WO2022209372A1

WO2022209372A1 - 磁気記録媒体

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Publication number: WO2022209372A1
Application number: PCT/JP2022/005871
Authority: WO
Inventors: 淳一立花; 弘幸小林; 輝夫齋; 寛之村上; 聡兒玉; 颯吾及川; 隆嗣相澤
Original assignee: ソニーグループ株式会社
Priority date: 2021-03-30
Filing date: 2022-02-15
Publication date: 2022-10-06
Also published as: JPWO2022209372A1

Abstract

本技術は、高いＳＮＲを示し、且つ、熱安定性に優れている磁気記録媒体を提供することを目的とする。　本技術は、記録層、ＣＡＰ層、及び保護層をこの順に有し、前記記録層が、下記式で表される平均原子数比率を有し、［Ｃｏ（１００－Ｘ－Ｙ）ＰｔＸＣｒＹ］（１００－Ｚ）－（ＭＯＮ）Ｚ　・・・（I）（前記式（I）中、１０≦Ｘ≦２５、８≦Ｙ≦１６、６≦Ｚ≦１１であり、ＭＯＮは金属酸化物を示す。）　原子間力顕微鏡を用いて取得された前記保護層側表面の高さデータに基づいて作成されるベアリングカーブにおける表面凸方向の０．１％面積の高さｐ［ｎｍ］と、前記保護層の平均厚みｑ［ｎｍ］と、前記記録層の面外方向のＸ線回析におけるＣｏＰｔＣｒ　ｈｃｐ（０００２）ピークのロッキングカーブの半値幅Δθ５０と、から構成される比Δθ５０／（ｐ＋ｑ）が、０．３６０以上０．５４５以下であり、且つ、前記ＣＡＰ層の平均厚みが４ｎｍ以上である、テープ状の磁気記録媒体を提供する。

Description

磁気記録媒体

　本技術は、磁気記録媒体に関する。

　代表的な磁気記録媒体として、磁気記録テープ及びハードディスク媒体がある。近年では、前者の磁気記録テープが、データアップ用として改めて注目されている。その理由は、インターネットの普及、クラウドコンピューティングの利用、並びにビッグデータの蓄積及び解析が進んでいるため、長期的に記録すべき情報量が爆発的に増加し、磁気記録媒体に高記録容量化が求められているからである。さらに、この磁気記録テープは、コスト、省エネルギー、長寿命、及び信頼性などの観点でも有利な点を備えている。

　磁気記録媒体の高記録容量化に伴い、より高い記録密度を実現するために、シグナルノイズ比（Signal-to-Noise Ratio：ＳＮＲ）の向上が求められる。磁気記録媒体のＳＮＲを高めるための技術がこれまでにいくつか提案されてきている。例えば、下記特許文献１には、基板上にＣｏ－Ｐｔ－Ｃｒを主体とし、Ｓｉ酸化物を含有する磁性膜が形成され、前記Ｓｉ酸化物の含有量がＳｉ原子に換算して、Ｃｏ－Ｐｔ－Ｃｒに対して８原子％以上、１６原子％以下であることを特徴とする磁気記録媒体が開示されている。

特開２００２－３４２９０８号公報

　ノイズを低減してＳＮＲを向上させるために、磁気記録媒体に含まれる磁性体を微細化することが考えられる。しかしながら、磁性体が微細化されると、磁気記録媒体の熱に対する安定性（熱安定性）が低下して、記録情報が安定的に保持されない場合がある。記録情報を安定的に保持するため、磁気記録媒体には、優れた熱安定性も求められる。
　そこで、本技術は、高いＳＮＲを示し、且つ、熱安定性に優れている磁気記録媒体を提供することを主な目的とする。

　本技術は、
　記録層、ＣＡＰ層、及び保護層をこの順に有し、
　前記記録層が、下記式で表される平均原子数比率を有し、
［Ｃｏ_{（１００－Ｘ－Ｙ）}Ｐｔ_ＸＣｒ_Ｙ］_{（１００－Ｚ）}－（ＭＯ_Ｎ）_Ｚ　・・・（I）
（前記式（I）中、１０≦Ｘ≦２５、８≦Ｙ≦１６、６≦Ｚ≦１１であり、ＭＯ_Ｎは金属酸化物を示す。）
　原子間力顕微鏡を用いて取得された前記保護層側表面の高さデータに基づいて作成されるベアリングカーブにおける表面凸方向の０．１％面積の高さｐ［ｎｍ］と、前記保護層の平均厚みｑ［ｎｍ］と、前記記録層の面外方向のＸ線回析におけるＣｏＰｔＣｒ　ｈｃｐ（０００２）ピークのロッキングカーブの半値幅Δθ_５０と、から構成される比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）が、０．３６０以上０．５４５以下であり、且つ、
　前記ＣＡＰ層の平均厚みが４ｎｍ以上である、
　テープ状の磁気記録媒体を提供する。
　前記磁気記録媒体が、ベース層、シード層、及び下地層をこの順に有し、前記記録層が、前記下地層上に設けられていてよい。
　前記下地層が、第１下地層及び第２下地層を有し、前記記録層が、前記第１下地層上に設けられていてよい。
　前記シード層が、第１シード層及び第２シード層を有し、前記下地層が、前記第１シード層上に設けられていてよい。
　前記磁気記録媒体が、中間層を有し、前記中間層が、前記下地層と前記記録層との間に設けられていてよい。
　前記磁気記録媒体が、ＳＵＬを有し、前記ＳＵＬが、前記ベース層と前記シード層との間に設けられていてよい。
　前記式（I）中のＭＯ_Ｎが、Ｂ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、及びＴｉＯ_２から選ばれる少なくとも１つであってよい。
　前記ＣＡＰ層が、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、及びＢを含む合金を含んでよい。
　前記下地層が、ルテニウムを含んでよい。
　前記第１シード層が、ニッケルタングステン合金を含んでよい。
　前記第２シード層が、Ｔｉ、Ｃｒ、及びＯを含む合金を含んでよい。
　前記記録層の平均厚みが、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であってよい。
　前記保護層の平均厚みが、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であってよい。
　前記第１下地層の平均厚みが、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。
　前記第２下地層の平均厚みが、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってよい。
　前記第１シード層の平均厚みが、１．０ｎｍ以上２０．０ｎｍ以下であってよい。
　前記第２シード層の平均厚みが、０．１ｎｍ以上５．０ｎｍ以下であってよい。
　本技術は、
　記録層、ＣＡＰ層、及び保護層をこの順に有し、
　前記記録層が、下記式で表される平均原子数比率を有し、
［Ｃｏ_{（１００－Ｘ－Ｙ）}Ｐｔ_ＸＣｒ_Ｙ］_{（１００－Ｚ）}－（ＭＯ_Ｎ）_Ｚ　・・・（I）
（前記式（I）中、１０≦Ｘ≦２５、８≦Ｙ≦１６、６≦Ｚ≦１１であり、ＭＯ_Ｎは金属酸化物を示す。）
　原子間力顕微鏡を用いて取得された前記保護層側表面の高さデータに基づいて作成されるベアリングカーブにおける表面凸方向の０．１％面積の高さｐ［ｎｍ］と、前記保護層の平均厚みｑ［ｎｍ］と、前記記録層の面外方向のＸ線回析におけるＣｏＰｔＣｒ　ｈｃｐ（０００２）ピークのロッキングカーブの半値幅Δθ_５０と、から構成される比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）が、０．３６０以上０．５４５以下であり、且つ、
　前記ＣＡＰ層の平均厚みが４ｎｍ以上である、テープ状の磁気記録媒体を含み、
　前記磁気記録媒体が、リールに巻き取られた状態で収容された、
　磁気記録カートリッジも提供する。

記録ヘッド及び磁気記録媒体を示す模式図である。記録ヘッドで発生する記録磁界を示す模式図である。第１の実施形態に係る磁気記録媒体の層構造の一例を示す図である。ベアリングカーブの一例を示すグラフである第２の実施形態に係る磁気記録媒体の層構造の一例を示す図である。第３の実施形態に係る磁気記録媒体の層構造の一例を示す図である。記録再生装置の構成を示す概略図である。磁気記録カートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジメモリの構成の一例を示すブロック図である。磁気記録カートリッジの変形例の構成の一例を示す分解斜視図である。

　以下、本技術を実施するための好適な実施形態例について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施形態例は、本技術に好適な実施形態や変形形態を例示するものであるため、これらに狭く限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、以下の実施形態例及びその変形例において挙げる構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等を用いてもよい。また、化合物等の化学式を挙げる場合は、この化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。また、以下に説明する実施形態例及びその変形例の構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等は、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。説明は、以下の順序で行う。

１．本技術の磁気記録媒体
（１）概要
（２）記録層の組成（３）比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）

（４）ＣＡＰ層の平均厚み
（５）層構成
２．第１の実施形態
（１）磁気記録媒体の構成
（２）各層の説明
（３）効果
３．第２の実施形態
（１）磁気記録媒体の構成
（２）各層の説明
４．第３の実施形態
（１）磁気記録媒体の構成
（２）各層の説明
５．磁気記録媒体の製造方法
６．記録再生装置
７．磁気記録カートリッジ
８．磁気記録カートリッジの変形例
９．実施例

１．本技術の磁気記録媒体

（１）概要

本技術の磁気記録媒体は、記録層、ＣＡＰ層、及び保護層をこの順に有する。当該記録層は、下記式（I）で表される平均原子数比率を有する。
［Ｃｏ_{（１００－Ｘ－Ｙ）}Ｐｔ_ＸＣｒ_Ｙ］_{（１００－Ｚ）}－（ＭＯ_Ｎ）_Ｚ　・・・（I）
（上記式（I）中、１０≦Ｘ≦２５、８≦Ｙ≦１６、６≦Ｚ≦１１であり、ＭＯ_Ｎは金属酸化物を示す。）
　本技術の磁気記録媒体は、記録層が上記のとおり特定の組成を有することにより、シグナルノイズ比（Signal-to-Noise Ratio：ＳＮＲ）が高く、且つ、熱安定性に優れている。

　本技術の磁気記録媒体は、原子間力顕微鏡を用いて取得された上記保護層側表面の高さデータに基づいて作成されるベアリングカーブにおける表面凸方向の０．１％面積の高さｐ［ｎｍ］と、上記保護層の平均厚みｑ［ｎｍ］と、上記記録層の面外方向のＸ線回析におけるＣｏＰｔＣｒ　ｈｃｐ（０００２）ピークのロッキングカーブの半値幅Δθ_５０と、から構成される比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）が、０．３６０以上０．５４５以下である。本技術の磁気記録媒体は、当該比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）が当該数値範囲内であることにより、高いＳＮＲを示す。

　本技術の磁気記録媒体は、上記ＣＡＰ層の平均厚みが４ｎｍ以上である。本技術の磁気記録媒体は、ＣＡＰ層の平均厚みが４ｎｍ以上であることにより、高いＳＮＲを示し、且つ、飽和磁界（Ｈｓ）を低減できる。当該飽和磁界（Ｈｓ）の低減は、磁気記録媒体への情報の記録が困難になることを防止しうる。

　本技術の磁気記録媒体はテープ状であり、例えば長尺状の磁気記録テープでありうる。本技術のテープ状磁気記録媒体は、例えば磁気記録カートリッジ内に収容されていてよい。より具体的には、当該磁気記録カートリッジ内のリールに巻き付けられた状態で、当該カートリッジ内に収容されていてよい。

　本技術の磁気記録媒体における、記録層の組成、比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）、ＣＡＰ層の平均厚み、及び層構成について、以下にてさらに説明する。

（２）記録層の組成

　高い面記録密度（例えば１００Ｇｂ／ｉｎ^２以上の面記録密度）を実現するためには、ノイズが低くＳＮＲの高い磁気記録媒体が求められる。ノイズを低減するために、磁気記録媒体に含まれる磁性体を微細化することが考えられる。しかしながら、磁性体を微細化すると、磁気記録媒体（具体的には記録層）に記録された磁化が、熱エネルギーによって減衰しやすくなる。当該磁化の減衰は、磁気記録媒体（具体的には記録層）に記録された情報の安定的な保持を困難にさせうる。このように、磁性体が微細化されると、磁気記録媒体の熱に対する安定性（熱安定性）が低下して、記録情報が安定的に保持されないことがある。そのため、磁気記録媒体には、優れた熱安定性も求められる。

　磁気記録媒体の熱安定性の指標値として、Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴがある。Ｋ_uは磁性体の磁気異方性エネルギー、Ｖ_actは磁性体の活性化体積、ｋ_Bはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である。Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴの値が高いほど、磁気記録媒体の熱安定性が高い。磁気記録媒体において、記録情報を安定的に保持するためには、上記熱安定性の低下を防止する必要がある。そのため、磁気記録媒体のＫ_uＶ_act／ｋ_BＴの値は、一定値以上であることが望ましい。

　このように、磁気記録媒体の面記録密度を高めるためには、ノイズの低減（すなわちＳＮＲの向上）が求められるが、ノイズを低減するために（ＳＮＲを向上させるために）磁性体を微細化すると、熱安定性が低下しやすくなる。したがって、ＳＮＲの向上と熱安定性の向上を両立することは容易ではない。

本発明者らは、高い面記録密度を実現するために求められる高いＳＮＲを示し、且つ、熱安定性に優れている磁気記録媒体について、検討を行った。本発明者らは、例えば１００Ｇｂ／ｉｎ^２以上の面記録密度を有する磁気記録媒体において、記録情報を安定的に保持するためには、Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴが８０以上であることが望ましいと考えた。そこで、本発明者らは、高い面記録密度（例えば１００Ｇｂ／ｉｎ^２以上の面記録密度）を実現するために求められる高いＳＮＲを示し、且つ、Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴが８０以上である磁気記録媒体についてさらに検討を行った。その結果、本発明者らは、磁気記録媒体の記録層が下記式（I）で表される平均原子数比率を有することによって、ＳＮＳを向上させ、且つ、Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴを８０以上に高めることが可能であることを見出した。
［Ｃｏ_{（１００－Ｘ－Ｙ）}Ｐｔ_ＸＣｒ_Ｙ］_{（１００－Ｚ）}－（ＭＯ_Ｎ）_Ｚ　・・・（I）
（前記式（I）中、１０≦Ｘ≦２５、８≦Ｙ≦１６、６≦Ｚ≦１１であり、ＭＯ_Ｎは金属酸化物を示す。）

（３）比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）

　高い記録密度を実現するためには、磁気記録媒体のＳＮＲの向上が求められる。磁気記録媒体の代表例として、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）と磁気テープ（テープ状の磁気記録媒体）とがある。ＨＤＤにおいては、ＳＮＲの向上のために、磁気異方性の高い材料によって実現された磁気的孤立性の高い磁性膜構造の上に、飽和磁界を低減させるいわゆるＣＡＰ層を有するディスク媒体が採用されうる。当該ディスク媒体を搭載したＨＤＤにおいて、高記録密度を実現するためには、磁気スペーシング（磁気隙間）を小さくすることが重要である。磁気スペーシングとは、記録ヘッド素子とディスク媒体の磁性層表面との間の距離である。ＨＤＤにおいては、これまでの技術によって１０ｎｍ以下の磁気スペーシングが実現されている。また、高記録密度を実現するためには、軟磁性裏打ち層（soft magnetic underlayer：ＳＵＬ）とシングルポール型（single pole type：ＳＰＴ）記録ヘッドとを組み合わせた垂直磁気記録の技術を用いることも重要である。当該技術は、ディスク媒体にＳＵＬを設けて、ＳＵＬとＳＰＴ記録ヘッドとの相互作用により強力な垂直磁界を発生させて、垂直磁気記録の特性を最大化させるための技術である。

　一方、磁気テープにおいては、ＨＤＤと同程度にまで磁気スペーシングを小さくすることは困難である。これは、磁気スペーシングに含まれる磁気テープの保護層の厚みと記録ヘッドの保護層の厚みとを、ＨＤＤの場合と同程度にまで薄くすることが難しいためである。磁気テープ及びＨＤＤにおけるこれら保護層の厚みの違いは、磁気テープとＨＤＤとで異なる記録方式が採用されていることに起因する。具体的には、磁気テープの場合、磁気テープと記録ヘッドとが接触した状態で情報の記録が行われる。一方、ＨＤＤの場合、メディア媒体と記録ヘッドとが非接触の状態で（すなわち、メディア媒体と記録ヘッドとの間に隙間（浮上隙間）が維持された状態で）情報の記録が行われる。そのため、磁気テープ及び記録ヘッドのそれぞれに設けられる保護層は、ＨＤＤの場合と異なり、磁気テープ及び磁気ヘッドの接触による摩耗を防止可能な厚みであることが求められる。そのため、磁気テープ及び記録ヘッドの保護層は、ＨＤＤの場合よりも厚い必要がある。したがって、磁気テープ及び記録ヘッドの保護層を、ＨＤＤの場合と同程度にまで薄くすることは困難である。

　また、磁気テープにおいて、ＳＵＬとＳＰＴ記録ヘッドとの組み合わせを直ちに採用することは、技術及びコストの両面から困難と考えられる。

　このように、ＳＮＲの向上のためにＨＤＤにおいて採用されている構成をテープ状の磁気記録媒体に直ちに適用することは困難な場合がある。そこで、本発明者らは、テープ状の磁気記録媒体のＳＮＲを向上させる技術について検討を行い、３つのパラメータΔθ_５０、ｐ、及びｑに着目した。

上記３つのパラメータについて説明する。パラメータΔθ_５０（「半値幅Δθ_５０」ともいう）は、記録層の面外方向のＸ線回析におけるＣｏＰｔＣｒ　ｈｃｐ（０００２）ピークのロッキングカーブの半値幅である。半値幅Δθ_５０の値が小さいほど、記録層に含まれるＣｏＰｔＣｒ系合金のｃ軸配向の分散度合が小さい。

　パラメータｐ（「表面凸方向の０．１％面積の高さｐ」ともいう）は、原子間力顕微鏡を用いて取得された、磁気記録媒体の保護層側表面の高さデータに基づいて作成されるベアリングカーブにおける、表面凸方向の０．１％面積の高さ（単位：ｎｍ）である。表面凸方向の０．１％面積の高さｐは、本技術の磁気記録媒体において、記録層の表面に存在する突起の高低の傾向を反映するパラメータである。表面凸方向の０．１％面積の高さｐが小さいほど、記録層の表面に存在する突起は全体的に低いと考えられる。パラメータｑ（「保護層の平均厚みｑ」ともいう）は、保護層の平均厚み（単位：ｎｍ）である。表面凸方向の０．１％面積の高さｐと、保護層の平均厚みｑと、の合計値（ｐ＋ｑ）は、記録ヘッドの表面と、磁気記録媒体の記録層と、の間の距離の長短の傾向を反映するパラメータである。（ｐ＋ｑ）の値が小さいほど、記録ヘッドと記録層との間の距離は短いと考えられる。

　図１を参照して、表面凸方向の０．１％面積の高さｐと、保護層の平均厚みｑについてさらに説明する。図１は、記録ヘッド５１０及び磁気記録媒体５２０を示す模式図である。磁気記録媒体５２０は、一般的なテープ状の磁気記録媒体の一例である。図１において、磁気記録媒体５２０は、記録ヘッド５１０側から順に保護層５３０と磁性層５４０とを有している。保護層５３０は、本技術の磁気記録媒体における保護層に相当し、磁性層５４０は、本技術の磁気記録媒体における記録層に相当する。磁気記録媒体５２０は、磁性層５４０よりも下にベース層（図示せず）をさらに有している。ベース層の表面に存在する複数の突起によって、磁性層５４０の表面には突起５４１が複数形成されており、保護層５３０の表面にも突起５３１が複数形成されている。記録ヘッド５１０の表面５１０ａは、保護層５３０と接触している。なお、図１に示される突起５４１は、磁性層５４０の表面に存在する複数の突起の１つを例示するものであり、突起５３１は、保護層５３０の表面に存在する複数の突起の１つを例示するものである。

　本技術の磁気記録媒体における表面凸方向の０．１％面積の高さｐを、図１の磁気記録媒体５２０に当てはめて説明すると、ｐの値が小さいほど、磁性層５４０の表面に存在する突起は全体的に低いと考えられる。本技術の磁気気記録媒体における保護層の平均厚みｑを、図１の磁気記録媒体５２０に当てはめて説明すると、ｑは保護層５３０の平均厚みである。ｐ及びｑの合計値（ｐ＋ｑ）を、図１の磁気記録媒体５２０に当てはめて説明すると、（ｐ＋ｑ）の値が小さいほど、記録ヘッド５１０の表面５１０ａと磁性層５４０との間の距離は短いと考えられる。

　図２を参照して、半値幅Δθ_５０及び（ｐ＋ｑ）について説明する。図２は、記録ヘッド５１０で発生する記録磁界を示す模式図であり、記録ヘッド５１０によって垂直磁気記録媒体に情報を記録する場合を例示している。記録ヘッド５１０は、リング型の記録ヘッドの一例である。図２において、矢印Ｄ_ｈ1～Ｄ_ｈ5は、記録ヘッド５１０で発生する記録磁界を示し、矢印Ｄ_ｍは、垂直磁気記録媒体の記録層に含まれる磁性結晶粒子５４２のｃ軸方向を示す。記録ヘッド５１０で発生する記録磁界は、矢印Ｄ_ｈ１で示されるような水平成分と、Ｄ_ｈ２～Ｄ_ｈ５で示されるような斜め成分と、を含む。図２に示されるように、記録層に対して水平方向の磁界成分は、記録ヘッド５１０の表面５１０ａから離れるほど（すなわち垂直磁気記録媒体の記録層に近いほど）減少し、一方で記録層に対して斜め方向の磁界成分が増加する。そのため、記録層の記録磁化方向は、全てが記録層に対して垂直（記録層の厚み方向）であるよりも、一部が記録層に対して斜めである方が、記録効率が高いと考えられる。すなわち、記録層に含まれる磁性結晶粒子５４２のｃ軸方向Ｄ_ｍは、全てが記録層に対して垂直であるよりも、一部が記録層に対して斜めである方が、記録効率が高いと考えられる。したがって、磁性結晶粒子のｃ軸配向の分散度合が、記録効率に影響を与えると考えられる。記録効率を高めるためには、ｃ軸配向の分散度合を調整することが有効と考えられる。

　また、記録磁界に含まれる斜め方向の磁界成分の割合は、記録ヘッド５１０の表面５１０ａと、磁気記録媒体の記録層と、の間の距離によって変動しうる。そのため、記録効率を高めることが可能なｃ軸配向の分散度合は、記録ヘッド５１０の表面５１０ａと、磁気記録媒体の記録層と、の間の距離の影響を受けうる。

　上記で述べたとおり、半値幅Δθ_５０は記録層に含まれるＣｏＰｔＣｒ系合金のｃ軸配向の分散度合を示すパラメータであり、（ｐ＋ｑ）は記録ヘッドの表面と磁気記録媒体の記録層との間の距離の長短の傾向を反映するパラメータである。以上を踏まえると、半値幅Δθ_５０及び（ｐ＋ｑ）の値を調整することが、記録効率の向上をもたらすと考えられる。そして、記録効率の向上は、磁気記録媒体のＳＮＲの向上に寄与しうる。本発明者らは、さらに検討を行った結果、半値幅Δθ_５０と（ｐ＋ｑ）との比であるΔθ_５０／（ｐ＋ｑ）が、０．３６０以上０．５４５以下であることによって、高いＳＮＲを示す磁気記録媒体が得られることを見出した。

（４）ＣＡＰ層の平均厚み

　本技術の磁気記録媒体は、ＣＡＰ層を有する。ＣＡＰ層の平均厚みは、４ｎｍ以上である。ＣＡＰ層が４ｎｍ未満であると、優れたＳＮＲを得ることが困難となる。

　また、本技術の磁気記録媒体は、ＣＡＰ層が４ｎｍ以上であることにより、記録層の飽和磁界（Ｈｓ）を低減できる。飽和磁界（Ｈｓ）は、記録層に含まれる磁性体の磁化を飽和させるために必要な磁界である。記録ヘッドにより飽和記録を行うためには、記録ヘッドで発生する記録磁界を飽和磁界よりも大きくする必要がある。そのため、飽和磁界が高すぎると、記録ヘッドによる記録（書き込み）が困難となる場合がある。飽和磁界（Ｈｓ）の低減は、記録が困難になることを防止することに寄与する。

（５）層構成

　本技術の磁気記録媒体は、記録層、ＣＡＰ層、及び保護層をこの順に有する。本技術の磁気記録媒体は、さらに、ベース層、シード層、及び下地層をこの順に有してよく、記録層が、下地層上に設けられていてよい。

　下地層は、１又は複数の層を有する。下地層は、好ましくは、第１下地層及び第２下地層を有する二層構造である。すなわち、下地層は、好ましくは、第１下地層及び第２下地層からなる。下地層が第１下地層及び第２下地層を有する場合、記録層は、第１下地層上に設けられていてよい。

　シード層は、１又は複数の層を有する。シード層は、好ましくは、第１シード層及び第２シード層を有する二層構造である。すなわち、シード層は、好ましくは、第１シード層及び第２シード層からなる。シード層が第１シード層及び第２シード層を有する場合、下地層は、第１シード層上に設けられていてよい。

　本技術の磁気記録媒体が、ベース層、シード層、及び下地層をこの順に有する場合、当該磁気記録媒体は、さらに中間層を有してよい。中間層は、下地層と記録層の間に設けられていてよい。

　本技術の磁気記録媒体が、ベース層、シード層、及び下地層をこの順に有する場合、当該磁気記録媒体は、さらにＳＵＬ（軟磁性裏打ち層）を有してよい。ＳＵＬは、ベース層とシード層の間に設けられていてよい。

２．第１の実施形態

（１）磁気記録媒体の構成

　第１の実施形態に係る磁気記録媒体の構成について説明する。本明細書内の説明において、磁気記録媒体の保護層側を上側、磁気記録媒体のバック層側を下側とする。本技術に係るすべての実施形態に共通する層については、添付したすべての図面において同一の符号を用いて示し、共通の構成及び材料等についての重複説明は適宜省略する。

（１－１）全体構成

　図３を参照して、第１の実施形態に係る磁気記録媒体Ｔ１の全体構成について説明する。磁気記録媒体Ｔ１は、例えば、垂直磁気記録用磁気記録媒体である。磁気記録媒体Ｔ１は、バック層６、ベース層５、第２シード層４２、第１シード層４１、第２下地層３２、第１下地層３１、記録層１、ＣＡＰ層Ｃ、保護層Ｐ、及び潤滑剤層Ｌをこの順に有している。すなわち、磁気記録媒体Ｔ１において、長尺状のベース層５の一方側の主面上に第２シード層４２、第１シード層４１がこの順に設けられている。当該第１シード層４１の上に第２下地層３２、第１下地層３１がこの順に設けられている。当該第１下地層３１の上に磁気記録層として機能する記録層１が設けられている。当該記録層１の上に、ＣＡＰ層Ｃ、保護層Ｐ、及び潤滑剤層Ｌがこの順に設けられている。そして、ベース層５の他方側の主面にはバック層６が設けられている。シード層４は、第１シード層４１及び第２シード層からなる二層構造を有している。下地層３は、第１下地層３１及び第２下地層３２からなる二層構造を有している。

　第２シード層４２、第１シード層４１、第２下地層３２、第１下地層３１、記録層１、ＣＡＰ層Ｃ、及び保護層Ｐは、例えば、スパッタリングにより形成された層（以下「スパッタ層」ともいう）などの真空薄膜でありうる。磁気記録媒体Ｔ１は長尺状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。

　磁気記録媒体Ｔ１は、今後ますます需要が高まることが期待されるデータアーカイブ用ストレージメディアとして用いて好適なものである。この磁気記録媒体Ｔ１は、例えば、現在のストレージ用塗布型磁気記録媒体の１０倍以上の面記録密度、すなわち１００Ｇｂ／ｉｎ^２以上の面記録密度を実現することが可能である。このような面記録密度を有する磁気記録媒体Ｔ１を用いて、一般のリニア記録方式のデータカートリッジを構成した場合には、データカートリッジ１巻当たり２００ＴＢ以上の大容量記録が可能になる。

　磁気記録媒体Ｔ１は、リング型の記録ヘッドと、巨大磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistive：ＧＭＲ）型又はトンネル磁気抵抗効果（Tunneling Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドと、を有する記録再生装置（データを記録再生するための記録再生装置）に用いて好適なものである。すなわち、磁気記録媒体Ｔ１は、リング型の記録ヘッドと、ＧＭＲ型又はＴＭＲ型の再生ヘッドと、を有する記録再生装置用の磁気記録媒体であってよい。磁気記録媒体Ｔ１は、サーボ信号書込ヘッドとしてリング型の記録ヘッドが用いられるものであることが好ましい。記録層１には、例えばリング型の記録ヘッドによりデータ信号が垂直記録されてよい。また、記録層１には、例えばリング型の記録ヘッドによりサーボ信号が垂直記録されてよい。すなわち、磁気記録媒体Ｔ１は、リング型の記録ヘッドによりデータ信号及びサーボ信号が垂直記録される記録層１を有する磁気記録媒体であってよい。　

　磁気記録媒体Ｔ１の平均厚みｔ_Ｔは、好ましくは５．６μｍ以下であり、より好ましくは５．５μｍ以下、さらにより好ましくは５．３μｍ以下、５．２μｍ以下、５．０μｍ以下、又は４．６μｍ以下でありうる。磁気記録媒体Ｔ１はこのように薄いものであるので、例えば１つの磁気記録カートリッジ中に巻き取られるテープ長をより長くすることができ、これにより１つの磁気記録カートリッジ当たりの記録容量を高めることができる。磁気記録媒体Ｔ１の平均厚みｔ_Ｔは、例えば、３．０μｍ以上、３．２μｍ以上、３．４、又は３．５μｍ以上であってよい。

　磁気記録媒体Ｔ１の平均厚みｔ_Ｔは以下のようにして求められる。まず、カートリッジに収容された１／２インチ幅の磁気記録媒体Ｔ１を巻き出し、最外周側の一端から１０から２０ｍ、３０ｍから４０ｍ、及び５０ｍから６０ｍの３か所の位置からそれぞれ２５０ｍｍの長さに切り出し、３つのサンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、各サンプルについて、サンプルの厚みを５点の位置で測定し、それらの測定値（合計１５点）を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_Ｔ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。　

　磁気記録媒体Ｔ１の幅は、例えば５ｍｍ～３０ｍｍであり、特には７ｍｍ～２５ｍｍであり、より特には１０ｍｍ～２０ｍｍ、さらにより特には１１ｍｍ～１９ｍｍでありうる。

　磁気記録媒体Ｔ１の長さは、例えば５００ｍ～１５００ｍであってよく、例えば１０００ｍ以上であってよい。例えばＬＴＯ８規格に従うテープ幅は１２．６５ｍｍであり、長さは９６０ｍである。

（１－２）比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）

　磁気記録媒体Ｔ１は、半値幅Δθ_５０と、表面凸方向の０．１％面積の高さｐ［ｎｍ］と、保護層の平均厚みｑ［ｎｍ］と、から構成される比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）が、０．３６０以上０．５４５以下であり、好ましくは０．３８０以上０．５４０以下、より好ましくは０．４００以上０．５００以下である。比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）が当該数値範囲であることによって、ＳＮＲを向上できる。以下、比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）を構成する３つのパラメータについて説明する。

（１－２－１）半値幅Δθ_５０

　半値幅Δθ_５０は、記録層１の面外方向のＸ線回析におけるＣｏＰｔＣｒ　ｈｃｐ（０００２）ピークのロッキングカーブの半値幅である。すなわち、半値幅Δθ_５０は、記録層１の面外方向におけるＸ線回折を用いて、ＣｏＰｔＣｒ系合金の六方最密充填（ｈｃｐ）構造の（０００２）面におけるロッキングカーブ測定を行い、当該測定によって得られるロッキングカーブの半値幅である。

　半値幅Δθ_５０は、０．３６０≦Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）≦０．５４５を満たす数値であり、好ましくは０．３８０≦Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）≦０．５４０を満たす値であり、より好ましくは０．４００≦Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）≦０．５００を満たす値である。半値幅Δθ_５０は、比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）が上記数値範囲を満たすように、他のパラメータ（ｐ及びｑ）の値に応じて調整されうる。半値幅Δθ_５０は、例えば３．５°以上７．５°以下、４．０°以上７．０°以下、又は４．０°以上６．５°以下であってよい。半値幅Δθ_５０は、例えば、下地層３の平均厚み又はシード層４の平均厚みを変化させることによって調整されうる。

　半値幅Δθ_５０は、以下のようにして求められる。まず、１２．７ｍｍ幅の磁気記録媒体Ｔ１を長さ３０ｍｍに切り出し、１２．７ｍｍ×３０ｍｍの長方形のサンプルを作製する。さらに、１０ｍごとに２箇所で同一形状のサンプルを作製し、合計３つのサンプルを得る。次に、Ｘ線回折装置（リガク社製ＲＩＮＴ　２０００）を用いて、各サンプルの試料表面に対して平行な格子面を評価する手法であるOut-of Plane測定にて、下記表１に記載されている条件で（θ－２θ）特性を測定する。

　２θ：４３．７°（ＣｏＰｔＣｒ　ｈｃｐ（０００２面））にて、入射Ｘ線を固定し、Ｘ線検出器を±１５°の範囲でスキャンする。スキャンにより得られる回折Ｘ線カーブ（ロッキングカーブ）において、ピーク強度の１／２となる値を得る。３つのサンプルについて得られた当該値を単純に平均（算術平均）して、Δθ_５０とする。当該回析Ｘ線カーブからΔθ_５０の値を算出するために使用するデータ処理ソフトとしては、付属のピークサーチソフトとＸＲＤ解析処理ソフトＪＡＤＥを使用することができる。

（１－２－２）表面凸方向の０．１％面積の高さｐ

　表面凸方向の０．１％面積の高さｐは、原子間力顕微鏡を用いて取得された磁気記録媒体Ｔ１の保護層側表面の高さデータに基づいて作成されるベアリングカーブにおける数値である。なお、「磁気記録媒体の保護層側表面」とは、テープ状の磁気記録媒体の両表面のうち、保護層が近い表面を意味する。例えば、磁気記録媒体の最表面に保護層以外の層（例えば潤滑剤層）が存在する場合であっても、保護層が近い表面を、本明細書において「保護層側表面」という。

　表面凸方向の０．１％面積の高さｐは、０．３６０≦Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）≦０．５４５を満たす数値であり、好ましくは０．３８０≦Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）≦０．５４０を満たす値であり、より好ましくは０．４００≦Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）≦０．５００を満たす値である。表面凸方向の０．１％面積の高さｐは、比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）が上記数値範囲を満たすように、他のパラメータ（Δθ_５０及びｑ）の値に応じて調整されうる。表面凸方向の０．１％面積の高さｐは、例えば１ｎｍ以上１５ｎｍ以下、２ｎｍ以上１２ｎｍ以下、又は３ｎｍ以上１０ｎｍ以下であってよい。表面凸方向の０．１％面積の高さｐは、例えば、磁気記録媒体Ｔ１の表面処理において往復走行回数を変化させることによって調整されうる。　

　表面凸方向の０．１％面積の高さｐは、以下のようにして求められる。まず、１２．７ｍｍ幅の磁気記録媒体Ｔ１を長さ１０ｍｍに切り出し、１２．７ｍｍ×１０ｍｍの長方形のサンプルを作製する。さらに、１０ｍごとに２箇所で同一形状のサンプルを作製し、合計３つのサンプルを得る。各サンプルの保護層側表面について、３か所の測定エリアを原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）により観察し、合計９か所の測定エリアにおける２次元（２Ｄ）表面プロファイルデータを得る。以下に、ＡＦＭの測定条件を示す。
　AFM：Digital Instruments社製 Dimension 3100顕微鏡（ＮａｎｏｓｃｏｐｅＩＶ　コントローラを有する）
　カンチレバー：NanoWorld社 NCH-10T
　測定エリア：３０μｍ×３０μｍの正方形状エリア
　分解能：５１２×５１２
　AFMのブローブのscan方向：磁気テープのMD（Machine Direction）方向（長手方向）
　測定mode：タッピングモード
　scan ratio：１Hz

　次に、得られた２Ｄ表面プロファイルデータsurface _x,y（ｎｍ）（ｘは０～５１１の整数、ｙは０～５１１の整数）に対して、下記のフィルタ処理を施した。以下では、フィルタ処理後の２Ｄ表面プロファイルデータを「F surface _x,y」という。
　Flatten：３次
　Planefit：MD方向のみ３次

　上記F surface _x,y中の各測定点（ｘ，ｙ）での測定データｐＡＦＭ_x,y、並びに、高さ方向の感度Ｓｅｎｓ.Ｚｓｃａｎ［ｎｍ／Ｖ］及び高さ方向の測定レンジＺ　Ｓｃａｌｅ［Ｖ］を用いて、下記式により各測定点の高さＡＦＭ_x,y［ｎｍ］を算出する。なお、下記式中の「65536」は、全測定点の個数（256×256＝65536）である。
　AFM_x,y[nm] =（pAFM_x,y×Sens.Zscan [nm/V]×Z Scale [V]）／65536

　本技術の磁気記録媒体において、上記「原子間力顕微鏡を用いて取得された保護層側表面の高さデータ」（以下、単に「保護層側表面の高さデータ」ともいう）は、上記式により求められる各測定点の高さＡＦＭ_x,yを意味する。

　次に、上記保護層側表面の高さデータに基づいてベアリングカーブを作成する。具体的には、まず、上記式により求めた各測定点の高さＡＦＭ_x,yの平均（平均高さＨ_a）を算出する。各測定点の高さＡＦＭ_x,yの値から、平均高さＨ_aの値を差し引いて、各測定点の高さ差分Ｈ_dを算出する。すなわち、各測定点の高さ差分Ｈ_dは、以下の式により求められる。
　各測定点の高さ差分Ｈ_d［ｎｍ］＝（各測定点の高さＡＦＭ_x,y）－（平均高さＨ_a）

　各測定点の高さ差分Ｈ_dを一次元配列として並べる。当該一次元配列を値が大きい順（降順）に並び替える。当該並び替え後の一次元配列の高さ差分Ｈ_dが、ベアリングカーブを描く各点のＹ座標の値である。すなわち、ベアリングカーブのＹ座標の値は、上記高さ差分Ｈ_dである。本明細書において、当該高さ差分Ｈ_dを、ベアリングカーブにおける高さという。

　降順に並べ替えた後の一次元配列のData number（一次元配列の要素番号）の、全データ数（全測定点の数）に対する割合が、ベアリングカーブを描く各点のＸ座標の値である。すなわち、ベアリングカーブのＸ座標の値は、以下の式により求められる。
　Ｘ座標の値［％］＝Data Number／全データ数×１００

　最後に、得られたＸ座標の値とＹ座標の値とをＸＹ座標にプロットとして、ベアリングカーブを作成する。図４は、ベアリングカーブの一例を示すグラフである。当該ＸＹ座標において、Ｘ軸は面積率を示し、Ｙ軸は高さ（具体的には高さ差分Ｈ_d）を示す。当該面積率は、高さ（高さ差分Ｈ_d）の高い順に頻度を累積し、ＡＦＭにより測定された全測定点の数（６５，５３６個）を１００として百分率で表したものである。

　上記ベアリングカーブにおいて面積率が０．１％となる高さが、上記「表面凸方向の０．１％面積の高さｐ」である。表面凸方向の０．１％面積の高さｐは、具体的には、全測定点のうち０．１％の測定点において、高さ（高さ差分Ｈ_d）がｐ［ｎｍ］以上であることを意味する。例えば、ベアリングカーブ上にＸ座標が０．１（％）、Ｙ座標が５（ｎｍ）である点Ｐが存在する場合、表面凸方向の０．１％面積の高さｐは５ｎｍであり、これは、全測定点のうち０．１％の測定点において、高さ（高さ差分Ｈ_d）が５ｎｍ以上であることを意味する。

　表面凸方向の０．１％面積の高さｐは、磁気記録媒体Ｔ１の保護層側表面に存在する凸形状（突起）の高低の傾向を評価する指標である。磁気記録媒体Ｔ１における保護層側表面に存在する突起は、保護層Ｐよりも下に位置する層の表面に存在する突起を反映していると考えられる。そのため、保護層側表面に存在する突起の高低は、保護層Ｐよりも下に位置する記録層１の表面に存在する突起の高低を反映していると考えられる。したがって、表面凸方向の０．１％面積の高さｐは、記録層１の表面に存在する突起の高低の傾向を反映するパラメータでありうる。表面凸方向の０．１％面積の高さｐが小さいほど、記録層１の表面に存在する突起は全体的に低い傾向にあると考えられる。

（１－２－３）保護層の平均厚みｑ

　保護層Ｐの平均厚みｑは、０．３６０≦Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）≦０．５４５を満たす数値であり、好ましくは０．３８０≦Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）≦０．５４０を満たす値であり、より好ましくは０．４００≦Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）≦０．５００を満たす値である。保護層Ｐの平均厚みｑは、比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）が上記数値範囲を満たすように、他のパラメータ（Δθ_５０及びｐ）の値に応じて調整されうる。保護層の平均厚みｑは、例えば１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、２ｎｍ以上８ｎｍ以下、又は３ｎｍ以上６ｎｍ以下であってよい。

保護層Ｐの平均厚みｑは、以下のようにして求められる。カートリッジに収容された磁気記録媒体Ｔ１を巻き出し、最外周側の一端から１０ｍから２０ｍ、３０ｍから４０ｍ、及び５０ｍから６０ｍの３か所の位置からそれぞれ必要な長さを切り出し３つのサンプルを作製する。続いて、各サンプルをＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体Ｔ１の保護層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により保護層側表面にさらに形成される。なお、保護層Ｐがカーボンにより形成されているサンプルについて、上記ＴＥＭ像を観察する前処理で保護膜としてカーボン膜を形成すると、保護層Ｐと当該保護膜とを区別できなくなる場合がある。この場合、サンプルの保護層側表面に保護膜としてのカーボン膜を形成しなくてよい。当該薄片化は磁気記録媒体Ｔ１の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体Ｔ１の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた各薄片化サンプルの上記断面を、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
　装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
　加速電圧：３００ｋＶ
　倍率：１００，０００倍

　次に、得られた各薄片化サンプルのＴＥＭ像を用い、各薄片化サンプルの磁気記録媒体Ｔ１の長手方向に並ぶ１０点の位置で保護層Ｐの厚みを測定する。得られた各薄片化サンプルの測定値（合計で３０点の測定値）を単純に平均（算術平均）して得られた平均値を保護層Ｐの平均厚みｑ［ｎｍ］とする。なお、当該測定が行われる位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。

（２）各層の説明

　再度図３を参照して、磁気記録媒体Ｔ１の各層について説明する。

　（記録層）

　記録層１は、磁性結晶粒子を含む層であり、磁気を用いて、信号を記録したり、あるいは再生をしたりする層として機能しうるものである。記録層１は、磁性結晶粒子が垂直配向した垂直磁気記録層でありうる。さらに、記録密度を向上する観点からすると、Ｃｏ系合金を含むグラニュラ構造を有するグラニュラ磁性層であることが好ましい。

　グラニュラ構造を有する記録層１は、Ｃｏ系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻くように存在する非磁性粒界（非磁性体）とから構成されている。より具体的には、グラニュラ構造の記録層１は、Ｃｏ系合金を含むカラム（柱状結晶）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを物理的に、かつ磁気的に分離する非磁性粒界とから構成されている。このようなグラニュラ構造によって、記録層１は、それぞれのカラム状の磁性結晶粒子が磁気的に分離した構造を呈する。

　Ｃｏ系合金は、六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有しており、そのｃ軸は膜面に対して垂直方向（磁気記録媒体厚み方向）に配向しうる。このように、記録層１が六方最密充填構造を有することによって、記録層１の配向特性がさらに高められている。Ｃｏ系合金としては、少なくともＣｏ、Ｃｒ及びＰｔを含有するＣｏＰｔＣｒ系合金を採用することが好ましい。ＣｏＰｔＣｒ系合金は、特に狭く限定されるものではなく、さらに添加元素を含んでいてもよい。添加元素としては、例えば、Ｎｉ、Ｔａなどから選択される一種以上の元素を挙げることができる。好ましくは、記録層１は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有しうる。

　強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界は、非磁性金属材料を含んでいる。ここで、金属には半金属を含むものとする。非磁性金属材料としては、例えば非磁性酸化物であってよく、当該非磁性酸化物は、金属酸化物及び金属窒化物のうちの少なくとも一つを採用することができ、上記グラニュラ構造をより安定に維持する観点からすると、金属酸化物を用いることが好ましい。

磁気記録媒体Ｔ１において、記録層１は、下記式（I）で表される平均原子数比率（平均組成ともいう）を有している。なお、下記式（I）は、特定の結晶構造を示すものではなく、元素の平均原子数比率を単純に表すものである。すなわち、下記式（Ｉ）は、元素の原子数比率を測定した結果から得られる値を表すものである。また、記録層１は、下記式（I）で表される元素以外の元素を含んでよい。すなわち、記録層１は、下記式（I）で表される平均原子数比率を有しているものであれよく、他の元素（例えば、不純物、及び他の層からの拡散成分など）を含んでよい。
［Ｃｏ_{（１００－Ｘ－Ｙ）}Ｐｔ_ＸＣｒ_Ｙ］_{（１００－Ｚ）}－（ＭＯ_Ｎ）_Ｚ　・・・（I）
（上記式（I）中、１０≦Ｘ≦２５、８≦Ｙ≦１６、６≦Ｚ≦１１であり、ＭＯ_Ｎは金属酸化物を示す。）

　上記Ｘが１０未満であると、高いＳＮＲが得られにくく、また、Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴが８０未満となり、熱安定性が低下する。上記Ｘが２５超であると、高いＳＮＲが得られにくい。上記Ｙが８未満であると、高いＳＮＲが得られにくい。上記Ｙが１６超であると、高いＳＮＲが得られにくく、また、Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴが８０未満となり、熱安定性が低下する。上記Ｚが６未満であると、高いＳＮＲが得られにくい。上記Ｚが１１超であると、高いＳＮＲが得られにくい。

　上記式（I）において上記Ｘは、好ましくは１２以上であり、より好ましくは１４以上であり、さらにより好ましくは１６以上であり、特に好ましくは１８以上である。Ｘが当該数値範囲であることによって、Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴの値が大きくなり、熱安定性が向上する。当該Ｘは、好ましくは２３以下である。Ｘが２３以下であることによって、磁気記録媒体Ｔ１はより高いＳＮＲを示しうる。Ｘの数値範囲は、上記上限値のいずれかと上記下限値のいずれかとにより規定されてよく、好ましくは１２≦Ｘ≦２３、より好ましくは１４≦Ｘ≦２３、さらにより好ましくは１６≦Ｘ≦２３、特に好ましくは１８≦Ｘ≦２３である。

　上記式（I）において上記Ｙは、好ましくは１０以上である。Ｙが１０以上であることによって、磁気記録媒体Ｔ１はより高いＳＮＲを示しうる。当該Ｙは、好ましくは１４以下、より好ましくは１２以下である。Ｙが当該数値範囲であることによって、Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴの値が大きくなり、熱安定性が向上する。Ｙの数値範囲は、上記上限値のいずれかと上記下限値のいずれかとにより規定されてよく、好ましくは８≦Ｙ≦１４、より好ましくは８≦Ｘ≦１２、さらにより好ましくは１０≦Ｘ≦１２である。

　上記式（I）において上記Ｚは、好ましくは７以上である。Ｚが７以上であることによって、磁気記録媒体Ｔ１はより高いＳＮＲを示しうる。当該Ｚは、好ましくは１０以下、より好ましくは９以下である。Ｚが当該数値範囲であることによって、磁気記録媒体Ｔ１はより高いＳＮＲを示しうる。Ｚの数値範囲は、上記上限値のいずれかと上記下限値のいずれかとにより規定されてよく、好ましくは６≦Ｚ≦１０、より好ましくは６≦Ｚ≦９、さらにより好ましくは７≦Ｚ≦９である。

　非磁性粒界に適する上記金属酸化物、すなわち、上記式（I）中のＭＯ_Ｎとしては、例えば、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｙ、Ｂ及びＨｆなどから選ばれる少なくとも一種以上の元素を含む金属酸化物が挙げられる。その具体例としては、ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｂ_２Ｏ₃又はＨｆＯ_２などを挙げることができる。当該金属酸化物は、好ましくは、Ｂ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、及びＴｉＯ_２から選ばれる１つ、２つ、又は３つを含み、より好ましくは、Ｂ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、及びＴｉＯ_２から選ばれる少なくとも１つであり、さらにより好ましくは、Ｂ_２Ｏ_３である。

　非磁性粒界に適する上記金属窒化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ，Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｙ及びＨｆなどから選ばれる少なくとも一種以上の元素を含む金属窒化物が挙げられる。その具体例としては、ＳｉＮ、ＴｉＮ又はＡｌＮなどを挙げることができる。

　上記金属酸化物がＢ_２Ｏ_３であることが好ましいと考えられる理由を以下に説明する。グラニュラ構造における非磁性粒界の役割は、上記で述べたとおりＣｏ系合金のカラムを分離することにより、すなわち強磁性結晶粒子を空間的に分離することにより、強磁性結晶粒子間に作用する交換相互作用の効果を低減することにある。スパッタ粒子がベースフィルムに到達し析出する過程がこのグラニュラ構造の状態に大きく影響し、非磁性粒界を構成する材料の融点が強磁性結晶粒子を構成する材料の融点に比べて低いことが良好なグラニュラ構造に繋がることが明らかとなっている。例えば、強磁性結晶粒子の材料として、Co₈₀Pt₂₀を考えた場合、その融点は1450℃である。非磁性粒界がSiO₂およびTiO₂の場合、それぞれの融点は、1600℃、1843℃でありCo₈₀Pt₂₀よりも高くなるが、B₂O₃の融点は470℃でありCo₈₀Pt₂₀の融点よりも極めて低くなる。強磁性結晶粒子の融点よりも非磁性粒界の材料の融点が低い場合、先に強磁性結晶粒子が下地層カラムの先端部分に析出し、冷却が進み温度が低下した後に、非磁性粒界の材料が強磁性粒子間に析出することにより、良好なグラニュラ構造が実現される。これより、記録層中の酸化物としてB₂O₃が好適と考えられる（参考文献：K. K. Tham, R. Kushibiki, S. Hinata, and S. Saito, “B₂O₃: Grain boundary material for high-Ku CoPt-oxide granular media with low degree of intergranular exchange coupling,” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 55,p. 07MC06, Jun. 2016.）。

以上で述べた理由から、本技術において、記録層１は、好ましくは磁性結晶粒子（特にはカラム状の磁性結晶粒子）と、当該磁性結晶粒子を取り囲む非磁性粒界と、から構成されるグラニュラ構造を有しうる。当該非磁性粒界を形成する材料の融点は、好ましくは、当該磁性結晶粒子を形成する材料の融点よりも低く、例えば１００℃以上低く、より好ましくは３００℃以上低く、さらにより好ましくは５００℃以上、６００℃以上、又は７００℃以上低くてもよい。前者の融点と後者の融点の差は、例えば１２００℃以下、１１００℃以下、又は１０００℃以下であってよい。すなわち、当該非磁性粒界を形成する材料の融点は、好ましくは、当該磁性結晶粒子を形成する材料の融点よりも、例えば１００℃～１２００℃低く、より好ましくは３００℃～１１００℃低く、さらにより好ましくは５００℃～１０００℃低くてよい。

　記録層１の平均原子数比率は、以下のようにして求められる。まず、カートリッジに収容された磁気記録媒体Ｔ１を巻き出し、最外周側の一端から１０ｍから２０ｍ、３０ｍから４０ｍ、及び５０ｍから６０ｍの３か所の位置からそれぞれ必要なサイズを切り出し、３つのサンプルを作製する。続いて、各サンプルの裏面（バック層５側表面）のバック層をメチルエチルケトンにより除去し、３つの試料を得る。各試料の裏面（バック層５が除去された側の表面）からＦＩＢ（Focused Ion Beam）処理を施し、ベース層６、第２シード層４２、第１シード層４１、第２下地層３２、及び第１下地層３１を除去する。これにより、記録層１、ＣＡＰ層Ｃ、保護層Ｐ、及び潤滑剤層Ｌのみが残る３つの分析用試料を得る。各分析用試料について、ＴＥＭを用いて、金属カラム内、及び金属カラムと酸化物との境界を、それぞれ５か所ずつ観察し、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）により分析して、記録層１に含まれる各元素の平均原子数比率を同定する。以下に、ＴＥＭ及び元素分析装置の測定条件、並びに平均原子数比率のより詳細な同定手順を示す。

（ＴＥＭの測定条件）
　走査透過電子顕微鏡：日本電子社製　JEM-ARM200F
　　加速電圧：２００ｋＶ
　　ビーム径：約０．２ｎｍΦ
　　倍率：２００万倍
（元素分析装置の測定条件）
　元素分析装置：日本電子社製　JED-2300T
　　Ｘ線検出器：Ｓｉ　ドリフト検出器
　　エネルギー分解能：約１４０ｅＶ
　　Ｘ線取出角：２１．９°
　　立体角：０．９８ｓｒ

（平均原子数比率の同定手順）
（１）Ｃｏ、Ｐｔ、及びＣｒの比率
　上記分析用試料の記録層１の断面のＴＥＭ像を用いて、金属カラム内５か所で、ＥＤＸによる分析を行い、Ｃｏ、Ｐｔ、及びＣｒの平均原子数比率を同定する。これにより、上記式（I）中のＸ及びＹの値が得られる。
（２）Ｍの定性
　上記分析用試料の記録層１の断面のＴＥＭ像を用いて、金属カラムと酸化物との境界５か所で、ＥＤＸにより、上記式（I）中のＭの定性分析を行う。
（３）金属と酸化物との比率
　画像解析ソフトウェア「ＩｍａｇｅＪ」（米国国立衛生研究所から入手可能）を用いた処理により、平面ＴＥＭ像（カラムが１００個以上含まれる視野）中の金属カラム（黒い箇所）と酸化物（白い箇所）との面積比率を求める。当該面積比率より、酸化物の体積比率を求める。当該体積比率より、酸化物の金属に対する元素比率を求める。これにより、上記式（I）中のＺの値が得られる。
　ＩｍａｇｅＪを用いた上記処理の詳細を以下に示す。
（２値化処理による黒色面積の測定工程）
　ＩｍａｇｅＪを用いて、以下のとおりに処理する。当該処理において、画像処理範囲は８０ｎｍ×８０ｎｍと設定される。以下の各工程の括弧内には、当該ソフトウェアの具体的な操作手順が示されている。
工程１：画像ファイルを開く。（File→Open）
工程２：寸法を入力する。（Analyze→Set Scale）
　　　　寸法は以下のとおりに設定される。
　　　　　Distance in pixels : 640
　　　　　Known distance : 64
　　　　　Pixel aspect ratio : 1.0
　　　　　Unit of length : um
工程３：画像タイプを８ビットグレイスケール画像に変換する。（Image（画像メニュー）>Type（画像タイプ）>8bit）
工程４：ノイズを除去する。（Prosess（処理メニュー）>Smooth（スムージング））
工程５：二値化する。（Process（処理メニュー）>Binary（二値化）>Make Binary（画像を白黒に作製する））
工程６：解析する。（Analyze（解析メニュー）→Analyze Particles（粒子解析））
　　　　当該解析において閾値は以下のとおりに設定される。
　　　　　Size (Pixel^2) : 100-10000
　　　　　Circularity : 0.00-1.00
　　　　　Show : Masks
　当該閾値の設定後、Summarizeをチェックすることで、Summary画面が表示される。当該Summary画面において、Count（粒子数）、Total Area（面積の合計）、Average size（粒子数）、Area Function（粒子の占める面積の割合）、及びMean（平均）が表示される。
工程７：上記分析用試料中の５か所の画像について、以上の工程１～６を行い、得られたArea Function（粒子の占める面積の割合）の平均値（単純平均）を算出する。これらの平均値が、金属元素の面積比率（上記式（I）中の（１００－Ｚ））に相当する。

　平均原子数比率の同定において、奥行き方向に同じ面積比の断面が重なっている前提とし、面積比率＝体積比率とする。また、体積比率から元素比率を求めるときに用いる酸化物比重と金属比重は、各元素のバルクの値を用いる。

　記録層１の平均厚みｔ_ｍは、好ましくは１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、より好ましくは１１ｎｍ以上１９ｎｍ以下、さらに好ましくは１２ｎｍ以上１８ｎｍ以下である。

記録層１の平均厚みｔ_ｍは、保護層Ｐの平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、記録層１の厚みに応じて適宜調整される。

（ＣＡＰ層）

　ＣＡＰ層Ｃは、磁気的相互作用の強い材料を含む層である。グラニュラ構造を有する記録層１と、ＣＡＰ層Ｃと、からなる積層構造は、一般にCoupled Granular Continuous（ＣＧＣ）と呼ばれている。

　ＣＡＰ層Ｃは、ＣｏＰｔＣｒ系材料を含んでいてもよい。当該ＣｏＰｔＣｒ系材料は、例えば、ＣｏＰｔＣｒ材料、ＣｏＰｔＣｒＢ材料、又はこれら材料に金属酸化物をさらに添加した材料（ＣｏＰｔＣｒ－金属酸化物、ＣｏＰｔＣｒＢ－金属酸化物）などが挙げられる。当該材料に添加される金属酸化物（例えば下記式（２）中のＭＯ_Ｎ）としては、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｔａ、及びＣｒなどからなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。その具体例としては、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、それらの２種以上の混合体などが挙げられる。ＣＡＰ層Ｃは、好ましくは、ＣｏＰｔＣｒＢ材料含む。すなわち、ＣＡＰ層Ｃは、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、及びＢを含む合金を含む層であることが好ましい。

　ＣＡＰ層Ｃは、例えば以下の式（１）又は（２）に示される平均原子数比率を有していることが好ましい。
　Ｃｏ_{１００－ｘ－ｙ－ｚ}Ｐｔ_ｘＣｒ_ｙＢ_ｚ　・・・（１）
　（但し、式（１）において、ｘは、５≦ｘ≦３０、ｙは、５≦ｙ≦２０、ｚは、０≦ｚ≦１５であり、好ましくは１０≦ｚ≦３０である。）
　｛［Ｃｏ_{１００－ｘ－ｙ－ｚ}Ｐｔ_ｘＣｒ_ｙＢ_ｚ｝_100－ｐ－（ＭＯ_Ｎ）_ｐ　・・・（２）
　（但し、式（２）において、ｘは、５≦ｘ≦３０、ｙは、５≦ｙ≦２０、ｚは、０≦ｚ≦１５であり、好ましくは５≦ｚ≦１２であり、ＭＯ_Ｎは上記金属酸化物であり、ｐは、５≦ｐ≦１５である。）

　ＣＡＰ層Ｃの平均厚みは、４ｎｍ以上であり、好ましくは５ｎｍ以上である。ＣＡＰ層Ｃの平均厚みが４ｎｍ以上であることによって、ＳＮＲを高めることができ、さらに、記録層１の飽和磁界（Ｈｓ）を低減できる。ＣＡＰ層Ｃの平均厚みは、好ましくは１０ｎｍ以下である。ＣＡＰ層Ｃの平均厚みを１０ｎｍ以下とすることで、より高いＳＮＲが得られうる。

　ＣＡＰ層Ｃの平均厚みは、保護層Ｐの平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、ＣＡＰ層Ｃの厚みに応じて適宜調整される。

（保護層）

　保護層Ｐは、記録層１及びＣＡＰ層Ｃを保護する役割を果たす層である。保護層Ｐは、例えば、炭素材料又は二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含む。この保護層Ｐの膜強度の観点からは炭素材料を含んでいることが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：略称ＤＬＣ）又はダイヤモンドなどを挙げることができる。

（潤滑剤層）

　磁気記録媒体Ｔ１は、保護層Ｐの上層に、潤滑剤層Ｌを有していてよい。潤滑剤層Ｌは、潤滑剤を含む層であり、走行時の磁気記録媒体Ｔ１の摩擦を軽減する役割を主に果たす。

　潤滑剤層Ｌは、少なくとも１種の潤滑剤を含んでいる。潤滑剤層Ｌは、必要に応じて各種添加剤、例えば、防錆剤をさらに含んでいてもよい。潤滑剤は、少なくとも２つのカルボキシル基と１つのエステル結合とを有し、下記の一般化学式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含んでいる。潤滑剤は、下記の一般化学式（１）で表されるカルボン酸系化合物以外の種類の潤滑剤をさらに含んでいてもよい。

（上記一般化学式（１）中、Ｒｆは非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基、Ｅｓはエステル結合、Ｒは、なくてもよいが、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。）

　上記カルボン酸系化合物は、下記の一般化学式（２）または一般化学式（３）で表されるものが好ましい。

（上記一般化学式（２）中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）

（上記一般化学式（３）中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）

　潤滑剤は、上記の一般化学式（２）および一般化学式（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含んでいることが好ましい。

　一般化学式（１）で示されるカルボン酸系化合物を含む潤滑剤を記録層１または保護層Ｐなどに塗布すると、疎水性基である含フッ素炭化水素基又は炭化水素基Ｒｆ間の凝集力により潤滑作用が発現する。Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、総炭素数が６～５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４～２０であるのが好ましい。Ｒｆ基は、飽和又は不飽和、直鎖又は分岐鎖又は環状であってよいが、とくに飽和で直鎖であるのが好ましい。

　例えば、Ｒｆ基が炭化水素基である場合には、下記一般化学式（４）で表される基であることが望ましい。

（但し、一般化学式（４）において、ｌは、８～３０、より望ましくは１２～２０の範囲から選ばれる整数である。）

　また、Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、下記一般化学式（５）で表される基であることが望ましい。

（但し、一般化学式（５）において、ｍとｎは、それぞれ次の範囲から選ばれる整数で、ｍ＝２～２０、ｎ＝３～１８、より望ましくは、ｍ＝４～１３、ｎ＝３～１０である。）

　フッ化炭化水素基は、上記のように１箇所に集中していても、また下記一般化学式（６）のように分散していてもよく、－ＣＦ_３や－ＣＦ_２－ばかりでなく－ＣＨＦ_２や－ＣＨＦ－等であってもよい。

（但し、一般化学式（６）において、ｎ１＋ｎ２＝ｎ、ｍ１＋ｍ２＝ｍである。）

　一般化学式（４）、（５）および（６）において炭素数を上記のように限定したのは、アルキル基または含フッ素アルキル基を構成する炭素数（ｌ、又は、ｍとｎの和）が上記下限以上であると、その長さが適度の長さとなり、疎水性基間の凝集力が有効に発揮され、良好な潤滑作用が発現し、摩擦・摩耗耐久性が向上するからである。また、その炭素数が上記上限以下であると、上記カルボン酸系化合物からなる潤滑剤の、溶媒に対する溶解性が良好に保たれるからである。

　特に、Ｒｆ基は、フッ素原子を含有すると、摩擦係数の低減、さらには走行性の改善等に効果がある。但し、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間に炭化水素基を設け、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間を隔てて、エステル結合の安定性を確保して加水分解を防ぐのがよい。また、Ｒｆ基がフルオロアルキルエーテル基、又はパーフルオロポリエーテル基を有するものであるのもよい。Ｒ基は、なくてもよいが、ある場合には、比較的炭素数の少ない炭化水素鎖であるのがよい。また、Ｒｆ基又はＲ基は、構成元素として窒素、酸素、硫黄、リン、ハロゲンなどの元素を含み、既述した官能基に加えて、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、アミノ基、及びエステル結合等を更に有していてもよい。

　上記一般化学式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、具体的には以下に示す化合物の少なくとも１種であることが好ましい。すなわち、潤滑剤は、以下に示す化合物を少なくとも１種含んでいることが好ましい。
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₁₀COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₃(CH₂)₁₀COOCH(COOH)CH₂COOH
C₁₇H₃₅COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₂OCOCH₂CH(C₁₈H₃₇)COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CHF₂(CF₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₂OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₆OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₁₁OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₃(CH₂)₆OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
C₁₈H₃₇OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₄COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₃(CH₂)₄COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₃(CH₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₉(CH₂)₁₀COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₁₂COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₅(CH₂)₁₀COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇CH(C₉H₁₉)CH₂CH=CH(CH₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇CH(C₆H₁₃)(CH₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CH₃(CH₂)₃(CH₂CH₂CH(CH₂CH₂(CF₂)₉CF₃))₂(CH₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH

　上記一般化学式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、環境への負荷の小さい非フッ素系溶剤に可溶であり、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、エステル系溶剤などの汎用溶剤を用いて、塗布、浸漬、噴霧などの操作を行えるという利点を備えている。具体的には、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサノンなどの溶媒を挙げることができる。

　保護層Ｐが炭素材料を含む場合には、潤滑剤として上記カルボン酸系化合物を保護層Ｐ上に塗布すると、保護層Ｐ上に潤滑剤分子の極性基部である２つのカルボキシル基と少なくとも１つのエステル結合基が吸着され、疎水性基間の凝集力により特に耐久性の良好な潤滑剤層Ｌを形成することができる。

なお、潤滑剤は、上述のように磁気記録テープＴの表面に潤滑剤層Ｌとして保持されるのみならず、磁気記録媒体Ｔ１を構成する記録層１および保護層Ｐなどの層に含まれ、保有されていてもよい。

（下地層）

　磁気記録媒体Ｔ１において、記録層１の直下に、下地層３が設けられている。下地層３は、記録層１側の第１下地層３１と、ベース層５側の第２下地層３２からなる二層構造を備えていてよい。

　第１下地層３１は、好ましくはルテニウム単体、ルテニウム合金、又はＣｏ系合金を含み、より好ましくはルテニウム単体を含み、さらにより好ましくはルテニウム単体からなる。ルテニウム結晶は六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有する。第１下地層３１にルテニウム、ルテニウム合金、又はＣｏ系合金を用いると、記録層１に含まれるＣｏＣｒＰｔ系合金との格子整合性が高くなる。これにより、記録層１の配向特性を高めることができる。

　上記Ｃｏ系合金は、好ましくはＣｒ及び金属酸化物を含む。当該Ｃｏ系合金に含まれる当該金属酸化物は、好ましくは二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）又は二酸化チタン（ＴｉＯ_２）である。当該Ｃｏ系合金は、より好ましくは、以下の式で表される平均原子数比率を有する。［Ｃｏ_{（１００－ｙ）}Ｃｒ_ｙ］_{（１００－ｚ）}（ＭＯ_２）_ｚ
（但し、３５≦ｙ≦４５の範囲内であり、ｚ≦１０の範囲内であり、且つ、ＭはＳｉ又はＴｉである。）

　第１下地層３１に関する上記式において、ｚが１０を超える場合は、Ｃｏ系合金の磁性柱状結晶（カラム）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを物理的に、かつ磁気的に分離している非磁性粒界が過剰となり、それぞれのカラム状の磁性結晶粒子が磁気的に過度に分離した構造を呈してしまうので、好ましくない。

　第１下地層３１の平均厚みは、好ましくは１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、より好ましくは５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。第１下地層３１がルテニウム単体又はルテニウム合金を含む場合、第１下地層３１の平均厚みは、さらにより好ましくは１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、特に好ましくは１５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。第１下地層３１がＣｏ系合金を含む場合、第１下地層３１の平均厚みは、好ましくは１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、より好ましくは５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。第１下地層３１は、記録層１のカラムを凸状とする役割を有する。第１下地層３１の平均厚みは、カラムを凸状とするためには厚い方が好ましいが、厚くなるほど結晶配向が低下する。カラムを凸状とする機能と、結晶配向とのバランスを取るためには、平均厚みを上記数値範囲とすることが好ましい。また、第１下地層３１を形成する材料によって上記バランスが変化するため、材料によって平均厚みの好適な数値範囲は異なりうる。

　第１下地層３１の直下に設けられる第２下地層３２は、好ましくはルテニウム単体、ルテニウム合金、又はＣｏ系合金を含み、より好ましくはルテニウム単体を含み、さらにより好ましくはルテニウム単体からなる。第２下地層３２にルテニウム、ルテニウム合金、又はＣｏ系合金を用いると、記録層１に含まれるＣｏＣｒＰｔ系合金との格子整合性が高くなる。これにより、記録層１の配向特性を高めることができる。第１下地層３１がルテニウム単体又はルテニウム合金を含む場合、第２下地層３２は、ルテニウム単体又はルテニウム合金を含むことが好ましい。第１下地層３１がＣｏ系合金を含む場合、第２下地層３２は、Ｃｏ系合金を含むことが好ましい。

　上記Ｃｏ系合金は、以下の式で示される平均原子数比率を有していることが好ましい。Ｃｏ_{（１００－ｙ）}Ｃｒ_ｙ
（但し、３５≦ｙ≦４５の範囲内である。）

　第２下地層３２の厚平均みは、好ましくは１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、より好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。第２下地層３２がルテニウム単体又はルテニウム合金を含む場合、第２下地層３２の平均厚みは、さらにより好ましくは２ｎｍ以上２０ｎｍ以下、特に好ましくは２ｎｍ以上８ｎｍ以下、又は３ｎｍ以上７ｎｍ以下である。第２下地層３２がＣｏ系合金を含む場合、第２下地層３２の平均厚みは、さらに好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、さらにより好ましくは２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、特に好ましくは２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下である。第２下地層３２は、結晶配向を高める役割を有する。第２下地層３２を形成する材料によって、第２下地層３２直下の層を構成する結晶（例えば、後述する第１シード層のＮｉＷ結晶）との結晶学的な整合状態が異なりうる。そのため、結晶配向を高めるために好ましい平均厚みは、第２下地層３２を構成する材料によって異なりうる。

　下地層３の平均厚みは、好ましくは１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下のであり、より好ましくは１５ｎｍ以上５５ｎｍ以下である。シード層４がルテニウム単体又はルテニウム合金を含む場合、下地層３の平均厚みは、さらにより好ましくは１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、特に好ましくは２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、又は２０ｎｍ以上３５ｎｍ以下である。下地層３がＣｏ系合金を含む場合、下地層３の平均厚みは、さらに好ましくは４０ｎｍ以上５５ｎｍ以下であり、特に好ましくは４５ｎｍ以上５５ｎｍ以下である。

下地層３（第１下地層３１及び第２下地層３２）の平均厚みは、保護層Ｐの平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層３（第１下地層３１及び第２下地層３２）の厚みに応じて適宜調整される。

（シード層）

　シード層４は、下地層３の下層に位置し、かつ、ベース層５（後述）の一方の主面の直上に形成される層である。本技術の一つの実施形態に従い、下地層３の直下に第１シード層４１、さらに当該第１シード層４１の直下に第２シード層４２が設けられていてよい。即ち、シード層４は、第１シード層４１と第２シード層４２からなる二層構造を備えていてよい。

　このシード層４は、後述する中間層２が薄く形成された場合、あるいは、当該中間層２が設けられない層構成であっても、良好なＳＮＲを確保する観点から、設けられるのが好ましい。また、このシード層４は、ベース層５に対して下地層３以上の上層部、即ち、下地層３（第１下地層３１及び第２下地層３２）、並びに記録層１を密着させる役割も果たす。

　第１シード層４１は、好ましくはニッケルタングステン合金を含み、より好ましくはニッケルタングステン合金からなる。当該ニッケルタングステン合金は、例えば次の式（７）により表される平均原子数比率を有してよい。第１シード層４１は、特には、Ｎｉ_９４Ｗ_６から形成されてよい。
　Ｎｉ_{（100－ｘ）}Ｗ_ｘ　・・・（７）
（但し、ｘは、１≦ｘ≦１０であり、好ましくは２≦ｘ≦１０、より好ましくは４≦ｘ≦８、さらにより好ましくはｘ＝６である。）

　第２シード層４２は、好ましくはＴｉ、Ｃｒ、及びＯの三つの原子を含み、例えば次の式（８）で表される平均原子数比率の組成を有してよい。第２シード層４２は、特には、（ＴｉＣｒ）_９８Ｏ_２から形成されてよい。
　（ＴｉＣｒ）_{（100－x）}Ｏ_x　・・・（８）
（但し、ｘは、１≦ｘ≦１０であり、好ましくは１≦ｘ≦５、より好ましくは１≦ｘ≦３、さらにより好ましくはｘ＝２である。）

　上記式（８）において、ｘが大きすぎる場合（例えば１０を超える場合）、シード層中にＴｉＯ_２結晶が生成されるようになり、アモルファス膜としての機能が著しく低下するので好ましくない。

　Ｔｉは、Ｃｏ系合金と同様に六方最密充填（ｈｃｐ）構造を備えている。シード層４（特には第２シード層４２）がＴｉを含むことによって、同様に六方最密充填（ｈｃｐ）構造を備える記録層１と、シード層４と、の結晶構造のマッチングが良くなる。

　シード層４（特には第２シード層４２）がＴｉ、Ｃｒ、及びＯの三つの原子を含むことによって、同様にＣｒを含む記録層１と、シード層４と、の結晶構造のマッチングが良くなる。下地層３がＣｒを含む場合、シード層４（特には第２シード層４２）がＴｉ、Ｃｒ、及びＯの三つの原子を含むことによって、下地層３とシード層４との結晶構造のマッチングも良くなる。

　シード層４には酸素が含有されている。これは、後述するベース層５を構成するフィルムに由来又は起因する酸素がシード層４に入り込むからである。すなわち、磁気記録媒体Ｔ１のシード層４は、フィルムからなるベース層５が使用されないハードディスク（ＨＤＤ）のシード層とは異なった原子構成となっている。

　第１シード層４１の平均厚みは、好ましくは１．０ｎｍ以上２０．０ｎｍ以下であり、より好ましくは３．０ｎｍ以上１８．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５．０ｎｍ以上１５．０ｎｍ以下である。

　第２シード層４２の平均厚みは、好ましくは０．１ｎｍ以上５．０ｎｍ以下であり、より好ましくは１．５ｎｍ以上３．０ｎｍ以下、さらに好ましくは１．７ｎｍ以上３．０ｎｍ以下、特に好ましくは１．７ｎｍ以上２．５ｎｍ以下である。

　シード層４の平均厚みは、好ましくは１．１ｎｍ以上２５．０ｎｍ以下であり、より好ましくは５．０ｎｍ以上２０．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは７．０ｎｍ以上１５．０ｎｍ以下、特に好ましくは１０．０ｎｍ以上１５．０ｎｍ以下である。

シード層４（第１シード層４１及び第２シード層４２）の平均厚みは、保護層Ｐの平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、シード層４（第１シード層４１及び第２シード層４２）の厚みに応じて適宜調整される。

（ベース層）

　ベース層５は、可撓性を有する長尺状の非磁性支持体であり、磁気記録媒体Ｔ１の土台となる層としての機能を主に果たしている。ベース層５は、ベースフィルム層、あるいは基体と称されることがあり、磁気記録媒体Ｔ１全体に適正な剛性を付与するフィルム層である。

　ベース層５の平均厚みは、好ましくは５．０μｍ以下若しくは５．０μｍ未満、４．８μｍ以下若しくは４．８μｍ未満、４．５μｍ以下若しくは４．５μｍ未満、より好ましくは４．２μｍ以下、さらに好ましくは３．６μｍ以下、さらにより好ましくは３．３μｍ以下である。ベース層５の平均厚みが、上記数値範囲内にあることによって（例えば５．０μｍ以下などであることによって）、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。なお、ベース層５の平均厚みの下限値は、フィルムの製膜上の限界や当該ベース層５の機能の観点から定められてよいが、例えば２μｍ以上、特には２．５μｍ以上であってよい。

　ベース層５の平均厚みは、以下のようにして求めることができる。まず、カートリッジに収容された磁気記録媒体Ｔ１を巻き出し、最外周側の一端から１０ｍから２０ｍ、３０ｍから４０ｍ、及び５０ｍから６０ｍの３か所の位置からそれぞれ２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、各サンプルのベース層５以外の層をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、各サンプル（ベース層５）の厚みを５点の位置で測定し、それらの測定値（合計１５点）を単純に平均（算術平均）して、ベース層５の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

　ベース層５は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含む。ベース層５が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。ポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。ポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。

（バック層）

　バック層６は、ベース層５の下側の主面に形成されている。このバック層６は、磁気記録媒体Ｔ１が磁気ヘッドに対向しながら高速走行する際に発生する摩擦を制御する役割、巻き乱れを防止する役割などを担っている。すなわち、磁気記録媒体Ｔ１を高速で安定走行させるための基本的な役割を担っている。

　バック層６は、結着剤および非磁性粉を含んでいてもよい。バック層６は、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。結着剤としては、ポリウレタン系樹脂又は塩化ビニル系樹脂などに架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体Ｔ１に対して要求される物性などに応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。

　バック層６に含まれうる結着剤として、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、及び合成ゴムなどが挙げられる。

　また、前記結着剤として、熱硬化性樹脂又は反応型樹脂が用いられてもよく、これらの例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、及び尿素ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。

　また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ_３Ｍ、－ＯＳＯ_３Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）_２などの極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、又は、リチウム、カリウム、及びナトリウムなどのアルカリ金属である。

　上記極性官能基としては、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３^＋Ｘ^－の末端基を有する側鎖型のもの、＞ＮＲ１Ｒ２^＋Ｘ^－の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子又は炭化水素基であり、Ｘ^－は、弗素、塩素、臭素、若しくはヨウ素などのハロゲン元素イオン、又は、無機若しくは有機イオンである。また、極性官能基としては、－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、及びエポキシ基なども挙げられる。

　バック層６に含まれうる非磁性粉は、例えば、無機粒子及び有機粒子から選ばれる少なくとも１種を含みうる。１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、又は、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、及び金属硫化物から選ばれる１種又は２種以上の組み合わせを含む。より具体的には、無機粒子は、例えばオキシ水酸化鉄、ヘマタイト、酸化チタン、及びカーボンブラックから選ばれる１種又は２種以上でありうる。非磁性F粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、及び板状などの各種形状が挙げられるが、これらに特に限定されるものではない。

　バック層６に含まれうる非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。

　硬化剤としては、例えばポリイソシアネートを適用できる。ポリイソシアネートとしては、例えばトリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネートや、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネートが挙げられる。

　バック層６に含まれうる潤滑剤は、上述の潤滑剤層Ｌの場合と同様である。すなわち、潤滑剤層Ｌに含まれる潤滑剤について述べた説明が、バック層６に含まれうる潤滑剤についても当てはまる。バック層６に含まれうる帯電防止剤として、市販の帯電防止剤を使用でき、帯電防止剤を添加すると、バック層６にゴミや埃の付着を防止することができる。

　バック層６の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下である。バック層６の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であることによって、磁気記録媒体Ｔ１の記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層６の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば、０．２μｍ以上である。０．２μｍ未満であると、磁気記録媒体Ｔ１の記録再生装置内での走行安定性に支障をきたす恐れが生じる。

　バック層６の平均厚みは、以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体Ｔ１の平均厚みｔ_Ｔ［μｍ］を測定する。磁気記録媒体Ｔ１の平均厚みｔ_Ｔの測定方法は本明細書内以下に記載されているとおりである。続いて、サンプルのバック層６をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。その後、再び上記のレーザーホロゲージを用いてサンプルの厚みを５点の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、バック層６を除去した磁気記録媒体Ｔ１の平均値ｔ_Ｂ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。その後、以下の式によりバック層６の平均厚みｔ_ｂ［μｍ］を求める。
　ｔ_ｂ［μｍ］＝ｔ_Ｔ［μｍ］－ｔ_Ｂ［μｍ］

（３）効果

磁気記録媒体Ｔ１が有する記録層１は、上記で述べた特定の平均原子数比率を有する。これにより、磁気記録媒体Ｔ１は、ＳＮＲを高め、且つ、熱安定性の指標値であるＫ_uＶ_act／ｋ_BＴを８０以上とすることができる。

　磁気記録媒体Ｔ１は、比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）が０．３６０以上０．５４５以下である。これにより、磁気記録媒体Ｔ１は、高いＳＮＲを示す。

　磁気記録媒体Ｔ１が有するＣＡＰ層Ｃの平均厚みは、４ｎｍ以上である。これにより、磁気記録媒体Ｔ１は、高いＳＮＲを示し、且つ、飽和磁界（Ｈｓ）を低減できる。

　磁気記録媒体Ｔ１において、磁気異方性エネルギーＫ_u、Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴ、及び飽和磁界（Ｈｓ）は、以下のようにして求められる。

（磁気異方性エネルギーＫ_u）

　磁気記録媒体Ｔ１の表裏に粘着テープを貼り補強した後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜き、測定サンプルを作製する。この際に、磁気記録媒体Ｔ１の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、磁気異方性トルク計を用いて磁気記録媒体Ｔ１の垂直方向（厚み方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体Ｔ１全体）のトルクカーブを測定する。トルクカーブの測定においては、東英工業社製の磁気異方性トルク計「TRT-2型」を用いる。測定条件は、測定モード：Torqe-Angle、マグネット回転速度：4min./360である。印加磁界 10000Oe、12500Oe、15000 Oe、それぞれで同測定を行う。当該測定により得られるパラメータL2(dyne-cm)およびL4(dyne-cm)を用いて、それぞれの磁気異方性エネルギー定数Ku1(erg/cm³)およびKu2(erg/cm³)を下記式より求める。r(mm)は測定試料の半径、tは記録層の平均厚み（nm）である。
　Ku１＝A2-Ku2-2πMs²
　Ku2＝2*A4
　A2＝L2/（πｒ^２＊ｔ）*10⁹
　A4＝L4/（πｒ^２＊ｔ）*10⁹

　それぞれの印加磁界におけるKu1(erg/cm³)およびKu2(erg/cm³)を(1/印加磁界)に対してプロットし、印加磁界を∞とした場合に外挿より求められるそれぞれの値をKu1’(erg/cm³)およびKu2’(erg/cm³)として、その和（Ku1’+Ku2’）を磁気異方性エネルギーＫ_u (erg/cm³)とする。

（Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴ）

　Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴ（Ｋ_u：磁性粉の磁気異方性エネルギー、Ｖ_act：磁性粉の活性化体積、ｋ_B：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）は、以下に示すシャーロックの式を用いて算出される（参考文献：IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL. 50, NO.11, NOVEMBER 2014、及び、J. Flanders and M. P.Sharrock: J. Appl. Phys., 62, 2918 (1987)）。
Ｈ_r（ｔ’）＝Ｈ₀［１－｛ｋ_BＴ／（Ｋ_uＶ_act）ｌｎ（ｆ₀ｔ’／０．６９３）ⁿ｝］
（但し、Ｈ_r：残留保磁力、ｔ’：磁化減衰量、Ｈ₀：磁場変化量、ｋ_B：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度、Ｋ_u：磁性粉の磁気異方性エネルギー、Ｖ_act：磁性粉の活性化体積、ｆ₀：周波数因子、ｎ：係数）

　周波数因子ｆ₀は、５．０×１０⁹Ｈｚとする。
　係数ｎは、磁性体の結晶磁気異方性に応じた値に設定される。磁性体が一軸結晶磁気異方性を有し、且つ磁気テープを垂直配向した場合、n=0.5に設定される。一方、磁性体が多軸結晶磁気異方性（３軸結晶磁気異方性）を有する場合、もしくは磁性体が一軸結晶磁気異方性だが磁気テープが無配向の場合、n=0.77に設定される。
　絶対温度Ｔは、２９８Ｋである。
　Ｈ₀の値は、周波数因子におけるＨ_rの値に対応し、熱擾乱の影響を差し引いた場合のＨ_rの値を意味する。
　ｔ’は、Ｈ_rと同じ大きさの磁界を印加した際に、磁化の熱擾乱により平均的な磁化が０となるために必要な時間を意味する。
　熱的安定性評価には２種類の磁界変化速度における残留保磁力が必要であり、１０Ｏｅ／ｓ台の磁化変化速度における残留磁化曲線は電磁石を用いた振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）で測定し、１０^８Ｏｅ／ｓ台の高速な磁界変化速度における測定はパルス磁界を用いたＶＳＭにより測定する。これら２種類の磁界変化速度における残留保磁力Ｈ_r及びＨｒ^Ｐの測定値を基に、現象論的な解折式を用いてt’を算出し、上記シャーロックの式にフィッティングすることで、Ｈ₀及びＫ_uＶ_act／ｋ_BＴの値を求める。

（飽和磁界（Ｈｓ））

　飽和磁界（Ｈｓ）は、以下のようにして求められる。まず、カートリッジに収容された磁気記録媒体Ｔ１を巻き出し、最外周側の一端から１０ｍから２０ｍ、３０ｍから４０ｍ、及び５０ｍから６０ｍの３か所の位置のそれぞれから３枚ずつサンプルを切り出す。各位置から切り出された各３枚のサンプルが、磁気記録媒体Ｔ１の長手方向の向きが同じになるように、両面テープで重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルがサンプル切り出し位置ごとに作製される。この際に、磁気テープの長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、各測定サンプルについてＶＳＭを用いて磁気記録媒体Ｔ１の垂直方向（厚み方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体Ｔ１全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、上記の各位置から切り出したサンプルそれぞれについて、アセトン又はエタノールなどが用いられてバック層が払拭され、さらに塩酸が用いられてバック層以外の層が払拭されて、ベース層５のみが残される。そして、得られたベース層の表裏に粘着テープを貼り補強した後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）とされる。その後、各位置から切り出した補正用サンプルそれぞれについてＶＳＭを用いてベース層の垂直方向（磁気記録媒体Ｔ１の垂直方向）に対応する補正用サンプル（ベース層）のＭ－Ｈループが測定される。

　測定サンプル（磁気記録媒体Ｔ１の全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（ベース層）のＭ－Ｈループの測定においては、Lakeshore社製の振動試料型磁力計「7400-0R型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：500 Oe、Time constant：0.1sec、ＭＨ平均数：10とされる。

　測定サンプル（磁気記録媒体Ｔ１の全体）のＭ－Ｈループ及び補正用サンプル（ベース層）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気記録媒体Ｔ１の全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（ベース層）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「7400-0R型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。

　得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループの第１象限において、保磁力（Ｈｃ）に接線を引き、当該接線が飽和磁界量と交わる点の磁界強さを飽和磁界（Ｈｓ）とする。なお、保持力（Ｈｃ）の計算には、上記測定・解析プログラムが用いられる。上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体Ｔ１の垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

３．第２の実施形態

（１）磁気記録媒体の構成

　図５を参照して、第２の実施形態に係る磁気記録媒体Ｔ２の構成について説明する。磁気記録媒体Ｔ２は、例えば、垂直磁気記録用磁気記録媒体である。磁気記録媒体Ｔ２は、上記２．において説明した記録層１と下地層３との間に（詳細には記録層１と第１下地層３１との間に）、中間層２を有している。具体的には、磁気記録媒体Ｔ２において、長尺状のベース層５の一方側の主面上に第２シード層４２、第１シード層４１がこの順に設けられている。当該第１シード層４１の上に第２下地層３２、第１下地層３１がこの順に設けられている。当該第１下地層３１の上に中間層２が設けられている。当該中間層２の上に磁気記録層として機能する記録層１が設けられている。当該記録層１の上に、ＣＡＰ層Ｃ、保護層Ｐ、及び潤滑剤層Ｌがこの順に設けられている。そして、ベース層５の他方側の主面にはバック層６が設けられている。磁気記録媒体Ｔ２の構成は、中間層２を有すること以外、上記２．（１）において説明したとおりであり、その説明が本実施形態にも当てはまる。

（２）各層の説明

　潤滑剤層Ｌ、保護層Ｐ、ＣＡＰ層Ｃ、記録層１、下地層３（第１下地層３１及び第２下地層３２）、シード層４（第１シード層４１及び第２シード層４２）、ベース層５、及びバック層６については、上記２．（２）において説明したとおりであり、その説明が本実施形態にも当てはまる。

（中間層）

　中間層２は、当該中間層２の直上に形成された記録層１の配向特性（グラニュラ性）を高める役割を主に果たす層である。中間層２は、中間層２と接している記録層１の主成分と同様の結晶構造を有していることが好ましい。例えば、中間層２は、Ｃｏ系合金と同様の六方最密充填構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（磁気記録テープ厚み方向）に配向していることが好ましい。これにより、記録層１の結晶配向特性を一層高め、かつ、中間層２と記録層１との格子定数のマッチングを比較的良好にすることができる。

　中間層２の材料として用いられる六方最密充填構造の材料は、ルテニウムを含有することが好ましい。中間層２は、Ｒｕ（ルテニウム）単体又はその合金を含有することが好ましい。中間層２は、ルテニウム単体又はルテニウム合金から形成されていることがより好ましい。当該ルテニウム合金は、例えば、ＲｕＣｏＣｒ（ＴｉＯ_２）、Ｒｕ-ＳｉＯ_２、ＲｕＴｉＯ_２、又はＲｕ-ＺｒＯ_２などのＲｕ合金酸化物であってよい。当該ルテニウム合金は、好ましくは、以下の式で示される平均原子数比率を有しうる。
　［Ｒｕ_ｘＣｏ_ｙＣｒ_{１００－ｘ－ｙ}］_{１００－ｚ}（ＭＯ_２）_ｚ
（但し、ｘは、１０≦ｘ≦４０であり、好ましくは１５≦ｘ≦３５であり、ｙは、２０≦ｙ≦５０であり、好ましくは２５≦ｙ≦４５であり、ｚは、１≦ｚ≦３０であり、より好ましくは５≦ｚ≦２５であり、且つ、ＭはＴｉ又はＳｉである。）

　Ｒｕ材料は希少金属であり、コスト視点では中間層２は可能な限り薄くすることが好ましく、好ましくは６．０ｎｍ以下、より好ましくは５．０ｎｍ以下、さらに好ましくは２．０ｎｍ以下の厚みが好ましい。あるいは、同コスト視点では、この中間層２を全く無くす構成（例えば、第１の実施形態の構成）にした方がより好ましい。

　第２の実施形態では、ベース層５の上に、下地層４、シード層３を設けていることにより、中間層２の厚さを薄くした場合でも、あるいは、中間層２が無い層形態（例えば第１の実施形態）とした場合でも、良好なＳＮＲの磁気記録媒体を得ることができる。

　なお、中間層２が有する「濡れ性」を利用すると、中間層２の上に真空成膜にて形成される記録層１を構成する材料が結晶化する時の拡散がし易くなり、結晶のカラムサイズを大きくすることができる。例えば、Ｒｕを含有する中間層２に濡れ性を発揮させるためには、最低でも０．５ｎｍ以上の厚みが必要である。

４．第３の実施形態

（１）磁気記録媒体の構成

　図６を参照して、第３の実施形態に係る磁気記録媒体Ｔ３の構成について説明する。磁気記録媒体Ｔ３は、例えば、垂直磁気記録用磁気記録媒体である。磁気記録媒体Ｔ３は、シード層４とベース層５との間に（詳細には第２シード層４２とベース層５との間に）、軟磁性裏打ち層（soft magnetic underlayer：ＳＵＬ）７を有している。より具体的には、磁気記録媒体Ｔ３において、長尺状のベース層５の一方側の主面上にＳＵＬ７が設けられている。当該ＳＵＬ７の上に第２シード層４２、第１シード層４１がこの順に設けられている。当該第１シード層４１の上に第２下地層３２、第１下地層３１が順に設けられている。当該第１下地層３１の上に磁気記録層として機能する記録層１が設けられている。当該記録層１の上に、ＣＡＰ層Ｃ、保護層Ｐ、及び潤滑剤層Ｌがこの順に設けられている。そして、ベース層５の他方側の主面にはバック層６が設けられている。磁気記録媒体Ｔ３の構成は、ＳＵＬを有すること以外、上記２．（１）において説明したとおりであり、その説明が本実施形態にも当てはまる。

（２）各層の説明

　（ＳＵＬ）

　図６で示されるＳＵＬ７は、単層のＳＵＬである。ＳＵＬ７は、記録層１に磁気記録を行う際に、垂直磁気ヘッドから発生する漏れ磁束を、記録層１に効率よく引き込むために設けられる層である。すなわち、ＳＵＬ７を設けることで、磁気ヘッドからの磁界強度を高めることができ、より高密度記録に適した磁気記録媒体が得られうる。なお、ＳＵＬ７を備える磁気記録媒体Ｔ３を「二層垂直磁気記録媒体」と称することもできる。

　ＳＵＬ７は、アモルファス状態の軟磁性材料を含んでいる。例えば、Ｃｏ系材料であるＣｏＺｒＮｂ合金で形成でき、他には、ＣｏＺｒＴａ、又はＣｏＺｒＴａＮｂなども採用可能である。また、Ｆｅ系材料である、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＺｒ、又はＦｅＣｏＴａなどを採用してもよい。ＳＵＬ７は、薄い介在層を挟んで二つの軟磁性層が形成されており、当該介在層を介した交換結合を利用して積極的に磁化を反平行にした構造を備える、Antiparallel Coupled SUL（ＡＰＣ－ＳＵＬ）を備えるようにしてもよい。

　磁気記録媒体Ｔ３は、単層のＳＵＬ７に代えて、ＡＰＣ?ＳＵＬ（Antiparallel Coupled ＳＵＬ）を備えていてもよい。ＡＰＣ?ＳＵＬは、薄い介在層を挟んで二つの軟磁性層を有しており、当該介在層を介した交換結合を利用して積極的に磁化を反平行にした構造を備える。

５．磁気記録媒体の製造方法

　本技術の磁気記録媒体は、例えば、以下のようにして製造することができる。まず、ベース層の一方の主面に対して、シード層、下地層、記録層、ＣＡＰ層、及び保護層をこの順にスパッタ成膜する。スパッタ時の成膜室の雰囲気は、例えば、１×１０^－５Ｐａ～５×１０^－５Ｐａ程度に設定する。シード層、下地層、記録層、ＣＡＰ層、及び保護層の厚み及び特性（例えば磁気特性）は、ベース層を構成するフィルムを巻き取るテープライン速度、スパッタ時に導入するＡｒ（アルゴン）ガスなどのガス圧力（スパッタガス圧）、及び投入電力などを調整することにより制御することができる。

　シード層が複数の層を有する場合、下側（すなわちベース層側）に位置する層から順に製膜する。例えば、シード層が、下から順に第２シード層及び第１シード層を有する場合、第２シード層を先に製膜し、その後に第１シード層を製膜する。下地層が複数の層を有する場合、下側に位置する層から順に製膜する。例えば、下地層が、下から順に第２下地層及び第１下地層を有する場合、第２下地層を先に製膜し、その後に第１下地層層を製膜する。

　本技術の磁気記録媒体が、下地層と記録層との間に中間層を有する場合、当該中間層は、上述のようにスパッタ成膜されてよい。この場合、ベース層の一方の主面に対して、シード層、下地層、中間層、記録層、ＣＡＰ層、及び保護層をこの順にスパッタ成膜する。本技術の磁気記録媒体が、ベース層とシード層との間にＳＵＬを有する場合、当該ＳＵＬは、上述のようにスパッタ成膜されてよい。この場合、ベース層の一方の主面に対して、ＳＵＬ、シード層、下地層、記録層、ＣＡＰ層、及び保護層をこの順にスパッタ成膜する。

　次に、結着剤、無機粒子及び潤滑剤などを溶剤に混錬、分散させることにより、バック層用の塗料を調製しておき、ベース層の他方の主面上に、この調製した前記塗料を塗工し、これを乾燥させて、バック層を形成する。

　次に、潤滑剤をすでに成膜されている保護層の上に塗布し、潤滑剤層を形成する。潤滑剤の塗布方法としては、例えば、グラビアコーティング、ディップコーティングなどの各種塗布方法を採用することができ、特に限定されない。

　続く工程として、磁気テープのテープ幅方向における反りを調整するため、表面温度が１５０～２３０℃程度である金属ロールに原反ロールを接触させて走行させるホットロール処理を施してもよい。

　上述のようにして得られた幅広の磁気記録媒体を、例えば、磁気記録媒体の品種の規格に合わせた磁気記録媒体幅に裁断する（裁断工程）。例えば、１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断し、所定のロールに巻き取る。これにより、目的の磁気記録媒体幅を備える長尺状の磁気記録媒体を得ることができる。この裁断工程で、必要な検査を行ってもよい。

　次に、所定の幅に裁断された磁気記録媒体を品種に合わせた所定の長さに切断し、磁気記録カートリッジの形態とする。具体的には、カートリッジケースに設けられたリールに所定長の磁気記録媒体を巻き付けて収容する。

　最終の製品検査工程を経て梱包を行い出荷する。検査工程では、例えば、電磁変換特性、走行耐久性等の出荷前検査を行って、磁気記録媒体の最終品質確認を行う。

６．記録再生装置

（記録再生装置の構成）

　次に、図７を参照して、本技術の磁気記録媒体Ｔの記録及び再生を行う記録再生装置８０の構成の一例について説明する。なお、本技術の磁気記録媒体の記録及び再生を行う記録再生装置は、以下で説明する構成を有するものに限定されない。

　記録再生装置８０は、磁気記録媒体Ｔの長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有している。また、記録再生装置８０は、磁気記録カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している。ここでは、説明を容易とするために、記録再生装置８０が、１つの磁気記録カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している場合について説明するが、記録再生装置８０が、複数の磁気記録カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有していてもよい。

　記録再生装置８０は、ネットワーク９３を介してサーバ９１及びパーソナルコンピュータ（以下「ＰＣ」という。）９２等の情報処理装置に接続されており、これらの情報処理装置から供給されたデータを磁気記録カートリッジ１０Ａに記録可能に構成されている。記録再生装置８０の最短記録波長は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下である。

　記録再生装置８０は、図７に示すように、スピンドル８１と、記録再生装置側のリール８２と、スピンドル駆動装置８３と、リール駆動装置８４と、複数のガイドローラ８５と、ヘッドユニット８６と、通信インターフェース（以下、Ｉ／Ｆ）８７と、制御装置８８とを備えている。

　スピンドル８１は、磁気記録カートリッジ１０Ａを装着可能に構成されている。磁気記録カートリッジ１０Ａは、ＬＴＯ（Linear Tape Open）規格に準拠しており、カートリッジケース１０Ｂに磁気記録媒体Ｔを巻装した単一のリール１０Ｃを回転可能に収容している。磁気記録媒体Ｔには、サーボ信号としてハの字状のサーボパターンが予め記録されている。リール８２は、磁気記録カートリッジ１０Ａから引き出された磁気記録媒体Ｔの先端を固定可能に構成されている。

　スピンドル駆動装置８３は、スピンドル８１を回転駆動させる装置である。リール駆動装置８４は、リール８２を回転駆動させる装置である。磁気記録媒体Ｔに対してデータの記録又は再生を行う際には、スピンドル駆動装置８３とリール駆動装置８４とが、スピンドル８１とリール８２とを回転駆動させることによって、磁気記録媒体Ｔを走行させる。ガイドローラ８５は、磁気記録媒体Ｔの走行をガイドするためのローラである。

　ヘッドユニット８６は、磁気記録媒体Ｔにデータ信号を記録するための複数の記録ヘッドと、磁気記録媒体Ｔに記録されているデータ信号を再生するための複数の再生ヘッドと、磁気記録媒体Ｔに記録されているサーボ信号を再生するための複数のサーボヘッドとを備える。記録ヘッドとしては例えばリング型ヘッドを用いることができるが、記録ヘッドの種類はこれに限定されるものではない。

　通信Ｉ／Ｆ８７は、サーバ９１及びＰＣ９２等の情報処理装置と通信するためのものであり、ネットワーク９３に対して接続される。

　制御装置８８は、記録再生装置８０の全体を制御する。例えば、制御装置８８は、サーバ９１及びＰＣ９２等の情報処理装置の要求に応じて、情報処理装置から供給されるデータ信号をヘッドユニット８６により磁気記録媒体Ｔに記録する。また、制御装置８８は、サーバ９１及びＰＣ９２等の情報処理装置の要求に応じて、ヘッドユニット８６により、磁気記録媒体Ｔに記録されたデータ信号を再生し、情報処理装置に供給する。

（記録再生装置の動作）

　次に、上記構成を有する記録再生装置８０の動作について説明する。

　まず、磁気記録カートリッジ１０Ａを記録再生装置８０に装着し、磁気記録媒体Ｔの先端を引き出して、複数のガイドローラ８５及びヘッドユニット８６を介してリール８２まで移送し、磁気記録媒体Ｔの先端をリール８２に取り付ける。

　次に、図示しない操作部を操作すると、スピンドル駆動装置８３とリール駆動装置８４とが制御装置８８の制御により駆動され、リール１０Ｃからリール８２へ向けて磁気記録媒体Ｔが走行されるように、スピンドル８１とリール８２とが同方向に回転される。これにより、磁気記録媒体Ｔがリール８２に巻き取られつつ、ヘッドユニット８６によって、磁気記録媒体Ｔへの情報の記録または磁気記録媒体Ｔに記録された情報の再生が行われる。

　また、リール１０Ｃに磁気記録媒体Ｔを巻き戻す場合は、上記とは逆方向に、スピンドル８１とリール８２とが回転駆動されることにより、磁気記録媒体Ｔがリール８２からリール１０Ｃに走行される。この巻き戻しの際にも、ヘッドユニット８６による、磁気記録媒体Ｔへの情報の記録または磁気記録媒体Ｔに記録された情報の再生が行われる。

７．磁気記録カートリッジ

（カートリッジの構成）

　本技術は、本技術に従う磁気記録媒体を含む磁気記録カートリッジ（テープカートリッジともいう）も提供する。すなわち、当該磁気記録カートリッジに含まれる磁気記録媒体は、上記で説明した本技術の磁気記録媒体である。当該磁気記録カートリッジ内において、前記磁気記録媒体は、例えばリールに巻き付けられていてよい。当該磁気記録カートリッジは、例えば、記録再生装置と通信を行う通信部と、記憶部と、前記通信部を介して前記記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、前記記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備えていてよい。前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含みうる。

　図８を参照して、本技術の磁気記録カートリッジの一実施形態について説明する。具体的には、本技術の磁気記録媒体Ｔを備える磁気記録カートリッジ１０Ａについて説明する。

　図８は、磁気記録カートリッジ１０Ａの構成の一例を示す分解斜視図である。磁気記録カートリッジ１０Ａは、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に準拠した磁気記録カートリッジであり、下シェル２１２Ａと上シェル２１２Ｂとで構成されるカートリッジケース１０Ｂの内部に、磁気テープ（テープ状の磁気記録媒体）Ｔが巻かれたリール１０Ｃと、リール１０Ｃの回転をロックするためのリールロック２１４およびリールスプリング２１５と、リール１０Ｃのロック状態を解除するためのスパイダ２１６と、下シェル２１２Ａと上シェル２１２Ｂに跨ってカートリッジケース１０Ｂに設けられたテープ引出口２１２Ｃを開閉するスライドドア２１７と、スライドドア２１７をテープ引出口２１２Ｃの閉位置に付勢するドアスプリング２１８と、誤消去を防止するためのライトプロテクト２１９と、カートリッジメモリ２１１とを備える。リール１０Ｃは、中心部に開口を有する略円盤状であって、プラスチック等の硬質の材料からなるリールハブ２１３Ａとフランジ２１３Ｂとにより構成される。磁気テープＴの一端部には、リーダーピン２２０が設けられている。

　カートリッジメモリ２１１は、磁気記録カートリッジ１０Ａの１つの角部の近傍に設けられている。磁気記録カートリッジ１０Ａが記録再生装置８０にロードされた状態において、カートリッジメモリ２１１は、記録再生装置８０のリーダライタ（図示せず）と対向するようになっている。カートリッジメモリ２１１は、ＬＴＯ規格に準拠した無線通信規格で記録再生装置３０、具体的にはリーダライタ（図示せず）と通信を行う。

（カートリッジメモリの構成）

　図９を参照して、カートリッジメモリ２１１の構成の一例について説明する。

　図９は、カートリッジメモリ２１１の構成の一例を示すブロック図である。カートリッジメモリ２１１は、規定の通信規格でリーダライタ（図示せず）と通信を行うアンテナコイル（通信部）３３１と、アンテナコイル３３１により受信した電波から、誘導起電力を用いて発電、整流して電源を生成する整流・電源回路３３２と、アンテナコイル３３１により受信した電波から、同じく誘導起電力を用いてクロックを生成するクロック回路３３３と、アンテナコイル３３１により受信した電波の検波およびアンテナコイル３３１により送信する信号の変調を行う検波・変調回路３３４と、検波・変調回路３３４から抽出されるデジタル信号から、コマンドおよびデータを判別し、これを処理するための論理回路等で構成されるコントローラ（制御部）３３５と、情報を記憶するメモリ（記憶部）３３６とを備える。また、カートリッジメモリ２１１は、アンテナコイル３３１に対して並列に接続されたキャパシタ３３７を備え、アンテナコイル３３１とキャパシタ３３７により共振回路が構成される。

　メモリ３３６は、磁気記録カートリッジ１０Ａに関連する情報等を記憶する。メモリ３３６は、不揮発性メモリ（Non Volatile Memory：ＮＶＭ）である。メモリ３３６の記憶容量は、好ましくは約３２ＫＢ以上である。

　メモリ３３６は、第１の記憶領域３３６Ａと第２の記憶領域３３６Ｂとを有する。第１の記憶領域３３６Ａは、例えば、製造情報（例えば磁気記録カートリッジ１０Ａの固有番号等）、使用履歴（例えばテープ引出回数（Thread Count）等）等の情報を記憶するための領域である。

　第２の記憶領域３３６Ｂは、付加情報を記憶するための領域である。付加情報の例としては、テンション調整情報、管理台帳データ、Index情報、または磁気テープＴに記憶された動画のサムネイル情報等が挙げられるが、これらのデータに限定されるものではない。テンション調整情報は、磁気テープＴに対するデータ記録時における、隣接するサーボバンド間の距離（隣接するサーボバンドに記録されたサーボパターン間の距離）を含む。隣接するサーボバンド間の距離は、磁気テープＴの幅に関連する幅関連情報の一例である。サーボバンド間の距離の詳細については後述する。以下の説明において、第１の記憶領域３３６Ａに記憶される情報を「第１の情報」といい、第２の記憶領域３３６Ｂに記憶される情報を「第２の情報」ということがある。

　メモリ３３６は、複数のバンクを有していてもよい。この場合、複数のバンクのうちの一部のバンクにより第１の記憶領域３３６Ａが構成され、残りのバンクにより第２の記憶領域３３６Ｂが構成されてもよい。具体的には、例えば、メモリ３３６は約１６ＫＢの記憶容量を有する２つのバンクを有し、２つのバンクのうちの一方のバンクにより第１の記憶領域３３６Ａが構成され、他のバンクにより第２の記憶領域３３６Ｂが構成されてもよい。

　アンテナコイル３３１は、電磁誘導により誘起電圧を誘起する。コントローラ３３５は、アンテナコイル３３１を介して、規定の通信規格で記録再生装置８０と通信を行う。具体的には、例えば、相互認証、コマンドの送受信またはデータのやり取り等を行う。

　コントローラ３３５は、アンテナコイル３３１を介して記録再生装置８０から受信した情報をメモリ３３６に記憶する。コントローラ３３５は、記録再生装置８０の要求に応じて、メモリ３３６から情報を読み出し、アンテナコイル３３１を介して記録再生装置８０に送信する。

８．磁気記録カートリッジの変形例　

（カートリッジの構成）

　上述の磁気記録カートリッジの一実施形態では、磁気テープカートリッジが、１リールタイプのカートリッジである場合について説明したが、本技術の磁気記録カートリッジは、２リールタイプのカートリッジであってもよい。すなわち、本技術の磁気記録カートリッジは、磁気テープが巻き取られるリールを１つ又は複数（例えば２つ）有してよい。以下で、図１０を参照しながら、２つのリールを有する本技術の磁気記録カートリッジの例を説明する。

　図１０は、２リールタイプのカートリッジ４２１の構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ４２１は、合成樹脂製の上ハーフ４０２と、上ハーフ４０２の上面に開口された窓部４０２ａに嵌合されて固着される透明な窓部材４２３と、上ハーフ４０２の内側に固着されリール４０６、４０７の浮き上がりを防止するリールホルダー４２２と、上ハーフ４０２に対応する下ハーフ４０５と、上ハーフ４０２と下ハーフ４０５を組み合わせてできる空間に収納されるリール４０６、４０７と、リール４０６、４０７に巻かれた磁気テープＭＴ１と、上ハーフ４０２と下ハーフ４０５を組み合わせてできるフロント側開口部を閉蓋するフロントリッド４０９およびこのフロント側開口部に露出した磁気テープＭＴ１を保護するバックリッド４０９Ａとを備える。

　リール４０６は、磁気テープＭＴ１が巻かれる円筒状のハブ部４０６ａを中央部に有する下フランジ４０６ｂと、下フランジ４０６ｂとほぼ同じ大きさの上フランジ４０６ｃと、ハブ部４０６ａと上フランジ４０６ｃの間に挟み込まれたリールプレート４１１とを備える。リール４０７はリール４０６と同様の構成を有している。

　窓部材４２３には、リール４０６、４０７に対応した位置に、これらリールの浮き上がりを防止するリール保持手段であるリールホルダー４２２を組み付けるための取付孔４２３ａが各々設けられている。磁気テープＭＴ１は、第１の実施形態における磁気テープＴと同様である。

９．実施例

　以下、実施例によって、本技術をより具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお、本実施例において、「平均厚み」を単に「厚み」ともいう。

（実施例１）
（第２シード層の成膜工程）
　まず、以下の成膜条件にて、非磁性のベース層をなす長尺の高分子フィルムの表面上に、（ＴｉＣｒ）_{（１００－ｘ）}Ｏ_ｘ（但し、ｘ＝２である。）からなるシード層を厚み２ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
　成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：Ｔｉ₅₀Ｃｒ₅₀ターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：０．５Ｐａ
　投入電力：２１．５ｍＷ／ｍｍ^２
　送り速度：４ｍ／ｓ

（第１シード層の成膜工程）
　第２シード層上に、Ｎｉ_９４Ｗ_６で形成された第１シード層を厚み１０．０ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
　成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：Ｎｉ₉₄Ｗ₆ターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：０．３Ｐａ
　投入電力：４７ｍＷ／ｍｍ^２
　送り速度：４ｍ／ｓ

（第２下地層の成膜工程）
　次に、以下の成膜条件にて、前記第１シード層上に、Ｒｕからなる第２下地層を厚み５ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
　成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：Ｒｕターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：０．３Ｐａ
　投入電力：２４ｍＷ／ｍｍ^２
　送り速度：４ｍ／ｓ

（第１下地層の成膜工程）
　次に、以下の成膜条件にて、前記第２下地層上に、Ｒｕからなる第１下地層を厚み１７ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
　ターゲット：Ｒｕターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：１３Ｐａ
　投入電力：９０ｍＷ／ｍｍ^２
　送り速度：４ｍ／ｓ

（記録層の成膜工程）
　次に、以下の成膜条件にて、前記第１下地層上に（Ｃｏ₇₂Ｐｔ₁₈Ｃｒ₁₀）_92.－（Ｂ₂Ｏ₃）₈からなる記録層を１４ｎｍ成膜した。
　成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：（Ｃｏ₈₀Ｐｔ₁₀Ｃｒ₁₀）₉₂－（Ｂ₂Ｏ₃）₈ターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：６Ｐａ
　投入電力：９０ｍＷ／ｍｍ^２
　送り速度：４ｍ／ｓ

（ＣＡＰ層の成膜工程）
　次に、以下の成膜条件にて、前記記録層上にＣｏ₆₀Ｐｔ₂₀Ｃｒ₁₀Ｂ₁₀からなるＣＡＰ層を５ｎｍ成膜した。
　成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：Ｃｏ₆₀Ｐｔ₂₀Ｃｒ₁₀Ｂ₁₀ターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：１．５Ｐａ
　投入電力：１３．５ｍＷ／ｍｍ^２
　送り速度：４ｍ／ｓ

（保護層の成膜工程）
　次に、以下の成膜条件にて、記録層上にカーボンからなる保護層を厚み５ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
　成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：カーボンターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：０．８Ｐａ
　投入電力：９０ｍＷ／ｍｍ^２　×３カソード
　送り速度：９ｍ／ｓ

（潤滑剤層の成膜工程）
　次に、調製した潤滑剤塗料を前記保護層上に塗布し、潤滑剤層を成膜した。なお、潤滑剤塗料は、汎用の溶剤に、カルボン酸パーフルオロアルキルエステル０．１１質量％、およびフルオロアルキルジカルボン酸誘導体０．０６質量％を混合して作製した。

（バック層の成膜工程）
　次に、ベース層をなす高分子フィルムの他方側の主面にバック層成膜用の塗料を塗布、乾燥することにより、バック層を形成した。より詳しくは、カーボンおよび炭酸カルシウムで構成される非磁性粉とポリウレタン系結着材で構成されるバック層を０．３μｍ厚で形成した。以上により、テープ状の磁気記録媒体（磁気記録テープ）が得られた。

（表面処理）
　得られた磁気記録テープをＬＴＯ８ドライブにてテンションを１Ｎとして５００回往復走行させて、表面処理を行った。表面処理後の磁気テープを実施例１の磁気記録テープとした。

（実施例２）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₈₀Ｐｔ₁₀Ｃｒ₁₀）₉₂－（Ｂ₂Ｏ₃）₈ターゲットに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例３）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₇₆Ｐｔ₁₄Ｃｒ₁₀）₉₂－（Ｂ₂Ｏ₃）₈ターゲットに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例４）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₆₇Ｐｔ₂₃Ｃｒ₁₀）₉₂－（Ｂ₂Ｏ₃）₈ターゲットに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例５）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₆₅Ｐｔ₂₅Ｃｒ₁₀）₉₂－（Ｂ₂Ｏ₃）₈ターゲットに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例６）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₇₄Ｐｔ₁₈Ｃｒ₈）₉₂－（Ｂ₂Ｏ₃）₈ターゲットに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例７）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₇₀Ｐｔ₁₈Ｃｒ₁₂）₉₂－（Ｂ₂Ｏ₃）₈ターゲットに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例８）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₆₆Ｐｔ₁₈Ｃｒ₁₆）₉₂－（Ｂ₂Ｏ₃）₈ターゲットに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例９）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₇₂Ｐｔ₁₈Ｃｒ₁₀）₉₄－（Ｂ₂Ｏ₃）₆ターゲットに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例１０）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₇₂Ｐｔ₁₈Ｃｒ₁₀）₈₉－（Ｂ₂Ｏ₃）₁₁ターゲットに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例１１）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₇₂Ｐｔ₁₈Ｃｒ₁₀）₉₂－（ＳｉＯ₂）₈ターゲットに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例１２）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₇₂Ｐｔ₁₈Ｃｒ₁₀）₉₂－（ＴｉＯ₂）₈ターゲットに変更し以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例１３）
　ＣＡＰ層の投入電力を１０．８ｍＷ／ｍｍ^２に変更して厚みを４ｎｍに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例１４）
　保護層の成膜工程において送り速度を７．５ｍ／ｍｉｎ．とし、保護層の厚みを６ｎｍに変更して、表面処理においてＬＴＯ８ドライブにてテンションを１Ｎとして２０００回往復走行させた以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例１５）
　保護層の成膜工程において送り速度を１５ｍ／ｍｉｎ．とし、保護層の厚みを３ｎｍに変更して、表面処理においてＬＴＯ８ドライブにてテンションを１Ｎとして２００回往復走行させた以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例１６）
　第２下地層の投入電力を１４．４ｍＷ／ｍｍ^２に変更し、厚みを３ｎｍとして、表面処理においてＬＴＯ８ドライブにてテンションを１Ｎとして２００回往復走行させた以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例１７）
　第２下地層の投入電力を９．６ｍＷ／ｍｍ^２に変更し、膜厚を２ｎｍとして、表面処理を施さなかった以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例１８）
　第２下地層の投入電力を３３．６ｍＷ／ｍｍ^２に変更し、膜厚を７ｎｍとした以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例１９）
　第１下地層と記録層の間に、（Ｒｕ₂₅Ｃｏ_37.5Ｃｒ_37.5）₈₆－（ＴｉＯ₂）₁₄で形成された中間層を厚み２ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
　成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：（Ｒｕ₂₅Ｃｏ_37.5Ｃｒ_37.5）₈₆－（ＴｉＯ₂）₁₄ターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：０．５Ｐａ
　投入電力：２１．５ｍＷ／ｍｍ^２
　送り速度：４ｍ／ｓ
　上記以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例２０）
　第１下地層を、（Ｃｏ₆₀Ｃｒ₄₀）₉₄－（ＴｉＯ₂）₆で形成し、厚み５ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
　成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：（Ｃｏ₆₀Ｃｒ₄₀）₉₄－（ＴｉＯ₂）₆ターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：７Ｐａ
　投入電力：６０ｍＷ／ｍｍ^２
　送り速度：４ｍ／ｓ
　また、第２下地層を、Ｃｏ₆₀Ｃｒ₄₀で形成し、厚み４５ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
　成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：Ｃｏ₆₀Ｃｒ₄₀ターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：０．５Ｐａ
　投入電力：１３０ｍＷ／ｍｍ^２
　送り速度：４ｍ／ｓ
　上記以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例２１）
　第１下地層を、（Ｃｏ₆₀Ｃｒ₄₀）₉₄－（ＴｉＯ₂）₆で形成し、厚み２５ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
　成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：（Ｃｏ₆₀Ｃｒ₄₀）₉₄－（ＴｉＯ₂）₆ターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：７Ｐａ
　投入電力：１００ｍＷ／ｍｍ^２
　送り速度：４ｍ／ｓ
　また、第２下地層を、Ｃｏ₆₀Ｃｒ₄₀で形成し、厚み２５ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
　成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：Ｃｏ₆₀Ｃｒ₄₀ターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：０．５Ｐａ
　投入電力：１００ｍＷ／ｍｍ^２
送り速度：４ｍ／ｓ
　上記以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（実施例２２）
　ベースフィルムと第２シード層の間に、Ｃｏ₈₇Ｚｒ₅Ｎｂ₈で形成された軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）を厚み２０．０ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
　成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：Ｃｏ₈₇Ｚｒ₅Ｎｂ₈ターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：０．５Ｐａ
　投入電力：９５ｍＷ／ｍｍ^２
　送り速度：４ｍ／ｓ
　上記以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（比較例１）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₈₂Ｐｔ₈Ｃｒ₁₀）₉₂－（Ｂ₂Ｏ₃）₈ターゲットに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（比較例２）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₆₄Ｐｔ₂₆Ｃｒ₁₀）₉₂－（Ｂ₂Ｏ₃）₈ターゲットに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（比較例３）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₇₅Ｐｔ₁₈Ｃｒ₇）₉₂－（Ｂ₂Ｏ₃）₈ターゲットに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（比較例４）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₆₅Ｐｔ₁₈Ｃｒ₁₇）₉₂－（Ｂ₂Ｏ₃）₈ターゲットに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（比較例５）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₇₂Ｐｔ₁₈Ｃｒ₁₀）₉₅－（Ｂ₂Ｏ₃）₅ターゲットに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（比較例６）
　記録層のターゲットを（Ｃｏ₇₂Ｐｔ₁₈Ｃｒ₁₀）₈₈－（Ｂ₂Ｏ₃）₁₂ターゲットに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（比較例７）
　ＣＡＰ層の投入電力を８．１ｍＷ／ｍｍ^２に変更して厚みを３ｎｍに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（比較例８）
　表面処理においてＬＴＯ８ドライブにてテンションを１Ｎとして２０００回往復走行させた以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（比較例９）
　保護層の成膜工程において送り速度を１１．３ｍ／ｍｉｎ．とし、保護層の厚みを４ｎｍに変更して、表面処理においてＬＴＯ８ドライブにてテンションを１Ｎとして２０００回往復走行させた以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（比較例１０）
　保護層の成膜工程において送り速度を５．６ｍ／ｍｉｎ．とし、保護層の厚みを８ｎｍに変更して、表面処理を実施しなかった以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（比較例１１）
　保護層の成膜工程において送り速度を７．５ｍ／ｍｉｎ．とし、保護層の厚みを６ｎｍに変更して、表面処理を実施しなかった以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（比較例１２）
　第２シード層の投入電力を１６．１ｍＷ／ｍｍ^２に変更し、膜厚を１．５ｎｍとした以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（比較例１３）
　第２シード層の投入電力を１０．８ｍＷ／ｍｍ^２に変更し、膜厚を１．０ｎｍとした以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

（比較例１４）
　第２下地層の投入電力を４８ｍＷ／ｍｍ^２に変更し、膜厚を１０ｎｍとした以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。

　実施例１～２２、及び比較例１～１４の各磁気記録テープについて、評価を行った。具体的には、当該各磁気記録テープについて、表面凸方向の０．１％面積の高さｐ、飽和磁界（Ｈｓ）、磁気異方性エネルギーＫ_u、Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴ、半値幅Δθ_５０、及びＢＢ‐ＳＮＲ（broad-band ＳＮＲ）を測定した。また、当該各磁気記録テープについて、表面凸方向の０．１％面積の高さｐ、保護層の平均厚みｑ、及び半値幅Δθ_５０の値から、比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）を算出した。

　本実施例において、保護層の平均厚み、ＣＡＰ層の平均厚み、記録層の平均厚み、中間層の平均厚み、下地層の平均厚み、シード層の平均厚み、ＳＵＬの平均厚み、表面凸方向の０．１％面積の高さｐ、飽和磁界（Ｈｓ）、磁気異方性エネルギーＫ_u、Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴ、及び半値幅Δθ_５０は、上記２．において説明した測定方法により求められたものである。なお、本評価において、Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴが８０以上である磁気記録テープを、熱安定性が優れる磁気記録テープであると判断した。

　本実施例において、記録層の平均原子数比率は、上記２．において説明した測定方法により求められたものである。ＣＡＰ層の平均原子数比率は、記録層の平均原子数比率と同様にして求められたものである。記録層以外の層の平均原子数比率は、以下のようにして求められた。まず、磁気テープから１０ｍｍ×１０ｍｍのサンプルを切り出した。サンプルを膜表層よりエッチングしながら、オージェ電子分光法（Auger Electron Spectroscopy：ＡＥＳ）により、各層の深さ方向分析（デプスプロファイル測定）を、任意の３か所で行った。次に、得られたデプスプロファイルから、厚み方向におけるＲｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、及びＯ平均原子数比率を求めた。
　ＡＥＳの測定条件は以下のとおりであった。
　機器名：アルバック・ファイ社製ＰＨＩ－７１０型
　測定領域：１０×２０μｍ^２
　電子加速：５ｋＶ
　エッチングレート：１．３ｎｍ／ｍｉｎ．

　本実施例において、ＢＢ‐ＳＮＲ（単にＳＮＲともいう）は以下のようにして求めた。まず、ループテスター（Microphysics社製）を用いて、磁気テープの再生信号を取得した。以下に、再生信号の取得条件について示す。
　Writer: Ring Type head
　Reader：TMR head
　Reader幅：800nm
　Speed：1.5ｍ／ｓ
　Signal：単一記録周波数（４００ｋｆｃｉ）
　記録電流：最適記録電流

　記録波長を４００ｋＦＣＩ（kilo Flux Changes per Inch）とし、ＳＮＲを、再生波形の電圧と、ノイズスペクトラムを０ｋＦＣＩ～１０００ｋＦＣＩの帯域で積分した値から求めた電圧と、の比により計算して求めた。本評価に用いたヘッドによるエラーレート評価から、同ヘッドの場合、ＳＮＲ１０ｄＢにて製品レベルのエラーレートが得られることを確認している。よって、１０．０ｄＢ以上を良好なＳＮＲレベルとした。

　実施例１～２２、及び比較例１～１４の各磁気記録テープの評価結果を、下記表２に示す。

　表２に示される結果より、以下のことが分かる。

　実施例１～２２の磁気記録テープはいずれも、ＳＮＲが１０．０ｄＢ以上であり、高いＳＮＲを示した。実施例１～２２の磁気記録テープはいずれも、Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴが８０以上であり、高い熱安定性を示した。これらの結果より、本技術の磁気記録媒体は、高いＳＮＲを示し、且つ、熱安定性に優れていることが分かる。

　実施例１～１０と比較例１～６とを比較すると、記録層の平均原子数比率を示す上述の式（I）において、１０≦Ｘ≦２５、８≦Ｙ≦１６、及び６≦Ｚ≦１１であることが、高いＳＮＲと優れた熱安定性に寄与していることが分かる。具体的には、１０≦Ｘ、及びＹ≦１６であることがＳＮＲと熱安定性の向上に寄与しており、Ｘ≦２５、８≦Ｙ、及び６≦Ｚ≦１１であることがＳＮＲの向上に寄与していることが分かる。

　実施例１、１１、及び１２を比較すると、記録層に含まれる金属酸化物の種類を変更しても、高いＳＮＲ示し、且つ、熱安定性に優れている磁気記録媒体を得られることが分かる。

　実施例１及び１３、並びに比較例７を比較すると、ＣＡＰ層が厚くなるにつれて、ＳＮＲが向上し、飽和磁界（Ｈｓ）が低減することが分かる。また、ＣＡＰ層が４ｎｍ以上であることが、高いＳＮＲに寄与していることが分かる。

　実施例１、１４、及び１５、並びに比較例８～１１を比較すると、表面凸方向の０．１％面積の高さｐと、保護層の平均厚みｑと、を変化させることにより比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）を調整することが、ＳＮＲに影響を与えることが分かる。例えば、０．３６０≦Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）≦０．５４０であることによって、高いＳＮＲを得られることが分かる。また、磁気記録テープの表面処理における往復走行回数を変化させることによって、表面凸方向の０．１％面積の高さｐを調整できることが分かる。

　実施例１、１６～１８、並びに比較例１４を比較すると、比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）を調整することが、ＳＮＲに影響を与えることが分かる。例えば、０．３６０≦Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）≦０．５４０であることによって、高いＳＮＲを得られることが分かる。また、第２下地層をスパッタ成膜する際の投入電力を高めることによって、第２下地層の平均厚みを厚くでき、第２下地層の平均厚みを厚くすることによって、半値幅Δθ_５０を低減できることが分かる。すなわち、下地層（例えば第２下地層）の平均厚みを変化させることによって、半値幅Δθ_５０を調整できることが分かる。

　実施例１及び１９を比較すると、下地層（第１下地層）と記録層との間に中間層を設けた場合も、高いＳＮＲ示し、且つ、熱安定性に優れている磁気記録媒体を得られることが分かる。

　実施例１、２０、及び２１を比較すると、第１下地層及び第２下地層の材料を変更しても、高いＳＮＲ示し、且つ、熱安定性に優れている磁気記録媒体を得られることが分かる。

　実施例１及び２２を比較すると、ベース層とシード層（第２シード層）との間にＳＵＬを設けた場合も、高いＳＮＲ示し、且つ、熱安定性に優れている磁気記録媒体を得られることが分かる。

　実施例１、並びに比較例１２及び１３を比較すると、半値幅Δθ_５０を変化させることにより比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）を調整することが、ＳＮＲに影響を与えることが分かる。また、第２シード層をスパッタ成膜する際の投入電力を高めることによって、第２シード層の平均厚みを厚くでき、第２シード層の平均厚みを厚くすることによって、半値幅Δθ_５０及び比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）を低減できることが分かる。すなわち、シード層（例えば第２シード層）の平均厚みを変化させることによって、半値幅Δθ_５０及び比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）を調整できることが分かる。

　本技術は、以下のような構成をとることもできる。
［１］
　記録層、ＣＡＰ層、及び保護層をこの順に有し、
　前記記録層が、下記式で表される平均原子数比率を有し、
［Ｃｏ_{（１００－Ｘ－Ｙ）}Ｐｔ_ＸＣｒ_Ｙ］_{（１００－Ｚ）}－（ＭＯ_Ｎ）_Ｚ　・・・（I）
（前記式（I）中、１０≦Ｘ≦２５、８≦Ｙ≦１６、６≦Ｚ≦１１であり、ＭＯ_Ｎは金属酸化物を示す。）
　原子間力顕微鏡を用いて取得された前記保護層側表面の高さデータに基づいて作成されるベアリングカーブにおける表面凸方向の０．１％面積の高さｐ［ｎｍ］と、前記保護層の平均厚みｑ［ｎｍ］と、前記記録層の面外方向のＸ線回析におけるＣｏＰｔＣｒ　ｈｃｐ（０００２）ピークのロッキングカーブの半値幅Δθ_５０と、から構成される比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）が、０．３６０以上０．５４５以下であり、且つ、
　前記ＣＡＰ層の平均厚みが４ｎｍ以上である、
　テープ状の磁気記録媒体。
［２］
　前記磁気記録媒体が、ベース層、シード層、及び下地層をこの順に有し、
　前記記録層が、前記下地層上に設けられている、［１］に記載の磁気記録媒体。
［３］
　前記下地層が、第１下地層及び第２下地層を有し、
　前記記録層が、前記第１下地層上に設けられている、［２］に記載の磁気記録媒体。
［４］
　前記シード層が、第１シード層及び第２シード層を有し、
　前記下地層が、前記第１シード層上に設けられている、［２］又は［３］に記載の磁気記録媒体。
［５］
　前記磁気記録媒体が、中間層を有し、
　前記中間層が、前記下地層と前記記録層との間に設けられている、［２］～［４］のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
［６］
　前記磁気記録媒体が、ＳＵＬを有し、
　前記ＳＵＬが、前記ベース層と前記シード層との間に設けられている、［２］～［５］のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
［７］
　前記式（I）中のＭＯ_Ｎが、Ｂ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、及びＴｉＯ_２から選ばれる少なくとも１つである、［１］～［６］のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
［８］
　前記ＣＡＰ層が、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、及びＢを含む合金を含む、［１］～［７］のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
［９］
　前記下地層が、ルテニウムを含む、［２］に記載の磁気記録媒体。
［１０］
　前記第１シード層が、ニッケルタングステン合金を含む、［４］に記載の磁気記録媒体。
［１１］
　前記第２シード層が、Ｔｉ、Ｃｒ、及びＯを含む合金を含む、［４］に記載の磁気記録媒体。
［１２］
　前記記録層の平均厚みが、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下である、［１］～［１１］のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
［１３］
　前記保護層の平均厚みが、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、［１］～［１２］のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
［１４］
　前記第１下地層の平均厚みが、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である、［３］に記載の磁気記録媒体。
［１５］
　前記第２下地層の平均厚みが、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、［３］に記載の磁気記録媒体。
［１６］
　前記第１シード層の平均厚みが、１．０ｎｍ以上２０．０ｎｍ以下である、［４］に記載の磁気記録媒体。
［１７］
　前記第２シード層の平均厚みが、０．１ｎｍ以上５．０ｎｍ以下である、［４］に記載の磁気記録媒体。
［１８］
　記録層、ＣＡＰ層、及び保護層をこの順に有し、
　前記記録層が、下記式で表される平均原子数比率を有し、
［Ｃｏ_{（１００－Ｘ－Ｙ）}Ｐｔ_ＸＣｒ_Ｙ］_{（１００－Ｚ）}－（ＭＯ_Ｎ）_Ｚ　・・・（I）
（前記式（I）中、１０≦Ｘ≦２５、８≦Ｙ≦１６、６≦Ｚ≦１１であり、ＭＯ_Ｎは金属酸化物を示す。）
　原子間力顕微鏡を用いて取得された前記保護層側表面の高さデータに基づいて作成されるベアリングカーブにおける表面凸方向の０．１％面積の高さｐ［ｎｍ］と、前記保護層の平均厚みｑ［ｎｍ］と、前記記録層の面外方向のＸ線回析におけるＣｏＰｔＣｒ　ｈｃｐ（０００２）ピークのロッキングカーブの半値幅Δθ_５０と、から構成される比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）が、０．３６０以上０．５４５以下であり、且つ、
　前記ＣＡＰ層の平均厚みが４ｎｍ以上である、テープ状の磁気記録媒体を含み、
　前記磁気記録媒体が、リールに巻き取られた状態で収容された、
　磁気記録カートリッジ。

１　記録層
２　中間層
３　下地層
３１　第１下地層
３２　第２下地層
４　シード層
４１　第１シード層
４２　第２シード層
５　ベース層
６　バック層
７　軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）
１０Ａ　磁気記録カートリッジ
１０Ｂ　カートリッジケース
１０Ｃ　リール
Ｃ　ＣＡＰ層
Ｌ　潤滑剤層
Ｐ　保護層
Ｔ、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３　テープ状の磁気記録媒体

Claims

　記録層、ＣＡＰ層、及び保護層をこの順に有し、
　前記記録層が、下記式で表される平均原子数比率を有し、
［Ｃｏ_{（１００－Ｘ－Ｙ）}Ｐｔ_ＸＣｒ_Ｙ］_{（１００－Ｚ）}－（ＭＯ_Ｎ）_Ｚ　・・・（I）
（前記式（I）中、１０≦Ｘ≦２５、８≦Ｙ≦１６、６≦Ｚ≦１１であり、ＭＯ_Ｎは金属酸化物を示す。）
　原子間力顕微鏡を用いて取得された前記保護層側表面の高さデータに基づいて作成されるベアリングカーブにおける表面凸方向の０．１％面積の高さｐ［ｎｍ］と、前記保護層の平均厚みｑ［ｎｍ］と、前記記録層の面外方向のＸ線回析におけるＣｏＰｔＣｒ　ｈｃｐ（０００２）ピークのロッキングカーブの半値幅Δθ_５０と、から構成される比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）が、０．３６０以上０．５４５以下であり、且つ、
　前記ＣＡＰ層の平均厚みが４ｎｍ以上である、
　テープ状の磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体が、ベース層、シード層、及び下地層をこの順に有し、
　前記記録層が、前記下地層上に設けられている、請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記下地層が、第１下地層及び第２下地層を有し、
　前記記録層が、前記第１下地層上に設けられている、請求項２に記載の磁気記録媒体。
　前記シード層が、第１シード層及び第２シード層を有し、
　前記下地層が、前記第１シード層上に設けられている、請求項２に記載の磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体が、中間層を有し、
　前記中間層が、前記下地層と前記記録層との間に設けられている、請求項２に記載の磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体が、ＳＵＬを有し、
　前記ＳＵＬが、前記ベース層と前記シード層との間に設けられている、請求項２に記載の磁気記録媒体。
　前記式（I）中のＭＯ_Ｎが、Ｂ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、及びＴｉＯ_２から選ばれる少なくとも１つである、請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記ＣＡＰ層が、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、及びＢを含む合金を含む、請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記下地層が、ルテニウムを含む、請求項２に記載の磁気記録媒体。
　前記第１シード層が、ニッケルタングステン合金を含む、請求項４に記載の磁気記録媒体。
　前記第２シード層が、Ｔｉ、Ｃｒ、及びＯを含む合金を含む、請求項４に記載の磁気記録媒体。
　前記記録層の平均厚みが、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記保護層の平均厚みが、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記第１下地層の平均厚みが、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である、請求項３に記載の磁気記録媒体。
　前記第２下地層の平均厚みが、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、請求項３に記載の磁気記録媒体。
　前記第１シード層の平均厚みが、１．０ｎｍ以上２０．０ｎｍ以下である、請求項４に記載の磁気記録媒体。
　前記第２シード層の平均厚みが、０．１ｎｍ以上５．０ｎｍ以下である、請求項４に記載の磁気記録媒体。
　記録層、ＣＡＰ層、及び保護層をこの順に有し、
　前記記録層が、下記式で表される平均原子数比率を有し、
［Ｃｏ_{（１００－Ｘ－Ｙ）}Ｐｔ_ＸＣｒ_Ｙ］_{（１００－Ｚ）}－（ＭＯ_Ｎ）_Ｚ　・・・（I）
（前記式（I）中、１０≦Ｘ≦２５、８≦Ｙ≦１６、６≦Ｚ≦１１であり、ＭＯ_Ｎは金属酸化物を示す。）
　原子間力顕微鏡を用いて取得された前記保護層側表面の高さデータに基づいて作成されるベアリングカーブにおける表面凸方向の０．１％面積の高さｐ［ｎｍ］と、前記保護層の平均厚みｑ［ｎｍ］と、前記記録層の面外方向のＸ線回析におけるＣｏＰｔＣｒ　ｈｃｐ（０００２）ピークのロッキングカーブの半値幅Δθ_５０と、から構成される比Δθ_５０／（ｐ＋ｑ）が、０．３６０以上０．５４５以下であり、且つ、
　前記ＣＡＰ層の平均厚みが４ｎｍ以上である、テープ状の磁気記録媒体を含み、
　前記磁気記録媒体が、リールに巻き取られた状態で収容された、
　磁気記録カートリッジ。