JPH0449523A - 磁気記録媒体の製造法及びその装置 - Google Patents
磁気記録媒体の製造法及びその装置Info
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- JPH0449523A JPH0449523A JP2159433A JP15943390A JPH0449523A JP H0449523 A JPH0449523 A JP H0449523A JP 2159433 A JP2159433 A JP 2159433A JP 15943390 A JP15943390 A JP 15943390A JP H0449523 A JPH0449523 A JP H0449523A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（産業上の利用分野）
本発明は高い記録密度を有する高保磁力の磁気記録媒体
を製造する方法及び製造装置に関する。 （従来の技術） 近年、情報量の増大に伴い、記録密度の高い磁気記録媒
体の要望が高く、スパッタリング法による合金磁性薄膜
を有する磁気記録媒体の開発が活発である。 ところで、従来、スパッタリングにより磁気記録媒体を
製造する場合には、まず非磁性基板（以下基板という）
上に下地Ｃｒ層を形成した後、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の磁
性合金をスパッタリングすることにより前記下地層上に
磁性層を形成している。スパッタリング方法には円板状
のターゲットと基板とをその中心を一致させて配置する
静止対向型のものと、多数の基板を装着した支持台をタ
ーゲット間を通過させる間に磁性膜を基板上にスパッタ
する通過型又はインライン型といわれるものとがある。 いずれの製造法の場合でも、基板の温度、雰囲気圧力等
スパッタリング条件の厳密な制御が必要であるとともに
装置や使用する治具からの不純物の混入を防ぎ、清浄な
雰囲気中で製造することが重要である。特に、使用する
治具に付着する不純物の影響は大きい。 従来、この点に関しては特に配慮されていなかった。従
って、治具例えば基板を装着する支持台は下地Ｃｒ層、
磁性層、保護層のスパッタリング時に、各々のスパッタ
リング粒子が付着してゆくので、リサイクル使用する際
に、付着したスパッタ粒子及びスパッタ粒子に付着して
いる不純物が各々のスパッタリング工程で雰囲気中に遊
離し、磁気記録媒体へ不純物として混入する。 （発明が解決しようとする課Ｍ） 前述したように、基板の支持台に付着するスパッタ粒子
及びスパッタ粒子に付着している不純物などの付着物が
磁気記録媒体の保磁力をはじめとし、磁気特性を低下さ
せるという問題点があった。 本発明の目的は支持台をはじめとする治具に付着する不
純物を除去し、磁性記録媒体を製造する際に、不純物と
なることを防止し、保磁力が高く磁気特性のすぐれた磁
気記録媒体を製造する方法及び装置を提供することにあ
る。 本発明者らは、この目的を達成するために支持台に付着
する不純物の除去方法について鋭意検討した結果、プラ
ズマエツチングした支持台に基板を装着することにより
、保磁力が高く磁気特性のすぐれた磁気記録媒体を得る
ことができることを見出し本発明を完成するに至った。 （課題を解決するための手段） すなわち、本発明は以下を要旨とするものである。 （１）プラズマエツチングされた支持台上に非磁性基板
を装着し、スパッタリングすることを特徴とする磁気記
録媒体の製造法。 （２）下地層及び磁性層のスパッタリング室並びに保護
層のスパッタリング室からなる磁気記録媒体の製造装置
において、エツチング室を設けてなることを特徴とする
磁気記録媒体の製造装置。 以下、本発明についてさらに詳しく説明する。 まず、第一の発明について説明する。 基板の支持台に基板を装着し、下地層、磁性層、保護層
の順に連続的にあるいは半連続的にスパッタリングして
磁気記録媒体を製造するに際し、通常基板の支持台は金
属アルミニウムを使用しているがＳＵＳ、アルミナなど
のセラミック、ポリイミドなどの耐熱樹脂を使用しても
よい。プラズマエツチング処理していない支持台に、基
板を装着し、繰り返し使用し、基板に下地Ｃｒ層、Ｃ６
−Ｃｒ−Ｎｉ磁性層、カーボン保護層をスパッタリング
により形成させ、磁気記録媒体の製造を続けていくと、
使用回数の増加とともに得られる媒体の磁気特性が低下
してくる。この原因について、検討した結果、カーボン
に付着している水分子の影響が最も強いことがわかった
。すなわちアルミニウム合金基板に、下地Ｃｒ層、Ｃｏ
Ｎｉ３ｏＣｒｙ、 ｓの磁性層、カーボン保護層を順次
スパッタリングにより形成し、第１表に示す膜を有する
磁気記録媒体を作製した。この媒体を真空室に設置し、
その脱ガス量を測定するとともに、四重極マスフィルタ
ーでそのガスの種類について測定した。 第１表 注１ニスバッタ膜構成と脱ガス量 （ＸＩＯ−’ｔｏｒｒ −ｆｆ／５ｅｃ）注２：Ｃ０は
Ｃ０Ｎ１３゜Ｃｒ７． ｓ原子％の合金を示す。 Ｃｒ ＋ Ｃｏ ＋ Ｃ＋ Ｃｒ 十ＣｏはＣｒの上に
Ｃ，、Ｃ１Ｃｒ、 Ｃｏを順次形成されたものを意味す
る。 その結果は第１表に示すとおりで、最外層にカーボンが
存在すると下地Ｃｒ層十〇。合金属層のみのときの約３
倍の脱ガス量であった。又このガスは質量分析の結果、
Ｎ２０が８０％以上であることがあきらかとなった。従
って、スパッタリングによって付着するカーボンをはじ
めとする不純物粒子をプラズマエツチングにより除去す
ることにより、水分子の吸着を防ぎ、その磁気特性に及
ぼす悪影響をなくすことが可能である。プラズマエツチ
ングガスはアルゴン、アルゴン＋酸素などが好ましいが
その他ＣＦ４ 、ＣＣＶ４などのガスも使用できる。 エツチングガスの圧力は使用するガスの圧力によっても
異なるが通常アルゴンの場合で０．０１〜０．１ｔｏｒ
ｒ、アルゴン士酸素の場合、０．０５〜０．５ｔｏｒｒ
％酸素の場合０．１〜５ ｔｏｒｒが好ましい。アル
ゴンなど非反応性ガスに比べ反応性ガスの場合は高い方
がよい。エツチングガス圧が上記より低いと放電が不安
定であり、高い場合はエツチング効率が悪くなる。支持
台のエツチングはスパッタリングに先だち、毎回実施す
ればその効果は最も顕著であるが数回乃至数千回繰り返
し使用した後、実施しても十分効果はある。 （実施例） 以下に実施例をあげて、本発明を具体的に説明する。 〈実施例１〉 第１図に本発明の一例を示す装置の横断面図を示す。 第２図に示すような支持台２８の複数の基板装着部に、
基板を装着してスパッタリングを実施し、支持台は繰り
返し使用した。基板取外室１で、全工程を終了し完成し
た磁気記録媒体を支持台から取外し、その支持台をエツ
チング室２０入口扉９をあけ、室内に装入し、扉を閉め
る。装置内の雰囲気はアルゴンガスとし、その圧力はク
ライオポンプ２０により調節した。 エツチング室はクライオポンプ２０により、０．０２ｔ
ｏｒｒの圧力に調整した。常温で高周波電源を用い、電
流密度、０．３Ｗ／ｃ＋ｌｌの出力をかけ、アルゴンプ
ラズマエツチングを行った。その後、出口扉ＩＯをあけ
支持台を基板装着室３に移動し、Ｎ１−Ｐメツキしたア
ルミニウム合金基板（外径９５ＩＩＩＩｎφ、内径２５
ｍｍφ、厚さ１．３ｍｍ）を基板装着部に２０枚装着し
た。 この支持台を仕込み加熱室４の入口ＩＩをあ？Ｊて、室
内に移動し、扉１１を閉めた後、クライオポンプ２１に
より、圧力１Ｏ−５ｔｏｒｒ、ヒーター２６により温度
３００°Ｃに調節し、１分間加熱した。 以下、各室への支持台の装入、取出し並びに室内の圧力
及び温度は加熱室４での操作と同様に順次行って調整し
、以下に述べる条件で製造を行った。すなわちスパッタ
リング室５は２ Ｘｌ０−３ｔｏｒｒに調節し、下地Ｃ
ｒ層を１分間スパッタリングし、さらにその上にＣ６Ｎ
ｉ３ｏＣｒ７．５ （原子％）の磁性層を１分間スパッ
タリングした。隔離室６はｌＸｌ０−５ｔｏｒｒに調整
して、１分間滞留させ、スパッタリング室５と保護層ス
パッタリング室７のスパッタ粒子の相互の影響を遮断し
た。保護層スパッタリング室７は５ Ｘ １０−３ｔｏ
ｒｒ、温度１００°Ｃに調整し、カーボン保護層を１分
間スパッタリングした。扉１５を開き支持台を取出室８
へ移動した。この支持台を基板取外室１へ移動し、磁気
記録媒体を得た。この支持台を上述した全工程を通し、
繰り返し使用し、２０．４０．６０．８０回使用した後
、支持台からの不純ガス分圧とこのとき得られた磁気記
録媒体の保磁力の測定結果を第２表に示す。支持台から
の不純ガス分圧はエツチング室内に基板を装着しない支
持台を置き、差動排気装置２７をつけて排気し、これを
四重極マスフィルターで測定した。又保磁力は試料振動
型磁力計を用いて測定した。その結果、８０回使用した
後でも不純ガス分圧は０．９０Ｘ１０−’ｔｏｒｒと低
く、磁気記録媒体の保磁力は１０６０エルステツド（Ｏ
ｅ）と高く、初期に得られたものとほとんど同じ性能の
ものが得られた。 第 表 〈実施例２〜３〉 装置内の雰囲気ガスの種類、圧力、温度、処理時間を第
３表に示すように変えた以外は実施例１と同様にして、
磁気記録媒体を製造し、実施例１と同様の測定方法で２
０．４０．６０．８０回製造した後、支持台からの不純
ガス分圧とこのとき得られた磁気記録媒体の保持力を測
定した結果、第２表のとおり支持台からの不純ガス分圧
は低く、記録媒体の保磁力は高かった。 〈比較例〉 装置内の雰囲気ガスとしてアルゴンを使用し、エツチン
グ処理を行わない以外は実施例１と同様の条件でスパッ
タリングを実施し、磁気記録媒体を製造した。２０．４
０．６０．８０回製造した後、支持台からの不純ガス分
圧とこのとき得られた磁気記録媒体の保磁力を実施例１
と同様の測定方法で測定した結果第２表のとおり、８０
回製造後の支持台からの不純ガス分圧は５．３ Ｘｌ０
−’ｔｏｒｒと実施例に比較し約６倍と高く、そのとき
得られた磁気記録媒体の保持力は９００エルステツド（
Ｏｅ）と低（、実■ 施例の場合と比べ劣っていた。又その不純ガスの種類は
四重極マスフィルターによる解析の結果、第４表に示す
とうり、質量１８ｇの水分子が８０％以上であった。 第３表 第４表 （発明の効果） 本発明によれば、プラズマエツチング処理した支持台を
用いることにより、支持台に付着する不純物、特に水の
悪影響をとりのぞくことができ、磁気特性のすぐれた磁
気記録媒体を安定して製造することができる。
を製造する方法及び製造装置に関する。 （従来の技術） 近年、情報量の増大に伴い、記録密度の高い磁気記録媒
体の要望が高く、スパッタリング法による合金磁性薄膜
を有する磁気記録媒体の開発が活発である。 ところで、従来、スパッタリングにより磁気記録媒体を
製造する場合には、まず非磁性基板（以下基板という）
上に下地Ｃｒ層を形成した後、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の磁
性合金をスパッタリングすることにより前記下地層上に
磁性層を形成している。スパッタリング方法には円板状
のターゲットと基板とをその中心を一致させて配置する
静止対向型のものと、多数の基板を装着した支持台をタ
ーゲット間を通過させる間に磁性膜を基板上にスパッタ
する通過型又はインライン型といわれるものとがある。 いずれの製造法の場合でも、基板の温度、雰囲気圧力等
スパッタリング条件の厳密な制御が必要であるとともに
装置や使用する治具からの不純物の混入を防ぎ、清浄な
雰囲気中で製造することが重要である。特に、使用する
治具に付着する不純物の影響は大きい。 従来、この点に関しては特に配慮されていなかった。従
って、治具例えば基板を装着する支持台は下地Ｃｒ層、
磁性層、保護層のスパッタリング時に、各々のスパッタ
リング粒子が付着してゆくので、リサイクル使用する際
に、付着したスパッタ粒子及びスパッタ粒子に付着して
いる不純物が各々のスパッタリング工程で雰囲気中に遊
離し、磁気記録媒体へ不純物として混入する。 （発明が解決しようとする課Ｍ） 前述したように、基板の支持台に付着するスパッタ粒子
及びスパッタ粒子に付着している不純物などの付着物が
磁気記録媒体の保磁力をはじめとし、磁気特性を低下さ
せるという問題点があった。 本発明の目的は支持台をはじめとする治具に付着する不
純物を除去し、磁性記録媒体を製造する際に、不純物と
なることを防止し、保磁力が高く磁気特性のすぐれた磁
気記録媒体を製造する方法及び装置を提供することにあ
る。 本発明者らは、この目的を達成するために支持台に付着
する不純物の除去方法について鋭意検討した結果、プラ
ズマエツチングした支持台に基板を装着することにより
、保磁力が高く磁気特性のすぐれた磁気記録媒体を得る
ことができることを見出し本発明を完成するに至った。 （課題を解決するための手段） すなわち、本発明は以下を要旨とするものである。 （１）プラズマエツチングされた支持台上に非磁性基板
を装着し、スパッタリングすることを特徴とする磁気記
録媒体の製造法。 （２）下地層及び磁性層のスパッタリング室並びに保護
層のスパッタリング室からなる磁気記録媒体の製造装置
において、エツチング室を設けてなることを特徴とする
磁気記録媒体の製造装置。 以下、本発明についてさらに詳しく説明する。 まず、第一の発明について説明する。 基板の支持台に基板を装着し、下地層、磁性層、保護層
の順に連続的にあるいは半連続的にスパッタリングして
磁気記録媒体を製造するに際し、通常基板の支持台は金
属アルミニウムを使用しているがＳＵＳ、アルミナなど
のセラミック、ポリイミドなどの耐熱樹脂を使用しても
よい。プラズマエツチング処理していない支持台に、基
板を装着し、繰り返し使用し、基板に下地Ｃｒ層、Ｃ６
−Ｃｒ−Ｎｉ磁性層、カーボン保護層をスパッタリング
により形成させ、磁気記録媒体の製造を続けていくと、
使用回数の増加とともに得られる媒体の磁気特性が低下
してくる。この原因について、検討した結果、カーボン
に付着している水分子の影響が最も強いことがわかった
。すなわちアルミニウム合金基板に、下地Ｃｒ層、Ｃｏ
Ｎｉ３ｏＣｒｙ、 ｓの磁性層、カーボン保護層を順次
スパッタリングにより形成し、第１表に示す膜を有する
磁気記録媒体を作製した。この媒体を真空室に設置し、
その脱ガス量を測定するとともに、四重極マスフィルタ
ーでそのガスの種類について測定した。 第１表 注１ニスバッタ膜構成と脱ガス量 （ＸＩＯ−’ｔｏｒｒ −ｆｆ／５ｅｃ）注２：Ｃ０は
Ｃ０Ｎ１３゜Ｃｒ７． ｓ原子％の合金を示す。 Ｃｒ ＋ Ｃｏ ＋ Ｃ＋ Ｃｒ 十ＣｏはＣｒの上に
Ｃ，、Ｃ１Ｃｒ、 Ｃｏを順次形成されたものを意味す
る。 その結果は第１表に示すとおりで、最外層にカーボンが
存在すると下地Ｃｒ層十〇。合金属層のみのときの約３
倍の脱ガス量であった。又このガスは質量分析の結果、
Ｎ２０が８０％以上であることがあきらかとなった。従
って、スパッタリングによって付着するカーボンをはじ
めとする不純物粒子をプラズマエツチングにより除去す
ることにより、水分子の吸着を防ぎ、その磁気特性に及
ぼす悪影響をなくすことが可能である。プラズマエツチ
ングガスはアルゴン、アルゴン＋酸素などが好ましいが
その他ＣＦ４ 、ＣＣＶ４などのガスも使用できる。 エツチングガスの圧力は使用するガスの圧力によっても
異なるが通常アルゴンの場合で０．０１〜０．１ｔｏｒ
ｒ、アルゴン士酸素の場合、０．０５〜０．５ｔｏｒｒ
％酸素の場合０．１〜５ ｔｏｒｒが好ましい。アル
ゴンなど非反応性ガスに比べ反応性ガスの場合は高い方
がよい。エツチングガス圧が上記より低いと放電が不安
定であり、高い場合はエツチング効率が悪くなる。支持
台のエツチングはスパッタリングに先だち、毎回実施す
ればその効果は最も顕著であるが数回乃至数千回繰り返
し使用した後、実施しても十分効果はある。 （実施例） 以下に実施例をあげて、本発明を具体的に説明する。 〈実施例１〉 第１図に本発明の一例を示す装置の横断面図を示す。 第２図に示すような支持台２８の複数の基板装着部に、
基板を装着してスパッタリングを実施し、支持台は繰り
返し使用した。基板取外室１で、全工程を終了し完成し
た磁気記録媒体を支持台から取外し、その支持台をエツ
チング室２０入口扉９をあけ、室内に装入し、扉を閉め
る。装置内の雰囲気はアルゴンガスとし、その圧力はク
ライオポンプ２０により調節した。 エツチング室はクライオポンプ２０により、０．０２ｔ
ｏｒｒの圧力に調整した。常温で高周波電源を用い、電
流密度、０．３Ｗ／ｃ＋ｌｌの出力をかけ、アルゴンプ
ラズマエツチングを行った。その後、出口扉ＩＯをあけ
支持台を基板装着室３に移動し、Ｎ１−Ｐメツキしたア
ルミニウム合金基板（外径９５ＩＩＩＩｎφ、内径２５
ｍｍφ、厚さ１．３ｍｍ）を基板装着部に２０枚装着し
た。 この支持台を仕込み加熱室４の入口ＩＩをあ？Ｊて、室
内に移動し、扉１１を閉めた後、クライオポンプ２１に
より、圧力１Ｏ−５ｔｏｒｒ、ヒーター２６により温度
３００°Ｃに調節し、１分間加熱した。 以下、各室への支持台の装入、取出し並びに室内の圧力
及び温度は加熱室４での操作と同様に順次行って調整し
、以下に述べる条件で製造を行った。すなわちスパッタ
リング室５は２ Ｘｌ０−３ｔｏｒｒに調節し、下地Ｃ
ｒ層を１分間スパッタリングし、さらにその上にＣ６Ｎ
ｉ３ｏＣｒ７．５ （原子％）の磁性層を１分間スパッ
タリングした。隔離室６はｌＸｌ０−５ｔｏｒｒに調整
して、１分間滞留させ、スパッタリング室５と保護層ス
パッタリング室７のスパッタ粒子の相互の影響を遮断し
た。保護層スパッタリング室７は５ Ｘ １０−３ｔｏ
ｒｒ、温度１００°Ｃに調整し、カーボン保護層を１分
間スパッタリングした。扉１５を開き支持台を取出室８
へ移動した。この支持台を基板取外室１へ移動し、磁気
記録媒体を得た。この支持台を上述した全工程を通し、
繰り返し使用し、２０．４０．６０．８０回使用した後
、支持台からの不純ガス分圧とこのとき得られた磁気記
録媒体の保磁力の測定結果を第２表に示す。支持台から
の不純ガス分圧はエツチング室内に基板を装着しない支
持台を置き、差動排気装置２７をつけて排気し、これを
四重極マスフィルターで測定した。又保磁力は試料振動
型磁力計を用いて測定した。その結果、８０回使用した
後でも不純ガス分圧は０．９０Ｘ１０−’ｔｏｒｒと低
く、磁気記録媒体の保磁力は１０６０エルステツド（Ｏ
ｅ）と高く、初期に得られたものとほとんど同じ性能の
ものが得られた。 第 表 〈実施例２〜３〉 装置内の雰囲気ガスの種類、圧力、温度、処理時間を第
３表に示すように変えた以外は実施例１と同様にして、
磁気記録媒体を製造し、実施例１と同様の測定方法で２
０．４０．６０．８０回製造した後、支持台からの不純
ガス分圧とこのとき得られた磁気記録媒体の保持力を測
定した結果、第２表のとおり支持台からの不純ガス分圧
は低く、記録媒体の保磁力は高かった。 〈比較例〉 装置内の雰囲気ガスとしてアルゴンを使用し、エツチン
グ処理を行わない以外は実施例１と同様の条件でスパッ
タリングを実施し、磁気記録媒体を製造した。２０．４
０．６０．８０回製造した後、支持台からの不純ガス分
圧とこのとき得られた磁気記録媒体の保磁力を実施例１
と同様の測定方法で測定した結果第２表のとおり、８０
回製造後の支持台からの不純ガス分圧は５．３ Ｘｌ０
−’ｔｏｒｒと実施例に比較し約６倍と高く、そのとき
得られた磁気記録媒体の保持力は９００エルステツド（
Ｏｅ）と低（、実■ 施例の場合と比べ劣っていた。又その不純ガスの種類は
四重極マスフィルターによる解析の結果、第４表に示す
とうり、質量１８ｇの水分子が８０％以上であった。 第３表 第４表 （発明の効果） 本発明によれば、プラズマエツチング処理した支持台を
用いることにより、支持台に付着する不純物、特に水の
悪影響をとりのぞくことができ、磁気特性のすぐれた磁
気記録媒体を安定して製造することができる。
第１図は本発明の一例を示す装置の横断面図である。
１：基板取外室
２：エツチング室
３：基板装着室
４：仕込み加熱室
５：下地層、磁性層スパッタリング室
６：隔離室
７：保護層スパッタリング室
８：取出室
９〜１６：扉
１７：下地層スパッタリング用ターゲット１８：磁性層
スパッタリング用 〃 １９：保護層スパッタリング用 〃 ２０〜２５：クライオポンプ ２６：ヒーター ２７：差動排気装置 ２８：支持台 特許出願人 電気化学工業株式会社手続補正書 平成２年９月２８日 １、事件の表示 平成２年特許第１５９４３３号 ２、発明の名称 磁気記録媒体の製造法及びその装置 ３、特許出願人 住所 ■１００ 東京都千代田区有楽町１丁目４番１号 平成２年９月２５日（発送口） ５、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 ６、補正の内容 ６−１．明細書の図面の簡単な説明の欄（第１５頁）を
次頁のとおり訂正する。
スパッタリング用 〃 １９：保護層スパッタリング用 〃 ２０〜２５：クライオポンプ ２６：ヒーター ２７：差動排気装置 ２８：支持台 特許出願人 電気化学工業株式会社手続補正書 平成２年９月２８日 １、事件の表示 平成２年特許第１５９４３３号 ２、発明の名称 磁気記録媒体の製造法及びその装置 ３、特許出願人 住所 ■１００ 東京都千代田区有楽町１丁目４番１号 平成２年９月２５日（発送口） ５、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 ６、補正の内容 ６−１．明細書の図面の簡単な説明の欄（第１５頁）を
次頁のとおり訂正する。
第１図は本発明の一例を示す装置の横断面図である。第
２図は本発明に使用する支持台の一例を示す正面図であ
る。 １：基板取外室 ２：エッチング室３：基板装着
室 ４：仕込み加熱室５：下地層、磁性層スパッ
タリング室 ６：隔離室 ７：保護層スパッタリング室 ８：取出室 ９〜１６：扉 １７：下地層スパッタリング用ターゲット１８：磁性層
スパッタリング用 〃 １９：保護層スパッタリング用 〃 ２０〜２５：クライオポンプ ２６：ヒーター ２７：差動排気装置 ２８：支持台 ２９：基板装着部
２図は本発明に使用する支持台の一例を示す正面図であ
る。 １：基板取外室 ２：エッチング室３：基板装着
室 ４：仕込み加熱室５：下地層、磁性層スパッ
タリング室 ６：隔離室 ７：保護層スパッタリング室 ８：取出室 ９〜１６：扉 １７：下地層スパッタリング用ターゲット１８：磁性層
スパッタリング用 〃 １９：保護層スパッタリング用 〃 ２０〜２５：クライオポンプ ２６：ヒーター ２７：差動排気装置 ２８：支持台 ２９：基板装着部
Claims (2)
- （１）プラズマエッチングされた支持台上に非磁性基板
を装着し、スパッタリングすることを特徴とする磁気記
録媒体の製造法。 - （２）下地層及び磁性層のスパッタリング室並びに保護
層のスパッタリング室からなる磁気記録媒体の製造装置
において、エッチング室を設けてなることを特徴とする
磁気記録媒体の製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2159433A JPH0449523A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 磁気記録媒体の製造法及びその装置 |
| US07/716,927 US5244554A (en) | 1990-06-18 | 1991-06-18 | Method of producing recording media and its apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2159433A JPH0449523A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 磁気記録媒体の製造法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0449523A true JPH0449523A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15693645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2159433A Pending JPH0449523A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 磁気記録媒体の製造法及びその装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5244554A (ja) |
| JP (1) | JPH0449523A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030078454A (ko) * | 2002-03-29 | 2003-10-08 | 주식회사 엘지이아이 | 표면처리장치와 그 방법 및 표면처리된 제품 |
| KR100455425B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 전원공급이 조절되는 열교환기 표면처리장치 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0577766B1 (en) * | 1991-04-04 | 1999-12-29 | Seagate Technology, Inc. | Apparatus and method for high throughput sputtering |
| JPH0673538A (ja) * | 1992-05-26 | 1994-03-15 | Kobe Steel Ltd | アークイオンプレーティング装置 |
| DE4428136A1 (de) * | 1994-08-09 | 1996-02-15 | Leybold Ag | Vakuum-Beschichtungsanlage |
| US5693197A (en) * | 1994-10-06 | 1997-12-02 | Hmt Technology Corporation | DC magnetron sputtering method and apparatus |
| TW359849B (en) * | 1994-12-08 | 1999-06-01 | Tokyo Electron Ltd | Sputtering apparatus having an on board service module |
| SG38900A1 (en) * | 1994-12-19 | 1997-04-17 | Hoya Corp | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US5705044A (en) * | 1995-08-07 | 1998-01-06 | Akashic Memories Corporation | Modular sputtering machine having batch processing and serial thin film sputtering |
| US5714044A (en) * | 1995-08-07 | 1998-02-03 | Hmt Technology Corporation | Method for forming a thin carbon overcoat in a magnetic recording medium |
| US5855746A (en) * | 1996-02-28 | 1999-01-05 | Western Digital Corporation | Buffered nitrogenated carbon overcoat for data recording disks and method for manufacturing the same |
| US6117281A (en) * | 1998-01-08 | 2000-09-12 | Seagate Technology, Inc. | Magnetron sputtering target for reduced contamination |
| US6338777B1 (en) * | 1998-10-23 | 2002-01-15 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for sputtering thin films |
| US6964731B1 (en) | 1998-12-21 | 2005-11-15 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6676810B2 (en) * | 2000-01-12 | 2004-01-13 | D2 In-Line Solutions, Llc | Method of coating insulative substrates |
| US8382902B2 (en) * | 2000-04-12 | 2013-02-26 | Seagate Technology Llc | Single disc vapor lubrication |
| JPWO2003014410A1 (ja) * | 2001-08-07 | 2004-11-25 | 日本板硝子株式会社 | スパッタリング装置 |
| CN1274874C (zh) * | 2001-08-14 | 2006-09-13 | 三星康宁株式会社 | 在玻璃衬底上淀积薄膜的设备和方法 |
| WO2003085301A1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-16 | D2 In-Line Solutions, Llc | Rotary barrel gate valve |
| US20040191980A1 (en) * | 2003-03-27 | 2004-09-30 | Rafael Rios | Multi-corner FET for better immunity from short channel effects |
| US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
| CN103093766A (zh) * | 2007-12-06 | 2013-05-08 | 因特瓦克公司 | 用于构图介质的商业制造的系统和方法 |
| WO2009107740A1 (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造装置および製造方法 |
| JP5336151B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2013-11-06 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜形成装置及び磁気記録媒体の製造方法 |
| US20120043198A1 (en) * | 2010-08-18 | 2012-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and film formation method |
| CN103459664B (zh) * | 2011-03-25 | 2015-10-07 | Lg电子株式会社 | 等离子体增强式化学气相沉积设备及其控制方法 |
| JP6060484B2 (ja) * | 2012-01-19 | 2017-01-18 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| EP3541762B1 (en) | 2016-11-17 | 2022-03-02 | Cardinal CG Company | Static-dissipative coating technology |
| US12012652B2 (en) * | 2018-05-21 | 2024-06-18 | Applied Materials, Inc. | Single process volume to perform high-pressure and low-pressure processes with features to reduce cross-contamination |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5877239A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-10 | Ulvac Corp | 連続式真空処理装置 |
| US4384938A (en) * | 1982-05-03 | 1983-05-24 | International Business Machines Corporation | Reactive ion etching chamber |
| US4474659A (en) * | 1982-05-28 | 1984-10-02 | Fazal Fazlin | Plated-through-hole method |
| JPS5950179A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Ulvac Corp | 真空槽のクリ−ニング方法 |
| FR2550044B1 (fr) * | 1983-07-05 | 1986-11-21 | Parrens Pierre | Appareil de traitement par plasma de substrats en forme de plaquettes |
| US4500407A (en) * | 1983-07-19 | 1985-02-19 | Varian Associates, Inc. | Disk or wafer handling and coating system |
| US4595481A (en) * | 1984-08-21 | 1986-06-17 | Komag, Inc. | Disk carrier |
| US4601807A (en) * | 1985-01-17 | 1986-07-22 | International Business Machines Corporation | Reactor for plasma desmear of high aspect ratio hole |
| US4663009A (en) * | 1985-02-08 | 1987-05-05 | Hewlett-Packard Company | System and method for depositing plural thin film layers on a substrate |
| US4749465A (en) * | 1985-05-09 | 1988-06-07 | Seagate Technology | In-line disk sputtering system |
| US4894133A (en) * | 1985-11-12 | 1990-01-16 | Virgle L. Hedgcoth | Method and apparatus making magnetic recording disk |
| US4595484A (en) * | 1985-12-02 | 1986-06-17 | International Business Machines Corporation | Reactive ion etching apparatus |
| US4786564A (en) * | 1987-02-25 | 1988-11-22 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a magnetic disk having reduced bit shift, minimized noise, increased resolution and uniform magnetic characteristics, and the resulting disk |
| US4767648A (en) * | 1987-06-25 | 1988-08-30 | Spencer R&D Inc. | Method of accomplishing rapid and durable french manicure |
-
1990
- 1990-06-18 JP JP2159433A patent/JPH0449523A/ja active Pending
-
1991
- 1991-06-18 US US07/716,927 patent/US5244554A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030078454A (ko) * | 2002-03-29 | 2003-10-08 | 주식회사 엘지이아이 | 표면처리장치와 그 방법 및 표면처리된 제품 |
| KR100455425B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 전원공급이 조절되는 열교환기 표면처리장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5244554A (en) | 1993-09-14 |
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