JPH04153910A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH04153910A JPH04153910A JP27610990A JP27610990A JPH04153910A JP H04153910 A JPH04153910 A JP H04153910A JP 27610990 A JP27610990 A JP 27610990A JP 27610990 A JP27610990 A JP 27610990A JP H04153910 A JPH04153910 A JP H04153910A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、情報記録する磁気ディスク装置に用いられる
磁気記録媒体に関し、詳しくは磁性層の下に改良された
下地層を有する磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体に関し、詳しくは磁性層の下に改良された
下地層を有する磁気記録媒体に関する。
「従来の技術」
現在コンピューターなどの外部記録装置としては、磁気
記録装置が用いられている。なかでも磁気記録媒体とし
て硬質なディスク基板を用いたハードディスク型の磁気
記録装置は、大容量でアクセス速度が早いため広く普及
しつつある。そしてこのような装置に用いられる磁気デ
ィスクの基板としてアルミニウムの基板が用いられ、さ
らに高密度の磁気記録を実現するために平坦性がよいガ
ラス基板が用いられつつある。特開平１−１７３４２７
号公報には、磁性層と非磁性支持体との間に相異なる金
属からなる２層の下地層を介在させて磁気特性を改善し
たものが開示されている。
記録装置が用いられている。なかでも磁気記録媒体とし
て硬質なディスク基板を用いたハードディスク型の磁気
記録装置は、大容量でアクセス速度が早いため広く普及
しつつある。そしてこのような装置に用いられる磁気デ
ィスクの基板としてアルミニウムの基板が用いられ、さ
らに高密度の磁気記録を実現するために平坦性がよいガ
ラス基板が用いられつつある。特開平１−１７３４２７
号公報には、磁性層と非磁性支持体との間に相異なる金
属からなる２層の下地層を介在させて磁気特性を改善し
たものが開示されている。
「９発明が解決しようとする課題」
しかしながら、上記の従来技術に開示されている磁気記
録媒体では、下地層の厚みを厚くすることなく磁性層の
保持力を大きくできるという利点を有するが、得られる
磁気記録媒体の保磁力は、前記の公報に開示されている
ように１００００ｅ程度であり、高保磁力を要求される
磁気記録媒体としては必ずしも要求を満たすものではな
いという問題点があった。
録媒体では、下地層の厚みを厚くすることなく磁性層の
保持力を大きくできるという利点を有するが、得られる
磁気記録媒体の保磁力は、前記の公報に開示されている
ように１００００ｅ程度であり、高保磁力を要求される
磁気記録媒体としては必ずしも要求を満たすものではな
いという問題点があった。
ところで、磁気記録媒体の保磁力は、磁性層の結晶粒径
や結晶の配向などの結晶特性に関係し、なかでも結晶粒
径に密接に関係することが知られている。また磁性層は
下地層の上に積層されるときに、その結晶特性なかでも
結晶粒径は、下地層の結晶粒径や表面状態により影響を
受けることが知られている。したがって高保磁力の磁性
層を得るには、磁性層が接する下地層の結晶状態を制御
することが重要であって、それには磁性層に接する下地
層の材料を適切に選び、かつ前記下地層の結晶成長を制
御することが重要である。
や結晶の配向などの結晶特性に関係し、なかでも結晶粒
径に密接に関係することが知られている。また磁性層は
下地層の上に積層されるときに、その結晶特性なかでも
結晶粒径は、下地層の結晶粒径や表面状態により影響を
受けることが知られている。したがって高保磁力の磁性
層を得るには、磁性層が接する下地層の結晶状態を制御
することが重要であって、それには磁性層に接する下地
層の材料を適切に選び、かつ前記下地層の結晶成長を制
御することが重要である。
本発明の目的は、下地層を改良することにより磁性層の
結晶性を改良し、もって高保磁力の磁気記録媒体を提供
するにある。
結晶性を改良し、もって高保磁力の磁気記録媒体を提供
するにある。
「課題を解決するための手段」
本発明は、非磁性支持体上に下地層、磁性層、保護層が
順次積層されている磁気記録媒体であって、前記下地層
が前記非磁性支持体側から数えて第１の下地層と第２の
下地層とからなり、前記第１の下地層が非晶質の層また
は微結晶からなる層であり、前記第２の下地層が金属の
層である磁気記録媒体である。
順次積層されている磁気記録媒体であって、前記下地層
が前記非磁性支持体側から数えて第１の下地層と第２の
下地層とからなり、前記第１の下地層が非晶質の層また
は微結晶からなる層であり、前記第２の下地層が金属の
層である磁気記録媒体である。
本発明にかかる第１の下地層は、非晶質の層であるか微
結晶の層であるか微結晶を含む非晶質の層であることを
特徴とする。ここでいう微結晶とは第２の下地層あるい
は磁性層の結晶粒径よりも小さい結晶粒径であって、１
０ｎｍ以下であることが好ましい。
結晶の層であるか微結晶を含む非晶質の層であることを
特徴とする。ここでいう微結晶とは第２の下地層あるい
は磁性層の結晶粒径よりも小さい結晶粒径であって、１
０ｎｍ以下であることが好ましい。
第１の下地層としては、前記のように非晶質の層である
か微結晶の層であるか微結晶を含む非晶質の層であれば
、とくに層を構成する材料は限定されないが、非磁性支
持体との密着性がよく、かつ、第２の下地層、磁性層、
保護層を順次形成するときに非磁性支持体から放出され
磁気特性に悪い影響を及ぼす水分などのガスを吸蔵し、
第２の下地層や磁性層にガスが到達しないようなガスの
バリヤーとなりうるものが好ましい。このようなものと
して、Ｔｔ＋ Ｚｒｔ ＨＬ Ｖ＋ Ｎｂ＋
ＴａｒＣｒ、ＭｏおよびＷからなる金属群から選ばれ
た１種の金属とＹ（イツトリウム）とからなる非晶質の
層や、微結晶層や微結晶を含む非晶質の層が例示ができ
る。ＴｉとＹｔ Ｚ ｒとＹ、ＨｆとＹ。
か微結晶の層であるか微結晶を含む非晶質の層であれば
、とくに層を構成する材料は限定されないが、非磁性支
持体との密着性がよく、かつ、第２の下地層、磁性層、
保護層を順次形成するときに非磁性支持体から放出され
磁気特性に悪い影響を及ぼす水分などのガスを吸蔵し、
第２の下地層や磁性層にガスが到達しないようなガスの
バリヤーとなりうるものが好ましい。このようなものと
して、Ｔｔ＋ Ｚｒｔ ＨＬ Ｖ＋ Ｎｂ＋
ＴａｒＣｒ、ＭｏおよびＷからなる金属群から選ばれ
た１種の金属とＹ（イツトリウム）とからなる非晶質の
層や、微結晶層や微結晶を含む非晶質の層が例示ができ
る。ＴｉとＹｔ Ｚ ｒとＹ、ＨｆとＹ。
ＶとＹ、ＮｂとＹｗ Ｔ ａとＹｔ ＣｒとＹｔ
ＭｏとＹ％ＷとＹの二成分系では、Ｙが２〜２０％と
広い組成範囲にわたってＹが一方の金属に固溶しない非
晶質または微結晶質の薄膜層が得られる。
ＭｏとＹ％ＷとＹの二成分系では、Ｙが２〜２０％と
広い組成範囲にわたってＹが一方の金属に固溶しない非
晶質または微結晶質の薄膜層が得られる。
また、上記の金属群から複数を選ぶこともできる。
第２の下地層が大きい保持力をもった磁気記録媒体を得
る上で好都合に結晶成長するためには、本発明にかかる
第１の下地層の厚みは１０〜５０ｎｍの範囲とするのが
好ましく、さらには２０〜３５ｎｍとするのが好ましい
。第１の下地層の厚みが１０ｎｍより薄いと第２の下地
層及び磁性層の結晶成長を調整することが困難になり、
また５０ｎｍより厚いと第１の下地層の結晶粒径が大き
くなるので好ましくない。
る上で好都合に結晶成長するためには、本発明にかかる
第１の下地層の厚みは１０〜５０ｎｍの範囲とするのが
好ましく、さらには２０〜３５ｎｍとするのが好ましい
。第１の下地層の厚みが１０ｎｍより薄いと第２の下地
層及び磁性層の結晶成長を調整することが困難になり、
また５０ｎｍより厚いと第１の下地層の結晶粒径が大き
くなるので好ましくない。
磁性層に接して設けられる本発明にかかる第２の下地層
としては、金属の結晶層であることを必要とする。また
第２の下地層としては、その上に被覆される磁性層の結
晶の面間隔に近い面間隔を有し、かつ第１の下地層によ
り結晶粒径の成長が制御されるものが好ましい。磁性層
がコバルト−ニッケル系、コバルト−ニッケルークロム
系、コバルト−クロム−タンタル系などの場合、この上
うな金属層としては＋ ＣｒｌＢ １などの層が例示
でき、とりわけＣｒの層が好ましい。
としては、金属の結晶層であることを必要とする。また
第２の下地層としては、その上に被覆される磁性層の結
晶の面間隔に近い面間隔を有し、かつ第１の下地層によ
り結晶粒径の成長が制御されるものが好ましい。磁性層
がコバルト−ニッケル系、コバルト−ニッケルークロム
系、コバルト−クロム−タンタル系などの場合、この上
うな金属層としては＋ ＣｒｌＢ １などの層が例示
でき、とりわけＣｒの層が好ましい。
また、本発明において、第１の下地層と非磁性支持体と
の間に、保護層の表面に凹凸を形成するように凹凸形成
層を介在させることができる。ここで用いられる凹凸形
成層は、非磁性支持体との密着性がよく、かつ第１の下
地層との密着性がよいものが好ましく、ＡＩ＋ Ａｇ
１Ｃｕ＋ Ｂｉ、 Ｓｎなどの低融点金属からなる
層が好んで用いられる。そして前記凹凸形成層は、第１
の下地層と非磁性支持体を隔離するように連続膜として
介在させてもよく、たとえば島状のように離散的に非磁
性支持体上に設けてもよい。
の間に、保護層の表面に凹凸を形成するように凹凸形成
層を介在させることができる。ここで用いられる凹凸形
成層は、非磁性支持体との密着性がよく、かつ第１の下
地層との密着性がよいものが好ましく、ＡＩ＋ Ａｇ
１Ｃｕ＋ Ｂｉ、 Ｓｎなどの低融点金属からなる
層が好んで用いられる。そして前記凹凸形成層は、第１
の下地層と非磁性支持体を隔離するように連続膜として
介在させてもよく、たとえば島状のように離散的に非磁
性支持体上に設けてもよい。
本発明の磁気記録媒体の第１の下地層、第２の下地層、
磁性層および保護層さらには、凹凸形成層は、公知のス
パッタリング法により連続的に一つのプロセスとして形
成することができる。そして第１の下地層の形成にあた
っては、非磁性支持体は室温の状態で形成してもよく、
加熱した状態で形成してもよい。また加熱温度は第２の
下地層および磁性層を形成するときの温度域と同じの２
５０〜４００℃とすることができる。
磁性層および保護層さらには、凹凸形成層は、公知のス
パッタリング法により連続的に一つのプロセスとして形
成することができる。そして第１の下地層の形成にあた
っては、非磁性支持体は室温の状態で形成してもよく、
加熱した状態で形成してもよい。また加熱温度は第２の
下地層および磁性層を形成するときの温度域と同じの２
５０〜４００℃とすることができる。
第２の下地層の形成にあたっては、非磁性支持体を加熱
した状態でおこなうことは、第２の下地層の結晶性を、
高保磁力の磁性層がその上に成長するように制御する上
で好ましい。また第２の下地層の上に積層される磁性層
は、第２の下地層の表面からエピタキシャル成長させる
上で、非磁性支持体を加熱した状態で形成するのが好ま
しい。
した状態でおこなうことは、第２の下地層の結晶性を、
高保磁力の磁性層がその上に成長するように制御する上
で好ましい。また第２の下地層の上に積層される磁性層
は、第２の下地層の表面からエピタキシャル成長させる
上で、非磁性支持体を加熱した状態で形成するのが好ま
しい。
また、本発明にかかる凹凸形成層を非磁性支持体上に形
成する場合は、低融点金属が基体に被覆されるときの凝
集力を大きくする上で、凹凸形成層を被覆するときの非
磁性支持体の温度は高く維持することが好ましく、１０
０℃以上に加熱することが好ましい。本発明にかかる保
護層としては、公知のカーボン膜や５ｉｎｔ膜を用いる
ことができ、カーボン膜はたとえばスパッタリング法に
より、Ｓｉｎ、膜はスパッタリング法やディッピング法
やスピンコード法により形成することができる。さらに
これらの膜の上にパーフロロアルキルなどの潤滑油を塗
布することができる。
成する場合は、低融点金属が基体に被覆されるときの凝
集力を大きくする上で、凹凸形成層を被覆するときの非
磁性支持体の温度は高く維持することが好ましく、１０
０℃以上に加熱することが好ましい。本発明にかかる保
護層としては、公知のカーボン膜や５ｉｎｔ膜を用いる
ことができ、カーボン膜はたとえばスパッタリング法に
より、Ｓｉｎ、膜はスパッタリング法やディッピング法
やスピンコード法により形成することができる。さらに
これらの膜の上にパーフロロアルキルなどの潤滑油を塗
布することができる。
本発明にかかる非磁性支持体としては、ソーダライム組
成や硼珪酸組成のガラス基板やアルミニウム基板を用い
ることができる。
成や硼珪酸組成のガラス基板やアルミニウム基板を用い
ることができる。
「作用」
本発明にかかる非晶質または微結晶質からなる第１の下
地層は、その上に順次積層される第２の下地層および磁
性層が形成されるに際して、結晶成長に影響を及ぼし、
磁性層の結晶粒径が大きく成長するのを抑制する。これ
により磁性層は保磁力が大きくかつ媒体ノイズが小さく
なる。
地層は、その上に順次積層される第２の下地層および磁
性層が形成されるに際して、結晶成長に影響を及ぼし、
磁性層の結晶粒径が大きく成長するのを抑制する。これ
により磁性層は保磁力が大きくかつ媒体ノイズが小さく
なる。
「実施例」
本発明を以下に実施例に基づいて説明する。
第１図は、本発明の磁気記録媒体の一部断面図で、非磁
性支持体１の上に非晶質または微結晶質の第１の下地層
２が被覆され、第１の下地層２の上に第２の金属の下地
層３が被覆され、第２の下地層３の上に磁性層４が被覆
され、さらに磁性層４の上に保護層５が被覆されている
。第２図は比較例の磁気記録媒体の一部断面図で、非磁
性支持体１の上に結晶質の第１の下地層６が被覆され、
第１の下地層６の上に第２の下地層３が被覆され、第２
の下地層３の上に磁性層４が被覆され、さらに磁性層４
の上に保護層５が被覆されている。また第１図、第２図
の磁気記録媒体を構成する層の結晶粒界が模式的に記さ
れている。
性支持体１の上に非晶質または微結晶質の第１の下地層
２が被覆され、第１の下地層２の上に第２の金属の下地
層３が被覆され、第２の下地層３の上に磁性層４が被覆
され、さらに磁性層４の上に保護層５が被覆されている
。第２図は比較例の磁気記録媒体の一部断面図で、非磁
性支持体１の上に結晶質の第１の下地層６が被覆され、
第１の下地層６の上に第２の下地層３が被覆され、第２
の下地層３の上に磁性層４が被覆され、さらに磁性層４
の上に保護層５が被覆されている。また第１図、第２図
の磁気記録媒体を構成する層の結晶粒界が模式的に記さ
れている。
実施例１
４つのカソードを備えたインライン型スパッタ装置のカ
ソードに１０原子％のＹを含むＴ１１Ｃｒ金属、 Ｃ
ｏ８２． ５％Ｎｔ３０％Ｃｒ７．５％の組成の磁性合
金、カーボンをターゲットとして設置した。そしてよく
洗浄されたソーダライムガラス基板（円盤状に加工され
化学強化されたもの）をロード室にセットし、その後ス
パッタ装置の上記ターゲットが設置されているコーテイ
ング室を順次横切るように移動させながら上記ターゲッ
トをＡｒガスでスパッタリングし、ガラス基板上に下地
層、磁性層、保護層を順次被覆した。第１の下地層は室
温のガラス基板に被覆し、その後ガラス基板を３５０℃
に加熱し、その温度で第２の下地層、磁性層、保護層を
被覆した。ターゲットに加える電力を調整してＮ ３
０ ｎ ｍのＴｉとＹとからなる第１の下地層、１５０
ｎｍのＣｒからなる第２の下地層、６０ｎｍの磁性層、
３０ｎｍのカーボンの保護層が順次積層された磁気記録
媒体を得た。
ソードに１０原子％のＹを含むＴ１１Ｃｒ金属、 Ｃ
ｏ８２． ５％Ｎｔ３０％Ｃｒ７．５％の組成の磁性合
金、カーボンをターゲットとして設置した。そしてよく
洗浄されたソーダライムガラス基板（円盤状に加工され
化学強化されたもの）をロード室にセットし、その後ス
パッタ装置の上記ターゲットが設置されているコーテイ
ング室を順次横切るように移動させながら上記ターゲッ
トをＡｒガスでスパッタリングし、ガラス基板上に下地
層、磁性層、保護層を順次被覆した。第１の下地層は室
温のガラス基板に被覆し、その後ガラス基板を３５０℃
に加熱し、その温度で第２の下地層、磁性層、保護層を
被覆した。ターゲットに加える電力を調整してＮ ３
０ ｎ ｍのＴｉとＹとからなる第１の下地層、１５０
ｎｍのＣｒからなる第２の下地層、６０ｎｍの磁性層、
３０ｎｍのカーボンの保護層が順次積層された磁気記録
媒体を得た。
得られた磁気記録媒体の保磁力は１３５００ ｅ１Ｓ／
Ｎ比は４０ｄＢであった。
Ｎ比は４０ｄＢであった。
同様な方法でガラス基板の上にＴｉとＹとからなる膜の
みを３０ｎｍ被覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を
調べたところ、Ｔｉの金属結晶に基づく回折ピークは認
められなかった。また、電子顕微鏡で観察したところ、
粒径が１０ｎｍ以下の微結晶が観察された。
みを３０ｎｍ被覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を
調べたところ、Ｔｉの金属結晶に基づく回折ピークは認
められなかった。また、電子顕微鏡で観察したところ、
粒径が１０ｎｍ以下の微結晶が観察された。
また、前記の磁気記録媒体とは、保護層のみをを被覆し
ない最上層が磁性層になっているサンプルを製作し、こ
のサンプルの磁性層表面を電子顕微鏡で観察したところ
、この磁性層は約４０ｎｍの粒径の結晶からなっている
ことが認められた。
ない最上層が磁性層になっているサンプルを製作し、こ
のサンプルの磁性層表面を電子顕微鏡で観察したところ
、この磁性層は約４０ｎｍの粒径の結晶からなっている
ことが認められた。
実施例２
実施例１で用いたのと同じインライン型スパッタ装置の
カソードに３原子％のＹを含むＴｉ、Ｃｒ金属、 Ｃ
ｏ６２． ５％Ｎｉ３０％Ｃｒ７．５％の組成の磁性合
金、カーボンをターゲットとして設置した。そしてよく
洗浄されたソーダライムガラス基板（円盤状に加工され
化学強化されたもの）をロード室にセットし、その後ス
パッタ装置の上記ターゲットが設置されているコーテイ
ング室を順次横切るように移動させながら上記ターゲッ
トをスパッタリングし、ガラス基板上に下地層、磁性層
、保護層を順次被覆した。第１の下地層は室温のガラス
基板に被覆し、その後ガラス基板を３５０℃に加熱し、
その温度で第２の下地層、磁性層、保護層を被覆した。
カソードに３原子％のＹを含むＴｉ、Ｃｒ金属、 Ｃ
ｏ６２． ５％Ｎｉ３０％Ｃｒ７．５％の組成の磁性合
金、カーボンをターゲットとして設置した。そしてよく
洗浄されたソーダライムガラス基板（円盤状に加工され
化学強化されたもの）をロード室にセットし、その後ス
パッタ装置の上記ターゲットが設置されているコーテイ
ング室を順次横切るように移動させながら上記ターゲッ
トをスパッタリングし、ガラス基板上に下地層、磁性層
、保護層を順次被覆した。第１の下地層は室温のガラス
基板に被覆し、その後ガラス基板を３５０℃に加熱し、
その温度で第２の下地層、磁性層、保護層を被覆した。
ターゲットに加える電力を調整して、３０ｎｍのＴｉと
Ｙとからなる第１の下地層、１５０ｎｍのＣｒからなる
第２の下地層、８０ｎｍの磁性層、３０ｎｍのカーボン
の保護層が順次積層された磁気記録媒体を得た。
Ｙとからなる第１の下地層、１５０ｎｍのＣｒからなる
第２の下地層、８０ｎｍの磁性層、３０ｎｍのカーボン
の保護層が順次積層された磁気記録媒体を得た。
得られた磁気記録媒体の保磁力は１３５００ｅ。
Ｓ／Ｎ比は４０ｄＢであった。
同様な方法でガラス基板の上にＴｉとＹとからなる膜の
みを３０１ｍ被覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を
調べたところ、Ｔｉの金属結晶に基づく回折ピークは認
められなかった。また、電子顕微鏡で観察したところ、
粒径が１０ｎｍ以下の微結晶が観察された。
みを３０１ｍ被覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を
調べたところ、Ｔｉの金属結晶に基づく回折ピークは認
められなかった。また、電子顕微鏡で観察したところ、
粒径が１０ｎｍ以下の微結晶が観察された。
また、前記の磁気記録媒体とは、保護層のみをを被覆し
ない最上層が磁性層になっているサンプルを製作し、こ
のサンビルの磁性層表面を電子顕微鏡で観察したところ
、この磁性層は約４０ｎｍの粒径の結晶からなっている
ことが認められた。
ない最上層が磁性層になっているサンプルを製作し、こ
のサンビルの磁性層表面を電子顕微鏡で観察したところ
、この磁性層は約４０ｎｍの粒径の結晶からなっている
ことが認められた。
実施例３
実施例１で用いたのと同じインライン型スパッタ装置の
カソードに１５原子％のＹを含むＴｉ１Ｃｒ金属、Ｃｏ
６２．５％Ｎｉ３０％Ｃｒ７．５％の組成の磁性合金、
カーボンをターゲットとして設置した。そしてよく洗浄
されたソーダライムガラス基板（円盤状に加工され化学
強化されたもの）をロード室にセットし、その後スパッ
タ装置の上記ターゲットが設置されているコーテイング
室を順次横切るように移動させながら上記ターゲットを
スパッタリングし、ガラス基板上に下地層、磁性層、保
護層を順次被覆した。第１の下地層は室温のガラス基板
に被覆し、その後ガラス基板を３５０℃に加熱し、その
温度で第２の下地層、磁性層、保護層を被覆した。ター
ゲットに加える電力を調整して、３０ｎｍのＴｉとＹと
からなる第１の下地層＋ １５０ｎｍのＣｒからなる
第２の下地層、ＥｌＯｎｍの磁性層、３０ｎｍのカーボ
ンの保護層が順次積層された磁気記録媒体を得た。
カソードに１５原子％のＹを含むＴｉ１Ｃｒ金属、Ｃｏ
６２．５％Ｎｉ３０％Ｃｒ７．５％の組成の磁性合金、
カーボンをターゲットとして設置した。そしてよく洗浄
されたソーダライムガラス基板（円盤状に加工され化学
強化されたもの）をロード室にセットし、その後スパッ
タ装置の上記ターゲットが設置されているコーテイング
室を順次横切るように移動させながら上記ターゲットを
スパッタリングし、ガラス基板上に下地層、磁性層、保
護層を順次被覆した。第１の下地層は室温のガラス基板
に被覆し、その後ガラス基板を３５０℃に加熱し、その
温度で第２の下地層、磁性層、保護層を被覆した。ター
ゲットに加える電力を調整して、３０ｎｍのＴｉとＹと
からなる第１の下地層＋ １５０ｎｍのＣｒからなる
第２の下地層、ＥｌＯｎｍの磁性層、３０ｎｍのカーボ
ンの保護層が順次積層された磁気記録媒体を得た。
得られた磁気記録媒体の保磁力は１３５００ｅ１Ｓ／Ｎ
比は４０ｄＢであった。
比は４０ｄＢであった。
同様な方法でガラス基板の上にＴｉとＹとからなる膜の
みを３０ｎｍ被覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を
調べたところ、ＴＩの金属結晶に基づく回折ピークは認
められなかった。また、電子顕微鏡で観察したところ、
粒径が１０ｎｍ以下の微結晶が観察された。
みを３０ｎｍ被覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を
調べたところ、ＴＩの金属結晶に基づく回折ピークは認
められなかった。また、電子顕微鏡で観察したところ、
粒径が１０ｎｍ以下の微結晶が観察された。
また、前記の磁気記録媒体とは、保護層のみをを被覆し
ない最上層が磁性層になっているサンプルを製作し、こ
のサンプルの磁性層表面を電子顕微鏡で観察したところ
、この磁性層は約４０ｎｍの粒径の結晶からなっている
ことが認められた。
ない最上層が磁性層になっているサンプルを製作し、こ
のサンプルの磁性層表面を電子顕微鏡で観察したところ
、この磁性層は約４０ｎｍの粒径の結晶からなっている
ことが認められた。
実施例４
第１の下地層、第２の下地層、磁性層、保護層のすべて
の層をガラス基板を３５０℃に加熱した状態で被覆した
ことのほかは、実施例１と同じようにして、３０ｎｍの
ＴｉとＹとからなる第１の下地層、１５０ｎｍのＣｒか
らなる第２の下地層、６０ｎｍの磁性層、３０ｎｍのカ
ーボンの保護層が順次積層された磁気記録媒体を得た。
の層をガラス基板を３５０℃に加熱した状態で被覆した
ことのほかは、実施例１と同じようにして、３０ｎｍの
ＴｉとＹとからなる第１の下地層、１５０ｎｍのＣｒか
らなる第２の下地層、６０ｎｍの磁性層、３０ｎｍのカ
ーボンの保護層が順次積層された磁気記録媒体を得た。
得られた磁気記録媒体の保磁力は１３５００ｅ。
Ｓ／Ｎ比は４０ｄＢであった。
同様な方法でガラス基板の上にＴｉとＹとからなる膜の
みを３０ｎｍ被覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を
調べたところＮＴＩの金属結晶に基づく回折ピークは認
められなかった。また、電子顕微鏡で観察したところ、
粒径が１０ｎｍ以下の微結晶が観察された。
みを３０ｎｍ被覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を
調べたところＮＴＩの金属結晶に基づく回折ピークは認
められなかった。また、電子顕微鏡で観察したところ、
粒径が１０ｎｍ以下の微結晶が観察された。
また、前記の磁気記録媒体とは、保護層のみをを被覆し
ない最上層が磁性層になっているサンプルを製作し、こ
のサンプルの磁性層表面を電子顕微鏡で観察したところ
、この磁性層は約４０ｎｍの粒径の結晶からなっている
ことが認められた。
ない最上層が磁性層になっているサンプルを製作し、こ
のサンプルの磁性層表面を電子顕微鏡で観察したところ
、この磁性層は約４０ｎｍの粒径の結晶からなっている
ことが認められた。
比較例１
実施例１で用いたスパッタ装置で、１０原子％のＹを含
むＴｉの代わりに、Ｔｉ金属をターゲットとして設置し
用いたことの他は全く同じようにして、下地層、磁性層
、保護層を順次被覆した。
むＴｉの代わりに、Ｔｉ金属をターゲットとして設置し
用いたことの他は全く同じようにして、下地層、磁性層
、保護層を順次被覆した。
これにより、３０ｎｍのＴｉ金属からなる第１の下地層
＋１５０ｎｍのＣｒからなる第２の下地層、６０ｎｍの
磁性層、３０ｎｍのカーボン保護層が順次積層された磁
気記録媒体の比較サンプルを得た。
＋１５０ｎｍのＣｒからなる第２の下地層、６０ｎｍの
磁性層、３０ｎｍのカーボン保護層が順次積層された磁
気記録媒体の比較サンプルを得た。
得られた磁気記録媒体の比較サンプルの保磁力は１２０
００ｅ、Ｓ／Ｎ比は３８ｄＢであった。
００ｅ、Ｓ／Ｎ比は３８ｄＢであった。
同様な方法でガラス基板の上にＴｉ膜のみを３０ｎｍ被
覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を調べたところ、
Ｔｉの金属結晶に基づく回折ピークが認められた。また
電子顕微鏡で観察したところ、粒径が３０ｎｍ程度の結
晶が観察された。
覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を調べたところ、
Ｔｉの金属結晶に基づく回折ピークが認められた。また
電子顕微鏡で観察したところ、粒径が３０ｎｍ程度の結
晶が観察された。
また、前記の磁気記録媒体の比較サンプルとは、保護層
を被覆しない点でのみ異なる、最上層が磁性層になって
いるサンプルを製作し、このサンプルの磁性層表面を電
子顕微鏡で観察したところ、この磁性層は約１１００ｎ
と大きい粒径の結晶からなっていることが認められた。
を被覆しない点でのみ異なる、最上層が磁性層になって
いるサンプルを製作し、このサンプルの磁性層表面を電
子顕微鏡で観察したところ、この磁性層は約１１００ｎ
と大きい粒径の結晶からなっていることが認められた。
以上より、本発明の第１の下地層は、磁性層に接する第
２の下地層を介して磁性層の結晶粒径が大きくなるのを
抑制し、高保磁力の磁性層とすることが分かる。またこ
の第１の下地層は、室温の基板および加熱された基板の
いずれの基板にも形成できることが分かる。
２の下地層を介して磁性層の結晶粒径が大きくなるのを
抑制し、高保磁力の磁性層とすることが分かる。またこ
の第１の下地層は、室温の基板および加熱された基板の
いずれの基板にも形成できることが分かる。
「発明の効果」
本発明の磁気記録媒体は、下地層により磁性層の結晶粒
径が制御されているので高保持力を有するとともに、媒
体ノイズが小さい。また、本発明の磁気記録媒体を構成
する薄膜層を形成するにあたっては、薄膜層のすべてを
同一温度域で形成することができる。
径が制御されているので高保持力を有するとともに、媒
体ノイズが小さい。また、本発明の磁気記録媒体を構成
する薄膜層を形成するにあたっては、薄膜層のすべてを
同一温度域で形成することができる。
第１図は、本発明の磁気記録媒体の一実施例の一部断面
図で、第２図は比較例の磁気記録媒体の一部断面図であ
る。 １・・・非磁性支持体、２・・φ非晶質または微結晶質
の第１の下地層、３・・・第２の下地層、４・・・磁性
層、５・・・保護層、６・・・結晶質の第１の下地層 特許 出願人 日本板硝子株式会社第 図 第 図
図で、第２図は比較例の磁気記録媒体の一部断面図であ
る。 １・・・非磁性支持体、２・・φ非晶質または微結晶質
の第１の下地層、３・・・第２の下地層、４・・・磁性
層、５・・・保護層、６・・・結晶質の第１の下地層 特許 出願人 日本板硝子株式会社第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）非磁性支持体上に下地層、磁性層、保護層が順次積
層されている磁気記録媒体において、前記下地層が前記
非磁性支持体側から数えて第１の下地層と第２の下地層
とからなり、前記第１の下地層が非晶質の層または微結
晶からなる層であり、前記第２の下地層が金属の層であ
ることを特徴とする磁気記録媒体。 ２）前記第１の下地層が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ
、Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏおよびＷからなる金属群から選ばれ
た１種の金属とＹとからなることを特徴とする特許請求
範囲第１項に記載の磁気記録媒体。 ３）前記第１の下地層の厚みが１０〜５０ｎｍであるこ
とを特徴とする特許請求範囲第１項ないし第２項に記載
の磁気記録媒体。 ４）前記第１の下地層がＴｉとＹとからなる層であり、
前記第２の下地層がＣｒの層であることを特徴とする特
許請求範囲第２項または第３項に記載の磁気記録媒体。 ５）前記第１の下地層と前記非磁性支持体との間に、前
記保護層の表面に凹凸を形成するように凹凸形成層が設
けられたことを特徴とする特許請求範囲第１項ないし第
４項のいずれかの項に記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27610990A JP2833190B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27610990A JP2833190B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04153910A true JPH04153910A (ja) | 1992-05-27 |
| JP2833190B2 JP2833190B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=17564923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27610990A Expired - Lifetime JP2833190B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2833190B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0809238A2 (en) * | 1996-05-20 | 1997-11-26 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| US6197367B1 (en) | 1996-11-05 | 2001-03-06 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium, method of fabricating magnetic recording medium, and magnetic storage |
| US6403240B1 (en) | 1996-05-20 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| US6569545B1 (en) | 1998-07-03 | 2003-05-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and a magnetic storage apparatus |
| US6574060B2 (en) | 1997-12-09 | 2003-06-03 | Hitachi, Ltd. | Magnetic storage apparatus |
| US6677052B2 (en) * | 2002-05-29 | 2004-01-13 | Hitachi Global Storage Technologies | Preseed layer for a magnetic recording disk |
| US7060376B1 (en) | 2001-12-06 | 2006-06-13 | Seagate Technology Llc | Amorphous soft underlayers for perpendicular recording media |
| US7116527B1 (en) | 1996-09-30 | 2006-10-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect device having hard magnetic film structural body |
| US8685547B2 (en) | 2009-02-19 | 2014-04-01 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with enhanced writability and thermal stability |
| US9142240B2 (en) | 2010-07-30 | 2015-09-22 | Seagate Technology Llc | Apparatus including a perpendicular magnetic recording layer having a convex magnetic anisotropy profile |
-
1990
- 1990-10-15 JP JP27610990A patent/JP2833190B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7056604B2 (en) | 1996-05-20 | 2006-06-06 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| EP0809238A3 (en) * | 1996-05-20 | 1998-07-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| US6403240B1 (en) | 1996-05-20 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| EP0809238A2 (en) * | 1996-05-20 | 1997-11-26 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| US6596420B2 (en) | 1996-05-20 | 2003-07-22 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| US7336454B2 (en) | 1996-09-30 | 2008-02-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect device having a bi-crystal structure composed of main grains each having a plurality of sub-grains |
| US7116527B1 (en) | 1996-09-30 | 2006-10-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect device having hard magnetic film structural body |
| US6197367B1 (en) | 1996-11-05 | 2001-03-06 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium, method of fabricating magnetic recording medium, and magnetic storage |
| US6692843B2 (en) | 1996-11-05 | 2004-02-17 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording medium, method of fabricating magnetic recording medium, and magnetic storage |
| US6574060B2 (en) | 1997-12-09 | 2003-06-03 | Hitachi, Ltd. | Magnetic storage apparatus |
| US7050253B2 (en) | 1997-12-09 | 2006-05-23 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic storage apparatus using the same |
| US6569545B1 (en) | 1998-07-03 | 2003-05-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and a magnetic storage apparatus |
| US6924048B2 (en) | 1998-07-03 | 2005-08-02 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and a magnetic storage apparatus |
| US7060376B1 (en) | 2001-12-06 | 2006-06-13 | Seagate Technology Llc | Amorphous soft underlayers for perpendicular recording media |
| US6677052B2 (en) * | 2002-05-29 | 2004-01-13 | Hitachi Global Storage Technologies | Preseed layer for a magnetic recording disk |
| US8685547B2 (en) | 2009-02-19 | 2014-04-01 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with enhanced writability and thermal stability |
| US9142240B2 (en) | 2010-07-30 | 2015-09-22 | Seagate Technology Llc | Apparatus including a perpendicular magnetic recording layer having a convex magnetic anisotropy profile |
| US9666221B2 (en) | 2010-07-30 | 2017-05-30 | Seagate Technology Llc | Apparatus including a perpendicular magnetic recording layer having a convex magnetic anisotropy profile |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2833190B2 (ja) | 1998-12-09 |
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