性層3上には、良好な走行耐久性および耐食性を確保するためにDLCからなる保護層4が形成されていることが望ましい。保護層4は、例えばプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)連続膜形成装置を用いて、CVD法によって形成できる。
【0053】
CVD方式としては、メッシュ電極DCプラズマ方式、電子ビーム励起プラズマソース方式、冷陰極イオンソース方式、イオン化蒸着方式、触媒CVD方式等の従来公知の方式をいずれも使用することができる。CVD方式に使用する炭素化合物としては、炭化水素系、ケトン系、アルコール系等の従来公知の材料をいずれも使用できる。また、プラズマ生成時には、炭素化合物の分化を促進するためのガスとして、Ar、H2等が導入されていてもよい。
【0054】
保護層4上には、走行性を良好にするために、例えばパーフルオロポリエーテル系などの任意の潤滑剤を塗布して潤滑剤層5を形成してもよい。
また、非磁性支持体1の磁性層3が形成されている側の面と反対側の面には、走行性の向上や帯電防止等を目的としてバックコート層6を形成する。
【0055】
バックコート層6は膜厚0.2〜0.7μm程度であることが好適である。バックコート層6は、例えば無機顔料等の固体粒子を結合剤中に分散させ、結合剤の種類に応じた有機溶剤とともに混練してバックコート層用塗料を調整し、これを非磁性支持体1の裏面側に塗布して形成される。
【0056】
上述のようにして作製される本実施形態の磁気記録媒体10は、MRヘッドを用いたリニア方式の磁気記録テープシステム用の磁気記録媒体として好適である。ここで、MRヘッドとは、磁気抵抗効果を利用して磁気記録媒体からの信号を検出する再生専用の磁気ヘッドである。一般にMRヘッドとは、電磁誘導を利用して記録再生を行うインダクティブ型磁気ヘッドよりも感度が高く再生出力が大きいので、高密度記録の磁気記録媒体に好適である。
【0057】
MRヘッドは、例えばNi−Zn多結晶フェライトのような軟磁性材料からなる一対の磁気シールドに絶縁体を介して挟持された略矩形状のMR素子部を備える。なお、MR素子部の両端からは一対の端子が導出されており、これらの端子を介してMR素子部にセンス電流を供給できるようになっている。
【0058】
MRヘッドを用いて磁気記録媒体からの信号を再生する際には、磁気記録媒体にMR素子部を摺動させる。そして、この状態でMR素子部の両端に接続された端子を介して、MR素子部にセンス電流を供給し、このセンス電流の電圧変化を検出する。
【0059】
磁気記録媒体にMR素子部を摺動させた状態でMR素子部にセンス電流を供給すると、磁気記録媒体からの磁界に応じて、MR素子部の磁化方向が変化し、MR素子部に供給されたセンス電流と磁化方向との相対角度が変化する。そして、MR素子部の磁化方向とセンス電流の方向とがなす相対角度に依存して抵抗値が変化する。
【0060】
このため、MR素子部に供給するセンス電流の値を一定にすることにより、センス電流に電圧変化が生じることになる。このセンス電流の電圧変化を検出することにより、磁気記録媒体からの信号磁界が検出され、磁気記録媒体に記録されている信号が再生される。なお、再生用磁気ヘッドとしては、いわゆる巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド(GMRヘッド)も適用可能である。
【0061】
MR素子にバイアス磁界を印加する手法は、SAL(soft adjacent layer)バイアス方式の他、例えば永久磁石バイアス方式、シャント電流バイアス方式、自己バイアス方式、交換バイアス方式、バーバーポール方式、分割素子方式、サーボバイアス方式等、種々の手法が適用可能である。なお、巨大磁気抵抗効果素子や各種バイアス方式については、例えば非特許文献1に詳細に記載されている。
【0062】
【実施例】
以下、本発明の磁気記録媒体の具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。
(実施例1)
非磁性支持体1として、膜厚8.0μm、幅150mmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用意した。
【0063】
この非磁性支持体1の磁性層形成面側に膜厚5nmの下地層2を形成した。下地層2は、アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックスにシリカ粒子を分散させた塗料を、非磁性支持体1上に塗布して形成した。シリカ粒子は直径10nmのものを用い、非磁性支持体1上でシリカ粒子の密度が1×107個/mm2程度となるようにした。
【0064】
次に、図3に示した真空蒸着装置20を用いて磁性層3を形成した。原料である金属磁性材料をCoとし、酸素ガス導入管から酸素を7.0×10−4m3/minの導入量で導入し、電子ビーム発生源29から電子ビーム30を照射して加熱し、反応性真空蒸着により、Co−CoO系磁性層を形成した。磁性層3は、膜厚を60nmとなるように形成した。このとき、第1のシャッタ31および第2のシャッタ32により、Co蒸着粒子の最小入射角度を45°、最大入射角度を70°に調整した。
【0065】
次に、上述のようにして形成した磁性層3上に、DLC膜からなる保護層4を、プラズマCVD法によって膜厚10nmで形成した。さらに、保護層4上にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を塗布して、膜厚2nmの潤滑剤層5を形成した。
【0066】
また、非磁性支持体1の磁性層3が形成されている側の面と反対側の面に、カーボン粒子とウレタン樹脂を含むバックコート用塗料を塗布して、膜厚0.5μmのバックコート層6を形成した。カーボン粒子は平均粒径20nmのものを用いた。バックコート用塗料の塗布には、ダイレクトグラビア法による塗布装置を用いた。以上の工程により、目的とする磁気記録媒体10の原反を得た後、原反を1/2インチ幅に裁断して、サンプルの磁気テープを得た。
【0067】
(実施例2)
磁性層形成時の酸素導入量を8.0×10−4m3/minとした以外は、実施例1と同様にしてサンプルを作製した。
(比較例1)
磁性層形成時の酸素導入量を5.0×10−4m3/minとした以外は、実施例1と同様にしてサンプルを作製した。
(比較例2)
磁性層形成時の酸素導入量を9.0×10−4m3/minとした以外は、実施例1と同様にしてサンプルを作製した。
【0068】
上述のようにして作製した各サンプル磁気テープに対して、以下に示す方法を用いて電磁変換特性および磁気特性の評価を行った。電磁変換特性の評価にはドラムテスタを用いた。記録ヘッドはギャップ長0.22μm、トラック幅20μmのMIGヘッドを使用した。電磁変換特性の評価では、MIGヘッドで記録波長0.6μmと0.3μmにて記録し、トラック幅5μmのNiFeMRヘッドを用いて再生したときのキャリア出力を測定した。
【0069】
測定方向は、磁気テープと磁気ヘッドを相対的に正方向と逆方向で動作するようにした状態でそれぞれ測定した。記録ヘッドの記録電流は、それぞれのサンプルにおいて正方向で測定した際の再生出力が最大となる値とし、逆方向の測定においても同じ記録電流に固定した。正方向記録再生時の記録波長0.3μmと記録波長0.6μmの信号出力差は、実施例1での(記録波長0.3μmでの出力)−(記録波長0.6μmでの出力)を基準(0dB)とした。それぞれのサンプルでの(記録波長0.3μmでの出力)−(記録波長0.6μmでの出力)が実施例1(基準)に対してマイナスの場合、実施例1よりも短波長での出力劣化の度合いが大きい。
【0070】
なお、磁気テープとMRヘッドとの相対速度は7m/secとした。磁気特性は、試料振動型磁力計(VSM)を用いて測定した。外部磁場印加中において試料を回転させながら、それぞれの角度においてヒステリシスループを測定することにより、保磁力の印加磁場角度依存性を測定した。上記の実施例1、2および比較例1、2の評価結果を表1に示す。
【0071】
【表1】
【0072】
表1に示すように、実施例1、2の磁気テープは、Hcmax/Hc0が1.2以下であり、斜方蒸着テープの磁気異方性が弱く、正方向と逆方向の出力差が小さく3dB以内に収まった。3dB以内であれば、単層磁性層の蒸着テープに於いても、リニア方式での記録再生の実用化が可能である。また、実施例1、2ではHc0が100(kA/m)以上となった。
【0073】
一方、比較例1の磁気テープは、磁気異方性が強く正逆方向の出力差が大きくなるため、リニア方式用の記録媒体として好適な特性が得られなかった。
また、比較例2の磁気テープは、磁気異方性は弱いものの、Hc0が低く短波長領域での出力低下が大きいため、高記録密度用途の磁気記録媒体としては好適でない。
【0074】
以上のように、上記の本発明の実施形態の磁気テープによれば、Hcmax/Hc0が1.2以下となるように、斜方蒸着磁気テープの磁気異方性を弱めることによって、記録再生特性の双方向での差が低減される。
【0075】
したがって、本実施形態の磁気テープは、MRヘッド等の高感度ヘッドを使用するリニア方式の磁気記録再生システムで、高記録密度の記録再生を低コストの単層蒸着テープによって行うことができる。本発明の磁気記録媒体の実施形態は、上記の説明に限定されない。本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【0076】
【発明の効果】
本発明の磁気記録媒体によれば、リニア方式での記録再生に適した磁気特性が得られ、かつ低コストで磁性層を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の磁気記録媒体の断面図である。
【図2】図2は本発明の磁気記録媒体の保磁力の印加磁界角度依存性を示す図である。
【図3】図3は本発明の磁気記録媒体の磁性層を形成するための真空蒸着装置を示す概略図である。
【図4】図4は従来の磁気記録媒体の断面図である。
【図5】図5は従来の磁気記録媒体の断面図である。
【符号の説明】
1…非磁性支持体、2…下地層、3…磁性層、4…保護層、5…潤滑層、10…磁気記録媒体、20…真空蒸着装置、21…真空室、22…冷却キャン、23…蒸着源、24…供給ロール、25…巻き取りロール、27、28…ガイドローラー、29…電子ビーム発生源、30…電子ビーム、31…第1のシャッタ、32…第2のシャッタ、10…1非磁性支持体、102…磁性層、102a…下層強磁性金属薄膜、102b…上層強磁性金属薄膜。
Claims (7)
- 長尺状の非磁性支持体と、
前記非磁性支持体の一主面に、真空薄膜形成技術によって形成された斜方柱状構造を有する単層の磁性層とを有し、
前記磁性層に垂直で、かつ前記磁気記録媒体の長手方向を含む面内における保磁力の最大値Hcmaxと、前記磁気記録媒体の長手方向の保磁力Hc0との比Hcmax/Hc0が1.2以下である
磁気記録媒体。 - 前記保磁力Hc0が100(kA/m)以上である
請求項1記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層の残留磁化Mrと膜厚δとの積であるMr・δが式(1)で表される範囲にあり、記録された信号が磁気抵抗効果型磁気ヘッドの摺動により再生される
12(mA)≦Mr・δ<30(mA) ・・・(1)
請求項1記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層の残留磁化Mrと膜厚δとの積であるMr・δが式(2)で表される範囲にあり、記録された信号が巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドの摺動により再生される
3(mA)≦Mr・δ<12(mA) ・・・(2)
請求項1記載の磁気記録媒体。 - 長手方向に平行に複数のトラックを有し、リニア方式で信号の記録および再生が行われる
請求項1記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層上に保護層を有する
請求項1記載の磁気記録媒体。 - 前記保護層はダイヤモンドライクカーボン膜を含む
請求項6記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003118535A JP2004326888A (ja) | 2003-04-23 | 2003-04-23 | 磁気記録媒体 |
US10/824,864 US7258935B2 (en) | 2003-04-23 | 2004-04-15 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003118535A JP2004326888A (ja) | 2003-04-23 | 2003-04-23 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004326888A true JP2004326888A (ja) | 2004-11-18 |
Family
ID=33296370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003118535A Abandoned JP2004326888A (ja) | 2003-04-23 | 2003-04-23 | 磁気記録媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7258935B2 (ja) |
JP (1) | JP2004326888A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8208217B2 (en) | 2007-10-05 | 2012-06-26 | Sony Corporation | Magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing system |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1434198B1 (en) * | 2002-12-25 | 2006-09-13 | Sony Corporation | Magnetic recording medium |
US9034150B2 (en) * | 2012-11-29 | 2015-05-19 | Seagate Technology Llc | Thin film with tuned anisotropy and magnetic moment |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59198526A (ja) | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
JPH01125714A (ja) | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Sony Corp | 磁気テープ |
JP2000339605A (ja) | 1999-05-24 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録方法 |
JP2001143236A (ja) | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Sony Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
AU2003279009A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-23 | Seagate Technology Llc | Magnetic storage media having tilted magnetic anisotropy |
-
2003
- 2003-04-23 JP JP2003118535A patent/JP2004326888A/ja not_active Abandoned
-
2004
- 2004-04-15 US US10/824,864 patent/US7258935B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8208217B2 (en) | 2007-10-05 | 2012-06-26 | Sony Corporation | Magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040214044A1 (en) | 2004-10-28 |
US7258935B2 (en) | 2007-08-21 |
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Date | Code | Title | Description |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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