JPH0517608B2 - - Google Patents
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- JPH0517608B2 JPH0517608B2 JP59218251A JP21825184A JPH0517608B2 JP H0517608 B2 JPH0517608 B2 JP H0517608B2 JP 59218251 A JP59218251 A JP 59218251A JP 21825184 A JP21825184 A JP 21825184A JP H0517608 B2 JPH0517608 B2 JP H0517608B2
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
-
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、記録媒体磁性面に対して垂直方向の
残留磁化を用いて信号の記録を行ういわゆる垂直
磁化記録方式において使用される垂直磁気記録媒
体の製造方法に関するものである。
残留磁化を用いて信号の記録を行ういわゆる垂直
磁化記録方式において使用される垂直磁気記録媒
体の製造方法に関するものである。
従来、例えばコンピユータ等の記憶媒体やオー
デイオテープレコーダやビデオテープレコーダ等
の記録媒体として使用される磁気記録媒体におい
ては、一般に基板上に被着形成される磁気記録層
に対して水平方向の磁化（面内方向磁化）を行つ
てその記録を行つている。
デイオテープレコーダやビデオテープレコーダ等
の記録媒体として使用される磁気記録媒体におい
ては、一般に基板上に被着形成される磁気記録層
に対して水平方向の磁化（面内方向磁化）を行つ
てその記録を行つている。
ところが、この面内方向磁化による記録の場
合、記録信号が短波長になるにつれ、すなわち記
録密度が高まるにつれ、媒体内の反磁界が増して
残留磁束密度が減衰し、再生出力が減少するとい
う欠点を有している。
合、記録信号が短波長になるにつれ、すなわち記
録密度が高まるにつれ、媒体内の反磁界が増して
残留磁束密度が減衰し、再生出力が減少するとい
う欠点を有している。
そこでさらに従来、磁気記録媒体の記録層の厚
さ方向に磁化により記録を行う垂直磁気記録方式
が提案されており、この垂直磁気記録方式によれ
ば記録波長が短波長になるにしたがい減磁界が小
さくなることから、特に短波長記録，高密度記録
において上述した面内方向磁化による記録よりも
有利であることが知られている。
さ方向に磁化により記録を行う垂直磁気記録方式
が提案されており、この垂直磁気記録方式によれ
ば記録波長が短波長になるにしたがい減磁界が小
さくなることから、特に短波長記録，高密度記録
において上述した面内方向磁化による記録よりも
有利であることが知られている。
そして、この種の記録方式に用いられる垂直磁
気記録媒体としては、高分子フイルム等の非磁性
基板上にCo−Cr合金等により垂直磁気記録層を
被着形成したものが考えられているが、なかでも
上記非磁性基板と垂直磁化記録層との間に面内磁
性層としてFe−Ni合金からなる高透磁率磁性薄
膜層を設け、記録効率や再生効率の向上を図つた
２層膜垂直磁気記録媒体が注目されている。
気記録媒体としては、高分子フイルム等の非磁性
基板上にCo−Cr合金等により垂直磁気記録層を
被着形成したものが考えられているが、なかでも
上記非磁性基板と垂直磁化記録層との間に面内磁
性層としてFe−Ni合金からなる高透磁率磁性薄
膜層を設け、記録効率や再生効率の向上を図つた
２層膜垂直磁気記録媒体が注目されている。
ところで、この２層膜垂直磁気記録媒体におい
ては、上記面内磁性層，すなわち高透磁率磁性薄
膜の磁気特性が重要で、この高透磁率磁性薄膜層
としてもちいられるFe−Ni合金膜には、磁化さ
れ易いこと、すなわち抗磁力Hcが小さいこと、
0.3〜0.5μm程度の膜厚を有すること、量産性に優
れていること等が要求される。例えば上記高透磁
率磁性薄膜層の抗磁力Hcが高いと、この高透磁
率磁性薄膜層における磁気抵抗が大きくなつて得
られる垂直磁気記録媒体の記録効率や再生効率を
低下してしまう。
ては、上記面内磁性層，すなわち高透磁率磁性薄
膜の磁気特性が重要で、この高透磁率磁性薄膜層
としてもちいられるFe−Ni合金膜には、磁化さ
れ易いこと、すなわち抗磁力Hcが小さいこと、
0.3〜0.5μm程度の膜厚を有すること、量産性に優
れていること等が要求される。例えば上記高透磁
率磁性薄膜層の抗磁力Hcが高いと、この高透磁
率磁性薄膜層における磁気抵抗が大きくなつて得
られる垂直磁気記録媒体の記録効率や再生効率を
低下してしまう。
従来、抗磁力Hcの小さいFe−Ni合金として
は、21.5重量％Fe−78.5重量％Niの組成のものが
知られているが、本発明者等の実験によれば、こ
の組成のFe−Ni合金を用いて膜厚0.39μmのFe−
Ni膜を作製したところ、基板温度が220℃以下で
は、抗磁力Hcが20〜30Oeと大きくなつてしま
い、抗磁力Hcが20e以下の膜を得るには基板温度
を260℃以上に設定する必要があることが判明し
た。このように基板温度を高く設定しなくてはな
らないことは、基板に使用するプラスチツクフイ
ルムに対する耐熱性の要求が厳しくなる点で、ま
た製造装置の耐久性等装置上の問題等から、好ま
しくない。
は、21.5重量％Fe−78.5重量％Niの組成のものが
知られているが、本発明者等の実験によれば、こ
の組成のFe−Ni合金を用いて膜厚0.39μmのFe−
Ni膜を作製したところ、基板温度が220℃以下で
は、抗磁力Hcが20〜30Oeと大きくなつてしま
い、抗磁力Hcが20e以下の膜を得るには基板温度
を260℃以上に設定する必要があることが判明し
た。このように基板温度を高く設定しなくてはな
らないことは、基板に使用するプラスチツクフイ
ルムに対する耐熱性の要求が厳しくなる点で、ま
た製造装置の耐久性等装置上の問題等から、好ま
しくない。
また、上記膜厚の問題を解消するために、例え
ば２層のFe−Ni膜の間にTi膜を挟んだ構造と
し、抗磁力Hcを小さくすることが提案されてい
るが、この方法では３回蒸着操作が必要なことか
ら量産性の点で好ましくないばかりか、非磁性の
Ti層が存在することは磁気特性の低下の原因と
もなり、高透磁率磁性薄膜層の目的からいつて好
ましくない。
ば２層のFe−Ni膜の間にTi膜を挟んだ構造と
し、抗磁力Hcを小さくすることが提案されてい
るが、この方法では３回蒸着操作が必要なことか
ら量産性の点で好ましくないばかりか、非磁性の
Ti層が存在することは磁気特性の低下の原因と
もなり、高透磁率磁性薄膜層の目的からいつて好
ましくない。
一方、上記量産性の点からは、上記高透磁率磁
性薄膜層の膜付け方法として真空蒸着法を採用す
ることが望ましい。これは、上記真空蒸着法がス
パツタ法等に比べて膜付け速度が速いことによる
もので、例えばスパツタ法での膜付け速度がおよ
そ170Å／sec.であるのに対して、真空蒸着法で
の膜付け速度はおよそ5000Å／sec.と30倍程度で
ある。
性薄膜層の膜付け方法として真空蒸着法を採用す
ることが望ましい。これは、上記真空蒸着法がス
パツタ法等に比べて膜付け速度が速いことによる
もので、例えばスパツタ法での膜付け速度がおよ
そ170Å／sec.であるのに対して、真空蒸着法で
の膜付け速度はおよそ5000Å／sec.と30倍程度で
ある。
このように、上記面内磁化膜として用いられる
高透磁率磁性薄膜層にあつては、量産性を確保し
ながら抗磁力Hcを低下することが大きな課題と
なつている。
高透磁率磁性薄膜層にあつては、量産性を確保し
ながら抗磁力Hcを低下することが大きな課題と
なつている。
そこで本発明は、前述の当該技術分野の要望に
応えて提案されたものであつて、磁化膜として優
れた特性を示し、特に抗磁力Hcの小さな高透磁
率磁性薄膜層を量産性良く製造し得る製造方法を
提供し、もつて記録効率や再生効率の優れた垂直
磁気記録媒体を製造することが可能な垂直磁気記
録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
応えて提案されたものであつて、磁化膜として優
れた特性を示し、特に抗磁力Hcの小さな高透磁
率磁性薄膜層を量産性良く製造し得る製造方法を
提供し、もつて記録効率や再生効率の優れた垂直
磁気記録媒体を製造することが可能な垂直磁気記
録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
本発明者等は、抗磁力Hcの小さなFe−Ni膜の
作製方法を見出すため、まず、21.5重量％Fe−
78.5重量％Niの組成を有するFe−Ni膜の高抗磁
力の原因について検討した。
作製方法を見出すため、まず、21.5重量％Fe−
78.5重量％Niの組成を有するFe−Ni膜の高抗磁
力の原因について検討した。
その結果、上記組成のFe−Ni膜においては磁
気弾性異方性を起源とする垂直磁気異方性が生じ
ており、この垂直磁気異方性のためにある一定の
膜厚以上の膜には縞状磁区が形成され、このため
に抗磁力が大きくなるということが判明した。
気弾性異方性を起源とする垂直磁気異方性が生じ
ており、この垂直磁気異方性のためにある一定の
膜厚以上の膜には縞状磁区が形成され、このため
に抗磁力が大きくなるということが判明した。
ここで、上記磁気弾性異方性Ｋは磁歪定数λ及
び内部応力σと Ｋ＝３／２λσ ……第１式 なる第１式の関係にある。
び内部応力σと Ｋ＝３／２λσ ……第１式 なる第１式の関係にある。
したがつて、上記抗磁力を小さくするには、す
なわち磁気弾性異方性Ｋを小さくするには、磁歪
定数λ及び内部応力σを小さくすればよい。この
内部応力σを小さくする方法の一つは、基板温度
を上げることであるが、あまり基板温度をあげる
ことは先に述べた通り好ましくない。一方、上記
磁歪定数λは合金組成によつて決まるものであつ
て、したがつて磁歪定数λの小さい組成を有する
Fe−Ni合金材料を用いることにより、抗磁力の
小さい膜が得られることが期待できる。
なわち磁気弾性異方性Ｋを小さくするには、磁歪
定数λ及び内部応力σを小さくすればよい。この
内部応力σを小さくする方法の一つは、基板温度
を上げることであるが、あまり基板温度をあげる
ことは先に述べた通り好ましくない。一方、上記
磁歪定数λは合金組成によつて決まるものであつ
て、したがつて磁歪定数λの小さい組成を有する
Fe−Ni合金材料を用いることにより、抗磁力の
小さい膜が得られることが期待できる。
本発明は以上のような知見に基づいて完成され
たものであつて、基体上にNiを81重量％〜86重
量％含有するFe−Ni合金よりなる高透磁率磁性
薄膜層を上記基体温度が220℃以上となるように
制御しながら蒸着形成した後、上記高透磁率磁性
薄膜層上に垂直磁気記録層を形成することを特徴
とするものである。
たものであつて、基体上にNiを81重量％〜86重
量％含有するFe−Ni合金よりなる高透磁率磁性
薄膜層を上記基体温度が220℃以上となるように
制御しながら蒸着形成した後、上記高透磁率磁性
薄膜層上に垂直磁気記録層を形成することを特徴
とするものである。
このように、Fe−Ni合金の組成及び蒸着時の
基板温度を所定範囲内に設定することにより、抗
磁力の小さなFe−Ni合金膜が１回の操作で生産
性良く得られる。
基板温度を所定範囲内に設定することにより、抗
磁力の小さなFe−Ni合金膜が１回の操作で生産
性良く得られる。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明においては、先ず、Fe−Ni合金インゴ
ツトの如き蒸発源とこの蒸発源を加熱するための
加熱手段（ヒータや電子銃等）とを備えた真空蒸
着装置内に、上記蒸発源と対向してポリイミド等
の非磁性材料により形成される基体を配置し、上
記蒸発源を上記加熱手段によつて加熱して上記基
体の表面に蒸発原子を被着し高透磁率磁性薄膜層
を蒸着形成する。
ツトの如き蒸発源とこの蒸発源を加熱するための
加熱手段（ヒータや電子銃等）とを備えた真空蒸
着装置内に、上記蒸発源と対向してポリイミド等
の非磁性材料により形成される基体を配置し、上
記蒸発源を上記加熱手段によつて加熱して上記基
体の表面に蒸発原子を被着し高透磁率磁性薄膜層
を蒸着形成する。
ここで、上記高透磁率磁性薄膜層の組成及び蒸
着時の基体の温度が重要であつて、これらを所定
の範囲内に設定することにより抗磁力を小さくす
ることができる。
着時の基体の温度が重要であつて、これらを所定
の範囲内に設定することにより抗磁力を小さくす
ることができる。
本発明者等の実験によれば、上記高透磁率磁性
薄膜層を構成するFe−Ni合金に含まれるNiの含
有量を制御することによつて、得られる高透磁率
磁性薄膜層の抗磁力Hcが大幅に小さくなること
が判明した。例えば、蒸着時の基体温度を220℃
に設定し、Fe−Ni合金に含まれるNiの量を変化
させ、膜厚0.39μmの高透磁率磁性薄膜層を作製
したところ、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁
力Hcは、第１図に示すように、81重量％Niから
86重量％Niの範囲に抗磁力Hc＜50eとなり、ま
た82重量％Niから83.5重量％Niの範囲で抗磁力
Hc＜20eとなつた。
薄膜層を構成するFe−Ni合金に含まれるNiの含
有量を制御することによつて、得られる高透磁率
磁性薄膜層の抗磁力Hcが大幅に小さくなること
が判明した。例えば、蒸着時の基体温度を220℃
に設定し、Fe−Ni合金に含まれるNiの量を変化
させ、膜厚0.39μmの高透磁率磁性薄膜層を作製
したところ、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁
力Hcは、第１図に示すように、81重量％Niから
86重量％Niの範囲に抗磁力Hc＜50eとなり、ま
た82重量％Niから83.5重量％Niの範囲で抗磁力
Hc＜20eとなつた。
一方、蒸着時の基体の温度を高くしておくこと
によつても、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁
力Hcが大幅に小さくなる。例えば、Fe18重量
％，Ni82重量％を含有するFe−Ni合金を用い、
基体温度を100℃〜300℃の範囲で変化させて膜厚
0.39μmの高透磁率磁性薄膜層を作製したところ、
得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Hcは、第
２図中曲線ａで示すように、基体温度を200℃以
上にすると急激に減少し、特に基体温度を220℃
以上とすれば抗磁力Hcが50e以下にまで減少する
ことが分かつた。同様に、Fe17重量％，Ni83重
量％を含有するFe−Ni合金を用いた場合には第
２図中曲線ｂで示すように、またFe16重量％，
Ni84重量％を含有するFe−Ni合金を用いた場合
には第２図中曲線ｃで示すように、それぞれ基体
温度の上昇に伴つて抗磁力Hcが急激に小さくな
り、基体温度を220℃以上とすることにより抗磁
力Hcを50e以下とすることができる。
によつても、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁
力Hcが大幅に小さくなる。例えば、Fe18重量
％，Ni82重量％を含有するFe−Ni合金を用い、
基体温度を100℃〜300℃の範囲で変化させて膜厚
0.39μmの高透磁率磁性薄膜層を作製したところ、
得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Hcは、第
２図中曲線ａで示すように、基体温度を200℃以
上にすると急激に減少し、特に基体温度を220℃
以上とすれば抗磁力Hcが50e以下にまで減少する
ことが分かつた。同様に、Fe17重量％，Ni83重
量％を含有するFe−Ni合金を用いた場合には第
２図中曲線ｂで示すように、またFe16重量％，
Ni84重量％を含有するFe−Ni合金を用いた場合
には第２図中曲線ｃで示すように、それぞれ基体
温度の上昇に伴つて抗磁力Hcが急激に小さくな
り、基体温度を220℃以上とすることにより抗磁
力Hcを50e以下とすることができる。
これに対して、Fe21.5重量％，Ni78.5重量％を
含有するFe−Ni合金を用いた場合には、第２図
中曲線ｄで示すように基体温度の上昇に伴つて抗
磁力Hcは減少するものの、この抗磁力Hcを50e
以下とするためには基体温度を260℃以上としな
ければならない。
含有するFe−Ni合金を用いた場合には、第２図
中曲線ｄで示すように基体温度の上昇に伴つて抗
磁力Hcは減少するものの、この抗磁力Hcを50e
以下とするためには基体温度を260℃以上としな
ければならない。
ところで、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁
力Hcは、上述のNiの含有量や基体の温度に加え
て、第３図に示すように膜厚にも依存し、例えば
基体温度を260℃に設定した場合には、第３図中
曲線Ａで示すように膜厚が大きくなるにしたがつ
て抗磁力Hcが単調に小さくなるが、基体の温度
が低いと、例えば基体温度150℃に設定した場合
には第３図中曲線Ｂで示すように、また基体温度
180℃に設定した場合には第３図中曲線Ｃでしめ
すように膜厚0.39μmで抗磁力Hcが最大となるこ
とが分かつた。したがつて、上述のように膜厚
0.39μmにおいて抗磁力Hcを満足するように基体
の温度を設定すれば、膜厚が異なつても抗磁力
Hcが充分に小さくなることは明らかである。
力Hcは、上述のNiの含有量や基体の温度に加え
て、第３図に示すように膜厚にも依存し、例えば
基体温度を260℃に設定した場合には、第３図中
曲線Ａで示すように膜厚が大きくなるにしたがつ
て抗磁力Hcが単調に小さくなるが、基体の温度
が低いと、例えば基体温度150℃に設定した場合
には第３図中曲線Ｂで示すように、また基体温度
180℃に設定した場合には第３図中曲線Ｃでしめ
すように膜厚0.39μmで抗磁力Hcが最大となるこ
とが分かつた。したがつて、上述のように膜厚
0.39μmにおいて抗磁力Hcを満足するように基体
の温度を設定すれば、膜厚が異なつても抗磁力
Hcが充分に小さくなることは明らかである。
以上のことから、Niの含有量が81〜86重量％
であるFe−Ni合金を用い、蒸着時の基体温度を
220℃以上に設定することにより抗磁力Hcを50e
以下に制御することができることがわかる。
であるFe−Ni合金を用い、蒸着時の基体温度を
220℃以上に設定することにより抗磁力Hcを50e
以下に制御することができることがわかる。
上述のように、Fe−Ni合金に含まれるNiの含
有量を適宜設定するとともに、上記Niの含有量
に応じて基体の温度を制御しながら高透磁率磁性
薄膜層を蒸着形成した後、この高透磁率磁性薄膜
層上にTi薄膜及び垂直磁化記録層を順次スパツ
タ法や真空蒸着法等により被着形成し、垂直磁気
記録媒体を完成する。なお、ここで被着方法とし
ては、生産性の点から真空蒸着法を採用すること
が好ましい。
有量を適宜設定するとともに、上記Niの含有量
に応じて基体の温度を制御しながら高透磁率磁性
薄膜層を蒸着形成した後、この高透磁率磁性薄膜
層上にTi薄膜及び垂直磁化記録層を順次スパツ
タ法や真空蒸着法等により被着形成し、垂直磁気
記録媒体を完成する。なお、ここで被着方法とし
ては、生産性の点から真空蒸着法を採用すること
が好ましい。
上記垂直磁化記録層は、通常この種の媒体に用
いられる手法，材質により作製され、例えばCr
を10〜25原子％を含み残部CoからなるCo−Cr合
金を被着することにより作製されるものである。
これによつて垂直方向の配向に優れた垂直磁化記
録層が得られる。
いられる手法，材質により作製され、例えばCr
を10〜25原子％を含み残部CoからなるCo−Cr合
金を被着することにより作製されるものである。
これによつて垂直方向の配向に優れた垂直磁化記
録層が得られる。
また、上記Ti薄膜は、上記垂直磁化記録層の
特性を向上するために設けられるものであつて、
その膜厚は100〜500Åに選定される。上記Ti薄
膜の膜厚が100Å未満では、Tiの連続膜が形成し
にくく、Tiの下地膜としての効果が不充分とな
る虞れがあり、また上記膜厚が500Åを越えても
垂直磁化記録層の磁気特性や機械的特性にこれ以
上の効果が認められない。なお、このTi薄膜は、
場合によつては無くともよい。
特性を向上するために設けられるものであつて、
その膜厚は100〜500Åに選定される。上記Ti薄
膜の膜厚が100Å未満では、Tiの連続膜が形成し
にくく、Tiの下地膜としての効果が不充分とな
る虞れがあり、また上記膜厚が500Åを越えても
垂直磁化記録層の磁気特性や機械的特性にこれ以
上の効果が認められない。なお、このTi薄膜は、
場合によつては無くともよい。
ところで、本発明は理論的に計算される磁歪定
数からも説明される。
数からも説明される。
以下、抗磁力Hcが小さい膜が得られる組成範
囲と磁歪定数λの関係について述べる。
囲と磁歪定数λの関係について述べる。
本発明で形成される高透磁率磁性薄膜層はFe
−Ni合金の多結晶膜として作製されるが、この
多結晶膜の磁歪定数λは単結晶の磁歪定数から近
似的に次式により計算される。
−Ni合金の多結晶膜として作製されるが、この
多結晶膜の磁歪定数λは単結晶の磁歪定数から近
似的に次式により計算される。
λ＝２／５λ100＋３／５λ111 ……第２式
この第２式から求めた磁歪定数λの値を第４図
に示す。なお、この第４図において、曲線はア
ール・エム・ボゾルス，ジエー・ジ−・ウオカー
（R.M.Bozorth and J.G.Walker）共著，フイジ
カル・レビユー83（1951）871（Phys.Rev.83
（1951）871）のデータから求めたものであり、曲
線はエフ・リヒテンベルガー（F.
Lichtenberger）著，アナレン・ベア・フイジー
ク15（1954）225（Ann.Physik15（1954）225）のデ
ータから求めたものである。
に示す。なお、この第４図において、曲線はア
ール・エム・ボゾルス，ジエー・ジ−・ウオカー
（R.M.Bozorth and J.G.Walker）共著，フイジ
カル・レビユー83（1951）871（Phys.Rev.83
（1951）871）のデータから求めたものであり、曲
線はエフ・リヒテンベルガー（F.
Lichtenberger）著，アナレン・ベア・フイジー
ク15（1954）225（Ann.Physik15（1954）225）のデ
ータから求めたものである。
この第４図より、抗磁力Hcの小さい膜が得ら
れる組成範囲は磁歪定数λの小さい組成範囲に対
応していることがわかる。
れる組成範囲は磁歪定数λの小さい組成範囲に対
応していることがわかる。
一方、結晶磁気異方性K1の組成依存性を第５
図に示す。なお、この第５図において、曲線は
アール・エム・ボゾルス，ジエー・ジー・ウオー
カー（R.M.Bozorth and J.G.Walker）共著，フ
イジカル・レビユー89（1953）624（Phys.Rev.89
（1953）624）のデータから求めたものであり、曲
線はアール・エム・ボゾルス（R.M.Bozorth）
著，レビユー・オブ・モダン・フイジツクス25
（1953）42（Rev.mod.Phys.25（1953）42）のデー
タから求めたものである。
図に示す。なお、この第５図において、曲線は
アール・エム・ボゾルス，ジエー・ジー・ウオー
カー（R.M.Bozorth and J.G.Walker）共著，フ
イジカル・レビユー89（1953）624（Phys.Rev.89
（1953）624）のデータから求めたものであり、曲
線はアール・エム・ボゾルス（R.M.Bozorth）
著，レビユー・オブ・モダン・フイジツクス25
（1953）42（Rev.mod.Phys.25（1953）42）のデー
タから求めたものである。
この第５図より、従来のFe−Ni合金ではこの
結晶磁気異方性K1を重視し、この結晶磁気異方
性K1＝０に近い78.5重量％Niの組成のものが用
いられていることが分かる。
結晶磁気異方性K1を重視し、この結晶磁気異方
性K1＝０に近い78.5重量％Niの組成のものが用
いられていることが分かる。
すなわち、一般に抗磁力Hcを小さくするには
結晶磁気異方性K1及び磁歪定数λを小さくする
ことであると言われているが、本発明はFe−Ni
合金膜の抗磁力Hcを大きくしている原因を究明
し、磁歪定数λを小さくすることに重点をおいた
ことを要点とするものである。
結晶磁気異方性K1及び磁歪定数λを小さくする
ことであると言われているが、本発明はFe−Ni
合金膜の抗磁力Hcを大きくしている原因を究明
し、磁歪定数λを小さくすることに重点をおいた
ことを要点とするものである。
次に、本発明の具体的な実施例について説明す
るが、本発明がこれら実施例に限定されるもので
ないことは言うまでもない。
るが、本発明がこれら実施例に限定されるもので
ないことは言うまでもない。
実施例 １
厚さ25μmのポリイミドフイルムを赤外線ヒー
タで220℃に加熱し、このフイルム上に真空度2.0
×10-6Torr、蒸着速度13Å／sec.の条件でFe−
Ni合金（Fe含有量17重量％，Ni含有量83重量
％）を蒸着し、膜厚0.35μmのFe−Ni合金膜を得
た。
タで220℃に加熱し、このフイルム上に真空度2.0
×10-6Torr、蒸着速度13Å／sec.の条件でFe−
Ni合金（Fe含有量17重量％，Ni含有量83重量
％）を蒸着し、膜厚0.35μmのFe−Ni合金膜を得
た。
次いで、上記Fe−Ni合金膜上に真空度2.0×
10-6Torr、蒸着速度14Å／sec.の条件で膜厚200
ÅのTi薄膜を蒸着形成し、さらにこのTi薄膜上
に真空度2.0×10-6Torr、蒸着速度24Å／sec.の
条件で膜厚0.12μmのCo−Cr合金膜を形成してサ
ンプルテープを作製した。
10-6Torr、蒸着速度14Å／sec.の条件で膜厚200
ÅのTi薄膜を蒸着形成し、さらにこのTi薄膜上
に真空度2.0×10-6Torr、蒸着速度24Å／sec.の
条件で膜厚0.12μmのCo−Cr合金膜を形成してサ
ンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのFe−Ni膜の抗磁力
Hcを測定したところ、0.9エルステツドであつ
た。
Hcを測定したところ、0.9エルステツドであつ
た。
比較例 １
先の実施例１において、ポリイミドフイルムの
加熱温度を200℃とし、他は実施例１と同様の方
法によつてサンプルテープを作製した。
加熱温度を200℃とし、他は実施例１と同様の方
法によつてサンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのFe−Ni膜の抗磁力
Hcを測定したところ、29エルステツドであつた。
Hcを測定したところ、29エルステツドであつた。
実施例 ２
厚さ25μmのポリイミドフイルムを赤外線ヒー
タで220℃に加熱し、このフイルム上に真空度2.0
×10-6Torr、蒸着速度13Å／sec.の条件でFe−
Ni合金（Fe含有量18重量％，Ni含有量82重量
％）を蒸着し、膜厚0.35μmFe−Ni合金膜を得
た。
タで220℃に加熱し、このフイルム上に真空度2.0
×10-6Torr、蒸着速度13Å／sec.の条件でFe−
Ni合金（Fe含有量18重量％，Ni含有量82重量
％）を蒸着し、膜厚0.35μmFe−Ni合金膜を得
た。
次いで、上記Fe−Ni合金膜上に真空度2.0×
10-6Torr、蒸着速度14Å／sec.の条件で膜厚200
ÅのTi薄膜を蒸着形成し、さらにこのTi薄膜上
に真空度2.0×10-6Torr、蒸着速度24Å／sec.の
条件で膜厚0.12μmのCo−Cr合金膜を形成してサ
ンプルテープを作製した。
10-6Torr、蒸着速度14Å／sec.の条件で膜厚200
ÅのTi薄膜を蒸着形成し、さらにこのTi薄膜上
に真空度2.0×10-6Torr、蒸着速度24Å／sec.の
条件で膜厚0.12μmのCo−Cr合金膜を形成してサ
ンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのFe−Ni膜の抗磁力
Hcを測定したところ、1.3エルステツドであつ
た。
Hcを測定したところ、1.3エルステツドであつ
た。
実施例 ３
厚さ25μmのポリイミドフイルムを赤外線ヒー
タで220℃に加熱し、このフイルム上に真空度2.0
×10-6Torr、蒸着速度13Å／sec.の条件でFe−
Ni合金（Fe含有量14重量％，Ni含有量86重量
％）を蒸着し、膜厚0.35μmFe−Ni合金膜を得
た。
タで220℃に加熱し、このフイルム上に真空度2.0
×10-6Torr、蒸着速度13Å／sec.の条件でFe−
Ni合金（Fe含有量14重量％，Ni含有量86重量
％）を蒸着し、膜厚0.35μmFe−Ni合金膜を得
た。
次いで、上記Fe−Ni合金膜上に真空度2.0×
10-6Torr、蒸着速度14Å／sec.の条件で膜厚200
ÅのTi薄膜を蒸着形成し、さらにこのTi薄膜上
に真空度2.0×10-6Torr、蒸着速度24Å／sec.の
条件で膜厚0.12μmのCo−Cr合金膜を形成してサ
ンプルテープを作製した。
10-6Torr、蒸着速度14Å／sec.の条件で膜厚200
ÅのTi薄膜を蒸着形成し、さらにこのTi薄膜上
に真空度2.0×10-6Torr、蒸着速度24Å／sec.の
条件で膜厚0.12μmのCo−Cr合金膜を形成してサ
ンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのFe−Ni膜の抗磁力
Hcを測定したところ、2.7エルステツドであつ
た。
Hcを測定したところ、2.7エルステツドであつ
た。
比較例 ２
先の実施例３において、Fe−Ni合金の組成を
21.5重量％Fe，78.5重量％Niとし、他は実施例３
と同様の方法によりサンプルテープを作製した。
21.5重量％Fe，78.5重量％Niとし、他は実施例３
と同様の方法によりサンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのFe−Ni合金膜の抗
磁力Hcを測定したところ27エルステツドであつ
た。
磁力Hcを測定したところ27エルステツドであつ
た。
比較例 ３
先の実施例３において、Fe−Ni合金の組成を
12重量％Fe，88重量％Niとし、他は実施例３と
同様の方法によりサンプルテープを作製した。
12重量％Fe，88重量％Niとし、他は実施例３と
同様の方法によりサンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのFe−Ni合金膜の抗
磁力Hcを測定したところ8.2エルステツドであつ
た。
磁力Hcを測定したところ8.2エルステツドであつ
た。
これら各実施例からも本発明を適用することに
より抗磁力Hcを大幅に低減できることが明らか
である。
より抗磁力Hcを大幅に低減できることが明らか
である。
上述の説明からも明らかなように、本発明にお
いては高透磁率磁性薄膜層を構成するFe−Ni合
金に含まれるNi含有量を調節し、またこの高透
磁率磁性薄膜層を蒸着形成する際の基体温度を制
御することにより、抗磁力Hcの極めて小さな高
透磁率磁性薄膜層を形成することが可能となり、
したがつて記録効率や再生効率の優れた垂直磁気
記録媒体を製造することが可能となる。
いては高透磁率磁性薄膜層を構成するFe−Ni合
金に含まれるNi含有量を調節し、またこの高透
磁率磁性薄膜層を蒸着形成する際の基体温度を制
御することにより、抗磁力Hcの極めて小さな高
透磁率磁性薄膜層を形成することが可能となり、
したがつて記録効率や再生効率の優れた垂直磁気
記録媒体を製造することが可能となる。
また、高透磁率磁性薄膜層の作製方法として真
空蒸着法が採用されるため、生産性も優れたもの
となる。
空蒸着法が採用されるため、生産性も優れたもの
となる。
第１図はFe−Ni合金に含まれるNiの含有量と
得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Hcの関係
を示す特性図、第２図は高透磁率磁性薄膜層を蒸
着形成する際の基体の温度と抗磁力Hcの関係を
示す特性図、第３図は高透磁率磁性薄膜層の膜厚
と抗磁力Hcの関係を示す特性図である。第４図
はFe−Ni合金の組成と磁歪定数λの関係を計算
により求めた特性図、第５図はFe−Ni合金の組
成と結晶磁気異方性K1の関係を示す特性図であ
る。
得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Hcの関係
を示す特性図、第２図は高透磁率磁性薄膜層を蒸
着形成する際の基体の温度と抗磁力Hcの関係を
示す特性図、第３図は高透磁率磁性薄膜層の膜厚
と抗磁力Hcの関係を示す特性図である。第４図
はFe−Ni合金の組成と磁歪定数λの関係を計算
により求めた特性図、第５図はFe−Ni合金の組
成と結晶磁気異方性K1の関係を示す特性図であ
る。
Claims (1)
- １ 基体上にNiを81重量％〜86重量％含有する
Fe−Ni合金よりなる高透磁率磁性薄膜層を上記
基体温度が220℃以上となるように制御しながら
蒸着形成した後、上記高透磁率磁性薄膜層上に垂
直磁気記録層を形成することを特徴とする垂直磁
気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59218251A JPS6199932A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| CA000493186A CA1255000A (en) | 1984-10-19 | 1985-10-17 | Perpendicular magnetic recording medium and method of making same |
| DE8585113267T DE3578858D1 (de) | 1984-10-19 | 1985-10-18 | Medium fuer senkrechte magnetaufzeichnung und verfahren zur herstellung. |
| EP85113267A EP0178685B1 (en) | 1984-10-19 | 1985-10-18 | Perpendicular magnetic recording medium and method of making same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59218251A JPS6199932A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199932A JPS6199932A (ja) | 1986-05-19 |
| JPH0517608B2 true JPH0517608B2 (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=16716958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59218251A Granted JPS6199932A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0178685B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6199932A (ja) |
| CA (1) | CA1255000A (ja) |
| DE (1) | DE3578858D1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2524514B2 (ja) * | 1987-09-21 | 1996-08-14 | 日立マクセル株式会社 | 磁気記録媒体 |
| WO1989003112A1 (en) * | 1987-10-05 | 1989-04-06 | Digital Equipment Corporation | Magnetic medium for longitudinal recording |
| US5176965A (en) * | 1987-10-05 | 1993-01-05 | Digital Equipment Corporation | Magnetic medium for longitudinal recording |
| US5558945A (en) * | 1993-12-28 | 1996-09-24 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
| JP2008097822A (ja) * | 2003-09-12 | 2008-04-24 | Univ Waseda | 磁気記録媒体用基板及び磁気記録媒体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5862827A (ja) * | 1981-10-12 | 1983-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US4477488A (en) * | 1982-03-16 | 1984-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| JPS5933630A (ja) * | 1982-08-19 | 1984-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP59218251A patent/JPS6199932A/ja active Granted
-
1985
- 1985-10-17 CA CA000493186A patent/CA1255000A/en not_active Expired
- 1985-10-18 EP EP85113267A patent/EP0178685B1/en not_active Expired
- 1985-10-18 DE DE8585113267T patent/DE3578858D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0178685B1 (en) | 1990-07-25 |
| EP0178685A3 (en) | 1988-01-20 |
| DE3578858D1 (de) | 1990-08-30 |
| JPS6199932A (ja) | 1986-05-19 |
| EP0178685A2 (en) | 1986-04-23 |
| CA1255000A (en) | 1989-05-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |