JPS6124011A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は垂直磁気記録のための磁気記録媒体に係り、特
にＧｏ−Ｃｒ系磁性１１層を記録層とする垂直磁気記録
媒体に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

近年、磁気記録媒体の磁性薄膜層に垂直方向に残留磁化
を形成して高密度記録を行なう垂直磁化記録方式が注目
されている。垂直磁化記録方式は良く知られているよう
に、記録密度が増加するほど記録媒体内の減磁界が減少
するという特徴を持っており、高密度記録に極めて適し
た方式である。

このような垂直磁化記録用の磁気記録媒体、すなわち垂
直磁気記録媒体として、膜面に垂直な方向に磁化容易軸
を持つＣｏ−Ｃｒ系合金からなる磁性薄膜層を記録磁性
層とするものが知られている。この垂直磁気記録媒体は
、ポリイミドやポリエステル等の可撓性を有するフィル
ム上の高分子基体上にＣｏ−Ｃｒ系合金薄膜をスパッタ
リングにより形成す、ることによって作製されるもので
あり、磁気テープやディスク上媒体、特にフロッピーデ
ィスクへの適用が考えられている。

ところで、’Ｃｏ−Ｏｒ系合金薄膜層の磁気特性のうち
、特に膜面に垂直な方向（以下、単に垂直方向という）
の抗磁力（保磁力）ＨＣ上が垂直磁気記録媒体では重要
である。この垂直方向の抗磁力ＨＣ工がＣ０−Ｃｒ合金
薄膜層の形成時の基体温度に依存することは良く知られ
ている。しかし、高いＨＣ上を得るために基体温度を高
くすると、基体表面に熱損傷を生じたり、基体そ−のも
のが変質をきたす結果、媒体表面の表面性（平坦性）が
劣化する。このような媒体の表面性劣化は再生出力エン
ベローブの劣化および再生出力レベルの低下を招き、高
密度記録の大きな妨げとなる。

このように、従来のＣ０−Ｃｒ系合金薄膜層を記録層と
する垂直磁気記録媒体では、大きい再生出力を得るため
に垂直方向の抗磁力Ｈｃ上を上げようとすると、媒体の
表面性が劣化して、垂直磁化記録の持つ高密度記録とい
う特長が損なわれる問題があった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、Ｃｏ−Ｃｒ系合金からなる磁性薄膜層
の垂直方向の抗磁力が高く、しかも表面性の良好な垂直
磁気記録媒体を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明は可撓性高分子基体上に膜面に垂直方向に磁化容
易軸を有するＱｏ−Ｃｒ合金からなる磁性薄膜層を有す
る垂直磁気記録媒体において、基体と磁性薄膜層との間
に非磁性化合物を介在させたことを特徴とする。

〔発明の効果〕

本発明によれば、基体とＧｏ−Ｃｒ系合金からなる磁性
薄膜層との間に介在させた非磁性化合物置によって、磁
性薄膜層をスパッタリング等により形成する際の基体の
耐熱温度が見掛は上高くなるとともに、表面性の劣化も
抑制される。従って、磁性薄膜層の形成時の基体温度を
上げることにより、磁性薄膜層の垂直方向抗磁力を高め
て、再生出力レベルを大きくすることができる。また、
このように垂直方向抗磁力の向上が図られると同時に、
表面性の向上によって記録密度を高くとることが可能と
なり、垂直磁化記録の特長が最大限に発揮されるという
利点がある。

さらに、本発明においては基体と磁性薄膜層との間に介
在される層が非磁性化合物であるため、記録層、である
磁性薄膜層に特性上なんら悪影響を与えることがなく、
また膜厚が例えばｉ　ｏｏｏÅ以下程度と非常に薄くと
も十分な効果が得られるので、媒体のフレキシビリティ
が低下するおそれもない。

〔発明の実施例〕

図はこの発明の一実施例に係る垂直磁気記録媒−体の構
造を示す断面図であり、可撓性高分子基体１上に非磁性
化合物置２を介して、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有
するＱｏ−Ｃｒ系合金からなる磁性薄膜層３を形成した
構造である。

可撓性高分子基体１は例えばポリイミド、ポリエステル
等のフィルムからなる。また、非磁性化合物置２は例え
ば、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３゜Ｓ　ｉａ　０４　、ＺｒＯ
２等からなり、スパッタリングにより厚さｄ＝１０００
Å以下の厚さに形成される。さらに、磁性薄膜層３は例
えば５　ｍｔｏｒｒのＡｒ雰囲気中で基体１の温度を７
０℃〜１６０’Ｃ程度に保った状態でスパッタリングに
より形成される。

第１表はこうして作製される本発明の垂直磁気記録媒体
における磁性薄膜層３の垂直方向抗磁力Ｈｃ土と媒・体
の表面粗さとの関係を、非磁性化合物置２のない従来構
造の媒体と対比して示したものである。

−１上し ただし、可撓性高分子基体１としてポリエステル・フィ
ルムを用い、また非磁性化合物置２としては５ｉ０２膜
を厚さｄ＝５００人形成し、さらに磁性薄膜層３として
はＣｏ　−２１ａｔ％Ｃｒ合金膜を基体温度を種々変え
て５０００人の厚さに形成した。

この第１表に示されるように、本発明による垂直磁気記
録媒体は非磁性化合物置２を有しない従来構造の媒体と
比較して、高い垂直方向抗磁力Ｈｃユを有すると同時に
表面性が良好であり、垂直磁化記録に適した基本特性を
備えていることが明らかである。

本発明の垂直磁気記録媒体においては、同じ垂直方向抗
磁力１−ＩＣ工に対して非磁性化合物置２の厚さｄおよ
び非磁性化合物置２の材質によって表面粗さが異なって
くる。この様子を第２表および第３表にそれぞれ示す。

ｉＬ 髪ＩＬ 但し、第２表においては非磁性化合物置２としてＡｌ２
Ｏ３を用い、また第３表においては非磁性化合物置２の
厚さｄを３００人とした。また、垂直方向抗磁力Ｈｃ工
は第２表および第３表とも１０００（Ｏｅ）とした。第
２表より非磁性化合物置２の厚さｄを厚くする程、表面
性は向上する。

しかし、ｄをあまり厚くすると媒体のフレキシビリティ
が悪くなる。この点を考慮すると厚さｄは１０００Å以
下が適当であり、この範囲内であれば表面性向上の効果
も実用上十分である。また、第３表より非磁性化合物置
２の材料のよらずほぼ同じ効果が得られるが、特に８１
０２が表面性向上に最も効果があることがわかる。

さらに、可撓性高分子基体１とＣｏ−Ｃｒ系合金からな
る磁性薄膜層３との間に介在させる層（中間層）として
、この発明の如く非磁性化合物を用いた場合と、金属単
体を用いた場合との垂直方向抗磁力Ｈｃ土および垂直異
方性磁界Ｈｋを比較した結果を第４表に示す。

ｉ この第４表から中間層は金属単体の場合より、その化合
物の場合の方が垂直異方性磁界Ｈｋが大きく、垂直磁化
記録に適していることがわかる。

この傾向は金属とその化合物が異なる組合せの場合でも
同様である。

この発明は上述した実施例に限定されるものではなく、
例えば実施例では磁性薄膜層としてＣ。

−Ｃｒ合金膜を用いたが、Ｃｏ、Ｃｒ以外の元素を含ん
でいてもよく、要するにＧｏ、　Ｃｒを主成分としたも
のであればよい。また、非磁性化合物置の材料も前記説
明で例示したもの以外の材料を選択することができる。

その他、この発明は要旨を逸脱しない範囲で種々変形実
施が可能である。

以上説明したように、この発明によれば可撓性高分子基
体とＣｏ−Ｃｒ系合金からなる磁性薄膜層との間に非磁
性化合物置を介在させたことにより、高い垂直方向抗磁
力と良好な平坦性とを同時に実現することが可能な垂直
磁気記録媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

図はこの発明の一実施例に係る垂直磁気記録媒体の断面
図である。 １・・・可撓性高分子基体、２・・・非磁性化合物置、
３・・・Ｑｏ−Ｃｒ系合金からなる磁性薄膜層。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）可撓性高分子基体上に膜面に垂直方向に磁化容易
   軸を有するＣｏ−Ｃｒ系合金からなる磁性薄膜層を有す
   る垂直磁気記録媒体において、前記基体と磁性薄膜層と
   の間に非磁性化合物置を介在させたことを特徴とする垂
   直磁気記録媒体。
2. （２）非磁性化合物置の膜厚が１０００Å以下であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記
   録媒体。