JP2000348325A

JP2000348325A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2000348325A
Application number: JP11158357A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Sato; 諭佐藤; Shinichi Matsumura; 伸一松村
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-06-04
Filing date: 1999-06-04
Publication date: 2000-12-15
Also published as: US6391423B1

Abstract

(57)【要約】【課題】非磁性支持体として芳香族ポリアミドフィル
ムを用いた場合であっても、良好な電磁変換特性と走行
性とを兼ね備えた磁気記録媒体を提供する。【解決手段】非磁性支持体１の一主面上に、少なくと
も金属薄膜からなる磁性層２が成膜されてなる磁気記録
媒体において、上記非磁性支持体１の、少なくとも上記
金属薄膜が成膜される側の主面に、中心面からの高さ１
０ｎｍ〜４０ｎｍの微細突起３を１００〜２，０００万
個／ｍｍ²の密度で形成し、上記非磁性支持体１の上記
微細突起３が形成された側の主面のベアリングカーブに
おいて、上部１０ｎｍの範囲を最小二乗法により直線近
似したとき、直線の傾きを−０．３以下とし、切片を１
０ｎｍ〜４０ｎｍとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属磁性薄膜を用
いた磁気記録媒体に関する。特に、長時間記録用のビデ
オテープ、あるいは、大容量のテープストリーマとして
好適に用いられる磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、金属磁性薄膜型磁気記録媒体
用の支持体としては、その材料強度や寸法安定性等の特
性が比較的優れていること等から、ポリエチレンテレフ
タレートフィルムが主として用いられている。特にホー
ムビデオカセットテープ、例えば８ミリテープなどには
厚さ７〜１０μｍ程度のポリエチレンテレフタレートフ
ィルムが、そして、テープストリーマにおいては、厚さ
５〜７μｍ程度のポリエチレンテレフタレートフィルム
が用いられている。

【０００３】一方、近年、ビデオカセットテープの中で
も特にＤＶＣ（ＤｉｇｔａｌＶｉｄｅｏＣａｓｓｅ
ｔｔｅ）テープなどでは、ビデオカセットの小型化が進
み、今後はより一層の長時間記録化が望まれる。テープ
ストリーマの分野においても、例えば、Ｄ８（Ｄａｔａ
８ｍｍ）やＤＤＳ（ＤｉｇｉｔａｌＤａｔａＳｔｏ
ｒａｇｅ）などでは更に大容量化が望まれている。

【０００４】また、磁気テープの使用環境の広がりによ
る幅広い環境条件下（特に、変動の激しい温湿度条件下
など）での使用、データ保存に対する信頼性、更に高速
での繰り返し使用により多数回走行におけるデータの安
定した記録、再生などの性能に対する信頼性なども従来
に増して要求される。

【０００５】磁気記録媒体の長時間記録化や大容量化を
達成するためには、ベースフィルムの薄膜化が必要とな
るが、薄膜化により磁気記録媒体のスティフネスの低下
やスキュー特性の悪化が問題となる。

【０００６】スティフネスやスキュー特性を満足させる
ためには、ベースフィルムの高強度で低熱収というよう
に、相反する特性を同時に満たすことが必要となってく
る。このため、ポリエチレンテレフタレートフィルムで
は再延伸等の手法により、より強度を高め、かつ、エー
ジング等により熱収を低減するなどの措置がとられてき
た。しかしながら、最近ではより一層の薄膜化が進む中
でポリエチレンテレフタレートの強度では、限界にきて
おり、次世代の高密度磁気記録媒体用のベースフィルム
として、高強度、かつ、熱収の少ない芳香族ポリアミド
フィルムが注目されるようになってきた。

【０００７】更に、長時間記録化や大容量化が進むにつ
れて、磁気記録媒体に要求される特性も厳しくなってい
る。すなわち、磁気記録媒体としては、電磁変換特性の
更に向上が求められ、エラーレートに対する要求もより
一層厳しくなってくる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】以上のようなことを考
慮すると、ベースフィルムの表面は、平滑で突起などが
存在しない鏡面であることが好ましい。しかしながら、
ベースフィルム上に形成された蒸着膜の表面性は、ベー
スフィルムの表面性の影響を受けるため、上述したよう
なベースフィルム上に形成された蒸着膜の表面性は、鏡
面性を保つ。そのため、磁気ヘッドのと摩擦が大きくな
り、蒸着面の走行性は悪化し、擦り傷が発生したり、蒸
着膜の粉落ちによりエラーレートが多発するといった問
題がある。

【０００９】本発明は、このような従来の実情に鑑みて
創案されたものであり、ベースフィルムとして芳香族ポ
リアミドフィルムを用いた場合においても、良好な電磁
変換特性と走行耐久性を兼ね備えた磁気記録媒体を提供
することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気記録媒
体は、非磁性支持体の一主面上に、少なくとも金属薄膜
からなる磁性層が成膜されてなる磁気記録媒体におい
て、上記非磁性支持体は、少なくとも上記金属薄膜が成
膜される側の主面に中心面からの高さ１０ｎｍ〜４０ｎ
ｍの微細突起が１００〜２，０００万個／ｍｍ²の密度
で形成されてなり、上記非磁性支持体の上記微細突起が
形成された側の主面のベアリングカーブが、上部１０ｎ
ｍの範囲を最小二乗法により直線近似したとき、直線の
傾きが−０．３以下であり、切片が１０ｎｍ〜４０ｎｍ
であることを特徴とするものである。

【００１１】以上のように構成された本発明に係る磁気
記録媒体は、非磁性支持体の一主面に形成された中心面
からの高さ１０ｎｍ〜４０ｎｍの微細突起の密度、及
び、非磁性支持体の微細突起が形成された側の主面のベ
アリングカーブにおいて、上部１０ｎｍの範囲を最小二
乗法により直線近似したときの直線の傾きと切片とを規
定しており、この非磁性支持体上に金属磁性薄膜を有し
ている。そのため、この磁気記録媒体は、金属磁性薄膜
の主面が所望の平面性を有することとなる。

【００１２】ここで、ベアリングカーブについて説明す
る。まず表面の断面形状を測定することにより断面の形
状を表す断面曲線を作成する。そして、断面曲線の一部
（基準長さＥ）を切り出し、その切り出した部分につい
て高さ方向において、頂部から高さを一定間隔で下げて
切断線で切断する。そして、この切断線により切断され
る断面曲線のそれぞれの切断長さの合計を、基準長さＥ
で割った値を百分率で切断線毎に表した曲線をベアリン
グカーブという。

【００１３】また、ここで、中心面とは、粗さ曲面から
の距離の偏差の二乗和が最小になるように設定した面を
平均面とし、粗さ曲面の平均面に平行な断面を形成した
とき、この断面と粗さ曲面で囲まれる面積がこの断面の
両側で等しくなる面のことである。

【００１４】そして、微細突起の密度は、いわゆる原子
間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定したものであり、具
体的には、Digital Instruments社製の原子間力顕微鏡
（ＡＦＭ）を用いて測定した値である。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気記録媒体
の好適な実施例を、図面を参照して詳細に説明する。

【００１６】本実施の形態に示す磁気記録媒体は、図１
に示すように、非磁性支持体１と、この非磁性支持体１
の一主面１ａ上に金属磁性薄膜からなる磁性層２とから
構成されている。

【００１７】この磁気記録媒体において、非磁性支持体
１の主面に微細突起３及び粗大突起４が形成されてな
り、この微細突起３及び粗大突起４が形成された主面上
に磁性層２が形成されることとなる。また、この磁気記
録媒体において、非磁性支持体１の一主面に形成される
中心面からの高さ１０ｎｍ〜４０ｎｍの微細突起３の密
度は、１００〜２，０００万個／ｍｍ²であり、非磁性
支持体１の微細突起３が形成された側の主面のベアリン
グカーブは、上部１０ｎｍの範囲を最小二乗法により直
線近似したとき、直線の傾きが−０．３以下であり、切
片が１０ｎｍ〜４０ｎｍである。

【００１８】ここで、ベアリングカーブについて説明す
る。まず表面の断面形状を測定することにより断面の形
状を表す断面曲線を作成する。そして、図２に示すよう
に断面曲線の一部（基準長さＥ）を切り出し、その切り
出した部分について高さ方向において、頂部から高さを
一定間隔で下げて切断線で切断する。そして、この切断
線により切断される断面曲線のそれぞれの切断長さの合
計を、基準長さＥで割った値を百分率で切断線毎に表し
た曲線をベアリングカーブという。ベアリングカーブの
概念は、二次元においても、三次元においても適用する
ことができ、ベアリングカーブによれば、切断面積の変
化の度合いにより突起の形状を表すことができる。本実
施の形態においては、切断面で切断したときに得られた
断面積の合計と、測定エリア（５μｍ×５μｍ）からベ
アリングカーブを作成した。

【００１９】また、ここで、中心面とは、粗さ曲面から
の距離の偏差の二乗和が最小になるように設定した面を
平均面とし、粗さ曲面の平均面に平行な断面を形成した
とき、この断面と粗さ曲面で囲まれる面積がこの断面の
両側で等しくなる面のことである。

【００２０】そして、この磁気記録媒体では、非磁性支
持体１の表面性を上述したように規定するため、非磁性
支持体１を、例えば、芳香族ポリアミドフィルムから形
成し、非磁性支持体中に微細粒子を含有させることによ
り主面に微細突起３を形成している。

【００２１】この非磁性支持体１は、芳香族ポリアミド
フィルムを用いることにより、引っ張り強度などの物性
において優れており、全体としての厚みが非常に薄い場
合でも十分耐えうる強度を有している。

【００２２】この非磁性支持体１は、２．０〜５．０μ
ｍ程度の厚みとなっており、内部に不活性粒子を含有し
てなる。このように、非磁性支持体１に不活性粒子を含
有することによって、非磁性支持体１３の一主面１ａに
は、所望の突起が形成されることとなる。

【００２３】この非磁性支持体１として使用される芳香
族ポリアミドフィルムは、例えば、下記式（Ｉ）及び／
又は（ＩＩ）で表される芳香族ポリアミドを、５０％モ
ル以上含むものが好ましく、７０モル％以上含むものが
より好ましい。

【００２４】

【化１】

【００２５】なお、上記式において、Ｘ、Ｙは、−Ｏ
−，−ＣＨ₂−，−ＣＯ−，−ＳＯ₂−，−Ｓ−，−Ｃ
（ＣＨ₃）₂−等から選ばれるが、これに限定されるもの
ではない。更に、上記式において、芳香環上の水素原子
の一部が、ハロゲン基（特に、塩素）、ニトロ基、炭素
数１から３のアルキル基（特に、メチル基）、炭素数１
から３のアルコキシ基などの置換基で置換されているも
のであっても良く、また、重合体を構成するアミド結合
中の水素が他の置換基によって置換されていても良い。

【００２６】また、芳香族ポリアミドフィルムは、剛性
を高くする観点から、芳香環がパラ位で結合されたもの
が、全芳香環の６０％以上、より好ましくは８０％以上
を占める重合体であることが好ましい。また、吸湿性を
小さくする観点から芳香環上の水素原子の一部がハロゲ
ン基（特に、塩素原子）、ニトロ基、炭素数１から３の
アルキル基（特に、メチル基）、炭素数１から３のアル
コキシ基などで置換された芳香環が全体の３０％以上を
占める重合体であることが好ましい。

【００２７】更に、芳香族ポリアミドフィルムとして
は、上記式（Ｉ）及び／又は上記式（ＩＩ）で表される
繰り返し単位を５０モル％以上含むものであって、５０
モル％未満は他の繰り返し単位、例えば、芳香族ポリイ
ミド単位や他の芳香族ポリアミド単位などが共重合、又
はブレンドしてなる重合体を使用することができるが、
全芳香族ポリアミド（アラミド）を用いることが好まし
い。

【００２８】更にまた、この非磁性支持体１において
は、芳香族ポリアミドフィルムの構成は複合構造であっ
ても良い。すなわち、この非磁性支持体１は、複数の芳
香族ポリアミドフィルムが積層されてなるようなもので
あっても良い。この場合、各層を構成する芳香族ポリア
ミドフィルムは、上記式で表される重合体を主体とする
ものであれば、各層が同一組成であっても、異なってい
ても差し支えない。しかしながら、生産性の観点から、
各層が同一組成である方が有利である。

【００２９】複数の芳香族ポリアミドフィルムを積層す
るには、各層を構成する複数の原液を公知の方法、例え
ば、特開昭５６ー１６２６１７号公報に記載されるよう
に、合流管で積層したり、口金内で積層して形成するこ
とができる。

【００３０】また、芳香族ポリアミドフィルムは、フィ
ルム磁気記録媒体の製造工程でのハンドリング性を良好
にする目的で、金属磁性膜が成膜される側と反対側の他
主面１ｂの表面性を粗くしても良い。これにより、非磁
性支持体１は、所望の摩擦を生ずることとなり、ハンド
リング特性に優れたものとなる。

【００３１】ところで、この芳香族ポリアミドフィルム
を作製する際には、まず、芳香族ポリアミドをＮ−メチ
ル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に溶解させてなる溶液
を、温度１００℃〜２００℃のベルト上に流延し、１０
０℃〜２５０℃の熱風で加熱を行い溶媒を蒸発させるこ
とにより自己保持性を有するフィルムを得る。その後、
このフィルムを、長手方向、幅方向にそれぞれ１．０〜
２．０倍に延伸しながら乾燥と熱処理を行うことによっ
て、芳香族ポリアミドフィルムが作製される。

【００３２】このとき、芳香族ポリアミドフィルムで
は、長手方向及び幅方向に延伸される際の延伸倍率及び
熱処理条件等を調節することによって、長手方向及び幅
方向のヤング率及び熱収縮率を制御することができる。

【００３３】具体的に、非磁性支持体１は、厚さが２．
５μｍ〜５．０μｍであり、長手方向のヤング率が１０
００ｋｇ／ｍｍ²以上であり、及び幅方向のヤング率が
１３００ｋｇ／ｍｍ²以上であることが好ましい。この
ように、非磁性支持体１の厚み及びヤング率を規定する
ことによって、所望の強度が得られるとともに、磁気記
録媒体としての厚みを薄型化することが可能となり、記
録時間の長時間化及び記録量の大容量化に対応させるこ
とができる。

【００３４】また、この非磁性支持体１には、磁気記録
媒体の製造工程でのハンドリング性あるいは磁性層表面
を適度な粗さにし、磁気記録媒体の高い走行耐久性を得
るため、不活性粒子を添加することが望ましい。

【００３５】上記非磁性支持体の微細突起３及び粗大突
起４を形成する粒子としては、例えば、シリカ、炭酸カ
ルシウム、二酸化チタン、アルミナ、カオリン、タル
ク、グラファイト、長石、二酸化モリブデン、カーボン
ブラック、硝酸バリウム等の無機質系粒子、ポリスチレ
ン、ポリメチルメタクリレート、メチルメタクリレート
共重合体、メチルメタクリレート共重合体の架橋体、ポ
リテトラフルオロエチレン、ポリビニルデンフルオライ
ド、ポリアクリロニトリル、ベンゾグアナミン樹脂など
の有機質系粒子等が挙げられるが、真球状粒子を得やす
い、コロイダルシリカ、架橋高分子による粒子を用いる
ことが好ましい。

【００３６】そして、微細突起３及び粗大突起４を形成
する粒子は、非磁性支持体１を作製する際の延伸工程に
おいて形状が変化するため、添加する粒子の硬度及びそ
の添加量を変化させることにより、非磁性支持体１の主
面を所望の表面状態に形成することができる。

【００３７】また、上記非磁性支持体１の微細突起３及
び粗大突起４は、水溶性高分子と微小粒子を主体とする
連続被膜を非磁性支持体１の金属薄膜が成膜される側の
主面に設けることにより形成しても良い。

【００３８】この場合、水溶性高分子とは、水に溶解す
るか、又は必要に応じて界面活性剤などの添加により懸
濁液又は乳化液となる高分子であり、このような高分子
を更に架橋などによって高分子量化したものも含まれ
る。これらの水溶性高分子としては、例えば、澱粉、メ
チルセルロースやヒドロキシエチルセルロースなどのセ
ルロース誘導体、アルギン酸、アラビアゴム、ゼラチ
ン、ポリアクリル酸ナトリウム、ポリアクリルアミド、
ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキサイド、ポリ
ビニルピロリドン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレンシリ
コーン樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、エーテ
ル系樹脂、エポキシ樹脂、エステル系樹脂等が挙げられ
る。

【００３９】上記シリコーン樹脂としては、シロキサン
の置換基が主としてメチル基よりなるポリオルガノシロ
キサンを主成分とし、メチル基以外には水酸基、α−メ
チルスチレン基、オキシアルキレン基、不飽和基、クロ
ロフェニル基、アミノ基、シアノエチル基、α−オレフ
ィン基、メルカプト基、ハロゲン化アルキル基等が置換
基として一部導入されたものを用いることができる。こ
れらは、末端にエポキシ基、アミノ基、水酸基その他官
能性末端基を有するものが好ましい。

【００４０】上記オルガノポリシロキサンは、水性媒体
中に乳化もしくは水溶化させるか、シランもしくはシロ
キサンの乳化重合によって得られる水性エマルジョン等
公知の製造方法によって水性化が可能である。

【００４１】上記ウレタン系樹脂としては、主要な成分
がポリイシソシアネート、ポリオール、鎖長延長剤、架
橋剤などからなる水性ウレタン樹脂を使用することがで
きる。水性化するに当たっては、ポリイシソシアネー
ト、ポリオール及び鎖長延長剤に親水基を導入したもの
を用いるのが一般的手法である。また、ポリウレタンの
未反応イソシアネート基と、親水性基を有する化合物と
を反応させても良い。

【００４２】上記エーテル系樹脂としては、ポリエチレ
ングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラ
メチレングリコール、エチレンオキサイドとプロピレン
オキサイドとの共重合体、エチレンオキサイドとテトラ
ヒドロフランとの共重合体などを挙げることができる。

【００４３】上記エステル系樹脂としては、テレフタル
酸、イソフタル酸等の芳香族ジカルボン酸及びこれらの
エステル形成性誘導体やアジピン酸、アゼライン酸、セ
バシン酸などの脂肪族カルボン酸及びこれらのエステル
形成誘導体と、エチレングリコール、プロピレングリコ
ール、１，４−ブタンジオール、１，４−シクロヘキサ
ンジメタノール、ジエチレングリコール、ポリエチレン
グリコール等のジオールとの反応物を用いることができ
る。水性化するに当たっては、スルホン酸基を有する化
合物を上記の成分とともに共重合する方法が、良く知ら
れている方法であり、スルホイソフタル酸、スルホテレ
フタル酸、４−スルホナフタレン、２，７−ジカルボン
酸及びこれらのエステル形成性誘導体などのアルカリ金
属塩又はアルカリ土類金属塩などがよく使われる。

【００４４】なお、水性高分子には必要に応じて硬化剤
を加えることができる。

【００４５】また、本発明において、微細突起３は、単
層の非磁性支持体１中に含有された微細粒子や非磁性支
持体１の原料となる芳香族ポリアミド樹脂と同種のもの
であって、上述した溶液成形の際に溶媒に溶けない有機
物を添加することによって形成されていても良い。

【００４６】一方、非磁性支持体１の主面１ａには、磁
性層２となる金属磁性薄膜が形成され、金属磁性薄膜と
しては、例えば、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ等を主体とする金属
磁性薄膜、又はそれらの合金を主体とする金属磁性薄膜
を挙げることができる。この金属磁性薄膜からなる磁性
層２の厚みは、０．０５〜０．２μｍが好ましく、０．
１〜０．２μｍがより好ましい、すなわち、磁性層２の
厚みを薄くすると、自己減磁損失等を少なくするととも
に、上述したように非磁性支持体１の薄さに加えて磁気
記録媒体の全厚を薄くすることができ、磁気記録媒体の
全長は長くなることから、長時間記録化や大容量化が達
成される。

【００４７】このとき、金属磁性膜は、例えば、図３に
示すような連続巻き取り式の真空蒸着装置等を用いて形
成される。

【００４８】この真空蒸着装置１１は、いわゆる斜方蒸
着用として構成され、内部が例えば約１０^-3（Ｐａ）程
度の真空状態とされた真空室１２内に、例えば−２０℃
程度に冷却され、図中の反時計回り方向（矢印Ａ方向）
に回転する冷却キャン１３と対向するように金属磁性膜
用の蒸着源１４とが配置されている。

【００４９】蒸着源１４は坩堝等の容器にＣｏ等の強磁
性金属材料が収容されたものであり、この蒸着源１４
（強磁性金属材料）に対し、電子ビーム発生源１５から
電子ビーム１６を加速照射して強磁性金属材料を加熱、
蒸発させ、これを図中の反時計回り方向に回転する供給
ロール１８から図中の矢印Ｂ方向に繰り出され、冷却キ
ャン１３の周面に沿って走行する非磁性支持体３上に付
着（蒸着）させることによって金属磁性膜を形成する。
そして、金属磁性膜が形成された非磁性支持体３は、巻
き取りロール１９に巻き取られる。

【００５０】このとき、蒸着源１４と冷却キャン１３と
の間には防着板２０を設け、この防着板２０にシャッタ
２１を位置調整可能に設けて、非磁性支持体１に対して
所定の角度で入射する蒸着粒子のみを通過させる。こう
して斜め蒸着法によって金属磁性膜が形成されるように
なされている。

【００５１】なお、供給ロール１８と冷却キャン１３と
の間、及び冷却キャン１３と巻き取りロール１９との間
にはそれぞれガイドローラー２２、２３が配置され、供
給ロール１８から冷却キャン１３、及びこの冷却キャン
１３から巻き取りロール１９に従って走行する非磁性支
持体１に所定のテンションをかけ、非磁性支持体１が円
滑に走行するようになされている。

【００５２】更に、このような金属磁性膜の蒸着に際
し、図示しない酸素ガス導入口を介して非磁性支持体１
の表面に酸素ガスが供給され、これによって金属磁性膜
の磁気特性、耐久性及び耐候性の向上が図られている。
また、蒸着源１４を加熱するためには、上述のような電
子ビームによる加熱手段の他、例えば、抵抗加熱手段、
高周波加熱手段、レーザ加熱手段等の公知の手段を使用
できる。

【００５３】以上は、斜め蒸着法によりＣｏ等からなる
強磁性金属材料を用いて成膜する例について説明した
が、強磁性金属材料を用いて成膜する方法としては、こ
の例の他にも垂直蒸着法や強磁性金属材料の蒸発を放電
中で行うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分と
する雰囲気でグロー放電を起こし、生じたアルゴンイオ
ンでターゲット表面の原子をたたき出すスパッタリング
法等、いわゆるＰＶＤ技術等の公知の薄膜形成法が適用
でき、また、強磁性金属材料としては、Ｃｏの他にＮ
ｉ、Ｆｅ等やこれらの合金を使用することができる。た
だし、非磁性支持体１との付着強度改善、あるいは金属
磁性膜自体の耐性、耐摩耗性改善等の目的から、蒸着時
の雰囲気を酸素ガスが支配的となる雰囲気としたとき得
られる酸素を含む金属磁性膜を使用することが望まし
い。

【００５４】更に、この金属磁性薄膜を成膜する際に
は、非磁性支持体１との付着強度を改善するため、ある
いは金属磁性薄膜自体の耐食性、耐磨耗性等を改善する
ために、酸素ガスが支配的となる雰囲気下で行うことが
好ましい。

【００５５】なお、図示しないが、非磁性支持体１の磁
性層２が形成される主面１ａとは反対側の面には、走行
性の向上及び耐久性を高める目的で、バックコート層を
設けても良い。バックコート層には、従来公知の材料を
用いることができ、例えば、カーボン、炭酸カルシウム
などの非磁性顔料をポリウレタン、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体等の結合剤に分散させたものを用いること
ができる。

【００５６】更に、この磁気記録媒体は、磁気記録媒体
の耐久性や耐候性を高めるために、金属磁性膜２上に、
図４に示すようなマグネトロンスパッタ装置３０等を用
いて、カーボン保護膜を形成することが望ましい。

【００５７】このマグネトロンスパッタ装置３０は、外
側がチャンバ３１にて覆われている。そして、チャンバ
３１内は、真空ポンプ３２にて約１０^-4（Ｐａ）まで減
圧された後、真空ポンプ３２側へ廃棄するバルブ３３の
角度を全開状態から１０度まで絞ることにより排気速度
を落とし、ガス導入管３４からＡｒガスを導入して、真
空度が約０．８Ｐａとされる。

【００５８】マグネトロンスパッタ装置３０は、このチ
ャンバ３１内に、例えば−４０℃程度に冷却され、図中
の反時計回り方向（矢印Ａ方向）に回転する冷却キャン
３５と、この冷却キャン３５と対向配置されるターゲッ
ト３６とがそれぞれ設けられている。

【００５９】ターゲット３６は、カーボン保護膜の材料
となるものであり、カソード電極を構成するバッキング
プレート３７に支持されている。そして、バッキングプ
レート３７の裏側には、磁場を形成するマグネット３８
が配設されている。このマグネトロンスパッタ装置３０
によりカーボン保護膜を形成する際は、ガス導入管３４
からＡｒガスを導入するとともに、冷却キャン３５をア
ノード、バッキングプレート３７をカソードとして約３
０００（Ｖ）の電圧を印加し、１．４Ａの電流が流れる
状態を保つようにする。

【００６０】この電圧の印加により、Ａｒガスがプラズ
マ化し、電離されたイオンがターゲット３６に衝突する
ことにより、ターゲット３６の原子がはじき出される。
このとき、バッキングプレート３７の裏側にはマグネッ
ト３８が配設されており、ターゲット３６の近傍に磁場
が形成されるので、電離されたイオンはターゲット３６
の近傍に集中されることになる。

【００６１】ターゲット３６からはじき出された原子
は、図中の反時計回り方向に回転する供給ロール３９か
ら図中の矢印Ｂ方向に繰り出され、冷却キャン３５の周
面に沿って走行する金属磁性膜４が成膜された非磁性支
持体１上に付着し、カーボン保護膜が形成される。そし
て、カーボン保護膜が形成された非磁性支持体１は、巻
き取りロール４１に巻き取られる。

【００６２】このカーボン保護膜は、スペーシングロス
を小さくし、かつ、金属磁性膜４の摩耗防止の効果を得
ることができるように、その厚さを３〜１５ｎｍ程度、
特に６〜１０ｎｍ程度とすることが好ましい。

【００６３】以上は、マグネトロンスパッタによりカー
ボン保護膜を形成する例について説明したが、カーボン
保護膜を形成する方法としては、この例の他に、イオン
ビームスパッタやイオンビームプレーティング法、ＣＶ
Ｄ法等の公知の薄膜形成方法を用いることができる。

【００６４】更に、磁性層２には、潤滑剤を存在せしめ
ることにより、磁性材料の粒子状突起の形状に基づく走
行性を高めることも可能である。

【００６５】また、磁気記録媒体の表面、裏面、並びに
それらの近傍、あるいは磁性層２内（強磁性金属薄膜内
の空隙）、非磁性支持体１と磁性層２との界面、非磁性
支持体１内等に公知の手段により防錆剤、帯電防止剤等
の各種添加剤を必要に応じて存在させても良い。

【００６６】以上のように構成された本実施の形態に示
す磁気記録媒体は、上述したように、非磁性支持体１の
一主面に形成された中心面からの高さ１０ｎｍ〜４０ｎ
ｍの微細突起３の密度、及び、非磁性支持体１の微細突
起３が形成された側の主面のベアリングカーブにおい
て、上部１０ｎｍの範囲を最小二乗法により直線近似し
たときの直線の傾きと切片とが規定された非磁性支持体
１を用いているため、磁気ヘッドと対向する面がこの非
磁性支持体１の主面と略略同等な表面性を有している。

【００６７】ここで、上述した磁気記録媒体において
は、非磁性支持体１の一主面に形成された中心面からの
高さ１０ｎｍ〜４０ｎｍの微細突起３の密度は、１００
〜２，０００万個／ｍｍ²の範囲に規定されている。こ
の磁気記録媒体において、微細突起３の密度が１００万
個／ｍｍ²未満であると、磁気記録媒体の平面が平滑す
ぎてしまうため走行性が悪化し、走行耐久性の低下や擦
り傷の発生、磁性層の蒸着膜の粉落ち等によりエラーレ
ートの多発等の原因となる。また、微細突起３の密度が
２，０００万個／ｍｍ²を超えると、表面の粗さが大き
くなりすぎてしまい、電磁変換特性が低下してしまう。

【００６８】更に、上述した磁気記録媒体では、非磁性
支持体１の微細突起３が形成された側の主面のベアリン
グカーブにおいて、上部１０ｎｍの範囲を最小二乗法に
より直線近似したときの直線の傾きを−０．３以下、切
片を１０ｎｍ〜４０ｎｍと規定しており、上記直線の傾
きは−２．０〜−０．５の範囲であればより好ましく、
切片は、１５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲であればより好まし
い。この磁気記録媒体において、上記直線の傾きが−
０．３より大きいと突起形状はブロードとなり、磁気ヘ
ッドとの接触面積が大きすぎることになり、磁気記録媒
体の表面が削られやすくなってしまい、優れた走行耐久
性や所定の摩擦係数を維持することができなくなってし
まう。また、上記切片が１０ｎｍより小さいと、突起が
低くなるため、走行耐久性が不十分となる。そして、切
片が４０ｎｍを超えると、磁気ヘッドとのスペーシング
が増大し、電磁変換特性が低下してしまう。

【００６９】したがって、この磁気記録媒体は、金属薄
膜が成膜される側の主面に中心面からの高さ１０ｎｍ〜
４０ｎｍの微細突起３が１００〜２，０００万個／ｍｍ
²の密度で形成され、非磁性支持体１の微細突起３が形
成された側の主面のベアリングカーブが、上部１０ｎｍ
の範囲を最小二乗法により直線近似したとき、直線の傾
きが−０．３以下であり、切片が１０ｎｍ〜４０ｎｍで
あることにより磁気ヘッドとの接触状態を長期間に亘っ
て優れた状態に維持することができるため、走行耐久性
に優れ、また、電磁変換特性に優れたものとなる。

【００７０】更にこの磁気記録媒体において、非磁性支
持体１の一主面に形成された中心面からの高さ５０ｎｍ
〜１００ｎｍの粗大突起４の密度は、０．５〜１００万
個／ｍｍ²の範囲であることが好ましく、１〜１０万個
／ｍｍ²の範囲であればより好ましい。この磁気記録媒
体において、粗大突起４の密度が０．５万個／ｍｍ²未
満であると、磁気記録媒体の平面性が平滑すぎてしまう
ため走行性が悪化し、走行耐久性の低下やテープの鳴き
の原因となる。また、粗大突起４の密度が１００万個／
ｍｍ²を超えると、表面の粗さが大きくなりすぎてしま
い、磁気ヘッドとのスペーシングが増大し、電磁変換特
性が低下してしまう。

【００７１】したがって、非磁性支持体１の一主面に形
成され中心面からの高さ５０ｎｍ〜１００ｎｍの粗大突
起４の密度を上記範囲に規定することにより優れた走行
耐久性と電磁変換特性とを示すことになる。

【００７２】更にまた、この磁気記録媒体においては、
非磁性支持体１を長手方向（ＭＤ方向）及び幅方向（Ｔ
Ｄ方向）に延伸することによって、当該非磁性支持体１
の長手方向及び幅方向のヤング率を調節することが好ま
しい。具体的には、非磁性支持体１は、長手方向のヤン
グ率を１０００ｋｇ／ｍｍ²以上、幅方向のヤング率を
１３００ｋｇ／ｍｍ²以上となるように調節されること
が好ましい。このように、非磁性支持体１の長手方向の
ヤング率及び幅方向のヤング率を規定することによっ
て、磁気記録媒体の磁気ヘッドに対する当たりを良好に
することができる。

【００７３】更にまた、この磁気記録媒体において、非
磁性支持体１の厚みを薄くすることが好ましい。具体的
には、非磁性支持体３は、２．０〜５．０μｍの厚さで
あることが好ましい。非磁性支持体１の厚みが２．０μ
ｍ未満である場合には、磁気記録媒体の剛性が不十分と
なる虞がある。また、非磁性支持体１の厚みが５．０μ
ｍを超える場合には、磁気記録媒体全体としての厚みを
薄くすることが困難となり、長時間記録化に対応できな
い虞がある。このため、この磁気記録媒体において、非
磁性支持体１の厚みを上記の範囲内に規定した場合に
は、磁気記録媒体全体としての厚みを薄くすることが可
能となり、その結果、長時間記録化に対応させることが
できるとともに、優れた剛性を有するものとなる。

【００７４】また、この磁気記録媒体において、連続皮
膜を形成する場合は、連続被膜の厚さは１〜１００ｎｍ
の範囲であることが好ましく、５〜２０ｎｍの範囲であ
ることがより好ましい。連続被膜の厚さが１ｎｍ未満で
ある場合には、微細粒子が脱落してしまう虞がある。ま
た、連続被膜の厚さが１００ｎｍを超えるような場合に
は、表面粗さが粗くなり、ノイズの増加や電磁変換特性
の低下を引き起こす虞がある。このため、磁気記録媒体
において、連続被膜の厚さを上記の範囲に規定した場合
には、確実に微細突起３が形成されることとなるととも
に、優れた電磁変換特性を示すことができる。

【００７５】なお、上述した微細突起３あるいは粗大突
起４の密度は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（Digital I
nstruments社製）、及び、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）
（日本電子社製の超高分解能コールドＦＥ−ＳＥＭ「Ｓ
−９００」（商品名））を用い、加速電圧２〜２０ｋ
Ｖ、倍率５千〜３万倍の条件下で測定し、１ｍｍ²当た
りの個数として換算した。

【００７６】そして、非磁性支持体１のヤング率は、２
５℃、５５％ＲＨの条件下で、テンシロン型の引っ張り
試験機を使用して測定した。

【００７７】

【実施例】以下、上述した磁気記録媒体の具体的な実施
例及び比較例を記載し、本発明を更に具体的に説明す
る。本実施例における種々の物性値及び特性は以下に示
す方法により測定したものである。

【００７８】＜芳香族ポリアミドフィルムのヤング率の
測定＞芳香族ポリアミドフィルムのヤング率は、２５
℃、５５％ＲＨの条件下で、テンシロン型の引っ張り試
験機器を使用して測定した。

【００７９】＜微細突起の密度及びベアリングカーブ＞
非磁性支持体の金属磁性膜を形成する側の一主面表面
を、原子間力顕微鏡ＮａｎｏＳｃｐｏｅIII（Digital
Instruments社製）を用いて、測定範囲５μｍ×５μ
ｍ、加速電圧２０ｋＶ、倍率３万倍において測定したと
きの、中心面から１０ｎｍを超える突起を測定し、１ｍ
ｍ²当たりに換算して密度を求めた。また、このデータ
より微細突起により形成された表面のベアリングカーブ
を求めた。

【００８０】＜粗大突起の密度＞非磁性支持体の金属磁
性膜を形成する側の一主面表面を、超高分解能コールド
ＦＥ−ＳＥＭ「Ｓ−９００」（商品名、日本電子社製）
を用いて、測定範囲５μｍ×５μｍ、加速電圧２ｋＶ、
倍率５，０００倍において中心面から５０ｎｍを超える
突起を測定し、１ｍｍ²当たりに換算して密度を求め
た。

【００８１】＜ヤング率＞２５℃、５５％ＲＨの条件下
において、テンシロン型の引っ張り試験機を使用して測
定した。

【００８２】＜テープ特性＞実施例及び比較例における
磁気記録媒体の特性評価は、ソニー株式会社製のＡＩＴ
ドライブＳＤＸ−Ｓ３００Ｃ（商品名）を改造したもの
を用いて行った。記録は、相対速度１０．０４ｍ／ｓｅ
ｃ、最短記録波長０．３５μｍで行った。

【００８３】出力（電磁変換特性）市販のＡＩＴドライブの出力を０ｄＢとし、出力の相対
値を求めた。−１．０ｄＢ以上を許容とした。

【００８４】走行耐久性テープ長１０ｃｍの磁気テープにおいて記録と再生を繰
り返し行い、出力が得られなくなるまでの回数を測定し
た。５，０００回以上を許容とした。

【００８５】ブロックエラーレートテープ長１７０ｍの磁気テープを１００パス走行させ、
１パス走行後のブロックエラーレート及び１００パス走
行後のブロックエラーレートを測定した。１０^-2以下を
許容とした。

【００８６】実施例１まず、非磁性支持体を以下のようにして作製した。

【００８７】脱水したｎ−メチルピロリドンに、０．９
ｍｏｌ比に相当する２−クロル−ｐ−フェニレンジアミ
ンと、０．１ｍｏｌ比に相当する４，４−ジアミノフェ
ニルスルホンとを攪拌溶解させて冷却した。そして、そ
の中に、０．７ｍｏｌ比に相当するテレフタル酸クロラ
イドを添加して、約２時間攪拌して重合を完了した。そ
の後、十分精製した水酸化カルシウムで中和、攪拌し
て、芳香族ポリアミド溶液を得た。

【００８８】そして、この芳香族ポリアミド溶液を、３
０℃の状態で表面研磨した金属ドラム上に流延し、１２
０℃の熱風で約１０分間の加熱を行って溶媒を蒸発さ
せ、自己保持製を得たフィルムをベルトから連続的に剥
離した。

【００８９】次に、３０℃の水槽中に連続的に浸漬しな
がら、フィルム長手方向に１．１倍延伸を行った。更に
このフィルムをテンターに導入して、３２０℃でフィル
ムの幅方向に１．３倍延伸を行うことにより、フィルム
長手方向のヤング率が１０００ｋｇ／ｍｍ²、幅方向の
ヤング率が１３００ｋｇ／ｍｍ²、厚み４μｍの非磁性
支持体を得た。

【００９０】次に、下記の組成に準じて水溶性高分子皮
膜用塗料を調製した。

【００９１】＜水溶性高分子皮膜用塗料組成＞ＳｉＯ₂（粒径２０ｎｍ）０．００６重量部アクリルポリエステル樹脂（１．５重量％）８２重量部そして、調製された高分子皮膜用塗料を、非磁性支持体
の磁性層を形成する側の主面に１ｍ²当たり４．５ｇの
割合で塗布、乾燥することで高分子皮膜を形成した。

【００９２】次に、このようにして作製された非磁性支
持体を用いて、下記のような手法にて、磁気テープ原反
を作製した。

【００９３】すなわち、図３に示したような連続巻き取
り式の蒸着装置１１を、その内部が１０^-3（Ｐａ）程度
の真空状態となるように排気し、上記の非磁性支持体
を、この蒸着装置にセッティングした。そして、連続真
空斜め蒸着法により、微量の酸素存在下において、非磁
性支持体の一主面１ａ上にＣｏからなる金属磁性膜を形
成した。蒸着の入射角は、非磁性支持体の法線方向が９
０〜４５度までであり、非磁性支持体の走行速度が５０
ｍ／分で、金属磁性膜の厚さが１８０ｎｍとなるよう
に、電子ビームの強さを調節して作製した。

【００９４】次に、図４に示したようなマグネトロンス
パッタリング装置を、その内部が１０^-4（Ｐａ）程度に
なるまで減圧した後、Ａｒガスを導入し、０．８Ｐａ程
度にした。そして、このマグネトロンスパッタリング装
置に金属磁性膜が形成された非磁性支持体をセッティン
グし、−４０℃に冷却した冷却キャン上を５ｍ／分の速
度で走行させて金属磁性膜上に膜厚５ｎｍのカーボン保
護膜を形成した。

【００９５】次に、このカーボン保護膜に対して、有機
物防錆剤０．１重量％溶液をグラビアロールを使用した
塗布機にて塗布し、１００℃のドライヤーで乾燥させ
た。その後に、潤滑剤としてパーフルオロ・ポリエーテ
ル誘導体よりなる有機物を主体とした０．５重量％溶液
を同様にグラビアロールにて塗布乾燥させ、これをトッ
プコート層とした。

【００９６】次に、下記の組成に準じてバック塗料を調
製した。

【００９７】＜バック塗料組成＞カーボンブラック１００重量部ポリウレタン樹脂５０重量部エステルアクリレートオリゴマー２０重量部ジエチレングリコールジアクリレート２０重量部ブトキシエチルアクリレート２０重量部メチルエチルケトン８０％、トルエン２０％３００重量部そして、調製されたバック塗料を、非磁性支持体の金属
磁性膜が成膜された面とは反対側の面に塗布、乾燥する
ことで厚さ０．５μｍのバックコート層を形成した。

【００９８】このようにして非磁性支持体上に金属磁性
膜、バックコート層が形成されてなるテープ原反を、８
ｍｍ幅にスリットした後にカセット本体に収納してカセ
ットテープを作製した。

【００９９】実施例２実施例２では、高分子皮膜用塗料の組成を下記の組成に
準じたこと以外は、実施例１と同様にしてカセットテー
プを作製した。

【０１００】＜水溶性高分子皮膜用塗料組成＞ＳｉＯ₂（粒径２０ｎｍ）０．０１２重量部アクリルポリエステル樹脂（１．５重量％）８２重量部実施例３実施例３では、高分子皮膜用塗料の組成を下記の組成に
準じたこと以外は、実施例１と同様にしてカセットテー
プを作製した。

【０１０１】＜水溶性高分子皮膜用塗料組成＞ＳｉＯ₂（粒径２０ｎｍ）０．０４０重量部アクリルポリエステル樹脂（１．５重量％）８２重量部実施例４実施例４では、高分子皮膜用塗料の組成を下記の組成に
準じたこと以外は、実施例１と同様にしてカセットテー
プを作製した。

【０１０２】＜水溶性高分子皮膜用塗料組成＞ＳｉＯ₂（粒径２０ｎｍ）０．００８重量部アクリルポリエステル樹脂（１．５重量％）８２重量部実施例５実施例５では、高分子皮膜用塗料の組成を下記の組成に
準じたこと以外は、実施例１と同様にしてカセットテー
プを作製した。

【０１０３】＜水溶性高分子皮膜用塗料組成＞ＳｉＯ₂（粒径２０ｎｍ）０．０４０重量部アクリルポリエステル樹脂（１．５重量％）８２重量部実施例６実施例６では、非磁性支持体中に添加する粒子として、
非磁性支持体に原料となる芳香族ポリアミド樹脂と同種
のものであり、芳香族ポリアミド溶液を調製する際に溶
媒に溶けないポリアミド系の有機物を使用したこと以外
は、実施例１と同様にしてカセットテープを作製した。

【０１０４】実施例７実施例７では、非磁性支持体中に添加する粒子として、
非磁性支持体に原料となる芳香族ポリアミド樹脂と同種
のものであり、芳香族ポリアミド溶液を調製する際に溶
媒に溶けない有機物であり、硬度が実施例６で使用した
有機物の１．５倍であるものを使用したこと以外は、実
施例１と同様にしてカセットテープを作製した。

【０１０５】実施例８実施例８では、非磁性支持体作製時の延伸条件を変更
し、フィルム長手方向に１．１５倍、幅方向に１．６倍
延伸を行うことにより、フィルム長手方向のヤング率を
１２００ｋｇ／ｍｍ²、幅方向のヤング率を１６００ｋ
ｇ／ｍｍ²としたこと以外は、実施例１と同様にしてカ
セットテープを作製した。

【０１０６】比較例１比較例１では、高分子皮膜用塗料の組成を下記の組成に
準じたこと以外は、実施例１と同様にしてカセットテー
プを作製した。

【０１０７】＜水溶性高分子皮膜用塗料組成＞ＳｉＯ₂（粒径３０ｎｍ）０．０００４重量部アクリルポリエステル樹脂（１．５重量％）８２重量部比較例２比較例２では、高分子皮膜用塗料の組成を下記の組成に
準じたこと以外は、実施例１と同様にしてカセットテー
プを作製した。

【０１０８】＜水溶性高分子皮膜用塗料組成＞ＳｉＯ₂（粒径２０ｎｍ）０．０４０重量部アクリルポリエステル樹脂（１．５重量％）８２重量部比較例３比較例３では、高分子皮膜用塗料の組成を下記の組成に
準じたこと以外は、実施例１と同様にしてカセットテー
プを作製した。

【０１０９】＜水溶性高分子皮膜用塗料組成＞ＳｉＯ₂（粒径２０ｎｍ）０．０４０重量部アクリルポリエステル樹脂（１．５重量％）８２重量部比較例４比較例４では、高分子皮膜用塗料の組成を下記の組成に
準じたこと以外は、実施例１と同様にしてカセットテー
プを作製した。

【０１１０】＜水溶性高分子皮膜用塗料組成＞ＳｉＯ₂（粒径２０ｎｍ）０．０２０重量部アクリルポリエステル樹脂（１．５重量％）８２重量部比較例５比較例５では、高分子皮膜用塗料の組成を下記の組成に
準じたこと以外は、実施例１と同様にしてカセットテー
プを作製した。

【０１１１】＜水溶性高分子皮膜用塗料組成＞ＳｉＯ₂（粒径２０ｎｍ）０．０４０重量部アクリルポリエステル樹脂（１．５重量％）８２重量部比較例６比較例６では、非磁性支持体中に添加する粒子として、
非磁性支持体に原料となる芳香族ポリアミド樹脂と同種
のものであり、芳香族ポリアミド溶液を調製する際に溶
媒に溶けないポリアミド系の有機物を使用したこと以外
は、比較例３と同様にしてカセットテープを作製した。

【０１１２】比較例７比較例７では、非磁性支持体中に添加する粒子として、
非磁性支持体に原料となる芳香族ポリアミド樹脂と同種
のものであり、芳香族ポリアミド溶液を調製する際に溶
媒に溶けない有機物であり、硬度が実施例６で使用した
有機物の１／１０倍であるものを使用したこと以外は、
実施例１と同様にしてカセットテープを作製した。

【０１１３】比較例８比較例８では、非磁性支持体作製時の延伸条件を変更
し、フィルム長手方向に０．９倍、幅方向に１．１倍延
伸を行うことにより、フィルム長手方向のヤング率を９
００ｋｇ／ｍｍ²、幅方向のヤング率を９００ｋｇ／ｍ
ｍ²としたこと以外は、実施例１と同様にしてカセット
テープを作製した。

【０１１４】特性評価上述したような実施例１乃至実施例８と比較例１乃至比
較例８に関して、上述したような物性の評価及び特性の
評価を行った。その結果を表１に示す。

【０１１５】

【表１】

【０１１６】表１より、非磁性支持体１に、厚みが２．
５〜５．０μｍで、縦方向のヤング率が１０００ｋｇ／
ｍｍ²以上、幅方向のヤング率が１３００ｋｇ／ｍｍ²以
上の芳香族ポリアミドフィルムを用い、磁性層２を形成
する面には中心面からの高さ１０ｎｍ〜４０ｎｍの微細
突起３が１００〜２，０００万個／ｍｍ²の範囲で形成
され、中心線からの高さ５０ｎｍ〜１００ｎｍの粗大突
起４が０．１〜１００万個／ｍｍ²の範囲で形成され、
更に微細突起３による表面のベアリングカーブの上部１
０ｎｍの範囲を直線近似したときの傾きが−０．３以
下、切片が１０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲にある実施例１乃
至８に関しては、電磁変換特性は、−０．４ｄＢ以上で
あり、走行耐久性は、全てにおいて５，０００回以上で
あり、また、ブロックエラーレートも低く抑えられてい
る。

【０１１７】一方、比較例１においては、微細突起３の
密度が低いため、出力は良好であるが、走行耐久性は低
下しており、ブロックエラーレートの増加も著しい。

【０１１８】比較例２においては、ベアリングカーブの
上部１０ｎｍの範囲を近似した直線の傾きが−０．３よ
りも大きくなっており、微細突起３の形状がブロードで
あることから磁気ヘッドとの接触面積が増加しており、
磁性層２の表面が削られやすく、走行耐久性は不十分で
ある。また、ブロックエラーレートの増加も著しい。

【０１１９】比較例３においては、ベアリングカーブの
上部１０ｎｍの範囲を近似した直線の切片が４０ｎｍよ
りも大きくなっており、磁気ヘッドとのスペーシングが
増加し、出力が低下している。

【０１２０】比較例４においては、微細突起３の密度が
高すぎるため、磁性層２の表面の状態の荒れが著しくな
り、また、磁気ヘッドとの接触面積が増加するため磁性
層２の表面が削られやすく、出力及び走行耐久性とも低
下している。

【０１２１】比較例５においては、突起の密度が高いた
めスペーシングが増加し、出力が低下している。

【０１２２】比較例６においては、非磁性支持体１中に
添加する粒子として、非磁性支持体１の原料となる芳香
族ポリアミド樹脂と同種のものであり、芳香族ポリアミ
ド溶液を調製する際に溶媒に溶けない有機物を使用した
ことにより、ベアリングカーブの上部１０ｎｍの範囲を
近似した直線の傾きが−０．３よりも大きくなってい
る。したがって突起形状はブロードになっており、その
ため、磁気ヘッドとの接触面積が大きくなり、走行耐久
性が低下し、また、テープ表面の削れによる粉落ちなど
が原因となってブロックエラーレートの増加も著しくな
っている。

【０１２３】比較例７においては、非磁性支持体１中に
添加する粒子として、非磁性支持体１に原料となる芳香
族ポリアミド樹脂と同種のものであり、芳香族ポリアミ
ド溶液を調製する際に溶媒に溶けない硬度の低い有機物
を使用したことにより、ベアリングカーブの上部１０ｎ
ｍの範囲を近似した直線の傾きが−０．３よりも大きく
なっている。したがって突起形状はブロードになってお
り、そのため、磁気ヘッドとの接触面積が大きくなり、
走行耐久性が低下し、また、テープ表面の削れによる粉
落ちなどが原因となってブロックエラーレートの増加も
著しくなっている。

【０１２４】比較例８においては、フィルムの長手方向
のヤング率を９００ｋｇ／ｍｍ²、幅方向のヤング率を
９００ｋｇ／ｍｍ²としたが、長手方向及び幅方向とも
ヤング率が小さすぎるため、磁気ヘッドとの接触が不十
分となり、出力、走行耐久性及びブロックエラーレート
全てにおいて良好な結果を得られていない。

【０１２５】以上のことから、実施例１乃至実施例８に
示したように、非磁性支持体１に厚みが２．５〜５．０
μｍで、縦方向のヤング率が１０００ｋｇ／ｍｍ²以
上、幅方向のヤング率が１３００ｋｇ／ｍｍ²以上の芳
香族ポリアミドフィルムを用い、磁性層２を形成する面
には中心面からの高さ１０ｎｍ〜４０ｎｍの微細突起３
が１００〜２，０００万個／ｍｍ²の範囲で形成され、
中心線からの高さ５０ｎｍ〜１００ｎｍの粗大突起４が
０．１〜１００万個／ｍｍ²の範囲で形成され、更に微
細突起３による表面のベアリングカーブの上部１０ｎｍ
の範囲を直線近似したときの傾きが−０．３以下、切片
が１０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲とすることにより、良好な
電磁変換特性と高い走行耐久性とを兼ね備えた磁気記録
媒体を得ることが可能となった。

【０１２６】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る磁気記録媒体は、非磁性支持体において少なくとも
上記金属薄膜が成膜される側の主面の、中心面からの高
さ１０ｎｍ〜４０ｎｍの微細突起の密度、及び、非磁性
支持体の微細突起が形成された側の主面のベアリングカ
ーブにおいて、上部１０ｎｍの範囲を最小二乗法により
直線近似したときの直線の傾きと切片とが所定の範囲に
規定されている。

【０１２７】このため、この磁気記録媒体は、良好な電
磁変換特性と走行耐久性とを両立させることができ、エ
ラーレートを低く抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気記録媒体の一例を示す要部の
概略断面図である。

【図２】非磁性支持体の主表面の断面形状の性質を表す
ベアリングカーブを説明する図である。

【図３】強磁性金属薄膜を形成する連続巻き取り式真空
蒸着装置の構成図である。

【図４】カーボン保護膜を形成する際に用いられるマグ
ネトロンスパッタ装置の概略構成図である。

【符号の説明】

１非磁性支持体上、２磁性層、３微細突起、４
粗大突起

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体の一主面上に、少なくとも
金属薄膜からなる磁性層が成膜されてなる磁気記録媒体
において、上記非磁性支持体は、少なくとも上記金属薄膜が成膜さ
れる側の主面に中心面からの高さ１０ｎｍ〜４０ｎｍの
微細突起が１００〜２，０００万個／ｍｍ²の密度で形
成されてなり、上記非磁性支持体の上記微細突起が形成された側の主面
のベアリングカーブが、上部１０ｎｍの範囲を最小二乗
法により直線近似したとき、直線の傾きが−０．３以下
であり、切片が１０ｎｍ〜４０ｎｍであることを特徴と
する磁気記録媒体。
【請求項２】上記非磁性支持体の上記金属薄膜が成膜
される側の一方の主面に、中心面からの高さ５０ｎｍ〜
１００ｎｍの粗大突起が０．５〜１００万個／ｍｍ²の
密度で形成されることを特徴とする請求項１記載の磁気
記録媒体。
【請求項３】上記非磁性支持体は、芳香族ポリアミド
フィルムと、この芳香族ポリアミドフィルム上に形成さ
れ、微細粒子を含有する連続被膜とを有することを特徴
とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】上記芳香族ポリアミドフィルムは、長手
方向のヤング率が１０００ｋｇ／ｍｍ²以上、幅方向の
ヤング率が１３００ｋｇ／ｍｍ²以上であることを特徴
とする請求項３記載の磁気記録媒体。