JPH03194727A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH03194727A JPH03194727A JP33408189A JP33408189A JPH03194727A JP H03194727 A JPH03194727 A JP H03194727A JP 33408189 A JP33408189 A JP 33408189A JP 33408189 A JP33408189 A JP 33408189A JP H03194727 A JPH03194727 A JP H03194727A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- sputtering
- based alloy
- recording medium
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 11
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019580 Cr Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019817 Cr—Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005478 sputtering type Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、磁気記録装置に使用される磁気記録媒体を製
造するのに利用される磁気記録媒体の製造方法に関する
ものである。 （従来の技術） 従来、この種の磁気記録媒体を製造するに際しては、例
えば、ＡＭ−Ｍｇよりなる基板に、純Ａｒガス中で、Ｃ
ｒまたはＣｒ基合金よるなるターゲットを用いてスパッ
タリング成膜することにより下地膜を形成したのち、同
じく純Ａｒガス中で、ＧｏまたはＣｏ基合金よりなるタ
ーゲットを用いてスパッタリング成膜することにより薄
膜を形成する工程を採用することがあった。 そしてこの場合、純Ａｒガス中でのスパッタリング成膜
に際し、磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）を向上させるた
めに、前記基板の温度を２５０℃以上に高める必要があ
った。 マタ、スパッタリング成膜をＡｒガス：Ｎ２ガス＝１＝
１の混合ガス中で行ったのち、高温での熱処理を施して
保磁力（Ｈｅ）を向上させようとする例（例えば、特開
昭６１−１５３８２７号）もあった。 （発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述した従来の磁気記録媒体の製造方法
では、磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）を向上させるため
に、基板の温度を２５０℃以上に高めたり、スパッタリ
ング成膜後に高温での熱処理を施したりするなど、いず
れも加熱冷却という時間や手間のかかる工程を必要とす
ると共に、高温であることから基板と薄膜との間で反応
を生ずることもありうるという問題点があった。 そして、このような反応を防止するために下地膜の厚さ
を増加することも考えられるが、下地膜として使用する
高価なＣｒまたはＣｒ基合金の必要量が増大することか
らコスト高につくという問題点があり、これらの問題点
を解決することが課題として存在していた。 （発明の目的） 本発明は、このような従来の課題にかんがみてなされた
もので、保磁力を向上させるために、スパッタリング成
膜時に基板温度を２５０℃以上の高温としたり、スパッ
タリング成膜後に高温での熱処理を行ったりする手段を
必らずしも採用しなくとも、高い保磁力を有する磁気記
録媒体を得ることが可能である磁気記録媒体の製造方法
を提供することを目的としている。
造するのに利用される磁気記録媒体の製造方法に関する
ものである。 （従来の技術） 従来、この種の磁気記録媒体を製造するに際しては、例
えば、ＡＭ−Ｍｇよりなる基板に、純Ａｒガス中で、Ｃ
ｒまたはＣｒ基合金よるなるターゲットを用いてスパッ
タリング成膜することにより下地膜を形成したのち、同
じく純Ａｒガス中で、ＧｏまたはＣｏ基合金よりなるタ
ーゲットを用いてスパッタリング成膜することにより薄
膜を形成する工程を採用することがあった。 そしてこの場合、純Ａｒガス中でのスパッタリング成膜
に際し、磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）を向上させるた
めに、前記基板の温度を２５０℃以上に高める必要があ
った。 マタ、スパッタリング成膜をＡｒガス：Ｎ２ガス＝１＝
１の混合ガス中で行ったのち、高温での熱処理を施して
保磁力（Ｈｅ）を向上させようとする例（例えば、特開
昭６１−１５３８２７号）もあった。 （発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述した従来の磁気記録媒体の製造方法
では、磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）を向上させるため
に、基板の温度を２５０℃以上に高めたり、スパッタリ
ング成膜後に高温での熱処理を施したりするなど、いず
れも加熱冷却という時間や手間のかかる工程を必要とす
ると共に、高温であることから基板と薄膜との間で反応
を生ずることもありうるという問題点があった。 そして、このような反応を防止するために下地膜の厚さ
を増加することも考えられるが、下地膜として使用する
高価なＣｒまたはＣｒ基合金の必要量が増大することか
らコスト高につくという問題点があり、これらの問題点
を解決することが課題として存在していた。 （発明の目的） 本発明は、このような従来の課題にかんがみてなされた
もので、保磁力を向上させるために、スパッタリング成
膜時に基板温度を２５０℃以上の高温としたり、スパッ
タリング成膜後に高温での熱処理を行ったりする手段を
必らずしも採用しなくとも、高い保磁力を有する磁気記
録媒体を得ることが可能である磁気記録媒体の製造方法
を提供することを目的としている。
（課題を解決するための手段）
本発明に係わる磁気記録媒体の製造方法は、Ｃｒまたは
Ｃｒ基合金の下地膜を介してＣｏまたはＣｏ基合金の薄
膜を設けた薄膜磁気記録媒体をスパッタリング成膜によ
り製造するに際し、Ａｒガス二Ｎ２ガス＝１００：０．
０５〜２のガス分圧比、もしくはＡｒガス二Ｎ２ガス＝
０２ガス＝１００二〇、０５〜２：０．０１〜０．１の
ガス分圧比を有する混合ガス中でスノ（＋７タリング成
膜を行う構成としたことを特徴としており、このような
磁気記録媒体の製造方法の構成を前述した従来の課題を
解決するための手段としている。 本発明に係わる磁気記録媒体の製造方法において、基板
としては、Ａ文、Ａ交−Ｍｇ、Ｓｉ、ガラス、セラミッ
クス（ＡＩＬ２０３など）等々の各種のものの中から選
んで使用されるが、とくに限定はされない。 また、下地膜となるＣｒまたはＣｒ基合金のう−ちＣｒ
基合金としては各種の二元系（Ｃｒ−Ａｇ、Ｃｒ−Ｚｒ
等々）ないしは三元系以上（Ｃｒ−Ａｇ−Ｙ 、Ｃｒ−
Ｚｎ−３ｎ等々）の合金が使用されるが、とくに限定は
されない。 さらに、薄膜となるＣｏまたはＣｏ基合金のうちＣｏ基
合金としては各種の二元系（Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ等
々）ないしは三元系以上（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ等々）の合金が使用されるが、とくに限定はさ
れない。 そして、前記基板に、前記ＣｒまたはＣｒ基合金の下地
膜を介して前記ＣｏまたはＣｏ基合金の薄膜を設けた薄
膜磁気記録媒体をスパッタリング成膜により製造するに
際しては、Ａｒガス二Ｎ２ガス＝１００：０．０５〜２
のガス分圧比、もしくはＡｒガス：Ｎ２ガス：０２ガス
＝１００：０．０５〜２：０．０１〜０．１のガス分圧
比を有する混合ガス中でスパッタリング成膜を行うよう
にした。 この種のスパッタリング成膜において、基板上に、３０
００λ厚さのＣｒよりなる下Ｊ＃ｌＦｇと。 ５００ス厚さのＣｏ基合金よりなる薄膜とをスパッタリ
ング成膜によって設けるにあたり、Ａｒガス十Ｎ２ガス
の混合ガス（０２ガス分圧く１×１０−’Ｔｏｒｒ）中
でスパッタリング成膜を行い、この際のＮ２ガス分圧を
変化させたところ、第１図に示すように、高い保磁力（
Ｈｅ）が得られる適切なＮ２ガス分圧が存在することが
認められた。 また、Ａｒガス十Ｎ２ガス＋０２ガスの混合ガス中でス
パッタリング成膜を行うに際し、０２ガス分圧を５×１
０−？ＴＯｒｒと一定にしてＮ２ガス分圧を変化させた
ところ、第２図に示すように、高い保磁力（Ｈｃ）が得
られる適切なＮ２ガス分圧が存在することが認められた
。 さらに、Ａｒガス十Ｎ２ガス＋０２ガスの混合ガス中で
スパッタリング成膜を行うに際し、Ｎ２ガス分圧を３Ｘ
１０＝Ｔｏｒｒと一足にしテ０２ガス分圧を変化させた
ところ、第３図に示すように、高い保磁力（Ｈｃ）が得
られる適切な０２ガス分圧が存在することが認められた
。 そして、種々の実験の結果、混合ガスとしてＡｒガス十
Ｎ２ガスを用いる場合には、Ａｒガス二Ｎ２ガス＝１０
０：０．０５〜２の範囲のガス分圧比とすることが望ま
しく、混合ガスとしてＡｒガス十Ｎ２ガス＋０２ガスを
用いる場合には、Ａｒガス二Ｎ２ガス＝０２ガス＝１０
０：０．０５〜２：０．０１〜０．１の範囲のガス分圧
比とすることが望ましいことが認められた。 そして、このようなスパッタリング成膜を行う実施態様
においては、ＣｒまたはＣｒ基合金の下地膜を形成する
ためのＣｒまたはＣｒ基合金のターゲットと、Ｃｏまた
はＣｏ基合金の薄膜を形成するためのＣｏまたはＣｏ基
合金のターゲットとを前記所定のガス分圧比とした混合
ガス中に設け、前記混合ガス中で前記ＣｒまたはＣｒ基
合金のターゲットに対峙して前記ＣｒまたはＣｒ基合金
の下地膜をスパッタリング成膜したのち前記Ｃｏまたは
Ｃｏ基合金のターゲットに対峙して前記ＣｏまたはＣｏ
基合金の薄膜をスパッタリング成膜するべく前記基板を
移動可能とした二元スパッタリングによりスパッタリン
グ成膜を行うようになすことも必要に応じて望ましい。 （発明の作用） 本発明に係わる磁気記録媒体の製造方法では、基板に、
ＣｒまたはＣｒ基合金の下地膜を介してＣｏまたはＣｏ
基合金の薄膜を設けた薄膜磁気記録媒体をスパッタリン
グ成膜により製造するに際し、Ａｒガス二Ｎ２ガス＝１
００：０．０５〜２のガス分圧比、もしくはＡｒガス：
Ｎ２ガス：０２ガス＝１００：０．０５〜２：０．０１
〜０．１のガス分圧比を有する混合ガス中でスパッタリ
ング成膜を行う構成としたから、磁気記録媒体の保磁力
（Ｈｃ）を高めるに際して、従来のように基板の温度を
２５０℃以上に高めたり、成膜後に高温での熱処理を行
ったりする格別の手段を必らずしも採用しなくとも、高
い保磁力の磁気記録媒体が製造されるようになる。 °（￥施例） 基板としてスライドガラスを用い、下地膜素材として純
Ｃｒを用い、磁気薄膜素材としてＣｏ−３０％Ｎｉ−７
，５％Ｃｒ（原子％）よりなるＣｏ基合金を用いた。 そして、スパッタリング装置のチャンバー内において基
板を回転体に保持させ、前記回転体の一方の位置で前記
基板と対峙する位置に前記純Ｃｒよりなるターゲットが
位置するようにして、前記純Ｃｒをターゲットとするス
パッタリング成膜を行うことにより純Ｃｒよりなる下地
膜が形成されるようにし、次いで前記回転体を１８０°
回転させた他方の位ｌで前記基板と対峙する位ａに前記
Ｃｏ基合金よりなるターゲットが位置するようにして、
前記Ｃｏ基合金をターゲットとするスパッタリング成膜
を行うことによりＣｏ基合金よるなる磁気薄膜が形成さ
れるように、第１表に示すスパッタリング成膜条件によ
り前記純ＣｒとＣｏ基合金との二元スパッタリングを行
い、これによって、基板に厚さ３０００１の純Ｃｒより
なる下地１便を形成したのちさらに厚さ５００スのＣｏ
基合金よりなる磁気薄膜を形成した磁気記録媒体を製造
した。 そして、このスパッタリング成膜に際しては。 第２表に示すように、Ａｒガス分圧＋Ｎ２ガス分圧、０
□ガス分圧を変えて実施し、これにより得られたそれぞ
れの磁気記録媒体の保磁力（Ｈｅ）および角形比を調べ
た。この結果を同じく第２表に示す。 第 表 第２表に示した結果より明らかなように、スパッタリン
グ成膜を行うに際してＡｒガス分圧。 Ｎ２ガス分圧、０２ガス分圧を適切に制御することによ
って、基板温度を２５０°Ｃ以上に高めたり、成膜後に
高温での熱処理を施したりしなくとも、従来と同程度な
いしは従来をかなり上回る高い保磁力が得られると同時
に角形比も良好なる磁気記録媒体を製造できることが確
かめられた。
Ｃｒ基合金の下地膜を介してＣｏまたはＣｏ基合金の薄
膜を設けた薄膜磁気記録媒体をスパッタリング成膜によ
り製造するに際し、Ａｒガス二Ｎ２ガス＝１００：０．
０５〜２のガス分圧比、もしくはＡｒガス二Ｎ２ガス＝
０２ガス＝１００二〇、０５〜２：０．０１〜０．１の
ガス分圧比を有する混合ガス中でスノ（＋７タリング成
膜を行う構成としたことを特徴としており、このような
磁気記録媒体の製造方法の構成を前述した従来の課題を
解決するための手段としている。 本発明に係わる磁気記録媒体の製造方法において、基板
としては、Ａ文、Ａ交−Ｍｇ、Ｓｉ、ガラス、セラミッ
クス（ＡＩＬ２０３など）等々の各種のものの中から選
んで使用されるが、とくに限定はされない。 また、下地膜となるＣｒまたはＣｒ基合金のう−ちＣｒ
基合金としては各種の二元系（Ｃｒ−Ａｇ、Ｃｒ−Ｚｒ
等々）ないしは三元系以上（Ｃｒ−Ａｇ−Ｙ 、Ｃｒ−
Ｚｎ−３ｎ等々）の合金が使用されるが、とくに限定は
されない。 さらに、薄膜となるＣｏまたはＣｏ基合金のうちＣｏ基
合金としては各種の二元系（Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ等
々）ないしは三元系以上（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ等々）の合金が使用されるが、とくに限定はさ
れない。 そして、前記基板に、前記ＣｒまたはＣｒ基合金の下地
膜を介して前記ＣｏまたはＣｏ基合金の薄膜を設けた薄
膜磁気記録媒体をスパッタリング成膜により製造するに
際しては、Ａｒガス二Ｎ２ガス＝１００：０．０５〜２
のガス分圧比、もしくはＡｒガス：Ｎ２ガス：０２ガス
＝１００：０．０５〜２：０．０１〜０．１のガス分圧
比を有する混合ガス中でスパッタリング成膜を行うよう
にした。 この種のスパッタリング成膜において、基板上に、３０
００λ厚さのＣｒよりなる下Ｊ＃ｌＦｇと。 ５００ス厚さのＣｏ基合金よりなる薄膜とをスパッタリ
ング成膜によって設けるにあたり、Ａｒガス十Ｎ２ガス
の混合ガス（０２ガス分圧く１×１０−’Ｔｏｒｒ）中
でスパッタリング成膜を行い、この際のＮ２ガス分圧を
変化させたところ、第１図に示すように、高い保磁力（
Ｈｅ）が得られる適切なＮ２ガス分圧が存在することが
認められた。 また、Ａｒガス十Ｎ２ガス＋０２ガスの混合ガス中でス
パッタリング成膜を行うに際し、０２ガス分圧を５×１
０−？ＴＯｒｒと一定にしてＮ２ガス分圧を変化させた
ところ、第２図に示すように、高い保磁力（Ｈｃ）が得
られる適切なＮ２ガス分圧が存在することが認められた
。 さらに、Ａｒガス十Ｎ２ガス＋０２ガスの混合ガス中で
スパッタリング成膜を行うに際し、Ｎ２ガス分圧を３Ｘ
１０＝Ｔｏｒｒと一足にしテ０２ガス分圧を変化させた
ところ、第３図に示すように、高い保磁力（Ｈｃ）が得
られる適切な０２ガス分圧が存在することが認められた
。 そして、種々の実験の結果、混合ガスとしてＡｒガス十
Ｎ２ガスを用いる場合には、Ａｒガス二Ｎ２ガス＝１０
０：０．０５〜２の範囲のガス分圧比とすることが望ま
しく、混合ガスとしてＡｒガス十Ｎ２ガス＋０２ガスを
用いる場合には、Ａｒガス二Ｎ２ガス＝０２ガス＝１０
０：０．０５〜２：０．０１〜０．１の範囲のガス分圧
比とすることが望ましいことが認められた。 そして、このようなスパッタリング成膜を行う実施態様
においては、ＣｒまたはＣｒ基合金の下地膜を形成する
ためのＣｒまたはＣｒ基合金のターゲットと、Ｃｏまた
はＣｏ基合金の薄膜を形成するためのＣｏまたはＣｏ基
合金のターゲットとを前記所定のガス分圧比とした混合
ガス中に設け、前記混合ガス中で前記ＣｒまたはＣｒ基
合金のターゲットに対峙して前記ＣｒまたはＣｒ基合金
の下地膜をスパッタリング成膜したのち前記Ｃｏまたは
Ｃｏ基合金のターゲットに対峙して前記ＣｏまたはＣｏ
基合金の薄膜をスパッタリング成膜するべく前記基板を
移動可能とした二元スパッタリングによりスパッタリン
グ成膜を行うようになすことも必要に応じて望ましい。 （発明の作用） 本発明に係わる磁気記録媒体の製造方法では、基板に、
ＣｒまたはＣｒ基合金の下地膜を介してＣｏまたはＣｏ
基合金の薄膜を設けた薄膜磁気記録媒体をスパッタリン
グ成膜により製造するに際し、Ａｒガス二Ｎ２ガス＝１
００：０．０５〜２のガス分圧比、もしくはＡｒガス：
Ｎ２ガス：０２ガス＝１００：０．０５〜２：０．０１
〜０．１のガス分圧比を有する混合ガス中でスパッタリ
ング成膜を行う構成としたから、磁気記録媒体の保磁力
（Ｈｃ）を高めるに際して、従来のように基板の温度を
２５０℃以上に高めたり、成膜後に高温での熱処理を行
ったりする格別の手段を必らずしも採用しなくとも、高
い保磁力の磁気記録媒体が製造されるようになる。 °（￥施例） 基板としてスライドガラスを用い、下地膜素材として純
Ｃｒを用い、磁気薄膜素材としてＣｏ−３０％Ｎｉ−７
，５％Ｃｒ（原子％）よりなるＣｏ基合金を用いた。 そして、スパッタリング装置のチャンバー内において基
板を回転体に保持させ、前記回転体の一方の位置で前記
基板と対峙する位置に前記純Ｃｒよりなるターゲットが
位置するようにして、前記純Ｃｒをターゲットとするス
パッタリング成膜を行うことにより純Ｃｒよりなる下地
膜が形成されるようにし、次いで前記回転体を１８０°
回転させた他方の位ｌで前記基板と対峙する位ａに前記
Ｃｏ基合金よりなるターゲットが位置するようにして、
前記Ｃｏ基合金をターゲットとするスパッタリング成膜
を行うことによりＣｏ基合金よるなる磁気薄膜が形成さ
れるように、第１表に示すスパッタリング成膜条件によ
り前記純ＣｒとＣｏ基合金との二元スパッタリングを行
い、これによって、基板に厚さ３０００１の純Ｃｒより
なる下地１便を形成したのちさらに厚さ５００スのＣｏ
基合金よりなる磁気薄膜を形成した磁気記録媒体を製造
した。 そして、このスパッタリング成膜に際しては。 第２表に示すように、Ａｒガス分圧＋Ｎ２ガス分圧、０
□ガス分圧を変えて実施し、これにより得られたそれぞ
れの磁気記録媒体の保磁力（Ｈｅ）および角形比を調べ
た。この結果を同じく第２表に示す。 第 表 第２表に示した結果より明らかなように、スパッタリン
グ成膜を行うに際してＡｒガス分圧。 Ｎ２ガス分圧、０２ガス分圧を適切に制御することによ
って、基板温度を２５０°Ｃ以上に高めたり、成膜後に
高温での熱処理を施したりしなくとも、従来と同程度な
いしは従来をかなり上回る高い保磁力が得られると同時
に角形比も良好なる磁気記録媒体を製造できることが確
かめられた。
本発明に係わる磁気記録媒体の製造方法では、基板にＣ
ｒまたはＣｒ基合金の下地膜を介してＣｏまたはＣｏ基
合金の薄膜を設けた薄膜磁気記録媒体をスパッタリング
成膜により製造するに際し、Ａｒガス二Ｎ２ガス＝１０
０：０．０５〜２のガス分圧比、もしくはＡｒガス二Ｎ
２ガス：０２ガス＝１００：０．０５〜２：０．０１〜
０．１のガス分圧比を有する混合ガス中でスパッタリン
グ成膜を行う構成としたから、従来のようにスパッタリ
ング成膜に際して基板温度を２５０℃以上の高い温度に
したり、成膜後に高温での熱処理を施したりする手段を
必らずしも採用しなくとも、従来程度ないしはそれ以上
の高い保磁力（Ｈｅ）を有すると共に優れた角形比を有
する磁気記録媒体を製造することが可能であり、基板温
度を従来はど高める必要がないため基板の制約がより少
なくなると共に、基板を加熱したり熱処理を施したりす
るための加熱時間や手間を省くことが可能であり、また
、高温で熱処理する必要が必ずしもないため基板と薄膜
との間で反応を生ずるおそれがないので、下地膜を薄く
することが可能であり、下地膜として用いるＣｒまたは
Ｃｒ基合金の使用量を少なくすることができ、さらには
、従来よりも保磁力を向上させることができることから
同じ保磁力とする場合には磁性薄膜の厚さを小さくする
ことが可能であって成膜時間も少なくてすむなどの著し
く潰れた効果がもたらされる。
ｒまたはＣｒ基合金の下地膜を介してＣｏまたはＣｏ基
合金の薄膜を設けた薄膜磁気記録媒体をスパッタリング
成膜により製造するに際し、Ａｒガス二Ｎ２ガス＝１０
０：０．０５〜２のガス分圧比、もしくはＡｒガス二Ｎ
２ガス：０２ガス＝１００：０．０５〜２：０．０１〜
０．１のガス分圧比を有する混合ガス中でスパッタリン
グ成膜を行う構成としたから、従来のようにスパッタリ
ング成膜に際して基板温度を２５０℃以上の高い温度に
したり、成膜後に高温での熱処理を施したりする手段を
必らずしも採用しなくとも、従来程度ないしはそれ以上
の高い保磁力（Ｈｅ）を有すると共に優れた角形比を有
する磁気記録媒体を製造することが可能であり、基板温
度を従来はど高める必要がないため基板の制約がより少
なくなると共に、基板を加熱したり熱処理を施したりす
るための加熱時間や手間を省くことが可能であり、また
、高温で熱処理する必要が必ずしもないため基板と薄膜
との間で反応を生ずるおそれがないので、下地膜を薄く
することが可能であり、下地膜として用いるＣｒまたは
Ｃｒ基合金の使用量を少なくすることができ、さらには
、従来よりも保磁力を向上させることができることから
同じ保磁力とする場合には磁性薄膜の厚さを小さくする
ことが可能であって成膜時間も少なくてすむなどの著し
く潰れた効果がもたらされる。
第１図はＡｒガス十Ｎ２ガスの混合ガス中でスパッタリ
ング成膜を行うことにより磁気記録媒体を製造した場合
のＮ２ガス分圧比を変化させたことによる保磁力（Ｈｃ
）への影響を調べた結果を例示するグラフ、第２図はＡ
ｒガス十Ｎ２ガス＋０２ガスの混合ガス中でスパッタリ
ング成膜を行うことにより磁気記録媒体を製造した場合
の０２ガス分圧一定でかつＮ２ガス分圧を変化させたこ
とによる保磁力（Ｈｅ）への影響を調べた結果を例示す
るグラフ、ｉ３図はＡｒガス十Ｎ２ガス＋０２ガスの混
合ガス中でスパッタリング成膜を行うことにより磁気記
録媒体を製造した場合のＮ２ガス分圧一定でかつ０２ガ
ス分圧を変化させたことによる保磁力（Ｈｅ）への影響
を調べた結果を例示するグラフである。
ング成膜を行うことにより磁気記録媒体を製造した場合
のＮ２ガス分圧比を変化させたことによる保磁力（Ｈｃ
）への影響を調べた結果を例示するグラフ、第２図はＡ
ｒガス十Ｎ２ガス＋０２ガスの混合ガス中でスパッタリ
ング成膜を行うことにより磁気記録媒体を製造した場合
の０２ガス分圧一定でかつＮ２ガス分圧を変化させたこ
とによる保磁力（Ｈｅ）への影響を調べた結果を例示す
るグラフ、ｉ３図はＡｒガス十Ｎ２ガス＋０２ガスの混
合ガス中でスパッタリング成膜を行うことにより磁気記
録媒体を製造した場合のＮ２ガス分圧一定でかつ０２ガ
ス分圧を変化させたことによる保磁力（Ｈｅ）への影響
を調べた結果を例示するグラフである。
Claims (4)
- （１）基板に、ＣｒまたはＣｒ基合金の下地膜を介して
ＣｏまたはＣｏ基合金の薄膜を設けた薄膜磁気記録媒体
をスパッタリング成膜により製造するに際し、Ａｒガス
：Ｎ＿２ガス＝１００：０．０５〜２のガス分圧比を有
する混合ガス中でスパッタリング成膜を行うことを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。 - （２）基板に、ＣｒまたはＣｒ基合金の下地膜を介して
ＣｏまたはＣｏ基合金の薄膜を設けた薄膜磁気記録媒体
をスパッタリング成膜により製造するに際し、Ａｒガス
：Ｎ＿２ガス：Ｏ＿２ガス＝１００：０．０５〜２：０
．０１〜０．１のガス分圧比を有する混合ガス中でスパ
ッタリング成膜を行うことを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。 - （３）スパッタリング成膜時における基板 温度を２００℃以下とする請求項第（１）項または第（
２）項に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - （４）ＣｒまたはＣｒ基合金の下地膜を形成するための
ＣｒまたはＣｒ基合金のターゲットと、ＣｏまたはＣｏ
基合金の薄膜を形成するためのＣｏまたはＣｏ基合金の
ターゲットとを混合ガス中に設け、前記混合ガス中で前
記ＣｒまたはＣｒ基合金のターゲットに対峙して前記Ｃ
ｒまたはＣｒ基合金の下地膜をスパッタリング成膜した
のち前記ＣｏまたはＣｏ基合金のターゲットに対峙して
前記ＣｏまたはＣｏ基合金の薄膜をスパッタリング成膜
するべく前記基板を移動可能とした二元スパッタリング
によりスパッタリング成膜を行う請求項第（１）項、第
（２）項または第（３）項に記載の磁気記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1334081A JP3018360B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1334081A JP3018360B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03194727A true JPH03194727A (ja) | 1991-08-26 |
| JP3018360B2 JP3018360B2 (ja) | 2000-03-13 |
Family
ID=18273307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1334081A Expired - Lifetime JP3018360B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3018360B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1605442A1 (en) * | 2003-03-17 | 2005-12-14 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and its production method |
-
1989
- 1989-12-22 JP JP1334081A patent/JP3018360B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1605442A1 (en) * | 2003-03-17 | 2005-12-14 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and its production method |
| EP1605442A4 (en) * | 2003-03-17 | 2006-03-22 | Fujitsu Ltd | MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3018360B2 (ja) | 2000-03-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2786621B2 (ja) | 水平記録用磁気記録ディスク及び製造方法 | |
| US5232566A (en) | Underlayer doping in thin film magnetic recording media | |
| EP0710949A1 (en) | Magnetic recording medium and its manufacture | |
| JPH02161617A (ja) | 面内記録型磁気記録体の製造方法 | |
| JPH03194727A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| US5552217A (en) | Magnetic recording medium and a method for producing it | |
| JPH04153910A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6218970B2 (ja) | ||
| JP2949875B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2536993B2 (ja) | 薄膜磁気記録層の磁気特性を制御する方法 | |
| JP2819839B2 (ja) | 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 | |
| JPH03235218A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH03273525A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2623849B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0482016A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS61194635A (ja) | 薄膜永久磁石 | |
| JPH07334843A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH04124270A (ja) | 反応性連続スパッタ方法および磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS619837A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH04221429A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0554173B2 (ja) | ||
| JPH04102226A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS60150237A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH04192110A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH04105309A (ja) | 金属磁性体膜の製造方法 |