JP2757672B2 - 無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき方法 - Google Patents
無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき方法Info
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- JP2757672B2 JP2757672B2 JP4093889A JP9388992A JP2757672B2 JP 2757672 B2 JP2757672 B2 JP 2757672B2 JP 4093889 A JP4093889 A JP 4093889A JP 9388992 A JP9388992 A JP 9388992A JP 2757672 B2 JP2757672 B2 JP 2757672B2
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- Japan
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- acid
- electroless
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高温で長時間熱処理し
た場合でも非磁性を維持するめっき皮膜を得ることがで
きる無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき方法に関する。
た場合でも非磁性を維持するめっき皮膜を得ることがで
きる無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
非磁性めっき皮膜としては、Ｎｉ−Ｐ皮膜がよく知られ
ている。このＮｉ−Ｐ皮膜は、水溶性ニッケル塩、錯化
剤、次亜リン酸又はその塩を主成分とする無電解Ｎｉ−
Ｐめっき浴を用いて得られ、均一析出性、高耐食性、高
硬度、高耐摩耗性等の利点を有するが、２００℃以上の
温度で熱処理されると容易に磁性を帯びるという問題が
ある。このため、無電解Ｎｉ−Ｐめっき浴中の次亜リン
酸イオン濃度を高めるなどしてＮｉ−Ｐ皮膜中のＰ含量
を高めることが行われているが、非磁性維持の点でなお
改善の余地がある。
非磁性めっき皮膜としては、Ｎｉ−Ｐ皮膜がよく知られ
ている。このＮｉ−Ｐ皮膜は、水溶性ニッケル塩、錯化
剤、次亜リン酸又はその塩を主成分とする無電解Ｎｉ−
Ｐめっき浴を用いて得られ、均一析出性、高耐食性、高
硬度、高耐摩耗性等の利点を有するが、２００℃以上の
温度で熱処理されると容易に磁性を帯びるという問題が
ある。このため、無電解Ｎｉ−Ｐめっき浴中の次亜リン
酸イオン濃度を高めるなどしてＮｉ−Ｐ皮膜中のＰ含量
を高めることが行われているが、非磁性維持の点でなお
改善の余地がある。
【０００３】一方、従来より無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっ
き浴及びＮｉ−Ｐ−Ｍｏめっき皮膜については種々の提
案がある（特公昭５７−５４５４５号公報、特開昭６２
−６０８７８号及び特開平３−９７８３５号公報）。し
かし、これらのＮｉ−Ｐ−Ｍｏ皮膜は、Ｍｏ含量が高
く、通常Ｍｏ含量を１０％以上として使用するもので、
このようにＭｏ含量が高いと、逆に皮膜中のリン含有量
が低くなり、皮膜が非晶質から結晶質に変化し、また浴
の安定性が悪くなるという問題がある。
き浴及びＮｉ−Ｐ−Ｍｏめっき皮膜については種々の提
案がある（特公昭５７−５４５４５号公報、特開昭６２
−６０８７８号及び特開平３−９７８３５号公報）。し
かし、これらのＮｉ−Ｐ−Ｍｏ皮膜は、Ｍｏ含量が高
く、通常Ｍｏ含量を１０％以上として使用するもので、
このようにＭｏ含量が高いと、逆に皮膜中のリン含有量
が低くなり、皮膜が非晶質から結晶質に変化し、また浴
の安定性が悪くなるという問題がある。
【０００４】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
高温で長時間熱処理しても非磁性を維持し得るＮｉ−Ｐ
−Ｍｏ皮膜を高析出速度でつきまわりよく形成すること
ができる無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき方法を提供するこ
とを目的とする。
高温で長時間熱処理しても非磁性を維持し得るＮｉ−Ｐ
−Ｍｏ皮膜を高析出速度でつきまわりよく形成すること
ができる無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者らは、
上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、硫酸ニ
ッケル塩と、水溶性モリブデン酸塩と、次亜リン酸又は
その塩とを含む無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき浴の錯化剤
として、特定のオキシジカルボン酸又はその塩とＯＨ基
を有さない特定のジカルボン酸又はその塩とを併用した
酸性の無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき浴を用いてめっきを
行うことにより、３００℃で３時間熱処理した場合でも
非磁性が維持されるＮｉ−Ｐ−Ｍｏめっき皮膜が高析出
速度でつきまわりよく得られることを見い出した。
上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、硫酸ニ
ッケル塩と、水溶性モリブデン酸塩と、次亜リン酸又は
その塩とを含む無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき浴の錯化剤
として、特定のオキシジカルボン酸又はその塩とＯＨ基
を有さない特定のジカルボン酸又はその塩とを併用した
酸性の無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき浴を用いてめっきを
行うことにより、３００℃で３時間熱処理した場合でも
非磁性が維持されるＮｉ−Ｐ−Ｍｏめっき皮膜が高析出
速度でつきまわりよく得られることを見い出した。
【０００６】即ち、後述する実施例、比較例の結果から
明らかなように、オキシジカルボン酸／塩やＯＨ基を含
まないカルボン酸／塩を単独使用したり、これにモノカ
ルボン酸／塩やトリカルボン酸／塩を添加しても浴安定
性、析出速度、非磁性特性等の点で問題があるのに対
し、特定のオキシジカルボン酸又はその塩とＯＨ基を有
さない特定のジカルボン酸又はその塩とを併用した場
合、析出速度が低下したり、つきまわり不良が生じるこ
となく、良好なＮｉ−Ｐ−Ｍｏ皮膜がめっきされると共
に、このめっき皮膜は高温で長時間熱処理しても非磁性
が維持されることを知見し、本発明をなすに至ったもの
である。
明らかなように、オキシジカルボン酸／塩やＯＨ基を含
まないカルボン酸／塩を単独使用したり、これにモノカ
ルボン酸／塩やトリカルボン酸／塩を添加しても浴安定
性、析出速度、非磁性特性等の点で問題があるのに対
し、特定のオキシジカルボン酸又はその塩とＯＨ基を有
さない特定のジカルボン酸又はその塩とを併用した場
合、析出速度が低下したり、つきまわり不良が生じるこ
となく、良好なＮｉ−Ｐ−Ｍｏ皮膜がめっきされると共
に、このめっき皮膜は高温で長時間熱処理しても非磁性
が維持されることを知見し、本発明をなすに至ったもの
である。
【０００７】従って、本発明は、硫酸ニッケルをニッケ
ルとして２〜１０ｇ／ｌ、水溶性モリブデン酸塩を０．
０１〜５ｇ／ｌ、次亜リン酸又はその塩を１０〜５０ｇ
／ｌ、酒石酸、リンゴ酸及びそれらの塩から選ばれるオ
キシジカルボン酸類とコハク酸、マロン酸、ジグリコー
ル酸及びそれらの塩から選ばれるジカルボン酸類を１
０：１〜０．５：１のモル比で併用してなる錯化剤を硫
酸ニッケル１モルに対し１〜７モルを含み、ｐＨが４〜
５である無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき浴に被めっき物を
浸漬し、７０〜９５℃の温度でめっきしてＰ量が１０．
７〜１３重量％、Ｍｏ量が０．２〜１．８重量％の非晶
質Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき皮膜を形成することを特徴とす
る無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき方法を提供する。
ルとして２〜１０ｇ／ｌ、水溶性モリブデン酸塩を０．
０１〜５ｇ／ｌ、次亜リン酸又はその塩を１０〜５０ｇ
／ｌ、酒石酸、リンゴ酸及びそれらの塩から選ばれるオ
キシジカルボン酸類とコハク酸、マロン酸、ジグリコー
ル酸及びそれらの塩から選ばれるジカルボン酸類を１
０：１〜０．５：１のモル比で併用してなる錯化剤を硫
酸ニッケル１モルに対し１〜７モルを含み、ｐＨが４〜
５である無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき浴に被めっき物を
浸漬し、７０〜９５℃の温度でめっきしてＰ量が１０．
７〜１３重量％、Ｍｏ量が０．２〜１．８重量％の非晶
質Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき皮膜を形成することを特徴とす
る無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき方法を提供する。
【０００８】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明の無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき浴は、硫酸ニ
ッケルとモリブデン酸塩と還元剤として次亜リン酸又は
その塩とを含む。
と、本発明の無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき浴は、硫酸ニ
ッケルとモリブデン酸塩と還元剤として次亜リン酸又は
その塩とを含む。
【０００９】ここで、硫酸ニッケルのめっき浴中の濃度
は、ニッケルとして２〜１０ｇ／ｌ、特に４〜８ｇ／ｌ
とすることが好ましい。
は、ニッケルとして２〜１０ｇ／ｌ、特に４〜８ｇ／ｌ
とすることが好ましい。
【００１０】また、水溶性モリブデン酸塩としては、モ
リブデン酸ナトリウム、モリブデン酸アンモニウム、モ
リブデン酸カリウム、モリブデン酸カルシウム、リンモ
リブデン酸、リンモリブデン酸アンモニウム等が用いら
れ、めっき浴中の濃度は０．０１〜５ｇ／ｌ、特に０．
０５〜１ｇ／ｌとすることが好ましい。モリブデン酸塩
の濃度が０．０１ｇ／ｌより低いとめっき皮膜中のモリ
ブデン含量が少なくなり、耐熱非磁性の効果が十分得ら
れなくなり、一方５ｇ／ｌを越えると、析出速度が低下
したり、つきまわり不良が発生したりする場合が生じ
る。
リブデン酸ナトリウム、モリブデン酸アンモニウム、モ
リブデン酸カリウム、モリブデン酸カルシウム、リンモ
リブデン酸、リンモリブデン酸アンモニウム等が用いら
れ、めっき浴中の濃度は０．０１〜５ｇ／ｌ、特に０．
０５〜１ｇ／ｌとすることが好ましい。モリブデン酸塩
の濃度が０．０１ｇ／ｌより低いとめっき皮膜中のモリ
ブデン含量が少なくなり、耐熱非磁性の効果が十分得ら
れなくなり、一方５ｇ／ｌを越えると、析出速度が低下
したり、つきまわり不良が発生したりする場合が生じ
る。
【００１１】次亜リン酸又はその塩としては、次亜リン
酸ナトリウム、次亜リン酸カリウム等が好適に使用さ
れ、めっき浴中の濃度は１０〜５０ｇ／ｌ、特に２０〜
４０ｇ／ｌとすることが好ましい。
酸ナトリウム、次亜リン酸カリウム等が好適に使用さ
れ、めっき浴中の濃度は１０〜５０ｇ／ｌ、特に２０〜
４０ｇ／ｌとすることが好ましい。
【００１２】本発明のめっき浴には、酒石酸、リンゴ酸
及びそれらの塩から選ばれるオキシジカルボン酸類と、
コハク酸、マロン酸、ジグリコール酸及びそれらの塩か
ら選ばれるジカルボン酸類とを併用する。塩としては、
ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩などが挙げ
られる。この場合、前者と後者の併用比率はモル比とし
て１０：１〜０．５：１、特に８：１〜１：１であるこ
とが、その併用効果をより有効に発揮させることができ
る点から推奨される。
及びそれらの塩から選ばれるオキシジカルボン酸類と、
コハク酸、マロン酸、ジグリコール酸及びそれらの塩か
ら選ばれるジカルボン酸類とを併用する。塩としては、
ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩などが挙げ
られる。この場合、前者と後者の併用比率はモル比とし
て１０：１〜０．５：１、特に８：１〜１：１であるこ
とが、その併用効果をより有効に発揮させることができ
る点から推奨される。
【００１３】また、必要により、上記２種以上のジカル
ボン酸又はその塩に加え、グリコール酸、乳酸、グルコ
ン酸、クエン酸やその塩等のモノカルボン酸類、トリカ
ルボン酸類などを本発明の効果を損なわない範囲で添加
しても差し支えない。
ボン酸又はその塩に加え、グリコール酸、乳酸、グルコ
ン酸、クエン酸やその塩等のモノカルボン酸類、トリカ
ルボン酸類などを本発明の効果を損なわない範囲で添加
しても差し支えない。
【００１４】上記錯化剤の配合量は適宜選定されるが、
水溶性ニッケル塩１モルに対し１〜７モル、特に２〜６
モルとすることが好ましい。
水溶性ニッケル塩１モルに対し１〜７モル、特に２〜６
モルとすることが好ましい。
【００１５】なお、本発明のめっき浴には、鉛塩その他
の安定剤、ｐＨ調整剤などの成分を添加することがで
き、またそのｐＨは４〜５の範囲とする。ｐＨが低すぎ
ると析出速度が低下する場合があり、ｐＨが高すぎると
めっき皮膜の応力が高くなったり、浴が不安定になる場
合がある。
の安定剤、ｐＨ調整剤などの成分を添加することがで
き、またそのｐＨは４〜５の範囲とする。ｐＨが低すぎ
ると析出速度が低下する場合があり、ｐＨが高すぎると
めっき皮膜の応力が高くなったり、浴が不安定になる場
合がある。
【００１６】本発明のめっき浴を用いてＮｉ−Ｐ−Ｍｏ
めっき皮膜を得る場合は、被めっき物を該めっき浴に浸
漬すればよいが、この場合、めっき温度は７０〜９５℃
で行う。なお、めっき速度は、９０℃のめっき温度にお
いて通常５〜１０μｍ／ｈｒである。また、めっきに際
しては、スターラーによる撹拌、ポンプによる撹拌、被
めっき物を揺動させるなどの方法でめっき浴を適度に撹
拌することが好ましく、撹拌により確実に良好な耐熱非
磁性のめっき皮膜を得ることができる。これに対し、撹
拌を行わないと、めっき皮膜の非磁性特性が低下する場
合が生じる。
めっき皮膜を得る場合は、被めっき物を該めっき浴に浸
漬すればよいが、この場合、めっき温度は７０〜９５℃
で行う。なお、めっき速度は、９０℃のめっき温度にお
いて通常５〜１０μｍ／ｈｒである。また、めっきに際
しては、スターラーによる撹拌、ポンプによる撹拌、被
めっき物を揺動させるなどの方法でめっき浴を適度に撹
拌することが好ましく、撹拌により確実に良好な耐熱非
磁性のめっき皮膜を得ることができる。これに対し、撹
拌を行わないと、めっき皮膜の非磁性特性が低下する場
合が生じる。
【００１７】このようにして析出状態で非晶質であり、
Ｐ１０．７〜１３重量％、Ｍｏ０．２〜１．８重量％の
組成を有するＮｉ−Ｐ−Ｍｏめっき皮膜を得るものであ
る。このＮｉ−Ｐ−Ｍｏめっき皮膜は高温（例えば３０
０℃）で長時間（例えば３時間）熱処理しても非磁性が
維持されるものである。また、このＮｉ−Ｐ−Ｍｏめっ
き皮膜は、Ｍｏ含量が少ないので、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜
の特長、即ち均一析出性、高耐食性、高硬度、高耐摩耗
性という利点を有効に発揮するものである。
Ｐ１０．７〜１３重量％、Ｍｏ０．２〜１．８重量％の
組成を有するＮｉ−Ｐ−Ｍｏめっき皮膜を得るものであ
る。このＮｉ−Ｐ−Ｍｏめっき皮膜は高温（例えば３０
０℃）で長時間（例えば３時間）熱処理しても非磁性が
維持されるものである。また、このＮｉ−Ｐ−Ｍｏめっ
き皮膜は、Ｍｏ含量が少ないので、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜
の特長、即ち均一析出性、高耐食性、高硬度、高耐摩耗
性という利点を有効に発揮するものである。
【００１８】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００１９】〔実施例１〜２，比較例１〜９〕 下記組成の無電解めっき浴を調製し、被めっきサンプル
として亜鉛置換処理を施したアルミニウム板（９５ｍｍ
のハードディスク用Ａｌ基板）上にスターラー撹拌下に
おいて９０℃で１２０分間めっきを行い、約１５μｍ厚
さのめっき皮膜を得た。
として亜鉛置換処理を施したアルミニウム板（９５ｍｍ
のハードディスク用Ａｌ基板）上にスターラー撹拌下に
おいて９０℃で１２０分間めっきを行い、約１５μｍ厚
さのめっき皮膜を得た。
【００２０】浴組成 硫酸ニッケル（ニッケルとして） ６ ｇ／ｌ 次亜リン酸ナトリウム ３０ 〃 モリブデン酸ナトリウム ０．３ 〃 表１に示す錯化剤 表１に示す量 安定剤 微 量 ｐＨ ４．５
【００２１】
【表１】
【００２２】なお、本実施例において、つきまわりは、
９５ｍｍのハードディスク用Ａｌ基板を５リットルのめ
っき浴でめっきした場合において、基板全体のめっき後
の表面、特に内周、外周部を目視にて下記のように評価
した。 ○：全面にめっきが析出した。 △：一部無めっき部分が発生した。 ×：内外周部全体が無めっきとなった。 また、浴安定性は、めっき終了後のめっき液を目視にて
観察し、下記のように評価した。 ○：ニッケル粉が見られない。 △：ニッケル粉が少し見られる。 ×：ニッケル粉が多量に見られ、浴分解の可能性があ
る。
９５ｍｍのハードディスク用Ａｌ基板を５リットルのめ
っき浴でめっきした場合において、基板全体のめっき後
の表面、特に内周、外周部を目視にて下記のように評価
した。 ○：全面にめっきが析出した。 △：一部無めっき部分が発生した。 ×：内外周部全体が無めっきとなった。 また、浴安定性は、めっき終了後のめっき液を目視にて
観察し、下記のように評価した。 ○：ニッケル粉が見られない。 △：ニッケル粉が少し見られる。 ×：ニッケル粉が多量に見られ、浴分解の可能性があ
る。
【００２３】〔実施例３〜６，比較例１０〕 下記組成の無電解めっき浴を調製し、実施例１〜２と同
様にしてめっきを行い、約１５μｍ厚さのめっき皮膜を
得た。次に、このめっき皮膜を電気オーブンを使用し、
３００℃，２時間の条件で空気中において熱処理し、飽
和磁束密度を測定した。結果を図１〜３に示す。なお、
モリブデン酸ナトリウム量を０〜１ｇ／ｌ変化させた場
合の皮膜組成を表２に示す。浴組成 硫酸ニッケル（ニッケルとして） ６ ｇ／ｌ 次亜リン酸ナトリウム ３０ 〃 モリブデン酸ナトリウム ０〜１ 〃 リンゴ酸 １８ 〃 コハク酸 １６ 〃 安定剤 微 量 ｐＨ ４．５ なお、磁性測定条件は下記の通りである。磁性測定条件 ：振動試料型磁力計（理研電子製ＢＨＶ−
５０型） 印加磁場２５００Ｏｅ 感度０．００５ＥＭＵ 試料 １×１ｃｍ 測定回数ｎ＝２
様にしてめっきを行い、約１５μｍ厚さのめっき皮膜を
得た。次に、このめっき皮膜を電気オーブンを使用し、
３００℃，２時間の条件で空気中において熱処理し、飽
和磁束密度を測定した。結果を図１〜３に示す。なお、
モリブデン酸ナトリウム量を０〜１ｇ／ｌ変化させた場
合の皮膜組成を表２に示す。浴組成 硫酸ニッケル（ニッケルとして） ６ ｇ／ｌ 次亜リン酸ナトリウム ３０ 〃 モリブデン酸ナトリウム ０〜１ 〃 リンゴ酸 １８ 〃 コハク酸 １６ 〃 安定剤 微 量 ｐＨ ４．５ なお、磁性測定条件は下記の通りである。磁性測定条件 ：振動試料型磁力計（理研電子製ＢＨＶ−
５０型） 印加磁場２５００Ｏｅ 感度０．００５ＥＭＵ 試料 １×１ｃｍ 測定回数ｎ＝２
【００２４】
【表２】
【００２５】
【発明の効果】本発明のめっき浴を用いためっき方法に
よれば、めっき浴の安定性もよく、また高温で長時間熱
処理しても非磁性を維持し得るＮｉ−Ｐ−Ｍｏ皮膜を高
析出速度でつきまわりよく形成することができる。
よれば、めっき浴の安定性もよく、また高温で長時間熱
処理しても非磁性を維持し得るＮｉ−Ｐ−Ｍｏ皮膜を高
析出速度でつきまわりよく形成することができる。
【図１】Ｎａ２ＭｏＯ４を種々の濃度で含むめっき浴か
ら得られためっき皮膜を３００℃で２時間熱処理した場
合におけるＮａ２ＭｏＯ４濃度と飽和磁束密度との関係
を示すグラフである。
ら得られためっき皮膜を３００℃で２時間熱処理した場
合におけるＮａ２ＭｏＯ４濃度と飽和磁束密度との関係
を示すグラフである。
【図２】Ｎａ２ＭｏＯ４を０ｇ／ｌ又は０．３ｇ／ｌ含
むめっき浴から得られためっき皮膜を種々の温度で２時
間熱処理した場合における熱処理温度と飽和磁束密度と
の関係を示すグラフである。
むめっき浴から得られためっき皮膜を種々の温度で２時
間熱処理した場合における熱処理温度と飽和磁束密度と
の関係を示すグラフである。
【図３】Ｎａ２ＭｏＯ４を０ｇ／ｌ又は０．３ｇ／ｌ含
むめっき浴から得られためっき皮膜を３００℃で熱処理
した場合における熱処理時間と飽和磁束密度との関係を
示すグラフである。
むめっき浴から得られためっき皮膜を３００℃で熱処理
した場合における熱処理時間と飽和磁束密度との関係を
示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 昌弘 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村 工業株式会社 開発技術研究所内 (56)参考文献 特開 平３−150368（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−225777（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−274076（ＪＰ，Ａ) 特公 平５−15790（ＪＰ，Ｂ２) 特公 平４−29739（ＪＰ，Ｂ２) 特公 平２−29753（ＪＰ，Ｂ２) 旭硝子工業技術奨励会研究報告，52 （1988）第53頁−第62頁
Claims (1)
- 【請求項１】 硫酸ニッケルをニッケルとして２〜１０
ｇ／ｌ、水溶性モリブデン酸塩を０．０１〜５ｇ／ｌ、
次亜リン酸又はその塩を１０〜５０ｇ／ｌ、酒石酸、リ
ンゴ酸及びそれらの塩から選ばれるオキシジカルボン酸
類とコハク酸、マロン酸、ジグリコール酸及びそれらの
塩から選ばれるジカルボン酸類を１０：１〜０．５：１
のモル比で併用してなる錯化剤を硫酸ニッケル１モルに
対し１〜７モルを含み、ｐＨが４〜５である無電解Ｎｉ
−Ｐ−Ｍｏめっき浴に被めっき物を浸漬し、７０〜９５
℃の温度でめっきしてＰ量が１０．７〜１３重量％、Ｍ
ｏ量が０．２〜１．８重量％の非晶質Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめ
っき皮膜を形成することを特徴とする無電解Ｎｉ−Ｐ−
Ｍｏめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4093889A JP2757672B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4093889A JP2757672B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05263259A JPH05263259A (ja) | 1993-10-12 |
| JP2757672B2 true JP2757672B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=14095049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4093889A Expired - Fee Related JP2757672B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｍｏめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2757672B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012087386A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Toyota Motor Corp | 無電解ニッケルめっき浴およびそれを用いた無電解ニッケルめっき法 |
| CN105506589B (zh) * | 2015-12-30 | 2018-05-04 | 大连大学 | 一种化学镀Ni-P/Ni-Mo-P复合结构镀层及其制备方法 |
| ES2826441T3 (es) | 2017-06-02 | 2021-05-18 | Atotech Deutschland Gmbh | Baños de metalizado no electrolítico de aleación de níquel, un método de deposición de aleaciones de níquel, depósitos de aleación de níquel y usos de dichos depósitos de aleación de níquel formados |
| CN107475699A (zh) * | 2017-08-28 | 2017-12-15 | 中石化炼化工程（集团）股份有限公司 | 气液分配器的防腐涂层、制备方法及其应用 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62274076A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Toyo Kohan Co Ltd | 無電解ニツケル−リンめつき浴 |
| JPH01225777A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Seiko Epson Corp | 無電解メッキ浴 |
| JPH0229753A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-01-31 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
| JPH03150368A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 耐熱非磁性めっき体の製造方法 |
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1992
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| 旭硝子工業技術奨励会研究報告，５２（１９８８）第５３頁−第６２頁 |
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