JPS6021508A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明ＩＪ鐵贅ｔ　ｉｌｉ！緑碌体１、ｆ系り、特に垂
直磁＊ｔ、　ｉ！ｉ！靜がＣきる磁気記−・Ａ媒体に関
すと１ものである。

近年、　１ｊｉｌ　（ｒｔ　１１［！ＨｋｌＬ　（４−
の４１；録けＩＪＩＹを高めるため、垂直磁気ｉ１ｉ！
　＆Ａ力式が！広ｉＪされＣいる。この記録方式に用い
ら、１１．る１Ｌｔｋ　ｉ＋（記録媒体は、括＋、ｉど
、その基材の表面に形成されノー第１の磁性材薄膜と、
その第１の磁性＃ｔ　ｒｔｔ　ｎａの表面に形成された
第２の磁性材薄膜とから１１１成されＣいる。（ｔ、ｒ
この第２の磁性材薄１漠の膜１ｉｉｆ方向、ｔなわ０垂
直方向に磁化さ」することににす、所望のデータが貫己
録されるようになっている。

前記第１の磁性（オ薄膜は第２の磁性材薄膜を磁化する
とさに磁路の一部に形成する役割を有しており、保磁力
が低く、しかも透磁率ならびに飽和磁−東密度がともに
高いことが要求さオしる。一方。

第２の磁性＋１薄膜どしでは、特に垂直方向に異方性シ
イｉすることか要求され、この要求に応えるものとして
、コバルト−りＩ’：ｌ　りの２成分系合金あるいはこ
れにＵジー“）　１％　１３：との第３金属に添加り、
　ノー３成づ）系合金などのコノ旬１川・−クロム系合
金薄膜がある。

従来の・−の種の磁気記録媒体では第１の磁性材薄膜ど
【１．下、鉄−ニッケル合金からなるパーマロイが用い
られている。どころがこのものはｉ　ａ＆率ｌＩ：らび
り、飽和磁束密度が十分に高くなく、しかも前記コバル
１〜−り［１ム系合金からなる第２の磁性材薄膜との磁
気特（チｌ：　Ｊ、：の所謂相性が良くない、すなわち
、結晶構造が面心立方晶系のパーマロイからなる第１の
磁性材薄膜の上に、コバ用１ヘークロ１１系合金の第２
の磁性材薄膜を形成した場合、それの下層にあたるパー
マロイ薄膜の影響を受けて（特に第２の磁性材薄膜が薄
いことも関係して）。

イの−」バ刀何−−クロム系合金薄膜の結晶構造が正規
のノ、方晶系になり濯い。そのためクロム−コバ用１系
合金の特長である優れた垂直異方性が十分シこＵＪｉＪ
Ｉされない、このようにパーマロイはコバ用１−−−り
Ｕノ、系合金との磁気特性上の相性が良くないことと、
前述のように透磁率ならびに飽和磁束密度が十イ）に晶
くないことが原因で、折角、磁気特性σ）優４１六二ｌ
バＩｌ／　ｌ−−り【１ノ、系合金からなる第２の磁性
ト４薄膜に用いＣも、ぞσ）特性が１・分に発揮ｅき１
７・い欠点があ−）だ。

本発明τｒ）Ｉ’Ｊ的は、こ（１）よ−）アシ・従来技
術の欠点任Ｍ消１．・、磁気特性＋７）１．１れだ磁気
記録媒体を提供ｆるにある。

本発明ＩＩｔ　ＩＬは、人パ・ツタリングなどに、上−
〕で′４坪られるｔｔ　：ｆルノ？、Ｉ今金薄股につい
て種々研究［、また結果、ｌバルト（（、：　ｏ　）を
１ミ成、分とし、小皿のハフーニウノ、（ｌｉ’＋と、
タンタル（Ｔ’ｏ）を添加したｌ’：：　ｔｒ−ｉｔ　
ｒ　−−’ｌ”　ｒ＋　ｔノ＋　、（成５７　ｚ’ｉ＋
７モルノ／７（合金が、との抽（ン）磁束、１１心族媒
体の第１の磁性材薄膜とし５（Ｅ優］また１、′？性６
：　４ｒ　シ（い・、）ごとを見出した。

基板に粕＋ｌｌ！＋化ガー２１スへ用い、−１」バルト
ディスク（直径１０１．ｆｉ＋１１ｍ、厚さ５Ｉ帽）■
二にハフニウムのベレε用−とタンタルのべ１ノツト（
い４″’Ａ＋、のベレットもＮ１０制０．４：’Ｌ　］
　ｆ、ｌ　１１１１、Ｉ’！　：５１　ｍｍ）　を中心
より故旧状に交互にｈ１！贋（２，ターゲ〉川・−１゜
のパＳレットの数！＝’　＋４１．＋１整−ｌ−ン〕、
−′と１、Ｊ直１　ｆｊ’　ｆｌン４！１成が変λｌ二
）れと〉ようにする、−ｆＬ１Ｔ’、ｉ’　、／ｌ／コ
ン□にＪ、４１　ｄ　ａ　６７７の真空度が３− ＩＸＩＯ−’Ｔｏｒｒ以下の高真空にし、７　、ｊＬｌ
ゴンのγｊ囲気中で、亮周波電力２Ｗ／ｃｍ”でスパッ
タリングを行ない、基板上にコバルトを主成分とす％　
Ｃｏ　−）１　ｆ　Ｔ　ａの３成分系アモルファス合金
薄膜を作成する。１ごのようにして作成された各種組成
の合金試料が後述の各特性試験に使用される。

第１図は、後記の合金組成表において合金中の１゛８含
有率Ｙが常に４．５原子％になるように」、。

て、ＩＴｆ含有＊Ｘを種々変えた場合の磁気特性図であ
る。

合金組成表 なお図中において曲線Ｂｓは飽和磁束密度９曲線μｅは
廟波数Ｉ　Ｍ　Ｈｚにおける困難軸方向の透磁率９曲線
Ｈｅは困難軸方向の保磁力である。この図から明らかな
ように、Ｈｆ含有率が０原子％のＣ１１−’Ｔ’　ａ　
２　ｒｌＳｌ”）　７％　ｊＦ　１卸Ｊ−２１３ｓ　Ｉ
ｔ、　ｄ７＋　ｌ　”が、ト旨Ｉｔｓ高過ぎ、　／ｌ　
１１　ｈへ／ＩＴ；　１．）、　、＝れにＩｆ　ｆを少
址添１＋１１　”ｊると旧が極端にＦｈてり　αＬ３は
ｊψに高く’Ｌ’る。ｉＩ′お、ＩＩｆの含有率がある
程度以にになるど、Ｈｒ：は高（ｆｃリ　Ｉｆ　ｌ長Ｉ
ＩＩｏ（：　＜　ｔｇる。一方　１４　ｇは極端ではな
いが１１「のｆ１ｔｆｉ率の増大とどもに低下する傾向
にある。

、二のような特性傾向のなかで、ＢＳを高く保ち、Ｈｃ
を下げ、高μＢにするためには、Ｈｆの含有率Ｘをｌ原
−ｆ％以ヒでかっ５原子％未満の範囲、好ましくは１．
５〜３原子％の範囲に規制する必要がある。このことは
Ｔａ含有！ＩＹｔ＆若モ変化させても同様である。。

第２図は、前記・合金組成表において合金中のＨｆ含有
率Ｘが常に２．２ｙＫ子％になるようＩｃ　して、Ｔａ
含有率Ｙを種々変えた場合の磁気特性図である。

この図から明らかなように、Ｔａ含有率が０原子％のＣ
ｏ　−Ｈ，ｆ　２成分系Ｎ金も前述と同様に、Ｂｓは高
いが、Ｈｃが高過ぎ、μＣが低い。これにｉ’ａを少′
ＭＬｉ、］：加することによりＨｅが極ψ１−“ｄにド
がり、７１　ｔｌがｉφに高くなる。なお、１”ａの召
゛有Δ゛〆７：Ｉ’　Ｊ６る程度以」二（二なると、Ｈ
には高くなり、μＣ（Ｊ°低くなる。一方、１３　ｓは
極端ではないが］ｄの店゛角率の増大とと２石に低下す
るイζ９向がある。

このＪ：うな特性傾向のなかで、Ｂｓを高く保ち、１−
１　を二をドげ、高μ６にするためには、ゴａの含有率
Ｙを４〜１０加子％、好ましくは６〜８原子％の範囲に
規制側る必要がある。このことはＥｌ　ｆ含有率Ｘを若
干変化させても同様である。

第３図は、本発明に係るＣｏ（９３，３原子−Ｘ、　＞
−Ｈｆ（２，２原子％）−Ｔａ　（４，５原子％）の３
成分系アモルファス合金（曲線Ａ）とＣ０（ＴＩ７．８
原子％）−Ｈｆ　（２，２原子％）の２成分系アモルフ
ァス合金（曲線１３）の各周波数におけるμＣを比較し
て示す図である。この図からも明らかなように、本発明
のアモルファス合金は各周波数においても常に高い周波
数を有し、広い周波数領域において特性が安定し−Ｃい
る。

第４図は、本発明の実施例に係る磁気記録媒体を説明す
るための図である。ポリエステル、ボリイミ１−など′
のｉ′、ｉＤ’１４房川１あるいは陽１４ｉ酸化し！ニ
アル−１．゛ニウム板などがＩ’、　／、：る基材１の
表面に、　ＣＯ含打率が９．３．３原子゛〆・、Ｈｆ占
有率が２．２原子％、　’Ｉ”　ａ　７！ｊ　Ｉｒ室が
４，５／＋ｉＴ子％であるＣ　ｏ　−Ｈｆ−Ｔｅ３の３
成分系γ干ルノアス合金薄膜をスパッタリング１、′上
−：Ｊ　′ＩＴ形成して、第１の磁性４Ａ薄膜２どする
。次にごの第１のイ磁性材薄１１負２の表面レニ、コバ
ル１〜＊　ＬｊｔＱ　：ｉ）　！ニし、これに少量のク
ロムを添加したＣｏ−・、−’、　ｒ　（、Ｌｊ　２成
分系合金薄膜をスパンタリン！）゛に表−ＪＣ形成し７
て、＠２の磁性材Ｎ膜、′３とする。この磁性材ＮＩ膜
２．３の膜厚は、両者とも約０．３７ｔｍである１、こ
れら基材Ｉど第１の磁性材薄膜２ど第２の磁性１１薄膜
３とからテープ状あるいは’３”Ｃス、ノ状の磁気記録
媒体が構成される４前記磁性材薄膜２，３は基（４１の
両面に設ける場合もあう。

このｒＪＩＸ　ｔｉｄ録２瑳（本５ｃ（川に１火むＬう
にしＣ１主磁（−５とｍ１１３１／＋磁礪（３どが配内
さ（６℃いる。主磁極５はＨさが約１μＩＪ＋！度の（
」σ）Ｃ、ガラスやポリイミ７− １・樹１１Ｆ７　／Ｊ：どからなる非磁性材の基Ｆｊｄ
上にスパッタリングによっＣ形成さ、Ｉする。補助磁極
（ｊには、二Ｉ　ｒ／し７が所定ターン数だ番ブ巻装さ
れＣいる。この」イル７に記録さ４ｙるべき信号電流を
流して主磁極！′１を補助磁極６側から励磁すると、主
磁極５の先端付近ｔ；強い垂直磁界が発生する。これに
よつ゛Ｃ主磁極５の先端近傍にある磁性材薄膜２９．３
が厚さ方向に磁化され、第２の磁性材薄膜３にデータが
記録される。第１の磁性材＃膜２は第２磁性月薄膜３に
デー・りを磁気記録釘る際、磁路の一部を（薄膜ｒるの
Ｅ、：役立′）。

本発明は前述のよっに、基材と、その基材の表面す、−
７ｆ’＋成された第１の磁性材薄ｎりと、その第１の磁
性材薄膜の□表面に形成さ、れＣ垂直異方性を有する第
２の磁性材菌膜とを備え、前記第２の磁性材菌膜が膜厚
方向１．二磁ｆヒされる磁気記録媒体において、前記第
１の磁性材簿膜が、コバル１−を主成分どし、それに少
、川のジル」ニウムとニオブを添加し／、′３３成系の
アモルファス合金から構成され、その合金中にお：Ｊろ
ハフニラｌ−の含有率を１原子９− 　ＩＩ　− ％以」二でか−）５原子％未満、タンタルの含有率を４
原子％以上でかつＩｎｎ原子風下の範囲に規制したこと
を特徴とするものである。

前述のアモルファス合金は、保磁力が低く、透磁率なら
びに飽和磁束密度が高く、しかもコバルト−クロム系合
金どの磁気特性がよく似通っており、コバルＬ・−り［
１ム系合金の優れた磁気異方性がそのまま発揮できる。

そのため優れた記録、再生特性を有し、また第２の磁性
材薄膜を可及的に薄くすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るＯｏ　Ｉ−１ｆ　−Ｔ　ａ系アモ
ルファス合金中のＨｆ含有率ど名種磁気特性との関係を
示す特性図、第２図は前記合金中のＴａ含有率と客種磁
気特性との関係を示す特性図、第３図は前記合金と比較
例の合金との各周波数における磁気特性図、第４図は本
発明の実施例に係る磁気記録媒体を説明するだめの説明
図である。 １・・・基材、２・・・第１の磁性材薄膜、・３・・・
第２の磁性材薄膜。 第１図 Ｈｆ金含有　（ａｔ％） 第２図 Ｔｏ含＠４ｉ−（ａｔ％） 第３図 下 ）ｆｆ夏数（ＭＨｚ） 第４図 ］

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）騙（（ど、乙のｊ＆（（の表面に形成された第１
   の磁性材薄膜と、・Ｃ・の第１の磁性材薄膜の表面に形
   成さ、ハ１て垂直穴１ノ（１を有する第２の磁性材薄膜
   とを備え、前記第ｒ２の磁性１１薄膜が膜厚方向に磁化
   される磁気記録媒体におい”Ｃ１前記第１の磁性材薄膜
   が、コバＡｌ・＆　、１：成分どし、それに少量のハフ
   ニウムとクンタルを添加した３成分系のアモルファスｉ
   ＞金から構成され、−１の合金中におけるハフニー１す
   １１の＾１ｊ中＆　Ｉ　Ｊａｉｌ子′に以」二でかつ５
   ）ル（子％未満、タンタルのＳｆｉ率を４　）Ｍ子％以
   」二でかつ１０１ＪＫ　ｆ’　％以１・の範囲に規制さ
   れていることを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）特ｉ′（・請、ドの範囲第（１）項記載において
   、前記第２の磁性材薄膜が」バルトおよびクロムを含む
   コバ刀川・−り１」ｌい系合金薄１模から構成されてい
   ることを特徴とする磁気記録媒体。 　１−