JPS6329330B2 - - Google Patents
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- JPS6329330B2 JPS6329330B2 JP10830679A JP10830679A JPS6329330B2 JP S6329330 B2 JPS6329330 B2 JP S6329330B2 JP 10830679 A JP10830679 A JP 10830679A JP 10830679 A JP10830679 A JP 10830679A JP S6329330 B2 JPS6329330 B2 JP S6329330B2
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は強磁性金属薄膜型磁気記録媒体に関
し、さらに詳しくは、磁気特性および耐擦傷性に
優れ、かつ強磁性金属薄膜層の高分子成形物から
なる基体に対する接着性が改善された強磁性金属
薄膜型磁気記録媒体に関する。 〔従来の技術〕 近年、磁気記録の高密度化に対応して、ポリエ
ステル、ポリイミド、ポリアミド等の高分子成形
物からなるベースフイルム上に、強磁性金属また
はその合金或いはこれらの金属を含む化合物から
なる強磁性金属薄膜層を蒸着等によつて被着形成
した強磁性金属薄膜型磁気記録媒体が開発されて
いる。この種の磁気記録媒体は、従来の磁性粉末
を有機バインダー中に分散して塗布する塗布型磁
気記録媒体に比べ高密度記録に適した特性を有す
るが、高分子成形物からなるベースフイルムが結
晶質部分と無定形部分とからなる微細な結晶性組
織を有し本質的に不均一である上に、延伸などの
機械的処理による配向組織や、表面の平滑性を調
節するための充填粒子の存在、さらに汚染物質の
吸着などによつて表面がさらに不均一になり、こ
のベースフイルム表面の不均一性が原因となつて
この上に蒸着等によつて被着形成される強磁性金
属薄膜層が不均一になり易く、このためノイズが
高くなり、又出力変動も大きくなつて所望の磁気
特性を有する強磁性金属薄膜層が得られにくい難
点がある。又ベースフイルムが無極性高分子であ
る場合や低分子量の汚染物質がベースフイルム表
面に吸着されている場合、ベースフイルムと強磁
性金属薄膜層との接着力が弱く、このため強磁性
金属薄膜層が高分子成形物からなるベースフイル
ムから剥離し易く、耐擦傷性等の機械的性質も劣
る。 そこで、このような欠点を克服する手段として
強磁性金属薄膜層の下に非磁性金属又はその酸化
物からなる一層の下地膜層を介在させることが提
案されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、金属からなる下地膜層では磁気特性
が改善されるものの高分子成形物からなる基体と
の接着性を充分に改善し得ず、金属酸化物からな
る下地膜層では基体との接着性に優れる反面下地
膜層表面が荒れ易く、充分に満足できる磁気特性
が得られない。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明者らはかかる問題を解決するため種々
検討を行つた結果、高分子成形物からなる基体と
強磁性金属薄膜層との間に介在させる下地膜層を
二層構造にし、下層となる第１の下地膜層を酸化
チタン、酸化銀、酸化アルミニウム、酸化ケイ
素、酸化ビスマスからから選ばれる少なくとも１
種以上の酸化物で形成し、上層となる第２の下地
膜層をチタン、銀、アルミニウム、ビスマスから
から選ばれる少なくとも１種以上の元素で形成す
ると、基体との接着性が改善されるはかりでな
く、磁気特性および耐擦傷性に優れた強磁性金属
薄膜層を有する磁気記録媒体が得られ、特に第１
の下地膜層を第２の下地膜層を形成する元素と同
じ元素の酸化物で形成すると、この効果が著しい
ことをみいだし、この発明をなすに至つた。 この発明によれば、高分子成形物からなる基体
と接する第１の下地膜層を、酸化によつて活性化
された前記酸化物で形成しているため、これらの
酸化物がたとえばポリエステルベースフイルムの
OH基等と反応して高分子成形物からなる基体に
対して良好な接着性を示し、また、強磁性金属薄
膜層と接する第２の下地膜層は結晶成長が均一な
前記元素で形成されているため、平滑性のよい緻
密な第２の下地膜層が形成される。このためこの
第２の下地膜層上には均一でかつ平滑性に優れた
強磁性金属薄膜層が形成されて磁気特性も改善さ
れ、又耐擦傷性も改善される。特に第１の下地膜
層を第２の下地膜層を形成する元素と同じ元素の
酸化物で形成すると第１の下地膜層と第２の下地
膜層とのなじみがよく、このため特に第２の下地
膜層が均一に成長し、欠陥の少ない下地膜層とな
るため基体との接着性、磁気特性および耐擦傷性
は一段と優れたものになる。 この発明において、高分子形成物からなる基体
への各下地膜層および強磁性金属薄膜層の形成
は、真空蒸着、イオンプレーテイング、スパツタ
リング、メツキ等の手段によつて行なわれ、基体
としてはポリエステル、ポリイミド、ポリアミド
等一般に使用されている高分子成形物からなるベ
ースフイルムが使用される。 下層となる第１の下地膜層の成形材料として
は、TiO、Ti2O3、TiO2等の酸化チタン、酸化銀
（AgO）、酸化アルミニウム（Al2O3）、SiO、
SiO2等の酸化ケイ素、酸化ビスマス（Bi2O3）等
の酸化物が好適なものとして使用され、これらは
単独で又は併用して使用される。これらの酸化物
は酸化によつて活性化され、高分子成形物からな
る基体と反応するため基体との接着性に優れ、こ
の下地膜層の直上に形成される第２の下地膜層に
対しても良好な接着性を示す。 上層となる第２の下地膜層の形成材料として
は、チタン、銀、アルミニウム、ビスマス等の元
素が好適なものとして使用され、これらは単独で
あるいは併用して使用される。これらの元素は結
晶成長が均一であるため平滑性のよい緻密な下地
膜層が形成され、従つてこの上に形成される強磁
性金属薄膜層は均一かつ平滑性に優れたものとな
り、磁気特性が改善される。 第１の下地膜層および第２の下地膜層の全層厚
は、充分な下地膜効果を発揮し、かつ基体と下地
膜層との熱膨張係数の相違にもとづく下地膜層の
微細な割れや熱変形を防止するため200〜2000Å
の範囲にするのが適当で400〜700Åの範囲にする
のがより好ましい。 強磁性金属薄膜層を形成する磁性材としては、
コバルト、ニツケル、鉄などの金属単体の他、コ
バルト―ニツケル、コバルト―鉄、コバルト―ク
ロム、コバルト―ニツケル―クロムなどの合金あ
るいは酸化物、およびCo―Ｐ、Co―Ni―Ｐなど
が好適なもとして使用される。 〔実施例〕 次に、この発明の実施例について説明する。 実施例 １〜３ 約6μ厚のポリエステルベースフイルムに表面
処理（Arガス、ボンバード処理）を施した後、
これを真空蒸着装置に装填し、下記第１表に示す
第１蒸着物をそれぞれの条件で蒸発させて第１の
下地膜層を形成し、次いで同表に示す第２蒸着物
をそれぞれの条件で蒸発させて第２の下地膜層を
形成した。
し、さらに詳しくは、磁気特性および耐擦傷性に
優れ、かつ強磁性金属薄膜層の高分子成形物から
なる基体に対する接着性が改善された強磁性金属
薄膜型磁気記録媒体に関する。 〔従来の技術〕 近年、磁気記録の高密度化に対応して、ポリエ
ステル、ポリイミド、ポリアミド等の高分子成形
物からなるベースフイルム上に、強磁性金属また
はその合金或いはこれらの金属を含む化合物から
なる強磁性金属薄膜層を蒸着等によつて被着形成
した強磁性金属薄膜型磁気記録媒体が開発されて
いる。この種の磁気記録媒体は、従来の磁性粉末
を有機バインダー中に分散して塗布する塗布型磁
気記録媒体に比べ高密度記録に適した特性を有す
るが、高分子成形物からなるベースフイルムが結
晶質部分と無定形部分とからなる微細な結晶性組
織を有し本質的に不均一である上に、延伸などの
機械的処理による配向組織や、表面の平滑性を調
節するための充填粒子の存在、さらに汚染物質の
吸着などによつて表面がさらに不均一になり、こ
のベースフイルム表面の不均一性が原因となつて
この上に蒸着等によつて被着形成される強磁性金
属薄膜層が不均一になり易く、このためノイズが
高くなり、又出力変動も大きくなつて所望の磁気
特性を有する強磁性金属薄膜層が得られにくい難
点がある。又ベースフイルムが無極性高分子であ
る場合や低分子量の汚染物質がベースフイルム表
面に吸着されている場合、ベースフイルムと強磁
性金属薄膜層との接着力が弱く、このため強磁性
金属薄膜層が高分子成形物からなるベースフイル
ムから剥離し易く、耐擦傷性等の機械的性質も劣
る。 そこで、このような欠点を克服する手段として
強磁性金属薄膜層の下に非磁性金属又はその酸化
物からなる一層の下地膜層を介在させることが提
案されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、金属からなる下地膜層では磁気特性
が改善されるものの高分子成形物からなる基体と
の接着性を充分に改善し得ず、金属酸化物からな
る下地膜層では基体との接着性に優れる反面下地
膜層表面が荒れ易く、充分に満足できる磁気特性
が得られない。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明者らはかかる問題を解決するため種々
検討を行つた結果、高分子成形物からなる基体と
強磁性金属薄膜層との間に介在させる下地膜層を
二層構造にし、下層となる第１の下地膜層を酸化
チタン、酸化銀、酸化アルミニウム、酸化ケイ
素、酸化ビスマスからから選ばれる少なくとも１
種以上の酸化物で形成し、上層となる第２の下地
膜層をチタン、銀、アルミニウム、ビスマスから
から選ばれる少なくとも１種以上の元素で形成す
ると、基体との接着性が改善されるはかりでな
く、磁気特性および耐擦傷性に優れた強磁性金属
薄膜層を有する磁気記録媒体が得られ、特に第１
の下地膜層を第２の下地膜層を形成する元素と同
じ元素の酸化物で形成すると、この効果が著しい
ことをみいだし、この発明をなすに至つた。 この発明によれば、高分子成形物からなる基体
と接する第１の下地膜層を、酸化によつて活性化
された前記酸化物で形成しているため、これらの
酸化物がたとえばポリエステルベースフイルムの
OH基等と反応して高分子成形物からなる基体に
対して良好な接着性を示し、また、強磁性金属薄
膜層と接する第２の下地膜層は結晶成長が均一な
前記元素で形成されているため、平滑性のよい緻
密な第２の下地膜層が形成される。このためこの
第２の下地膜層上には均一でかつ平滑性に優れた
強磁性金属薄膜層が形成されて磁気特性も改善さ
れ、又耐擦傷性も改善される。特に第１の下地膜
層を第２の下地膜層を形成する元素と同じ元素の
酸化物で形成すると第１の下地膜層と第２の下地
膜層とのなじみがよく、このため特に第２の下地
膜層が均一に成長し、欠陥の少ない下地膜層とな
るため基体との接着性、磁気特性および耐擦傷性
は一段と優れたものになる。 この発明において、高分子形成物からなる基体
への各下地膜層および強磁性金属薄膜層の形成
は、真空蒸着、イオンプレーテイング、スパツタ
リング、メツキ等の手段によつて行なわれ、基体
としてはポリエステル、ポリイミド、ポリアミド
等一般に使用されている高分子成形物からなるベ
ースフイルムが使用される。 下層となる第１の下地膜層の成形材料として
は、TiO、Ti2O3、TiO2等の酸化チタン、酸化銀
（AgO）、酸化アルミニウム（Al2O3）、SiO、
SiO2等の酸化ケイ素、酸化ビスマス（Bi2O3）等
の酸化物が好適なものとして使用され、これらは
単独で又は併用して使用される。これらの酸化物
は酸化によつて活性化され、高分子成形物からな
る基体と反応するため基体との接着性に優れ、こ
の下地膜層の直上に形成される第２の下地膜層に
対しても良好な接着性を示す。 上層となる第２の下地膜層の形成材料として
は、チタン、銀、アルミニウム、ビスマス等の元
素が好適なものとして使用され、これらは単独で
あるいは併用して使用される。これらの元素は結
晶成長が均一であるため平滑性のよい緻密な下地
膜層が形成され、従つてこの上に形成される強磁
性金属薄膜層は均一かつ平滑性に優れたものとな
り、磁気特性が改善される。 第１の下地膜層および第２の下地膜層の全層厚
は、充分な下地膜効果を発揮し、かつ基体と下地
膜層との熱膨張係数の相違にもとづく下地膜層の
微細な割れや熱変形を防止するため200〜2000Å
の範囲にするのが適当で400〜700Åの範囲にする
のがより好ましい。 強磁性金属薄膜層を形成する磁性材としては、
コバルト、ニツケル、鉄などの金属単体の他、コ
バルト―ニツケル、コバルト―鉄、コバルト―ク
ロム、コバルト―ニツケル―クロムなどの合金あ
るいは酸化物、およびCo―Ｐ、Co―Ni―Ｐなど
が好適なもとして使用される。 〔実施例〕 次に、この発明の実施例について説明する。 実施例 １〜３ 約6μ厚のポリエステルベースフイルムに表面
処理（Arガス、ボンバード処理）を施した後、
これを真空蒸着装置に装填し、下記第１表に示す
第１蒸着物をそれぞれの条件で蒸発させて第１の
下地膜層を形成し、次いで同表に示す第２蒸着物
をそれぞれの条件で蒸発させて第２の下地膜層を
形成した。
【表】
次に、この二層構造の下地膜層を形成したベー
スフイルム上に酸素圧５×10-4トールの残留ガス
圧の下で、コバルト金属を2000Åの膜厚になるよ
うに蒸着して強磁性金属薄膜層を形成した。コバ
ルト金属の蒸着はコバルト金属の蒸気の入射方向
とベースフイルムの法線方向とのなす角（入射
角）が45℃以上となるように蒸着装置内に防着板
を設けて連続斜め入射蒸着を行なつた。次いで、
これを所定の巾に裁断して磁気テープをつくつ
た。 比較例 １〜６ 実施例において、第２蒸着物あるいは第１蒸着
物の蒸着を省いて下地膜層を一層にし、下記第２
表に示す蒸着物を用いて膜厚が500Åとなるよう
に蒸着し、一層の下地膜層を形成した以外は実施
例と同様にして磁気テープをつくつた。
スフイルム上に酸素圧５×10-4トールの残留ガス
圧の下で、コバルト金属を2000Åの膜厚になるよ
うに蒸着して強磁性金属薄膜層を形成した。コバ
ルト金属の蒸着はコバルト金属の蒸気の入射方向
とベースフイルムの法線方向とのなす角（入射
角）が45℃以上となるように蒸着装置内に防着板
を設けて連続斜め入射蒸着を行なつた。次いで、
これを所定の巾に裁断して磁気テープをつくつ
た。 比較例 １〜６ 実施例において、第２蒸着物あるいは第１蒸着
物の蒸着を省いて下地膜層を一層にし、下記第２
表に示す蒸着物を用いて膜厚が500Åとなるよう
に蒸着し、一層の下地膜層を形成した以外は実施
例と同様にして磁気テープをつくつた。
【表】
各実施例および各比較例で得られた磁気テープ
について保磁力（Hc）および角型（Br／Bm）
を測定し、接着力および耐擦傷性を試験した。接
着力はセロテープ剥離試験及びダイヤモンド描画
試験によつて行ない、耐擦傷性は脱脂面による擦
傷によつて行なつた。 下記第３表はその結果である。
について保磁力（Hc）および角型（Br／Bm）
を測定し、接着力および耐擦傷性を試験した。接
着力はセロテープ剥離試験及びダイヤモンド描画
試験によつて行ない、耐擦傷性は脱脂面による擦
傷によつて行なつた。 下記第３表はその結果である。
上記第３表から明らかなように、この発明によ
つて得られた磁気テープ（実施例１〜３）は一層
の下地層を形成して得られた磁気テープ（比較例
１〜６）に比し、いずれも保磁力が大きく、角型
も高くて磁気特性に優れていることがわかる。又
接着力及び耐擦傷性も従来の磁気テープに比しい
ずれも良好で、このことから接着性及び耐擦傷に
も優れていることがわかる。
つて得られた磁気テープ（実施例１〜３）は一層
の下地層を形成して得られた磁気テープ（比較例
１〜６）に比し、いずれも保磁力が大きく、角型
も高くて磁気特性に優れていることがわかる。又
接着力及び耐擦傷性も従来の磁気テープに比しい
ずれも良好で、このことから接着性及び耐擦傷に
も優れていることがわかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高分子成形物からなる基体の表面に、酸化チ
タン、酸化銀、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、
酸化ビスマスからから選ばれる少なくとも１種以
上の酸化物で第１の下地膜層を形成し、この第１
の下地膜層上にチタン、銀、アルミニウム、ビス
マスから選ばれる少なくとも１種以上の元素で第
２の下地膜層を形成し、さらにこの第２の下地膜
層上に強磁性金属薄膜層を形成したことを特徴と
する磁気記録媒体。 ２ 第１の下地膜層を、第２の下地膜層を形成す
る元素と同じ元素の酸化物で形成してなる特許請
求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10830679A JPS5634142A (en) | 1979-08-25 | 1979-08-25 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10830679A JPS5634142A (en) | 1979-08-25 | 1979-08-25 | Magnetic recording medium |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19781986A Division JPS6292115A (ja) | 1986-08-23 | 1986-08-23 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5634142A JPS5634142A (en) | 1981-04-06 |
| JPS6329330B2 true JPS6329330B2 (ja) | 1988-06-13 |
Family
ID=14481349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10830679A Granted JPS5634142A (en) | 1979-08-25 | 1979-08-25 | Magnetic recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5634142A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11550186B2 (en) | 2018-05-24 | 2023-01-10 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Encapsulant sheet for self-luminous display or encapsulant sheet for direct backlight, self-luminous display, and direct backlight |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1188796A (en) * | 1981-04-14 | 1985-06-11 | Kenji Yazawa | Magnetic recording medium |
| JPS5877025A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS58137839A (ja) * | 1982-02-12 | 1983-08-16 | Toshiba Corp | 半導体用マスクの製造方法 |
| JPS5930230A (ja) * | 1982-08-12 | 1984-02-17 | Sony Corp | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
| JPH0758539B2 (ja) * | 1986-06-12 | 1995-06-21 | 住友特殊金属株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH07101502B2 (ja) * | 1986-06-12 | 1995-11-01 | 住友特殊金属株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US4786564A (en) * | 1987-02-25 | 1988-11-22 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a magnetic disk having reduced bit shift, minimized noise, increased resolution and uniform magnetic characteristics, and the resulting disk |
| JPH0199615A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-18 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 電気透析装置 |
-
1979
- 1979-08-25 JP JP10830679A patent/JPS5634142A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11550186B2 (en) | 2018-05-24 | 2023-01-10 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Encapsulant sheet for self-luminous display or encapsulant sheet for direct backlight, self-luminous display, and direct backlight |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5634142A (en) | 1981-04-06 |
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