JPS61117725A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPS61117725A JPS61117725A JP23847484A JP23847484A JPS61117725A JP S61117725 A JPS61117725 A JP S61117725A JP 23847484 A JP23847484 A JP 23847484A JP 23847484 A JP23847484 A JP 23847484A JP S61117725 A JPS61117725 A JP S61117725A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は垂直磁気記録媒体に関するものであり、特にス
パイク状雑音の少い優れた特性を有する垂直磁気記録媒
体に関するものである。
パイク状雑音の少い優れた特性を有する垂直磁気記録媒
体に関するものである。
（従来技術）
垂直磁気記録方式は本質的に高密度の磁気記録に適した
方式である。この記録方式に用いられる記録媒体として
はＣｏ −Ｃｒなどの垂直磁化膜層のみからなる単層膜
媒体と、パーマロイなどの軟磁性層とＣｏ −Ｃｒなど
の垂直磁化膜層からなる２層膜媒体が知られており、特
に２層膜媒体は垂直ヘッドとの組み合わせにおいて優れ
た特性を有していることが、例えば特開昭５４−５１８
０４などによって開示されている。垂直磁化膜層はＣＯ
系の六方晶最密構造を有する合金のＣ−軸を基板面に垂
直に配向させることにより、結晶磁気異方性によって媒
体の厚み方向に磁化容易軸を有するものが主流となって
いる。垂直磁化膜層の材料組成としてはＱＯ−Ｑｒ系が
代表的なものであるがその他に特開昭５７−Ｌ７８０７
によればＱＱ −Ｒｕ 。
方式である。この記録方式に用いられる記録媒体として
はＣｏ −Ｃｒなどの垂直磁化膜層のみからなる単層膜
媒体と、パーマロイなどの軟磁性層とＣｏ −Ｃｒなど
の垂直磁化膜層からなる２層膜媒体が知られており、特
に２層膜媒体は垂直ヘッドとの組み合わせにおいて優れ
た特性を有していることが、例えば特開昭５４−５１８
０４などによって開示されている。垂直磁化膜層はＣＯ
系の六方晶最密構造を有する合金のＣ−軸を基板面に垂
直に配向させることにより、結晶磁気異方性によって媒
体の厚み方向に磁化容易軸を有するものが主流となって
いる。垂直磁化膜層の材料組成としてはＱＯ−Ｑｒ系が
代表的なものであるがその他に特開昭５７−Ｌ７８０７
によればＱＱ −Ｒｕ 。
００− Ｒｅ 、 Ｃｏ −Ｏｓが、（電子通信学会磁
気記録研究会、ＭＲ８２−２２，１９８２）によればＣ
０−Ｖが、特開昭５６−１０７５０６によればＣ０−Ｎ
ｉ−０ｒが、さらに特開昭５８−１８９３４９〜１８９
３５２によればＱｏ −Ｑｒに稀土類元素やｙ 、 Ｚ
ｒ 、 Ｔｉ。
気記録研究会、ＭＲ８２−２２，１９８２）によればＣ
０−Ｖが、特開昭５６−１０７５０６によればＣ０−Ｎ
ｉ−０ｒが、さらに特開昭５８−１８９３４９〜１８９
３５２によればＱｏ −Ｑｒに稀土類元素やｙ 、 Ｚ
ｒ 、 Ｔｉ。
Ｍｂなどの第３元素を添加したものなどが開示されてい
る。垂直磁化膜層の特性としては基板面に垂直な方向か
らの〇−軸の分散角の小ざいことおよび異方性磁界の大
きいことが必要と考えられている０ ２層膜媒体における裏打ち層としての軟磁性層は垂直ヘ
ッドの一部として作用し、これが存在しない場合に比べ
て記録感度は約１桁高くなることが例えば特開昭５４−
５１８０４によって知られている。また軟磁性層の透磁
率が高いと媒体とヘッドとの相互作用が強まり再生出力
が増加することが、例えば電気関係学会東北支部連合大
会、（２ｍ−＋）、Ｐ。２５８．１９８３によって知ら
ハれている。さらに軟磁性層の飽和磁束密度が高いツ 、と、媒体として必要となる厚みがより薄くてもよソい
ことが、例えば電子通信学会磁気記録研究会ＭＲ８３−
７、１９８３により知られている。軟磁性層が薄くても
よいことは、膜形成時間が短縮できるばかりではなく可
撓性のある非磁性基板上に形成する場合には媒体の可撓
性を増すことができ実用上有利である。すなわち軟磁性
層に要求される特性としては透磁率の高いこと、および
飽和磁束密度の大きいことがあげられ、その他の特性と
して軟磁性膜上に形成される垂直磁化膜層の結晶配向を
妨げないような表面状態であることも必要である。パー
マロイを軟磁性膜として用いた時に、その上に形成され
るＣｏ −ａｘ膜の結晶配向を上げるためには、パーマ
ロイの＜１１１＞軸を基板面に垂直に配向させることが
必要であることは広く知られており、Ｃｏ −（３ｒが
パーマロイの（１１１）面上にエピタキシアル成長する
ものと信じられている。又、特開昭５７−３６４３５
により軟磁性層としてセンダストを用いることも知ら
れている。
る。垂直磁化膜層の特性としては基板面に垂直な方向か
らの〇−軸の分散角の小ざいことおよび異方性磁界の大
きいことが必要と考えられている０ ２層膜媒体における裏打ち層としての軟磁性層は垂直ヘ
ッドの一部として作用し、これが存在しない場合に比べ
て記録感度は約１桁高くなることが例えば特開昭５４−
５１８０４によって知られている。また軟磁性層の透磁
率が高いと媒体とヘッドとの相互作用が強まり再生出力
が増加することが、例えば電気関係学会東北支部連合大
会、（２ｍ−＋）、Ｐ。２５８．１９８３によって知ら
ハれている。さらに軟磁性層の飽和磁束密度が高いツ 、と、媒体として必要となる厚みがより薄くてもよソい
ことが、例えば電子通信学会磁気記録研究会ＭＲ８３−
７、１９８３により知られている。軟磁性層が薄くても
よいことは、膜形成時間が短縮できるばかりではなく可
撓性のある非磁性基板上に形成する場合には媒体の可撓
性を増すことができ実用上有利である。すなわち軟磁性
層に要求される特性としては透磁率の高いこと、および
飽和磁束密度の大きいことがあげられ、その他の特性と
して軟磁性膜上に形成される垂直磁化膜層の結晶配向を
妨げないような表面状態であることも必要である。パー
マロイを軟磁性膜として用いた時に、その上に形成され
るＣｏ −ａｘ膜の結晶配向を上げるためには、パーマ
ロイの＜１１１＞軸を基板面に垂直に配向させることが
必要であることは広く知られており、Ｃｏ −（３ｒが
パーマロイの（１１１）面上にエピタキシアル成長する
ものと信じられている。又、特開昭５７−３６４３５
により軟磁性層としてセンダストを用いることも知ら
れている。
軟磁性膜としてＣｏ系の非晶質磁性膜を用いることが特
開昭５７−２０８８３１、同昭５８−１４１４８３、同
昭５８−１６６５３１、同昭５８−１６９８．３１など
に開示されている。Ｃｏ系の非晶質磁性膜ではパーマロ
イやセンダストより高い飽和磁束密度を有するものが得
られ、上述した如き観点からは２層膜垂直媒体用の軟磁
性層としてはパーマロイやセンダストより有利である。
開昭５７−２０８８３１、同昭５８−１４１４８３、同
昭５８−１６６５３１、同昭５８−１６９８．３１など
に開示されている。Ｃｏ系の非晶質磁性膜ではパーマロ
イやセンダストより高い飽和磁束密度を有するものが得
られ、上述した如き観点からは２層膜垂直媒体用の軟磁
性層としてはパーマロイやセンダストより有利である。
但しこのような非晶質膜上へのＣｏ −Ｏｒの結晶配向
度を上げるための形成条件については必ずしも明確には
なっていない０ 〔解決が要求とされる問題点〕 ところで上記の如き２層膜媒体に垂直ヘッドを用いて記
録を行うと、再生時にスパイク状雑音が板側されること
がある。このスパイク状雑音は軟磁性層に起因するもの
であることが特開昭５８−１６６５３１により知られて
おり、また軟磁性層の抗磁力が小さい場合程スパイク状
雑音が大きくなることがテレビジョン学会技術報告ＶＲ
６３−２゜１９８４などに開示されている。このような
スパイク状雑音は場合によっては信号と同程度の大きさ
にもなることがあり、大きな問題となっている。
度を上げるための形成条件については必ずしも明確には
なっていない０ 〔解決が要求とされる問題点〕 ところで上記の如き２層膜媒体に垂直ヘッドを用いて記
録を行うと、再生時にスパイク状雑音が板側されること
がある。このスパイク状雑音は軟磁性層に起因するもの
であることが特開昭５８−１６６５３１により知られて
おり、また軟磁性層の抗磁力が小さい場合程スパイク状
雑音が大きくなることがテレビジョン学会技術報告ＶＲ
６３−２゜１９８４などに開示されている。このような
スパイク状雑音は場合によっては信号と同程度の大きさ
にもなることがあり、大きな問題となっている。
このようなスパイク状雑音を減少させる試みも幾つかな
されている。上記した文献ＶＲ６３−２で述べられてい
るように軟磁性層の抗磁力を数エルステッド以上にする
ことの他に、薄い軟磁性層を極く薄い非磁性層をはさん
で複数層積層すること（特開昭５８−１６６５３１参照
）、および軟磁性層とＣｏ −Ｃｒなどの垂直磁化膜層
との間に反強磁性層を形成すること（特開昭５９−４８
８２２参照）などが知られている。しかし軟磁性層を複
数層積層したり、反強磁性層を形成するなどの前記の方
法によれば、特に工業的な作製規模においてはスパッタ
ーターゲットや蒸着ルツボの数が多くなるなどの点で非
常に不利である。
されている。上記した文献ＶＲ６３−２で述べられてい
るように軟磁性層の抗磁力を数エルステッド以上にする
ことの他に、薄い軟磁性層を極く薄い非磁性層をはさん
で複数層積層すること（特開昭５８−１６６５３１参照
）、および軟磁性層とＣｏ −Ｃｒなどの垂直磁化膜層
との間に反強磁性層を形成すること（特開昭５９−４８
８２２参照）などが知られている。しかし軟磁性層を複
数層積層したり、反強磁性層を形成するなどの前記の方
法によれば、特に工業的な作製規模においてはスパッタ
ーターゲットや蒸着ルツボの数が多くなるなどの点で非
常に不利である。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、軟磁性層としてパーマロイやセンダスト
より飽和磁束密度の大きいＣｏ −Ｚｒ系の非晶質磁性
薄膜を用い、該非晶質磁性薄膜中に少なくともｘ−線回
折法により検出できる程度の結晶相を析出させることに
よってスパイク状雑音を低減させることができること、
および非晶質磁性薄膜中に若干の結晶相の析出があって
も、その上に形成されるＣｏ −Ｏｒ層の結晶配向度が
、実質的に非晶質である磁性膜上に形成された場合の結
晶配向度と同程度に高くできることを新規に知見して、
本発明をなすに至った。
より飽和磁束密度の大きいＣｏ −Ｚｒ系の非晶質磁性
薄膜を用い、該非晶質磁性薄膜中に少なくともｘ−線回
折法により検出できる程度の結晶相を析出させることに
よってスパイク状雑音を低減させることができること、
および非晶質磁性薄膜中に若干の結晶相の析出があって
も、その上に形成されるＣｏ −Ｏｒ層の結晶配向度が
、実質的に非晶質である磁性膜上に形成された場合の結
晶配向度と同程度に高くできることを新規に知見して、
本発明をなすに至った。
本発明においては軟磁性膜としてＱＯ−Ｚｒ 。
００− Ｏｒ −Ｚｒを、また垂直磁化膜としてＣｏ−
Ｃｒを選んで実験したが、軟磁性膜としては非晶質磁性
膜になることが知られている。Ｃｏ −’Ｉ’ａ 、
Ｏｏ−Ｍｏ 、 Ｃｏ −Ｗ 、 Ｃｏ −Ｔｉ 、
Ｃｏ −Ｈｆ 、 Ｃｏ −Ｙ 。
Ｃｒを選んで実験したが、軟磁性膜としては非晶質磁性
膜になることが知られている。Ｃｏ −’Ｉ’ａ 、
Ｏｏ−Ｍｏ 、 Ｃｏ −Ｗ 、 Ｃｏ −Ｔｉ 、
Ｃｏ −Ｈｆ 、 Ｃｏ −Ｙ 。
Ｃｏ−Ｎｂおよびこれらの複合系、ならびにＣＯの一部
をＦｅ 、 Ｎｉ 、 Ｉｎ 、 Ｖで置換したもの、
および稀土類元素を少量含むこれらの系などを用いるこ
とも可能である。また垂直磁化膜としてはＱｏ −Ｈｆ
３ ｒＧｏ −Ｏｓ 、 Ｇｏ −Ｒｕ 、 Ｃｏ −
Ｖ 、 Ｃｏ −Ｎｉ −Ｏｒなど、およびこれらの系
に少量のＹ１稀土類元素、Ｎｂ、 ｚｒ 、 Ｔｉなど
を含むものを用いることも可能である。
をＦｅ 、 Ｎｉ 、 Ｉｎ 、 Ｖで置換したもの、
および稀土類元素を少量含むこれらの系などを用いるこ
とも可能である。また垂直磁化膜としてはＱｏ −Ｈｆ
３ ｒＧｏ −Ｏｓ 、 Ｇｏ −Ｒｕ 、 Ｃｏ −
Ｖ 、 Ｃｏ −Ｎｉ −Ｏｒなど、およびこれらの系
に少量のＹ１稀土類元素、Ｎｂ、 ｚｒ 、 Ｔｉなど
を含むものを用いることも可能である。
次に本発明を実験ならびにその結果について説明する。
本発明で用いた磁性膜形成装置はマグネトロン式のスパ
ッター装置であり、直径８インチのターゲットを使用し
た。基板としてはポリエチレンテレフタレート（以下Ｐ
ＥＴと略称）およびポリイミドを用いた。ＰＥＴの耐熱
性を考慮してスパッター電力は２００Ｗとした。組成を
変える場合には５鴎角のｚｒおよびＱｒをターゲット上
に配置した。
ッター装置であり、直径８インチのターゲットを使用し
た。基板としてはポリエチレンテレフタレート（以下Ｐ
ＥＴと略称）およびポリイミドを用いた。ＰＥＴの耐熱
性を考慮してスパッター電力は２００Ｗとした。組成を
変える場合には５鴎角のｚｒおよびＱｒをターゲット上
に配置した。
ターゲット組成をＣ０９１，２ｚｒ８，８および”９８
．Ｏ２ｒ？ 、０として、厚さ約０．５μｍのＣｏ −
Ｚｒ膜を形成した。
．Ｏ２ｒ？ 、０として、厚さ約０．５μｍのＣｏ −
Ｚｒ膜を形成した。
Ｃ０９１Ｊｚｒ８．８を用いた時のアルゴンガス圧力Ｐ
と膜の抗磁力ＨＯの関係を第１図に曲線１で示す。アル
ゴン圧力の上昇に伴ってＨａは大きくなる傾向を示して
いるが、１０ Ｘ １０−８Ｔｏｒｒ以下テハＩＣハエ
エルステッド以下である。これらの膜のｘ−線回折を島
津製作所製の回折装置を用いて行った。
と膜の抗磁力ＨＯの関係を第１図に曲線１で示す。アル
ゴン圧力の上昇に伴ってＨａは大きくなる傾向を示して
いるが、１０ Ｘ １０−８Ｔｏｒｒ以下テハＩＣハエ
エルステッド以下である。これらの膜のｘ−線回折を島
津製作所製の回折装置を用いて行った。
線源をＦｅとし、３０ ｋＶ 、 ８ ｍＡで駆動して
レートメーター感度を２００で測定した。結果の一例を
第２図（ａ）に示す。この結果は非晶質相のみによるブ
ロードな回折のみを示しており、後に示すようジな結晶
相によるシャープな回折線は現われていない。なお２θ
く４００の強い回折線は基板によるものである。従って
実質的に非晶質であると想定された。第１図に示されて
いるアルゴン圧力の範囲で作製された全てのＣｏ −Ｚ
ｒ膜においてほぼ同様なｘ−線回折パターンが観察され
た。次にこれらのＱＯ−Ｚｒ膜上にａｏ −Ｃｒ膜をＩ
Ｘ １０−’ ＴＯｒｒノアルゴン圧力で厚さ約０．
２μｍに形成した。ａＯ−Ｑｒ層の（００２）面による
ロッキング曲線を測定し、その半値幅Δθ、０を膜面に
垂直な方向からのＣ−軸の分散角として求めた。ＱＯ−
Ｚｒ膜作製時のアルゴン圧力Ｐを横軸に、縦軸には上記
のようにして求めたＣｏ −Ｏｒ膜のΔθ５ｏを取って
その関係を示したのが第１図の曲線２である。Ｃｏ −
ｚｒ模膜作製時ルゴン圧力が４ Ｘ １０−’ ＴＯｒ
ｒ以上ではΔθ５゜が急激に大きくなり、ＱＯ−Ｏｒ膜
の結晶配向が乱れてくることがわかる。これはＣｏ −
Ｚｒ膜作製時のアルゴン圧力が上昇するに従って、その
表面がＱＯ−Ｑｒ層の結晶配向に適さないような状態に
なっていくためと思われる。
レートメーター感度を２００で測定した。結果の一例を
第２図（ａ）に示す。この結果は非晶質相のみによるブ
ロードな回折のみを示しており、後に示すようジな結晶
相によるシャープな回折線は現われていない。なお２θ
く４００の強い回折線は基板によるものである。従って
実質的に非晶質であると想定された。第１図に示されて
いるアルゴン圧力の範囲で作製された全てのＣｏ −Ｚ
ｒ膜においてほぼ同様なｘ−線回折パターンが観察され
た。次にこれらのＱＯ−Ｚｒ膜上にａｏ −Ｃｒ膜をＩ
Ｘ １０−’ ＴＯｒｒノアルゴン圧力で厚さ約０．
２μｍに形成した。ａＯ−Ｑｒ層の（００２）面による
ロッキング曲線を測定し、その半値幅Δθ、０を膜面に
垂直な方向からのＣ−軸の分散角として求めた。ＱＯ−
Ｚｒ膜作製時のアルゴン圧力Ｐを横軸に、縦軸には上記
のようにして求めたＣｏ −Ｏｒ膜のΔθ５ｏを取って
その関係を示したのが第１図の曲線２である。Ｃｏ −
ｚｒ模膜作製時ルゴン圧力が４ Ｘ １０−’ ＴＯｒ
ｒ以上ではΔθ５゜が急激に大きくなり、ＱＯ−Ｏｒ膜
の結晶配向が乱れてくることがわかる。これはＣｏ −
Ｚｒ膜作製時のアルゴン圧力が上昇するに従って、その
表面がＱＯ−Ｑｒ層の結晶配向に適さないような状態に
なっていくためと思われる。
これらの２層膜媒体を用い、特開昭５４−５１８０４や
昭５４−５１８１０などで公開されている補助磁極励磁
型の垂直ヘッドを用いて記録再生を行ったところＱｏ
−Ｚｒ膜のｆ（Ｃが０６５工ルステツド程度に小さい媒
体では信号出力と同程度に大きいスパイク状雑音が観測
された。ざらにＣｏ −Ｚｒ膜のＨａが大きくなるに従
ってスパイク状雑音が小さくなることも観察されたが、
第１図に示された結果の範囲ではスパイク状雑音を再生
増幅器のノイズレベル以下にすることは出来なかった。
昭５４−５１８１０などで公開されている補助磁極励磁
型の垂直ヘッドを用いて記録再生を行ったところＱｏ
−Ｚｒ膜のｆ（Ｃが０６５工ルステツド程度に小さい媒
体では信号出力と同程度に大きいスパイク状雑音が観測
された。ざらにＣｏ −Ｚｒ膜のＨａが大きくなるに従
ってスパイク状雑音が小さくなることも観察されたが、
第１図に示された結果の範囲ではスパイク状雑音を再生
増幅器のノイズレベル以下にすることは出来なかった。
ターゲットの組成が７原子チ以上として作製したＧｏ
−Ｚｒ膜を軟磁性層として用いた時には殆んど上記の結
果と同じであった。
−Ｚｒ膜を軟磁性層として用いた時には殆んど上記の結
果と同じであった。
以上に述べた如（Ｃｏ系の軟磁性層がＸ−線回折におい
て、シャープな回折線すなわち結晶相による明瞭な回折
線を示さないような実質的に非晶質である場合にはスパ
イク状雑音が大きいか、又はスパイク状雑音を小さくす
るためにＣｏ −Ｚｒ膜形成時アルゴン圧力を高くする
と、その上に形成されるＣｏ −Ｑｒ層の結晶配向度が
非常に悪化し、垂直磁気記録媒体としては好ましくない
ものしか得られなかった。
て、シャープな回折線すなわち結晶相による明瞭な回折
線を示さないような実質的に非晶質である場合にはスパ
イク状雑音が大きいか、又はスパイク状雑音を小さくす
るためにＣｏ −Ｚｒ膜形成時アルゴン圧力を高くする
と、その上に形成されるＣｏ −Ｑｒ層の結晶配向度が
非常に悪化し、垂直磁気記録媒体としては好ましくない
ものしか得られなかった。
次に本発明を実施例について説明する。
実施例
Ｃｏ −Ｏｒ −Ｚｒ膜を軟磁性層として形成した。
Ｃｏ９ＪＯ２ｒ？、０ターゲツト上ニＯｒヘレツトヲ配
置シ、Ｃｏ −Ｚｒ膜の場合と同様にして作製した。タ
ーゲゲット上の面積比にしてＣｒを３チ以下とした場合
は第１図に示したＧｏ −Ｚｒ膜とほぼ同様な結果であ
り、垂直媒体用の軟磁性層として好ましいものではなか
った。しかしＣｒを３％以上にした場合、低アルゴン圧
力下で成膜した時抗磁力Ｈａの増大することが観察され
た。第８図にはＯｒが１．３チおよび３チの時のアルゴ
ン圧力Ｐと抗磁力ＨＣの関係をそれぞれ曲ｉ１１および
２に示す。先の実験と同様にしてＸ−線回折を行ったと
ころ、Ｏｒ３％の場合アルゴン圧力が０．７ Ｘ Ｉ
Ｏ’１’Ｏｒｒ以下で作製したＱＯ−Ｑｒ −Ｚｒ膜に
シャープな回折線が認められ、結晶相が析出しているこ
とが確認された。その−例を第２図のり）に示す。２θ
−５６，２°附近にシャープな回折線が出現しており、
これは六方晶最密構造の（００２）面による回折線であ
る。ざらにＱｒを多くした場合の回折線の例を第２図（
Ｃ）に示す。
置シ、Ｃｏ −Ｚｒ膜の場合と同様にして作製した。タ
ーゲゲット上の面積比にしてＣｒを３チ以下とした場合
は第１図に示したＧｏ −Ｚｒ膜とほぼ同様な結果であ
り、垂直媒体用の軟磁性層として好ましいものではなか
った。しかしＣｒを３％以上にした場合、低アルゴン圧
力下で成膜した時抗磁力Ｈａの増大することが観察され
た。第８図にはＯｒが１．３チおよび３チの時のアルゴ
ン圧力Ｐと抗磁力ＨＣの関係をそれぞれ曲ｉ１１および
２に示す。先の実験と同様にしてＸ−線回折を行ったと
ころ、Ｏｒ３％の場合アルゴン圧力が０．７ Ｘ Ｉ
Ｏ’１’Ｏｒｒ以下で作製したＱＯ−Ｑｒ −Ｚｒ膜に
シャープな回折線が認められ、結晶相が析出しているこ
とが確認された。その−例を第２図のり）に示す。２θ
−５６，２°附近にシャープな回折線が出現しており、
これは六方晶最密構造の（００２）面による回折線であ
る。ざらにＱｒを多くした場合の回折線の例を第２図（
Ｃ）に示す。
この場合には２θ−５２，３°附近にも結晶相による回
折線が現われている。場合によっては２θ−６０，２゜
附近にも回折線が出現した。２θ−５２，３’および６
０．２°の回折線はそれぞれ六方晶最密構造の（１００
）および（１０１）面による回折線であると考えられた
。第４図は２θが５２．３°（曲線１）、５６．２゜（
曲１２ ）オヨヒａ Ｏ，２°（曲線３）に出現してい
る結晶相による回折線の相対強度に対して抗磁力ＨＣを
プロットした図である。先に述べたように３本の回折線
は必ずしも同時に出現するわけではなく、従ってＣｏ
−Ｃｒ −ｚｒ層中における六方晶の析出した結晶は成
る程度配向している可能性もあると考えられる。第４図
によれば結晶相の析出量が多くなるに従って抗磁力ＨＣ
が大きくなる傾向を示すっ 次にこれらのＣｏ −Ｃｒ −ｚｒ腹膜上厚ざ０．２μ
属のＣｏ −Ｃｒ膜をｌＸｌ０ ’Ｉ’ｏｒｒのアル
ゴン圧力下で形成した。Ｏｒ ３ ％の時のＣｏ −Ｃ
ｒ −ｚｒ膜作製時アルゴン圧力とＣｏ −ａｘ膜の結
晶配向角Δθ、。の関係を１／Ｅ３＠の曲＠ａで示す。
折線が現われている。場合によっては２θ−６０，２゜
附近にも回折線が出現した。２θ−５２，３’および６
０．２°の回折線はそれぞれ六方晶最密構造の（１００
）および（１０１）面による回折線であると考えられた
。第４図は２θが５２．３°（曲線１）、５６．２゜（
曲１２ ）オヨヒａ Ｏ，２°（曲線３）に出現してい
る結晶相による回折線の相対強度に対して抗磁力ＨＣを
プロットした図である。先に述べたように３本の回折線
は必ずしも同時に出現するわけではなく、従ってＣｏ
−Ｃｒ −ｚｒ層中における六方晶の析出した結晶は成
る程度配向している可能性もあると考えられる。第４図
によれば結晶相の析出量が多くなるに従って抗磁力ＨＣ
が大きくなる傾向を示すっ 次にこれらのＣｏ −Ｃｒ −ｚｒ腹膜上厚ざ０．２μ
属のＣｏ −Ｃｒ膜をｌＸｌ０ ’Ｉ’ｏｒｒのアル
ゴン圧力下で形成した。Ｏｒ ３ ％の時のＣｏ −Ｃ
ｒ −ｚｒ膜作製時アルゴン圧力とＣｏ −ａｘ膜の結
晶配向角Δθ、。の関係を１／Ｅ３＠の曲＠ａで示す。
前述した如くＯ，フＸ １０ ’ｒｏｒｒ以下ではＣ
ｏ −Ｃｒ −ｚｒ膜に結晶相の析出が認められるにも
拘らず、その上に形成されるＱＯ−Ｑｒ層の結晶配向度
は極めて良いことがわかる。
ｏ −Ｃｒ −ｚｒ膜に結晶相の析出が認められるにも
拘らず、その上に形成されるＱＯ−Ｑｒ層の結晶配向度
は極めて良いことがわかる。
先の実施例の場合と同様にして垂直ヘッドを用いて記録
再生を行った。これらの結果と先の実施例の結果をまと
めて表に示す。Ｃｏ −Ｏｒ −Ｚｒ層の組成はターゲ
ットの組成で示す。この表にはＣＯ−Ｏｒ −Ｚｒ層の
ＨＣＮ結晶相の析出の有無、Ｃｏ −Ｏｒ−ｚｒ模上の
Ｃｏ −Ｑｒ層の結晶配向角Δθ５０’および２層膜媒
体でのスパイク状雑音の大きざの程度を示す。この表で
明らかなように軟磁性層に結晶相の析出がＸ−線回折法
で明らかに観測される場合にＨａが数エルステッド以上
となりスパイク状雑音が観測されなかった。大よそＨｅ
＞６エルステツドでスパイク状雑音は観測されなかった
。
再生を行った。これらの結果と先の実施例の結果をまと
めて表に示す。Ｃｏ −Ｏｒ −Ｚｒ層の組成はターゲ
ットの組成で示す。この表にはＣＯ−Ｏｒ −Ｚｒ層の
ＨＣＮ結晶相の析出の有無、Ｃｏ −Ｏｒ−ｚｒ模上の
Ｃｏ −Ｑｒ層の結晶配向角Δθ５０’および２層膜媒
体でのスパイク状雑音の大きざの程度を示す。この表で
明らかなように軟磁性層に結晶相の析出がＸ−線回折法
で明らかに観測される場合にＨａが数エルステッド以上
となりスパイク状雑音が観測されなかった。大よそＨｅ
＞６エルステツドでスパイク状雑音は観測されなかった
。
（発明の効果）
以上に述べた如（Ｃｏ −Ｚｒ系の非晶質磁性薄膜を２
層膜垂直媒体用の軟磁性層として用い、ざらにその上に
形成するＱＯｅ Ｑｒ層の結晶配向角を垂直媒体として
好ましいものにしようとする場合、軟磁性層中に結晶層
の析出がないか、あったとしてもｘ−線回折法で確認で
きないような微少量の析出状態においてはスパイク状雑
音はさけられず、結晶相の析出がＸ−線回折法で確認で
きる場合にのみスパイク状雑音をさけることができた。
層膜垂直媒体用の軟磁性層として用い、ざらにその上に
形成するＱＯｅ Ｑｒ層の結晶配向角を垂直媒体として
好ましいものにしようとする場合、軟磁性層中に結晶層
の析出がないか、あったとしてもｘ−線回折法で確認で
きないような微少量の析出状態においてはスパイク状雑
音はさけられず、結晶相の析出がＸ−線回折法で確認で
きる場合にのみスパイク状雑音をさけることができた。
しかも結晶相の析出があっても、その上に形成されるＣ
ｏ −Ｃｒ垂直磁化膜層の結晶配向性は左右されず、軟
磁性層形成時のアルゴン圧力を低くすることによって結
晶配向角を１０’以下にもすることができる。さらに結
晶相の析出する組成領域では非晶質相のみから成る組成
領域よりＺｒなどの非晶質形成能を有する元素の割合を
少くできるため、より大きい飽和磁束密度を有する材料
の利用が可能となる。ちなみに本実施例におけるＣｏ
−Ｚｒ系軟磁性層の飽和磁束密度は１００００〜１４０
００ガウスであったが、さらに１５０００ガウス以上の
ものも利用可能となる。従ってパーマロイやセンダスト
よりかなり飽和磁束密度の大きいものが利用可能となり
、より短時間で形成可能となる。ざらにスパッター法で
２層膜垂直媒体を形成するに当って必要となるターゲッ
ト数も媒体の片面当り２種類ですみ、工業的価値も大き
い。
ｏ −Ｃｒ垂直磁化膜層の結晶配向性は左右されず、軟
磁性層形成時のアルゴン圧力を低くすることによって結
晶配向角を１０’以下にもすることができる。さらに結
晶相の析出する組成領域では非晶質相のみから成る組成
領域よりＺｒなどの非晶質形成能を有する元素の割合を
少くできるため、より大きい飽和磁束密度を有する材料
の利用が可能となる。ちなみに本実施例におけるＣｏ
−Ｚｒ系軟磁性層の飽和磁束密度は１００００〜１４０
００ガウスであったが、さらに１５０００ガウス以上の
ものも利用可能となる。従ってパーマロイやセンダスト
よりかなり飽和磁束密度の大きいものが利用可能となり
、より短時間で形成可能となる。ざらにスパッター法で
２層膜垂直媒体を形成するに当って必要となるターゲッ
ト数も媒体の片面当り２種類ですみ、工業的価値も大き
い。
第１図はＣｉｏ −Ｚｒ膜形成時のアルゴン圧力と抗折
による軟磁性層の回折パターンを示す図、第３図はＣｏ
−Ｏｘ： −Ｚｒ膜形成時のアルゴン圧力に対する抗
磁力およびその上に形成されたＣｏ −Ｏｘ層の結晶配
向角の関係を示す図であり、第４図は軟磁性層中に析出
した結晶相の３本の回折線の相対強度に対する抗磁力の
関係を示す図である。
による軟磁性層の回折パターンを示す図、第３図はＣｏ
−Ｏｘ： −Ｚｒ膜形成時のアルゴン圧力に対する抗
磁力およびその上に形成されたＣｏ −Ｏｘ層の結晶配
向角の関係を示す図であり、第４図は軟磁性層中に析出
した結晶相の３本の回折線の相対強度に対する抗磁力の
関係を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、非磁性基板上に形成した軟磁性層とＣｏ−Ｃｒを主
成分とする垂直磁化膜層からなる２層垂直磁気記録媒体
において、前記軟磁性層が大部分を占める非晶質相と小
部分を占める結晶質相の混合相であることを特徴とする
垂直磁気記録媒体。 ２、軟磁性層中の結晶質相は少なくともＸ−線回折法に
よつて検出出来る程度含まれていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23847484A JPS61117725A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23847484A JPS61117725A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117725A true JPS61117725A (ja) | 1986-06-05 |
| JPH0322649B2 JPH0322649B2 (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=17030773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23847484A Granted JPS61117725A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61117725A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196622A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS5975428A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-11-14 JP JP23847484A patent/JPS61117725A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196622A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS5975428A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0322649B2 (ja) | 1991-03-27 |
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