JPS63193322A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、垂直磁気記録方式に適した磁気記録媒体に関
する。

（従来の技術〕 垂直磁気記録方式は、記録媒体の膜面に垂直方向に記録
を行なうものであり、高密度記録の際の各ビット内の反
磁界が小さいため記録密度を上げるのに適した方式であ
る。この目的のために使用される磁気記録媒体としては
、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃ。

−Ｖ　、　Ｃｏ　−Ｍ　ｏ　、　Ｃｏ　−Ｗ　、　Ｃｏ
　−Ｒｅ　、　Ｇ　。

−Ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｕ。

Ｃｏ−Ｎｉ−０，Ｃｏ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ膜など
のＣｏ基合金膜がある。これらＣＯ基合金は最密六方格
子（ｈｅＱｅＰ）構造をもち、薄膜を構成する微結晶粒
がＣ軸配向し易いという特長がある。磁気記録特性を上
げるには、これら薄膜のＣ軸配向塵を上げることが必要
である。

現在主として、フロッピディスクや磁気テープとして用
いられている垂直磁気記録媒体は、ポリイミド、ポリエ
チレンテレフタレートなどの高分子フィルム類、あるい
はＡｎ、ガラス板などの非磁性基板上に前記Ｃｏ基合金
膜を付着せしめたものである。スパッタ法や真空蒸着法
により、非磁性基板上に直接形成せしめたＣｏ基合金薄
膜のＣ軸配向塵（八〇ｓｏ）は、８〜１０度程度であり
。

高密度磁気記録用媒体としては不適当である。上記の磁
性層であるＣｏ基合金薄膜のＣ軸配向塵を向上させるに
は、特に磁性薄膜の初期の結晶核の形成段階を制御する
ことが重要である。この目的から、非磁性基板上にＴｉ
を蒸着し、その上に磁性層を設ける方法を提案されてい
る（特開昭５８−７７０２５号公報）、この方法により
Ｃ軸配向塵として、Δθａｏ＝６〜８度程度のＣｏ基合
金薄膜が得られた。さらに高密度の磁気記録を達成する
ためには、Ｃ軸配向塵をさらに改善する必要がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、垂
直磁気記録用媒体の垂直磁化膜として基板上に形成させ
るＣｏ基合金薄膜のＣ軸配向塵を向上し、高密度磁気記
録に好適な垂直磁気記録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、以下に示す知見に基づいて完成されたもので
ある。すなわち、最密六方格子構造（以下ｈｏｐ構造と
いう）のＣｏは、そのＣ軸方向に大きな結晶磁気異方性
を有し、これにＣｒ、Ｖ。

ＭＯなどの元素を添加して非磁性基板上にＣｏ基合金薄
膜を形成すれば、Ｃ軸を膜面に垂直方向に配向させた垂
直磁化膜が得られる。このＣｏ基合金薄膜の成長は、そ
の簿膜を付着させる基板の表面状態によって大きく左右
される。いま、非磁性基板上に形成させたＣｏ基合金薄
膜の成長過程をＸｓ回折と電子顕微ｆｎ観察により調べ
ると、ｗｔｇの初期成長段階においては、微結晶の集合
体からなっており、Ｃ軸配向塵も悪い、薄膜が成長して
膜厚が増加するにしたがって、ｈａｐ構造のＣ軸が膜面
に垂直に配向した柱状結晶となる。高密度の磁気記録用
媒体としては、薄膜の初期成長段階からＣｏ基合金膜の
Ｃ軸を高配化させることが必要である。薄膜成長の初期
からＣｏ基合金薄膜のＣ軸配向塵を制御する方法として
、基板とＣｏ基合金薄膜の間にＣｏ基合金の結晶核の制
御棒を形成することが考えられる。

本発明者らは、Ｃｏ基合金薄膜の結晶核のＣ軸配向塵の
制御性を向上させるためには、基板の表面状態を制御す
る必要があると考え、プラスチツ、りやガラス、Ａｎな
との非磁性基板の表面に、Ｓｉ、Ｃｏ、Ｓｎの少なくと
も一元素とＣｏ基合金からなる磁性材料との化合物から
なる非常に薄い薄膜の上にＣｏ基合金膜を形成すること
により、Ｃｏ基合金磁性薄膜のＣ軸配向塵が向上するこ
とを見出した＊　Ｓ　ｉｇ　Ｇ　ｅ　ｔ　Ｓ　ｎとＣｏ
基合金化合物からなる前記配向性制御層についてＸ線回
折法で結晶構造を調べた結果１、いずれも非晶質的であ
ったＳＣＯ基合金膜としては、Ｃｏ　−Ｃｒ合金の他に
、ｃｏ−ｖ、ｃｏ−ＭＯ９ｃｏ−Ｗ、ｃｏ−Ｒｕ、Ｃｏ
−Ｒｅ、Ｃｏ−０，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ。

Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｕ、Ｃｏ−Ｎｉ−０，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ
、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｙから成る膜におい
ても同様の効果を確認した。配向性制御層膜の組成をイ
オンマイクロアナライザ（ＨＭＡ）により分析した結果
、Ｃｏ、Ｃｒｓ　ＶｔＭｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒａ、Ｒｈ、Ｎ
ｉ、Ｚｒ、Ｔｉ。

Ｙ、Ｏの少なくとも一元黍が１〜３０ａｔ％含まれてい
る時に良好なＣ軸配向性のＣｏ基合金膜を形成できた。

前記添加物がｌａｔ％以下では、制御層膜と磁性膜との
密着性が良くなく望ましくない、この場合いずれにおい
ても配向性制御層膜は非晶質状態の時、Ｃｏ基合金膜の
Ｃ軸配向塵を最も向上させたが、多少結晶化した場合に
おいても配向性制御層を設けないで直接基板上にＣｏ基
合金膜を形成した時より配向度を向上させる効果があっ
た。配向性制御層とＣｏ基合金膜は、高周波スパッタ法
、真空蒸着法、イオンビームスパッタ法のいずれか一つ
、または複数個組合わせて膜形成を行っても同様の効果
があった。この場合、配向性制御層とＣｏ基合金膜は、
真空中で大気にさらすことなく連続的に形成した方が良
好なＣ軸配向塵をもつことを確認した。

本発明の磁気記録媒体における配向性制御膜の膜厚は、
５０Ａ未満では下地基板表面の影響の除去が不十分であ
るので、その膜厚は５０Å以上が望ましい、膜厚が１μ
ｍ以上と厚くなっても、配向性の制御効果は同じである
が、膜形成のための時間が長くなったり、あるいはプラ
スチックフィルム上に薄膜を形成する場合には膜にクラ
ックが入ったり、フィルムにカールを生じ易くなるので
。

その膜厚は１μｍ以下が望ましく、実用的にいつて、さ
らに望ましい配向性制御膜の膜厚の範囲は１００〜２０
００人である。

〔作用〕

本発明の磁気記録媒体において、配向性制御膜は、Ｃｏ
基合金膜のＣ軸配向性を向上する効果の他に、Ｃｏ基合
金膜と下地基板との密着性を向上する付随的な効果もあ
ることを確認した。

〔実施例〕

以下に本発明の一実施例を挙げ、図面を参照しながら詳
細に説明する０図において、同一符号を付したものは、
同じ性能特性を有する部分を示す。

実施例１ ポリイミドフィルムを基板にして、第１図に示すごと＜
、Ｇｅに１０ａｔ％のＣｏを添加した配向性制御膜２を
、基板１とＣｏ−Ｃｒ磁性薄膜３との間に設けた構造の
゛垂直磁気記録媒体を、以下に示す手順で作製した。

２　Ｘ　Ｉ　Ｏ−’Ｔｏｒｒの真空中で、基板１を１２
０℃。

１５０℃、２００℃、２６０℃の各温度に加熱して、ま
ず配向性制御膜２として、Ｇ　ｅ−１０ａ　ｔ％Ｃｏ合
金ターゲットを用いて、１０人／Ｓの速度で３００人の
厚さに蒸着した。さらに同一の真空容器中で基板温度を
１５０℃に設定して、Ｃ。

−２２ｗｔ％Ｃｒを１００人／Ｓの速度で２５００人の
厚さに蒸着し、Ｃｏ−Ｃｒ磁性薄膜３を形成させた。な
お、比較例として、基板１の温度を１５０℃に制御し、
基板１としてポリイミドフィルムを用い、その上に直接
Ｇ　ｏ　−２２ｗ　ｔ％Ｃｒを、１００人／Ｓの速度で
２５００人の厚さに蒸着してＣｏ−Ｃｒ磁性薄膜を形成
させた。

第１表に、各条件におけ、るＣｏ−Ｃｒ磁性薄膜のＣ軸
配向度（八〇ａｏ　（度）〕、を比較して示す。

Ｃｏ−Ｃｒ磁性薄膜のＣ軸配向度は、Ｘ線回折において
、Ｇ　ｏ　−Ｃｒ　（ＯＯ２）回折ピークに関するロッ
キング曲線の半値幅へ〇１１ｏ　（度）によって評価し
た。Δθ６ｏの値が小さい程、Ｃ軸配向性が良いことを
示している。

第１表 第１表に示すごとく、Ｇ　ａ　−１０ａ　ｔ％Ｃｏから
なる配向性制御膜の上に、Ｃｏ　−Ｃｒ磁性薄膜を形成
することにより、Ｃｏ−Ｃｒ磁性薄膜のＣ軸配向度を向
上させることができた。

実施例２ 第２図に示すごとく、５ｉ−５ａｔ％Ｃｏの配向性制御
膜２の下層（基板１の上層）に、Ｃｏ−Ｍ　ｏ　−Ｚ　
ｒ合金の非晶質軟磁性薄膜４を設けた垂直磁気記録媒体
を、高周波スパッタリング装置により、基板温度１２０
℃、Ａｒ圧力５ｍＴｏｒｒ、スパッタリングにおける高
周波出力４Ｗ／ｄの条件で、Ｃｏ−０，２ａｔ％Ｚｒ−
０．７ａｔ％Ｍｏからなる非晶質の軟磁性薄膜４を５０
００人の厚さに形成させた以外は、上述の実施例と同じ
手順によって作製した。

この場合においても、実施例１における第１表に示した
結果とほぼ同等の性能特性を得ることができた。

以上の実施例では、ＣＯ基合金磁性薄膜の一例として、
Ｃｏ−Ｃｒ磁性薄膜について述べたが、他のＣＯ基合金
磁性薄膜であるＣｏ−Ｖ、Ｃｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ
−Ｒｅ、Ｃｏ−０，Ｃｏ　−Ｃｒ　−Ｒｈ　、　Ｇ　ｏ
　−Ｃｒ　−Ｒｕ　、　Ｃｏ　−Ｎ　ｉ　−０。

Ｃｏ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒなどを用いても同等の効
果を得ることができた。

また、配向性制御膜としては、Ｓｉ、Ｃｏ。

Ｓｎから選ばれた少なくとも一種の元素に、Ｃ０１Ｃｒ
、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｚ　ｒ。

Ｔｉ、Ｙ、ＯなどのＣＯ基合金磁性膜の構成元素の少な
くとも一元素を１〜３０ａｔ％の範囲で含む膜を用いて
も、同等の効果が得られることを確認した。

さらに、軟磁性薄膜としては、Ｃｏ−Ｍｏ　−Ｚｒの非
晶質薄膜の他に、他のＣｏ系非晶質薄膜。

例えばＣｏ−Ｍｏ−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｗ−Ｎｂ、Ｃ。

−Ｎ　ｂ　−Ｚ　ｒなど、および８０ａｔ％Ｎ１−Ｆａ
パーマロイなどの高透磁率膜であっても同等の効果を得
ることができた。

本願はさらに磁気記録媒体保護膜に関する第二の発明を
開示する。

高分子フィルム、アルミニウム、ガラスなどの非磁性材
料の基板上に、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属を主成
分とする合金や化合物の薄膜を真空蒸着法、スパッタリ
ング法、メッキ法等で形成し、磁気記録媒体、とくに連
続磁性膜を有する磁　。

気記録媒体が製造されている。しかし、磁性膜表面に記
録再生用のヘッドを直接接触させると、磁性膜表面が摩
耗したり、ヘッドも損傷し易いという問題がある。

このような問題を解決する手段として、磁性膜表面に保
護膜を設けるのが有効であり、Ｓ　ｉＯｘ　＊Ａ　Ｑ＊
Ｏａ、　Ｃｒｚｏｓ、　Ｓ　ｉ　Ｃ，Ｔ　ｉ　Ｃなどの
保護膜（特開昭５０−１０４６０２．特開昭５８−１３
０４３７）　、あるいは、Ｔｉ１ｔ　、Ｚｒ０ａ　、Ｓ
ｉＣ，ＷＣ。

ＴｉＣ，ＮｂＣ，ＢａＣ、ＣｒＮ、ＴｉＮ。

ＮｂＮ、ＺｒＮなどの保護膜（特開昭５８−１９７３９
）が提案されている。

本発明者らの実験によると、各種の保護膜材料のなかで
、ＳｉＣ，ＢａＣ，Ｂ、Ｃ，Ｓｉ、Ｓ　１ｓＮａ。

ＢｅＳｉ　　、ＢａＳｉ　　、ＢＮなどＢ、Ｃ，Ｓｉ、
Ｎから選ばれた保護膜の耐久性が特に優れていることが
わかった。しかし、これらの材料を磁性膜上に直接形成
すると、磁性膜と保護膜間で十分な接着強度が得られず
、保護膜の剥離が原因となって媒体の破壊が起こるとい
う問題点があることがわかった。

従来技術では、磁性膜上に設けた保護膜の付着強度を上
げるための特別な配慮がされた例は極めて少ない、配慮
がされた例として、磁性膜と保護膜の間に、一般的に付
着強度を大きくできるといわれているＴｉやＣｒの層を
導入する方法も提案されているが、必ずしも満足の得ら
れる高付着強度が実現されていた訳ではなかった。

本願の第二の発明は、耐摺動性の優れたＢ、Ｃ。

Ｓｉ、Ｎから選ばれて成る元素の保護膜を、磁性膜表面
に強固に付着せしめ、この結果、摺動耐久性に優れた磁
気記録媒体を提供することを目的とする。

磁性膜は、一般にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどを主成分とする
合金や化合物から成り、添加元素として非磁性のＣｒ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ＊　Ｍｏ、ＷｅＭｎなどが加えられて
いる。磁性膜上に、直接にＢ、Ｃ，Ｓｉ、Ｎから選ばれ
た元素から成る少なくとも１種の元素を含む保護膜を設
けると、一般に磁性膜と保護膜の熱膨張係数や熱伝導率
、あるいは密度などが大きく違うことが多く、界面には
応力や歪が入り易く、この結果１両者が剥離することに
なる。また、磁性膜と上記保護膜を反応させて、両者の
間に化合物層を形成して付着強度を上げることが有効だ
が、接着強度向上に効果のある十分な厚さの化合物層を
形成しようとすると、膜形成時の基板温度を２００℃以
上の高温に保つ必要があり、磁性膜の所望の磁気特性が
得難くなるという問題がある０本発明では、高温で反応
させる代りに前記保護膜と磁性膜の間に、両方の膜に対
して親和性が良く、しかも熱膨張係数などが両者の中間
的な値を持つ化合物、もしくは混合物層を設けることに
よって対設するものである。

本発明においては、第３図に示すように非磁性基板１上
に、磁性膜１２を設けついで下層１３および上層１４か
ら成る２層の保護膜を形成する。

上層保護膜はＢ、Ｃ，Ｓｉ、Ｎから選ばれて成る少なく
とも１種の元素で例えば、Ｂ膜、Ｃ＠。

Ｓｉ膜、ＢＮ膜、ＢＣ１ｌＩ膜、ＳｉＣ，膜、５ｉＮｘ
Ｉ１１．　Ｂ　Ｃｘ　Ｓ　ｙ膜などである＊Ｘｇ７の値
は非化学量論組成を含む広範囲の組成を示すものであり
、例えばＢａ８は、Ｃを除＜Ｂ−Ｃ系の全組成領域を意
味する。下層保護膜は、上層保護膜の構成元素から選ば
れた少なくとも１種の元素と磁性膜を構成する元素から
選ばれた少なくとも１種の元素から成る化合物もしくは
混合物（固溶体も含む）から形成される１例えば、上層
保護膜としてＣ膜。

磁性層としてＣｏ−Ｎｉ−Ｚｒを用′いた場合、下層保
護膜は、ＺｒＣ，ＮｉＣｘ　、Ｃ０ＣＸなどから成る。

下層保護膜は、上層保護膜と磁性膜を強く付着させる働
きをすると同時に、熱膨張係数も両者の中間に設定する
ことが可能であり、保護膜と磁性膜の界面に入る応力を
緩和する働きがある。

保護膜の厚さは、上層と下層台せて６〜１３０ｎｍとす
る必要があるｍ　６ｎｍ以下では保護膜としての十分な
耐久性が得られず、また、１３０ｎｍ以上になると磁性
膜と磁気ヘッド間の距離が離れすぎて記録再生が行ない
難くなるので望ましくない、また、保護膜下層の厚さは
１〜３０ｎｍが望ましく、上層は５〜１１００ｎとする
のが良い、下層の更に望ましい厚さの範囲は３〜１５ｎ
１ｍである。下層の厚さがｉｎｎ以下になると十分な接
着強度が得られず、また３０ｎｍ以上にすると上層材料
に比べて靭性に劣る下層材料の効果が顕著になり、摺動
時に下層がぜい性破壊する等の事故が生ずるので望まし
くない。

実施例３ 基板としてポリイミドフィルムを用いて、真空蒸着法に
よって第４図に示した構成を持つ磁気記録媒体を形成し
た。１０″″’Ｔｏｒｒ以下に真空排気した容器中で、
ポリイミドフィルムを約１８０℃に加熱しながら、３０
ｎｍ厚のＧｅ膜１５，２００ｎｍ厚のＣｏ−２３ｗｔ％
Ｃｒ膜１２．ついで下層保護膜材料としてＣｒＢｚを上
層保護膜としてＢを蒸着した。下層保護膜の組成はＣｒ
Ｂｘ（ｘ＜２．０）で化学量論組成に比べてＢの欠損が
生じていた。下層保護膜の厚さＸ、上層保護膜の厚さＹ
を変えた複数の試料を作製した。

上記試料から円板状のディスクを切り抜き、いずれも同
種の液体潤滑剤を１０ｎｍ厚塗布した後。

ディスク駆動装置にとりつけ１ＭｎＺｎのフェライトか
ら成るヘッドを用いて摺動試験を行なった。

ヘッドの荷重は１８−ｇ、ディスクとヘッドの相対速度
２　ｍ　／　ｔｓで、記録再生出力が初期の７０％に低
下するまでの総回転数を測定した。再生出力の低下は、
ディスク上の傷の発生とほぼ対応しており、保護膜の破
壊が起ったものとみなすことができる。第５図に、下層
保護膜厚と回転数との関係を示す、ここでは、Ｘ　＋　
Ｙ　＝　４０　ｎ　ｍとし、保護膜全体の膜厚を４０ｎ
ｍの一定とした。下層保護膜を導入することにより、総
回転数が伸び、とくに１　＜　Ｘ　＜　３０　ｎ　ｍで
１０６回以上の値が得られ、さらに３＜Ｘ＜１５ｎｍで
はとくに優れた耐久性が得られることがわかった。

実施例４ 基板として、表面にＮ１−Ｐ膜を形成したアルミニウム
合金円板を用いた。スパッタ法でＣｒ膜１１００ｎ、Ｃ
ｏ−Ｎｉ膜を５０ｎｍの厚さそれぞれ形成した後、Ｃｏ
とＣの２つのターゲットを用いた共スパッタ法により、
Ｃｏ−６０ａｔ％Ｃの組成を持つ下層保護膜（膜厚ｘ）
、ついでＣから成る上層保護膜（膜厚Ｙ）を形成した。

耐動強度の評価は実施例３と類似のヘッドを用いて荷重
２０、、ディスクとヘッドの相対速度２０ｍ／ｓで測定
した。保護膜厚の範囲を、Ｏ＜Ｘ＜５０ｎｍ、Ｏ＜Ｙ＜
１１００ｎとし、実施例３と同様の基準で総回転度を測
定したところ、ｘ＋ｙ＝１００ｎｍの条件では、１　＜
　Ｘ　＜　３０　ｎ　ｍの範囲で、１０７回以上の優れ
た耐久性が得られることがわかった。Ｘ＋Ｙの値を１０
〜１５０ｎｍの範囲で変えても、下層保護膜厚が１ｎｍ
以上あれば、無い場合に比べて総回転数が１０倍以上も
優れている傾向が認められた。

実施例５ 基板として１表面にＡΩｇｏｓ膜を形成したアルミニウ
ム合金円板を用いた。膜形成法として、スパッタ法で基
板温度を１００℃に保ってパーマロイ（Ｆａ−Ｎｉ）Ｉ
ＩＩ３００ｎｍ厚、Ｃｏ−Ｃｒ膜１１００ｎ厚をアルミ
ニウム合金円板上に設けた。

ついで、保護膜として、Ｓ　ｘ　Ｃｘ　ｔ　Ｓ　ｘ　Ｎ
　Ｘ　ｅＢＳｉｘ　、Ｓｉの保護膜２０ｎｍ厚だけをそ
れぞれ設けた４種類の試料と、保護膜として下層保護１
ｉｃｒｓｉｘｌｏｎｍの膜厚を設けた上にＳ　ｉ　Ｃｘ
　−８ｉＮｘ　、Ｂ５１ｘ　ｙ　Ｓｉの上層保護膜を２
０ｎｍ厚だけそれぞれ設けた４種類の試料を作製した。

このようにして得た、単層の保護膜だけを設けた試料と
、下層および上層保ｌＦｌ［膜の２層保護膜を設けた試
料の摺動強度を、実施例４と同じ方法で評価した。いず
れも２層保護膜を設けた試料の耐久性の方が、単層の保
護膜を設けた場合より、１０倍以上優れていた。

実施例６ 実施例５と同様であるも、保護膜として、単層の保護Ｉ
ＩＩ　Ｂ　ＣＩ　−Ｂ　Ｎ　＊を２０ｎｍ厚形成した２
種類の試料、および下層保護膜としてＣｒ　Ｂ　ｘを１
０ｎｍ厚設けた上に上層保護Ｂ　Ｃｘ　−Ｂ　Ｎｘをそ
れぞれ１０ｎｍ厚形成した２種の試料を作製した。ここ
でスパッタ用のターゲツト材として、ＢＣ，の場合はＢ
４Ｃｅ　ＢＮｓの場合はＢＮ。

ＣｒＢｘの場合はＣｒＢｚを用いた。スパッタ法で形成
した膜の組成はターゲツト材の組成からずれているため
、それぞれＢ　Ｃｘ　ｇ　Ｂ　Ｎｘ　ＢＣｒ　Ｂｘと表
記した。単層の保護膜だけを設けた場合と。

下層と上層の２層から成る保護膜を設けた場合の摺動強
度を実施例４と同じ方法で比較したところ、２層保護膜
を設けた方が摺動強度が１０−１００倍優れていた。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したごとく、本発明の磁気記録媒体にお
いては、垂直磁化膜であるＣｏ基合金薄膜を形成するに
先だって、Ｓｉ、Ｃｏ、Ｓｎから選ばれた少なくとも一
種の元素に、Ｃｏ基合金磁性膜の構成元素の少なくとも
一種を添加した配向性制御膜を設けることにより、その
上に形成されるＣｏ基合金磁性薄膜のＣ軸配向塵が向上
し、その波及効果として、磁気記録密度が大幅に改善さ
れる。なお、この場合、下地層として軟磁性薄膜があっ
ても、あるいは非磁性基板であっても有効であり、高密
度磁気記録に適した垂直磁気記録媒体を得ることができ
、工業上の利用価値は極めて大きい。

さらにまた上述したように本発明によれば、磁気ヘッド
との摺動耐久性に優れた磁気記録媒体が得られた。これ
は、保護膜の構成を上層、下層の２層構造とし、下層に
上層と磁性膜の接合強度を強めると同時に、上層と磁性
膜間に入り得る熱膨張係数の差などに起因する応力や歪
を低減する効果を持たせたことによるものである０本明
細書中で述べた性質を持つ下層を導入することにより、
優れた耐摺動性を持つＢ、ＣｔＳｉ、Ｎを主成分とする
５ｉＣ９８４Ｃ＃　Ｂｙ　Ｃｅ　Ｓ　ｚＮａなどの保護
膜の有効活用を図ることができ、これらの保護膜を形成
した磁気記録媒体の耐久炸を大幅に伸すことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例１における垂直磁気記録媒体
の構造を示す断面図、第２図は、実施例２における垂直
磁気記録媒体の構造を示す断面図である。第３図は、本
発明による磁気記録媒体用保護膜の構成を説明するため
の図、第４図は本発明の一実施例による磁気記録媒体の
構成を示す断面図、第５図は保護膜を設けた磁気記録媒
体の耐久性の測定結果を示す図である。 １・・・基板、２・・・配向性制御膜、３・・・Ｃｏ−
Ｃｒ磁性薄膜、４・・・非晶質軟磁性薄膜、１２・・・
磁性膜。 １３・・・下層保護膜、１４・・・上層保護膜、１５・
・・／゛τ Ｃｏ膜、ｆ、。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、非磁性基板上にもしくは、上記基板上に設けた軟磁
   性薄膜上に、Ｃｏ基合金からなる強磁性金属薄膜を有す
   る磁気記録媒体において、前記強磁性金属薄膜の下層に
   Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎからなる群より選択した少なくと
   も一元素と前記強磁性金属材料との化合物からなる層を
   有することを特徴とする磁気記録媒体。