JPH04105213A - 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記録媒体及び磁気記憶装置Info
- Publication number
- JPH04105213A JPH04105213A JP22261790A JP22261790A JPH04105213A JP H04105213 A JPH04105213 A JP H04105213A JP 22261790 A JP22261790 A JP 22261790A JP 22261790 A JP22261790 A JP 22261790A JP H04105213 A JPH04105213 A JP H04105213A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- gold
- plane
- layer
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 56
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 33
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 34
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020018 Nb Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018106 Ni—C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、膜面に対し主として面内方向の磁化によって
情報記録がなされる磁気記録媒体、およびこの媒体を用
いた磁気記憶装置に関する。
情報記録がなされる磁気記録媒体、およびこの媒体を用
いた磁気記憶装置に関する。
従来の磁気記録媒体では、リサーチ・ディスクロージャ
ー289100 (1988年)(Research
Disclosure)において論じられているよう
に、全下地膜を垂直磁気記録用のGo−Pt合金磁性膜
の下地膜材料として用いることが提案されている。また
、同290079において論じられているように、薄膜
磁気記録媒体の耐食性を向上するために、磁性膜と基板
の間に金の下地層を用いることが提案されている6また
、特開平1−220217において論しられているよう
に、硬質の非磁性基板上に、記録面に平行な体心立方構
造の(1,00)面を有する50ないし200オングス
トロームの厚さのクロム層と、該クロム層の(100)
向上にエピタキシャル成長して、六方最密構造の(11
0)illi及びC軸が上記記録面に平行になっている
コバルト合金薄膜とを有する磁気記録媒体が提案されて
いる。
ー289100 (1988年)(Research
Disclosure)において論じられているよう
に、全下地膜を垂直磁気記録用のGo−Pt合金磁性膜
の下地膜材料として用いることが提案されている。また
、同290079において論じられているように、薄膜
磁気記録媒体の耐食性を向上するために、磁性膜と基板
の間に金の下地層を用いることが提案されている6また
、特開平1−220217において論しられているよう
に、硬質の非磁性基板上に、記録面に平行な体心立方構
造の(1,00)面を有する50ないし200オングス
トロームの厚さのクロム層と、該クロム層の(100)
向上にエピタキシャル成長して、六方最密構造の(11
0)illi及びC軸が上記記録面に平行になっている
コバルト合金薄膜とを有する磁気記録媒体が提案されて
いる。
金を下地層とした上記従来技術はCo基合金の磁化容易
軸を垂直配向させており、−軸異方性を有するCo合金
の結晶成長方位制御の上で面内磁気記録用媒体としては
問題があった。また、特開平1−220217に記載さ
れているように、極薄膜のCrを下地層として用いた場
合には、Crの表面が活性であるため、保磁力のばらつ
きが大きくなり、プロセスマージンが小さいという問題
があった。
軸を垂直配向させており、−軸異方性を有するCo合金
の結晶成長方位制御の上で面内磁気記録用媒体としては
問題があった。また、特開平1−220217に記載さ
れているように、極薄膜のCrを下地層として用いた場
合には、Crの表面が活性であるため、保磁力のばらつ
きが大きくなり、プロセスマージンが小さいという問題
があった。
本発明の目的は、磁気異方性がディスク面内に存在する
ようにCO基合金磁性層の(110)面が基板に平行と
なることを目的としており、さらに薄膜媒体形成時のプ
ロセスマージンを大きくし、安定した保持力の媒体を形
成aJ能とすることにある。
ようにCO基合金磁性層の(110)面が基板に平行と
なることを目的としており、さらに薄膜媒体形成時のプ
ロセスマージンを大きくし、安定した保持力の媒体を形
成aJ能とすることにある。
面内に配向した状態を最適化するにはさらに出力変動を
減らし、同時に磁化の向きを不規則にまたは円周方向に
することが必要である。
減らし、同時に磁化の向きを不規則にまたは円周方向に
することが必要である。
このような面内方向の配向か望ましいのは、角形比の高
いヒステリシス曲線を得るためであり、これによって記
録密度を高めることができる。
いヒステリシス曲線を得るためであり、これによって記
録密度を高めることができる。
上記目的を達成するために、硬質の非磁性基板上に面心
立方構造をとる、金成いは金を主成分とする合金層の(
100)面が配向した下地層を高真空蒸着法あるいはス
パッタ法等により毎分60nm〜180nmの膜形成速
度で10〜30nmの膜厚とにるように形成後、CO基
合金磁性薄膜を形成したものである。さらに密着強度を
向上させるために硬質の非磁性基板と、金或いは金を主
成分とする合金下地層間に2ないし20nm厚のクロム
接着層を形成したものである。これらの層構成を得るた
めには、RFスパッタ法、DCスパッタ法あるいはこれ
らのカソードにマグネトロン方式を用いたもの、或いは
バイヤス電圧を印加した場合、イオンビームスパッタ法
等による薄膜形成手法のいずれでも形成可能である。
立方構造をとる、金成いは金を主成分とする合金層の(
100)面が配向した下地層を高真空蒸着法あるいはス
パッタ法等により毎分60nm〜180nmの膜形成速
度で10〜30nmの膜厚とにるように形成後、CO基
合金磁性薄膜を形成したものである。さらに密着強度を
向上させるために硬質の非磁性基板と、金或いは金を主
成分とする合金下地層間に2ないし20nm厚のクロム
接着層を形成したものである。これらの層構成を得るた
めには、RFスパッタ法、DCスパッタ法あるいはこれ
らのカソードにマグネトロン方式を用いたもの、或いは
バイヤス電圧を印加した場合、イオンビームスパッタ法
等による薄膜形成手法のいずれでも形成可能である。
Co基台磁性薄膜を面内磁気記録媒体として最適化する
にはhCp構造のC軸を面内配向させる必要がある。こ
のためにはCo合金磁性層の(hko)面を下地層面上
に成長させる必要がある。
にはhCp構造のC軸を面内配向させる必要がある。こ
のためにはCo合金磁性層の(hko)面を下地層面上
に成長させる必要がある。
これは全下地層の(100)面を記録面と平行にするこ
とにより、Co合金磁性層の(110)面がエピタキシ
ャル成長することにより実現される。
とにより、Co合金磁性層の(110)面がエピタキシ
ャル成長することにより実現される。
全下地膜を高真空蒸着或いは高速のスパッタ条件で形成
すると(100)配向した化学的に不活性な全下地薄膜
が得られる。これによりCo −Pt合金、Co−Cr
−Pt合金、G o −Cr −Ta、Go−Ni−C
r合金などのCo合金膜では、磁化容易軸(C軸)がデ
ィスク面にあるエピタキシャル成長が安定して可能にな
る。
すると(100)配向した化学的に不活性な全下地薄膜
が得られる。これによりCo −Pt合金、Co−Cr
−Pt合金、G o −Cr −Ta、Go−Ni−C
r合金などのCo合金膜では、磁化容易軸(C軸)がデ
ィスク面にあるエピタキシャル成長が安定して可能にな
る。
また、磁気特性を最適化し、読取信号の変調を避けるに
は、磁化容易軸を不規則にするか、または円周方向に揃
えるのが良い。
は、磁化容易軸を不規則にするか、または円周方向に揃
えるのが良い。
更に機械的な信頼性を向上する観点から、硬質の非磁性
基板と、金或いは金を主成分とする合金層との間に2な
いし20nmの厚さのクロム接着層を形成することが望
ましい。
基板と、金或いは金を主成分とする合金層との間に2な
いし20nmの厚さのクロム接着層を形成することが望
ましい。
金のかわりに金合金を用いる場合はCo合金の格子定数
に応じて、そのミスマツチを小さくするように合金添加
元素濃度を選択することにより、Co合金の(110)
面が金合金下地層の(100)面上にエピタキシャル成
長しやすくなる。
に応じて、そのミスマツチを小さくするように合金添加
元素濃度を選択することにより、Co合金の(110)
面が金合金下地層の(100)面上にエピタキシャル成
長しやすくなる。
(実施例1)
第1図は、本発明による薄膜ディスクの断面である。現
用の硬質ディスク製品はほぼすべて、ディスクの磁性膜
がアルミニウム合金或いはガラス基板上にある。代表的
な外径130mmのディスクで基板5の厚みは1.9m
mである6基板11の上に重なる第1層12は、硬質N
i −P合金を無電解メツキ法によってアルミニウム
合金基板面に被着したものである。この面は従って硬さ
がカーボン膜と同様、非常に薄くて脆い磁性層にとって
堅固なベースになる。更にN i −P表面研磨処理を
行なうことにより、極めて精度の良い、−平滑な表面仕
上げが可能となる。このような仕上げは柔らかいアルミ
ニウム合金面だけでは実現しにくい。
用の硬質ディスク製品はほぼすべて、ディスクの磁性膜
がアルミニウム合金或いはガラス基板上にある。代表的
な外径130mmのディスクで基板5の厚みは1.9m
mである6基板11の上に重なる第1層12は、硬質N
i −P合金を無電解メツキ法によってアルミニウム
合金基板面に被着したものである。この面は従って硬さ
がカーボン膜と同様、非常に薄くて脆い磁性層にとって
堅固なベースになる。更にN i −P表面研磨処理を
行なうことにより、極めて精度の良い、−平滑な表面仕
上げが可能となる。このような仕上げは柔らかいアルミ
ニウム合金面だけでは実現しにくい。
研磨仕上げ後のN i −P表面の形状は、以後形成す
るディスク構造の各層に反映する。最終的なディスク表
面は記録ヘットが接近でき、ディスクの摩耗を促進する
ようなヘッドとディスクの相互作用を極力少なくするよ
り、凹凸が全くない状態でなければならない。
るディスク構造の各層に反映する。最終的なディスク表
面は記録ヘットが接近でき、ディスクの摩耗を促進する
ようなヘッドとディスクの相互作用を極力少なくするよ
り、凹凸が全くない状態でなければならない。
N i −Pメツキ層12は最初、研磨して平滑度を高
める(2〜3nmRa [平均面粗さ〕)。別に、表面
に円周方向(環状)のテクスチャーを付加しても良い(
径方向で7.5n m Ra )。これは、環状の溝に
沿う粒子の並びが良好なため、粘着や摩耗を少なくする
と同時に磁気特性を改善する。
める(2〜3nmRa [平均面粗さ〕)。別に、表面
に円周方向(環状)のテクスチャーを付加しても良い(
径方向で7.5n m Ra )。これは、環状の溝に
沿う粒子の並びが良好なため、粘着や摩耗を少なくする
と同時に磁気特性を改善する。
表面にテクスチャ加工を施した場合でも、ヘットは干渉
や相互作用を起こすことなく、内周側で2゜5μ1nc
hの間隔を保つことができる。
や相互作用を起こすことなく、内周側で2゜5μ1nc
hの間隔を保つことができる。
クロム接着層13.金或いは金を主成分とする合金下地
層142強磁性Co合金層15.保護膜層16をスパッ
タリング装置で順次膜形成する。
層142強磁性Co合金層15.保護膜層16をスパッ
タリング装置で順次膜形成する。
この工程は全体をインライン・プロセスで行なえる。こ
の場合、複数のディスクを支持する垂直に立てたパレッ
トを数分間でスパッタし、大量のディスクを低コストで
製造でき、非常に均一な膜厚と磁気特性が得られる。ス
パッタ後有機潤滑層17を、特別設計の機器を用い、温
度・湿度条件を厳密に制御して被着する。
の場合、複数のディスクを支持する垂直に立てたパレッ
トを数分間でスパッタし、大量のディスクを低コストで
製造でき、非常に均一な膜厚と磁気特性が得られる。ス
パッタ後有機潤滑層17を、特別設計の機器を用い、温
度・湿度条件を厳密に制御して被着する。
記録密度の高い薄膜ディスクを製造するためには、強磁
性記録材料の均一かつ平滑な膜を形成するだけでは充分
ではない。磁性層の磁化容易軸を、面内記録を行なう装
置のディスク表面と平行に配向しなければならない。こ
れはCO合金磁性層形成前の金或いは金を主成分とする
下地層形成時にその表面を(100)面とした薄層上に
、Co合金の(110)面が成長させることにより可能
となる。これはCo合金のC軸、すなわちディスク表面
に平行な磁化容易軸を配向させることにより面内記録に
最適な配向としたものである。第2図に示すようにhc
p構造をとるCo合金では中央の原子を6個の原子が最
近接にある。図示のとおり、磁化容易軸であるC軸は図
面に対し垂直である。C軸を含んだCo合金の結晶面(
hko)を下地層の金或いは金を主成分とする合金層の
(100)面上へエピタキシャル成長させることにより
1面内記録最適な結晶配向が可能となり、実際第3図に
示すように、薄膜全下地層とコバルト合金界面は、良い
エピタキシー関係が成立する。すなわち、下層表面の金
原子(実線円31)は(100)面を示す時のパターン
である。heρ構造をとるCo合金の(110)面が紙
面に平行であり、破線円32で示した金の(100)面
の格子間位置によく収まる。
性記録材料の均一かつ平滑な膜を形成するだけでは充分
ではない。磁性層の磁化容易軸を、面内記録を行なう装
置のディスク表面と平行に配向しなければならない。こ
れはCO合金磁性層形成前の金或いは金を主成分とする
下地層形成時にその表面を(100)面とした薄層上に
、Co合金の(110)面が成長させることにより可能
となる。これはCo合金のC軸、すなわちディスク表面
に平行な磁化容易軸を配向させることにより面内記録に
最適な配向としたものである。第2図に示すようにhc
p構造をとるCo合金では中央の原子を6個の原子が最
近接にある。図示のとおり、磁化容易軸であるC軸は図
面に対し垂直である。C軸を含んだCo合金の結晶面(
hko)を下地層の金或いは金を主成分とする合金層の
(100)面上へエピタキシャル成長させることにより
1面内記録最適な結晶配向が可能となり、実際第3図に
示すように、薄膜全下地層とコバルト合金界面は、良い
エピタキシー関係が成立する。すなわち、下層表面の金
原子(実線円31)は(100)面を示す時のパターン
である。heρ構造をとるCo合金の(110)面が紙
面に平行であり、破線円32で示した金の(100)面
の格子間位置によく収まる。
従って金或いは金を主成分とする合金膜の(100)面
上にCo合金の(110)面が媒体表面と平行な方向に
成長すれば、磁化容易軸であるC軸が面内媒体として好
ましい方向へ配向していることがかかる。
上にCo合金の(110)面が媒体表面と平行な方向に
成長すれば、磁化容易軸であるC軸が面内媒体として好
ましい方向へ配向していることがかかる。
金或いは金を主成分とする合金下地層形成の際基板温度
を190℃以上に上げ、毎分60〜180nmの高速ス
パッタリング或いは真空蒸着を行ない、厚みを10ない
し30nmにすることで所要の(100)面が下層表面
になった状態で下地層が形成可能であった。第4図に示
すように、角形比が0.8以上になるのは下地層の厚み
が10から30nmの範囲の時である。下地層の厚みが
10nm以下とすると島状成長した結晶粒が得られ、ま
た、30nmよりも厚くした場合に下地層は(100)
配向以外に(111)配向も混在し、いずれの場合にも
Co合金は(110)面以外の指数も配向しやすくなり
高密度磁気記録を実現する上で好ましくなった。
を190℃以上に上げ、毎分60〜180nmの高速ス
パッタリング或いは真空蒸着を行ない、厚みを10ない
し30nmにすることで所要の(100)面が下層表面
になった状態で下地層が形成可能であった。第4図に示
すように、角形比が0.8以上になるのは下地層の厚み
が10から30nmの範囲の時である。下地層の厚みが
10nm以下とすると島状成長した結晶粒が得られ、ま
た、30nmよりも厚くした場合に下地層は(100)
配向以外に(111)配向も混在し、いずれの場合にも
Co合金は(110)面以外の指数も配向しやすくなり
高密度磁気記録を実現する上で好ましくなった。
Co合金磁性層形成後、保護膜も同じ薄膜形成装置で作
製した。
製した。
(実施例2)
実施例1に記載の磁気ディスク媒体51を1〜9枚組み
込み、磁気コアの一部に膜厚2μmのFe−Al−8i
Ruもしくは膜厚20μmのco −N b −Z r
を用いたメタルインギャップ型もしくは薄膜型磁気ヘッ
ド53を組み合わせて第5図に示すような磁気ディスク
装置としたところ、コーティング等の従来型塗布媒体や
Co −N i合金連続媒体等を用いて構成した磁気デ
ィスク装置に比べ1.5倍以上の大容量化ができ従来装
置に比べ2倍以上耐摺動性に優れた装置を得ることがで
きた。
込み、磁気コアの一部に膜厚2μmのFe−Al−8i
Ruもしくは膜厚20μmのco −N b −Z r
を用いたメタルインギャップ型もしくは薄膜型磁気ヘッ
ド53を組み合わせて第5図に示すような磁気ディスク
装置としたところ、コーティング等の従来型塗布媒体や
Co −N i合金連続媒体等を用いて構成した磁気デ
ィスク装置に比べ1.5倍以上の大容量化ができ従来装
置に比べ2倍以上耐摺動性に優れた装置を得ることがで
きた。
本発明は、以上説明したように構成されているので、高
密度面内磁気記録に最適な磁気特性を磁性層に与えるこ
とが可能となり、かつ保持力のバラツキを押えたプロセ
スマージンの大きな媒体を提供できる。
密度面内磁気記録に最適な磁気特性を磁性層に与えるこ
とが可能となり、かつ保持力のバラツキを押えたプロセ
スマージンの大きな媒体を提供できる。
第1図は本発明による磁性膜を示す図、第2図はCO合
金のhap構造図、第3図はAu下地層の(100)面
とCO合金の(110)面の界面における原子の位置を
示す概略図、第4図は本発明を実施して得られる全下地
膜の厚みの関数としての角形比を示す図、第5図(a)
及び(b)は磁気記録装置の平面模式図及びA−A’断
面図を示している。 11・・・基板、 12・・・N i −Pメ
ツキ層、13・・・Cr接着層 14・・・Au或はAuを主成分とする合金層15・・
・強磁性Co合金層 16・・・保護膜層 17・・・有機潤滑層 代理人弁理士 its 川 勝 男 稟 1 面 第 3 図 纂2 図 j Co昏恰(,5z、) 纂 仝 図 纂 図 (α) 会下地7#清(nm)
金のhap構造図、第3図はAu下地層の(100)面
とCO合金の(110)面の界面における原子の位置を
示す概略図、第4図は本発明を実施して得られる全下地
膜の厚みの関数としての角形比を示す図、第5図(a)
及び(b)は磁気記録装置の平面模式図及びA−A’断
面図を示している。 11・・・基板、 12・・・N i −Pメ
ツキ層、13・・・Cr接着層 14・・・Au或はAuを主成分とする合金層15・・
・強磁性Co合金層 16・・・保護膜層 17・・・有機潤滑層 代理人弁理士 its 川 勝 男 稟 1 面 第 3 図 纂2 図 j Co昏恰(,5z、) 纂 仝 図 纂 図 (α) 会下地7#清(nm)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、硬質の非磁性基板と、該基板上に設けられて、記録
面に平行な面心立方構造の(100)面を有する10な
いし30nmの厚さの金あるいは金を主成分とする合金
層と、該金あるいは金を主成分とする合金層の(100
)面上にエピタキシャル成長して、六方稠密充填構造の
(110)面が上記記録面に平行になっているコバルト
合金磁性層とを有することを特徴とする磁気記録媒体。 2、請求項1記載の金あるいは金を主成分とする合金層
と、該基板間に2ないし20nmの厚さのクロム接着層
を形成したことを特徴とする磁気記録媒体。 3、請求項1又は2記載の磁性層がタンタルあるいは白
金から選ばれる少なくとも1つの元素を含有してなるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 4、磁気記録媒体と、これを回転駆動する駆動部と磁気
ヘッド及びその駆動手段と、磁気ヘッドの記録再生信号
処理手段とを有してなる磁気記憶装置において、前記磁
気記録媒体を請求項1、2、又は3記載の磁気記録媒体
で構成してなることを特徴とする磁気記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22261790A JPH04105213A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22261790A JPH04105213A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04105213A true JPH04105213A (ja) | 1992-04-07 |
Family
ID=16785265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22261790A Pending JPH04105213A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04105213A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6562489B2 (en) | 1999-11-12 | 2003-05-13 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
US6613460B1 (en) | 1999-11-12 | 2003-09-02 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
-
1990
- 1990-08-27 JP JP22261790A patent/JPH04105213A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6562489B2 (en) | 1999-11-12 | 2003-05-13 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
US6613460B1 (en) | 1999-11-12 | 2003-09-02 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
US6828047B2 (en) | 1999-11-12 | 2004-12-07 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5605733A (en) | Magnetic recording medium, method for its production, and system for its use | |
US7851014B2 (en) | Tilted recording media with L10 magnetic layer | |
US6156404A (en) | Method of making high performance, low noise isotropic magnetic media including a chromium underlayer | |
US7235314B2 (en) | Inter layers for perpendicular recording media | |
US6607842B2 (en) | Containing an AITa or AITi pre-seed layer, a CoCr onset layer and a CoCrPtB magnetic layer | |
US7871718B2 (en) | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus | |
US7824785B2 (en) | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus | |
JPH1196534A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法ならびに磁気ディスク装置 | |
US6524730B1 (en) | NiFe-containing soft magnetic layer design for multilayer media | |
US6596419B1 (en) | Medium with a seed layer and a B2-structured underlayer | |
US5989674A (en) | Thin film disk with acicular magnetic grains | |
US7521136B1 (en) | Coupling enhancement for medium with anti-ferromagnetic coupling | |
US6740397B1 (en) | Subseedlayers for magnetic recording media | |
US7919201B2 (en) | Method of making a multilayered magnetic structure | |
US6858331B1 (en) | Magnetic thin film media with a bi-layer structure of CrTi/Nip | |
US6936353B1 (en) | Tilted recording medium design with (101-2) orientation | |
US6872478B2 (en) | Magnetic thin film media with a pre-seed layer of CrTiAl | |
US7300713B2 (en) | Magnetic thin film media with an underlayer of CrMoZr, CrMoNb or CrMoMn | |
US6787251B1 (en) | Recording medium with a varying composition underlayer | |
JPH04105213A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
US6764738B1 (en) | Magnetic recording medium with patterned substrate | |
US6908689B1 (en) | Ruthenium-aluminum underlayer for magnetic recording media | |
JPH0773433A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置 | |
JP3052406B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
US7407719B1 (en) | Longitudinal magnetic media having a granular magnetic layer |