JPS63249927A - 磁気記録媒体およびその製造法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録媒体に係わり、さらに詳しくは磁気特
性および記録再生特性に優れた強磁性粒子と有機高分子
からなるメタル−ポリマ複合磁性膜を有する磁気記録媒
体およびその製造方法の改良に関する。
性および記録再生特性に優れた強磁性粒子と有機高分子
からなるメタル−ポリマ複合磁性膜を有する磁気記録媒
体およびその製造方法の改良に関する。
最近、高密度記録への要求の高まりと共に、バ=3=
インダを使用しない強磁性薄膜型の媒体が、磁気記録用
媒体として実現されるようになり、さらに実用化に向け
て種々の改良および研究がなされている。しかし、この
強磁性薄膜型の媒体は、記録磁性層としてGo −Ni
、 Co −Cr、 Co −Ni −Pなどの強磁性
金m薄膜、あるいはγ酸化鉄、 Baフェライトなどの
強磁性フェライト薄膜が用いられるため、記録磁性層の
剛性はバインダを用いた塗布型のものに比べてはるかに
大きい。そのため。
媒体として実現されるようになり、さらに実用化に向け
て種々の改良および研究がなされている。しかし、この
強磁性薄膜型の媒体は、記録磁性層としてGo −Ni
、 Co −Cr、 Co −Ni −Pなどの強磁性
金m薄膜、あるいはγ酸化鉄、 Baフェライトなどの
強磁性フェライト薄膜が用いられるため、記録磁性層の
剛性はバインダを用いた塗布型のものに比べてはるかに
大きい。そのため。
基体である高分子フィルム上に記録磁性層である強磁性
薄膜を設けるフロッピーディスク、蒸着テープなどにお
いては、耐摺動性がバインダを用いた塗布型の媒体に比
べて劣り、またリジッドディスクにおいては磁気ヘッド
の姿勢の変動、C55(コンタク1〜 スタート スト
ップ)などにより媒体に傷がつくと、この傷はバインダ
を用いた塗布型の媒体に比べはるかに硬いため、この傷
によりヘッドのクラッシュを引き起こすという問題が生
じた。この問題を避けるため2強磁性薄膜よりなる記録
磁性層の上に種々の潤滑剤を塗布したり。
薄膜を設けるフロッピーディスク、蒸着テープなどにお
いては、耐摺動性がバインダを用いた塗布型の媒体に比
べて劣り、またリジッドディスクにおいては磁気ヘッド
の姿勢の変動、C55(コンタク1〜 スタート スト
ップ)などにより媒体に傷がつくと、この傷はバインダ
を用いた塗布型の媒体に比べはるかに硬いため、この傷
によりヘッドのクラッシュを引き起こすという問題が生
じた。この問題を避けるため2強磁性薄膜よりなる記録
磁性層の上に種々の潤滑剤を塗布したり。
酸化ケイ素やカーボンの保護膜などを設ける方法がある
。しかし、この方法ではスペーシング損失が大きくなり
、電磁変換特性が低下するという問題があった。また、
このスペーシング損失をおさえるために保護膜の膜厚を
薄くすると保護膜自体の耐久性が低下するという問題が
生ずる。
。しかし、この方法ではスペーシング損失が大きくなり
、電磁変換特性が低下するという問題があった。また、
このスペーシング損失をおさえるために保護膜の膜厚を
薄くすると保護膜自体の耐久性が低下するという問題が
生ずる。
そこで9強磁性体を非磁性基体上に柱状に成長させ、そ
の隙間を有機高分子で埋めた複合構造の膜を記録磁性層
とした。いわゆるメタル−ポリマ複合磁性膜が開発され
るようになった。これによって、記録磁性層自体の可撓
性は良くなり、従来の強磁性薄膜のみの記録磁性層を有
する媒体に比べ、はるかに磁気ヘッドとの摺接に対する
耐久性は向上した。しかし、このメタル−ポリマ複合磁
性膜を有する磁気記録媒体において、高密度記録時に再
生出力を大きくシ、かつドロップアウトを極力少なくす
るためには、記録磁性層を構成する強磁性粒子の充填率
を40容積%以上とし、しかも均一に強磁性粒子を分散
させる必要がある。メタル−ポリマ複合磁性膜を形成さ
せる方法として。
の隙間を有機高分子で埋めた複合構造の膜を記録磁性層
とした。いわゆるメタル−ポリマ複合磁性膜が開発され
るようになった。これによって、記録磁性層自体の可撓
性は良くなり、従来の強磁性薄膜のみの記録磁性層を有
する媒体に比べ、はるかに磁気ヘッドとの摺接に対する
耐久性は向上した。しかし、このメタル−ポリマ複合磁
性膜を有する磁気記録媒体において、高密度記録時に再
生出力を大きくシ、かつドロップアウトを極力少なくす
るためには、記録磁性層を構成する強磁性粒子の充填率
を40容積%以上とし、しかも均一に強磁性粒子を分散
させる必要がある。メタル−ポリマ複合磁性膜を形成さ
せる方法として。
結合剤であるバインダ中に強磁性粒子を分散させて基体
上に塗布する方法があるが、この塗布法では」1記の強
磁性粒子を均一に分散させるという必要条件を満足させ
ることができなかった。そこで。
上に塗布する方法があるが、この塗布法では」1記の強
磁性粒子を均一に分散させるという必要条件を満足させ
ることができなかった。そこで。
ベーパデポジション法によって強磁性金属などよりなる
強磁性粒子とポリマとを同時に非磁性基体上に析出させ
て、均一に強磁性体粒子が分散したメタル−ポリマ複合
磁性膜を形成する方法が提案された(特公昭57−31
37号公報)。
強磁性粒子とポリマとを同時に非磁性基体上に析出させ
て、均一に強磁性体粒子が分散したメタル−ポリマ複合
磁性膜を形成する方法が提案された(特公昭57−31
37号公報)。
しかし、上記の強磁性粒子と有機高分子とを。
ただ単にベーパデポジション法によって同時に析出させ
てメタル−ポリマ複合磁性膜を形成する方法では、有機
高分子の量が多くなる傾向になると共に9強磁性体粒子
の配向性に乱れが生じ、そのため磁気特性が低下し、記
録再生特性が劣化するという問題が生じた。
てメタル−ポリマ複合磁性膜を形成する方法では、有機
高分子の量が多くなる傾向になると共に9強磁性体粒子
の配向性に乱れが生じ、そのため磁気特性が低下し、記
録再生特性が劣化するという問題が生じた。
本発明者らは先に、上述した従来技術であるベーパデポ
ジション法によって形成されたメタル−ポリマ複合磁性
膜の柱状の強磁性粒子の配向性の乱れによる磁気特性の
劣化を改善するために、基体とメタル−ポリマ複合磁性
膜との間に、配向制御層を設け、複合磁性膜中の柱状の
強磁性粒子をエピタキシャルに成長させて配向度を向上
し、磁気特性ならびに記録再生特性の改善をはかった磁
気記録媒体を先願(特願昭61−201138号)とし
て提案している。これは配向制御層の格子定数と。
ジション法によって形成されたメタル−ポリマ複合磁性
膜の柱状の強磁性粒子の配向性の乱れによる磁気特性の
劣化を改善するために、基体とメタル−ポリマ複合磁性
膜との間に、配向制御層を設け、複合磁性膜中の柱状の
強磁性粒子をエピタキシャルに成長させて配向度を向上
し、磁気特性ならびに記録再生特性の改善をはかった磁
気記録媒体を先願(特願昭61−201138号)とし
て提案している。これは配向制御層の格子定数と。
その上に形成させる柱状の強磁性粒子の格子定数の差を
所定の範囲となし、配向制御層上に柱状の強磁性粒子を
エピタキシャル成長させる方法である。
所定の範囲となし、配向制御層上に柱状の強磁性粒子を
エピタキシャル成長させる方法である。
しかし、この配向制御層を設け、その上にベーパデポジ
ション法によってメタル−ポリマ複合磁性膜2例えばC
o−Cr柱状粒子とポリエチレンとの共蒸着膜を形成さ
せると、ポリエチレンの量が増加するにしたがってCo
−Cr柱状粒子の粒径が異常に細くなり、そのために磁
気特性の劣化、特に保磁力Heが小さくなり記録再生特
性が低下することが判明した。
ション法によってメタル−ポリマ複合磁性膜2例えばC
o−Cr柱状粒子とポリエチレンとの共蒸着膜を形成さ
せると、ポリエチレンの量が増加するにしたがってCo
−Cr柱状粒子の粒径が異常に細くなり、そのために磁
気特性の劣化、特に保磁力Heが小さくなり記録再生特
性が低下することが判明した。
本発明の目的は、ベーパデポジション法によってメタル
−ポリマ複合磁性膜を形成させる場合に。
−ポリマ複合磁性膜を形成させる場合に。
柱状の強磁性粒子が異常に細くなり磁気特性が劣化する
という問題を解消し、もって磁気特性ならびに記録再生
特性に優れたメタル−ポリマ複合磁性膜を有する磁気記
録媒体およびその製造方法を提供することにある。
という問題を解消し、もって磁気特性ならびに記録再生
特性に優れたメタル−ポリマ複合磁性膜を有する磁気記
録媒体およびその製造方法を提供することにある。
上記本発明の目的は、非磁性基体上に、真空蒸着法、イ
オンブレーティング法、高周波イオンブレーティング法
、クラスタイオンビーム法、スパッタリング法、プラズ
マ重合法、ケミカルベーパデポジション(CVD)法な
どのいわゆるベーパデポジション法により、柱状の強磁
性粒子の結晶の成長核となる下地層を形成させ、ついで
この下地層上に上記ベーパデポジション法によって、柱
状の強磁性粒子(メタル)と有機高分子(ポリマ)とを
同時に析出させて、膜面に対してほぼ垂直方向もしくは
所定の角度2例えば70度または55度の角度方向に配
向させた所定の大きさの粒径をもつ柱状の強磁性粒子の
粒子間を有機高分子で埋めた=8− メタルとポリマの複合構造の記録磁性層を形成させるこ
とにより、達成される。
オンブレーティング法、高周波イオンブレーティング法
、クラスタイオンビーム法、スパッタリング法、プラズ
マ重合法、ケミカルベーパデポジション(CVD)法な
どのいわゆるベーパデポジション法により、柱状の強磁
性粒子の結晶の成長核となる下地層を形成させ、ついで
この下地層上に上記ベーパデポジション法によって、柱
状の強磁性粒子(メタル)と有機高分子(ポリマ)とを
同時に析出させて、膜面に対してほぼ垂直方向もしくは
所定の角度2例えば70度または55度の角度方向に配
向させた所定の大きさの粒径をもつ柱状の強磁性粒子の
粒子間を有機高分子で埋めた=8− メタルとポリマの複合構造の記録磁性層を形成させるこ
とにより、達成される。
上記本発明のメタル−ポリマ複合磁性膜の形成において
、蒸着させるポリマの付着力を高め、かつ機械的耐久性
を高めるために2例えばプラズマ中に蒸着させる有機高
分子の蒸気流を通したり。
、蒸着させるポリマの付着力を高め、かつ機械的耐久性
を高めるために2例えばプラズマ中に蒸着させる有機高
分子の蒸気流を通したり。
また有機高分子の析出中または析出後にα線やβ線など
の電離線、またはマイクロ波、紫外線、X線、γ線など
の電磁線、あるいは陽子線、中性子線を照射して有機高
分子のモノマ、オリゴマなどの重合を促進させることは
有効な手段である。
の電離線、またはマイクロ波、紫外線、X線、γ線など
の電磁線、あるいは陽子線、中性子線を照射して有機高
分子のモノマ、オリゴマなどの重合を促進させることは
有効な手段である。
また、有機高分子は、そのモノマあるいはオリゴマなど
をガスとして外部から導入しても良いし。
をガスとして外部から導入しても良いし。
また液体、固体状でベーパデポジション反応装置内に設
置して、加熱、スパッタなどで気化2分解あるいは昇華
させても良い。
置して、加熱、スパッタなどで気化2分解あるいは昇華
させても良い。
本発明の方法により作製されたメタル−ポリマ複合磁性
膜を有する磁気記録媒体は、柱状の強磁性粒子の結晶の
成長核となる下地層があるため。
膜を有する磁気記録媒体は、柱状の強磁性粒子の結晶の
成長核となる下地層があるため。
その上に成長する柱状の強磁性粒子の粒径は、有機高分
子の含有量を多くしても、その柱状結晶粒径が異常に細
くなることはない。この柱状の強磁性粒子の粒径が異常
に細くならないメカニズムは。
子の含有量を多くしても、その柱状結晶粒径が異常に細
くなることはない。この柱状の強磁性粒子の粒径が異常
に細くならないメカニズムは。
下地層がその上に形成されるメタル−ポリマ複合磁性膜
中の柱状強磁性粒子の成長の核となっているためであっ
て、このような作用を示すものなら下地層物質として用
いることができ、特にその組成は限定されるものではな
い。
中の柱状強磁性粒子の成長の核となっているためであっ
て、このような作用を示すものなら下地層物質として用
いることができ、特にその組成は限定されるものではな
い。
本発明の柱状の強磁性粒子の結晶成長の核となる下地層
物質の好ましい例として、メタル−ポリマ複合磁性膜を
構成する柱状の強磁性粒子と同じ物質、または上記複合
磁性膜中の柱状の強磁性粒子をエピタキシャル成長させ
るような物質2例えばGo−Cr合金に対しては、 T
i、 Sc、 Ta、 Geなど、Baフェライトに対
してはMnZnフェライトなど、もしくはCo−Nb−
Zrなどのアモルファス状の物質、あるいはNi −F
e、 Co −Ni −Feなどの軟磁性を示す物質な
どを下地層として用いることができる。上記の軟磁性を
示す物質を下地層とした場合は、柱状の強磁性粒子の粒
径が細くならないという利点の他に、実際に磁気記録し
た場合に下地層の軟磁性の影響で記@磁化が安定し記録
再生特性が向上する効果がある。
物質の好ましい例として、メタル−ポリマ複合磁性膜を
構成する柱状の強磁性粒子と同じ物質、または上記複合
磁性膜中の柱状の強磁性粒子をエピタキシャル成長させ
るような物質2例えばGo−Cr合金に対しては、 T
i、 Sc、 Ta、 Geなど、Baフェライトに対
してはMnZnフェライトなど、もしくはCo−Nb−
Zrなどのアモルファス状の物質、あるいはNi −F
e、 Co −Ni −Feなどの軟磁性を示す物質な
どを下地層として用いることができる。上記の軟磁性を
示す物質を下地層とした場合は、柱状の強磁性粒子の粒
径が細くならないという利点の他に、実際に磁気記録し
た場合に下地層の軟磁性の影響で記@磁化が安定し記録
再生特性が向上する効果がある。
本発明のメタル−ポリマ複合磁性膜中の柱状の強磁性粒
子の大きさを制御する下地層の膜厚は。
子の大きさを制御する下地層の膜厚は。
50Å以上、 5oooÅ以下が好ましく、より好まし
い膜厚は100〜2000人の範囲である。上記膜厚が
50人未満ではメタル−ポリマ複合磁性膜中の柱状の強
磁性粒子が異常に細くならないで太く成長させるための
核の生成が充分でなく、また5000人を超えると磁気
記録媒体としての可撓性が低下するので好ましくない。
い膜厚は100〜2000人の範囲である。上記膜厚が
50人未満ではメタル−ポリマ複合磁性膜中の柱状の強
磁性粒子が異常に細くならないで太く成長させるための
核の生成が充分でなく、また5000人を超えると磁気
記録媒体としての可撓性が低下するので好ましくない。
しかし、リジットディスクの場合は、下地層の上に成長
する柱状の強磁性粒子が十分に大きくなる程度の任意の
膜厚の下地層を形成させればよく、この場合は特にその
上限を限定するものではない。
する柱状の強磁性粒子が十分に大きくなる程度の任意の
膜厚の下地層を形成させればよく、この場合は特にその
上限を限定するものではない。
本発明のメタル−ポリマ複合磁性膜の柱状の強磁性粒子
を形成させる強磁性材料としては、CO2Ni、Feな
どの単体金属もしくはこれらを主成分とする合金9例え
ばFe−Co、 Fe−8i、 Fe −1l− Rh、 Fe−V、 Fe−Ti、 Fe
Co−Cr、Co−P、Go−B、Co−8i、Co−
V、Co−Y、C。
を形成させる強磁性材料としては、CO2Ni、Feな
どの単体金属もしくはこれらを主成分とする合金9例え
ばFe−Co、 Fe−8i、 Fe −1l− Rh、 Fe−V、 Fe−Ti、 Fe
Co−Cr、Co−P、Go−B、Co−8i、Co−
V、Co−Y、C。
−8m、Co−Mn、Co−Pd、Go−Pt、Co−
Tj 、 Co−Fe、 Go−Ni、Co−Ni
−P 、 Co −Ni−B 、 Co−Cr、
Co−Ni−Cr、 Co−Ni−Ag、 Co
−Nj−−Pd、Co−Ni−Zn、Co−Cu。
Tj 、 Co−Fe、 Go−Ni、Co−Ni
−P 、 Co −Ni−B 、 Co−Cr、
Co−Ni−Cr、 Co−Ni−Ag、 Co
−Nj−−Pd、Co−Ni−Zn、Co−Cu。
Co−Ni−Cu、 Co−W 、 Go−Nj、
−W、 Co −Mn−P、Co−3m−Cu、Co
−N1−Zn−P。
−W、 Co −Mn−P、Co−3m−Cu、Co
−N1−Zn−P。
Co−Ni−Mo−Cr、Co−V−Crなどの合金。
またはBaフェライト、γ−Fe203.FC304な
どの酸化物、もしくはFe、Co、Niなどの窒化物を
挙げることができる。
どの酸化物、もしくはFe、Co、Niなどの窒化物を
挙げることができる。
そして9本発明メタルーポリマ複合磁性膜のポリマは、
各種、各重合度の有機高分子を用いることができるが、
特に、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リプロピレン、ポリスチレン、ポリブタジェン、ポリカ
ーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル
、ポリ酢酸ビニル、飽和ポリエステル、不飽和ポリニス
デル。
各種、各重合度の有機高分子を用いることができるが、
特に、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リプロピレン、ポリスチレン、ポリブタジェン、ポリカ
ーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル
、ポリ酢酸ビニル、飽和ポリエステル、不飽和ポリニス
デル。
ポリウレタン、シリコン系ポリマ、ポリテトラフ−12
= ロロエチレンなどのフッ素系ポリマなどの各種重合度の
重合体またはそれらの共重合体もしくは混合物が好まし
い。
= ロロエチレンなどのフッ素系ポリマなどの各種重合度の
重合体またはそれらの共重合体もしくは混合物が好まし
い。
そして、上記有機高分子材料のモノマ、オリゴマ、ポリ
マの各種重合度のものを用いることができ、これらをガ
ス状でベーパデポジション装置内に導入してもよく、ま
た液体、固体状態でベーパデポジション装置内に配置し
、加熱、スパッタ法などで気化9分解あるいは昇華させ
ることによって本発明の下地層上に析出させてもよい。
マの各種重合度のものを用いることができ、これらをガ
ス状でベーパデポジション装置内に導入してもよく、ま
た液体、固体状態でベーパデポジション装置内に配置し
、加熱、スパッタ法などで気化9分解あるいは昇華させ
ることによって本発明の下地層上に析出させてもよい。
以下に本発明の実施例を挙げ2図面に基づいてさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
(実施例1)
第2図に示す真空蒸着装置を用い、第1図に示す断面構
造のメタル−ポリマ複合磁性膜を有する磁気記録媒体を
、以下に示す手順によって作製した。
造のメタル−ポリマ複合磁性膜を有する磁気記録媒体を
、以下に示す手順によって作製した。
電子線加熱法により、Go−20at%Cr合金が装入
されている強磁性体蒸発源5を加熱し、ポリイミドフィ
ルムの基体1上に、基体温度を室温としてCo−Cr合
金の下地層2を200人の膜厚に形成した。次に、上記
と同じ電子線加熱法により強磁性体蒸発源5を加熱して
Co−Cr合金を蒸発させると同時に、ポリエチレンが
装入されている有機高分子蒸発源6を抵抗加熱法により
加熱してポリエチレンを蒸発させ、上記下地層2上に、
Co−Cr合金とポリエチレンとの複合磁性膜を0.2
7Mの膜厚に形成して磁気記録媒体を作製した。
されている強磁性体蒸発源5を加熱し、ポリイミドフィ
ルムの基体1上に、基体温度を室温としてCo−Cr合
金の下地層2を200人の膜厚に形成した。次に、上記
と同じ電子線加熱法により強磁性体蒸発源5を加熱して
Co−Cr合金を蒸発させると同時に、ポリエチレンが
装入されている有機高分子蒸発源6を抵抗加熱法により
加熱してポリエチレンを蒸発させ、上記下地層2上に、
Co−Cr合金とポリエチレンとの複合磁性膜を0.2
7Mの膜厚に形成して磁気記録媒体を作製した。
(比較例1)
Co−Cr合金の下地層の形成を省略した以外は実施例
1と同様の方法で磁気記録媒体を作製した。
1と同様の方法で磁気記録媒体を作製した。
(実施例2)
実施例1において用いた同じ真空蒸着装置を用い、実施
例1と同様にして、まずポリイミドフィルムの基体1上
に、基体温度を150℃として、TiもしくはGeを5
00人の膜厚に蒸着して下地層を形成し、ついでCo
−20at%Cr合金とポリテトラフロロエチレン(P
TFE)とを同時に、上記下地層上に真空蒸着を行ない
、膜厚が0.3屡のGo−Cr合金とPTFEとの複合
磁性膜を有する磁気記録媒体を作製した。
例1と同様にして、まずポリイミドフィルムの基体1上
に、基体温度を150℃として、TiもしくはGeを5
00人の膜厚に蒸着して下地層を形成し、ついでCo
−20at%Cr合金とポリテトラフロロエチレン(P
TFE)とを同時に、上記下地層上に真空蒸着を行ない
、膜厚が0.3屡のGo−Cr合金とPTFEとの複合
磁性膜を有する磁気記録媒体を作製した。
(比較例2)
TiもしくはGeの下地層の形成を省略した以外は実施
例2と同様の方法で磁気記録媒体を作製した。
例2と同様の方法で磁気記録媒体を作製した。
(実施例3)
第4図に示す高周波スパッタ装置を用い、以下の手順で
磁気記録媒体を作製した。
磁気記録媒体を作製した。
Go−Nb−Zr合金よりなる下地層用ターゲット13
およびポリエステル(カーボランダム社製。
およびポリエステル(カーボランダム社製。
Ekonolを使用)ターゲット上に、Go−20at
%Crペレットを載置した強磁性体−有機高分子複合タ
ーゲット12が真空槽内に配置されており、スパッタは
Arガス圧20m T orr 、投入電力50Wで行
った。
%Crペレットを載置した強磁性体−有機高分子複合タ
ーゲット12が真空槽内に配置されており、スパッタは
Arガス圧20m T orr 、投入電力50Wで行
った。
まず、下地層用ターゲット13であるGo−Nb−Zr
合金をスパッタして、室温のガラス基板上にCo−Nb
−Zr合金を500人の膜厚に堆積させ1次にポリエス
テルとCo −Cr合金よりなる複合ターゲットをスパ
ッタすることにより、Co−Nb −Zr下地層の上に
ポリエステルおよびCo −20at%Crよりなる膜
厚0.27z+nの複合磁性膜を形成させた。
合金をスパッタして、室温のガラス基板上にCo−Nb
−Zr合金を500人の膜厚に堆積させ1次にポリエス
テルとCo −Cr合金よりなる複合ターゲットをスパ
ッタすることにより、Co−Nb −Zr下地層の上に
ポリエステルおよびCo −20at%Crよりなる膜
厚0.27z+nの複合磁性膜を形成させた。
このとき、下地層のCo−Nb−Zr合金はアモルファ
スになっていた。
スになっていた。
(比較例3)
CONb−Zr合金よりなるアモルファスの下地層の形
成を省略した以外は実施例3と同様にして磁気記録媒体
を作製した。
成を省略した以外は実施例3と同様にして磁気記録媒体
を作製した。
以上の実施例1〜3および比較例1〜3によって作製し
た磁気記録媒体の磁気特性は試料振動型磁化測定装置(
V S M)により測定し、また膜の構造は透過型電子
顕微鏡により調べた。その結果を第1表に示す。
た磁気記録媒体の磁気特性は試料振動型磁化測定装置(
V S M)により測定し、また膜の構造は透過型電子
顕微鏡により調べた。その結果を第1表に示す。
以下余白
第1表
第1表から明らかなごとく、実施例1においてGo−C
r合金の下地層を有する磁気記録媒体は。
r合金の下地層を有する磁気記録媒体は。
下地層なしの比較例1に比べ良好な磁気特性を示してい
る。また、TiまたはGeの下地層を有する実施例2に
おける磁気記録媒体は極めて良好な磁気特性を示してい
る。さらに実施例2におけるGe下地層のある媒体とG
e下地層のない媒体について、3.5インチのフロッピ
ーディスクを作製し。
る。また、TiまたはGeの下地層を有する実施例2に
おける磁気記録媒体は極めて良好な磁気特性を示してい
る。さらに実施例2におけるGe下地層のある媒体とG
e下地層のない媒体について、3.5インチのフロッピ
ーディスクを作製し。
アモルファス・フェライト複合リングヘッドを用いて記
録再生特性を調べた結果を第3図に示す。
録再生特性を調べた結果を第3図に示す。
図から明らかなごとく9曲線Bに示すGeの下地層のな
いものに比べ、Geの下地層のあるフロッピーディスク
は曲線Aに示すごとく極めて優れた記録再生特性を示し
ている。
いものに比べ、Geの下地層のあるフロッピーディスク
は曲線Aに示すごとく極めて優れた記録再生特性を示し
ている。
また、第1表のCo−Nb−Zrアモルファス下地層を
有する媒体(実施例3)においても良好な磁気特性を示
している。
有する媒体(実施例3)においても良好な磁気特性を示
している。
以上詳細に説明したごとく本発明であるメタル−ポリマ
複合磁性膜中の柱状強磁性粒子の大きさを制御する下地
層を設けた磁気記録媒体は、磁気特性が良好で優れた記
録再生特性を示し、耐久性ならびに信頼性が極めて高い
。
複合磁性膜中の柱状強磁性粒子の大きさを制御する下地
層を設けた磁気記録媒体は、磁気特性が良好で優れた記
録再生特性を示し、耐久性ならびに信頼性が極めて高い
。
第1図は本発明の実施例において作製した磁気記録媒体
の断面構造を示す模式図、第2図は実施例1および2に
おいて用いた真空蒸着装置の構造を示す模式図、第3図
は実施例2において得られた磁気記録媒体の記録再生特
性を示すグラフ、第4図は実施例3において用いたスパ
ッタ装置の構造を示す模式図である。 1・・・基体 2・・・下地層3・・・柱
状強磁性粒子 4・・・有機高分子5・・・強磁性体
蒸発源 6・・・有機高分子蒸発源7・・・基体ホル
ダ 8・・・基体加熱用ヒータ9・・・真空槽
10・・・真空排気系11・・・下地層蒸発
源 12・・・強磁性体−有機高分子複合ターゲット13・
・下地層用ターゲット 代理人弁理士 中 村 純之助 1−基体 7−一一基イ本ネルタ゛ to−J \ご詔ト百【ジモ 12−一−y會磁十ヱ)J#−・杓4〉(・。 13− 丁杷層用り−r;°、斗 り分)子妻合9−r;ト
の断面構造を示す模式図、第2図は実施例1および2に
おいて用いた真空蒸着装置の構造を示す模式図、第3図
は実施例2において得られた磁気記録媒体の記録再生特
性を示すグラフ、第4図は実施例3において用いたスパ
ッタ装置の構造を示す模式図である。 1・・・基体 2・・・下地層3・・・柱
状強磁性粒子 4・・・有機高分子5・・・強磁性体
蒸発源 6・・・有機高分子蒸発源7・・・基体ホル
ダ 8・・・基体加熱用ヒータ9・・・真空槽
10・・・真空排気系11・・・下地層蒸発
源 12・・・強磁性体−有機高分子複合ターゲット13・
・下地層用ターゲット 代理人弁理士 中 村 純之助 1−基体 7−一一基イ本ネルタ゛ to−J \ご詔ト百【ジモ 12−一−y會磁十ヱ)J#−・杓4〉(・。 13− 丁杷層用り−r;°、斗 り分)子妻合9−r;ト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、非磁性基体上に、柱状の強磁性粒子と、該強磁性粒
子の周囲を囲む有機高分子からなる複合磁性膜を記録磁
性層をする磁気記録媒体において、上記基体上に、上記
柱状の強磁性粒子の結晶成長の核となる下地層を形成し
、該下地層の上に、膜面に対してほぼ垂直方向もしくは
所定の角度方向に配向させた柱状の強磁性粒子と、該強
磁性粒子の周囲を有機高分子によって充填した複合磁性
膜を設けたことを特徴とする磁気記録媒体。 2、下地層を構成する材料が柱状の強磁性粒子とほぼ同
一物質からなることを特徴とする特許請求の範囲第1項
に記載の磁気記録媒体。 3、下地層を構成する材料がTi、Ta、Ge、Scの
うちより選ばれる少なくとも1種の金属、もしくはそれ
らの金属を主成分とする合金からなることを特徴とする
特許請求の範囲第1項に記載の磁気記録媒体。 4、下地層を構成する材料が軟磁性物質からなることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の磁気記録媒体
。 5、下地層の膜厚が、50〜5000Åの範囲、もしく
は100〜2000Åの範囲であることを特徴とする特
許請求の範囲第1項ないし第4項のいずれか1項に記載
の磁気記録媒体。 6、複合磁性膜を構成する柱状の強磁性粒子は、Fe、
Co、Niのうちより選ばれる単体金属、またはFe、
Co、Niのうちより選ばれる少なくとも1種の元素を
主成分とする合金、もしくは酸化物系磁性体または窒化
物系磁性体よりなることを特徴とする特許請求の範囲第
1項ないし第5項のいずれか1項に記載の磁気記録媒体
。 7、非磁性基体上に、柱状の強磁性粒子と、該強磁性粒
子の周囲を囲む有機高分子からなる複合磁性膜を記録磁
性層とする磁気記録媒体であって、上記基体上に、上記
柱状の強磁性粒子の結晶成長の核となる下地層を形成し
、該下地層の上に、膜面に対してほぼ垂直方向もしくは
所定の角度方向に配向させた柱状の強磁性粒子と、該強
磁性粒子の周囲を有機高分子によって充填した複合磁性
膜を有する磁気記録媒体の製造方法において、上記非磁
性基体上に、ベーパデポジション法によって下地層を形
成し、ついで下地層上に、ベーパデポジション法によっ
て柱状の強磁性粒子と有機高分子とを同時に析出させて
複合磁性膜を形成させることを特徴とする磁気記録媒体
の製造法。 8、非磁性基体上に、柱状の強磁性粒子と、該強磁性粒
子の周囲を囲む有機高分子からなる複合磁性膜を、記録
磁性層とする磁気記録媒体であって、上記基体上に、上
記柱状の強磁性粒子の結晶成長の核となる下地層を形成
し、該下地層の上に、膜面に対してほぼ垂直方向もしく
は所定の角度方向に配向させた柱状の強磁性粒子と、該
強磁性粒子の周囲を有機高分子によって充填した複合磁
性膜を有する磁気記録媒体の製造方法において、上記非
磁性基体上に、ベーパデポジション法によって下地層を
形成し、ついで下地層上に、有機高分子を形成させるガ
ス状のモノマを吹き付けながらベーパデポジション法に
よって柱状の強磁性粒子を上記下地層上に析出させ、し
かる後、電磁線もしくは電離線を照射することによって
上記モノマを重合させて有機高分子となし、上記下地層
上に柱状の強磁性粒子と有機高分子からなる複合磁性膜
を形成させることを特徴とする磁気記録媒体の製造法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62084964A JPS63249927A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 磁気記録媒体およびその製造法 |
KR1019880003120A KR880013122A (ko) | 1987-04-07 | 1988-03-23 | 자기 기록 매체 및 그 제조 방법 |
EP88303123A EP0287280A3 (en) | 1987-04-07 | 1988-04-07 | Magnetic recording medium process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62084964A JPS63249927A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 磁気記録媒体およびその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63249927A true JPS63249927A (ja) | 1988-10-17 |
Family
ID=13845312
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62084964A Pending JPS63249927A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 磁気記録媒体およびその製造法 |
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Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0287280A3 (ja) |
JP (1) | JPS63249927A (ja) |
KR (1) | KR880013122A (ja) |
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---|---|---|---|---|
RU2169398C1 (ru) | 2000-02-11 | 2001-06-20 | Общество с ограниченной ответственностью "ЛабИНТЕХ" (Лаборатория ионных нанотехнологий) | Способ изготовления магнитного носителя |
TW569195B (en) * | 2001-01-24 | 2004-01-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Micro-particle arranged body, its manufacturing method, and device using the same |
JP4626840B2 (ja) | 2001-08-31 | 2011-02-09 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
JP4582978B2 (ja) | 2001-12-07 | 2010-11-17 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
JP2003217107A (ja) | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6126938A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-02-06 | Hitachi Ltd | 垂直磁化記録媒体の製造方法 |
JPH0670852B2 (ja) * | 1985-03-07 | 1994-09-07 | 日本ビクター株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-04-07 JP JP62084964A patent/JPS63249927A/ja active Pending
-
1988
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- 1988-04-07 EP EP88303123A patent/EP0287280A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0287280A2 (en) | 1988-10-19 |
KR880013122A (ko) | 1988-11-30 |
EP0287280A3 (en) | 1989-08-09 |
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