JPH0322649B2 - - Google Patents
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- JPH0322649B2 JPH0322649B2 JP59238474A JP23847484A JPH0322649B2 JP H0322649 B2 JPH0322649 B2 JP H0322649B2 JP 59238474 A JP59238474 A JP 59238474A JP 23847484 A JP23847484 A JP 23847484A JP H0322649 B2 JPH0322649 B2 JP H0322649B2
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は垂直磁気記録媒体に関するものであ
り、特にスパイク状雑音の少い優れた特性を有す
る垂直磁気記録媒体に関するものである。 （従来技術） 垂直磁気記録方式は本質的に高密度の磁気記録
に適した方式である。この記録方式に用いられる
記録媒体としてはCo−Crなどの垂直磁化膜層の
みからなる単層膜媒体と、パーマロイなどの軟磁
性層とCo−Crなどの垂直磁化膜層からなる２層
膜媒体が知られており、特に２層膜媒体は垂直ヘ
ツドとの組み合わせにおいて優れた特性を有して
いることが、例えば特開昭54−51804などによつ
て開示されている。垂直磁化膜層はCo系の六方
晶最密構造を有する合金のＣ−軸を基板面に垂直
に配向させることにより、結晶磁気異方性によつ
て媒体の厚み方向に磁化容易軸を有するものが主
流となつている。垂直磁化膜層の材料組成として
はCo−Cr系が代表的なものであるがその他に特
開昭57−17807によればCo−Ru、Co−Re、Co−
Osが、（電子通信学会磁気記録研究会、MR82−
22、1982）によればCo−Ｖが、特開昭56−
107506によればCo−Ni−Crが、さらに特開昭58
−189349〜189352によればCo−Crに稀土類元素
やＹ、Zr、Ti、Nbなどの第３元素を添加したも
のなどが開示されている。垂直磁化膜層の特性と
しては基板面に垂直な方向からのＣ−軸の分散角
の小さいことおよび異方性磁界の大きいことが必
要と考えられている。 ２層膜媒体における裏打ち層としての軟磁性層
は垂直ヘツドの一部として作用し、これが存在し
ない場合に比べて記録感度は約１桁高くなること
が例えば特開昭54−51804によつて知られている。
また軟磁性層の透磁率が高いと媒体とヘツドとの
相互作用が強まり再生出力が増加することが、例
えば電気関係学会東北支部連合大会、〔2H−４〕、
P.258、1983によつて知られている。さらに軟磁
性層の飽和磁束密度が高いと、媒体として必要と
なる厚みがより薄くてもよいことが、例えば電子
通信学会磁気記録研究会MR83−７、1983により
知られている。軟磁性層が薄くてもよいことは、
膜形成時間が短縮できるばかりではなく可撓性の
ある非磁性基板上に形成する場合には媒体の可撓
性を増すことができ実用上有利である。すなわち
軟磁性層に要求される特性としては透磁率の高い
こと、および飽和磁束密度の大きいことがあげら
れ、その他の特性として軟磁性膜上に形成される
垂直磁化膜層の結晶配向を妨げないような表面状
態であることも必要である。パーマロイを軟磁性
膜として用いた時に、その上に形成されるCo−
Cr膜の結晶配向を上げるためには、パーマロイ
の＜111＞軸を基板面に垂直に配向させることが
必要であることは広く知られており、Co−Crが
パーマロイの（111）面上にエピタキシアル成長
するものと信じられている。又、特開昭57−
36435により軟磁性層としてセンダストを用いる
ことも知られている。 軟磁性膜としてCo系の非晶質磁性膜を用いる
ことが特開昭57−208631、同昭58−141433、同昭
58−166531、同昭58−169331などに開示されてい
る。Co系の非晶質磁性膜ではパーマロイやセン
ダストより高い飽和磁束密度を有するものが得ら
れ、上述した如き観点からは２層膜垂直媒体用の
軟磁性層としてはパーマロイやセンダストより有
利である。但しこのような非晶質膜上へのCo−
Crの結晶配向度を上げるための形成条件につい
ては必ずしも明確にはなつていない。 （解決が要求とされる問題点） ところで上記の如き２層膜媒体に垂直ヘツドを
用いて記録を行うと、記録時にスパイク状雑音が
観測されることがある。このスパイク状雑音は軟
磁性層に起因するものであることが特開昭58−
166531により知られており、また軟磁性層の抗磁
力が小さい場合程スパイク状雑音が大きくなるこ
とがテレビジヨン学会技術報告VR63−２、1984
などに開示されている。このようなスパイク状雑
音は場合によつては信号と同程度の大きさにもな
ることがあり、大きな問題となつている。 このようなスパイク状雑音を減少させる試みも
幾つかなされている。上記した文献VR63−２で
述べられているように軟磁性層の抗磁力を数エル
ステツド以上にすることの他に、薄い軟磁性層を
極く薄く非磁性層をはさんで複数層積層すること
（特開昭58−166531参照）、および軟磁性層とCo
−Crなどの垂直磁化膜層との間に反強磁性層を
形成すること（特開昭59−48822参照）などが知
られている。しかし軟磁性層を複数層積層した
り、反強磁性層を形成するなどの前記の方法によ
れば、特に工業的な作製規模においてはスパツタ
−ターゲツトや蒸着ルツボの数が多くなるなどの
点で非常に不利である。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、軟磁性層としてパーマロイやセ
ンダストより飽和磁速密度の大きいCo−Zr系の
非晶質磁性薄膜を用い、該非晶質磁性薄膜中に少
なくともＸ−線回析法により検出できる程度の結
晶相を析出させることによつてスパイク状雑音を
低減させることができること、および非晶質磁性
薄膜中に若干の結晶相の析出があつても、その上
に形成されるCo−Cr層の結晶配向度が、実質的
に非晶質である磁性膜上に形成された場合の結晶
配向度と同程度に高くできることを新規に知見し
て、本発明をなすに至つた。 本発明においては軟磁性膜としてCo−Zr、Co
−Cr−Zrを、また垂直磁化膜としてCo−Crを選
んで実験したが、軟磁性膜としては非晶質磁性膜
になることが知られている。Co−Ta、Co−Mo、
Co−Ｗ、Co−Ti、Co−Hf、Co−Ｙ、Co−Nb
およびこれらの複合系、ならびにCoの一部をFe、
Ni、Mn、Ｖで置換したもの、および稀土類元素
を少量含むこれらの系などを用いることも可能で
ある。また垂直磁化膜としてはCo−Re、Co−
Os、Co−Ru、Co−Ｖ、Co−Ni−Crなど、およ
びこれらの系に少量のＹ、稀土類元素、Nb、Zr、
Tiなどを含むものを用いることも可能である。 次に本発明を実験ならびにその結果について説
明する。 本発明で用いた磁性膜形成装置はマグネトロン
式のスパツター装置であり、直経８インチのター
ゲツトを使用した。基板としてはポリエチレンテ
レフタレート（以下PETと略称）およびポリイ
ミドを用いた。PETの耐熱性を考慮してスパツ
ター電力は200Wとした。組成を変える場合には
５mm角のZrおよびCrをターゲツト上に配置した。 ターゲツト組成をCo91.2Zr8.8およびCo93.0Zr7.0
として、厚さ約0.5μｍのCo−Zr膜を形成した。
Co91.2Zr8.8を用いた時のアルゴンガス圧力Ｐと膜
の抗磁力HCの関係を第１図に曲線１で示す。ア
ルゴン圧力の上昇に伴つてHCは大きくなる傾向
を示しているが、10×10-3Torr以下ではHCは１
エルステツド以下である。これらの膜のＸ−線回
析を島津製作所製の回折装置を用いて行つた。線
源をFeとし、30kV、８ｍＡで駆動してレートメ
ーター感度を200で測定した。結果の一例を第２
図ａに示す。この結果は非晶質相のみによるブロ
ードな回折のみを示しており、後に示すような結
晶相によるシヤープな回折線は現われていない。
なお2θ＜40゜の強い回折線は基板によるものであ
る。従つて実質的に非晶質であると想定された。
第１図に示されているアルゴン圧力の範囲で作製
された全てのCo−Zr膜においてほぼ同様なＸ−
線回折パターンが観察された。次にこれらのCo
−Zr膜上にCo−Cr膜を１×10-3Torrのアルゴン
圧力で厚さ約0.2μｍに形成した。Co−Cr層の
（002）面によるロツキング曲線を測定し、その半
値幅Δθ50を膜面に垂直な方向からのＣ−軸の分
散角として求めた。Co−Zr膜作製時のアルゴン
圧力Ｐを横軸に、縦軸には上記のようにして求め
たCo−Cr膜のΔθ50を取つてその関係を示したの
が第１図の曲線２である。Co−Zr膜作製時アル
ゴン圧力が４×10-3Torr以上ではΔθ50が急激に
大きくなり、Co−Cr膜の結晶配向が乱れてくる
ことがわかる。これはCo−Zr膜作製時のアルゴ
ン圧力が上昇するに従つて、その表面がCo−Cr
層の結晶配向に適さないような状態になつていく
ためと思われる。 これらの２層膜媒体を用い、特開昭54−51804
や昭54−51810などで公開されている補助磁極励
磁型の垂直ヘツドを用いて記録再生を行つたとこ
ろCo−Zr膜のHCが0.5エルステツド程度に小さ
い媒体では信号出力と同程度に大きいスパイク状
雑音が観測された。さらにCo−Zr膜のHCが大き
くなるに従つてスパイク状雑音が小さくなること
も観測されたが、第１図に示された結果の範囲で
はスパイク状雑音を再生増幅器のノイズレベル以
下にすることは出来なかつた。ターゲツトの組成
が７原子％以上として作製したCo−Zr膜を軟磁
性層として用いた時には殆んど上記の結果と同じ
であつた。 以上に述べた如くCo系の軟磁性層がＸ−線回
折において、シヤープな回折線すなわち結晶相に
よる明瞭な回折線を示さないような実質的に非晶
質である場合にはスパイク状雑音が大きいか、又
はスパイク状雑音を小さくするためにCo−Zr膜
形成時アルゴン圧力を高くすると、その上に形成
されるCo−Cr層の結晶配向度が非常に悪化し、
垂直磁気記録媒体としては好ましくないものしか
得られなかつた。 次に本発明を実施例について説明する。 実施例 Co−Cr−Zr膜を軟磁性層として形成した。
Co93.0Zr7.0ターゲツト上にCrペレツトを配置し、
Co−Zr膜の場合と同様にして作製した。ターゲ
ゲツト上の面積比にしてCrを３％以下とした場
合は第１図に示したCo−Zr膜とほぼ同様な結果
であり、垂直媒体用の軟磁性層として好ましいも
のではなかつた。しかしCrを３％以上にした場
合、低アルゴン圧力下で成膜した時抗磁力HCの
増大することが観察された。第３図にはCrが1.3
％および３％の時のアルゴン圧力Ｐと抗磁力HC
の関係をそれぞれ曲線１および２に示す。先の実
験と同様にしてＸ−線回折を行つたところ、Cr3
％の場合アルゴン圧力が0.7×10-3Torr以下で作
製したCo−Cr−Zr膜にシヤープな回折線が認め
られ、結晶相が析出していることが確認された。
その一例を第２図のｂに示す。2θ＝56.2゜附近に
シヤープな回折線が出現しており、これは六方晶
最密構造の（002）面による回折線である。さら
にCrを多くした場合の回折線の例を第２図ｃに
示す。この場合には2θ＝52.3゜附近にも結晶相に
よる回折線が現われている。場合によつては2θ＝
60.2゜附近にも回折線が出現した。2θ＝52.3゜およ
び60.2゜の回折線はそれぞれ六方晶最密構造の
（100）および（101）面による回折線であると考
えられた。第４図は2θが52.3゜（曲線１）、56.2゜（
曲
線２）および60.2゜（曲線３）に出現している結晶
相による回折線の相対強度に対して抗磁力Hcを
プロツトした図である。先に述べたように３本の
回折線は必ずしも同時に出現するわけではなく、
従つてCo−Cr−Zr層中における六方晶の析出し
た結晶は或る程度配向している可能性もあると考
えられる。第４図によれば結晶相の析出量が多く
なるに従つて抗磁力Hcが大きくなる傾向を示す。 次にこれらのCo−Cr−Zr膜上に厚さ0.2μｍの
Co−Cr膜を１×10-3Torrのアルゴン圧力下で形
成した。Cr3％の時のCo−Cr−Zr膜作製時アル
ゴン圧力とCo−Cr膜の結晶配向角Δθ50の関係を
第３図の曲線３で示す。前述した如く0.7×
10-3Torr以下ではCo−Cr−Zr膜に結晶相の析出
が認められるにも拘らず、その上に形成される
Co−Cr層の結晶配向度は極めて良いことがわか
る。 先の実施例の場合と同様にして垂直ヘツドを用
いて記録再生を行つた。これらの結果と先の実施
例の結果をまとめて表に示す。Co−Cr−Zr層の
組成はターゲツトの組成で示す。この表にはCo
−Cr−Zr層のHc、結晶相の析出の有無、Co−Cr
−Zr膜上のCo−Cr層の結晶配向角Δθ50、および
２層膜媒体でのスパイク状雑音の大きさの程度を
示す。この表で明らかなように軟磁性層に結晶相
の析出がＸ−線回折法で明らかに観測される場合
にHcが数エルステツド以上となりスパイク状雑
音が観測されなかつた。大よそHc＞６エルステ
ツドでスパイク状雑音は観測されなかつた。
り、特にスパイク状雑音の少い優れた特性を有す
る垂直磁気記録媒体に関するものである。 （従来技術） 垂直磁気記録方式は本質的に高密度の磁気記録
に適した方式である。この記録方式に用いられる
記録媒体としてはCo−Crなどの垂直磁化膜層の
みからなる単層膜媒体と、パーマロイなどの軟磁
性層とCo−Crなどの垂直磁化膜層からなる２層
膜媒体が知られており、特に２層膜媒体は垂直ヘ
ツドとの組み合わせにおいて優れた特性を有して
いることが、例えば特開昭54−51804などによつ
て開示されている。垂直磁化膜層はCo系の六方
晶最密構造を有する合金のＣ−軸を基板面に垂直
に配向させることにより、結晶磁気異方性によつ
て媒体の厚み方向に磁化容易軸を有するものが主
流となつている。垂直磁化膜層の材料組成として
はCo−Cr系が代表的なものであるがその他に特
開昭57−17807によればCo−Ru、Co−Re、Co−
Osが、（電子通信学会磁気記録研究会、MR82−
22、1982）によればCo−Ｖが、特開昭56−
107506によればCo−Ni−Crが、さらに特開昭58
−189349〜189352によればCo−Crに稀土類元素
やＹ、Zr、Ti、Nbなどの第３元素を添加したも
のなどが開示されている。垂直磁化膜層の特性と
しては基板面に垂直な方向からのＣ−軸の分散角
の小さいことおよび異方性磁界の大きいことが必
要と考えられている。 ２層膜媒体における裏打ち層としての軟磁性層
は垂直ヘツドの一部として作用し、これが存在し
ない場合に比べて記録感度は約１桁高くなること
が例えば特開昭54−51804によつて知られている。
また軟磁性層の透磁率が高いと媒体とヘツドとの
相互作用が強まり再生出力が増加することが、例
えば電気関係学会東北支部連合大会、〔2H−４〕、
P.258、1983によつて知られている。さらに軟磁
性層の飽和磁束密度が高いと、媒体として必要と
なる厚みがより薄くてもよいことが、例えば電子
通信学会磁気記録研究会MR83−７、1983により
知られている。軟磁性層が薄くてもよいことは、
膜形成時間が短縮できるばかりではなく可撓性の
ある非磁性基板上に形成する場合には媒体の可撓
性を増すことができ実用上有利である。すなわち
軟磁性層に要求される特性としては透磁率の高い
こと、および飽和磁束密度の大きいことがあげら
れ、その他の特性として軟磁性膜上に形成される
垂直磁化膜層の結晶配向を妨げないような表面状
態であることも必要である。パーマロイを軟磁性
膜として用いた時に、その上に形成されるCo−
Cr膜の結晶配向を上げるためには、パーマロイ
の＜111＞軸を基板面に垂直に配向させることが
必要であることは広く知られており、Co−Crが
パーマロイの（111）面上にエピタキシアル成長
するものと信じられている。又、特開昭57−
36435により軟磁性層としてセンダストを用いる
ことも知られている。 軟磁性膜としてCo系の非晶質磁性膜を用いる
ことが特開昭57−208631、同昭58−141433、同昭
58−166531、同昭58−169331などに開示されてい
る。Co系の非晶質磁性膜ではパーマロイやセン
ダストより高い飽和磁束密度を有するものが得ら
れ、上述した如き観点からは２層膜垂直媒体用の
軟磁性層としてはパーマロイやセンダストより有
利である。但しこのような非晶質膜上へのCo−
Crの結晶配向度を上げるための形成条件につい
ては必ずしも明確にはなつていない。 （解決が要求とされる問題点） ところで上記の如き２層膜媒体に垂直ヘツドを
用いて記録を行うと、記録時にスパイク状雑音が
観測されることがある。このスパイク状雑音は軟
磁性層に起因するものであることが特開昭58−
166531により知られており、また軟磁性層の抗磁
力が小さい場合程スパイク状雑音が大きくなるこ
とがテレビジヨン学会技術報告VR63−２、1984
などに開示されている。このようなスパイク状雑
音は場合によつては信号と同程度の大きさにもな
ることがあり、大きな問題となつている。 このようなスパイク状雑音を減少させる試みも
幾つかなされている。上記した文献VR63−２で
述べられているように軟磁性層の抗磁力を数エル
ステツド以上にすることの他に、薄い軟磁性層を
極く薄く非磁性層をはさんで複数層積層すること
（特開昭58−166531参照）、および軟磁性層とCo
−Crなどの垂直磁化膜層との間に反強磁性層を
形成すること（特開昭59−48822参照）などが知
られている。しかし軟磁性層を複数層積層した
り、反強磁性層を形成するなどの前記の方法によ
れば、特に工業的な作製規模においてはスパツタ
−ターゲツトや蒸着ルツボの数が多くなるなどの
点で非常に不利である。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、軟磁性層としてパーマロイやセ
ンダストより飽和磁速密度の大きいCo−Zr系の
非晶質磁性薄膜を用い、該非晶質磁性薄膜中に少
なくともＸ−線回析法により検出できる程度の結
晶相を析出させることによつてスパイク状雑音を
低減させることができること、および非晶質磁性
薄膜中に若干の結晶相の析出があつても、その上
に形成されるCo−Cr層の結晶配向度が、実質的
に非晶質である磁性膜上に形成された場合の結晶
配向度と同程度に高くできることを新規に知見し
て、本発明をなすに至つた。 本発明においては軟磁性膜としてCo−Zr、Co
−Cr−Zrを、また垂直磁化膜としてCo−Crを選
んで実験したが、軟磁性膜としては非晶質磁性膜
になることが知られている。Co−Ta、Co−Mo、
Co−Ｗ、Co−Ti、Co−Hf、Co−Ｙ、Co−Nb
およびこれらの複合系、ならびにCoの一部をFe、
Ni、Mn、Ｖで置換したもの、および稀土類元素
を少量含むこれらの系などを用いることも可能で
ある。また垂直磁化膜としてはCo−Re、Co−
Os、Co−Ru、Co−Ｖ、Co−Ni−Crなど、およ
びこれらの系に少量のＹ、稀土類元素、Nb、Zr、
Tiなどを含むものを用いることも可能である。 次に本発明を実験ならびにその結果について説
明する。 本発明で用いた磁性膜形成装置はマグネトロン
式のスパツター装置であり、直経８インチのター
ゲツトを使用した。基板としてはポリエチレンテ
レフタレート（以下PETと略称）およびポリイ
ミドを用いた。PETの耐熱性を考慮してスパツ
ター電力は200Wとした。組成を変える場合には
５mm角のZrおよびCrをターゲツト上に配置した。 ターゲツト組成をCo91.2Zr8.8およびCo93.0Zr7.0
として、厚さ約0.5μｍのCo−Zr膜を形成した。
Co91.2Zr8.8を用いた時のアルゴンガス圧力Ｐと膜
の抗磁力HCの関係を第１図に曲線１で示す。ア
ルゴン圧力の上昇に伴つてHCは大きくなる傾向
を示しているが、10×10-3Torr以下ではHCは１
エルステツド以下である。これらの膜のＸ−線回
析を島津製作所製の回折装置を用いて行つた。線
源をFeとし、30kV、８ｍＡで駆動してレートメ
ーター感度を200で測定した。結果の一例を第２
図ａに示す。この結果は非晶質相のみによるブロ
ードな回折のみを示しており、後に示すような結
晶相によるシヤープな回折線は現われていない。
なお2θ＜40゜の強い回折線は基板によるものであ
る。従つて実質的に非晶質であると想定された。
第１図に示されているアルゴン圧力の範囲で作製
された全てのCo−Zr膜においてほぼ同様なＸ−
線回折パターンが観察された。次にこれらのCo
−Zr膜上にCo−Cr膜を１×10-3Torrのアルゴン
圧力で厚さ約0.2μｍに形成した。Co−Cr層の
（002）面によるロツキング曲線を測定し、その半
値幅Δθ50を膜面に垂直な方向からのＣ−軸の分
散角として求めた。Co−Zr膜作製時のアルゴン
圧力Ｐを横軸に、縦軸には上記のようにして求め
たCo−Cr膜のΔθ50を取つてその関係を示したの
が第１図の曲線２である。Co−Zr膜作製時アル
ゴン圧力が４×10-3Torr以上ではΔθ50が急激に
大きくなり、Co−Cr膜の結晶配向が乱れてくる
ことがわかる。これはCo−Zr膜作製時のアルゴ
ン圧力が上昇するに従つて、その表面がCo−Cr
層の結晶配向に適さないような状態になつていく
ためと思われる。 これらの２層膜媒体を用い、特開昭54−51804
や昭54−51810などで公開されている補助磁極励
磁型の垂直ヘツドを用いて記録再生を行つたとこ
ろCo−Zr膜のHCが0.5エルステツド程度に小さ
い媒体では信号出力と同程度に大きいスパイク状
雑音が観測された。さらにCo−Zr膜のHCが大き
くなるに従つてスパイク状雑音が小さくなること
も観測されたが、第１図に示された結果の範囲で
はスパイク状雑音を再生増幅器のノイズレベル以
下にすることは出来なかつた。ターゲツトの組成
が７原子％以上として作製したCo−Zr膜を軟磁
性層として用いた時には殆んど上記の結果と同じ
であつた。 以上に述べた如くCo系の軟磁性層がＸ−線回
折において、シヤープな回折線すなわち結晶相に
よる明瞭な回折線を示さないような実質的に非晶
質である場合にはスパイク状雑音が大きいか、又
はスパイク状雑音を小さくするためにCo−Zr膜
形成時アルゴン圧力を高くすると、その上に形成
されるCo−Cr層の結晶配向度が非常に悪化し、
垂直磁気記録媒体としては好ましくないものしか
得られなかつた。 次に本発明を実施例について説明する。 実施例 Co−Cr−Zr膜を軟磁性層として形成した。
Co93.0Zr7.0ターゲツト上にCrペレツトを配置し、
Co−Zr膜の場合と同様にして作製した。ターゲ
ゲツト上の面積比にしてCrを３％以下とした場
合は第１図に示したCo−Zr膜とほぼ同様な結果
であり、垂直媒体用の軟磁性層として好ましいも
のではなかつた。しかしCrを３％以上にした場
合、低アルゴン圧力下で成膜した時抗磁力HCの
増大することが観察された。第３図にはCrが1.3
％および３％の時のアルゴン圧力Ｐと抗磁力HC
の関係をそれぞれ曲線１および２に示す。先の実
験と同様にしてＸ−線回折を行つたところ、Cr3
％の場合アルゴン圧力が0.7×10-3Torr以下で作
製したCo−Cr−Zr膜にシヤープな回折線が認め
られ、結晶相が析出していることが確認された。
その一例を第２図のｂに示す。2θ＝56.2゜附近に
シヤープな回折線が出現しており、これは六方晶
最密構造の（002）面による回折線である。さら
にCrを多くした場合の回折線の例を第２図ｃに
示す。この場合には2θ＝52.3゜附近にも結晶相に
よる回折線が現われている。場合によつては2θ＝
60.2゜附近にも回折線が出現した。2θ＝52.3゜およ
び60.2゜の回折線はそれぞれ六方晶最密構造の
（100）および（101）面による回折線であると考
えられた。第４図は2θが52.3゜（曲線１）、56.2゜（
曲
線２）および60.2゜（曲線３）に出現している結晶
相による回折線の相対強度に対して抗磁力Hcを
プロツトした図である。先に述べたように３本の
回折線は必ずしも同時に出現するわけではなく、
従つてCo−Cr−Zr層中における六方晶の析出し
た結晶は或る程度配向している可能性もあると考
えられる。第４図によれば結晶相の析出量が多く
なるに従つて抗磁力Hcが大きくなる傾向を示す。 次にこれらのCo−Cr−Zr膜上に厚さ0.2μｍの
Co−Cr膜を１×10-3Torrのアルゴン圧力下で形
成した。Cr3％の時のCo−Cr−Zr膜作製時アル
ゴン圧力とCo−Cr膜の結晶配向角Δθ50の関係を
第３図の曲線３で示す。前述した如く0.7×
10-3Torr以下ではCo−Cr−Zr膜に結晶相の析出
が認められるにも拘らず、その上に形成される
Co−Cr層の結晶配向度は極めて良いことがわか
る。 先の実施例の場合と同様にして垂直ヘツドを用
いて記録再生を行つた。これらの結果と先の実施
例の結果をまとめて表に示す。Co−Cr−Zr層の
組成はターゲツトの組成で示す。この表にはCo
−Cr−Zr層のHc、結晶相の析出の有無、Co−Cr
−Zr膜上のCo−Cr層の結晶配向角Δθ50、および
２層膜媒体でのスパイク状雑音の大きさの程度を
示す。この表で明らかなように軟磁性層に結晶相
の析出がＸ−線回折法で明らかに観測される場合
にHcが数エルステツド以上となりスパイク状雑
音が観測されなかつた。大よそHc＞６エルステ
ツドでスパイク状雑音は観測されなかつた。
【表】
（発明の効果）
以上に述べた如くCo−Zr系の非晶質磁性薄膜
を２層膜垂直媒体用の軟磁性層として用い、さら
にその上に形成するCo−Cr層の結晶配向角を垂
直媒体として好ましいものにしようとする場合、
軟磁性層中に結晶層の析出がないか、あつたとし
てもＸ−線回折法で確認できないような微少量の
析出状態においてはスパイク状雑音はさけられ
ず、結晶相の析出がＸ−線回折法で確認できる場
合にのみスパイク状雑音をさけることができた。
しかも結晶相の析出があつても、その上に形成さ
れるCo−Cr垂直磁化膜層の結晶配向性は左右さ
れず、軟磁性層形成時のアルゴン圧力を低くする
ことによつて結晶配向角を10゜以下にもすること
ができる。さらに結晶相の析出する組成領域では
非晶質相のみから成る組成領域よりZrなどの非
晶質形成能を有する元素の割合を少くできるた
め、より大きい飽和磁束密度を有する材料の利用
が可能となる。ちなみに本実施例におけるCo−
Zr系軟磁性層の飽和磁束密度は10000〜14000ガ
ウスであつたが、さらに15000ガウス以上のもの
も利用可能となる。従つてパーマロイやセンダス
トよりかなり飽和磁束密度の大きいものが利用可
能となり、より短時間で形成可能とる。さらにス
パツター法で２層膜垂直媒体を形成するに当つて
必要となるターゲツト数も媒体の片面当り２種類
ですみ、工業的価値も大きい。
を２層膜垂直媒体用の軟磁性層として用い、さら
にその上に形成するCo−Cr層の結晶配向角を垂
直媒体として好ましいものにしようとする場合、
軟磁性層中に結晶層の析出がないか、あつたとし
てもＸ−線回折法で確認できないような微少量の
析出状態においてはスパイク状雑音はさけられ
ず、結晶相の析出がＸ−線回折法で確認できる場
合にのみスパイク状雑音をさけることができた。
しかも結晶相の析出があつても、その上に形成さ
れるCo−Cr垂直磁化膜層の結晶配向性は左右さ
れず、軟磁性層形成時のアルゴン圧力を低くする
ことによつて結晶配向角を10゜以下にもすること
ができる。さらに結晶相の析出する組成領域では
非晶質相のみから成る組成領域よりZrなどの非
晶質形成能を有する元素の割合を少くできるた
め、より大きい飽和磁束密度を有する材料の利用
が可能となる。ちなみに本実施例におけるCo−
Zr系軟磁性層の飽和磁束密度は10000〜14000ガ
ウスであつたが、さらに15000ガウス以上のもの
も利用可能となる。従つてパーマロイやセンダス
トよりかなり飽和磁束密度の大きいものが利用可
能となり、より短時間で形成可能とる。さらにス
パツター法で２層膜垂直媒体を形成するに当つて
必要となるターゲツト数も媒体の片面当り２種類
ですみ、工業的価値も大きい。
第１図はCo−Zr膜形成時のアルゴン圧力と抗
磁力の関係およびその上に形成されたCo−Cr膜
の結晶配向角の関係を示す図、第２図ａ，ｂ，ｃ
はそれぞれＸ−線回折による軟磁性層の回折パタ
ーンを示す図、第３図はCo−Cr−Zr膜形成時の
アルゴン圧力に対する抗磁力およびその上に形成
されたCo−Cr層の結晶配向角の関係を示す図で
あり、第４図は軟磁性層中に析出した結晶相の３
本の回折線の相対強度に対する抗磁力の関係を示
す図である。
磁力の関係およびその上に形成されたCo−Cr膜
の結晶配向角の関係を示す図、第２図ａ，ｂ，ｃ
はそれぞれＸ−線回折による軟磁性層の回折パタ
ーンを示す図、第３図はCo−Cr−Zr膜形成時の
アルゴン圧力に対する抗磁力およびその上に形成
されたCo−Cr層の結晶配向角の関係を示す図で
あり、第４図は軟磁性層中に析出した結晶相の３
本の回折線の相対強度に対する抗磁力の関係を示
す図である。
Claims (1)
- １ 非磁性基板上に形成した軟磁性層とCo−Cr
を主成分とする垂直磁化膜層からなる２層垂直磁
気記録媒体において、前記軟磁性層が大部分を占
める非晶質相と小部分を占める結晶質相の混合相
であり、かかる軟磁性層中の前記結晶質相の量
は、少なくともＸ−線回折法によつて検出できる
程度含まれていることを特徴とする垂直磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23847484A JPS61117725A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23847484A JPS61117725A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117725A JPS61117725A (ja) | 1986-06-05 |
| JPH0322649B2 true JPH0322649B2 (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=17030773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23847484A Granted JPS61117725A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61117725A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196622A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS5975428A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-11-14 JP JP23847484A patent/JPS61117725A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196622A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS5975428A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61117725A (ja) | 1986-06-05 |
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