JPH053050B2 - - Google Patents
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- JPH053050B2 JPH053050B2 JP57014630A JP1463082A JPH053050B2 JP H053050 B2 JPH053050 B2 JP H053050B2 JP 57014630 A JP57014630 A JP 57014630A JP 1463082 A JP1463082 A JP 1463082A JP H053050 B2 JPH053050 B2 JP H053050B2
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- film
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はコバルトクロミウム薄膜磁気記録媒体
表面に対し垂直に配合した窒化ボロン薄膜を形成
した垂直磁気記録媒体に関する。
表面に対し垂直に配合した窒化ボロン薄膜を形成
した垂直磁気記録媒体に関する。
近年VTRの発展及びコンピユーターの大衆化
に伴ない磁気記録テープ、磁気記録デイスクの高
密度化が急速に進展している。中でも最も注目さ
れているのは垂直磁化記録と呼ばれる磁気記録方
式である。垂直磁化記録方式に用いられる記録媒
体は第１図に示す如くPET等のフレキシブルあ
るいはアルミウム等のリジツドな基板１５にパー
マロイ膜２を約5000Åの厚みに形成し更にその上
にクロミウムを20アトミツクパーセント含有した
コバルトクロミウム合金膜３が形成されている。
最上部に形成されているコバルトクロミウム合金
膜３は基板１に対して垂直に磁化しやすい特性を
有している。この新しい記録媒体への記録再生は
新しい構造の磁気ヘツドが用いられる。その概要
を第２図に示す。コバルトクロミウム合金記録媒
体４０上部に主磁極５と称するタンザク状パター
ンのパーマロイ膜が構成され、その反対側には補
助磁極６と称する棒状のフエライトにコイルを巻
きつけた磁極が配置される。この構造の磁気ヘツ
ドによりコバルトクロミウム合金記録媒体への記
録再生が行なわれる。
に伴ない磁気記録テープ、磁気記録デイスクの高
密度化が急速に進展している。中でも最も注目さ
れているのは垂直磁化記録と呼ばれる磁気記録方
式である。垂直磁化記録方式に用いられる記録媒
体は第１図に示す如くPET等のフレキシブルあ
るいはアルミウム等のリジツドな基板１５にパー
マロイ膜２を約5000Åの厚みに形成し更にその上
にクロミウムを20アトミツクパーセント含有した
コバルトクロミウム合金膜３が形成されている。
最上部に形成されているコバルトクロミウム合金
膜３は基板１に対して垂直に磁化しやすい特性を
有している。この新しい記録媒体への記録再生は
新しい構造の磁気ヘツドが用いられる。その概要
を第２図に示す。コバルトクロミウム合金記録媒
体４０上部に主磁極５と称するタンザク状パター
ンのパーマロイ膜が構成され、その反対側には補
助磁極６と称する棒状のフエライトにコイルを巻
きつけた磁極が配置される。この構造の磁気ヘツ
ドによりコバルトクロミウム合金記録媒体への記
録再生が行なわれる。
コバルトクロミウム合金はその結晶構造は六方
最密構造であり、しかも0.01Torr程度のアルゴ
ン圧力でスパツタ法により薄膜を形成すると基板
面に対し垂直に立つた円柱状の構造となり、垂直
磁気異方性が生じる。その様子を第３図に示す。
Ｃ軸方向に長い円柱状微結晶７が基板８に立つて
いる。このＣ軸が基板の垂直方向に沿つているほ
ど磁気異方性が高く記録も容易で再生出力も高
い。この垂直方向からのずれはＸ線回折とに測定
することができロツキングカーブと称され△θ50
なる特性で呼ばれている。即ち第４図に示す如く
ロツキングカーブで通常コバルトクロミウム薄膜
は△θ50は５度以下となる。即ち円柱状微結晶の
ほとんどがそのＣ軸の基板垂直方向からの傾きが
５度以内に揃つていることになる。通常PET基
板もしくはアルミウム基板上にスパツタ法で形成
したコバルトクロミウム合金薄膜の場合には△
θ50は３度以下となる。
最密構造であり、しかも0.01Torr程度のアルゴ
ン圧力でスパツタ法により薄膜を形成すると基板
面に対し垂直に立つた円柱状の構造となり、垂直
磁気異方性が生じる。その様子を第３図に示す。
Ｃ軸方向に長い円柱状微結晶７が基板８に立つて
いる。このＣ軸が基板の垂直方向に沿つているほ
ど磁気異方性が高く記録も容易で再生出力も高
い。この垂直方向からのずれはＸ線回折とに測定
することができロツキングカーブと称され△θ50
なる特性で呼ばれている。即ち第４図に示す如く
ロツキングカーブで通常コバルトクロミウム薄膜
は△θ50は５度以下となる。即ち円柱状微結晶の
ほとんどがそのＣ軸の基板垂直方向からの傾きが
５度以内に揃つていることになる。通常PET基
板もしくはアルミウム基板上にスパツタ法で形成
したコバルトクロミウム合金薄膜の場合には△
θ50は３度以下となる。
通常は更にコバルトクロミウム合金薄膜の下に
抗磁力の小なる磁性膜、例えばパーマロイ等の薄
膜を形成して高密度記録を可能とし、低ノイズ高
再生出力を実現している。従つて通常例えば
PET等のフレキシブルな基板の上にパーマロイ、
コバルトクロミウム合金の薄膜が約5000オングス
トロームずつ形成された形となつており、記録媒
体の表面は金属表面がむき出しのままとなつてい
る。この様な構造となつている為に従来の
γFe2O3を用いた磁気記録媒体の表面とは全く異
なつた現象を示す。特に表面を記録再生ヘツドが
摺動していつた場合に従来の磁気記録媒体よりも
傷がつき易く、長期信頼性に不安がある。本発明
はこの欠点を除去し信頼性の高い高密度磁気記録
媒体を完成したものである。
抗磁力の小なる磁性膜、例えばパーマロイ等の薄
膜を形成して高密度記録を可能とし、低ノイズ高
再生出力を実現している。従つて通常例えば
PET等のフレキシブルな基板の上にパーマロイ、
コバルトクロミウム合金の薄膜が約5000オングス
トロームずつ形成された形となつており、記録媒
体の表面は金属表面がむき出しのままとなつてい
る。この様な構造となつている為に従来の
γFe2O3を用いた磁気記録媒体の表面とは全く異
なつた現象を示す。特に表面を記録再生ヘツドが
摺動していつた場合に従来の磁気記録媒体よりも
傷がつき易く、長期信頼性に不安がある。本発明
はこの欠点を除去し信頼性の高い高密度磁気記録
媒体を完成したものである。
本発明の目的は信頼性の高い垂直磁気記録媒体
を提供することにある。
を提供することにある。
本発明の他の目的は記録密度の高い垂直磁気記
録媒体を提供することにある。
録媒体を提供することにある。
以下に図について本発明を説明する。
第５図は本発明の基本を説明する図である。基
板１の上に小抗磁力磁性膜なるパーマロイ膜２及
び垂直磁化記録膜なるコバルトクロミウム合金膜
３が形成されていることは従来の基本構造と同一
であるが、本発明は更にその上に耐摩耗潤滑層と
して窒化ボロンBN薄膜９を形成し、信頼性を飛
躍的に向上せしめた。即ち窒化ボロンBNの薄膜
を1000オングストローム程度形成しただけで同一
トラツク上100万パス以上の信頼性を確保するこ
とができた。基板１はアルミウムの様なリジツド
の場合でも、PETやポリイミドの様なフレキシ
ブルな場合でも同様に窒化ボロン薄膜形成の効果
があつた。記録媒体の両側には主磁極５と補助磁
極６がチタバリ等の材質によるスライダー１０に
より固定されて記録媒体との摺動を滑らかなもの
とする構成となつている。窒化ボロンBN９の厚
みは厚くする程信頼性は向上するが、厚くなりす
ぎると垂直磁化記録膜２と主磁極５の先端との距
離が遠くなり、再生信号出力が小さくなり、ノイ
ズが多くなる等のトラブルが発生するので窒化ボ
ロンBNの厚みは垂直磁化記録膜２とヘツドの特
性を考慮して決定される。第５図においてヘツド
は主磁極５、補助磁極６が相対する構成の基本タ
イプについて示したが本発明はこの基本タイプを
改良した種類のヘツドやリングタイプのヘツドに
対しても同様の効果を発揮することはいうまでも
ない。
板１の上に小抗磁力磁性膜なるパーマロイ膜２及
び垂直磁化記録膜なるコバルトクロミウム合金膜
３が形成されていることは従来の基本構造と同一
であるが、本発明は更にその上に耐摩耗潤滑層と
して窒化ボロンBN薄膜９を形成し、信頼性を飛
躍的に向上せしめた。即ち窒化ボロンBNの薄膜
を1000オングストローム程度形成しただけで同一
トラツク上100万パス以上の信頼性を確保するこ
とができた。基板１はアルミウムの様なリジツド
の場合でも、PETやポリイミドの様なフレキシ
ブルな場合でも同様に窒化ボロン薄膜形成の効果
があつた。記録媒体の両側には主磁極５と補助磁
極６がチタバリ等の材質によるスライダー１０に
より固定されて記録媒体との摺動を滑らかなもの
とする構成となつている。窒化ボロンBN９の厚
みは厚くする程信頼性は向上するが、厚くなりす
ぎると垂直磁化記録膜２と主磁極５の先端との距
離が遠くなり、再生信号出力が小さくなり、ノイ
ズが多くなる等のトラブルが発生するので窒化ボ
ロンBNの厚みは垂直磁化記録膜２とヘツドの特
性を考慮して決定される。第５図においてヘツド
は主磁極５、補助磁極６が相対する構成の基本タ
イプについて示したが本発明はこの基本タイプを
改良した種類のヘツドやリングタイプのヘツドに
対しても同様の効果を発揮することはいうまでも
ない。
窒化ボロンBNはその結晶構造は先に第３図、
第４図で示したコバルトクロミウム薄膜の結晶構
造と全く同じhcp構造であり、しかもａ軸の最短
原子間距離はコバルトクロミウム合金薄膜が2.52
オングストロームであるのに対し、窒化ボロン
BN薄膜の最短原子間距離は2.5オングストローム
でほとんど等しい。従つて窒化ボロン薄膜形成の
条件を制御することによりコバルトクロミウム膜
の上にエピタキシヤル成長させることが可能であ
る。即ち窒化ボロン薄膜がコバルトクロミウム薄
膜表面に対して垂直に配合する。その時の△θ50
はコバルトクロミウム薄膜のそれと同様の値とな
る。この様な配向性のある窒化ボロンBN薄膜を
形成することにより潤滑性及び耐摩耗性が良くな
り、配向性のない場合の倍以上の信頼性を確保す
ることができ、表面の動摩擦係数は0.1以下とな
つた。これらの窒化ボロン薄膜の形成はイオンプ
レーテイング、プラズマCVD、マグネトロンス
パツタにより行なわれるが、配向性のよい膜はマ
グネトロンスパツタにより得られた。記録媒体に
おいて小抗磁力磁性体膜はパーマロイ以外の材質
でも本発明の効果は変らず、全くパーマロイ等の
薄膜のない場合でも同様である。以下に本発明に
ついて説明する。
第４図で示したコバルトクロミウム薄膜の結晶構
造と全く同じhcp構造であり、しかもａ軸の最短
原子間距離はコバルトクロミウム合金薄膜が2.52
オングストロームであるのに対し、窒化ボロン
BN薄膜の最短原子間距離は2.5オングストローム
でほとんど等しい。従つて窒化ボロン薄膜形成の
条件を制御することによりコバルトクロミウム膜
の上にエピタキシヤル成長させることが可能であ
る。即ち窒化ボロン薄膜がコバルトクロミウム薄
膜表面に対して垂直に配合する。その時の△θ50
はコバルトクロミウム薄膜のそれと同様の値とな
る。この様な配向性のある窒化ボロンBN薄膜を
形成することにより潤滑性及び耐摩耗性が良くな
り、配向性のない場合の倍以上の信頼性を確保す
ることができ、表面の動摩擦係数は0.1以下とな
つた。これらの窒化ボロン薄膜の形成はイオンプ
レーテイング、プラズマCVD、マグネトロンス
パツタにより行なわれるが、配向性のよい膜はマ
グネトロンスパツタにより得られた。記録媒体に
おいて小抗磁力磁性体膜はパーマロイ以外の材質
でも本発明の効果は変らず、全くパーマロイ等の
薄膜のない場合でも同様である。以下に本発明に
ついて説明する。
実施例 １
50ミクロン厚のPET基板上にパーマロイ膜
5000オングストローム、コバルトクロミウム合金
膜5000オングストロームを形成し、更にボロンタ
ーゲツトの下に永久磁石を配したマグネトロンス
パツタにより、アルゴン分圧５×10-3Torr、窒
素分圧２×10-4Torrにより窒化ボロン薄膜を500
オングストローム形成した。窒化ボロンの△θ50
は５度であつた、この記録媒体でヘツドを蒸着し
たところ通常10万パス位で信号出力が低下すると
ころを300万パスを越えても信号出力の低下は認
められなかつた。
5000オングストローム、コバルトクロミウム合金
膜5000オングストロームを形成し、更にボロンタ
ーゲツトの下に永久磁石を配したマグネトロンス
パツタにより、アルゴン分圧５×10-3Torr、窒
素分圧２×10-4Torrにより窒化ボロン薄膜を500
オングストローム形成した。窒化ボロンの△θ50
は５度であつた、この記録媒体でヘツドを蒸着し
たところ通常10万パス位で信号出力が低下すると
ころを300万パスを越えても信号出力の低下は認
められなかつた。
以上の通り、コバルト・クロミウム合金薄膜上
に、結晶のＣ軸が垂直となるように窒化ボロン薄
膜を形成することにより、 垂直磁化力には全く影響のない窒化ボロン薄膜
が形成できたとともに、耐摩耗性、信頼性を著し
く向上させることができた。
に、結晶のＣ軸が垂直となるように窒化ボロン薄
膜を形成することにより、 垂直磁化力には全く影響のない窒化ボロン薄膜
が形成できたとともに、耐摩耗性、信頼性を著し
く向上させることができた。
第１図は従来の垂直磁気記録媒体を説明する図
である。第２図は主磁極と補助磁極を有する磁気
ヘツドを説明する図である。第３図はコバルトク
ロミウム合金薄膜の結晶構造を説明する図であ
る。第４図はロツキングカーブを説明する図であ
る。第５図は本発明を説明する図である。 １……基板、２……パーマロイ膜、３……垂直
磁化膜、４……磁気記録媒体、５……主磁極、６
……補助磁極、７……円柱状微結晶、８……基
板、９……窒化ボロン、１０……スライダー。
である。第２図は主磁極と補助磁極を有する磁気
ヘツドを説明する図である。第３図はコバルトク
ロミウム合金薄膜の結晶構造を説明する図であ
る。第４図はロツキングカーブを説明する図であ
る。第５図は本発明を説明する図である。 １……基板、２……パーマロイ膜、３……垂直
磁化膜、４……磁気記録媒体、５……主磁極、６
……補助磁極、７……円柱状微結晶、８……基
板、９……窒化ボロン、１０……スライダー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上にコバルト・クロミウムの合金を主体
とする薄膜が形成された垂直磁気記憶媒体におい
て、 前記薄膜上にマグネトロンスパツタ法により、
窒化ボロン薄膜の結晶のＣ軸方向が垂直に配向さ
れていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57014630A JPS58133627A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57014630A JPS58133627A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58133627A JPS58133627A (ja) | 1983-08-09 |
| JPH053050B2 true JPH053050B2 (ja) | 1993-01-13 |
Family
ID=11866514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57014630A Granted JPS58133627A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58133627A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4803130A (en) * | 1984-12-21 | 1989-02-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Reactive sputtering process for recording media |
| US4729924A (en) * | 1984-12-21 | 1988-03-08 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Metallic thin film magnetic recording medium having a hard protective layer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57181428A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
-
1982
- 1982-02-01 JP JP57014630A patent/JPS58133627A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57181428A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58133627A (ja) | 1983-08-09 |
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