JPS592231A - 磁気記録媒体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はペーパーデポジション法による磁気記録媒体の
製造方法の改良に関する。特に本発明は耐錆性が改良さ
れた磁性金属薄膜層を有する磁気記録媒体の製造方法に
関する。

従来、磁気記録媒体としては、非磁性支持体上と にｒ　　Ｆｅ２Ｏ３、Ｇｏ　ｆドープした７　　Ｆ、ｅ
２０３、Ｆｅ　３０４、ＣＯをドープしたＦｅ　３０４
、と−Ｆｅ２０３　　とＦｅ３Ｏ４のベルトライド化合
物、Ｏｒ　０２等の磁性粉末あるいは強磁性合金粉末等
の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ス
チレン−ブタジェン共重合体、エポキシ樹脂、ポリウレ
タン樹脂等の有機・２イングー中に分散せしめたものを
塗布し乾燥させる塗布型のものが広く使用されてきてい
る。近年高密度記録への要求の高まりと共に真空蒸着、
スパッタリング、イオンプレーディング等のペーパーデ
ポジション法あるいは電気メッキ、無電解メッキ等のメ
ッキ法により形成される強磁性金属薄膜を磁気記録層と
する、バインダーを使用しない、いわゆる非バインダー
型磁気記録媒体が注目を浴びており実用化への努力が種
々行なわれている。

従来の塗布型の磁気記録媒体では主として強磁性金員よ
り飽和磁化の小さい金属酸化物を磁性材料として使用し
ているため、高密度記録に必要な薄形化が信号出力の低
下をもたらすため限界にきており、かつその製造工程も
複雑で、溶剤回収あるいは公害防止のための大きな附帯
股備を要するという欠点を有している。非バインダー型
の磁気記録媒体では」二記酸化物より大きな飽和磁化を
有する強磁性金属をバインダーの如き非磁性物質な含有
しない状態で薄膜として形成せしめるため。

高密度記録化のために超薄形にできるという利点な有し
、しかもその製造工程は簡単である。

高密度記録用の磁気記録媒体に要求される条件の一つと
して、高抗磁力化、薄形化が理論的にも実験的にも提唱
されており、塗布型の磁気記録媒体よりも一桁小さい薄
型化が容易で、飽和磁束密度も大きい非バイングー型磁
気記録媒体へのル］待は太きい。

特に（−パーデポジション法による方法はメッキの場合
のような排液処理な必要とせず製造工程も簡単で膜の付
着速度も大きくできるため非常にメリットが大きい。ま
た、最近、ペーパーデポジション法による非バイングー
型磁気記録媒体は垂ＫＥ　（ｉＲ化型の磁気記録媒体と
しても注目されてきている。

このような、ペーパーデポジション法によす形成された
磁性金属薄膜層の欠点の一つは、耐候性が悪く、錆が発
生し易いことである。この対策として磁性金属薄膜層に
保護層を設けることが考えられるが、磁性層の耐候性な
実用可能な程度に向上させる１ζめにはかなり厚い保護
層な必要とする。

しかしながら、厚い保護層が存在すると、磁気ヘッドと
磁性層との間隔が広くなるので、いわゆるスペーシング
ロスが生じ、シ翁比が低下する。９１って、シ翁比の低
下な伴なうことなく、耐候性、耐錆性を向上させる手段
が要望されていた。

本発明者等はこのような要望に応北るべく　＃ｉｌｒ々
検討の結果、ペーパーデポジションによって（ｉ＆、性
金属薄膜層を形成した後に、これな水中に浸漬するか、
界面活性剤、有機溶剤、又は両者を含んだ水中に浸漬す
ることによって、う南比な低下することなく、磁性金属
薄膜層の耐候性、特に耐錆性を著しく改良し侮ることを
見出し、本発明を達成した。

すなわち、本発明は非磁性基体上にイー・ξ−デｌソシ
ション法によって磁性金属薄膜層を形成し。

次いでこれな水又は界面活性剤及び有機溶剤の少くとも
１つな含む水溶液に浸漬することを特徴と＃’７ｓ６荘
気記録好気記録媒体法である。

以下、本発明について詳述する。

本発明で云うペーパーデポジション法とは、例えば米国
特許第５５４２６５２号の明細書等に述べられている通
常の真空蒸着の他、電界、磁界あるいは電子ビーム照射
等により蒸気流のイオン化、加速化等を行って蒸発分子
の平均自由行程の大きい雰囲気にて支持基体上に薄膜を
形成させる方法をも含むものであって、例えば小出願人
による特開昭５１−１４９００８号明細病に示されてい
るような電界蒸着法、特公昭４５−１１５２５号、特公
昭４６−２０４８４号、特公昭４７−２６５７９号、特
公昭４１−４５４５９号、特開昭４９−５５８９０号、
特開昭４９　５４４８５号、特開昭４９−５４２５５号
公報に示されているようなイオン化蒸着法も本発明に用
いられ、その他スパンター法、ノラズマ重合法も適用で
きる。

本発明で用いられる非磁性基体としては、ポリエチレン
テレフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ塩化ビ
ニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエチ
レンナフタレートのようなプラスチックベースが好まし
いが、Ａ４　、　Ｃｕ　、　５ＩＪＳ等の非磁性金属や
ガラス、セラミックス等の無機質の基体も使用すること
ができる。特に、本発明においては、表面粗さくｒａ）
が０．０１２μｍ以下であるような上記可撓性プラスチ
ックベースが好ましい。

本発明に用いられる磁性金属材料としては、Ｅｉ′ｅ、
Ｇｏ、Ｎｉ等の金属、あるいはＦｅ　−Ｇｏ　、　Ｆｅ
　−ＩＧ　。

Ｇｏ−Ｎｉ、Ｆｅ　−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆ’ｅ−Ｒｂ％Ｆｅ
　−Ｃｕ、　Ｃ。

−Ｃｕ、　Ｇｏ−Ａｕ、　Ｇｏ　−Ｙ、　Ｇｏ−Ｌａ、
　Ｇｏ−Ｐｒ。

Ｇｏ　−Ｇｄ　、　Ｃｒｏ’−８ｍ、Ｃｏ　−Ｐｔ、　
Ｎｉ　−Ｃｕ　、　Ｍｎ　−Ｂｉ、Ｍｎ−３ｂ％Ｍｎ−
Ａ、ｔ３、Ｆｅ　−Ｏｒ　％Ｃｏ　−Ｇｒ、Ｎ１−０ｒ
。

Ｆｅ　−Ｇｏ　−Ｏｒ　、　Ｎｉ　−Ｇｏ　−Ｏｒ　、
　Ｆｅ　−Ｇｏ　−Ｎｉ　−Ｏｒ等を主成分とする強磁
性合金である。特に好ましいのはＣｏあるいはＧｏを７
５重敬％含有するような合金である。

更に、これらの磁性金属材料には添加物として、Ｗ、　
Ｍｏ、Ｔａ　％Ｍｇ、゛Ｓｉ、Ａ、６等の金属成分や、
０１Ｂ、０、Ｎ、Ｐ等の非金属成分を少量含ませてもよ
い。こわらの添加物は薄膜形成用母材に含ませてもよく
、また薄膜形成時のガス雰囲気の成分と　□して加えて
もよい。

なお、前記磁性金属薄膜層を形成する際に、若干の酸素
ガスを導入した酸素雰囲気下で行ってもよい。磁性金属
薄膜層の膜厚は、磁気記録媒体として充分な出力を与え
得る孝さおよび高密度記録の充分行える薄さを必要とす
ることから一般には約０．０２μｍから２０００ＯＡ、
好ましくは０．０５μｍから１００ＯＯＡである。

本発明の特徴は、上記のようにして形成した磁性金属薄
膜を有する基体を水又は界面活性剤及び／又は有機溶媒
を含む水（水溶液）に短時間浸漬することにある。

浸漬は室温で行ってもよく、又加温下で行ってもよい。

浸漬時間は浸漬温度、磁性金属薄膜の種類、形成条件等
に応じて適宜選択すればよい。一般に約５秒乃至５分程
度で温度が高ければ浸漬時間を短縮できる。又、浸漬時
に浸漬効果を上げるために、超音波によるか酸素、窒素
、空気等ケ浸漬時液中に吹き込み、かくはんな行うこと
が好ましい。

本発明では普通の水に浸漬するだけでも十分その目的な
達成することができるが、界面活性剤、又は有機溶剤な
含んでいてもよい。

本発明で用いられる界面活性剤としては、例えば、エチ
レングリコール、ポリエチレングリコール等のノニオン
系界面活性剤、ラッリルトリメチルアンモニウムクロラ
イド等のカチオン系界面活性剤；及びラウリル硫酸ナト
リウム、パルミチン酸ナトリウム、ドデシルベンゼンス
ルホン酸ナトリウム等のアニオン系界面活性剤がある。

また、本発明で用いられる有機溶剤としては、例えば、
メタノール、エタノール、アセトン、テ）　ラヒ）’　
Ｏ−７ラン、酢酸、クラウンエーテル類等がある。

上記化合物は学独で用いてもよく、又適宜組み合せて用
いてもよい。

上記の如く浸漬処理後、乾燥して耐候性、特に耐錆性の
改良された磁気記録媒体が寿られる。

以下１本発明を実施例によって説明する。なお、以下の
実施例及び比較例中で行った耐候性の評価は、山崎精＠
（株）製造の発露テスト装置Ｅ−２４めた。なお、水等
に浸漬した後の乾燥はＮ２ガス又はＡｒガスを吹きつけ
て行った。

実施例 ２５μ厚のポリエチレンテレフタレートフィルム基板な
蒸発源に対して６０°の傾きＫなるように真空蒸着装置
内に配置し、１×１Ｏ−５Ｔｏｒｒの真空度で、９９．
９９％の金属コバルトを電子ビーム加熱法により１５０
０Ａの膜厚で蒸着した。次いで、同基板を室温で１分間
水に浸漬した後に乾燥し、発露テス）＆行った結果、錆
の発生は少なかった。

一方、比較例として同様な条件でコバルトを蒸着し、水
の浸漬することなく発露テストな行つたところ錆の発生
は極めて多かった。

実施例２ 実施例１と同様な基板を用い、蒸発源としてＧｏ−Ｎｉ
合金を用い、入射角５０°でＲＦイオンブレーティング
により膜厚１５００ＡのＧｏ−Ｎｉ（８０：２０）合金
薄膜を形成し、５０Ｃで２分間水に浸漬し、乾燥後発露
テス）＆行ったが錆の発生は少なかった。

上記と全く同様にてｃｏ−Ｎｉ合金のＲＥｉ’イオンブ
レーティングされた試料を作り界面活性剤としてポリエ
チレングリコールを少量含む水に超音波を印加しながら
１分間浸漬後、乾燥して発露テストを行った。この場合
、錆の発生は極めて少なかった。

比較例として、同様にして作った試料を浸漬することな
く発露テストしたが、錆の発生は極めて多かった。

実権例５ 実施例１と同様な基板を用い、蒸発源としてａＯ及びＳ
ｌを用い、ＲＦスパッタリングにより膜厚２０００大の
Ｇｏ　−８Ｌ　（９５：５）薄膜を形成し、これを室温
で酸素ガスグロー下に水に１分浸漬し、乾燥後発露テス
トした。錆の発生は極めて少なかった。向様なテストを
窒素ガスプロー下、及び空気のブロー下に行ったが、何
れの場合も錆の発生は少なかった。

比較例として、同様なテストを浸漬処理することなく行
ったところ、錆の発生は極めて多かった。

実症例４ 実悔例１と同様な基板を用い、蒸発源としてＣｏ−Ｃｒ
合金な用い、ＲＦスパッタリングにより膜さ５０００Ａ
のＧｏ−Ｃ：ｒ　（８０：　２０　）の垂直磁Ｘり薄膜
を形成し、８０Ｃで１分水に浸漬し、乾燥後発露テスト
を行った。この場合も錆の発生は少なかった。同様なテ
ストを治機溶剤としてテトラヒドロフランな小歌含む水
中で５０Ｕ１分行ったが、錆の発生は極めて少なかった
。

比較例として同様なテストを浸漬、処理することなく行
ったところ、錆の発生は極めて多かつた。

代理人　弁理士（８１０７）佐々木　清　隆（ほか５名
） 手続補正書 昭和５７年　！月）−６日 昭和５７年特許願願力１０８４５９号 ２、発明の名称 磁気記録媒体の製造法 ３、補正をする者 事件との関係：特許出願人 名称　（５２０）　　富士写真フィルム株式会社霞が関
ビル内郵便局　私書箱第４９号 ２）「発明の詳細な説明」の欄を下記の如く補正する。

０　明細書第６頁下かも６行目、「簡単で膜の付着速度
も大きくできる」を「簡単である」と補正する。

０　同　第５頁２行目、「浸漬する」を「浸漬する工程
を有する」と補正する。

０　同　第５頁９〜１０行目、「蒸発分子の平均自由行
程の大きい雰囲気にて」を削除する。

Ｏ同　第６負６行目、「ポリエチレンナフタレート」を
「ポリエチレンテレフタレート」と補正する。

０　同　第６頁下から６行目、１−Ｃｏ−Ｃｒ、」の後
に「ｃｏ−Ｃｒ−Ｖ、Ｃｏ−Ｃｒ　−Ｗ、　Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｒｈ、Ｃｏ−Ｖ、」を加入する。

０　同　第７頁１１〜１２行目、ｒｏ、ｏｓμｍ」を「
５００ＸＪ　　と補正する。

０　同　第８頁下から５〜４行目、「テトラビトロフラ
ン」を「テトラヒドロフラン」と補正する。

以上 特許請求の範囲 １）　非磁性基体上にペーパーデポジション法によって
磁性金属薄膜層を形成し、次いでこれを水又は界面活性
剤及び有機溶剤の少くとも１つを含む水溶液に浸漬する
工程を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
。

２）　浸漬を昆温乃至加温下に５分以下行５％許請求の
範囲第（１）項に記載の磁気記録媒体の製造方法。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）非磁性基体上にペーパーデポジション法によって
   磁性金属薄膜層を形成し、次いでこれな水又は界面活性
   剤及び有機溶剤の少くとも１つを含む水溶液に浸漬する
   ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. （２）浸漬を室温乃至加温下に５分以下行う特許請求の
   範囲第（Ｌ）項に記載の磁気記録媒体の製造方法。