JPH11161934A - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法及びそれを使用した記憶装置 - Google Patents
垂直磁気記録媒体及びその製造方法及びそれを使用した記憶装置Info
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- JPH11161934A JPH11161934A JP34445597A JP34445597A JPH11161934A JP H11161934 A JPH11161934 A JP H11161934A JP 34445597 A JP34445597 A JP 34445597A JP 34445597 A JP34445597 A JP 34445597A JP H11161934 A JPH11161934 A JP H11161934A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 垂直磁気配向性が良好で、しかも垂直方向の
保磁力が高い垂直磁気記録媒体及びその製造方法及びそ
れを使用した記憶装置を提供する。 【解決手段】 非磁性基板上にコバルト酸化物よりなる
下地層及びコバルトを主成分とする磁性層がこの順に積
層されてなる垂直磁気記録媒体の、磁性層の飽和磁化量
を、３００〜６００ｅｍｕ／ｃｃとし、これらの下地層
及び磁性層を真空蒸着法により成膜する。さらに、この
垂直磁気記録媒体を記憶装置に組み込む。
保磁力が高い垂直磁気記録媒体及びその製造方法及びそ
れを使用した記憶装置を提供する。 【解決手段】 非磁性基板上にコバルト酸化物よりなる
下地層及びコバルトを主成分とする磁性層がこの順に積
層されてなる垂直磁気記録媒体の、磁性層の飽和磁化量
を、３００〜６００ｅｍｕ／ｃｃとし、これらの下地層
及び磁性層を真空蒸着法により成膜する。さらに、この
垂直磁気記録媒体を記憶装置に組み込む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコンピュータの主と
して外部記憶装置として用いられる磁気ディスク装置又
は磁気テープ装置などに搭載される磁気記録媒体に関
し、特に、垂直方向の磁気特性に優れた薄膜型磁気記録
媒体及びその製造方法ならびにそれが組み込まれた記憶
装置に関する。
して外部記憶装置として用いられる磁気ディスク装置又
は磁気テープ装置などに搭載される磁気記録媒体に関
し、特に、垂直方向の磁気特性に優れた薄膜型磁気記録
媒体及びその製造方法ならびにそれが組み込まれた記憶
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、磁気記録の分野における高密度化
の進展は極めて早く、より短波長記録再生特性に優れた
記録媒体への要求が高まっている。現在、一般に用いら
れている磁気テープ、磁気ディスクはすべて膜面内方向
に磁気異方性を有する、いわゆる、面内磁化膜である。
これらは高密度化に対応すべく、各種の改良がなされて
いるが、しかし、この面内磁化膜は、記録密度が高まる
につれて反磁界が大きくなり、再生出力が低下してしま
うという本質的な問題を抱えている。
の進展は極めて早く、より短波長記録再生特性に優れた
記録媒体への要求が高まっている。現在、一般に用いら
れている磁気テープ、磁気ディスクはすべて膜面内方向
に磁気異方性を有する、いわゆる、面内磁化膜である。
これらは高密度化に対応すべく、各種の改良がなされて
いるが、しかし、この面内磁化膜は、記録密度が高まる
につれて反磁界が大きくなり、再生出力が低下してしま
うという本質的な問題を抱えている。
【０００３】これに対して、膜面に垂直な方向に磁気異
方性を有する、いわゆる、垂直磁化膜は短波長記録にお
いても反磁界が小さいため、面内磁化膜よりも高密度記
録に適しているといわれている。このような垂直磁化膜
の形成材料として、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＯな
どが開発されている。垂直磁化膜はスパッタリング法に
より成膜されるものが多いが、ＣｏＯ膜のように、生産
効率の高い蒸着法によって成膜されるものもある。この
ＣｏＯ膜は、非磁性基板上に直接成膜する場合と、下地
膜としてコバルト酸化物層すなわちＣｏＯ層を形成し、
その上に形成する場合とが報告されている。とくに、Ｃ
ｏＯ下地膜上にＣｏＯ磁性層を成膜した場合には結晶性
と垂直方向の磁気特性との双方が向上することが報告さ
れている（Ｔａｋａｎｏｂｕ Ｔａｋａｙａｍａ ａｎ
ｄ Ｋａｚｕｅｔｕ Ｙｏｓｈｉｄａ，Ｊ．Ｍａｇｎ．
Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，Ｖｏｌ．１５，Ｎｏ．Ｓ２，１００
７（１９９１））。
方性を有する、いわゆる、垂直磁化膜は短波長記録にお
いても反磁界が小さいため、面内磁化膜よりも高密度記
録に適しているといわれている。このような垂直磁化膜
の形成材料として、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＯな
どが開発されている。垂直磁化膜はスパッタリング法に
より成膜されるものが多いが、ＣｏＯ膜のように、生産
効率の高い蒸着法によって成膜されるものもある。この
ＣｏＯ膜は、非磁性基板上に直接成膜する場合と、下地
膜としてコバルト酸化物層すなわちＣｏＯ層を形成し、
その上に形成する場合とが報告されている。とくに、Ｃ
ｏＯ下地膜上にＣｏＯ磁性層を成膜した場合には結晶性
と垂直方向の磁気特性との双方が向上することが報告さ
れている（Ｔａｋａｎｏｂｕ Ｔａｋａｙａｍａ ａｎ
ｄ Ｋａｚｕｅｔｕ Ｙｏｓｈｉｄａ，Ｊ．Ｍａｇｎ．
Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，Ｖｏｌ．１５，Ｎｏ．Ｓ２，１００
７（１９９１））。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような報告における磁気特性を見ると、垂直方向と面内
方向の残留磁化の比がほぼ１であるため、垂直磁気配向
性が十分であるとは言えないという問題がある。
ような報告における磁気特性を見ると、垂直方向と面内
方向の残留磁化の比がほぼ１であるため、垂直磁気配向
性が十分であるとは言えないという問題がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記問題を
解決すべく、コバルト酸化物よりなる下地層とコバルト
を主成分とする磁性層とを備えた垂直磁気記録媒体にお
いて、特に、磁性層の飽和磁化量と垂直方向の保磁力と
の関係、並びに、飽和磁化量と垂直配向比との関係に着
目して種々検討を重ねた結果、特定の飽和磁化量の範囲
において、保磁力及び垂直配向比が共に向上することを
見い出した。
解決すべく、コバルト酸化物よりなる下地層とコバルト
を主成分とする磁性層とを備えた垂直磁気記録媒体にお
いて、特に、磁性層の飽和磁化量と垂直方向の保磁力と
の関係、並びに、飽和磁化量と垂直配向比との関係に着
目して種々検討を重ねた結果、特定の飽和磁化量の範囲
において、保磁力及び垂直配向比が共に向上することを
見い出した。
【０００６】すなわち、本発明によれば、非磁性基板上
にコバルト酸化物よりなる下地層及びコバルトを主成分
とする磁性層がこの順に積層されて形成された垂直磁気
記録媒体の磁性層の飽和磁化量が、３００〜６００ｅｍ
ｕ／ｃｃであるものが提供される。さらに、上記の下地
層及び磁性層を共に真空蒸着法により形成する工程を含
む垂直磁気記録媒体の製造方法も提供される。また、こ
のような垂直磁気記録媒体が組み込まれた記憶装置も提
供される。そして、上記の各構成において、下地層の形
成材料としてＣｏＯが好適であり、また、磁性層の形成
材料としてはＣｏもしくはＣｏ合金を主成分とし、これ
に酸素が含有されたものであることが好ましい。
にコバルト酸化物よりなる下地層及びコバルトを主成分
とする磁性層がこの順に積層されて形成された垂直磁気
記録媒体の磁性層の飽和磁化量が、３００〜６００ｅｍ
ｕ／ｃｃであるものが提供される。さらに、上記の下地
層及び磁性層を共に真空蒸着法により形成する工程を含
む垂直磁気記録媒体の製造方法も提供される。また、こ
のような垂直磁気記録媒体が組み込まれた記憶装置も提
供される。そして、上記の各構成において、下地層の形
成材料としてＣｏＯが好適であり、また、磁性層の形成
材料としてはＣｏもしくはＣｏ合金を主成分とし、これ
に酸素が含有されたものであることが好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の垂直磁気記録媒体は、非
磁性基板上にコバルト酸化物よりなる下地層と、コバル
トを主成分とする磁性層とが積層されたもので、磁性層
の飽和磁化量（Ｍｓ）が３００〜６００ｅｍｕ／ｃｃの
範囲にあるものである。この磁性層の飽和磁化量が３０
０ｅｍｕ／ｃｃ未満である場合には、垂直方向の保磁力
が低下してしまい、逆に、６００ｅｍｕ／ｃｃを超える
と、垂直磁気配向性が低下してしまう。
磁性基板上にコバルト酸化物よりなる下地層と、コバル
トを主成分とする磁性層とが積層されたもので、磁性層
の飽和磁化量（Ｍｓ）が３００〜６００ｅｍｕ／ｃｃの
範囲にあるものである。この磁性層の飽和磁化量が３０
０ｅｍｕ／ｃｃ未満である場合には、垂直方向の保磁力
が低下してしまい、逆に、６００ｅｍｕ／ｃｃを超える
と、垂直磁気配向性が低下してしまう。
【０００８】非磁性基板としては、ガラスの他に、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの高分子フィル
ムや、アルミのような金属基板を使用することができ
る。下地層を形成するコバルト酸化物としては、ＣｏＯ
が好ましく、また、磁性層は、コバルトもしくはコバル
ト合金を主成分とし、これに酸素を含有していることが
好ましい。コバルト合金としては、例えば、Ｃｏにニッ
ケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）などが含有されたものを
あげることができ、また、Ｃｏの六方細密構造（ＨＣ
Ｐ）を崩さない程度であれば、それ以外の元素が含まれ
ていてもよい。また、下地層およ磁性層の膜厚は特に限
定されるものではないが、例えば、下地層が１００〜８
００Ａ（オングストローム：以下同様）、磁性層が６０
０〜３０００Ａの範囲であることが好ましい。
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの高分子フィル
ムや、アルミのような金属基板を使用することができ
る。下地層を形成するコバルト酸化物としては、ＣｏＯ
が好ましく、また、磁性層は、コバルトもしくはコバル
ト合金を主成分とし、これに酸素を含有していることが
好ましい。コバルト合金としては、例えば、Ｃｏにニッ
ケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）などが含有されたものを
あげることができ、また、Ｃｏの六方細密構造（ＨＣ
Ｐ）を崩さない程度であれば、それ以外の元素が含まれ
ていてもよい。また、下地層およ磁性層の膜厚は特に限
定されるものではないが、例えば、下地層が１００〜８
００Ａ（オングストローム：以下同様）、磁性層が６０
０〜３０００Ａの範囲であることが好ましい。
【０００９】ついで、本発明の垂直磁気記録媒体の製造
方法について説明する。非磁性基板上に下地層及び磁性
層を真空蒸着法を使用して順次形成する。具体的には、
真空槽内に蒸発源として、例えばＣｏを配置すると共
に、酸素ガスの噴出口を基板から所定の距離に配置し、
酸素ガスを所定の流量で真空槽内に導入しながら例え
ば、電子ビームなどによりＣｏを加熱蒸発させることに
より、基板上にＣｏＯ膜を成膜する。とくに、磁性層を
成膜する工程においては、導入する酸素ガス流量によ
り、得られる磁性層の飽和磁化量Ｍｓが決定されるた
め、前述した特定の範囲のＭｓ値が得られるように酸素
ガス流量を調節することが必要である。このような工程
によれば、導入酸素ガス流量を変えるだけで、下地膜と
磁性層とを連続して成膜することができるため、生産性
を高める上で極めて有用である。
方法について説明する。非磁性基板上に下地層及び磁性
層を真空蒸着法を使用して順次形成する。具体的には、
真空槽内に蒸発源として、例えばＣｏを配置すると共
に、酸素ガスの噴出口を基板から所定の距離に配置し、
酸素ガスを所定の流量で真空槽内に導入しながら例え
ば、電子ビームなどによりＣｏを加熱蒸発させることに
より、基板上にＣｏＯ膜を成膜する。とくに、磁性層を
成膜する工程においては、導入する酸素ガス流量によ
り、得られる磁性層の飽和磁化量Ｍｓが決定されるた
め、前述した特定の範囲のＭｓ値が得られるように酸素
ガス流量を調節することが必要である。このような工程
によれば、導入酸素ガス流量を変えるだけで、下地膜と
磁性層とを連続して成膜することができるため、生産性
を高める上で極めて有用である。
【００１０】さらに、本発明の記憶装置は上記の垂直磁
気記録媒体を、例えば、ＨＤＤなどの外部記憶装置に組
み込むことにより得られるものであり、垂直方向の保磁
力、及び垂直磁気配向性に優れたものである。
気記録媒体を、例えば、ＨＤＤなどの外部記憶装置に組
み込むことにより得られるものであり、垂直方向の保磁
力、及び垂直磁気配向性に優れたものである。
【００１１】＜実施例＞ （実施例１）電子ビームを有する蒸着装置を用いて到達
真空度１×１０-7Ｔｏｒｒまで真空排気した。基板とし
て厚さ０．９ｍｍのガラス基板を用い、これを蒸発源か
ら３３０ｍｍの真上に設置した。蒸発源にはＣｏ（純度
３Ｎ）を使用した。酸素ガスの噴出口を基板から１０ｍ
ｍの位置に配置した。まず、下地層の形成時には、酸素
ガス流量を５ｓｃｃｍで導入しながらＣｏを電子ビーム
により加熱蒸発させＣｏＯを４８０Ａの厚さに成膜し、
下地層とした。なお、この工程では、基板の加熱は行わ
なかった。続いて、酸素ガス流量を２ｓｃｃｍに低減
し、同様にＣｏを加熱蒸発させて膜厚１６００Ａの強磁
性金属薄膜よりなる磁性層を形成した。
真空度１×１０-7Ｔｏｒｒまで真空排気した。基板とし
て厚さ０．９ｍｍのガラス基板を用い、これを蒸発源か
ら３３０ｍｍの真上に設置した。蒸発源にはＣｏ（純度
３Ｎ）を使用した。酸素ガスの噴出口を基板から１０ｍ
ｍの位置に配置した。まず、下地層の形成時には、酸素
ガス流量を５ｓｃｃｍで導入しながらＣｏを電子ビーム
により加熱蒸発させＣｏＯを４８０Ａの厚さに成膜し、
下地層とした。なお、この工程では、基板の加熱は行わ
なかった。続いて、酸素ガス流量を２ｓｃｃｍに低減
し、同様にＣｏを加熱蒸発させて膜厚１６００Ａの強磁
性金属薄膜よりなる磁性層を形成した。
【００１２】このようにして作製し試料を９×９ｍｍの
大きさに切り出し、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により
最大印加磁場１０ｋＯｅで磁気特性の測定を行った。測
定は、試料膜面内に磁場をかける場合と、同じく試料の
膜面に対して垂直方向にかける場合の２方向について行
った。垂直配向比は、膜面に対して垂直方向の角形比Ｒ
ｓ ｐｅｒ．と膜面内方向の角形比Ｒｓ ｐｌａｎ．と
の比を算出することにより評価した。この垂直配向比Ｒ
ｓ ｐｅｒ．／Ｒｓ ｐｌａｎ．の値が１以上であれ
ば、垂直方向に磁気配向しており、この値が大きいほど
垂直配向性が良好であるといえる。この結果、上記によ
り得られた試料の飽和磁化量Ｍｓ＝４６６ｅｍｕ／ｃ
ｃ、垂直配向比Ｒｓ ｐｅｒ．／Ｒｓ ｐｌａｎ．＝
１．２４、そして、垂直方向の保磁力Ｈｃ ｐｅｒ．＝
１４００Ｏｅであった。
大きさに切り出し、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により
最大印加磁場１０ｋＯｅで磁気特性の測定を行った。測
定は、試料膜面内に磁場をかける場合と、同じく試料の
膜面に対して垂直方向にかける場合の２方向について行
った。垂直配向比は、膜面に対して垂直方向の角形比Ｒ
ｓ ｐｅｒ．と膜面内方向の角形比Ｒｓ ｐｌａｎ．と
の比を算出することにより評価した。この垂直配向比Ｒ
ｓ ｐｅｒ．／Ｒｓ ｐｌａｎ．の値が１以上であれ
ば、垂直方向に磁気配向しており、この値が大きいほど
垂直配向性が良好であるといえる。この結果、上記によ
り得られた試料の飽和磁化量Ｍｓ＝４６６ｅｍｕ／ｃ
ｃ、垂直配向比Ｒｓ ｐｅｒ．／Ｒｓ ｐｌａｎ．＝
１．２４、そして、垂直方向の保磁力Ｈｃ ｐｅｒ．＝
１４００Ｏｅであった。
【００１３】（実施例２）磁性層を成膜する際の導入酸
素ガス流量を１．５ｓｃｃｍから２．５ｓｃｃｍの範囲
で変化させた以外は、上記実施例１と同様にして様々な
Ｍｓの試料を作製した。上記のように、磁性層のＭｓを
様々に変えて、すなわち、本発明の磁性層のＭｓの範囲
３００〜６００ｅｍｕ／ｃｃに入るものに加えて、比較
のために、本発明のＭｓの範囲を外れるものも含めて試
料を作製し、同様に垂直方向の保磁力Ｈｃ ｐｅｒ．及
び垂直配向比Ｒｓ ｐｅｒ．／Ｒｓ ｐｌａｎ．を各々
測定して、ＭｓとＨｃ ｐｅｒ．の関係、及び、Ｍｓと
Ｒｓ ｐｅｒ．／Ｒｓ ｐｌａｎ．の関係をそれぞれ図
１及び図２に示した。
素ガス流量を１．５ｓｃｃｍから２．５ｓｃｃｍの範囲
で変化させた以外は、上記実施例１と同様にして様々な
Ｍｓの試料を作製した。上記のように、磁性層のＭｓを
様々に変えて、すなわち、本発明の磁性層のＭｓの範囲
３００〜６００ｅｍｕ／ｃｃに入るものに加えて、比較
のために、本発明のＭｓの範囲を外れるものも含めて試
料を作製し、同様に垂直方向の保磁力Ｈｃ ｐｅｒ．及
び垂直配向比Ｒｓ ｐｅｒ．／Ｒｓ ｐｌａｎ．を各々
測定して、ＭｓとＨｃ ｐｅｒ．の関係、及び、Ｍｓと
Ｒｓ ｐｅｒ．／Ｒｓ ｐｌａｎ．の関係をそれぞれ図
１及び図２に示した。
【００１４】これらの図からも明らかなように、磁性層
のＭｓが３００〜６００の範囲にあるものは、Ｈｃ ｐ
ｅｒ．が１，０００（Ｏｅ）以上と高く、しかも、垂直
配向比Ｒｓ ｐｅｒ．／Ｒｓ ｐｌａｎ．が１以上とな
り垂直磁気配向性が良好であることがわかった。一方、
Ｍｓが３００ｅｍｕ／ｃｃ未満である場合には、垂直配
向性は良好であるものの、Ｈｃ ｐｅｒ．が低下してし
まい、逆にＭｓが６００ｅｍｕ／ｃｃを超えると、Ｈｃ
ｐｅｒ．は比較的良好であるものの、垂直配向性が低
下してしまうことが確認された。さらに、上記の実施例
において、ＣｏＯ下地層の膜厚を２３０Ａ、７２５Ａと
した以外は、上記と同様にして試料を作製し、同様の測
定を行った結果、図１、図２と同様の傾向を示した。
のＭｓが３００〜６００の範囲にあるものは、Ｈｃ ｐ
ｅｒ．が１，０００（Ｏｅ）以上と高く、しかも、垂直
配向比Ｒｓ ｐｅｒ．／Ｒｓ ｐｌａｎ．が１以上とな
り垂直磁気配向性が良好であることがわかった。一方、
Ｍｓが３００ｅｍｕ／ｃｃ未満である場合には、垂直配
向性は良好であるものの、Ｈｃ ｐｅｒ．が低下してし
まい、逆にＭｓが６００ｅｍｕ／ｃｃを超えると、Ｈｃ
ｐｅｒ．は比較的良好であるものの、垂直配向性が低
下してしまうことが確認された。さらに、上記の実施例
において、ＣｏＯ下地層の膜厚を２３０Ａ、７２５Ａと
した以外は、上記と同様にして試料を作製し、同様の測
定を行った結果、図１、図２と同様の傾向を示した。
【００１５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、磁性層の飽和磁化量を最適な範囲に設定すること
により垂直配向性が良好で、垂直方向の保磁力が高い垂
直磁気記録媒体を得ることができ、結果として、一層の
高密度化を図ることが可能になる。さらに、本発明の製
造方法によれば、真空蒸着法を使用することにより、こ
のような垂直磁気記録媒体を効率良く生産することがで
きる。
れば、磁性層の飽和磁化量を最適な範囲に設定すること
により垂直配向性が良好で、垂直方向の保磁力が高い垂
直磁気記録媒体を得ることができ、結果として、一層の
高密度化を図ることが可能になる。さらに、本発明の製
造方法によれば、真空蒸着法を使用することにより、こ
のような垂直磁気記録媒体を効率良く生産することがで
きる。
【図１】飽和磁化量Ｍｓと垂直方向の保磁力Ｈｃ ｐｅ
ｒ．との関係を示すグラフである。
ｒ．との関係を示すグラフである。
【図２】飽和磁化量Ｍｓと垂直配向比Ｒｓ ｐｅｒ．／
Ｒｓ ｐｌａｎ．との関係を示すグラフである。
Ｒｓ ｐｌａｎ．との関係を示すグラフである。
Claims (5)
- 【請求項１】 非磁性基板上にコバルト酸化物よりなる
下地層及びコバルトを主成分とする磁性層がこの順に積
層されて形成された垂直磁気記録媒体において、前記磁
性層の飽和磁化量が、３００〜６００ｅｍｕ／ｃｃであ
ることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記下地層がＣｏＯにより形成されてい
る請求項１記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記磁性層が、コバルトもしくはコバル
ト合金を主成分とし、さらに酸素を含有するものである
請求項１又は２記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記下地層及び磁性層を真空蒸着法を用
いて形成する工程を含む請求項１ないし３のいずれか１
つに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１ないし３のいずれか１つに記載
の垂直磁気記録媒体が組み込まれた記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34445597A JP3520751B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法及びそれを使用した記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34445597A JP3520751B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法及びそれを使用した記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11161934A true JPH11161934A (ja) | 1999-06-18 |
| JP3520751B2 JP3520751B2 (ja) | 2004-04-19 |
Family
ID=18369409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34445597A Expired - Fee Related JP3520751B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法及びそれを使用した記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3520751B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6855416B2 (en) | 2001-10-17 | 2005-02-15 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Thin film magnetic recording medium |
-
1997
- 1997-11-28 JP JP34445597A patent/JP3520751B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6855416B2 (en) | 2001-10-17 | 2005-02-15 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Thin film magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3520751B2 (ja) | 2004-04-19 |
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